JPH10189680A - 半導体装置製造装置 - Google Patents
半導体装置製造装置Info
- Publication number
- JPH10189680A JPH10189680A JP8348343A JP34834396A JPH10189680A JP H10189680 A JPH10189680 A JP H10189680A JP 8348343 A JP8348343 A JP 8348343A JP 34834396 A JP34834396 A JP 34834396A JP H10189680 A JPH10189680 A JP H10189680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- semiconductor device
- chb
- wafer
- cha
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マルチチャンバ方式での搬送時間を短縮させ
ることができる半導体装置製造装置を提供すること。 【解決手段】 半導体装置を搬送する搬送用アーム１２
ａ、１２ｂ、１２ｃをチャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及びロー
ドロックＬ／Ｌと同数設ける。
ることができる半導体装置製造装置を提供すること。 【解決手段】 半導体装置を搬送する搬送用アーム１２
ａ、１２ｂ、１２ｃをチャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及びロー
ドロックＬ／Ｌと同数設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置を製
造する装置内の各チャンバを個別に分けることが可能な
マルチチャンバ方式の半導体装置製造装置に関するもの
である。
造する装置内の各チャンバを個別に分けることが可能な
マルチチャンバ方式の半導体装置製造装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のマルチチャンバ方式の半
導体装置製造装置の一例を示す平面図である。この半導
体装置製造装置１は、平行平板型の半導体装置製造装置
であって、図示矢印ａ方向に伸縮可能な１本の搬送用ア
ーム２が、搬送用チャンバ３の中央に図示矢印ｂ方向に
回転可能なように装着されている。そして、装置入口で
あるロードロックＬ／Ｌと２つのチャンバＣｈＡ、Ｃｈ
Ｂが、搬送用チャンバ３を挟んで対向するように設けら
れている。
導体装置製造装置の一例を示す平面図である。この半導
体装置製造装置１は、平行平板型の半導体装置製造装置
であって、図示矢印ａ方向に伸縮可能な１本の搬送用ア
ーム２が、搬送用チャンバ３の中央に図示矢印ｂ方向に
回転可能なように装着されている。そして、装置入口で
あるロードロックＬ／Ｌと２つのチャンバＣｈＡ、Ｃｈ
Ｂが、搬送用チャンバ３を挟んで対向するように設けら
れている。
【０００３】このような構成において、その動作例を図
５を参照して説明する。図５は、各チャンバＣｈＡ、Ｃ
ｈＢ及びロードロックＬ／ＬにそれぞれウエハＷ１、Ｗ
２、Ｗ３が収容されており、チャンバＣｈＢに存在する
ウエハＷ２をロードロックＬ／Ｌへ移動させて回収し、
ロードロックＬ／Ｌに存在する未処理のウエハＷ３をチ
ャンバＣｈＡへ移動させ、チャンバＣｈＡに存在するウ
エハＷ１をチャンバＣｈＢへ移動させる作業についての
手順（Ｓ１〜Ｓ１８）を示す。
５を参照して説明する。図５は、各チャンバＣｈＡ、Ｃ
ｈＢ及びロードロックＬ／ＬにそれぞれウエハＷ１、Ｗ
２、Ｗ３が収容されており、チャンバＣｈＢに存在する
ウエハＷ２をロードロックＬ／Ｌへ移動させて回収し、
ロードロックＬ／Ｌに存在する未処理のウエハＷ３をチ
ャンバＣｈＡへ移動させ、チャンバＣｈＡに存在するウ
エハＷ１をチャンバＣｈＢへ移動させる作業についての
手順（Ｓ１〜Ｓ１８）を示す。
【０００４】Ｓ１．メインフレームとチャンバＣｈＢを
繋ぐゲートバルブを開ける。 Ｓ２．搬送用アーム２によりチャンバＣｈＢ中のウエハ
Ｗ２を搬出する。 Ｓ３．チャンバＣｈＢのゲートバルブを閉める。 Ｓ４．メインフレームとロードロックＬ／Ｌを繋ぐゲー
トバルブを開ける。 Ｓ５．搬送用アーム２によりロードロックＬ／Ｌにウエ
ハＷ２を収納する。 Ｓ６．ロードロックＬ／Ｌのゲートバルブを閉める。
繋ぐゲートバルブを開ける。 Ｓ２．搬送用アーム２によりチャンバＣｈＢ中のウエハ
