JPH1116491A - プラズマディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法Info
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- JPH1116491A JPH1116491A JP18458897A JP18458897A JPH1116491A JP H1116491 A JPH1116491 A JP H1116491A JP 18458897 A JP18458897 A JP 18458897A JP 18458897 A JP18458897 A JP 18458897A JP H1116491 A JPH1116491 A JP H1116491A
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Abstract
て、障壁層、電極、誘電体層の欠陥を少なく、かつ平坦
に形成できる厚膜パターン形成方法を提供する。 【解決手段】 基板上に、少なくともガラスフリットを
有する無機成分とバインダー樹脂を含有する厚膜パター
ン形成材料を、全面もしくはパターン状に、塗布もしく
は印刷した後、平坦化処理を施すことにより欠陥が少な
く平坦な厚膜パターンを形成することができる。平坦化
処理はプレスロールまたは定盤を使用して剥離性フィル
ムを介してまたは介さずに障壁層、電極、誘電体層をプ
レスすることにより行うことができる。
Description
レイパネル用厚膜パターンの形成方法、特にプラズマデ
ィスプレイパネル(PDP)の製造における障壁、電
極、誘電体層等の厚膜パターンの形成方法に係わるもの
である。本発明の厚膜パターン形成方法によれば、放電
空間を形成するための障壁、電極、誘電体層等を容易に
平坦に形成することができる。
はスクリーン印刷等によりパターン印刷したり、あるい
は基板全面に障壁材料等を塗布して、レジスト膜を形成
してサンドブラスト等によりエッチングして形成されて
いるが、スクリーン印刷の場合、障壁等の表面にスクリ
ーンのメッシュ目が残るために、障壁の欠けの原因とな
ったり、電極の放電むらの原因となるという問題があっ
た。
板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その
間にネオン、キセノン等を主体とするガスを封入した構
造となっている。そして、これらの電極間に電圧を印加
し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることに
より、各セルを発光させて表示を行うようにしている。
特に情報表示をするためには、規則的に並んだセルを選
択的に放電発光させている。このPDPには、電極が放
電空間に露出している直流型(DC型)と絶縁層で覆わ
れている交流型(AC型)の2種があり、双方とも表示
機能や駆動方法の違いによって、さらにリフレッシュ駆
動方式とメモリー駆動方式に分類される。
C型PDPの一般的な構成を示したものである。AC型
PDPは、3電極構造の面放電型PDPである。図6
は、その斜視図、図7は障壁に平行な面での断面図であ
る。これらの図は前面板であるガラス基板12と背面板
であるガラス基板11を離した状態を示したもので、図
示のようにガラス基板12と11とが互いに平行に且つ
対向して配設されており、ガラス基板11の前面側には
これに立設する障壁8が固着され、この障壁8によりガ
ラス基板11とガラス基板12とが一定空間で保持され
ている。そして、ガラス基板12の背面側には透明導電
膜からなる電極14とそれに重なるバス電極15からな
る表示電極Xが互いに平行に形成され、表示電極Xを被
覆する誘電体層16、MgO層17が形成されている。
示電極Xと直交するようにアドレス電極Yと、アドレス
電極を覆う誘電体層3が設けられている。さらに、スト
ライプ状の障壁8がアドレス電極Yに互いに平行に形成
され、障壁8の壁面とセルの底面を覆うようにして所定
発光色の蛍光体層19が設けられている。障壁は、放電
空間をライン方向に単位発光領域ごとに区画するよう
に、各アドレス電極Yの間に配置されている。
ス基板12上の複合電極間に交流電源から所定の電圧を
印加して電場を形成することにより、ガラス基板12と
背面板であるガラス基板11と障壁8とで区画される表
示要素としての各セル内で放電が行われる。そして、こ
の放電により生じる紫外線により蛍光体層19が発光さ
せられ、ガラス基板12を透過してくるこの光を観察者
が視認するようになっている。
術に関しては、基板上に障壁形成材料を用いて形成する
障壁パターン形状に対応するように、スクリーン印刷法
にて1回または複数回繰り返して印刷し、所要高さに積
み上げて塗布乾燥させる方法が知られている。また、基
板上に障壁形成材料を全面に塗布し、サンドブラスト耐
性を有するレジストを所定の形状に塗布面にパターニン
グした後、該レジストで保護されていない部分をサンド
ブラスト法で除去し、その後、該レジストを剥離する方
法も知られている(特公平4−58438号公報参
照)。
ついて図面を参照して説明する。図5は、サンドブラス
ト法によるプラズマディスプレイパネルの製造工程を示
す一例である。まず、ガラス基板11上に必要により低
融点ガラスからなる薄膜の下地層1を形成する(図5
(A))。下地層はガラス基板に起因するアルカリ成分
等の拡散を防止するため、あるいは電極、誘電体および
障壁を形成する時の基板との密着力を向上させるために
形成しておくことが好ましい。
これらの合金を低融点ガラスフリット、低温で焼成可能
なバインダー樹脂に分散させた電極ペースト材料を用い
てスクリーン印刷法、フォトリソグラフィー法、充填
法、サンドブラスト法等によりアドレス電極2を形成
し、必要により低融点ガラスからなる誘電体層3をスク
リーン印刷法等により形成する(図5(B))。誘電体
層は、駆動させる時の安定性のためや電極がむき出しに
ならないようにして、障壁をサンドブラスト法で形成す
る際に電極が損傷を受けないために形成しておくことが
好ましい。誘電体層の材料としては、酸化鉛ガラスや酸
化ビスマスを主成分とする低融点ガラスが好適に用いら
れる。
印刷により複数回塗布して積層し乾燥することにより障
壁形成層4を形成する。このようにして得られたパネル
をオーブン中に保持して、可塑剤を除去した後、障壁形
成層上に、保護膜を有するネガ型ドライフィルムレジス
ト5を熱ロールでラミネートする(図5(C))。そし
て、所定のフォトマスク9を介してドライフィルムレジ
スト5を紫外線光源10により露光した後(図5
(D))、ドライフィルムレジスト上の保護膜を剥離
し、炭酸ナトリウム水溶液による現像を行う。レジスト
を乾燥すれば、ラインパターンマスクに応じたレジスト
パターン7が得られる(図5(E))。こうして形成さ
れたレジストパターン7を切削マスクとして、障壁形成
層4をサンドブラスト法により切削する(図5
(F))。
溶液を使用してスプレー剥離し水洗し、乾燥する。最後
に、PDPパネル部材を焼成炉中において焼成し、誘電
