JPH10144210A - 電極形成方法 - Google Patents

電極形成方法

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JPH10144210A
JPH10144210A JP30041596A JP30041596A JPH10144210A JP H10144210 A JPH10144210 A JP H10144210A JP 30041596 A JP30041596 A JP 30041596A JP 30041596 A JP30041596 A JP 30041596A JP H10144210 A JPH10144210 A JP H10144210A
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JP
Japan
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electrode
layer
forming layer
base
forming
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Application number
JP30041596A
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English (en)
Inventor
Yozo Kosaka
陽三 小坂
Kounosuke Tanaka
浩之介 田中
Toshihiko Takeda
利彦 武田
Satoshi Moriwaki
聡 森脇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP30041596A priority Critical patent/JPH10144210A/ja
Publication of JPH10144210A publication Critical patent/JPH10144210A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks

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  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 PDPやFED、蛍光表示ディスプレイ、液
晶表示装置等のディスプレイ、あるいは多層プリント配
線板等において、ガラス基板上に下地層と電極層とを同
時に形成でき、これにより、PDP作製時間を短縮で
き、しかも歩留りを向上させることを可能とする電極形
成方法の提供にある。 【解決手段】 本発明の電極形成方法は、少なくともガ
ラスフリットからなる無機成分及び熱可塑性樹脂からな
る下地形成層14を設けたガラス基板11における下地
形成層14上に、少なくともガラスフリットからなる無
機成分、導電性粉末、感光性樹脂とからなる電極形成層
12を塗布形成する第1工程、電極形成層側から所定の
電極パターンマスクMを介して露光する第2工程、電極
形成層を現像して電極パターン12を形成する第3工
程、全体を焼成して下地形成層と電極形成層を同時に焼
結する第4工程からなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル(以下、PDP)やフィールドエミッション
ディスプレイ(FED)、蛍光表示ディスプレイ、液晶
表示装置等のディスプレイ、あるいは多層プリント配線
板等における下地層、電極層を同時に形成することを可
能とする電極形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】PDPやFED、蛍光表示ディスプレ
イ、液晶表示装置等のディスプレイ、あるいは多層プリ
ント配線板等にあっては、ガラス基板上に電極が設けら
れているが、ガラス基板上に直接電極を形成すると、ガ
ラス中に含まれるアルカリ分により電極材料が溶出し導
通する等の機能低下が生じることから、一般に、電極
は、ガラス基板上に誘電体である下地層を介して積層さ
れている。
【0003】その構成を図4に示すAC型PDPの一構
成例によりPDPの構造を説明する。図3は、前面板と
背面板を離した状態で示したもので、2枚のガラス基板
1、2が互いに平行に且つ対向して配設されており、両
者は背面板となるガラス基板2上に互いに平行に設けら
れたセル障壁3により一定の間隔に保持されている。前
面板となるガラス基板1の背面側には、放電維持電極で
ある透明電極4とバス電極である金属電極5とで構成さ
れる複合電極が互いに平行に形成され、これを覆って誘
電体層6が形成されており、さらにその上に保護層(M
gO層)が形成されている。また、背面板となるガラス
基板2の前面側には介して前記複合電極と直交するよう
にセル障壁3の間に位置してアドレス電極8が互いに平
行に形成されており、さらにセル障壁3の壁面とセル底
