JPH10200239A

JPH10200239A - 転写シートおよびパターン形成方法

Info

Publication number: JPH10200239A
Application number: JP17976397A
Authority: JP
Inventors: Yozo Kosaka; 陽三小坂; Katsuhiko Mizuno; 克彦水野; Takeshi Nakamura; 中村　　剛; Yasunori Kima; 泰則来間
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1996-11-15
Filing date: 1997-07-04
Publication date: 1998-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、プラズマディスプレイパネル、画
像表示装置、サーマルヘッド、集積回路等の製造工程に
おける電極層や誘電体層、障壁層等の高精度のパターン
を形成するのに適し、作製時間を短縮できると共に、歩
留りを向上させることができ、また、表面平滑性に優
れ、かつ膜厚が均一で分布精度の良好な転写シートおよ
びパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明の転写シートは、凹状パターンを
一方の面に形成したベースフイルム１１における凹状パ
ターン部１２に少なくともガラスフリットからなる無機
成分と焼成により除去される樹脂成分からなるインキ層
１３が充填されたものであり、また、該インキ層が充填
された凹状パターン上に第２のインキ層が積層されても
よいものであり、更に、該第２のインキ層上に第３のイ
ンキ層が積層されてもよいものである。また、本発明の
パターン形成方法は、転写シートを、インキ層側から被
転写体にラミネートして凹状パターンを被転写体に転写
し、次いで凹状パターンを有する被転写体を焼成するも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰ）、フィールドエミッション
ディスプレイ（ＦＥＤ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）、蛍
光表示装置、混成集積回路等における電極層や誘電体
層、障壁層等の高精度のパターンを形成するのに適した
転写シート及びパターン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のパターン形成方法として
は、ガラスやセラミックス等の基板上に導体或いは絶縁
体用のインキをスクリーン印刷によりパターン状に塗布
した後、焼成工程を経て基板に密着した厚膜パターンを
形成する方法が知られている。この方法は、例えば線幅
１００μｍ、高さ１００μｍの細線を形成するには重ね
刷りを複数回繰り返して形成されている。

【０００３】しかしながら、スクリーン印刷による多数
回のパターン印刷でパターンを形成する方法は、第１
に、印刷に使用するスクリーンの伸縮が不可避であり、
実際には各種パターンを重ねて形成する場合が殆どであ
るので、他のパターンとの位置ずれが発生しやすいこ
と、第２に、版にスクリーンを使用しているため、パタ
ーンの歪みが発生しやすく微細パターン化が困難であ
る、第３に、パターン形成材料がスクリーン版への裏回
りを起こすため、毎回拭き取りが必要であり、自動化が
困難である、第４に、スクリーン印刷法により形成可能
であるパターン寸法は、幅１００μｍ程度が限界であ
り、また形状も半値幅と底部幅との比（半値幅／底部
幅、半値幅とはパターン形成層の高さの１／２の位置に
おけるパターン形成層の幅をいう）が０．５程度である
ので、例えば、乾燥状態で１５０〜２００μｍ程度の厚
さに塗布する必要があるＰＤＰにおける障壁層の場合、
底面積も大きくしなければならず、精細なパターンが形
成できず、また、１度に形成することはできないため、
順次位置合わせをしつつ積層することが行なわれている
が、その位置精度を高めることが困難であるという問題
がある。また、インキの持つ流動性のため、すそが広が
ってしまい、高アスペクト比の厚膜パターンが形成でき
なく、更に、開放系であるがために異物の混入防止等の
条件管理が難しく、作製にあたっても多大な時間を要す
るのが現状である。

【０００４】また、他の方法としては基板上にスクリー
ン印刷の多数回ベタ印刷でパターン形成層を形成した
後、そのパターン形成層上に感光性レジストでサンドブ
ラスト用マスクを形成し、次いで研磨材を噴射してパタ
ーン形成層のパターニングを行う、所謂サンドブラスト
法が知られている。

【０００５】しかしながら、サンドブラスト法を利用し
てパターンを形成する方法においても、パターン形成層
をスクリーン印刷で形成すると、重ね刷りの工程が長く
かかる上に、開放系であるがために条件管理が難しいと
いう問題がある。更に、その形成すべきパターン層毎に
塗布と乾燥を繰り返してからパターニングを行う必要が
あり、そのため設備コストがかかり、それらの装置のた
めのスペースが増加するという問題が生じる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、ＰＤＰ、液晶等の画像表示装置、サーマルヘッド、
集積回路等における電極、抵抗体、障壁等の微細なパタ
ーン形成に適した転写シートを提供することにある。

【０００７】本発明の第２の目的は、作製時間を短縮で
き、歩留りを向上させることができると共に、表面平滑
性に優れ、かつ膜厚が均一で分布精度の良好なパターン
形成方法の提供にある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の転写シー
トは、凹状パターンを一方の面に形成したベースフイル
ムにおける凹状部内に、少なくともガラスフリットから
なる無機成分と焼成により除去される樹脂成分からなる
インキ層が充填されたことを特徴とする。

【０００９】第１の転写シートがプラズマディスプレイ
パネル作製用転写シートであり、インキ層が電極形成層
であることを特徴とする。

【００１０】電極形成層が、少なくともガラスフリット
からなる無機成分と焼成により除去される樹脂成分から
なる導電性インキ層、または、該導電性インキ層中に暗
色顔料を含有する暗色導電性インキ層、または前記導電
性インキ層と前記暗色導電性インキ層の積層からなるも
のであることを特徴とする。

【００１１】第１の転写シートがプラズマディスプレイ
パネル作製用転写シートであり、インキ層が障壁形成層
であることを特徴とする。

【００１２】上記の第１の転写シートにおける障壁形成
層が、少なくともガラスフリットからなる無機成分と焼
成により除去される樹脂成分からなる白色インキ層、ま
たは暗色インキ層、または白色インキ層と暗色インキ層
の積層からなるものであることを特徴とする。

【００１３】本発明の第２の転写シートは、凹状パター
ンを一方の面に形成したベースフイルムにおける凹状部
内に、少なくともガラスフリットからなる無機成分と焼
成により除去される樹脂成分からなる第１のインキ層が
充填されると共に、該第１のインキ層が充填された前記
凹状パターン上に少なくともガラスフリットからなる無
機成分と焼成により除去される樹脂成分からなる第２の
インキ層が積層されたことを特徴とする。

【００１４】第２の転写シートがプラズマディスプレイ
パネル作製用転写シートであり、第１のインキ層が電極
形成層、第２のインキ層が下地形成層であることを特徴
とする。

【００１５】第２の転写シートがプラズマディスプレイ
パネル作製用転写シートであり、第１のインキ層が障壁
形成層、第２のインキ層が誘電体形成層であることを特
徴とする。

【００１６】上記の第２の転写シートにおける障壁形成
層が、少なくともガラスフリットからなる無機成分と焼
成により除去される樹脂成分からなる白色インキ層、ま
たは暗色インキ層、または白色インキ層と暗色インキ層
の積層からなるものであることを特徴とする。

【００１７】本発明の第３の転写シートは、凹状パター
ンを一方の面に形成したベースフイルムにおける凹状部
内に、少なくともガラスフリットからなる無機成分と焼
成により除去される樹脂成分からなる第１のインキ層が
充填されると共に、該第１のインキ層が充填された前記
凹状パターン上に少なくともガラスフリットからなる無
機成分と焼成により除去される樹脂成分からなる第２の
インキ層が積層され、更に、該第２のインキ層上に第３
のインキ層が積層されたことを特徴とする。

【００１８】第３の転写シートがプラズマディスプレイ
パネル作製用転写シートであり、第１のインキ層が少な
くともガラスフリットからなる無機成分と焼成により除
去される樹脂成分からなる白色インキ層、または暗色イ
ンキ層、または白色インキ層と暗色インキ層の積層から
なる障壁形成層であると共に第２のインキ層が誘電体形
成層、第３のインキ層が電極形成層であることを特徴と
する。

【００１９】本発明の第１のパターン形成方法は、凹状
パターンを一方の面に形成したベースフイルムにおける
凹状部内に少なくともガラスフリットからなる無機成分
と焼成により除去される樹脂成分からなるインキ層が充
填された転写シートを、該インキ層側から被転写体にラ
ミネートしてインキ層を被転写体に転写し、該インキ層
が転写された被転写体を焼成することを特徴とする。

【００２０】本発明の第２のパターン形成方法は、凹状
パターンを一方の面に形成したベースフイルムにおける
凹状部内に、少なくともガラスフリットからなる無機成
分と焼成により除去される樹脂成分からなる第１のイン
キ層が充填され、更に前記凹状パターン上に少なくとも
ガラスフリットからなる無機成分と焼成により除去され
る樹脂成分からなる第２のインキ層を積層した転写シー
トを、該第２のインキ層側から被転写体にラミネートし
て第１及び第２のインキ層を同時に転写し、該第１及び
第２のインキ層が転写された被転写体を焼成することを
特徴とする。

【００２１】本発明の第３のパターン形成方法は、凹状
パターンを一方の面に形成したベースフイルムにおける
凹状部内に、少なくともガラスフリットからなる無機成
分と焼成により除去される樹脂成分からなる第１のイン
キ層が充填されると共に、前記凹状パターン上に少なく
ともガラスフリットからなる無機成分と焼成により除去
される樹脂成分からなる第２のインキ層が積層され、更
に、該第２のインキ層上に第３のインキ層を積層した転
写シートを、該第３のインキ層側から被転写体にラミネ
ートして第１〜第３のインキ層を同時に転写し、該第１
〜第３のインキ層が転写された被転写体を焼成すること
を特徴とする。

【００２２】上記のパターン形成方法がプラズマディス
プレイパネル形成方法であって、被転写体がプラズマデ
ィスプレーパネル基板であり、インキ層パターンがプラ
ズマディスプレイパネル部材パターンであることを特徴
とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の転写シートおよび
パターン形成方法について、ＰＤＰ作製を例として説明
する。ＡＣ型ＰＤＰは、例えば、図１４に示すように、
２枚のガラス基板１、２が互いに平行に且つ対向して配
設されており、両者は背面板となるガラス基板２上に互
いに平行に設けられたセル障壁３により一定の間隔に保
持されている。前面板となるガラス基板１の背面側に
は、放電維持電極である透明電極４とバス電極である金
属電極５とで構成される複合電極が互いに平行に形成さ
れ、これを覆って、誘電体層６が形成されており、さら
にその上に保護層（ＭｇＯ層）が形成されている。ま
た、背面板となるガラス基板２の前面側には介して前記
複合電極と直交するようにセル障壁３の間に位置してア
ドレス電極８が互いに平行に形成されており、さらにセ
ル障壁３の壁面とセル底面を覆うようにして蛍光面９が
設けられている。