Ｗ２を搬出する。 Ｓ３．チャンバＣｈＢのゲートバルブを閉める。 Ｓ４．メインフレームとロードロックＬ／Ｌを繋ぐゲー
トバルブを開ける。 Ｓ５．搬送用アーム２によりロードロックＬ／Ｌにウエ
ハＷ２を収納する。 Ｓ６．ロードロックＬ／Ｌのゲートバルブを閉める。
【０００５】Ｓ７．メインフレームとチャンバＣｈＡを
繋ぐゲートバルブを開ける。 Ｓ８．搬送用アーム２によりチャンバＣｈＡ中のウエハ
Ｗ１を搬出する。 Ｓ９．チャンバＣｈＡのゲートバルブを閉める。 Ｓｌ０．チャンバＣｈＢのゲートバルブを開ける。 Ｓｌｌ．搬送用アーム２によりチャンバＣｈＢにウエハ
Ｗ１を収納する。 Ｓｌ２．チャンバＣｈＢのゲートバルブを閉める。
繋ぐゲートバルブを開ける。 Ｓ８．搬送用アーム２によりチャンバＣｈＡ中のウエハ
Ｗ１を搬出する。 Ｓ９．チャンバＣｈＡのゲートバルブを閉める。 Ｓｌ０．チャンバＣｈＢのゲートバルブを開ける。 Ｓｌｌ．搬送用アーム２によりチャンバＣｈＢにウエハ
Ｗ１を収納する。 Ｓｌ２．チャンバＣｈＢのゲートバルブを閉める。
【０００６】Ｓｌ３．ロードロックＬ／Ｌのゲートバル
ブを開ける。 Ｓｌ４．搬送用アーム２によりロードロックＬ／Ｌ中の
ウエハＷ３を搬出する。 Ｓｌ５．ロードロックＬ／Ｌのゲートバルブを閉める。 Ｓｌ６．チャンバＣｈＢのゲートバルブを開ける。 Ｓ１７．搬送用アーム２によりチャンバＣｈＢにウエハ
Ｗ３を収納する。 Ｓｌ８．チャンバＣｈＢのゲートバルブを閉める。 このように従来のマルチチャンバ方式の半導体装置製造
装置１では、以上のｌ８工程が必要となる。
ブを開ける。 Ｓｌ４．搬送用アーム２によりロードロックＬ／Ｌ中の
ウエハＷ３を搬出する。 Ｓｌ５．ロードロックＬ／Ｌのゲートバルブを閉める。 Ｓｌ６．チャンバＣｈＢのゲートバルブを開ける。 Ｓ１７．搬送用アーム２によりチャンバＣｈＢにウエハ
Ｗ３を収納する。 Ｓｌ８．チャンバＣｈＢのゲートバルブを閉める。 このように従来のマルチチャンバ方式の半導体装置製造
装置１では、以上のｌ８工程が必要となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマルチ
チャンバ方式の半導体装置製造装置１では、ロボットの
移動速度を速めたり搬送における移動距離の精度を高め
て搬送速度を速め、スループットを向上させているが、
それでも上記工程においては搬送のみに９０秒以上の時
間を要していた。従って、この半導体装置製造装置１で
例えぱスパッタや化学気相（ＣＶＤ）を行うときに、１
つのチャンバ中でのウエハの処理時間が例えぱ６０秒程
度であって上記搬送時間を越えない場合は、搬送がスル
ープットを律速することになり、製品１つ当たりに要す
る製造時間が余計に掛かることになるという問題があっ
た。
チャンバ方式の半導体装置製造装置１では、ロボットの
移動速度を速めたり搬送における移動距離の精度を高め
て搬送速度を速め、スループットを向上させているが、
それでも上記工程においては搬送のみに９０秒以上の時
間を要していた。従って、この半導体装置製造装置１で
例えぱスパッタや化学気相（ＣＶＤ）を行うときに、１
つのチャンバ中でのウエハの処理時間が例えぱ６０秒程
度であって上記搬送時間を越えない場合は、搬送がスル
ープットを律速することになり、製品１つ当たりに要す
る製造時間が余計に掛かることになるという問題があっ
た。
【０００８】この発明は、以上の点に鑑み、マルチチャ
ンバ方式での搬送時間を短縮させることができる半導体
装置製造装置を提供することを目的とする。
ンバ方式での搬送時間を短縮させることができる半導体
装置製造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、この発明に
よれば、マルチチャンバ方式の半導体装置の製造装置で
あって、前記半導体装置を搬送する搬送用アームをチャ
ンバ及びロードロックと同数設けることにより達成され
る。
よれば、マルチチャンバ方式の半導体装置の製造装置で
あって、前記半導体装置を搬送する搬送用アームをチャ
ンバ及びロードロックと同数設けることにより達成され
る。
【００１０】上記構成によれば、各チャンバ及びロード
ロックに対応した搬送用アームを備えているので、より
高いスループットにて半導体装置を搬送することがで
き、装置の生産能力の向上させることができる。
ロックに対応した搬送用アームを備えているので、より
高いスループットにて半導体装置を搬送することがで
き、装置の生産能力の向上させることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を添付図を参照しながら詳細に説明する。尚、以下に述