体層、電極層、障壁層を同時に形成する。
工程で障壁を形成する場合であっても、焼成前または焼
成後における障壁やアドレス電極あるいは誘電体層の表
面は、スクリーン印刷により形成されるのが通常である
ので、スクリーンメッシュ目が必然的に表面に出現して
残り、障壁の欠けの原因となったり、電極の放電むらの
原因になるという問題がある。また、スクリーン印刷以
外のブレードコートやロールコート、その他各種の塗布
方法であっても、障壁等の表面を無欠陥かつ完全に平坦
にすることは非常に困難が伴う。そこで、本発明では塗
布後の各塗布層表面を簡易な方法で平坦にすることを研
究し、本発明の完成に至ったものである。
の本発明請求項1の発明は、基板上に、少なくともガラ
スフリットを有する無機成分とバインダー樹脂を含有す
る厚膜パターン形成材料を、全面もしくはパターン状
に、塗布もしくは印刷した後、平坦化処理を施すことを
特徴とするプラズマディスプレイパネル用厚膜パターン
の形成方法、にある。かかる形成方法によるプラズマデ
ィスプレイパネル用厚膜パターンであるため、平坦で欠
陥のない厚膜パターンが形成できる。
の発明は、請求項1記載のプラズマディスプレイパネル
用厚膜パターンの形成方法において、平坦化処理がパタ
ーン状に塗布もしくは印刷したパターン形成材料上から
プレスロールによりプレスすることを特徴とする。かか
る形成方法によるプラズマディスプレイパネル用厚膜パ
ターンであるため、平坦で欠陥のない厚膜パターンを容
易に形成できる。
の発明は、請求項1記載のプラズマディスプレイパネル
用厚膜パターンの形成方法において、平坦化処理がパタ
ーン状に塗布もしくは印刷したパターン形成材料上から
定盤によりプレスすることを特徴とする。かかる形成方
法によるプラズマディスプレイパネル用厚膜パターンで
あるため、平坦で欠陥のない厚膜パターンを容易に形成
できる。
の発明は、請求項1から請求項3記載のプラズマディス
プレイパネル用厚膜パターンの形成方法において、平坦
化処理がパターン状に塗布もしくは印刷したパターン形
成材料上に剥離性フィルムを介してプレスすることによ
り行うことを特徴とする。かかる形成方法によるプラズ
マディスプレイパネル用厚膜パターンであるため、平坦
で欠陥のない厚膜パターンを容易に形成できる。
の発明は、請求項1から請求項3記載のプラズマディス
プレイパネル用厚膜パターンの形成方法において、平坦
化処理がパターン状に塗布もしくは印刷したパターン形
成材料上に剥離性フィルムをラミネートした後、プレス
することにより行うことを特徴とする。かかる形成方法
によるプラズマディスプレイパネル用厚膜パターンであ
るため、平坦で欠陥のない厚膜パターンを容易に形成で
きる。
の発明は、請求項4から請求項5記載のプラズマディス
プレイパネル用厚膜パターンの形成方法において、厚膜
パターン形成材料が光硬化性樹脂であり、平坦化処理の
後に、剥離性フィルムを介して露光してパターン形成材
料の硬化処理を行うことを特徴とする。かかる形成方法
によるプラズマディスプレイパネル用厚膜パターンであ
るため、平坦で欠陥のない厚膜パターンを容易に形成し
硬化処理することができる。
の発明は、請求項1から請求項6記載のプラズマディス
プレイパネル用厚膜パターンの形成方法において、厚膜
パターン形成材料が、障壁形成材料もしくは電極形成材
料もしくは誘電体層形成材料であることを特徴とする。
かかる形成方法によるプラズマディスプレイパネル用厚
膜パターンであるため、障壁層、電極、誘電体層を平坦
で欠陥のない厚膜パターンに形成できる。
の発明は、請求項1から請求項7記載のプラズマディス
プレイパネル用厚膜パターンの形成方法において、基板
が厚膜パターン形成材料の仮支持体であり、仮支持体上
に形成された厚膜パターンがガラス基板に転写されるも
のであることを特徴とする。かかる形成方法によるプラ
ズマディスプレイパネル用厚膜パターンであるため、障
壁層、電極、誘電体層の平坦で欠陥のない厚膜パターン
を転写方法により形成できる。
ィスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法の第1の実
施形態を説明する図である。図1(A)はプレスロール
による場合、図1(B)は定盤による場合を示してい
る。この実施形態の場合、図1(A)のように、ガラス
等の基板11の上にパターン形成材料20を全面もしく
はパターン状に塗布もしくは印刷して厚膜パターンを形
成した後、プレスロール21を基板11上、一定高さに
正確に維持して均一な力で回転するか、図1(B)のよ
うに、パターン形成材料上に平面性がよくパターン形成
材料に対して剥離性の面を有する定盤22を均一に押圧
する方法により、パターン表面を平坦化するとともにパ
ターンを均一の高さにすることができる。なお、図1
(A)の場合は、基板11が支持台(不図示)上にあっ
て、支持台を平行に移動するものであってもよい。第1
の実施形態の場合、剥離性フィルムを使用しないので、
プレスロール21や定盤22の表面は、パターン形成材
料に対して粘着性あるいは接着性を有しない材質のもの
を選択して使用する必要がある。具体的に好ましい材質
としては、ポリ4フッ化エチレン(テフロン)、ポリ3
フッ化エチレン系の材料、またはポリジメチルシリコー
ンゴム、フェニル変性シリコーンゴム、エポキシ変性シ
リコーンゴム、ウレタン変性シリコーンゴム等を用いて
形成するかロールまたは盤面にこれらの材料の塗膜形成
した均質な面にして使用することが好ましい。
イパネル用厚膜パターンの形成方法の第2の実施形態を
説明する図である。この実施形態の場合、図2のよう
に、基板11の上にパターン形成材料20を全面もしく
はパターン状に塗布もしくは印刷して厚膜パターンを形
成した後、プレスロール21を基板11上、一定高さに
正確に維持した状態で剥離性フィルム23を介して均一
な力で回転することにより、パターン表面を平坦化する
とともにパターンを均一の高さにすることができる。こ
の実施形態の場合、剥離性フィルム23はプレスロール
の移動に伴ってパターン形成材料に接触するのみで、パ
ターン形成材料にラミネートされることはない。
材料に対して粘着性あるいは接着性でない材質のもの、
一般的には表面張力の小さい材質を選択して使用する必
要がある。具体的に好ましい材質としては、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リビニルフルオライド、ポリビニリデンフルオライド、
ポリ4フッ化エチレン、ポリ3フッ化エチレン、シリコ
ーンゴム、シリコンポリマー等のパターン形成材料に対
して剥離性のあるフィルムが好ましい。また、剥離性フ
ィルムは熱伸縮率の小さい樹脂フィルムに離型処理した
ものであってもよい。離型処理としては、フィルム上
に、ポリ4フッ化エチレン、ポリ3フッ化エチレン、ジ
メチルシリコーン、フェニル変性シリコーン、エポキシ
変性シリコーン等を1μm〜10μmの薄膜に形成した
ものが使用できる。
うな厚さ、具体的には10μm〜500μm、好ましく
は20μm〜200μm程度の厚さのものが好ましい。