【００２４】また、図１５に示すように下地層１０を背
面板となるガラス基板２に形成した後、アドレス電極
８、誘電体層６′、セル障壁３、蛍光体面９を順次設け
た構造とする場合もある。

【００２５】このＡＣ型ＰＤＰは面放電型であって、前
面板上の複合電極間に交流電圧を印加し、空間に漏れた
電界で放電させる構造である。この場合、交流をかけて
いるために電界の向きは周波数に対応して変化する。そ
して、この放電により生じる紫外線により蛍光体９を発
光させ、前面板を透過する光を観察者が視認できるもの
である。なお、ＤＣ型ＰＤＰにあっては、電極は誘電体
層で被覆されていない構造を有する点で相違するが、そ
の放電現象は同一である。

【００２６】図１は、凹状パターンを形成したベースフ
イルムの断面図であり、図２は、本発明の第１の転写シ
ートの断面図であり、また、図３と図４は、本発明の第
１のパターン形成方法を説明するための図である。図中
１１はベースフイルム、１２は凹状パターン、１３はイ
ンキ層、１４は被転写体である。

【００２７】ベースフイルム１１は、インキ層における
溶剤に侵されず、また、工程中における加熱処理により
収縮延伸しないことが必要であり、高分子材料として
は、例えばポリエチレンテレフタレート、１，４−ポリ
シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチ
レンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリ
スチレン、ポリプロピレン、ポリサルホン、アラミド、
ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、セロハン、
酢酸セルロース等のセルロース誘導体、ポリエチレン、
ポリ塩化ビニル、ナイロン、ポリイミド、アイオノマー
等の各フイルム、シート、また、アルミニウム、銅、イ
ンバー材料（３６Ｎｉ−Ｆｅ合金、４２Ｎｉ−Ｆｅ合
金）等の金属や合金シート、更に、ガラスや無機材料か
らなるセラミックシート、もしくはこれらの複合シート
が挙げられる。特に複合シートとして、高分子フイルム
とセラミックシートまたは熱変形の小さな金属シートと
の積層シートを使用すると柔軟で、機械的強度が強く、
熱変形の小さなシートが得られるので好ましい。また、
気体は通すが液体（インキ成分）は通さないような多孔
質フイルムを使用してもよく、この場合には凹状パター
ンにおける凹部にパターン形成材料を充填し、被転写体
に転写する際にベースフイルムの背面側からエアを送る
ことにより充填されたパターン形成材料の剥離性を改善
することができ、インキ層の転写性に優れるものとでき
る。ベースフイルムの膜厚としては、１０μｍ〜５００
μｍ、好ましくは２０μｍ〜３００μｍとするとよい。

【００２８】凹状パターン１２は、本発明の第１の転写
シートを使用して作製される電極や障壁パターン等に対
応した形状を有するものである。凹状パターンにおける
凹部の形状としては断面四角形状としてもよいが、図１
に図示するように、ベースフイルム側を長辺とする断面
台形形状とするとよく、転写性を向上させることができ
る。凹部の深さは、凹状パターンを電極パターンとする
場合には、５μｍ〜５０μｍ、障壁パターンとする場合
には１００μｍ〜２００μｍ、下地パターンとする場合
には５μｍ〜５０μｍ、誘電体パターンとする場合には
５μｍ〜５０μｍ程度である。

【００２９】凹状パターンの形成方法としては、（１）
凹版やロール凹版に硬化性樹脂、例えば電離放射線硬化
性樹脂、電離放射線崩壊性樹脂、熱硬化性樹脂等や、ま
た、熱可塑性樹脂からなるインキを充填した後、ベース
フイルム上に転写して凹状パターンを形成する方法、
（２）ベースフイルム上に電離放射線硬化性樹脂（ネガ
型）、電離放射線崩壊性樹脂（ポジ型）からなるインキ
をベタ塗布した後、凹状パターンをフォトリソグラフィ
により形成する方法、（３）ベースフイルム自体の表面
をエンボス加工やエッチング加工により形成するか、又
はその表面に凹状パターンを有するように高分子フイル
ムを成型加工する方法等が挙げられる。

【００３０】電離放射線硬化性樹脂としては、紫外線或
いは電子線硬化性樹脂等が挙げられ、分子中に重合性不
飽和結合またはエポキシ基を有するプレポリマー、オリ
ゴマー及び／または単量体を適宜混合した組成物を用い
ることができる。

【００３１】プレポリマー、オリゴマーとしては、不飽
和ジカルボン酸と多価アルコールの縮合物等の不飽和ポ
リエステル類、エポキシ樹脂、ポリエステルメタクリレ
ート、ポリエーテルメタクリレート、ポリオールメタク
リレート、ポリグリシジルメタクリレート、クロロメチ
ル化ポリナフチルメタクリレート等のメタクリレート
類、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレ
ート、ポリオールアクリレート等のアクリレート類、そ
の他、クロロメチル化ポリスチレン、塩素化ポリメチル
スチレン、ヨウ素化ポリスチレン、ポリメタクリレート
−マレイン酸共重合体、ポリグリシジルメタクリレート
−アクリル酸エチル共重合体、グリシジルメタクリレー
ト−スチレン共重合体、エポキシ化ポリブタジエン、ポ
リジアリルフタレート、部分クロル化ポリビニルトルエ
ン、クロロメチル化ポリジフェニルシロキサン等が挙げ
られる。

【００３２】単量体としては、少なくとも１つの重合可
能な炭素−炭素不飽和結合を有する化合物が挙げられ
る。例えばアリルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシエチレング
リコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、
ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニル
アクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、グリ
セロールアクリレート、グリシジルアクリレート、２−
ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピ
ルアクリレート、イソボニルアクリレート、イソデキシ
ルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリル
アクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メト
キシエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチ
ルアクリレート、ステアリルアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアク
リレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、
１，５−ペンタンジオールジアクリレート、１，６−ヘ
キサンジオールジアクリレート、１，３−プロパンジオ
ールジアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオール
ジアクリレート、２，２−ジメチロールプロパンジアク
リレート、グリセロールジアクリレート、トリプロピレ
ングリコールジアクリレート、グリセロールトリアクリ
レート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ポ
リオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラアクリレート、トリエチレングリ
コールジアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロ
ールプロパントリアクリレート、ブチレングリコールジ
アクリレート、１，２，４−ブタントリオールトリアク
リレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタン
ジオールジアクリレート、ジアリルフマレート、１，１
０−デカンジオールジメチルアクリレート、ジペンタエ
リスリトールヘキサアクリレート、及び上記のアクリレ
ート体をメタクリレート体に変えたもの、γ−メタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン、１−ビニル−２−
ピロリドン等の１種または２種以上の混合物が挙げられ
る。

【００３３】特に、紫外線硬化型の場合には、前記組成
物に光開始剤として、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル
安息香酸メチル、４，４−ビス（ジメチルアミノ）ベン
ゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフ
ェノン、α−アミノアセトフェノン、４，４−ジクロロ
ベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４−メチルジフェニ
ルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２−
ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−
フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル
プロピオフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセ
トフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサント
ン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオ
キサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチ
ルケタール、ベンジルメトキシエチルアセタール、ベン
ゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、ア
ントラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、
２−アミルアントラキノン、β−クロロアントラキノ
ン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロ
ン、メチレンアントロン、４−アジドベンジルアセトフ
ェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シク
ロヘキサン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）
−４−メチルシクロヘキサノン、２−フェニル−１，２
−ブタジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシ
ム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキ
シカルボニル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパ
ントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシ
ム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−
２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２
−メチル−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モル
フォリノ−１−プロパン、ナフタレンスルホニルクロラ
イド、キノリンスルホニルクロライド、ｎ−フェニルチ
オアクリドン、４，４−アゾビスイソブチロニトリル、
ジフェニルジスルフィド、ベンゾチアゾールジスルフィ
ド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、四臭
素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾ
イル、エオシン、メチレンブルー等の光還元性の色素と
アスコルビン酸、トリエタノールアミン等の還元剤の組
合せ等、また、これらの光開始剤の１種または２種以上
を組み合わせて添加される。

【００３４】また、電離放射線崩壊性樹脂としては、上
述した電離放射線硬化性樹脂と同様、電離放射線の照射
により硬化させた後、例えば照射量１×１０^-3Ｃ／ｃｍ
²、加速電圧１０ｋＶ〜３０ｋＶの電離放射線を照射す
るとその重合主鎖が切断され、現像液への溶解性が増加
する性質を有する。

【００３５】このような電離放射線崩壊性樹脂として
は、例えばメチルメタクリレート、メチルイソプロペニ
ルケトン、テトラフルオロプロピルメタクリレート、ヘ
キサフルオロブチルメタクリレート、トリクロロエチル
メタクリレート、トリクロロエチル−α−クロロアクリ
レート等の単量体と、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル
安息香酸メチル等の他、上述した光開始剤を光開始剤と
するものからなる。また、ナフトキノンジアジド化合物
を感光剤とし、クレゾールノボラック樹脂をバインダー
とするポジ型レジストを使用してもよい。

【００３６】更に、熱硬化樹脂としては、フェノール・
ホルマリン樹脂、尿素・ホルマリン樹脂、メラミン・ホ
ルマリン樹脂、フェノール・フルフラール樹脂、フルフ
ラール・アセトン樹脂、フルフリルアルコール樹脂、キ
シレン・ホルムアルデヒド樹脂、ケトン・ホルムアルデ
ヒド樹脂、アルキッド樹脂、フェノール樹脂、ウレタン
樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、フルフラール樹脂、メ
ラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、トリアリルシア
ヌレート樹脂、アクロレイン系樹脂、アリル樹脂、熱硬
化性シリコーン樹脂、これらの共重合樹脂、混合樹脂等
からなり、インキ化される。