べる実施形態は、この発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発
明の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの形態に限られるもので
はない。
を添付図を参照しながら詳細に説明する。尚、以下に述
べる実施形態は、この発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発
明の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの形態に限られるもので
はない。
【００１２】図１は、この発明の半導体装置製造装置の
第１の実施形態を示す平面図である。この半導体装置製
造装置１１は、平行平板型の半導体装置製造装置であっ
て、伸縮可能な３本の搬送用アーム１２ａ、１２ｂ、１
２ｃが、搬送用チャンバ１３の中央にそれぞれ回転可能
なように装着されている。そして、装置入口であるロー
ドロックＬ／Ｌと２つのチャンバＣｈＡ、ＣｈＢが、搬
送用チャンバ１３を挟んで対向するように設けられてい
る。
第１の実施形態を示す平面図である。この半導体装置製
造装置１１は、平行平板型の半導体装置製造装置であっ
て、伸縮可能な３本の搬送用アーム１２ａ、１２ｂ、１
２ｃが、搬送用チャンバ１３の中央にそれぞれ回転可能
なように装着されている。そして、装置入口であるロー
ドロックＬ／Ｌと２つのチャンバＣｈＡ、ＣｈＢが、搬
送用チャンバ１３を挟んで対向するように設けられてい
る。
【００１３】このような構成において、その動作例を説
明する。この例では、各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及びロ
ードロックＬ／ＬにそれぞれウエハＷ１、Ｗ２、Ｗ３が
収容されており、チャンバＣｈＡに存在するウエハＷ１
をチャンバＣｈＢへ移動させ、チャンバＣｈＢに存在す
るウエハＷ２をロードロックＬ／Ｌへ移動させて回収
し、ロードロックＬ／Ｌに存在する未処理のウエハＷ３
をチャンバＣｈＡへ移動させる作業についての手順（Ｓ
１〜Ｓ４）を示す。
明する。この例では、各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及びロ
ードロックＬ／ＬにそれぞれウエハＷ１、Ｗ２、Ｗ３が
収容されており、チャンバＣｈＡに存在するウエハＷ１
をチャンバＣｈＢへ移動させ、チャンバＣｈＢに存在す
るウエハＷ２をロードロックＬ／Ｌへ移動させて回収
し、ロードロックＬ／Ｌに存在する未処理のウエハＷ３
をチャンバＣｈＡへ移動させる作業についての手順（Ｓ
１〜Ｓ４）を示す。
【００１４】Ｓｌ．メインフレームと各チャンバＣｈ
Ａ、ＣｈＢ及びロードロックＬ／Ｌを繋ぐゲートバルブ
を同時に開ける。Ｓ２．搬送用アーム１２ａによりチャ
ンバＣｈＡ中のウエハＷ１を、搬送用アーム１２ｂによ
りチャンバＣｈＢ中のウエハＷ２を、搬送用アーム１２
ｃによりロードロックＬ／Ｌ中のウエハＷ３を同時に搬
出する。Ｓ３．搬送用アーム１２ａによりチャンバＣｈ
ＢにウエハＷ１を、搬送用アーム１２ｂによりロードロ
ックＬ／ＬにウエハＷ２を、搬送用アーム１２ｃにより
チャンバＣｈＡにウエハＷ３を同時に収納する。Ｓ４．
各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及びロードロックＬ／Ｌのゲ
ートバルブを同時に閉める。
Ａ、ＣｈＢ及びロードロックＬ／Ｌを繋ぐゲートバルブ
を同時に開ける。Ｓ２．搬送用アーム１２ａによりチャ
ンバＣｈＡ中のウエハＷ１を、搬送用アーム１２ｂによ
りチャンバＣｈＢ中のウエハＷ２を、搬送用アーム１２
ｃによりロードロックＬ／Ｌ中のウエハＷ３を同時に搬
出する。Ｓ３．搬送用アーム１２ａによりチャンバＣｈ
ＢにウエハＷ１を、搬送用アーム１２ｂによりロードロ
ックＬ／ＬにウエハＷ２を、搬送用アーム１２ｃにより
チャンバＣｈＡにウエハＷ３を同時に収納する。Ｓ４．
各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及びロードロックＬ／Ｌのゲ
ートバルブを同時に閉める。
【００１５】このようにこの実施形態のマルチチャンバ
方式の半導体装置製造装置１１では、以上の４工程のみ
で良いので、２０秒程度で搬送を終了することができ
る。また、全てのチャンバ中で一斉にウエハの処理を行
うため、全てのチャンバ中で最も処理時間の掛かるチャ
ンバでの処理時間が他のチャンバでの処理時間を律速す