面を覆うようにして蛍光面9が設けられている。
【0004】そして、この構造において、図5に示すよ
うに下地層10は背面板となるガラス基板2に形成され
た後、アドレス電極8を設け、更にその上に誘電体層
6′を積層した後、セル障壁3、蛍光体面9を設けた構
造としている。このAC型PDPは面放電型であって、
前面板上の複合電極間に交流電圧を印加し、空間に漏れ
た電界で放電させる構造である。この場合、交流をかけ
ているために電界の向きは周波数に対応して変化する。
そして、この放電により生じる紫外線により蛍光体9を
発光させ、前面板を透過する光を観察者が視認できるも
のである。なお、DC型PDPにあっては、電極は誘電
体層で被覆されていない構造を有する点で相違するが、
その放電現象は同一である。
【0005】図5に示す構造にあっては、ガラス基板上
に下地形成層、電極形成層を順次積層した構造を有する
が、その作製にあたって、ガラス基板上に下地形成層を
スクリーン印刷等により塗布形成した後、焼成して下地
層とした後、電極形成層を下地層上に同様に塗布形成
し、フォトリソグラフィー法等によりパターニングし、
再度、焼成して電極を形成する方法が採用されている
が、その作製にあたっては多大な時間を要するのが現状
である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、PD
PやFED、蛍光表示ディスプレイ、液晶表示装置等の
ディスプレイ、あるいは多層プリント配線板等におい
て、ガラス基板上に下地層と電極層とを同時に形成で
き、これにより、PDP作製時間を短縮でき、しかも歩
留りを向上させることを可能とする電極形成方法の提供
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の電極形成
方法は、少なくともガラスフリットからなる無機成分及
び熱可塑性樹脂からなる下地形成層を設けたガラス基板
における下地形成層上に、少なくともガラスフリットか
らなる無機成分、導電性粉末、感光性樹脂とからなる電
極形成層を塗布形成する第1工程、電極形成層側から所
定の電極パターンマスクを介して露光する第2工程、電
極形成層を現像して電極パターンを形成する第3工程、
全体を焼成して下地形成層と電極形成層を同時に焼結す
る第4工程からなることを特徴とする。
【0008】また、上記電極形成層が、更に、増粘剤を
含有するものであることを特徴とする。
【0009】本発明の第2の電極形成方法は、ベースフ
イルム上に、少なくともガラスフリットからなる無機成
分、導電性粉末、感光性樹脂とからなる電極形成層を有
する電極形成層形成用転写シートをその電極形成層側か
ら、少なくともガラスフリットからなる無機成分及び熱
可塑性樹脂からなる下地形成層を設けたガラス基板にお
ける下地形成層上にラミネートする第1工程、ベースフ
イルム側から所定の電極パターンマスクを介して露光す
る第2工程、ベースフイルムを剥離した後、電極形成層
を現像して電極パターンを形成する第3工程、全体を焼
成して下地形成層と電極形成層を同時に焼結する第4工
程からなることを特徴とする。
【0010】本発明の第3の電極形成方法は、ベースフ
イルム上に、少なくともガラスフリットからなる無機成
分、導電性粉末、感光性樹脂とからなる電極形成層を有
する電極形成層形成用転写シートをその電極形成層側か
ら、少なくともガラスフリットからなる無機成分及び熱
可塑性樹脂からなる下地形成層を設けたガラス基板にお
ける下地形成層上にラミネートし、次いで前記ベースフ
イルムを剥離する第1工程、電極形成層側から所定の電
極パターンマスクを介して露光する第2工程、電極形成
層を現像して電極パターンを形成する第3工程、全体を
焼成して下地形成層と電極形成層を同時に焼結する第4
工程からなることを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】図1(a)〜(d)は、本発明の
第1の電極形成方法を連続した工程図で示すものであ
り、図中、Sは下地形成層形成用転写シート、11はベ
ースフイルム、、12は電極形成層、13はガラス基
板、14は下地形成層、Mは電極パターンマスクであ
る。まず、図1(a)に示す下地形成層形成用転写シー
トについて説明する。
【0012】ベースフイルム11は、下地形成層形成用
塗液における溶剤に侵されず、また、溶剤の乾燥工程、
転写工程での加熱処理により収縮延伸しないことが必要
でありポリエチレンテレフタレート、1,4−ポリシク
ロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリスチ
レン、ポリプロピレン、ポリサルホン、アラミド、ポリ
カーボネート、ポリビニルアルコール、セロハン、酢酸
セルロース等のセルロース誘導体、ポリエチレン、ポリ
塩化ビニル、ナイロン、ポリイミド、アイオノマー等の
各フイルム、シート、更にアルミニウム、銅等の金属箔
が例示され、膜厚4μm〜400μm、好ましくは4.