【００３７】また、凹状パターン１２の形成材料として
熱可塑性樹脂を使用してもよく、例えばメチルアクリレ
ート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エ
チルメタクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−
プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、
イソプロピルメタクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレ
ート、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、イソブチルアク
リレート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチ
ルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、ｎ
−ペンチルアクリレート、ｎ−ペンチルメタクリレー
ト、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−ヘキシルメタクリ
レート、２−エチルヘキシルアクリレート、２−エチル
ヘキシルメタクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、
ｎ−オクチルメタクリレート、ｎ−デシルアクリレー
ト、ｎ−デシルメタクリレート、ヒドロキシエチルアク
リレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキ
プロピルアクリレート、ヒドロキプロピルメタクリレー
ト、スチレン、α−メチルスチレン、Ｎ−ビニル−２−
ピロリドン等の１種以上からなるポリマーまたはコポリ
マー、エチルセルロース等のセルロース誘導体、ポリブ
テン誘導体等が挙げられ、溶剤等を添加してインキ化さ
れる。

【００３８】また、形状記憶性樹脂を使用してもよく、
凹状パターンの形状安定性に優れるものとできる。

【００３９】凹版からの凹状パターンの転写性を向上さ
せることを目的として、凹版面に剥離層を設けるとよ
く、また、凹状パターン形成材料中に剥離剤を混練して
もよい。剥離剤としては、例えばポリエチレンワック
ス、アミドワックス、テフロンパウダー、シリコーンワ
ックス、カルナバワックス、アクリルワックス、パラフ
ィンワックス等のワックス類、フッ素系樹脂、メラミン
系樹脂、ポリオレフィン樹脂、電離放射線硬化型の多官
能アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹
脂、アミノ変性、エポキシ変性、ＯＨ変性、ＣＯＯＨ変
性、触媒硬化型、光硬化型、熱硬化型のシリコーンオイ
ル、またはシリコーン樹脂が例示される。剥離層を形成
する場合には膜厚１〜１００μｍのものとされる。

【００４０】凹状パターン形成材料中に剥離剤を混練す
る場合、凹状パターン形成材料中に、０．０１重量％〜
１０重量％の程度とするとよい。

【００４１】凹状パターン形成材料として熱可塑性樹脂
を使用する場合には、剥離剤を同様に含有させてもよい
が、発泡剤、必要に応じて発泡促進剤や発泡抑制剤を含
有させることにより、凹状パターンが冷却する際の収縮
作用を利用して凹状パターンの凹版からの剥離性、転写
性を改善させることができる。

【００４２】このような発泡剤としては、高温で分解し
て酸素、炭酸ガス、窒素等のガスを発生するニトロペン
タメチレンテトラミン、ジアゾアミノベンセン、アゾビ
スイソブチロニトリル、アゾジカルボアミド等の分解型
発泡剤、ブタン、ペンタン等の低沸点液体をポリ塩化ビ
ニリデン、ポリアクリロニトリル等の樹脂でマイクロカ
プセルとしたマイクロバルーン等の発泡体、さらにこれ
らのマイクロバルーンを予め発泡させた発泡体が挙げら
れる。特に好ましい発泡剤は、比較的低温で発泡処理が
可能なものを使用するとよく、例えば、松本油脂製薬
（株）製から入手できる種々のグレードのマイクロバル
ーンが好ましい。発泡剤又は発泡体の含有量は、気泡を
含む層の発泡倍率が１．５〜２０倍程度の範囲になる割
合とするとよい。

【００４３】発泡条件は、熱可塑性樹脂からなる加熱発
泡性樹脂層の軟化点、軟化時の可塑性、流動性、使用す
る発泡剤の発泡温度、必要により添加される発泡促進
剤、または発泡抑制剤等の組合せ、また、これらの配合
比により相違し、また、発泡体の細胞構造、形状によっ
ても相違するが、例えばポリ塩化ビニル樹脂５０〜７５
重量部に対して、発泡剤としてアゾジカルボンアミドを
０．１重量部〜２０重量部添加し、発泡促進剤として
鉛、亜鉛等を主体とするカルボン酸塩、発泡抑制剤とし
て無水トリメリット酸を使用し、１８０℃〜２１０℃で
１〜３分間の加熱温度条件とするとよい。加熱方法とし
ては、温風吹き付け、赤外線照射、誘電加熱等の方法が
用いられる。

【００４４】なお、凹版からの凹状パターンの剥離性
は、ベースフイルムに対する接着性を考慮して、適宜設
定されるとよい。例えば、凹状パターン形成材料が電離
放射線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂である
場合には、後述するように、インキ層１３のみを被転写
体１４に転写させる必要があるので、ベースフイルムに
対する凹状パターンの接着性がある方がよく、ベースフ
イルムに接着剤層を設けてもよい。また、凹状パターン
形成材料が電離放射線崩壊性樹脂である場合には、凹状
パターン１２はインキ層１３と共に被転写体１４に転写
されるものであるので、剥離処理方法、硬化方法等を適
宜設定して、凹版からの凹状パターンの剥離性、ベース
フイルムに対する接着性、また、被転写体への転写に際
してのベースフイルムからの剥離性の３者を両立させる
とよい。

【００４５】凹版へのパターン形成材料の充填方法とし
ては、ドクターブレード方式、ロール塗布方式、エアプ
レスや真空引きによる方法の他に、スキージ、ドクタ
ー、どぶ漬け等の方式により充填した後、スクレパー、
フイルムワイピング、エアナイフ等により過剰分を除去
する方式が挙げられる。これらのいずれの方式において
も、粘度低下による塗布速度向上を目的とした温度調節
や脱泡を目的とする超音波処理を併用することができ
る。

【００４６】次に、図５により、凹状パターン１２の形
成方法の一例として、電離放射線硬化性樹脂、電離放射
線崩壊性樹脂、熱硬化性樹脂等の硬化性樹脂を使用した
ロール凹版によりベースフイルムに凹状パターンを形成
する方法を説明する。

【００４７】図中、１１はベースフイルム、１２は凹状
パターン、３３はロール凹版、３４は凹部、３５は樹脂
供給装置、３６は硬化性樹脂、３７は硬化装置、３９は
剥離ロール、４０は塗工部、４４は給紙巻取ロール、４
５は給紙側送りロール、４７はコンベンセーターロー
ル、４８は排紙巻取ロールである。

【００４８】凹状パターン形成装置は、ベースフイルム
１１を供給する給紙巻取ロール４４、給紙側送りロール
４５、コンベンセーターロール４７、および排紙巻取ロ
ール４８から構成されている。上記塗工部４０は、ベー
スフイルム１１を押圧する押圧ロール３２、凹部３４が
刻設されていたロール凹版３３、硬化性樹脂３６（この
時点では未硬化の液状である）をロール凹版３３に塗工
するための樹脂供給装置３５、ロール凹版の凹部３４に
充填された液状の硬化性樹脂３６を硬化させて固化させ
る硬化装置３７、及び剥離ロール３９からなる。

【００４９】塗工部４０では、押圧ロール３２によって
ベースフイルム１１が押圧されて、ベースフイルム１１
が押圧ロール３２と剥離ロール３９との間の位置で、樹
脂供給装置によって塗工された硬化性樹脂３６を介して
ロール凹版３３の版面に密着される。そして、ロール凹
版３３は電動機等で駆動される駆動装置（図示せず）に
より、ベースフイルム１１の送り速度とロール凹版３３
の周速度が同調するように回転駆動されており、ロール
凹版３３と該ロール凹版３３に密着されたベースフイル
ム１１との間でロール凹版の凹部３４に充填された硬化
性樹脂３６がそのままの状態で硬化装置３７により硬化
させて固化することによりベースフイルム上に接着さ
せ、その後剥離ロール３９によってベースフイルム１１
がロール凹版３３から剥離され、ベースフイルム上に凹
状パターン１２が形成される。

【００５０】上記押圧ロール３２はベースフイルム１１
をロール凹版の版面に押圧できればよいが、通常直径５
０〜３００ｍｍ程度であり、金属製の軸芯の周囲にシリ
コーンゴム、天然ゴム等を被覆したものである。

【００５１】硬化装置３７は、硬化性樹脂の種類に応じ
て適宜選択することができるが、電磁波または荷電粒子
線のうち硬化性樹脂を架橋・重合させるエネルギー量子
を有する放射線を照射する装置を挙げることができる。
このような放射線として工業的に利用できるものは赤外
線、可視光、紫外線もしくは電子線等があり、その他マ
イクロ波やＸ線等の電磁波も利用できる。なお、図中３
８は線源から発する放射線を効率よくロール凹版に照射
するための反射鏡である。また、硬化装置３７は、１基
のロール凹版に対して２基設けられており、且つこれら
の２基の硬化装置の線源Ｓ₁、Ｓ₂はロール凹版の中心
Ｏとを結んだ角Ｓ₁ＯＳ₂が７０〜１１０°の角度範
囲、好ましくは９０°の角度に設定されている。

【００５２】ロール凹版３３は、電子彫刻、エッチン
グ、ミル押し、電鋳等の方法で所定の凹部３４を設けた
ものでよく、このロール凹版の材質はクロムを表面にメ
ッキした銅、鉄等の金属、硝子、石英等のセラミック
ス、アクリル、シリコン樹脂等の合成樹脂等が用いられ
る。また、シート上に電離放射線硬化性樹脂等によりパ
ターンを形成したシートをそのパターン面を外面として
ロールに巻回したものでもよい。ロール凹版の大きさは
特に限定されないが通常直径１５０〜１０００ｍｍ、線
幅３００〜２０００ｍｍ程度である。また、ベースフイ
ルムとしては、硬化に際して放射線の硬化性樹脂への到
達を阻害しないものが好ましい。

【００５３】また、ベースフイルム上への凹状パターン
形成方法として、上述した凹版や凹版ロールを使用した
方法の他に、上述した電離放射線硬化性樹脂、電離放射
線崩壊性樹脂を使用したフォトリソグラフィにより形成
してもよい。

【００５４】電離放射線硬化性樹脂を使用する場合に
は、ベースフイルム上に電離放射線硬化性樹脂からなる
インキをベタ塗布した後、フォトマスクを使用して、露
光部を硬化させた後、未露光部を現像除去することによ
りベースフイルム上に凹状パターンを形成することがで
きる。また、電離放射線崩壊性樹脂を使用する場合に
は、ベースフイルム上に電離放射線崩壊性樹脂からなる
インキをベタ塗布し、全面露光して硬化させた後、フォ
トマスクを使用して上述した崩壊条件で露光するか、ま
たは電子ビームを凹状パターン状に照射して、露光部に
おける硬化樹脂の主鎖を切断して現像液可溶性とし、現
像除去し、凹状パターンを形成することができる。

【００５５】次に、図２に示すように、凹状パターンが
形成された凹版または凹版ロールにおける凹部１２に
は、インキ層１３が充填される。なお、本発明の転写シ
ートは平板状でなく、ロール状に巻き取られた状態とし
てもよいものである。