ることとなる。従って、ウエハの処理時間が例えばチャ
ンバＣｈＡにて４０秒程度、チャンバＣｈＢにて３０秒
程度要する場合、従来の半導体装置製造装置１では搬送
に９０秒程度要するため、１枚のウエハを製造するのに
要する時間は９０秒であったものが、この実施形態の半
導体装置製造装置１１では搬送が２０秒程度であるの
で、１枚のウエハを製造するのに要する時間は４０秒＋
２０秒＝６０秒で済むことになる。
方式の半導体装置製造装置１１では、以上の４工程のみ
で良いので、２０秒程度で搬送を終了することができ
る。また、全てのチャンバ中で一斉にウエハの処理を行
うため、全てのチャンバ中で最も処理時間の掛かるチャ
ンバでの処理時間が他のチャンバでの処理時間を律速す
ることとなる。従って、ウエハの処理時間が例えばチャ
ンバＣｈＡにて４０秒程度、チャンバＣｈＢにて３０秒
程度要する場合、従来の半導体装置製造装置１では搬送
に９０秒程度要するため、１枚のウエハを製造するのに
要する時間は９０秒であったものが、この実施形態の半
導体装置製造装置１１では搬送が２０秒程度であるの
で、１枚のウエハを製造するのに要する時間は４０秒＋
２０秒＝６０秒で済むことになる。
【００１６】以上のようにこの実施形態のマルチチャン
バ方式の半導体装置製造装置１１では、搭載した２つの
チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及び１つのロードロックＬ／Ｌ
と同数の３本の搬送用アーム１２ａ、１２ｂ、１２ｃを
用いて搬送を一度に行うようにしているので、以上の４
工程のみで良く、搬送に要する時間を短縮させることが
できる。従って、チャンバやロードロックを複数搭載し
た半導体装置製造装置、例えば図２に示す第２の実施形
態のような３つのチャンバＣｈＡ、ＣｈＢ、ＣｈＣと１
つのロードロックＬ／Ｌを搭載した半導体装置製造装置
２１や、図３に示す第３の実施形態のような２つのチャ
ンバＣｈＡ、ＣｈＢと２つのロードロックＬ／ＬＡ、Ｌ
／ＬＢを搭載した半導体装置製造装置３１の場合は、４
本の搬送用アーム２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ又は
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄを備えるようにすれば
良い。
バ方式の半導体装置製造装置１１では、搭載した２つの
チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及び１つのロードロックＬ／Ｌ
と同数の３本の搬送用アーム１２ａ、１２ｂ、１２ｃを
用いて搬送を一度に行うようにしているので、以上の４
工程のみで良く、搬送に要する時間を短縮させることが
できる。従って、チャンバやロードロックを複数搭載し
た半導体装置製造装置、例えば図２に示す第２の実施形
態のような３つのチャンバＣｈＡ、ＣｈＢ、ＣｈＣと１
つのロードロックＬ／Ｌを搭載した半導体装置製造装置
２１や、図３に示す第３の実施形態のような２つのチャ
ンバＣｈＡ、ＣｈＢと２つのロードロックＬ／ＬＡ、Ｌ
／ＬＢを搭載した半導体装置製造装置３１の場合は、４
本の搬送用アーム２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ又は
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄを備えるようにすれば
良い。
【００１７】図２に示すこの発明の半導体装置製造装置
の第２の実施形態を用いて、スパッタ法により半導体装
置の配線用薄膜を形成する場合について説明する。ここ
で、配線としては、上からＴｉＮ／Ａｌ−０．５％Ｃｕ
／Ｔｉ（１００ｎｍ／５００ｎｍ／５０ｎｍ）を形成す
るものとし、この例では、各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ、
ＣｈＣ及びロードロックＬ／ＬにそれぞれウエハＷ１、
Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４が収容されており、チャンバＣｈＡに
てＴｉを成膜し、チャンバＣｈＢにてＡＬ−０．５％Ｃ
ｕを成膜し、チャンバＣｈＣにてＴｉＮを成膜する。
の第２の実施形態を用いて、スパッタ法により半導体装
置の配線用薄膜を形成する場合について説明する。ここ
で、配線としては、上からＴｉＮ／Ａｌ−０．５％Ｃｕ
／Ｔｉ（１００ｎｍ／５００ｎｍ／５０ｎｍ）を形成す