また、PDPの一画面内において、フィルムの厚さむら
は、±10%の範囲であって厚みむらのないことが好ま
しい。剥離性フィルムは汚損のない限り反復して使用す
ることができるが、パターン形成の都度、フィルムを替
えて使用することが好ましい。
イパネル用厚膜パターンの形成方法の第3の実施形態を
説明する図である。この実施形態の場合、まず、図3の
ように、基板11の上にパターン形成材料20を全面も
しくはパターン状に塗布もしくは印刷して厚膜パターン
を形成する。その後、平面性の良い剥離性フィルムをパ
ターン形成材料上にプレスロールの回転と同時に敷きつ
めてラミネートする。プレスロールの最初の回転により
剥離性フィルムはパターン形成材料にラミネートされる
が、その後、必要によりプレスロールを反復して回転さ
せることができる。ラミネートは一時的なものであり、
平坦化処理の後は剥離することが前提である。プレスロ
ール21は第1、第2の実施形態と同様に基板11上、
正確に一定高さに維持して均一な力で回転する必要があ
る。その後、必要により光硬化処理をした後、剥離性フ
ィルムを剥離することにより、パターン表面を平坦化す
るとともにパターンを均一の高さにすることができる。
この場合剥離性フィルム23の材質は、第2の実施形態
の場合と同一のものを使用することができる。
イパネル用厚膜パターンの形成方法の第4の実施形態を
説明する図である。図4(A)はプレスロール21によ
る場合、図4(B)は定盤22による場合を示してい
る。この実施形態の場合、まず、図4のように、基板1
1上にパターン形成材料20を全面もしくはパターン状
に塗布もしくは印刷して厚膜パターンを形成する。その
後、平面性の良い剥離性フィルム23をパターン形成材
料によるパターン上に載置した後、図4(A)のように
プレスロールを剥離性フィルム上を均一な力で回転させ
るか、図4(B)のように定盤22で平面的に均一に押
圧する方法により、パターン形成材料表面を平坦化する
と同時にフィルムをパターン形成材料上にラミネートす
る。ラミネートは一時的なものであり、平坦化処理の後
は剥離することが前提である。プレスロール21は第1
の実施形態と同様に基板11上、一定高さに正確に維持
して回転する必要がある。その後、必要により光硬化処
理をした後、剥離性フィルムを剥離することにより、パ
ターン表面を平坦化するとともにパターンを均一の高さ
にすることができる。この場合剥離性フィルム23の材
質は、第2の実施形態の場合と同一のものを使用するこ
とができる。
形態の場合もパターン形成材料に加熱を与える状態で行
うことができる。加熱は加熱したプレスロールを使用す
ることもできるが、基板11を支持する支持台全体を加
熱してもよい。パターン形成材料を加熱することによ
り、より平坦にできる効果がある。ただし、加熱は剥離
性フィルムの平坦性または作業性に影響を与えない程度
の温度であることが必要であり、具体的には、40°C
〜150°Cの程度である。また、パターン形成材料に
感光性の材料を使用する場合には、パターン表面に剥離
性フィルムがラミネートされた状態で露光することが好
ましい。このような状態で露光することにより、光によ
る硬化を促進することができる。
を使用する場合は、回転して移動するロールの最下面が
形成する面の平面性が必要とされる。また、剥離性フィ
ルムを使用する場合には、フィルム厚さの不均一に伴う
複合した影響が現れるので、プレスロールには、より高
い精度が必要とされる。このため、プレスロール軸芯の
真直性、ロールゴム表面が偏心しないで正しい円形であ
ること、ロール軸が褶動する面の平行性が求められる。
平坦化処理を定盤で行う場合にも、定盤下面のパターン
基板に対する平面性が同様に求められる。
形態の場合も基板を厚膜パターン形成材料の仮支持体と
することができる。厚膜パターンは、仮支持体を平面性
のよい支持台またはガラス板上に載置した状態で厚膜パ
ターンを形成することもでき、厚膜パターンの形成され
た仮支持体を支持台またはガラス板上に載置して平坦化
処理を行うこともできる。仮支持体上に形成された厚膜
パターンは最終的な製品となるガラス等の基板上に転写
されることを目的とするもので、最終製品基板に転写後
は剥離除去される。このような平坦化処理は仮支持体か
らガラス基板に厚膜パターンを転写するに際して、ガラ
ス基板上に厚膜パターン形成材料側が接するように一体
にラミネートした後に、仮支持体面側から前記のような
平坦化処理をすることも可能である。
溶剤に侵されず、また、溶剤の乾燥工程、転写工程での
加熱処理により収縮延伸しないことが必要であり、ポリ
エチレンテレフタレート、1,4−ポリシクロヘキシレ
ンジメチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリフェニレンサルファイド、ポリスチレン、ポリ
プロピレン、ポリサルホン、アラミド、ポリカーボネー
ト、ポリビニルアルコール、セロハン、酢酸セルロース
等のセルロース誘導体、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ナイロン、ポリイミド、アイオノマー等の各フィル
ム、各シート、さらにアルミニウム、銅等の金属箔が例
示され、膜厚4μm〜400μm、好ましくは4.5μ
m〜200μmのものを使用することができる。
形成してもよいし、シリコンその他支持体に対して離型
性の樹脂材料による薄膜を形成した離型処理後に厚膜パ
ターンを形成することもできる。離型処理はポリジメチ
ルシリコーン、フェニル変性シリコーン、エポキシ変性
シリコーン、ウレタン変性シリコーン等を用いて形成す
ることができ、また、ポリエチレンテレフコレートに対
して硝化綿系樹脂等のように剥離性の材料を選択して使
用することができる。離型処理の膜厚は、1〜10μm
のものが適当である。
態)誘電体層形成材料、障壁形成材料は、少なくともガ
ラスフリットを有する無機成分と熱可塑性樹脂とからな
る。ガラスフリットとしては、その軟化点が350°C
〜650°Cで、熱膨張係数α300 が60×10-7/°
C〜100×10-7/°Cのものが挙げられる。ガラス
フリットの軟化点が650°Cを越えると焼成温度を高
くする必要があり、その積層対象によっては熱変形した
りするので好ましくなく、また、350°Cより低いと
熱可塑性樹脂が分解、揮発する前にガラスフリットが融
着し、層中に空隙等の発生が生じるので好ましくない。
また、熱膨張係数が60×10-7/°C〜100×10
-7/°Cの範囲外であると、ガラス基板の熱膨張係数と
の差が大きく、歪み等を生じるので好ましくない。
他に無機粉体、無機顔料のそれぞれ2種以上を混合して
使用してもよい。
て、必要に応じて添加される。無機粉体は、焼成に際し
ての流延防止、緻密性向上を目的とするものであり、ガ
ラスフリットより軟化点が高いものであり、例えば酸化
アルミニウム、酸化硼素、シリカ、酸化チタン、酸化マ
グネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸
化バリウム、炭酸カルシウム等の各無機粉体が利用で