【００５６】インキ層１３としては、その用途が下地形
成層、誘電体形成層の如き抵抗体層や障壁層の場合には
少なくともガラスフリットを有する無機成分と焼成によ
り除去される樹脂成分とからなる。

【００５７】ガラスフリットとしては、その軟化点が３
５０℃〜６５０℃で、熱膨張係数α₃₀₀が６０×１０^-7
／℃〜１００×１０^-7／℃のものが挙げられる。ガラス
フリットの軟化点が６５０℃を越えると焼成温度を高く
する必要があり、その積層対象によっては熱変形したり
するので好ましくなく、また、３５０℃より低いと樹脂
等が分解、揮発する前にガラスフリットが融着し、層中
に空隙等の発生が生じるので好ましくない。また、熱膨
張係数が６０×１０^-7／℃〜１００×１０^-7／℃の範囲
外であると、ガラス基板の熱膨張係数との差が大きく、
歪み等を生じるので好ましくない。

【００５８】また、無機成分として、ガラスフリットの
他に無機粉体、無機顔料をそれぞれ２種以上を混合して
使用してもよい。無機粉体としては、骨材であって、必
要に応じて添加される。無機粉体は、焼成に際しての流
延防止、緻密性向上を目的とするものであり、ガラスフ
リットより軟化点が高いものであり、例えば酸化アルミ
ニウム、酸化硼素、シリカ、酸化チタン、酸化マグネシ
ウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリ
ウム、炭酸カルシウム等の各無機粉体が利用でき、平均
粒径０．１μｍ〜２０μｍのものが例示される。無機粉
体の使用割合は、ガラスフリット１００重量部に対して
無機粉体０重量部〜３０重量部とするとよい。

【００５９】また、無機顔料としては、外光反射を低減
し、実用上のコントラストを向上させるために必要に応
じて添加されるものであり、暗色にする場合には、耐火
性の暗色顔料として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−
Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆ
ｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｌ
−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｓｉ等
が挙げられる。また、耐火性の白色顔料としては、酸化
チタン、酸化アルミニウム、シリカ、炭酸カルシウム等
が挙げられる。無機顔料はガラスフリット１００重量部
に対して、０重量部〜３０重量部含有させるとよい。

【００６０】焼成により除去される樹脂成分は、無機成
分のバインダーとして、また、転写性の向上を目的とし
て含有させるものであり、好ましくは熱可塑性樹脂であ
る。熱可塑性樹脂としては、上述した凹状パターン形成
材料で記載した熱可塑性樹脂を使用することができる
が、好ましくはメチルアクリレート、メチルメタクリレ
ート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ｎ
−プロピルアクリレート、ｎ−プロピルメタクリレー
ト、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタクリ
レート、ｎ−ブチルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリ
レート、ｓｅｃ−ブチルアクリレート、ｓｅｃ−ブチル
メタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチル
メタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、ｔｅ
ｒｔ−ブチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリ
レート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシ
プロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレ
ート、２−エチルヘキシルメタクリレート、２−エチル
ヘキシルアクリレート等の１種以上からなるポリマーま
たはコポリマー、エチルセルロース、ポリブテン誘導体
が好ましい。なお、バインダーとして、焼成により除去
可能であればアルカリ現像型感光性樹脂や上述した凹状
パターン形成の際に説明した硬化性樹脂を使用してもよ
い。

【００６１】無機成分と樹脂成分との使用割合は、無機
成分１００重量部に対して樹脂成分３重量部〜５０重量
部、好ましくは５重量部〜３０重量部の割合からなる。
樹脂成分が３重量部より少ないと、パターン形状保持性
が悪く、ＰＤＰ等の作製に支障となるという問題が発生
する。また、５０重量部より多くなると、焼成後の膜中
にカーボンが残り、品質が低下するので好ましくない。
また、必要に応じて可塑剤、増粘剤、分散剤、沈降防止
剤、消泡剤、剥離剤、レベリング剤等が添加される。

【００６２】可塑剤は、転写性やインキの流動性を向上
させることを目的として添加され、例えばジメチルフタ
レート、ジブチルフタレート、ジ−ｎ−オクチルフタレ
ート等のノルマルアルキルフタレート類、ジ−２−エチ
ルヘキシルフタレート、ジイソデシルフタレート、ブチ
ルベンジルフタレート、ジイソノニルフタレート、エチ
ルフタルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグ
リコレート等のフタル酸エステル類、トリ−２−エチル
ヘキシルトリメリテート、トリ−ｎ−アルキルトリメリ
テート、トリイソノニルトリメリテート、トリイソデシ
ルトリメリテート等のトリメリット酸エステル、ジメチ
ルアジペート、ジブチルアジペート、ジー２−エチルヘ
キシルアジペート、ジイソデシルアジペート、ジブチル
ジグリコールアジペート、ジー２−エチルヘキシルアゼ
テート、ジメチルセバケート、ジブチルセバケート、ジ
ー２−エチルヘキシルセバケート、ジー２−エチルヘキ
シルマレート、アセチル−トリ−（２−エチルヘキシ
ル）シトレート、アセチル−トリ−ｎ−ブチルシトレー
ト、アセチルトリブチルシトレート等の脂肪族二塩基酸
エステル類、ポリエチレングリコールベンゾエート、ト
リエチレングリコール−ジ−（２−エチルヘキソエー
ト）、ポリグリコールエーテル等のグリコール誘導体、
グリセロールトリアセテート、グリセロールジアセチル
モノラウレート等のグリセリン誘導体、セバシン酸、ア
ジピン酸、アゼライン酸、フタル酸などからなるポリエ
ステル系、分子量３００〜３，０００の低分子量ポリエ
ーテル、同低分子量ポリ−α−スチレン、同低分子量ポ
リスチレン、トリメチルホスフェート、トリエチルホス
フェート、トリブチルホスフェート、トリ−２−エチル
ヘキシルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェー
ト、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェ
ート、トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニ
ルホスフェート、キシレニルジフェニルホスフェート、
２−エチルヘキシルジフェニルホスフェート等の正リン
酸エステル類、メチルアセチルリシノレート等のリシノ
ール酸エステル類、ポリ−１，３−ブタンジオールアジ
ペート、エポキシ化大豆油等のポリエステル・エポキシ
化エステル類、グリセリントリアセテート、２−エチル
ヘキシルアセテート等の酢酸エステル類が例示される。

【００６３】増粘剤は、インキにおける粘度を増大させ
ることを目的として必要に応じて添加されるものであ
り、公知のものを使用できるが、例えばヒドロキシエチ
ルセルロース、メチルセルロース、カルボキシメチルセ
ルロース、アルギン酸ソーダ、カゼイン、カゼイン酸ソ
ーダ、キサンタンガム、ポリビニルアルコール、ポリエ
ーテルウレン変性物、ポリアクリル酸エステル、ポリメ
タクリル酸エステル、モンモタロナイト、ステアリン酸
アルミニウム、ステアリン酸亜鉛、オクチル酸アルミニ
ウム、水添加ひまし油、ひまし油エステル、脂肪酸アマ
イド、酸化ポリエチレン、デキストリン脂肪酸エステ
ル、ジベンジリデンソルビトール、植物油系重合油、表
面処理炭酸カルシウム、有機ベントナイト、シリカ、チ
タニア、ジルコニア、アルミナ等の微粉末等が挙げられ
る。

【００６４】分散剤、沈降防止剤としては、無機成分の
分散性や沈降防止性の向上を目的とするものであり、例
えば燐酸エステル系、シリコーン系、ひまし油エステル
系、各種界面滑性剤等が例示され、消泡剤としては、例
えばシリコーン系、アクリル系、各種界面滑性剤等が例
示され、剥離剤としては、例えばシリコーン系、フッ素
油系、パラフィン系、脂肪酸系、脂肪酸エステル系、ひ
まし油系、ワックス系、コンパウンドタイプが例示さ
れ、レベリング剤としては、例えばフッ素系、シリコー
ン系、各種界面滑性剤等が例示され、それぞれ、適宜量
添加される。

【００６５】上記のインキ材料は、メタノール、エタノ
ール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケト
ン、トルエン、キシレン、シクロヘキサノン等のアノン
類、塩化メチレン、３−メトキシブチルアセテート、エ
チレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレング
リコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレング
リコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコー
ルモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリ
コールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコール
モノアルキルエーテルアセテート類、ジプロピレングリ
コールモノアルキルエーテル類、ジプロピレングリコー
ルモノアルキルエーテルアセテート類、α−若しくはβ
−テルピオネール等のテルペン類に溶解、または分散さ
せてインキとされる。また、このような溶剤を使用しな
いノンソルタイプのインキでもよい。

【００６６】また、インキ層が電極形成用である場合に
は少なくともガラスフリットからなる無機成分、焼成に
より除去される樹脂成分、導電性粉末とから構成され
る。

【００６７】無機成分としては、上述した障壁層等のイ
ンキ層の項で記載したガラスフリット、無機粉体、無機
顔料が使用できる。無機粉体はガラスフリット１００重
量部に対して０重量部〜１０重量部のものとするとよ
い。

【００６８】樹脂成分としては、上述した障壁層等のイ
ンキ層の項で記載した樹脂を使用することができ、焼成
により除去される樹脂成分の電極形成層形成用インキ中
の含量は、３〜６０重量％、好ましくは５〜３０重量％
である。

【００６９】導電性粉末としては、金、銀、銅、ニッケ
ル、アルミニウム等の金属粉末が挙げられ、平均粒径が
０．１μｍ〜５μｍの球形金属粉体が好ましい。導電性
粉末とガラスフリットとの使用割合は、導電性粉末１０
０重量部に対して、ガラスフリットは２重量部〜２０重
量部である。

【００７０】また、電極形成層形成用インキには、必要
に応じて可塑剤、分散剤、沈降防止剤、消泡剤、剥離
剤、レベリング剤を添加してもよく、いずれも、上述し
た障壁層等を形成する項で記載したものを使用できる。
電極形成層形成用インキとするには、上記の構成材料
を、必要に応じて上述した誘電体層等を形成する項で記
載したものと同様に溶剤と混合され、ロールミル、ビー
ズミル等により混練してインキ状の塗液とするか、また
はポールミル等により混練してスラリー状の塗液とされ
る。凹状パターン１２へ上述したインキを充填する方法
としては、上述した凹状パターン１２を形成する際に記
載した充填方法が同様に採用される。