るものとし、この例では、各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ、
ＣｈＣ及びロードロックＬ／ＬにそれぞれウエハＷ１、
Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４が収容されており、チャンバＣｈＡに
てＴｉを成膜し、チャンバＣｈＢにてＡＬ−０．５％Ｃ
ｕを成膜し、チャンバＣｈＣにてＴｉＮを成膜する。
【００１８】そして、チャンバＣｈＡに存在するウエハ
Ｗ１をチャンバＣｈＢへ移動させ、チャンバＣｈＢに存
在するウエハＷ２をチャンバＣｈＣへ移動させ、チャン
バＣｈＣに存在するウエハＷ３をロードロックＬ／Ｌへ
移動させて回収し、ロードロックＬ／Ｌに存在する未処
理のウエハＷ４をチャンバＣｈＡへ移動させる。
Ｗ１をチャンバＣｈＢへ移動させ、チャンバＣｈＢに存
在するウエハＷ２をチャンバＣｈＣへ移動させ、チャン
バＣｈＣに存在するウエハＷ３をロードロックＬ／Ｌへ
移動させて回収し、ロードロックＬ／Ｌに存在する未処
理のウエハＷ４をチャンバＣｈＡへ移動させる。
【００１９】各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ、ＣｈＣでのＴ
ｉ、Ａｌ−０．５％Ｃｕ、ＴｉＮの成膜条件及び成膜時
問は以下の通りである。 チャンバＣｈＡ：Ｔｉ成膜厚６００ｎｍ、Ｓｐ．Ｐｏｗ
ｅｒ３ｋＷ、Ａｒ７５ｓｃｃｍ、Ｓｐ．Ｔｅｍｐ１５０
°Ｃ、処理時問３０秒 チャンバＣｈＢ：Ａｌ−０．５％Ｃｕ成膜厚５００ｎ
ｍ、Ｓｐ．Ｐｏｗｅｒ１３ｋＷ、Ａｒ４８ｓｃｃｍ、Ｓ
ｐ．Ｔｅｍｐ３００°Ｃ、処理時問３０秒 チャンバＣｈＣ：ＴｉＮ成膜厚１００ｎｍ、Ｓｐ．Ｐｏ
ｗｅｒ８ｋＷ、Ａｒ／Ｎ２＝２０／６０ｓｃｃｍ、Ｓ
ｐ．Ｔｅｍｐ２００°Ｃ、処理時問４０秒
ｉ、Ａｌ−０．５％Ｃｕ、ＴｉＮの成膜条件及び成膜時
問は以下の通りである。 チャンバＣｈＡ：Ｔｉ成膜厚６００ｎｍ、Ｓｐ．Ｐｏｗ
ｅｒ３ｋＷ、Ａｒ７５ｓｃｃｍ、Ｓｐ．Ｔｅｍｐ１５０
°Ｃ、処理時問３０秒 チャンバＣｈＢ：Ａｌ−０．５％Ｃｕ成膜厚５００ｎ
ｍ、Ｓｐ．Ｐｏｗｅｒ１３ｋＷ、Ａｒ４８ｓｃｃｍ、Ｓ
ｐ．Ｔｅｍｐ３００°Ｃ、処理時問３０秒 チャンバＣｈＣ：ＴｉＮ成膜厚１００ｎｍ、Ｓｐ．Ｐｏ
ｗｅｒ８ｋＷ、Ａｒ／Ｎ２＝２０／６０ｓｃｃｍ、Ｓ
ｐ．Ｔｅｍｐ２００°Ｃ、処理時問４０秒
【００２０】Ｓｌ．各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ、ＣｈＣ
での処理を同時に開始し、チャンバＣｈＡ、ＣｈＢでの
処理終了後はチャンバＣｈＣでの処理が終了するまでチ
ャンバＣｈＡ、ＣｈＢ内のウエハＷ１、Ｗ２は待機す
る。 Ｓ２．メインフレームと各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ、Ｃ
ｈＣ及びロードロックＬ／Ｌを繋ぐゲートバルブを同時
に開ける。 Ｓ３．搬送用アーム２２ａによりチャンバＣｈＡ中のウ
エハＷ１を、搬送用アーム２２ｂによりチャンバＣｈＢ
中のウエハＷ２を、搬送用アーム２２ｃによりチャンバ
ＣｈＣ中のウエハＷ３を、搬送用アーム２２ｄによりロ
ードロックＬ／Ｌ中のウエハＷ４を同時に搬出する。
での処理を同時に開始し、チャンバＣｈＡ、ＣｈＢでの
処理終了後はチャンバＣｈＣでの処理が終了するまでチ
ャンバＣｈＡ、ＣｈＢ内のウエハＷ１、Ｗ２は待機す
る。 Ｓ２．メインフレームと各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ、Ｃ
ｈＣ及びロードロックＬ／Ｌを繋ぐゲートバルブを同時
に開ける。 Ｓ３．搬送用アーム２２ａによりチャンバＣｈＡ中のウ
エハＷ１を、搬送用アーム２２ｂによりチャンバＣｈＢ
中のウエハＷ２を、搬送用アーム２２ｃによりチャンバ
ＣｈＣ中のウエハＷ３を、搬送用アーム２２ｄによりロ
ードロックＬ／Ｌ中のウエハＷ４を同時に搬出する。
【００２１】Ｓ４．搬送用アーム２２ａによりチャンバ
ＣｈＢにウエハＷ１を、搬送用アーム２２ｂによりチャ
ンバＣｈＣにウエハＷ２を、搬送用アーム２２ｃにより
ロードロックＬ／ＬにウエハＷ３を、搬送用アーム２２
ｄによりチャンバＣｈＡにウエハＷ４を同時に収納す
る。 Ｓ５．各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ、ＣｈＣ及びロードロ
ックＬ／Ｌのゲートバルブを同時に閉める。 以上の動作により、ウエハ１枚当たりの製造時間は６０
秒である。
ＣｈＢにウエハＷ１を、搬送用アーム２２ｂによりチャ
ンバＣｈＣにウエハＷ２を、搬送用アーム２２ｃにより
