JPH10189631A - 半導体装置及びその製造方法並びにこの製造方法に用いる金型 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法並びにこの製造方法に用いる金型Info
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- JPH10189631A JPH10189631A JP9309603A JP30960397A JPH10189631A JP H10189631 A JPH10189631 A JP H10189631A JP 9309603 A JP9309603 A JP 9309603A JP 30960397 A JP30960397 A JP 30960397A JP H10189631 A JPH10189631 A JP H10189631A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディングワイヤがパッケージ表面に露出
するのを防止する。 【解決手段】 モールド前の半導体部品は、リードフレ
ーム１、これに搭載された半導体チップ２、この半導体
チップ２のパッド１０とインナーリード１ａを接続する
ボンディングワイヤ４から成る。これを下型５と金型キ
ャビティ可動部７を備えた上型６の間に介挿して型締め
を行った後、金型内に樹脂８を充填してパッケージを形
成する。このとき、金型キャビティ可動部７の降下によ
りボンディングワイヤ４の上部を押圧してワイヤ高さを
規制し、その状態のまま金型内に樹脂８を充填し、この
充填による樹脂８が硬化しない内に金型キャビティ可動
部７をパッケージ上面高さ位置まで戻し、未充填空間９
に樹脂を充填する。
するのを防止する。 【解決手段】 モールド前の半導体部品は、リードフレ
ーム１、これに搭載された半導体チップ２、この半導体
チップ２のパッド１０とインナーリード１ａを接続する
ボンディングワイヤ４から成る。これを下型５と金型キ
ャビティ可動部７を備えた上型６の間に介挿して型締め
を行った後、金型内に樹脂８を充填してパッケージを形
成する。このとき、金型キャビティ可動部７の降下によ
りボンディングワイヤ４の上部を押圧してワイヤ高さを
規制し、その状態のまま金型内に樹脂８を充填し、この
充填による樹脂８が硬化しない内に金型キャビティ可動
部７をパッケージ上面高さ位置まで戻し、未充填空間９
に樹脂を充填する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、モールド時におけ
るワイヤ流れの防止、及びボンディングワイヤのパッケ
ージ表面への露出を防止することのできる半導体装置及
びその製造方法並びにこの製造方法に用いる金型に関す
る。
るワイヤ流れの防止、及びボンディングワイヤのパッケ
ージ表面への露出を防止することのできる半導体装置及
びその製造方法並びにこの製造方法に用いる金型に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、バスバーを有するＬＯＣ（Lead O
n Chip）構造を持つＴＳＯＰ（Thin Small Outline Pac
kage）においては、通常、リードフレームとチップがパ
ッケージの中心部になるように配置されている。このた
め、リードフレーム面がパッケージ中央から上方へシフ
トし、リードフレーム面からパッケージ表面までの距離
が短くなる。そこで、ボンディングワイヤがパッケージ
表面に露出しないようにするためには、ワイヤボンディ
ングにおけるループの制約や高さの精度、安定性等が要
求される。この要求を満たすため、装置、キャピラリ
ー、ワイヤ材料等を適宜選択することによりワイヤボン
ディングを行っていた。
n Chip）構造を持つＴＳＯＰ（Thin Small Outline Pac
kage）においては、通常、リードフレームとチップがパ
ッケージの中心部になるように配置されている。このた
め、リードフレーム面がパッケージ中央から上方へシフ
トし、リードフレーム面からパッケージ表面までの距離
が短くなる。そこで、ボンディングワイヤがパッケージ
表面に露出しないようにするためには、ワイヤボンディ
ングにおけるループの制約や高さの精度、安定性等が要
求される。この要求を満たすため、装置、キャピラリ
ー、ワイヤ材料等を適宜選択することによりワイヤボン
ディングを行っていた。
【０００３】また、ボンディングワイヤを低く張る必要
があるため、バスバーとワイヤとの間隔が狭くなり、モ
