JPH10200112A5

JPH10200112A5 -

Info

Publication number: JPH10200112A5
Application number: JP1996358953A
Authority: JP
Filing date: 1996-12-30
Publication date: 2004-12-09
Anticipated expiration: 2016-12-30

Claims

絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性珪素膜を活性層とした複数の半導体装置を有する半導体回路であって、
各活性層を構成する結晶性珪素膜は、結晶化を助長する金属元素の添加領域から基板に平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、各活性層と前記添加領域との距離はそれぞれ等しいことを特徴とする半導体回路。
請求項1において、前記活性層と前記添加領域との距離は、各半導体装置において、前記添加領域の端部から前記活性層内に形成されるチャネル形成領域の中心までの距離の±10%以内であることを特徴とする半導体回路。
Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型の薄膜トランジスタとを相補型に組み合わせた半導体回路であって、
各薄膜トランジスタを構成する活性層は、絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性珪素膜を用いて構成されており、
前記活性層を構成する結晶性珪素膜は、結晶化を助長する金属元素の添加領域から基板に平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、
Pチャネル型の薄膜トランジスタを構成する活性層と前記添加領域との距離をL₁とし、Nチャネル型の薄膜トランジスタを構成する活性層と前記添加領域との距離をL₂とした場合、L₁ ＜L₂ であることを特徴とする半導体回路。
Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型の薄膜トランジスタとを有する第１のアナログスイッチと、
前記第１のアナログスイッチと隣り合い、 P チャネル型の薄膜トランジスタと N チャネル型の薄膜トランジスタとを有する第２のアナログスイッチとを有し、
各薄膜トランジスタを構成する活性層は、絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性珪素膜を用いて構成されており、
前記第１のアナログスイッチの各薄膜トランジスタの活性層を構成する結晶性珪素膜は、結晶化を助長する金属元素の第１の添加領域から基板に平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、
前記第２のアナログスイッチの各薄膜トランジスタの活性層を構成する結晶性珪素膜は、結晶化を助長する金属元素の第２の添加領域から基板に平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、
前記第１のアナログスイッチの各薄膜トランジスタの活性層と前記第１の添加領域との距離と、前記第２のアナログスイッチの各薄膜トランジスタの活性層と前記第２の添加領域との距離が等しいことを特徴とする半導体回路。
請求項４において、前記第１のアナログスイッチの各薄膜トランジスタの活性層と前記第１の添加領域との距離と、前記第２のアナログスイッチの各薄膜トランジスタの活性層と前記第２の添加領域との距離は、各添加領域の端部から各活性層内に形成されるチャネル形成領域の中心までの距離の±10%以内であることを特徴とする半導体回路。
第１の入力信号が入力される薄膜トランジスタを有する第１のインバータ回路と、
前記第１のインバータ回路の出力信号がゲイトに入力される薄膜トランジスタと前記第１の入力信号がゲイトに入力される薄膜トランジスタとを有する第１のアナログスイッチ回路と、
第２の入力信号が入力される薄膜トランジスタを有する第２のインバータ回路と、
前記第２のインバータ回路の出力信号がゲイトに入力される薄膜トランジスタと前記第２の入力信号がゲイトに入力される薄膜トランジスタとを有する第２のアナログスイッチ回路とを有し、
前記第１のインバータ回路と前記第１のアナログスイッチ回路は、前記第２のインバータ回路と前記第２のアナログスイッチ回路と隣り合っており、
前記第１及び第２のインバータ回路の薄膜トランジスタの活性層と前記第１のアナログスイッチ回路の薄膜トランジスタの活性層とを構成する結晶性珪素膜は、結晶化を助長する金属元素の第１の添加領域から基板に平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、
前記第２のアナログスイッチ回路の薄膜トランジスタの活性層を構成する結晶性珪素膜は、結晶化を助長する金属元素の第２の添加領域から基板に平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、
前記第１のインバータ回路の薄膜トランジスタの活性層と前記第１の添加領域との距離をＬ _１とし、前記第２のインバータ回路の薄膜トランジスタの活性層と前記第１の添加領域との距離をＬ _２とした場合、Ｌ _１＜Ｌ _２であり、
前記第１のアナログスイッチ回路の薄膜トランジスタの活性層と前記第１の添加領域との距離と、前記第２のアナログスイッチ回路の薄膜トランジスタの活性層と前記第２の添加領域との距離が等しいことを特徴とする半導体回路。
第１の入力信号が入力され、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタとを有する第１のインバータ回路と、
前記第１のインバータ回路の出力信号がゲイトに入力される薄膜トランジスタと前記第１の入力信号がゲイトに入力される薄膜トランジスタとを有する第１のアナログスイッチ回路と、
第２の入力信号が入力され、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタとを有する第２のインバータ回路と、
前記第２のインバータ回路の出力信号がゲイトに入力される薄膜トランジスタと前記第２の入力信号がゲイトに入力される薄膜トランジスタとを有する第２のアナログスイッチ回路とを有し、
前記第１のインバータ回路と前記第１のアナログスイッチ回路は、前記第２のインバータ回路と前記第２のアナログスイッチ回路と隣り合っており、
前記第１のインバータ回路のＮチャネル型の薄膜トランジスタの活性層と前記第２のインバータ回路のＮチャネル型の薄膜トランジスタの活性層は同一の活性層からなり、前記第１のインバータ回路のＰチャネル型の薄膜トランジスタの活性層と前記第２のインバータ回路のＰチャネル型の薄膜トランジスタの活性層は同一の活性層からなり、
前記第１及び第２のインバータ回路の薄膜トランジスタの活性層と、前記第１のアナログスイッチ回路の薄膜トランジスタの活性層とを構成する結晶性珪素膜は、結晶化を助長する金属元素の第１の添加領域から基板に平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、
前記第２のアナログスイッチ回路の薄膜トランジスタの活性層を構成する結晶性珪素膜は、結晶化を助長する金属元素の第２の添加領域から基板に平行な方向に結晶成長した結晶構造を有し、
前記第１のインバータ回路の各薄膜トランジスタの活性層と前記第１の添加領域との距離をＬ _１とし、前記第２のインバータ回路の各薄膜トランジスタの活性層と前記第１の添加領域との距離をＬ _２とした場合、Ｌ _１＜Ｌ _２であり、
前記第１のアナログスイッチ回路の薄膜トランジスタの活性層と前記第１の添加領域との距離と、前記第２のアナログスイッチ回路の薄膜トランジスタの活性層と前記第２の添加領域との距離が等しくなることを特徴とする半導体回路。
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記薄膜トランジスタのチャネルにおいてキャリアの移動する方向は、前記結晶構造の成長方向と等しいことを特徴とする半導体回路。