ロードロックＬ／ＬにウエハＷ３を、搬送用アーム２２
ｄによりチャンバＣｈＡにウエハＷ４を同時に収納す
る。 Ｓ５．各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ、ＣｈＣ及びロードロ
ックＬ／Ｌのゲートバルブを同時に閉める。 以上の動作により、ウエハ１枚当たりの製造時間は６０
秒である。
【００２２】図３に示すこの発明の半導体装置製造装置
の第３の実施形態を用いて、ＣＶＤ法により半導体装置
の配線用薄膜を形成する場合について説明する。ここ
で、配線としては、Ｗ（６００ｎｍ）を形成するものと
し、この例では、各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及び各ロー
ドロックＬ／ＬＡ、Ｌ／ＬＢにそれぞれウエハＷ１、Ｗ
２、Ｗ３、Ｗ４が収容されており、各チャンバＣｈＡ、
ＣｈＢにてＷを成膜する。
の第３の実施形態を用いて、ＣＶＤ法により半導体装置
の配線用薄膜を形成する場合について説明する。ここ
で、配線としては、Ｗ（６００ｎｍ）を形成するものと
し、この例では、各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及び各ロー
ドロックＬ／ＬＡ、Ｌ／ＬＢにそれぞれウエハＷ１、Ｗ
２、Ｗ３、Ｗ４が収容されており、各チャンバＣｈＡ、
ＣｈＢにてＷを成膜する。
【００２３】そして、チャンバＣｈＡに存在するウエハ
Ｗ１をロードロックＬ／ＬＡへ移動させて回収し、チャ
ンバＣｈＢに存在するウエハＷ２をロードロックＬ／Ｌ
Ｂへ移動させて回収し、ロードロックＬ／ＬＡに存在す
るウエハＷ３をチャンバＣｈＡへ移動させ、ロードロッ
クＬ／ＬＢに存在するウエハＷ４をチャンバＣｈＢへ移
動させる。
Ｗ１をロードロックＬ／ＬＡへ移動させて回収し、チャ
ンバＣｈＢに存在するウエハＷ２をロードロックＬ／Ｌ
Ｂへ移動させて回収し、ロードロックＬ／ＬＡに存在す
るウエハＷ３をチャンバＣｈＡへ移動させ、ロードロッ
クＬ／ＬＢに存在するウエハＷ４をチャンバＣｈＢへ移
動させる。
【００２４】各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢでのＷの成膜条
件及び成膜時間は以下の通りである。 チャンバＣｈＡ：Ｗ成膜厚６００ｎｍ、ＷＦ６／Ｈ２／
Ａｒ＝７５／５００／２８００ｓｃｍ、Ｐｒｅｓｓｕｒ
ｅ１０６４０Ｐａ、温度４５０°Ｃ、滞在時間５０秒 チャンバＣｈＢ：Ｗ成膜厚６００ｎｍ、ＷＦ６／Ｈ２／
Ａｒ＝７５／５００／２８００ｓｃｍ、Ｐｒｅｓｓｕｒ
ｅ１０６４０Ｐａ、温度４５０°Ｃ、滞在時間５０秒
件及び成膜時間は以下の通りである。 チャンバＣｈＡ：Ｗ成膜厚６００ｎｍ、ＷＦ６／Ｈ２／
Ａｒ＝７５／５００／２８００ｓｃｍ、Ｐｒｅｓｓｕｒ
ｅ１０６４０Ｐａ、温度４５０°Ｃ、滞在時間５０秒 チャンバＣｈＢ：Ｗ成膜厚６００ｎｍ、ＷＦ６／Ｈ２／
Ａｒ＝７５／５００／２８００ｓｃｍ、Ｐｒｅｓｓｕｒ
ｅ１０６４０Ｐａ、温度４５０°Ｃ、滞在時間５０秒
【００２５】Ｓｌ．各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢでの処理
を同時に開始し、同時に終了する。 Ｓ２．メインフレームと各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及び
各ロードロックＬ／ＬＡ、Ｌ／ＬＢを繋ぐゲートバルブ
を同時に開ける。 Ｓ３．搬送用アーム３２ａによりチャンバＣｈＡ中のウ
エハＷ１を、搬送用アーム３２ｂによりチャンバＣｈＢ
中のウエハＷ２を、搬送用アーム３２ｃによりロードロ
ックＬ／ＬＡ中のウエハＷ３を、搬送用アーム３２ｄに
よりロードロックＬ／ＬＢ中のウエハＷ４を同時に搬出
する。
を同時に開始し、同時に終了する。 Ｓ２．メインフレームと各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及び
各ロードロックＬ／ＬＡ、Ｌ／ＬＢを繋ぐゲートバルブ
を同時に開ける。 Ｓ３．搬送用アーム３２ａによりチャンバＣｈＡ中のウ
エハＷ１を、搬送用アーム３２ｂによりチャンバＣｈＢ
中のウエハＷ２を、搬送用アーム３２ｃによりロードロ
ックＬ／ＬＡ中のウエハＷ３を、搬送用アーム３２ｄに
よりロードロックＬ／ＬＢ中のウエハＷ４を同時に搬出
する。
【００２６】Ｓ４．搬送用アーム３２ａによりロードロ
ックＬ／ＬＡにウエハＷ１を、搬送用アーム３２ｂによ
りロードロックＬ／ＬＢにウエハＷ２を、搬送用アーム
３２ｃによりチャンバＣｈＡにウエハＷ３を、搬送用ア