ールド時に僅かでもワイヤ流れが生じるとバスバーに接
触してしまうため、ワイヤが流れないように注入条件を
選定することも行われている。
があるため、バスバーとワイヤとの間隔が狭くなり、モ
ールド時に僅かでもワイヤ流れが生じるとバスバーに接
触してしまうため、ワイヤが流れないように注入条件を
選定することも行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、ボンディングワイヤがパッケージ表面に露出
するおそれがある。また、ワイヤ流れが起きやすく、バ
スバーに接触するおそれもある。
来例では、ボンディングワイヤがパッケージ表面に露出
するおそれがある。また、ワイヤ流れが起きやすく、バ
スバーに接触するおそれもある。
【０００５】本発明の目的は、ボンディングワイヤがパ
ッケージ表面に露出するのを防止し、ワイヤ流れが起き
難くすることのできる半導体装置及びその製造方法並び
にこの製造方法に用いる金型を提供することである。
ッケージ表面に露出するのを防止し、ワイヤ流れが起き
難くすることのできる半導体装置及びその製造方法並び
にこの製造方法に用いる金型を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体チップと、前記半導体チップに電気信号を入出力
するためのリードと、前記リードと前記半導体チップと
を電気的に接続するボンディングワイヤと、前記ボンデ
ィングワイヤ、前記リード及び前記半導体チップを前記
リードの一部が外部に露出するように封止した樹脂とを
備えた半導体装置であって、前記樹脂は、前記ボンディ
ングワイヤを外部に露出させることなく封止し、且つ外
部と接する表面を有するとともに、前記樹脂の前記ボン
ディングワイヤに最も近接した表面に、凹状及び凸状の
うち一方の形状のマークが形成されている。
半導体チップと、前記半導体チップに電気信号を入出力
するためのリードと、前記リードと前記半導体チップと
を電気的に接続するボンディングワイヤと、前記ボンデ
ィングワイヤ、前記リード及び前記半導体チップを前記
リードの一部が外部に露出するように封止した樹脂とを
備えた半導体装置であって、前記樹脂は、前記ボンディ
ングワイヤを外部に露出させることなく封止し、且つ外
部と接する表面を有するとともに、前記樹脂の前記ボン
ディングワイヤに最も近接した表面に、凹状及び凸状の
うち一方の形状のマークが形成されている。
【０００７】ここで好ましくは、前記マークは、樹脂封
止金型により形成されたものである。
止金型により形成されたものである。
【０００８】本発明の半導体装置の製造方法は、樹脂を
用いて半導体チップを被覆してパッケージを形成する樹
脂封止型の半導体装置の製造方法であって、リードフレ
ームに搭載された前記半導体チップのパッドと前記リー
ドフレームのインナーリードとをボンディングワイヤで
接続する第１の工程と、昇降可能な金型キャビティ可動
部を有する上型及び当該上型と一体となって内部空間を
形成する下型からなる金型を用い、前記半導体チップ及
び前記ボンディングワイヤを含む部分を前記金型の前記
内部空間に設置する第２の工程と、前記金型キャビティ
可動部を下降させて前記ボンディングワイヤの上部を押
圧し、ワイヤ高さを規制した状態のまま前記金型内に前
記樹脂を充填する第３の工程と、前記金型キャビティ可
動部を前記パッケージの表面高さ位置まで戻し、この動
作により形成された未充填空間に更に前記樹脂を充填す
る第４の工程とを含む。
用いて半導体チップを被覆してパッケージを形成する樹
脂封止型の半導体装置の製造方法であって、リードフレ
ームに搭載された前記半導体チップのパッドと前記リー
ドフレームのインナーリードとをボンディングワイヤで
接続する第１の工程と、昇降可能な金型キャビティ可動
部を有する上型及び当該上型と一体となって内部空間を
形成する下型からなる金型を用い、前記半導体チップ及
び前記ボンディングワイヤを含む部分を前記金型の前記
内部空間に設置する第２の工程と、前記金型キャビティ
可動部を下降させて前記ボンディングワイヤの上部を押
圧し、ワイヤ高さを規制した状態のまま前記金型内に前
記樹脂を充填する第３の工程と、前記金型キャビティ可
動部を前記パッケージの表面高さ位置まで戻し、この動
作により形成された未充填空間に更に前記樹脂を充填す
る第４の工程とを含む。
【０００９】ここで好ましくは、前記第４の工程におい
て、前記金型内に充填された前記樹脂が未硬化の内に前
記未充填空間に更に前記樹脂を充填する。