【００７１】また、凹状パターンにおけるインキ層は、
顔料を相違させた複数層以上の積層構造としてもよい。
例えば、障壁形成層用パターンとして、凹部パターンの
底部にまず暗色インキ層を積層した後、次いでその暗色
インキ層上に白色インキ層を積層し、暗色インキ層と白
色インキ層の２層からなる充填構造としてもよい。ま
た、凹部パターンの底部にまず透明インキ層を積層した
後、次いで暗色インキ層、白色インキ層を順次積層した
３層構成としてもよい。このように複数層とすると、凹
状パターンにおけるインキ層が被転写体に転写された状
態では、ＰＤＰ基板側からみて、白色層上に暗色層が積
層された複数層構成の障壁形成層とすることができる。
これにより、障壁において観察側が暗色となるので、Ｐ
ＤＰにおけるコントラストが向上する。

【００７２】また、電極形成用パターンとして、凹状パ
ターンの底部に導電性インキ層を設けた後、その導電性
層上に暗色インキ層を積層し、同様に積層構造としても
よい。この場合も観察側が暗色となるので、ＰＤＰにお
けるコントラストが向上する点で障壁形成層と同様であ
る。暗色インキ層は、前述の障壁形成層用インキと同様
に、ガラスフリット、無機粉体、暗色無機顔料、焼成に
より除去される樹脂成分からなる非導電性インキ層であ
ってもよいが、好ましくは無機粉体の代わりに導電性粉
末を含有する導電性インキ層とするとよく、上述した障
壁形成層等のインキ層の項で記載した暗色顔料をガラス
フリット１００重量部に対して、２重量部〜７００重量
部含有させるとよい。

【００７３】インキ層１３の転写性を向上させることを
目的として、凹状パターン１２表面に剥離層を設けても
よく、また、凹状パターン材料中、またはインキ層１３
形成材料中に剥離剤を混練してもよい。

【００７４】剥離剤としては、例えばポリエチレンワッ
クス、アミドワックス、テフロンパウダー、シリコーン
ワックス、カルナバワックス、アクリルワックス、パラ
フィンワックス等のワックス類、フッ素系樹脂、メラミ
ン系樹脂、ポリオレフィン樹脂、電離放射線硬化型の多
官能アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹
脂、アミノ変性、エポキシ変性、ＯＨ変性、ＣＯＯＨ変
性、触媒硬化型、光硬化型、熱硬化型のシリコーンオイ
ル、またはシリコーン樹脂が例示され、凹状パターン１
２、またはインキ層１３中に０．０１重量％〜１０重量
％含有させるとよい。また、凹状パターン表面に剥離層
を設ける場合には、その膜厚は、０．１〜５０μｍ、好
ましくは１μｍ〜１０μｍのものとされる。

【００７５】また、転写性を向上させる方法として、冷
却時のインキ層の収縮性を利用してもよい。凹状パター
ンの形成材料の冷却時の収縮率とインキ層材料のそれと
に差を持たせ、充填時にインキ層の温度を高くし、転写
時には冷却することにより、剥離性・転写性を向上させ
ることができる。また、インキ層が熱可塑性樹脂からな
る場合には、上述した凹状パターン形成に際して記載し
た発泡剤や発泡体を同様に添加し、冷却に際しての収縮
性を利用でき、剥離性に優れるものとなる。

【００７６】なお、インキ層１３を溶剤を使用しないノ
ンソルタイプとする場合には、例えばインキ層１３を障
壁形成層、誘電体形成層等とする場合にはガラスフリッ
ト、無機粉体や無機顔料、有機成分からなる固体粉末、
あるいはガラスフリット等の無機成分粉末のみを、ま
た、電極形成層とする場合には導電性金属粉末、ガラス
フリットからなる粉末を、ベースフイルムの凹状パター
ン内に粉体のまま、或いは適当に湿らせて型で押し込ん
だり、真空引き等の方法で押し込むことにより充填する
とよい。

【００７７】このようなノンソルタイプの場合には、転
写性の向上を目的として、凹状パターン中に剥離剤を練
り込んだものとするか、また凹状パターン表面を剥離処
理しておくとよい。また、ベースフイルムの背面から押
圧して、凹状パターンからインキ層を押し出し、転写さ
れるてもよいが、転写に際して、インキ層におけるガラ
スフリット成分が一部軟化する温度（降伏点）まで加熱
する際のインキ層の収縮作用を利用して転写してもよ
い。また、凹状パターンを電離放射線崩壊性樹脂から形
成しておき、インキ層と共に被転写体に転写した後、電
離放射線を照射して現像液可溶性とし、現像除去しても
よく、また、ＰＤＰ作製に際しての焼成に際して焼成除
去してもよい。

【００７８】次に、本発明の第１のパターン形成方法に
ついて説明する。凹状パターン１２が電離放射線硬化性
樹脂、熱硬化性樹脂、または熱可塑性樹脂からなる場合
には、凹状パターン１２からインキ層１３のみが転写さ
れる。

【００７９】図３、図４は、インキ層１３のみを転写さ
せる場合について図示するものであり、インキ層１３を
充填したベースフイルム１１は、インキ層１３側から被
転写体１４にラミネートされた後、ベースフイルム１１
の背面から押圧することによりインキ層１３のみが転写
される。

【００８０】凹状パターン１２が電離放射線崩壊性樹脂
からなる場合は、図６に示すように、凹状パターン１２
とインキ層１３を共に被転写体１４上に転写し、凹状パ
ターン１２を有しないベースフイルム１１のみを剥離す
る。凹状パターン１２とインキ層１３が共に転写された
被転写体１４は、電離放射線を照射すると凹状パターン
は現像液可溶性となるので、溶解除去でき、インキ層１
３のみを被転写体上に残存させることができる。

【００８１】転写シートと被転写体との押圧方法として
は、平プレス、ロールプレス、吸着多孔質ロールプレ
ス、円弧プレス等が挙げられる。平プレスは、プレス板
が平板状であり、アライメントが容易にとれ、円弧プレ
スも同様である。ロールプレスは、ロールを回転させつ
つ転写シートの背面から離間した転写シートと被転写体
とを押圧してインキ層１３を転写すると共に転写後には
ベースフイルム（転写シート）を剥離するものであるた
め、作業性に優れる反面、転写シートに伸びが生じ、パ
ターン同士のアライメントに困難性がある。転写に際し
ては、例えば転写シートにおける障壁パターンと被転写
体における電極パターン相互のように、互いの位置精度
が重要である。

【００８２】それに対して、吸着多孔質ロールプレス
は、作業性と共に転写シートの伸びを防止できる点で優
れる。吸着多孔質ロールプレスは、ロールを多孔質とし
て転写シートを背面から吸着する吸着エリアを有し、そ
の吸着、脱着を部分部分で切替え可能とするもので、多
孔質ロールを回転させつつ転写シートの背面から離間し
た転写シートと被転写体とを押圧し、インキ層１３を転
写すると共に転写後はベースフイルムを剥離するにあた
り、転写シートを吸着した状態で押圧することができる
ので、転写シートをテンションカット（無張力化）で
き、パターンの伸びを防止でき、また、作業性にも優れ
るものである。また、転写シートにおけるテンションを
完全にカットするために、転写シートを被転写体の大き
さにカットし、平プレス、円弧プレスにより転写する、
所謂「シート枚葉転写」としてもよい。更に、転写シー
トにおけるテンションを完全にカットするために、金属
フイルムを転写シート裏面に貼着したものとしてもよ
い。この方法によると、上述したロールプレス等におけ
る問題点を解消でき、また、転写シートをエンドレス化
でき、作業性に優れるものとできる。なお、金属フイル
ムを転写シート裏面に貼着したものとすると、転写シー
トに凹状パターンを形成する場合においても、位置精度
よく、凹状パターンをベースフイルムに形成することが
できる。

【００８３】また、転写に際して、インキ層における樹
脂成分が熱可塑性樹脂である場合には、熱ロール、熱プ
レス等の手段を上述した転写方法に組み込み、加熱圧着
させ、インキ層のみを転写するとよい。また、電離放射
線硬化性樹脂、電離放射線崩壊性樹脂や熱硬化性樹脂の
場合には、紫外線、赤外光、レーザー光、電子線等の電
離放射線の照射手段を適宜組み込むとよい。また、転写
後に硬化させてもよい。

【００８４】また、転写に際して、転写性の向上を目的
として、インキ層を溶剤処理し、インキ層に粘着性をも
たせる、所謂「ウエット転写」してもよく、必要があれ
ば加熱圧着してもよい。

【００８５】被転写体１４は、パターンがＰＤＰ部材に
おける電極層である場合には下地層を有するガラス基板
または素ガラスであり、ＰＤＰ部材における障壁層であ
る場合には下地層を有するかもしくは有しないガラス基
板上に電極層のみ、もしくは電極層、誘電体層を順次積
層したものが挙げられる。

【００８６】第１の転写シートを使用してパターン転写
するにあたっては、所望の膜厚を得るために同一パター
ンで充填操作−転写操作を複数回繰り返してもよい。

【００８７】本発明の第１の転写シートを使用したパタ
ーン形成方法は、特に電極層、障壁層等の高精細なパタ
ーンを形成するのに適するものであり、作製時間を短縮
でき、歩留りを向上させることができる。また、表面平
滑性に優れ、かつ膜厚が均一で分布精度の良好なパター
ンが得られる。

【００８８】被転写体にインキ層がパターン状に転写さ
れた後、３５０℃〜６５０℃の焼成温度でインキ層にお
ける有機成分を気化、分解、揮発させることにより、溶
融したガラスフリットにより無機粉体が緻密に結合した
ものとでき、焼成により電極層、障壁層、下地層、誘電
体層等とされる。

【００８９】次に、本発明の第２の転写シートについて
説明する。図７は、本発明の第２の転写シートの断面図
であり、また、図８と図９は、本発明の第２のパターン
形成方法を説明するための図である。図中１３′は第１
のインキ層、１５は第２のインキ層であり、図２、図３
と同一符号は同一内容を示す。

【００９０】本発明の第２の転写シートは、凹状パター
ン１２を一方の面に形成したベースフイルム１１におけ
る凹状部内に、少なくともガラスフリットからなる無機
成分と焼成により除去される樹脂成分からなる第１のイ
ンキ層１３′が充填され、更に該第１のインキ層１３′
上に少なくともガラスフリットからなる無機成分と焼成
により除去される樹脂成分からなる第２のインキ層１５
が積層されたものである。