5μm〜200μmのものである。
【0013】次に、下地形成層14は、少なくともガラ
スフリットを有する無機成分と熱可塑性樹脂とからな
る。
【0014】ガラスフリットとしては、その軟化点が3
50℃〜650℃で、熱膨張係数α300 が60×10-7
/℃〜100×10-7/℃のものが挙げられる。ガラス
フリットの軟化点が650℃を越えると焼成温度を高く
する必要があり、その積層対象によっては熱変形したり
するので好ましくなく、また、350℃より低いと熱可
塑性樹脂等が分解、揮発する前にガラスフリットが融着
し、層中に空隙等の発生が生じるので好ましくない。ま
た、熱膨張係数が60×10-7/℃〜100×10-7
℃の範囲外であると、PDPの場合、ガラス基板の熱膨
張係数との差が大きく、歪み等を生じるので好ましくな
い。
【0015】また、無機成分として、ガラスフリットの
他に無機粉体、無機顔料をそれぞれ2種以上を混合して
使用してもよい。
【0016】無機粉体としては、骨材であって、必要に
応じて添加される。無機粉体は、焼成に際しての流延防
止、緻密性向上を目的とするものであり、ガラスフリッ
トより軟化点が高いものであり、例えば酸化アルミニウ
ム、酸化硼素、シリカ、酸化チタン、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウ
ム、炭酸カルシウム等の各無機粉体が利用でき、平均粒
径0.1μm〜20μmのものが例示される。無機粉体
の使用割合は、ガラスフリット100重量部に対して無
機粉体0重量部〜30重量部とするとよい。
【0017】また、無機顔料としては、例えばPDPの
外光反射を低減し、実用上のコントラストを向上させる
ために必要に応じて添加されるものであり、暗色にする
場合には、耐火性の黒色顔料として、Co−Cr−F
e、Co−Mn−Fe、Co−Fe−Mn−Al、Co
−Ni−Cr−Fe、Co−Ni−Mn−Cr−Fe、
Co−Ni−Al−Cr−Fe、Co−Mn−Al−C
r−Fe−Si等が挙げられる。また、耐火性の白色顔
料としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、シリカ、
炭酸カルシウム等が挙げられる。
【0018】次に、熱可塑性樹脂は、無機成分のバイン
ダーとして、また、転写性の向上を目的として含有させ
るものであり、例えばメチルアクリレート、メチルメタ
クリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレー
ト、n−プロピルアクリレート、n−プロピルメタクリ
レート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタ
クリレート、sec−ブチルアクリレート、sec−ブ
チルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブ
チルメタクリレート、tert−ブチルアクリレート、
tert−ブチルメタクリレート、n−ペンチルアクリ
レート、n−ペンチルメタクリレート、n−ヘキシルア
クリレート、n−ヘキシルメタクリレート、2−エチル
ヘキシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレ
ート、n−オクチルアクリレート、n−オクチルメタク
リレート、n−デシルアクリレート、n−デシルメタク
リレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシ
エチルメタクリレート、ヒドロキプロピルアクリレー
ト、ヒドロキプロピルメタクリレート、スチレン、α−
メチルスチレン、N−ビニル−2−ピロリドン等の1種
以上からなるポリマーまたはコポリマー、エチルセルロ
ース等のセルロース誘導体等が挙げられる。
【0019】特に、メチルアクリレート、メチルメタク
リレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレー
ト、n−プロピルアクリレート、n−プロピルメタクリ
レート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタ
クリレート、sec−ブチルアクリレート、sec−ブ
チルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブ
チルメタクリレート、tert−ブチルアクリレート、
tert−ブチルメタクリレート、ヒドロキシエチルア
クリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロ
キプロピルアクリレート、ヒドロキプロピルメタクリレ
ート等の1種以上からなるポリマーまたはコポリマー、
エチルセルロースが好ましい。
【0020】無機成分と熱可塑性樹脂との使用割合は、
無機成分100重量部に対して熱可塑性樹脂3重量部〜
50重量部、好ましくは5重量部〜30重量部の割合か
らなる。インキ層において、熱可塑性樹脂が3重量部よ
り少ないと、インキ層の保持性が低く、特に、巻き取っ
た状態での保存性、取り扱い性に問題を生じ、また、転
写シートを適宜形状に切断(スリット)する場合に、無
機成分がゴミとなって、PDP作製に支障となるという
問題が発生する。また、50重量部より多くなると、焼
成後の膜中にカーボンが残り、品質が低下するので好ま
しくない。
【0021】また、インキ層には、必要に応じて重合性
モノマー及び光開始剤等が添加される。
【0022】重合性モノマーとしては、少なくとも1つ
の重合可能な炭素−炭素不飽和結合を有する化合物が挙
げられる。例えばアリルアクリレート、ベンジルアクリ
レート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシエチレ
ングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレー
ト、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテ
ニルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、
グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレート、
2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプ
ロピルアクリレート、イソボニルアクリレート、イソデ
キシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウ
リルアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、
メトキシエチレングリコールアクリレート、フェノキシ
エチルアクリレート、ステアリルアクリレート、エチレ
ングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジ
アクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレー
ト、1,5−ペンタンジオールジアクリレート、1,6
−ヘキサンジオールジアクリレート、1,3−プロパン
ジオールジアクリレート、1,4−シクロヘキサンジオ
ールジアクリレート、2,2−ジメチロールプロパンジ
アクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプロ
ピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリア
クリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、ポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリア
クリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、
ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリエチレ
ングリコールジアクリレート、ポリオキシプロピルトリ
メチロールプロパントリアクリレート、ブチレングリコ
ールジアクリレート、1,2,4−ブタントリオールト
リアクリレート、2,2,4−トリメチル−1,3−ペ
ンタンジオールジアクリレート、ジアリルフマレート、
1,10−デカンジオールジメチルアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート、及び上記のア
クリレート体をメタクリレート体に変えたもの、γ−メ
タクリロキシプロピルトリメトキシシラン、1−ビニル
−2−ピロリドン等の1種または2種以上の混合物が挙
げられる。
【0023】重合性モノマーは、熱可塑性樹脂100重
量部に対して0.5重量部〜50重量部含有させるとよ
い。
【0024】また、光開始剤としては、ベンゾフェノ
ン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,4−ビス(ジ
メチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジエチ
ルアミノ)ベンゾフェノン、α−アミノアセトフェノ
ン、4,4−ジクロロベンゾフェノン、4−ベンゾイル
−4−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フ
ルオレノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2,
2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒ
ドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、p−tert
−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、2
−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、
2−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサン
トン、ベンジルジメチルケタール、ベンジルメトキシエ
チルアセタール、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ンブチルエーテル、アントラキノン、2−tert−ブ
チルアントラキノン、2−アミルアントラキノン、β−
クロロアントラキノン、アントロン、ベンズアントロ
ン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、4−アジ
ドベンジルアセトフェノン、2,6−ビス(p−アジド
ベンジリデン)シクロヘキサン、2,6−ビス(p−ア
ジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、2
−フェニル−1,2−ブタジオン−2−(o−メトキシ
カルボニル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオン
−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1,3−
ジフェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカ
ルボニル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−プ
ロパントリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、ミ
ヒラーケトン、2−メチル−〔4−(メチルチオ)フェ
ニル〕−2−モルフォリノ−1−プロパン、ナフタレン
スルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライ
ド、n−フェニルチオアクリドン、4,4−アゾビスイ
ソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンゾチ
アゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カン
ファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスル
ホン、過酸化ベンゾイル、エオシン、メチレンブルー等
の光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールア
ミン等の還元剤の組合せ等が挙げられ、また、これらの
光開始剤の1種または2種以上を組み合わせて使用して
もよい。また、インキ層には、必要に応じて可塑剤、分
散剤、沈降防止剤、消泡剤、剥離剤、レベリング剤が添
加される。
【0025】可塑剤は、転写性、インキの流動性を向上
させることを目的として添加され、例えばジメチルフタ
レート、ジブチルフタレート、ジ−n−オクチルフタレ
ート等のノルマルアルキルフタレート類、ジ−2−エチ
ルヘキシルフタレート、ジイソデシルフタレート、ブチ
ルベンジルフタレート、ジイソノニルフタレート、エチ
ルフタルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグ
リコレート等のフタル酸エステル類、トリ−2−エチル
ヘキシルトリメリテート、トリ−n−アルキルトリメリ
テート、トリイソノニルトリメリテート、トリイソデシ
ルトリメリテート等のトリメリット酸エステル、ジメチ
ルアジペート、ジブチルアジペート、ジー2−エチルヘ
キシルアジペート、ジイソデシルアジペート、ジブチル
ジグリコールアジペート、ジー2−エチルヘキシルアゼ
テート、ジメチルセバケート、ジブチルセバケート、ジ
ー2−エチルヘキシルセバケート、ジー2−エチルヘキ
シルマレート、アセチル−トリ−(2−エチルヘキシ
ル)シトレート、アセチル−トリ−n−ブチルシトレー
ト、アセチルトリブチルシトレート等の脂肪族二塩基酸
エステル類、ポリエチレングリコールベンゾエート、ト
リエチレングリコール−ジ−(2−エチルヘキソエー
ト)、ポリグリコールエーテル等のグリコール誘導体、
グリセロールトリアセテート、グリセロールジアセチル
モノラウレート等のグリセリン誘導体、セバシン酸、ア
ジピン酸、アゼライン酸、フタル酸などからなるポリエ
ステル系、分子量300〜3,000の低分子量ポリエ
ーテル、同低分子量ポリ−α−スチレン、同低分子量ポ
リスチレン、トリメチルホスフェート、トリエチルホス
フェート、トリブチルホスフェート、トリ−2−エチル
ヘキシルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェー
ト、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェ
ート、トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニ
ルホスフェート、キシレニルジフェニルホスフェート、
2−エチルヘキシルジフェニルホスフェート等の正リン
酸エステル類、メチルアセチルリシノレート等のリシノ
ール酸エステル類、ポリ−1,3−ブタンジオールアジ
ペート、エポキシ化大豆油等のポリエステル・エポキシ
化エステル類、グリセリントリアセテート、2−エチル
ヘキシルアセテート等の酢酸エステル類が例示される。
【0026】分散剤、沈降防止剤としては、無機成分の
分散性、沈降防止性の向上を目的とするものであり、例
えば燐酸エステル系、シリコーン系、ひまし油エステル
系、各種界面滑性剤等が例示され、消泡剤としては、例
えばシリコーン系、アクリル系、各種界面滑性剤等が例
示され、剥離剤としては、例えばシリコーン系、フッ素
油系、パラフィン系、脂肪酸系、脂肪酸エステル系、ひ
まし油系、ワックス系、コンパウンドタイプが例示さ
れ、レベリング剤としては、例えばフッ素系、シリコー
ン系、各種界面滑性剤等が例示され、それぞれ、適宜量
添加される。
【0027】上記の下地層形成用材料は、メタノール、
エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチ
ルケトン、トルエン、キシレン、シクロヘキサノン等の
アノン類、塩化メチレン、3−メトキシブチルアセテー
ト、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチ
レングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチ
レングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレング
リコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレ
ングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリ
コールモノアルキルエーテルアセテート類、ジプロピレ
ングリコールモノアルキルエーテル類、ジプロピレング
リコールモノアルキルエーテルアセテート類、α−若し
くはβ−テルピオネール等のテルペン類に溶解、または
分散させ、ベースフイルム上にダイコート、ブレードコ