て、前記金型内に充填された前記樹脂が未硬化の内に前
記未充填空間に更に前記樹脂を充填する。
【００１０】ここで好ましくは、前記金型キャビティ可
動部は、前記内部空間内に前記樹脂を充填する。
動部は、前記内部空間内に前記樹脂を充填する。
【００１１】本発明の金型は、樹脂を用いて半導体チッ
プを被覆してパッケージを形成し、半導体装置を製造す
る金型であって、昇降可能な金型キャビティ可動部を有
する上型と、当該上型と一体となって内部空間を形成す
る下型とを備える。
プを被覆してパッケージを形成し、半導体装置を製造す
る金型であって、昇降可能な金型キャビティ可動部を有
する上型と、当該上型と一体となって内部空間を形成す
る下型とを備える。
【００１２】ここで好ましくは、前記金型キャビティ可
動部には、少なくとも前記半導体チップに接続されたボ
ンディングワイヤとの接触面に滑り止め加工が施されて
いる。
動部には、少なくとも前記半導体チップに接続されたボ
ンディングワイヤとの接触面に滑り止め加工が施されて
いる。
【００１３】更に好ましくは、前記滑り止め加工は、梨
地処理である。
地処理である。
【００１４】また好ましくは、前記金型キャビティ可動
部は、前記内部空間内に前記樹脂を充填する。
部は、前記内部空間内に前記樹脂を充填する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明による樹脂封止型の
半導体装置の製造方法を図面を用いて詳細に説明する。
図１〜図５は、この半導体装置の製造工程を順次示す概
略断面図である。なお、図１〜図５はモールド工程のみ
を示し、モールド金型を用いて樹脂を注入（充填）する
モールド方法を示している。
半導体装置の製造方法を図面を用いて詳細に説明する。
図１〜図５は、この半導体装置の製造工程を順次示す概
略断面図である。なお、図１〜図５はモールド工程のみ
を示し、モールド金型を用いて樹脂を注入（充填）する
モールド方法を示している。
【００１６】この工程では、初めに、リードフレーム１
に半導体チップ（デバイス）２をポリイミドテープ３を
介して搭載した後、半導体チップ２のパッド１０とリー
ドフレーム１のインナーリード１ａとをボンディングワ
イヤ４によって接続する。なお、１ｂはバスバーであ
る。
に半導体チップ（デバイス）２をポリイミドテープ３を
介して搭載した後、半導体チップ２のパッド１０とリー
ドフレーム１のインナーリード１ａとをボンディングワ
イヤ４によって接続する。なお、１ｂはバスバーであ
る。
【００１７】次に、本実施形態の主要工程であるモール
ド工程を行う。私は、先ず、上述のように構成された半
製品を図１に示すように半導体チップ２を下側にして、
上型５（モールド金型）と下型６（モールド金型）の間
の内部空間に搬入して位置決めし、下型６の上面にリー
ドフレーム１を載置する。なお、上型５は、この上型５
内を昇降可能であると共に樹脂が流入可能な構成を有す
る金型キャビティ可動部７を備えている。この金型キャ
ビティ可動部７は、ボンディングワイヤ４に接触可能な
位置に設置され、その下面は上型５の内面と同一高さに
設定されている。
ド工程を行う。私は、先ず、上述のように構成された半
製品を図１に示すように半導体チップ２を下側にして、
上型５（モールド金型）と下型６（モールド金型）の間
の内部空間に搬入して位置決めし、下型６の上面にリー
ドフレーム１を載置する。なお、上型５は、この上型５
内を昇降可能であると共に樹脂が流入可能な構成を有す
る金型キャビティ可動部７を備えている。この金型キャ
ビティ可動部７は、ボンディングワイヤ４に接触可能な
位置に設置され、その下面は上型５の内面と同一高さに
設定されている。
【００１８】続いて、図１の状態から上型５を降下させ
て、下型６との間でリードフレーム１を挟んで固定す
る。その後、更に私は、金型キャビティ可動部７を降下
させると、製造装置は図２の状態になる。金型キャビテ
ィ可動部７が降下するにつれ、金型キャビティ可動部７
の下面はボンディングワイヤ４の頂部を押し下げ、ボン
ディングワイヤ４の高さが低くなる。この操作により、
ボンディングワイヤ４がパッケージ表面から露出するこ
とがなくなる。
て、下型６との間でリードフレーム１を挟んで固定す
る。その後、更に私は、金型キャビティ可動部７を降下
させると、製造装置は図２の状態になる。金型キャビテ
ィ可動部７が降下するにつれ、金型キャビティ可動部７
の下面はボンディングワイヤ４の頂部を押し下げ、ボン
ディングワイヤ４の高さが低くなる。この操作により、