き、平均粒径0.1μm〜20μmのものが例示され
る。無機粉体の使用割合は、ガラスフリット100重量
部に対して無機粉体の0重量部〜30重量部とするとよ
い。
し、実用上のコントラストを向上させるために必要に応
じて添加されるものであり、暗色にする場合には、耐火
性の黒色顔料として、Co−Cr−Fe、Co−Mn−
Fe、Co−Fe−Mn−Al、Co−Ni−Cr−F
e、Co−Ni−Mn−Cr−Fe、Co−Ni−Al
−Cr−Fe、Co−Mn−Al−Cr−Fe─Si等
が挙げられる。また、耐火性の白色顔料としては、酸化
チタン、酸化アルミニウム、シリカ、炭酸カルシウム等
が挙げられる。
ける焼成により除去される樹脂成分は、熱可塑性樹脂で
あり、無機成分のバインダーとして、また、転写性の向
上を目的として含有させるものであり、例えばメチルア
クリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレー
ト、エチルメタクリレート、n−プロピルアクリレー
ト、n−プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリ
レート、イソプロピルメタクリレート、sec−ブチル
アクリレート、sec−ブチルメタクリレート、、n−
ブチルメタクリレート、n−ブチルアクリレート、イソ
ブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、te
rt−ブチルアクリレート、tert−ブチルメタクリ
レート、n−ペンチルアクリレート、n−ペンチルメタ
クリレート、n−ヘキシルアクリレート、n−ヘキシル
メタクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、2
−エチルヘキシルメタクリレート、n−オクチルアクリ
レート、n−オクチルメタクリレート、n−デシルアク
リレート、n−デシルメタクリレート、ヒドロキシエチ
ルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒ
ドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメ
タクリレート、スチレン、α−メチルスチレン、N−ビ
ニル−2−ピロリドン等の1種以上からなるポリマーま
たはコポリマー、エチルセルロース等のセルロース誘導
体等が挙げられる。
リレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレー
ト、n−プロピルアクリレート、n−プロピルメタクリ
レート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタ
クリレート、sec−ブチルアクリレート、sec−ブ
チルメタクリレート、n−ブチルアクリレート、n−ブ
チルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブ
チルメタクリレート、tert−ブチルアクリレート、
tert−ブチルメタクリレート、ヒドロキシエチルア
クリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロ
キシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタク
リレート等の1種以上からなるポリマーまたはコポリマ
ー、エチルセルロースが好ましい。
成分100重量部に対して樹脂成分3重量部〜50重量
部、好ましくは5重量部〜30重量部の割合からなる。
誘電体層形成層において、樹脂成分が3重量部より少な
いと、誘電体層形成層の保持性が低く、特に、巻き取っ
た状態での保存性、取り扱い性に問題を生じ、また、転
写シートを適宜形状に切断(スリット)する場合に無機
成分がゴミとなって、PDP作製に支障となるという問
題が発生する。また、50重量部より多くなると、焼成
後の膜中にカーボンが残り、品質が低下するので好まし
くない。
料には、必要に応じて可塑剤、分散剤、沈降防止剤、消
泡剤、剥離剤、レベリング剤等が添加される。
させることを目的として添加され、例えばジメチルフタ
レート、ジブチルフタレート、ジ−n−オクチルフタレ
ート等のノルマルアルキルフタレート類、ジ−2−エチ
ルヘキシルフタレート、ジイソデシルフタレート、ブチ
ルベンジルフタレート、ジイソノニルフタレート、エチ
ルフタルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグ
リコレート等のフタル酸エステル類、トリ−2−エチル
ヘキシルトリメリテート、トリ−n−アルキルトリメリ
テート、トリイソノニルトリメリテート、トリイソデシ
ルトリメリテート等のトリメリット酸エステル、ジメチ
ルアジペート、ジブチルアジペート、ジ−2−エチルヘ
キシルアジペート、ジイソデシルアジペート、ジブチル
ジグリコールアジペート、ジ−2−エチルヘキシルアゼ
テート、ジメチルセバケート、ジブチルセバケート、ジ
−2−エチルヘキシルセバケート、ジ−2−エチルヘキ
シルマレート、アセチル−トリ−(2−エチルヘキシ
ル)シトレート、アセチル−トリ−n−ブチルシトレー
ト、アセチルトリブチルシトレート等の脂肪族二塩基酸
エステル類、ポリエチレングリコールベンゾエート、ト
リエチレングリコール−ジ−(2−エチルヘキソエー
ト)、ポリグリコールエーテル等のグリコール誘導体、
グリセロールトリアセテート、グリセロールジアセチル
モノラウレート等のグリセリン誘導体、セバシン酸、ア
ジピン酸、アゼライン酸、フタル酸などからなるポリエ
ステル系、分子量300〜3,000の低分子量ポリエ
ーテル、同低分子量ポリ−α−スチレン、同低分子量ポ
リスチレン、トリメチルホスフェート、トリエチルホス
フェート、トリブチルホスフェート、トリ−2−エチル
ヘキシルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェー
ト、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェ
ート、トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニ
ルホスフェート、キシレニルジフェニルホスフェート、
2−エチルヘキシルジフェニルホスフェート等の正リン
酸エステル類、メチルアセチルリシノレート等のリシノ
ール酸エステル類、ポリ−1,3−ブタンジオールアジ
ペート、エポキシ化大豆油等のポリエステル・エポキシ
化エステル類、グリセリントリアセテート、2−エチル
ヘキシルアセテート等のエステル類が例示される。
分散性、沈降防止性の向上を目的とするものであり、例
えば燐酸エステル系、シリコーン系、ひまし油エステル
系、各種界面活性剤等が例示され、消泡剤としては、例
えばシリコーン系、アクリル系、各種界面活性剤等が例
示され、剥離剤としては、例えばシリコーン系、フッ素
油系、パラフィン系、脂肪酸系、脂肪酸エステル系、ひ
まし油系、ワックス系、コンパウンドタイプが例示さ