ーム３２ｄによりチャンバＣｈＢにウエハＷ４を同時に
収納する。 Ｓ５．各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及び各ロードロックＬ
／ＬＡ、Ｌ／ＬＢのゲートバルブを同時に閉める。 以上の動作により、ウエハ１枚当たりの製造時間は７０
秒である。
ックＬ／ＬＡにウエハＷ１を、搬送用アーム３２ｂによ
りロードロックＬ／ＬＢにウエハＷ２を、搬送用アーム
３２ｃによりチャンバＣｈＡにウエハＷ３を、搬送用ア
ーム３２ｄによりチャンバＣｈＢにウエハＷ４を同時に
収納する。 Ｓ５．各チャンバＣｈＡ、ＣｈＢ及び各ロードロックＬ
／ＬＡ、Ｌ／ＬＢのゲートバルブを同時に閉める。 以上の動作により、ウエハ１枚当たりの製造時間は７０
秒である。
【００２７】上述した各実施形態のマルチチャンバ方式
の半導体装置製造装置１１、２１、３１では、搬送時間
を短縮してスループットを向上させ、製品１個を製造す
るのに要する時間を短縮させることができる。
の半導体装置製造装置１１、２１、３１では、搬送時間
を短縮してスループットを向上させ、製品１個を製造す
るのに要する時間を短縮させることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、マ
ルチチャンバ方式での搬送時間を短縮させることができ
る。
ルチチャンバ方式での搬送時間を短縮させることができ
る。
【図１】この発明の半導体装置製造装置の第１の実施形
態を示す平面図。
態を示す平面図。
【図２】この発明の半導体装置製造装置の第２の実施形
態を示す平面図。
態を示す平面図。
【図３】この発明の半導体装置製造装置の第３の実施形
態を示す平面図。
態を示す平面図。
【図４】従来の半導体装置製造装置の一例を示す平面
図。
図。
【図５】図４の半導体装置製造装置の動作例を示す平面
図。
図。
１１、２１、３１・・・半導体装置製造装置、１２ａ、
１２ｂ、１２ｃ、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、３
２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ・・・搬送用アーム、Ｃ
ｈＡ、ＣｈＢ、ＣｈＣ・・・チャンバ、Ｌ／Ｌ、Ｌ／Ｌ
Ａ、Ｌ／ＬＢ・・・ロードロック
１２ｂ、１２ｃ、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、３
２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ・・・搬送用アーム、Ｃ
ｈＡ、ＣｈＢ、ＣｈＣ・・・チャンバ、Ｌ／Ｌ、Ｌ／Ｌ
Ａ、Ｌ／ＬＢ・・・ロードロック
Claims (3)
- 【請求項１】 マルチチャンバ方式の半導体装置の製造
装置であって、 前記半導体装置を搬送する搬送用アームをチャンバ及び
ロードロックと同数設けたことを特徴とする半導体装置
製造装置。 - 【請求項２】 前記各搬送用アームによる搬送を同時に
行うようにした請求項１に記載の半導体装置製造装置。 - 【請求項３】 メインフレームと前記各チャンバ及びロ
ードロックを繋ぐゲートバルブを同時に開け、前記各搬
送用アームによる搬送を同時に行い、前記ゲートバルブ
を同時に閉めるようにした請求項１に記載の半導体装置
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8348343A JPH10189680A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 半導体装置製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8348343A JPH10189680A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 半導体装置製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189680A true JPH10189680A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18396398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8348343A Pending JPH10189680A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 半導体装置製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189680A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000028587A1 (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Tokyo Electron Limited | Processing device |