ボンディングワイヤ４がパッケージ表面から露出するこ
とがなくなる。
【００１９】続いて、図３に示すように、金型キャビテ
ィ可動部７を図２の状態にしたまま、金型キャビティ可
動部７を通して金型内の全域に樹脂８を注入する。この
後、私は、金型キャビティ可動部７を上型５から僅かに
引き抜き、図４に示すように、金型キャビティ可動部７
の下面が上型５の内面と同一平面になるようにする。こ
のとき、金型キャビティ可動部７の下部には、樹脂８の
未充填空間９が形成される。そこで、未充填空間９が埋
まるように、金型キャビティ可動部７を通して樹脂を再
充填し、図５に示すように、製品である半導体装置のパ
ッケージ上面が平坦になるようにする。なお、未充填空
間９内は、金型キャビティ可動部７の引き上げによって
負圧が形成されている。したがって、樹脂を再充填して
もボイドを発生することはないが、金型キャビティ可動
部７の上型５の内面との平面位置のずれに伴う跡（マー
ク）は残る場合もあり得る。この跡を積極的に残し、金
型キャビティ可動部７の型を区別することにより、この
跡を商標或いは製品識別マークとして残して使用するこ
とができる。
ィ可動部７を図２の状態にしたまま、金型キャビティ可
動部７を通して金型内の全域に樹脂８を注入する。この
後、私は、金型キャビティ可動部７を上型５から僅かに
引き抜き、図４に示すように、金型キャビティ可動部７
の下面が上型５の内面と同一平面になるようにする。こ
のとき、金型キャビティ可動部７の下部には、樹脂８の
未充填空間９が形成される。そこで、未充填空間９が埋
まるように、金型キャビティ可動部７を通して樹脂を再
充填し、図５に示すように、製品である半導体装置のパ
ッケージ上面が平坦になるようにする。なお、未充填空
間９内は、金型キャビティ可動部７の引き上げによって
負圧が形成されている。したがって、樹脂を再充填して
もボイドを発生することはないが、金型キャビティ可動
部７の上型５の内面との平面位置のずれに伴う跡（マー
ク）は残る場合もあり得る。この跡を積極的に残し、金
型キャビティ可動部７の型を区別することにより、この
跡を商標或いは製品識別マークとして残して使用するこ
とができる。
【００２０】ここで、金型キャビティ可動部７のボンデ
ィングワイヤ４に接する部分を梨地処理することができ
る。このような構成により、樹脂を注入してもボンディ
ングワイヤ４は金型キャビティ可動部７との摩擦による
滑りを低減でき、ワイヤ流れを起き難くすることが可能
になる。従って、ボンディングワイヤ４の高さ規制が確
実に行われる。なお、梨地加工に代え、同様な効果を示
す処理を施すこともできる。例えば、金型キャビティ可
動部７の下面をギザギザに加工したり、微細なスリット
を入れる加工等にしてもよい。要するにボンディングワ
イヤが滑らない構造であれば何でもよい。
ィングワイヤ４に接する部分を梨地処理することができ
る。このような構成により、樹脂を注入してもボンディ
ングワイヤ４は金型キャビティ可動部７との摩擦による
滑りを低減でき、ワイヤ流れを起き難くすることが可能
になる。従って、ボンディングワイヤ４の高さ規制が確
実に行われる。なお、梨地加工に代え、同様な効果を示
す処理を施すこともできる。例えば、金型キャビティ可
動部７の下面をギザギザに加工したり、微細なスリット
を入れる加工等にしてもよい。要するにボンディングワ
イヤが滑らない構造であれば何でもよい。
【００２１】具体的な一例として、金型キャビティ可動
部７の押圧面を梨地処理するとともに、Ｎ字状のマーク
を刻印する場合を図６に示す。この場合、金型キャビテ
ィ可動部７の押圧面１１には図６（ａ）に示すように梨
地処理が施されており、樹脂８の注入口１２がＮ字状に
開口形成されている。この金型キャビティ可動部７を用
いて上述したモールド工程が行われると、パッケージの
表面１３には、図６（ｂ）に示すように、押圧面１１の
形状に倣って円内にＮ字状のマーク１４が形成されるこ
とになる。
部７の押圧面を梨地処理するとともに、Ｎ字状のマーク
を刻印する場合を図６に示す。この場合、金型キャビテ
ィ可動部７の押圧面１１には図６（ａ）に示すように梨
地処理が施されており、樹脂８の注入口１２がＮ字状に
開口形成されている。この金型キャビティ可動部７を用
いて上述したモールド工程が行われると、パッケージの
表面１３には、図６（ｂ）に示すように、押圧面１１の
形状に倣って円内にＮ字状のマーク１４が形成されるこ
とになる。
【００２２】なお、本実施形態においては、金型キャビ