れ、レベリング剤としては、例えばフッ素系、シリコー
ン系、各種界面活性剤等が例示され、それぞれ、適宜量
添加される。
料は、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ア
セトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、シ
クロヘキサノン等のアノン類、塩化メチレン、3−メト
キシブチルアセテート、エチレングリコールモノアルキ
ルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルア
セテート類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテ
ル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセ
テート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル
類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテ
ート類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル
類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセ
テート類、α−もしくはβ−テルピオネール等のテルペ
ン類に溶解、または分散させ、ベースフィルム上に、ス
クリーン印刷、ダイコート、ブレードコート、コンマコ
ート、ロールコート、グラビアリバースコート法、グラ
ビアダイレクト法、スリットリバース法等により塗布
し、乾燥させ、所定の膜厚とされる。
成用ペーストは、少なくともガラスフリットからなる無
機成分、熱可塑性樹脂、導電性粉末、必要に応じて増粘
剤とから構成される。
材料および障壁形成材料における無機成分で記載したガ
ラスフリット、無機粉体、無機顔料が使用できるが、ガ
ラスフリットとしてはその平均粒径が0.3μm〜10
μm、好ましくは0.5μm〜5μmのものを使用する
とよく、また、無機粉体はガラスフリット100重量部
に対して、0重量部〜10重量部のものとするとよい。
ンダーとして、また、転写性の向上を目的として含有さ
せるものであり、誘電体層形成材料および障壁形成材料
における熱可塑性樹脂と同様に、焼成に際して揮発・分
解して、パターン中に炭化物を残存させないものであ
り、上述した誘電体層形成材料および障壁形成材料で説
明したものが使用できる。特に、エチルセルロース、メ
チルセルロース、ニトロセルロース、セルロースアセテ
ート、セルロースプロピオネート、セルロースブチレー
ト等のセルロース系樹脂、メチルアクリレート、エチル
アクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルア
クリレート、イソプロピルアクリレート、2−エチルヘ
キシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレー
トまたはこれらのメタクリレート体の重合体または共重
合体であるポリアクリル酸エステルまたはポリメタクリ
ル酸エステル類、ポリ−α−スチレン、ポリビニルアル
コール、ポリブテン系樹脂が好ましく、特にポリブテン
系樹脂が好ましい。
含量は、3〜50重量%、好ましくは5〜30重量%で
ある。
ル、アルミニウム等の金属粉末が挙げられ、平均粒径が
0.1μm〜5μmの球形金属粉体が好ましい。導電性
粉末とガラスフリットとの使用割合は、導電性粉末10
0重量部に対して、ガラスフリットは2重量部〜20重
量部である。
度を増大させて、下層へのしみ込みを押さえることを目
的として必要に応じて添加されるものであり、公知のも
のを使用できるが、例えばヒドロキシエチルセルロー
ス、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、
アルギン酸ソーダ、カゼイン、カゼイン酸ソーダ、キサ
ンタンガム、ポリビニルアルコール、ポリエーテルウレ
タン変成物、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル
酸エステル、モンモタロナイト、ステアリン酸アルミニ
ウム、ステアリン酸亜鉛、オクチル酸アルミニウム、水
添加ひまし油、ひまし油エステル、脂肪酸アマイド、酸
化ポリエチレン、デキストリン脂肪酸エステル、ジベン
ジリデンソルビトール、植物油系重合油、表面処理炭酸
カルシウム、有機ベントナイト、シリカ、チタニア、ジ
ルコニア、アルミナ等の微粉末等が挙げられる。増粘剤
の含有量は、導電性粉末100重量部に対して、0.1
重量部〜20重量部、好ましくは、0.1重量部〜10
重量部であり、 0.1重量部未満であると増粘効果が
なく、20重量部より多いと電極としての特性に断線等
の悪影響を引き起こす。
の塗布性等を改善するために、可塑剤、分散剤、沈降防
止剤、消泡剤、剥離剤、レベリング剤を添加してもよ
く、いずれも、上述した誘電体層形成材料および障壁形
成材料で記載したものを同様に溶剤と混合され、ロール
ミルにより混練してペースト状の塗液とするか、または
ボールミル等により混練してスラリー状の塗液とされ
る。電極形成層形成用ペーストとしては、その動的粘性
率が500〜7000ポイズであり、損失正接 tan
δが5〜12の範囲とされる。動的粘性率が7000ポ
イズを越えると、凹版からの転写が難しくなり好ましく
ない。また、損失正接 tanδが12を越えると転写
により形成されたパターンにダレが生じるので好ましく
ない。動的粘性率及び損失正接 tanδは、キャリメ
ッド社製のCSレオメーターにより、温度23°C、周
波数10Hz、歪み3%で測定される。
に対して分解・除去されるものであり、公知の電離放射
線硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を用いることができる。
電離放射線硬化性樹脂としては、紫外線或いは電子線硬
化性樹脂等が使用でき、分子中に重合性不飽和結合また
はエポキシ基を有するプレポリマー、オリゴマー及び/
または単量体を適宜混合した組成物を用いることができ
る。前記プレポリマー、オリゴマーとしては、不飽和ジ
カルボン酸と多価アルコールの縮合物等の不飽和ポリエ
ステル類、エポキシ樹脂、ポリエステルメタクリレー
ト、ポリエーテルメタクリレート、ホリオールメタクリ
レート等のメタクリレート類、ポリエステルアクリレー
ト、ポリエーテルアクリレート、ポリオールアクリレー
ト等のアクリレート類が挙げられる。
能な炭素−炭素不飽和結合を有する化合物が挙げられ
る。例えばアリルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシエチレング
リコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、
ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニル
アクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、グリ
セロールアクリレート、グリシジルアクリレート、2−
ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピ
ルアクリレート、イソボニルアクリレート、イソデキシ
ルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリル
アクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、メト
キシエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチ
ルアクリレート、ステアリルアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアク
リレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、
1,5−ペンタンジオールジアクリレート、1,6−ヘ
キサンジオールジアクリレート、1,3−プロパンジオ
ールジアクリレート、1,4−シクロヘキサンジオール
ジアクリレート、2,2−ジメチロールプロパンジアク
リレート、グリセロールジアクリレート、トリプロピレ
ングリコールジアクリレート、グリセロールトリアクリ
レート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ポ
リオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラアクリレート、トリエチレングリ
コールジアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロ
ールプロパントリアクリレート、プロピレンオキサイド
変性トリメチロールプロパントリアクリレート、ブチレ
ングリコールジアクリレート、1,2,4−ブタントリ
オールトリアクリレート、2,2,4−トリメチル−
1,3−ペンタンジオールジアクリレート、ジアリルフ
マレート、1,10−デカンジオールジメチルアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、及
び上記のアクリレート体をメタクリレート体に変えたも
の、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
1−ビニル−2−ピロリドン等の1種または2種以上の
混合物が挙げられる。
物に光開始剤として、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル
安息香酸メチル、4,4−ビス(ジメチルアミノ)ベン
ゾフェノン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフ
ェノン、α−アミノアセトフェノン、4,4−ジクロロ
ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフェニ
ルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,2−
ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−
フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル
プロピオフェノン、p−tert−ブチルジクロロアセ
トフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサント
ン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチオ
キサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチ
ルケタール、ベンジルメトキシエチルアセタール、ベン
ゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、
2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−
オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−
モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2,4−ジエ
チルチオキサントン、p−ジメチルアミノ安息香酸イソ
アミルエステル、p−ジメチルアミノ安息香酸エチルエ
ステル、アントラキノン、2−tert−ブチルアント
ラキノン、2−アミルアントラキノン、β−クロロアン
トラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズ
スベロン、メチレンアントロン、4−アジドベンジルア
セトフェノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデ
ン)シクロヘキサン、2,6−ビス(p−アジドベンジ
リデン)−4−メチルシクロヘキサノン、2−フェニル
−1,2−ブタジオン−2−(o−メトキシカルボニ
ル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオン−2−
(o−エトキシカルボニル)オキシム、1,3−ジフェ
ニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニ
ル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−プロパン
トリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、ミヒラー
ケトン、2−メチル−〔4−(メチルチオ)フェニル〕
−2−モルフォリノ−1−プロパン、ナフタレンスルホ
ニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、n−
フェニルチオアクリドン、4,4−アゾビスイソブチロ
ニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンゾチアゾール
ジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキ
ノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過
酸化ベンゾイル、エオシン、メチレンブルー等の光還元
性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミン等の
還元剤の組合せ等が挙げられ、また、これらの光開始剤
の1種または2種以上を組み合わせて使用してもよい。
硬化性樹脂の電極形成層形成用ペースト中の含量は、5
〜95重量%、好ましくは10〜50重量%である。
を説明する。 <誘電体層の形成>次の〔組成〕の誘電体層形成材料を