【００９１】ＰＤＰ作製用転写シートの場合、（１）第
１のインキ層を電極形成層、第２のインキ層を下地形成
層、（２）第１のインキ層を障壁形成層、第２のインキ
層を誘電体形成層とするものであり、被転写体１４に第
１のインキ層と第２のインキ層を同時に転写することが
できる。それぞれの層の形成材料は、上述した第１の転
写シートに記載したものと同様である。障壁形成層の場
合には、上述したように、凹状パターンへの充填層とし
て暗色インキ層を使用すると、ＰＤＰにおけるコントラ
ストの高いものとできることは同様である。

【００９２】第２のインキ層１５は、第１のインキ層が
充填された凹状パターン１２上に、下地層、誘電体層の
それぞれのパターンに応じた形状で積層される。第２の
インキ層は、第１のインキ層をその凹部に充填した凹状
パターン１２上にスクリーン印刷等により塗布される
が、例えば障壁形成層である第１のインキ層を凹状パタ
ーン中に充填するにあたり、乾燥処理されると体積収縮
が生じ、間隙が生じる。この方法によるとその間隙部に
誘電体形成材料を補充することができ、より、障壁形成
層を精度よく作製することができる。なお、別のフイル
ム上に第２のインキ層が塗布されて作製した転写シート
を使用して、第１のインキ層をその凹部に充填した凹状
パターン１２上に第２のインキ層を転写により形成して
もよい。また、第２のインキ層を電離放射線硬化性樹脂
や電離放射線崩壊性樹脂等の感光性樹脂からなるインキ
を使用してパターン形成してもよく、例えば、アルカリ
現像型感光性樹脂からなるインキをベタ塗布した後、フ
ォトマスクを介してパターン状に露光、現像することに
より形成してもよい。

【００９３】第２のインキ層が下地形成層の場合、その
膜厚は５μｍ〜５０μｍであり、また、誘電体形成層の
場合には、その膜厚は５μｍ〜５０μｍである。

【００９４】本発明の第２のパターン形成方法は、第２
の転写シートを被転写体１４と重ねあわせ、第１のイン
キ層と第２のインキ層を同時に被転写体上に転写するも
のであるが、その転写方法は上述した第１のパターン形
成方法と同様である。

【００９５】被転写体への転写性を向上させるためは、
第２のインキ層上に接着剤層を必要に応じて設けてもよ
い。接着剤としては、前記した焼成により除去しうる熱
可塑性樹脂単独、またはこの熱可塑性樹脂に可塑剤また
は反応性モノマー等を添加したものが例示される。転写
後は、第１の転写シートを使用した場合と同様に、焼成
され、ＰＤＰとされる。

【００９６】凹状パターン中にインキ層を充填する場
合、乾燥、また固化した段階では、収縮性からその充填
面はベースフイルム面より低くなり、転写性が悪化す
る。この現象はインキ層が膜厚の厚い障壁形成層のごと
き場合に顕著であるが、本発明の第２の転写方法、パタ
ーン形成方法によると凹状パターン上にインキ層を設け
るので、被転写体との接触面積が大きくなり、転写性し
やすくなるという利点がある。

【００９７】また、第２の転写シートを使用すると、複
数層を同時に転写により形成することができるので、作
業性に優れると共に層間のアライメントを転写シートの
段階で行うことができるので、位置精度の高いＰＤＰと
できる。

【００９８】次に、本発明の第３の転写シートについて
説明する。図１０は、本発明の第３の転写シートの断面
図であり、また、図１１と図１２は、本発明の第３のパ
ターン形成方法を説明するための図である。図中１６は
第３のインキ層であり、図２、図３、図７と同一符号は
同一内容を示す。

【００９９】本発明の第３の転写シートは、凹状パター
ン１２を一方の面に形成したベースフイルム１１におけ
る凹状部内に、少なくともガラスフリットからなる無機
成分と焼成により除去される樹脂成分からなる第１のイ
ンキ層１３′が充填されると共に、該第１のインキ層１
３′が充填された前記凹状パターン１２上に少なくとも
ガラスフリットからなる無機成分と焼成により除去され
る樹脂成分からなる第２のインキ層１５が積層され、更
に、該第２のインキ層１５上に第３のインキ層１６が積
層された構造を有する。

【０１００】ＰＤＰ作製用転写シートの場合、第１のイ
ンキ層を障壁形成層、第２のインキ層を誘電体形成層、
第３のインキ層を電極形成層とするものであり、被転写
体１４に第１〜第３のインキ層を同時に転写することが
できるものである。

【０１０１】それぞれの層の形成材料は、上述した第１
の転写シートに記載したものと同様であるが、第２、第
３のインキ層は、第１のインキ層が充填された凹状パタ
ーン１２上に、誘電体層、電極形成層のそれぞれのパタ
ーンに応じた形状で順次積層される。

【０１０２】第２、第３のインキ層は、第１のインキ層
が充填された凹状パターン１２上にスクリーン印刷によ
り順次積層してもよく、また、順次転写により形成して
もよい。また、第２、第３のインキ層をそれぞれ電離放
射線硬化性樹脂や電離放射線崩壊性樹脂等の感光性樹脂
を使用して形成してもよく、この場合にはベタ塗布した
後、フォトマスクを介してパターン状に露光、現像する
ことにより形成される。

【０１０３】また、第３のインキ層を電極形成層とする
場合、まず、第１のインキ層を障壁形成層とし、また、
第２のインキ層を誘電体形成層として形成した後、アル
カリ現像型感光性樹脂からなる電極形成用塗布液をベタ
塗布し、電極パターンをフォトマスクを介して露光・現
像して形成してもよい。また、図１３に示すように、第
１のインキ層１３を暗色インキ層からなる障壁形成層と
し、第２のインキ層１５を誘電体形成層として形成した
後、更に第３のインキ層１６としてアルカリ現像型感光
性樹脂からなる電極形成用塗布液をベタ塗布し、フォト
マスク１７を使用してベースフイルム１１側から露光・
現像すると、暗色インキ層がマスクとなり、図１３
（ｃ）に示すように、電極パターン１６を形成すること
ができる。この方法によると、障壁パターンと電極パタ
ーンのアライメントが正確にとれるので好ましい。第２
のインキ層が誘電体形成層の場合には、その膜厚は５μ
ｍ〜５０μｍであり、第３のインキ層が電極形成層の場
合には、その膜厚は５μｍ〜５０μｍである。

【０１０４】なお、第３のインキ層を電極形成層として
電極パターン状に形成した後には、必要に応じて、下地
形成層を電極パターン上に膜厚５μｍ〜５０μｍで積層
してもよい。

【０１０５】本発明の第３のパターン形成方法は、第３
の転写シートを被転写体１４と重ねあわせ、第１〜第３
のインキ層を同時に被転写体上に転写するものである
が、その転写方法は上述した第１のパターン形成方法と
同様である。また、被転写体への転写性の向上を目的と
して、第３のインキ層上、または下地形成層上に上述し
た接着剤層を必要に応じて設けてもよい。

【０１０６】被転写体への転写後は、第１の転写シート
を使用した場合と同様に、被転写体は焼成され、ＰＤＰ
とされる。

【０１０７】本発明の第３の転写シート、パターン形成
方法は、第２の転写シートと同様に、転写性に優れるも
のとでき、また、複数層のインキ層を同時に転写するこ
とができるので、作業性に優れるものである。また、各
層間のアライメントを転写シートの段階で行うことがで
きるので、位置精度の高いＰＤＰとできる。

【０１０８】本発明の第１〜第３の転写シートにおける
それぞれのインキ層表面には防傷、ゴミ混入防止、ブロ
ッキング防止等を目的として、必要に応じて保護フイル
ムを貼着しておくとよい。

【０１０９】保護フイルムは例えばポリエチレンテレフ
タレートフイルム、１，４−ポリシクロヘキシレンジメ
チレンテレフタレートフイルム、ポリエチレンナフタレ
ートフイルム、ポリフェニレンサルファイドフイルム、
ポリスチレンフイルム、ポリプロピレンフイルム、ポリ
サルホンフイルム、アラミドフイルム、ポリカーボネー
トフイルム、ポリビニルアルコールフイルム、セロハ
ン、酢酸セルロース等のセルロース誘導体フイルム、ポ
リエチレンフイルム、ポリ塩化ビニルフイルム、ナイロ
ンフイルム、ポリイミドフイルム、アイオノマーフイル
ム等で、積層面がシリコーン処理、アクリルメラミン処
理、ワックス処理等により剥離処理された膜厚１μｍ〜
４００μｍ、好ましくは４．５μｍ〜２００μｍのもの
である。

【０１１０】なお、ベースフイルムの凹部内にインキを
充填し、必要により保護フイルムを貼合した後、シート
を一旦巻き取ってもよく、また、必要な長さにベースフ
イルムを裁断してからインキを充填し、転写に使用して
もよい。以下、実施例により本発明を詳細に説明する。

【０１１１】

【実施例】

（実施例１）・・（ベースフイルムの形成）紫外線硬化型インキ（日本化薬（株）製、ＤＫＦ−９０
１）を、図５に示す装置に装填すると共に、ポリエチレ
ンテレフタレートフイルム（膜厚７５μｍ）をベースフ
イルムとした。また、線源は紫外線照射（６００ｍＪ／
ｃｍ²）とし、ベースフイルム上に、凹版ロールの回転
速度５ｍ／ｍｉｎで、ピッチ２００μｍで線幅７０μ
ｍ、深さ２０μｍの電極パターン凹部を図１に示すよう
に形成した。

【０１１２】次に、組成・銀粉（平均粒径１μｍ）・・・・８０重量部・ガラスフリット｛主成分；ＰｂＯ、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃（無アルカリ）平均粒径１μｍ、軟化点５００℃｝・・・・５重量部熱膨張係数α₃₀₀＝７５×１０^-7／℃ ・ポリブテン（日本油脂（株）製２００Ｎ）・・・・８重量部・ポリブテン（日本油脂（株）製５Ｎ）・・・・２重量部を３本ロールを使用して混合分散処理し、電極形成層形
成用インキを作製し、上記で得た凹部を有するベースフ
イルムにドクター方式によりインキを塗布し、凹部に充
填した後、ポリエチレンフイルムをラミネートし、本発
明の第１の転写シートを形成した。

【０１１３】転写シートのポリエチレンフイルムを剥離
した後、オートカットラミネーター（旭化成（株）製、
型式ＡＣＬ−９１００）を使用し、基板プレヒート温度
８０℃、ラミロール温度１００℃の転写条件で下地層付
きガラス基板上にラミネートした。次いで、ベースフイ
ルムを剥離し、インキ層を転写した後、ピーク温度５７
０℃で焼成し、パターン状の電極層を形成した。焼成後
の電極層の線幅６５μｍ、膜厚は、７±２μｍであっ
た。