ティ可動部７に樹脂８の注入口が形成されている場合に
ついて例示したが、本発明はこれに限定されることな
く、例えば樹脂８の注入口を金型キャビティ可動部７以
外の金型の所定部位に設けても良い。具体的な一例とし
て、金型キャビティ可動部７の押圧面を梨地処理すると
ともに、例えば円形の製品識別マークを形成する場合を
図７に示す。この場合、金型キャビティ可動部７の押圧
面１１には図７（ａ）に示すようにその全面に梨地処理
が施されており、この金型キャビティ可動部７を用いて
上述したモールド工程が行われると、パッケージの表面
１３には、図７（ｂ）に示すように、押圧面１１の形状
に倣った円形のマーク１５が形成されることになる。
ティ可動部７に樹脂８の注入口が形成されている場合に
ついて例示したが、本発明はこれに限定されることな
く、例えば樹脂８の注入口を金型キャビティ可動部７以
外の金型の所定部位に設けても良い。具体的な一例とし
て、金型キャビティ可動部７の押圧面を梨地処理すると
ともに、例えば円形の製品識別マークを形成する場合を
図７に示す。この場合、金型キャビティ可動部７の押圧
面１１には図７（ａ）に示すようにその全面に梨地処理
が施されており、この金型キャビティ可動部７を用いて
上述したモールド工程が行われると、パッケージの表面
１３には、図７（ｂ）に示すように、押圧面１１の形状
に倣った円形のマーク１５が形成されることになる。
【００２３】以上のように、本実施形態によれば、樹脂
充填に先行して金型キャビティ可動部７によりボンディ
ングワイヤ４が押下されて当該ボンディングワイヤ４の
高さが規制され、モールド後のパッケージ表面からボン
ディングワイヤ４が露出するのを防止する。この結果、
ボンディングワイヤ４のループ形状が矯正されるほか、
不良品の発生率を低減することができる。
充填に先行して金型キャビティ可動部７によりボンディ
ングワイヤ４が押下されて当該ボンディングワイヤ４の
高さが規制され、モールド後のパッケージ表面からボン
ディングワイヤ４が露出するのを防止する。この結果、
ボンディングワイヤ４のループ形状が矯正されるほか、
不良品の発生率を低減することができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂充填に先行して金
型キャビティ可動部によりボンディングワイヤが押下さ
れてワイヤの高さが規制され、モールド後のパッケージ
表面からボンディングワイヤが露出するのを防止する。
この結果、ボンディングワイヤのループ形状が矯正され
るほか、不良品の発生率を低減することができる。
型キャビティ可動部によりボンディングワイヤが押下さ
れてワイヤの高さが規制され、モールド後のパッケージ
表面からボンディングワイヤが露出するのを防止する。
この結果、ボンディングワイヤのループ形状が矯正され
るほか、不良品の発生率を低減することができる。
【００２５】更に、本発明によれば、金型キャビティ可
動部が降下し、その下部がボンディングワイヤの上端に
接触したとき、滑り止め加工部が両者間の摩擦力を大き
くして滑りを低減し、ボンディングワイヤが水平方向に
移動する動き、いわゆるワイヤ流れを防止する。したが
って、ボンディングワイヤの高さ規制が確実に行われ、
ボンディングワイヤのループ形状が矯正されると共に、
不良品の発生率を低減することができる。
動部が降下し、その下部がボンディングワイヤの上端に
接触したとき、滑り止め加工部が両者間の摩擦力を大き
くして滑りを低減し、ボンディングワイヤが水平方向に
移動する動き、いわゆるワイヤ流れを防止する。したが
って、ボンディングワイヤの高さ規制が確実に行われ、
ボンディングワイヤのループ形状が矯正されると共に、
不良品の発生率を低減することができる。
【００２６】更に、本発明によれば、きめ細かな表面状
態の梨地面はボンディングワイヤに確実に接触し、ボン
ディングワイヤと金型キャビティ可動部の滑りを防止
し、ワイヤ流れを効果的に防止する。その結果、ボンデ
ィングワイヤの高さ規制が確実に行われ、ボンディング
ワイヤのループ形状が矯正されると共に、不良品の発生
率を低減することができる。また、ワイヤ流れを考慮す
る必要がないため、樹脂の注入速度を速くすることがで
き、装置のスループットを上げることができる。
態の梨地面はボンディングワイヤに確実に接触し、ボン
ディングワイヤと金型キャビティ可動部の滑りを防止
し、ワイヤ流れを効果的に防止する。その結果、ボンデ
ィングワイヤの高さ規制が確実に行われ、ボンディング