3本ロールを使用して混合分散処理した後、ガラス基板
11上に下地層1を介してアドレス電極2を形成した
後、膜厚20±2μmの誘電体層3をスクリーン印刷し
て形成し、100°Cで乾燥した(図5(B))。 〔組成〕 ・ガラスフリット〔主成分;Bi2 O3 、ZnO2 、B2 O3 (無アルカリ) 平均粒径3μm〕 70重量部 ・TiO2 3重量部 ・Al2 O3 7重量部 (上記の無機成分混合体の軟化点570°C、Tg485°C、 熱膨張係数α300 =80×10-7/°C) ・エチルセルロース 7重量部 ・テルピネオール 15重量部 ・ブチルセロソルブアセテート 15重量部
「T−60」)、厚み;50μm(面内の厚みの精度;
±2μm)を当該誘電体層3形成面上に広げて載置した
後、当該PETフィルム上を、電極パターンのストライ
プ方向に沿ってプレスロール21を回転して、誘電体層
の平坦化処理を行った(図4(A))。なお、プレスロ
ールには、ゴム硬度70度の硬質ゴムを使用し、ロール
表面直径は100mmとした。
形成層を、3本ロールを使用して混合分散処理した後、
電極2、誘電体層3を形成した基板上にダイコートによ
り障壁形成層4を塗布し、170°Cで乾燥した。 〔組成〕 ・ガラスフリット〔MB−008、松浪硝子工業株式会社製〕 65重量部 ・α−アルミナRA−40(岩谷化学工業) 10重量部 ・ダイピロキサイドブラック♯9510(大日精化工業株式会社製) 10重量部 ・エチルセルロース 2重量部 ・テルピオネール 15重量部 ・ブチルセロソルブアセテート 15重量部
(東セロ株式会社製「SP−PET−03−50−
C」)、厚み;50μm(面内の厚みの精度;±2μ
m)を当該障壁形成層上に広げて載置した後、当該PE
Tフィルム上を、電極パターンのストライプ方向に沿っ
てプレスロールを回転して、障壁形成層の平坦化処理を
行った。なお、プレスロールには、ゴム硬度90度の硬
質ゴムを使用し、ロール表面直径は100mmとした。
平坦化処理後の障壁形成層の膜厚は、170μm±3μ
mであった。
を、シリコン処理したPETフィルムを剥離した後、障
壁形成層上に、保護膜を有するネガ型ドライフィルムレ
ジスト(日本合成化学工業株式会社製「NPC22
5」)厚み;25μmを120°Cの熱ロールでラミネ
ートした(図5(C))。
ジスト5上に、線幅80μm、ピッチ220μmのライ
ンパターンマスクを位置合わせして配置し、紫外線照射
(364nm、強度200μW/cm2 、照射量120
mJ/cm2 )し(図5(D))た後、フォトレジスト
層上の保護膜を剥離し、液温30°Cの炭酸ナトリウム
1重量%水溶液を使用しスプレー現像した。ラインパタ
ーンマスクに応じたレジストパターンが得られた(図5
(E))。
して、サンドブラスト加工装置を使用し、レジストパタ
ーン開口部の障壁形成層をサンドブラスト処理した。サ
ンドブラスト加工後、誘電体層形成層を観察したが、誘
電体層形成層はサンドブラストにより殆ど削られず、電
極の露出もなく、膜厚を有するものであった(図5
(F))。
の水酸化ナトリウム2重量%水溶液を使用し、スプレー
剥離し、水洗後、80°Cのオーブン中で15分間乾燥
させた。最後に、PDPパネル部材をピーク温度570
°Cで焼成し、誘電体層、障壁層を同時に形成した。
体層形成材料を使用し、同一の下地処理をしたガラス基
板上に、実施例と同一の条件で、膜厚20±2μmの誘
電体層を形成した。ただし、PETフィルムによる平坦
化処理は実施しなかった。その後、実施例と同一の〔組
成〕の障壁形成層を使用し、電極を形成した基板上に、
実施例と同一の条件で、膜厚170μm±10μmの障
壁形成層をダイコートで形成した。ただし、シリコーン
処理したPETフィルムによる平坦化処理は実施しなか
った。 障壁形成層上に、保護膜を有するネガ型ドライ
フィルムレジスト(日本合成化学工業株式会社製「NP
C225」)厚み;25μmを120°Cの熱ロールで
ラミネートした。
ジスト5上に、線幅80μm、ピッチ220μmのライ
ンパターンマスクを位置合わせして配置し、紫外線照射
(364nm、強度200μW/cm2 、照射量120
mJ/cm2 )した後、フォトレジスト層上の保護膜を
剥離し、液温30°Cの炭酸ナトリウム1重量%水溶液
を使用しスプレー現像した。ラインパターンマスクに応
じたレジストパターンが得られた。
して、サンドブラスト加工装置を使用し、レジストパタ
ーン開口部の障壁形成層をサンドブラスト処理した。次
いで、レジストパターンを液温30°Cの水酸化ナトリ
ウム2重量%水溶液を使用し、スプレー剥離し、水洗
後、80°Cのオーブン中で15分間乾燥させた。最後
に、PDPパネル部材をピーク温度570°Cで焼成
し、誘電体層、障壁層を同時に形成した。
双方の誘電体層の膜厚、障壁層の線幅、高さの測定を行
った。また、障壁層の欠陥数を測定した。(実施例)の
誘電体層の膜厚は14μm±1μm、障壁層は線幅が5
0μm±5μmで、高さが120μm±2μmであっ
た。障壁層の高さは均一で、表面は平滑性に優れ、且つ
どの障壁層にも欠陥は認められなかった。(比較例)の
誘電体層の膜厚は14μm±3μm、障壁層は線幅が5
0μm±5μmで、高さが120μm±8μmであり、
比較例のものは、実施例のものに比較して、誘電体層の
膜厚、障壁層の高さにおいてバラツキが大きく、また、
障壁層の欠陥の数も多かった。なお、障壁等の高さの測
定には、触針式表面粗さ計(Veeco Instru
ments Inc.,Sloan Technolo
gy Division製「DEKTAK」)を使用し
た。
ルの厚膜パターンの形成方法によれば、厚膜パターン形
成層の平坦化処理が容易にできるので、表面が平坦化し
かつ、均一の高さの障壁、電極、誘電体層が容易に得ら
れる。また、スクリーン印刷等による場合に必然的に生
じる障壁の欠け等の欠陥が減少するため、これに基づく
電極の放電むらを解消することができる。
厚膜の形成方法の第1の実施形態を示す図である。
厚膜の形成方法の第2の実施形態を示す図である。本発
明による厚膜の形成方法他のの実施形態を示す図であ
る。
厚膜の形成方法の第3の実施形態を示す図である。
厚膜の形成方法の第4の実施形態を示す図である。
イパネルの製造工程を示す一例である。
ある。
ある。
Claims (8)
- 【請求項1】 基板上に、少なくともガラスフリットを
有する無機成分とバインダー樹脂を含有する厚膜パター
ン形成材料を、全面もしくはパターン状に、塗布もしく
は印刷した後、平坦化処理を施すことを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法。 - 【請求項2】 平坦化処理がパターン状に塗布もしくは
印刷したパターン形成材料上からプレスロールによりプ
レスすることにより行うことを特徴とする請求項1記載
のプラズマディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方
法。 - 【請求項3】 平坦化処理がパターン状に塗布もしくは
印刷したパターン形成材料上から定盤によりプレスする