ート、コンマコート、ロールコート、グラビアリバース
コート法、グラビアダイレクト法、スリットリバース法
等により塗布し、乾燥させ、所定の膜厚とされる。
【0028】なお、下地形成層形成用転写シートにおい
ては、下地形成層を剥離層を介してベースフイルム上に
積層してもよい。これにより転写性に優れるものとでき
る。剥離層としては、ポリエチレンワックス、アミドワ
ックス、テフロンパウダー、シリコーンワックス、カル
ナバワックス、アクリルワックス、パラフィンワックス
等のワックス類、フッ素系樹脂、メラミン系樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、電離放射線硬化型の多官能アクリレー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、アミノ変
性、エポキシ変性、OH変性、COOH変性、触媒硬化
型、光硬化型、熱硬化型のシリコーンオイル、またはシ
リコーン樹脂が例示される。
【0029】また、下地形成層上には、転写性を向上を
目的として接着層を必要に応じて設けてもよい。接着層
は加熱により軟化し、下地層と電極形成層とを接着させ
るもので、焼成工程で低温燃焼し、炭化物を残存させな
いものが好ましく、例えば可塑剤を含有するセルロース
系樹脂、アクリル樹脂等が例示され、膜厚0.1μm〜
5μmとされる。
【0030】このようにして作製した下地形成層形成用
転写シートSは、ガラス基板に熱ロールを使用して加熱
圧着され、図1(b)に示すように、ベースフイルム1
1が剥離される。
【0031】以上は、下地形成層形成用転写シートSを
用いて下地層を形成する場合を例として説明したが、下
地形成層形成用塗液を用いて、スクリーン印刷、ダイコ
ート、ブレードコート、ディスペンスコート、ロールコ
ート等によりガラス基板上に塗布形成してもよい。
【0032】次いで、図1(c)に示すように下地形成
層14上に電極形成層12が塗布形成される。
【0033】電極形成層12は、少なくともガラスフリ
ットからなる無機成分、感光性樹脂、導電性粉末、必要
に応じて増粘剤とから構成される。無機成分としては、
上述した下地形成層における無機成分で記載したガラス
フリット、無機粉体、無機顔料が使用できるが、ガラス
フリットとしてはその平均粒径が0.3μm〜5μmの
ものを使用するとよく、また、無機粉体はガラスフリッ
ト100重量部に対して0重量部〜20重量部のものと
するとよい。
【0034】感光性樹脂は、アルカリ現像型バインダー
ポリマーと重合性モノマーとからなり、必要に応じて光
開始剤、増感剤、重合停止剤、連鎖移動剤からなる。ア
ルカリ現像型バインダーポリマーとしては、アクリル
酸、メタクリル酸、アクリル酸の二量体(東亜合成
(株)製M−5600)、イタコン酸、クロトン酸、マ
レイン酸、フマル酸、酢酸ビニルの酸無水物の1種以上
と、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチ
ルアクリレート、エチルメタクリレート、n−プロピル
アクリレート、n−プロピルメタクリレート、イソプロ
ピルアクリレート、イソプロピルメタクリレート、se
c−ブチルアクリレート、sec−ブチルメタクリレー
ト、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレー
ト、tert−ブチルアクリレート、tert−ブチル
メタクリレート、n−ペンチルアクリレート、n−ペン
チルメタクリレート、n−ヘキシルアクリレート、n−
ヘキシルメタクリレート、2−エチルヘキシルアクリレ
ート、2−エチルヘキシルメタクリレート、n−オクチ
ルアクリレート、n−オクチルメタクリレート、n−デ
シルアクリレート、n−デシルメタクリレート、スチレ
ン、α−メチルスチレン、N−ビニルピロリドンの1種
以上からなるコポリマー、また、これらコポリマーを2
種以上混合したものでもよく、また、これらのコポリマ
ーにグリシジル基または水酸基を有するエチレン性不飽
和化合物を付加させたポリマーであって、酸価が50〜
150mgKOH/gで重量平均分子量が3,000〜
100,000、好ましくは、5,000〜50,00
0のものが挙げられる。
【0035】また、これらのコポリマーに非アルカリ現
像型のポリマーを1種または2種以上混合してもよく、
非アルカリ現像型のポリマーとしては、ポリビニルアル
コール、ポリビニルブチラール、アクリル酸エステル重
合体、メタクリル酸エステル重合体、ポリスチレン、α
−メチルスチレン重合体、1−ビニル−2−ピロリドン
重合体、またはこれらの共重合体等が挙げられる。
【0036】重合性モノマーとしては、上述した下地形
成層の項で記載した重合性モノマーを同様に使用するこ
とができるが、重合性モノマーの使用量は、アルカリ現
像型バインダーポリマー100重量部に対して20重量
部〜200重量部含有させるとよい。
【0037】また、光開始剤としては、上述した下地形
成層の項で記載した光開始剤を同様に使用することがで
きる。
【0038】その他、増感剤、重合停止剤、連鎖移動剤
を添加してもよい。感光性樹脂をネガ型とした場合無機
成分と導電性粉末の合計量100重量部に対して5重量
部〜60重量部、好ましくは10重量部〜40重量部の
割合で含有させるとよい。
【0039】次に、導電性粉末としては、金、銀、銅、
ニッケル、アルミニウム等の金属粉末が挙げられ、平均
粒径が0.1μm〜5μmの球形金属粉体が好ましい。
導電性粉末とガラスフリットとの使用割合は、導電性粉
末100重量部に対して、ガラスフリットは2重量部〜
20重量部である。
【0040】また、増粘剤は、電極形成層形成用塗布液
において、その粘度を増大させて、下地形成層へのしみ
込みを押さえることを目的として必要に応じて添加され