ワイヤのループ形状が矯正されると共に、不良品の発生
率を低減することができる。また、ワイヤ流れを考慮す
る必要がないため、樹脂の注入速度を速くすることがで
き、装置のスループットを上げることができる。
【図１】本発明の実施形態に係る樹脂封止型の半導体装
置の製造方法を示す概略断面図である。
置の製造方法を示す概略断面図である。
【図２】図１に引き続き、本発明の実施形態に係る樹脂
封止型の半導体装置の製造方法を示す概略断面図であ
る。
封止型の半導体装置の製造方法を示す概略断面図であ
る。
【図３】図２に引き続き、本発明の実施形態に係る樹脂
封止型の半導体装置の製造方法を示す概略断面図であ
る。
封止型の半導体装置の製造方法を示す概略断面図であ
る。
【図４】図３に引き続き、本発明の実施形態に係る樹脂
封止型の半導体装置の製造方法を示す概略断面図であ
る。
封止型の半導体装置の製造方法を示す概略断面図であ
る。
【図５】図４に引き続き、本発明の実施形態に係る樹脂
封止型の半導体装置の製造方法を示す概略断面図であ
る。
封止型の半導体装置の製造方法を示す概略断面図であ
る。
【図６】金型キャビティ可動部及びそれによりパッケー
ジの表面に形成されたマークの一例を示す概略平面図で
ある。
ジの表面に形成されたマークの一例を示す概略平面図で
ある。
【図７】金型キャビティ可動部及びそれによりパッケー
ジの表面に形成されたマークの他の例を示す概略平面図
である。
ジの表面に形成されたマークの他の例を示す概略平面図
である。
１ リードフレーム １ａ インナーリード １ｂ バスバー ２ 半導体チップ ３ ポリイミドテープ ４ ボンディングワイヤ ５ 上型 ６ 下型 ７ 金型キャビティ可動部 ８ 樹脂 ９ 未充填空間 １０ パッド １１ 押圧面 １２ 注入口 １３ パッケージの表面 １４，１５ マーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体チップと、前記半導体チップに電
気信号を入出力するためのリードと、前記リードと前記
半導体チップとを電気的に接続するボンディングワイヤ
と、前記ボンディングワイヤ、前記リード及び前記半導
体チップを前記リードの一部が外部に露出するように封
止した樹脂とを備えた半導体装置であって、 前記樹脂は、前記ボンディングワイヤを外部に露出させ
ることなく封止し、且つ外部と接する表面を有するとと
もに、 前記樹脂の前記ボンディングワイヤに最も近接した表面
に、凹状及び凸状のうち一方の形状のマークが形成され
ていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記マークは、樹脂封止金型により形成
されたものであることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置。 - 【請求項３】 樹脂を用いて半導体チップを被覆してパ
ッケージを形成する樹脂封止型の半導体装置の製造方法
であって、 リードフレームに搭載された前記半導体チップのパッド
と前記リードフレームのインナーリードとをボンディン
グワイヤで接続する第１の工程と、 昇降可能な金型キャビティ可動部を有する上型及び当該
上型と一体となって内部空間を形成する下型からなる金
型を用い、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイ
ヤを含む部分を前記金型の前記内部空間に設置する第２
の工程と、 前記金型キャビティ可動部を下降させて前記ボンディン
グワイヤの上部を押圧し、ワイヤ高さを規制した状態の
まま前記金型内に前記樹脂を充填する第３の工程と、 前記金型キャビティ可動部を前記パッケージの表面高さ
位置まで戻し、この動作により形成された未充填空間に
更に前記樹脂を充填する第４の工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記第４の工程において、前記金型内に
充填された前記樹脂が未硬化の内に前記未充填空間に更
に前記樹脂を充填することを特徴とする請求項３に記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記金型キャビティ可動部は、前記内部
空間内に前記樹脂を充填することを特徴とする請求項３
又は４に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 樹脂を用いて半導体チップを被覆してパ
ッケージを形成し、半導体装置を製造する金型であっ