【０１１４】（実施例２）実施例１において、ベースフ
イルムにおける凹部パターンの形状が、障壁層パターン
であるピッチ２５０μｍで底幅７０μｍ、天井幅１００
μｍ、深さ１８０μｍの凹部を形成した。

【０１１５】組成・ガラスフリット｛ＭＢ−００８、松浪硝子工業（株）製）・・・・６５重量部・α−アルミナＲＡ−４０（岩谷化学工業）・・・・１０重量部・ダイピロキサイドブラック＃９５１０（大日精化工業（株）製）・・・・１０重量部・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体（８／２）・・・・８重量部・ポリオキシエチレン化トリメチロールプロパントリアクリレート・・・・８重量部・シリコーン樹脂（信越化学工業（株）製Ｘ−２４−８３００）・・・・１重量部・光開始剤（チバガイギー社製「イルガキュア３６９」）・・・・３重量部・プロピレングリコールモノメチルエーテル・・・・１０重量部・イソプロピルアルコール・・・・１０重量部をセラミックビーズを使用したビーズミルを使用して混
合分散処理し、障壁層形成用インキを調製した。

【０１１６】このインキを上記で得た凹部を有するベー
スフイルム上の凹部にインキをドクターにより充填し、
１００℃、５分間乾燥させた後、ポリエチレンフイルム
をラミネートして、本発明の第１の転写シートを形成し
た。転写シートのポリエチレンフイルムを剥離した後、
オートカットラミネーター（旭化成（株）製、型式ＡＣ
Ｌ−９１００）を使用し、基板プレヒート温度８０℃、
ラミロール温度１００℃の転写条件で下地層、電極層、
誘電体層を順次設けたガラス基板上にラミネートした。
次いで、ベースフイルムを剥離し、５７０℃で焼成し
た。焼成後の障壁層の天井幅５０μｍ、底幅８０μｍ、
膜厚は、１２０±１０ｍであった。

【０１１７】（実施例３）実施例１において、ベースフ
イルムにおける凹部パターンの形状が、障壁層パターン
であるピッチ２５０μｍで底幅７０μｍ、天井幅１００
μｍ、深さ１８０μｍの凹部を形成した。

【０１１８】（暗色インキからなる障壁形成材料）組成・ガラスフリット（主成分ＰｂＯ、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃、無アルカリ）・・・・５３重量部・α−アルミナＲＡ−４０（岩谷化学工業）・・・・１２重量部・ダイピロキサイドブラック＃９５１０（大日精化工業（株）製）・・・・８重量部上記の無機成分混合体の熱膨張係数（３０〜３００℃）７４×１０⁷、軟化点５８０℃ ・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体（７／３）・・・・５重量部・フタル酸ビス（２−エチルヘキシル）・・・・３重量部・ジブチルフタレート・・・・５重量部・プロピレングリコールモノメチルエーテル・・・・１０重量部・Ｎ−メチル−２−ピロリドン・・・・１０重量部をセラミックビーズを使用したビーズミルを使用して混
合分散処理し、暗色障壁層形成用インキを調製した。

【０１１９】（白色インキからなる障壁形成材料）組成・ガラスフリット（主成分ＰｂＯ、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃、無アルカリ）・・・・５３重量部・α−アルミナＲＡ−４０（岩谷化学工業）・・・・１２重量部・酸化チタン・・・・８重量部上記の無機成分混合体の熱膨張係数（３０〜３００℃）７２×１０⁷、軟化点５７５℃ ・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体（７／３）・・・・５重量部・フタル酸ビス（２−エチルヘキシル）・・・・３重量部・ジブチルフタレート・・・・５重量部・プロピレングリコールモノメチルエーテル・・・・１０重量部・Ｎ−メチル−２−ピロリドン・・・・１０重量部をセラミックビーズを使用したビーズミルを使用して混
合分散処理し、白色障壁層形成用インキを調製した。

【０１２０】上記で得たベースフイルム上の凹部内に、
まず、暗色インキを４０μｍの膜厚、暗色インキ層上
に、白色インキをそれぞれドクターにより塗布して、暗
色インキ層上に白色インキ層が積層したインキ層を充填
し、１５０℃、３０分間乾燥させた後、ポリエチレンフ
イルムをラミネートして、本発明の第１の転写シートを
形成した。転写シートのポリエチレンフイルムを剥離し
た後、オートカットラミネーター（旭化成（株）製、型
式ＡＣＬ−９１００）を使用し、基板プレヒート温度８
０℃、ラミロール温度１００℃の転写条件で下地層、電
極層、誘電体層を順次設けたガラス基板上にラミネート
した。次いで、ベースフイルムを剥離し、５７０℃で焼
成した。焼成後の障壁層の天井幅５０μｍ、底幅８０μ
ｍ、膜厚は、１２０±１０ｍであった。この焼成物を使
用してＰＤＰを組み立てたところ、コントラストの優れ
るものであった。

【０１２１】（実施例４）・・（ベースフイルムの形
成）紫外線硬化型インキ（大日精化工業（株）製、セイカビ
ームＸＤ−８０８）を、図５に示す装置に装填すると共
に、ポリエチレンテレフタレートフイルム（膜厚１００
μｍ）をベースフイルムとした。また、線源は紫外線照
射（１６０Ｗ／ｃｍ²）とし、ベースフイルム上に、凹
版ロールの回転速度５ｍ／ｍｉｎで障壁層パターンを、
ピッチ２５０μｍで底幅７０μｍ、天井幅１００μｍ、
深さ１８０μｍの凹部を図１に示すように形成した。

【０１２２】上記で得たベースフイルム上の凹部内に、
まず、実施例３で記載した暗色インキを４０μｍの膜
厚、暗色インキ層上に、実施例３で記載した白色インキ
をそれぞれドクターにより塗布して、暗色インキ層上に
白色インキ層が積層したインキ層を充填し、１５０℃、
３０分間乾燥させた。

【０１２３】（誘電体形成層）組成・ガラスフリット（主成分Ｂｉ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、Ｂ₂Ｏ₃、無アルカリ、平均粒径３μｍ）・・・・７０重量部・α−アルミナＲＡ−４０（岩谷化学工業）・・・・７重量部・酸化チタン・・・・３重量部上記の無機成分混合体の熱膨張係数（３０〜３００℃）８１×１０⁷、軟化点５８０℃ ・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体（７／３）・・・・１３重量部・ジブチルフタレート・・・・７重量部・プロピレングリコールモノメチルエーテル・・・・２０重量部をセラミックビーズを使用したビーズミルを使用して混
合分散処理し、誘電体層形成用インキを調製した。

【０１２４】この誘電体層形成用インキを、上記で得
た、ベースフイルム上の凹部内に障壁形成インキ層を充
填した凹状パターン上に、図７に示すように、スクリー
ン印刷により誘電体層パターン状に塗布し、１５０℃、
３０分間乾燥させ、膜厚２０μｍの誘電体形成層を積層
した後、ポリエチレンフイルムをラミネートして、本発
明の第２の転写シートを形成した。障壁形成層は、誘電
体形成層用インキで被覆され、形状の優れるものであっ
た。転写シートのポリエチレンフイルムを剥離した後、
オートカットラミネーター（旭化成（株）製、型式ＡＣ
Ｌ−９１００）を使用し、基板プレヒート温度８０℃、
ラミロール温度１００℃の転写条件で下地層、電極層を
順次設けたガラス基板上にラミネートした。次いで、ベ
ースフイルムを剥離し、５７０℃で焼成した。焼成後の
誘電体層の膜厚は１０μｍ、また、障壁層の天井幅５０
μｍ、底幅８０μｍ、膜厚は、１２０±１０ｍであっ
た。

【０１２５】（実施例５）（電極形成用インキ組成）・銀粉（平均粒径２μｍ）・・・・７０重量部・ガラスフリット（平均粒径１μｍ、無アルカリ、軟化点５５０℃、熱膨張係数（３０〜３００℃）７３×１０⁷）・・・・５重量部・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体（７／３）・・・・１２重量部・ジブチルフタレート・・・・５重量部・プロピレングリコールモノメチルエーテル・・・・１５重量部をセラミックビーズを使用したビーズミルを使用して混
合分散処理し、電極形成用インキを調製した。

【０１２６】この電極形成用インキを、実施例４で得た
転写シートにおけるポリエチレンフイルムを剥離した
後、その誘電体形成層上に、スクリーン印刷により電極
パターン状に塗布し、１５０℃、３０分間乾燥させて膜
厚２０μｍの電極形成層を積層し、更に、ポリエチレン
フイルムをラミネートして、図１０に示す本発明の第３
の転写シートを形成した。転写シートのポリエチレンフ
イルムを剥離した後、オートカットラミネーター（旭化
成（株）製、型式ＡＣＬ−９１００）を使用し、基板プ
レヒート温度８０℃、ラミロール温度１００℃の転写条
件で下地層を設けたガラス基板上にラミネートした。次
いで、ベースフイルムを剥離し、５７０℃で焼成した。
焼成後の電極の膜厚は１０μｍ、誘電体層の膜厚は１０
μｍ、また、障壁層の天井幅５０μｍ、底幅８０μｍ、
膜厚は、１２０±１０ｍであった。

【０１２７】（実施例６）（感光性電極形成用インキ組成）・銀粉（球形、平均粒径１μｍ）・・・・７０重量部・ガラスフリット（平均粒径１μｍ、無アルカリ、軟化点５５０℃、熱膨張係数（３０〜３００℃）７３×１０⁷）・・・・５重量部・感光性樹脂成分・・・・１８重量部（内訳・アルカリ現像型ポリマー（メチルメタクリレート／メタクリル酸共重合体であって、その側鎖に二重結合を７モル％含有、酸価１００ｍｇＫＯＨ／ｇ）・・・・５０重量部・エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート・・・・３０重量部・光開始剤（チバガイギー社製、イルガキュア３６９）・・・・３重量部・プロピレングリコールモノメチルエーテル・・・・１５重量部）をセラミックビーズを使用したビーズミルを使用して混
合分散処理し、感光性電極形成用インキを調製した。