| US7179397B2 (en) * | 1997-11-20 | 2007-02-20 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP8348343A patent/JPH10189680A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7179397B2 (en) * | 1997-11-20 | 2007-02-20 | Tru-Si Technologies, Inc. | Plasma processing methods and apparatus |
| WO2000028587A1 (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Tokyo Electron Limited | Processing device |
| US6802934B2 (en) | 1998-11-09 | 2004-10-12 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20060081377A (ko) | 기판 처리 시스템 및 기판 처리 프로그램 | |
| JP5592863B2 (ja) | 真空処理装置および被処理体の搬送方法 | |
| US20090226294A1 (en) | Processing System and Method for Operating the Same | |
| JPS6362233A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
| JPH05304112A (ja) | 真空処理装置 | |
| US6802934B2 (en) | Processing apparatus | |
| JPH06314729A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPWO2009060539A1 (ja) | インライン型ウェハ搬送装置および基板搬送方法 | |
| JPH0799224A (ja) | 多チャンバ型半導体製造装置 | |
| JP2007173776A (ja) | 基板を処理するための装置及び方法 | |
| JP4477982B2 (ja) | クラスタツールの処理システム及び滞在時間監視プログラム | |
| JP4517595B2 (ja) | 被処理体の搬送方法 | |
| JPH07230942A (ja) | マルチチャンバシステム及びその制御方法 | |
| JP4545147B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイス製造方法 | |
| JPH11238785A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2001239144A (ja) | ロードロック式真空装置 | |
| JP2004153185A (ja) | 基板処理方法 | |
| JPH06302667A (ja) | チャンバシステム | |
| JPH01230250A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP2761579B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2005136021A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR100342298B1 (ko) | 웨이퍼 가공을 위한 클러스터 툴 | |
| JPH065687A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH04276074A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH1154590A (ja) | 基板搬送制御方法 |