て、 昇降可能な金型キャビティ可動部を有する上型と、当該
上型と一体となって内部空間を形成する下型とを備える
ことを特徴とする金型。 - 【請求項７】 前記金型キャビティ可動部には、少なく
とも前記半導体チップに接続されたボンディングワイヤ
との接触面に滑り止め加工が施されていることを特徴と
する請求項６に記載の金型。 - 【請求項８】 前記滑り止め加工は、梨地処理であるこ
とを特徴とする請求項６又は７に記載の金型。 - 【請求項９】 前記金型キャビティ可動部は、前記内部
空間内に前記樹脂を充填することを特徴とする請求項６
〜８のいずれか１項に記載の金型。
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|---|---|---|---|
| JP30960397A JP3902846B2 (ja) | 1996-10-25 | 1997-10-24 | 半導体装置の製造方法及びこの製造方法に用いる金型 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-299819 | 1996-10-25 | ||
| JP29981996 | 1996-10-25 | ||
| JP30960397A JP3902846B2 (ja) | 1996-10-25 | 1997-10-24 | 半導体装置の製造方法及びこの製造方法に用いる金型 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189631A true JPH10189631A (ja) | 1998-07-21 |
| JPH10189631A5 JPH10189631A5 (ja) | 2005-06-30 |
| JP3902846B2 JP3902846B2 (ja) | 2007-04-11 |
Family
ID=26562085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30960397A Expired - Fee Related JP3902846B2 (ja) | 1996-10-25 | 1997-10-24 | 半導体装置の製造方法及びこの製造方法に用いる金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3902846B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7319042B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-15 | Yamaha Corporation | Method and apparatus for manufacture and inspection of semiconductor device |
| US8169089B2 (en) | 2008-06-24 | 2012-05-01 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device including semiconductor chip and sealing material |
-
1997
- 1997-10-24 JP JP30960397A patent/JP3902846B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7319042B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-15 | Yamaha Corporation | Method and apparatus for manufacture and inspection of semiconductor device |
| US8169089B2 (en) | 2008-06-24 | 2012-05-01 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device including semiconductor chip and sealing material |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3902846B2 (ja) | 2007-04-11 |
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