【０１２８】実施例４で得た転写シートにおけるポリエ
チレンフイルムを剥離した後、その誘電体形成層上に、
感光性電極形成用インキをドクター方式により塗布し、
乾燥膜厚２０μｍとした。得られた積層シートを、その
ベースフイルム側から、紫外線照射（２００ｍＪ／ｃｍ
²）した後、電極形成層を０．２％濃度の炭酸ナトリウ
ム水溶液で現像し、未露光部分を除去した。障壁形成層
がマスクとなり、障壁形成層間に電極形成層を位置精度
よく形成できた。乾燥後、電極形成層上にポリエチレン
フイルムを貼着し、図１０に示す本発明の第３の転写シ
ートを形成した。

【０１２９】転写シートのポリエチレンフイルムを剥離
した後、オートカットラミネーター（旭化成（株）製、
型式ＡＣＬ−９１００）を使用し、基板プレヒート温度
８０℃、ラミロール温度１００℃の転写条件で下地層を
設けたガラス基板上にラミネートした。次いで、ベース
フイルムを剥離し、５７０℃で焼成した。焼成後の電極
の膜厚は１０μｍ、誘電体層の膜厚は１０μｍ、また、
障壁層の天井幅５０μｍ、底幅８０μｍ、膜厚は、１２
０±１０ｍであった。

【０１３０】（実施例７）（下地形成層形成用インキ）組成・ガラスフリット（主成分；ＰｂＯ、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃（無アルカリ）、熱膨張係数（３０〜３００℃）８２×１０⁷、軟化点５７５℃）・・・・６５重量部・α−アルミナＲＡ−４０（岩谷化学工業）・・・・１１重量部・酸化銅（ＣｕＯ）・・・・４重量部・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体（８／２）・・・・１１重量部・ベンジルブチルフタレート・・・・３重量部・ジブチルフタレート・・・・３重量部・プロピレングリコールモノメチルエーテル・・・・２０重量部をセラミックビーズを使用したビーズミルを使用して混
合分散処理し、下地形成用インキを調製した。

【０１３１】実施例６で得た転写シートにおけるポリエ
チレンフイルムを剥離した後、その電極形成層上に、下
地形成用インキをスクリーン印刷により、下地パターン
状に塗布し、乾燥膜厚２０μｍの下地形成層を形成した
後、ポリエチレンフイルムを貼着した。

【０１３２】転写シートのポリエチレンフイルムを剥離
した後、オートカットラミネーター（旭化成（株）製、
型式ＡＣＬ−９１００）を使用し、基板プレヒート温度
８０℃、ラミロール温度１００℃の転写条件でガラス基
板上にラミネートした。次いで、ベースフイルムを剥離
し、５７０℃で焼成した。焼成後の下地層の膜厚は１０
μｍ、電極の膜厚は１０μｍ、誘電体層の膜厚は１０μ
ｍ、また、障壁層の天井幅５０μｍ、底幅８０μｍ、膜
厚は、１２０±１０ｍであった。この方法により、ガラ
ス基板上に、下地層、電極層、誘電体層、障壁層を同時
に、しかも位置精度よく形成できた。

【０１３３】

【発明の効果】本発明の転写シートは、ＰＤＰ、画像表
示装置、サーマルヘッド、集積回路等における電極層、
誘電体層、障壁層を別途用意した転写シートにより形成
するシステムに使用するのに適するものであり、作製時
間を短縮でき、歩留りを向上させることができる。ま
た、パターン形成を転写により形成するために、表面平
滑性に優れ、かつ膜厚が均一で分布精度の良好な層形成
ができる。また、パターン部のみを転写できるため、材
料の使用を少なくでき、低コスト化を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】凹状パターンを形成したベースフイルムをそ
の断面で説明するための図である。

【図２】本発明の第１の転写シートをその断面で説明
するための図である。

【図３】本発明の第１のパターン形成方法を説明する
ための図である。

【図４】本発明の第１の転写シートを使用して被転写
体にパターンが転写された状態を説明するための図であ
る。

【図５】凹版ロールを使用し、ベースフイルムに凹状
パターンを形成する方法を説明するための図である。

【図６】凹状パターン形成材料として、電離放射線崩
壊性樹脂を使用する場合の転写方法を説明するための図
である。

【図７】本発明の第２の転写シートをその断面で説明
するための図である。

【図８】本発明の第２のパターン形成方法を説明する
ための図である。

【図９】本発明の第２の転写シートを使用して被転写
体にパターンが転写された状態を説明するための図であ
る。

【図１０】本発明の第３の転写シートをその断面で説
明するための図である。

【図１１】本発明の第３のパターン形成方法を説明す
るための図である。

【図１２】本発明の第３の転写シートを使用して被転
写体にパターンが転写された状態を説明するための図で
ある。

【図１３】本発明の第３の転写シートの作製方法の一
例を説明するための図である。

【図１４】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルを説明
するための図である。

【図１５】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの他の
例を説明するための図である。

【符号の説明】

１は前面板、２は背面板、３はセル障壁、４は維持電
極、５はバス電極、６、６′は誘電体層、７はＭｇＯ
層、８はアドレス電極、９は蛍光体層、１０は下地層、
１１はベースフイルム、１２は凹状パターン部、１３は
インキ層、１３′は第１のインキ層、１４は被転写体、
１５は第２のインキ層、１６は第３のインキ層、３３は
ロール凹版、３４は凹部、３５は樹脂供給装置、３６は
硬化性樹脂、３７は硬化装置、３９は剥離ロール、４０
は塗工部、４４は給紙巻取ロール、４５は給紙側送りロ
ール、４７はコンベンセーターロール、４８は排紙巻取
ロールである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者来間泰則東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大日本印刷株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】凹状パターンを一方の面に形成したベー
スフイルムにおける凹状部内に、少なくともガラスフリ
ットからなる無機成分と焼成により除去される樹脂成分
からなるインキ層が充填されたことを特徴とする転写シ
ート。
【請求項２】転写シートがプラズマディスプレイパネ
ル作製用転写シートであり、インキ層が電極形成層であ
ることを特徴とする請求項１記載の転写シート。
【請求項３】電極形成層が、少なくともガラスフリッ
トからなる無機成分と焼成により除去される樹脂成分か
らなる導電性インキ層、または、該導電性インキ中に暗
色顔料を含有する暗色導電性インキ層、または前記導電
性インキ層と前記暗色導電性インキ層の積層からなるも
のであることを特徴とする請求項２記載の転写シート。
【請求項４】転写シートがプラズマディスプレイパネ
ル作製用転写シートであり、インキ層が障壁形成層であ
ることを特徴とする請求項１記載の転写シート。
【請求項５】障壁形成層が、少なくともガラスフリッ
トからなる無機成分と焼成により除去される樹脂成分か
らなる白色インキ層、または暗色インキ層、または白色
インキ層と暗色インキ層の積層からなるものであること
を特徴とする請求項４記載の転写シート。
【請求項６】凹状パターンを一方の面に形成したベー
スフイルムにおける凹状部内に、少なくともガラスフリ
ットからなる無機成分と焼成により除去される樹脂成分
からなる第１のインキ層が充填されると共に、該第１の
インキ層が充填された前記凹状パターン上に少なくとも
ガラスフリットからなる無機成分と焼成により除去され
る樹脂成分からなる第２のインキ層が積層されたことを
特徴とする転写シート。
【請求項７】転写シートがプラズマディスプレイパネ
ル作製用転写シートであり、第１のインキ層が電極形成
層、第２のインキ層が下地形成層であることを特徴とす
る請求項６記載の転写シート。
【請求項８】転写シートがプラズマディスプレイパネ
ル作製用転写シートであり、第１のインキ層が障壁形成
層、第２のインキ層が誘電体形成層であることを特徴と
する請求項６記載の転写シート。
【請求項９】障壁形成層が、少なくともガラスフリッ
トからなる無機成分と焼成により除去される樹脂成分か
らなる白色インキ層、または暗色インキ層、または白色
インキ層と暗色インキ層の積層からなるものであること
を特徴とする請求項８記載の転写シート。
【請求項１０】凹状パターンを一方の面に形成したベ
ースフイルムにおける凹状部内に、少なくともガラスフ
リットからなる無機成分と焼成により除去される樹脂成
分からなる第１のインキ層が充填されると共に、該第１
のインキ層が充填された前記凹状パターン上に少なくと
もガラスフリットからなる無機成分と焼成により除去さ
れる樹脂成分からなる第２のインキ層が積層され、更
に、該第２のインキ層上に第３のインキ層が積層された
ことを特徴とする転写シート。
【請求項１１】転写シートがプラズマディスプレイパ
ネル作製用転写シートであり、第１のインキ層が少なく
ともガラスフリットからなる無機成分と焼成により除去
される樹脂成分からなる白色インキ層、または暗色イン
キ層、または白色インキ層と暗色インキ層の積層からな
る障壁形成層であると共に、第２のインキ層が誘電体形
成層、第３のインキ層が電極形成層であることを特徴と
する請求項１０記載の転写シート。
【請求項１２】凹状パターンを一方の面に形成したベ
ースフイルムにおける凹状部内に少なくともガラスフリ
ットからなる無機成分と焼成により除去される樹脂成分
からなるインキ層が充填された転写シートを、該インキ
層側から被転写体にラミネートしてインキ層を被転写体
に転写し、該インキ層が転写された被転写体を焼成する
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１３】凹状パターンを一方の面に形成したベ
ースフイルムにおける凹状部内に、少なくともガラスフ
リットからなる無機成分と焼成により除去される樹脂成
分からなる第１のインキ層が充填され、更に前記凹状パ
ターン上に少なくともガラスフリットからなる無機成分
と焼成により除去される樹脂成分からなる第２のインキ
層を積層した転写シートを、該第２のインキ層側から被
転写体にラミネートして第１及び第２のインキ層を同時
に転写し、該第１及び第２のインキ層が転写された被転
写体を焼成することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１４】凹状パターンを一方の面に形成したベ
ースフイルムにおける凹状部内に、少なくともガラスフ
リットからなる無機成分と焼成により除去される樹脂成
分からなる第１のインキ層が充填されると共に、前記凹
状パターン上に少なくともガラスフリットからなる無機
成分と焼成により除去される樹脂成分からなる第２のイ
ンキ層が積層され、更に、該第２のインキ層上に第３の
インキ層を積層した転写シートを、該第３のインキ層側
から被転写体にラミネートして第１〜第３のインキ層を
同時に転写し、該第１〜第３のインキ層が転写された被
転写体を焼成することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１５】パターン形成方法がプラズマディスプ
レイパネル形成方法であって、被転写体がプラズマディ
スプレーパネル基板であり、インキ層パターンがプラズ
マディスプレイパネル部材パターンであることを特徴と
する請求項１２〜請求項１４記載のパターン形成方法。