ことにより行うことを特徴とする請求項1記載のプラズ
マディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法。 - 【請求項4】 平坦化処理がパターン状に塗布もしくは
印刷したパターン形成材料上に剥離性フィルムを介して
プレスすることにより行うことを特徴とする請求項1か
ら請求項3記載のプラズマディスプレイパネル用厚膜パ
ターンの形成方法。 - 【請求項5】 平坦化処理がパターン状に塗布もしくは
印刷したパターン形成材料上に剥離性フィルムをラミネ
ートした後、プレスすることにより行うことを特徴とす
る請求項1から請求項3記載のプラズマディスプレイパ
ネル用厚膜パターンの形成方法。 - 【請求項6】 厚膜パターン形成材料が光硬化性樹脂で
あり、平坦化処理の後に、剥離性フィルムを介して露光
してパターン形成材料の硬化処理を行うことを特徴とす
る請求項4から請求項5記載のプラズマディスプレイパ
ネル用厚膜パターンの形成方法。 - 【請求項7】 厚膜パターン形成材料が、障壁形成材料
もしくは電極形成材料もしくは誘電体層形成材料である
ことを特徴とする請求項1から請求項6記載のプラズマ
ディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法。 - 【請求項8】 基板が厚膜パターン形成材料の仮支持体
であり、仮支持体上に形成された厚膜パターンがガラス
基板に転写されるものであることを特徴とする請求項1
から請求項7記載のプラズマディスプレイパネル用厚膜
パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18458897A JPH1116491A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | プラズマディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18458897A JPH1116491A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | プラズマディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116491A true JPH1116491A (ja) | 1999-01-22 |
| JPH1116491A5 JPH1116491A5 (ja) | 2005-05-12 |
Family
ID=16155842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18458897A Pending JPH1116491A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | プラズマディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116491A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6273684B1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-08-14 | Grundfos A/S | Centrifugal pump unit |
| JP2003096305A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-04-03 | Jsr Corp | 無機粒子含有組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2003139949A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-14 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 位相差板の製造方法 |
| JP2008251417A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 導電膜及びその製造方法 |
| CN104228324A (zh) * | 2008-05-09 | 2014-12-24 | 斯塔诺阿埃索澳吉有限公司 | 用于在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备、方法、具有该导电图案的平坦绝缘基底和形成在该平坦绝缘基底上的芯片组 |
-
1997
- 1997-06-26 JP JP18458897A patent/JPH1116491A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6273684B1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-08-14 | Grundfos A/S | Centrifugal pump unit |
| JP2003096305A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-04-03 | Jsr Corp | 無機粒子含有組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2003139949A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-14 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 位相差板の製造方法 |
| JP2008251417A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 導電膜及びその製造方法 |
| WO2008123437A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corporation | 導電膜及びその製造方法 |
| US8071271B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-12-06 | Fujifilm Corporation | Conductive film and method for producing the same |
| KR101340119B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2013-12-10 | 후지필름 가부시키가이샤 | 도전성 필름 및 그 제조 방법 |
| CN104228324A (zh) * | 2008-05-09 | 2014-12-24 | 斯塔诺阿埃索澳吉有限公司 | 用于在平坦绝缘基底上形成导电图案的设备、方法、具有该导电图案的平坦绝缘基底和形成在该平坦绝缘基底上的芯片组 |
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