るものであり、公知のものを使用できるが、例えばヒド
ロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロー
ス、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、
アルギン酸ソーダ、カゼイン、カゼイン酸ソーダ、キサ
ンタンガム、ポリビニルアルコール、ポリエーテルウレ
タン変性物、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル
酸エステル、モンモタロナイト、ステアリン酸アルミニ
ウム、ステアリン酸亜鉛、オクチル酸アルミニウム、水
添加ひまし油、ひまし油エステル、脂肪酸アマイド、酸
化ポリエチレン、デキストリン脂肪酸エステル、ジベン
ジリデンソルビトール、植物油系重合油、表面処理炭酸
カルシウム、有機ベントナイト、シリカ、チタニア、ジ
ルコニア、アルミナ等の微粉末等が挙げられる。
【0041】増粘剤の添加量は、導電性粉末100重量
部に対して0.1重量部〜20重量部、好ましくは0.
1重量部〜10重量部であり、0.1重量部未満である
と増粘効果がなく、20重量部より多いと電極としての
特性に断線等の悪影響を引き起こす。
【0042】また、電極形成層形成用塗布液には、その
塗布性等を改善するために、可塑剤、分散剤、沈降防止
剤、消泡剤、剥離剤、レベリング剤を添加してもよく、
いずれも、上述した下地形成層に記載したものが使用で
き、上述した下地形成層に記載した溶剤と混合されて塗
布液とされ、同様の方法で、下地形成層14上に塗布
し、乾燥させ、所定の膜厚の電極形成層12とされる。
【0043】第2工程を、図1(d)により説明する。
図1(d)に示すように、第2工程は、所定の電極パタ
ーンマスクMを介して電極形成層を露光する。光源とし
ては電子線、紫外線、X線等の電離放射線が用いられ
る。これにより、電極形成層12には、未露光部12a
と露光部12bが形成される。なお、電極形成層上に保
護フィルムを剥離可能に貼着して、露光してもよいが、
保護フイルムは、後述する現像工程において剥離されて
現像に付される。
【0044】次に、第3工程は、図1(e)示すよう
に、電極形成層を現像して未露光部12aを除去し、電
極形成用パターンを下地形成層14上に形成する。最後
に、第4工程として、基板全体を350℃〜650℃で
焼成することにより、下地層と電極層とを同時にPDP
パネル上に形成することができる。
【0045】本発明の第1の電極形成方法は、下地形成
層の形成に転写シートを利用して形成され、また、その
下地形成層は電極形成層と同時に焼成されるものである
ので、電極の作製にあたって、作業時間を短縮できると
共に、表面平滑性に優れ且つ膜厚が均一で分布精度のよ
い電極形成層を歩留りよく形成することができるもので
ある。
【0046】次に、本発明の第2の電極形成方法につい
て説明する。
【0047】図2(a)〜(e)は、本発明の第2の電
極形成方法を連続した工程図で示すものであり、図中、
S′は電極形成層形成用転写シート、11はベースフイ
ルム、12は電極形成層、13はガラス基板、14は下
地形成層、Mは電極パターンマスクである。電極形成層
形成用転写シートS′における、ベースフイルム11
は、上記の第1の電極形成方法で説明したものが使用さ
れ、また、電極形成層12は、上記の第1の電極形成方
法で説明した電極形成層形成用塗液を、同様の方法で、
ベースフイルム11上に塗布し、乾燥させ、所定の膜厚
の電極形成層12とされるものである。なお、上述した
第1の電極形成方法においては、電極形成層形成用塗液
中に増粘剤を添加したが、電極形成層形成用転写シート
とする場合には、電極形成層形成用塗液が下地形成層へ
しみ込むことがないので、電極形成層形成用塗液への増
粘剤の添加は不要である。
【0048】また、図示しないが、電極形成層形成用転
写シートにおいても、上述した第1の電極形成方法で説
明したように、電極形成層を剥離層を介してベースフイ
ルム上に積層したものとすると、より転写性に優れるも
のとでき、また、電極形成層上には、転写性を向上を目
的として接着層を必要に応じて設けてもよい。
【0049】本発明の第2の電極形成方法における第1
工程を、図1(b)〜(c)により説明する。図1
(b)は、ガラス基板13上に下地形成層14を積層し
たものであり、上述の第1の電極形成方法に説明した下
地形成層形成用転写シートを使用して、ガラス基板13
上に積層したものでもよいし、また、同じく上述の第1
の電極形成方法に説明した下地形成層形成用塗液をガラ
ス基板上にダイコート、ブレードコート、ロールコー
ト、スクリーン印刷等により塗布し、乾燥させ、所定の
膜厚としてもよい。そして、図1(c)に示すように、
電極形成用転写シートをガラス基板上の下地層と重ね合
わせ、熱ロールを使用して加熱圧着させる。
【0050】第2工程は、図2(d)に示すように、ベ
ースフイルム11の上から所定の電極パターンマスクM
を介して電極形成層12を露光する。光源としては電子
線、紫外線、X線等の電離放射線が用いられる。これに
より、電極形成層12には、未露光部12aと露光部1
2bが形成される。ベースフイルム11を剥離せずにそ
のままマスクMを密着させて露光することにより、酸素
の遮断効果により露光時間の短縮でき、感度を向上させ
ることができる。
【0051】第3工程は、図2(e)示すように、ベー
スフイルム11を剥離した後、電極形成層を現像して未
露光部12aを除去し、電極形成用パターンを下地形成
層上に形成する。最後に、第4工程として、基板全体を
350℃〜650℃で焼成することにより、下地層と電
極層とを同時にPDPパネル上に形成することができ
る。
【0052】次に、本発明の第3の電極形成方法につい
て図3(a)〜(e)により説明す。上述した第2の電
極形成方法では、図2(d)で説明した露光工程におい
て、ベースフイルム11を積層した状態で露光したが、
第3の電極形成方法においては、図3(d)で示すよう
に、ベースフイルム11を剥離した状態で露光する点で
相違する以外は、上述した第2の電極形成方法と同じで
ある。
【0053】本発明の第2及び第3の電極形成方法は、
電極形成層を転写シートを利用し、ガラス基板上の下地
層上に積層するものであるが、電極形成層においてはそ
の形成用溶剤は乾燥除去されているので、電極形成材料
の下地層へのしみ込みが無いものとでき、また転写シー
トを利用するので、作業時間を短縮でき、更に、表面平
滑性に優れ、かつ膜厚が均一で分布精度のよい電極形成
層を歩留りよく形成することができる。
【0054】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。
【0055】
【実施例】(実施例1) (下地形成層形成用転写シート) 組成 ・ガラスフリット{主成分;PbO、SiO2 、B2 3 (無アルカリ)} (ガラスフリットの軟化点570℃、Tg480℃、熱膨張係数α300 =83 ×10-7/℃、平均粒径1μm) ・・・・ 65重量部 ・Al2 3 ・・・・ 11重量部 ・CuO ・・・・ 4重量部 ・n−ブチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体( 8/2) ・・・・ 15重量部 ・ジブチルフタレート ・・・・ 5重量部 ・イソプロピルアルコール ・・・・ 15重量部 ・メチルエチルケトン ・・・・ 10重量部 をビーズミルを使用して混合分散処理した後、ポリエチ
レンテレフタレートフイルム上にロールコート塗布し、
100℃で乾燥し、膜厚18±2μmのインキ層を形成
した後、ポリエチレンフイルムをラミネートして下地形
成層形成用転写シートを作製した。
【0056】次いで、ポリエチレンフイルムを剥離し、
オートカットラミネーター(旭化成(株)製、型式AC
L−9100)を使用し、基板プレヒート温度60℃、
ラミロール温度100℃の転写条件で、ガラス基板上に
ラミネートした。
【0057】ポリエチレンテレフタレートフイルムを剥
離し、下地形成層を有するガラス基板を作製した。
【0058】 (電極形成層の形成) 下記組成 ・感光性樹脂(下記組成) ・・・・ 20重量部 ・銀粉(平均粒径1μm) ・・・・ 70重量部 ・ガラスフリット{主成分;Bi2 3 、SiO2 、B2 3 (無アルカリ)平 均粒径1μm、軟化点600℃} ・・・・ 5重量部 ・ジプロピレングリコールモノメチルエーテル ・・・・ 20重量部 .増粘剤(水添加ひまし油) ・・・・ 1重量部 (感光性樹脂内訳 ・アルカリ現像型バインダーポリマー(メチルメタクリレート/メタク リル酸共重合体、酸価100mgKOH/g)・・ 100重量部 ・ポリオキシエチル化トリメチロープロパントリアクリレート ・・・ 60重量部 ・光開始剤(チバガイギー社製「イルガキュア907」) ・・・ 10重量部) の電極形成層形成用塗布液を、上記で作製した下地形成
層を有するガラス基板上にスクリーン印刷により塗布
し、乾燥膜厚15μmの電極形成層を下地形成層上に形
成した。
【0059】次いで、PDPのアドレス電極のネガパタ
ーンマスクを介して、紫外線を700mJ/cm2 照射
した後、0.5%炭酸ナトリウム水溶液現像液を使用
し、未露光部を剥離し、現像した。
【0060】現像後、基板全体を600℃で焼成し、膜
厚9μmの下地層と膜厚6μm、幅70μmのPDP用
アドレス電極パターンを形成できた。
【0061】(実施例2) (電極形成層形成用転写シート) 下記組成 ・感光性樹脂(下記組成) ・・・・ 20重量部 ・銀粉(平均粒径1μm) ・・・・ 70重量部 ・ガラスフリット{主成分;Bi2 3 、SiO2 、B2 3 (無アルカリ)平 均粒径1μm、軟化点600℃} ・・・・ 5重量部 ・プロピレングリコールモノメチルエーテル ・・・・ 20重量部 (感光性樹脂内訳 ・アルカリ現像型バインダーポリマー(メチルメタクリレート/メタク リル酸共重合体にグリシジルアクリレートを7mol%添加したもの 、酸価100mgKOH/g) ・・ 100重量部 ・ポリオキシエチル化トリメチロープロパントリアクリレート ・・・ 60重量部 ・光開始剤(チバガイギー社製「イルガキュア907」) ・・・ 10重量部) の電極形成層形成用塗布液を、ポリエチレンテレフタレ
ートフイルム上にスリットリバースコート法により塗布
し、乾燥膜厚15μmの電極形成層を有する電極形成用
転写シートを作製した。
【0062】実施例1で作製した下地形成層形成用転写
シートに、電極形成用転写シートを電極形成層側から9
0℃の熱ロールを使用してラミネートした。
【0063】次いで、ベースフイルム11上からPDP
のアドレス電極のネガパターンマスクを介して紫外線を
700mJ/cm2 照射した後、ベースフイルムを剥離
し、0.5%炭酸ナトリウム水溶液現像液を使用し未露
光部を剥離し、現像した。
【0064】現像後、基板全体を600℃で焼成し、膜
厚9μmの下地層と膜厚6μm、幅70μmのPDP用
アドレス電極パターンを形成できた。
【0065】(実施例3) 組成 ・ガラスフリット{主成分;PbO、SiO2 、B2 3 (無アルカリ)} (ガラスフリットの軟化点570℃、Tg480℃、熱膨張係数α300 =83 ×10-7/℃、平均粒径1μm) ・・・・ 65重量部 ・Al2 3 ・・・・ 11重量部 ・CuO ・・・・ 4重量部 ・エチルセルロース ・・・・ 3重量部 ・ブチルセロソルブアセテート ・・・・ 10重量部 ・テルピオネール ・・・・ 10重量部 を三本ミルを使用して混合分散処理して下地形成層形成
用塗布液を調製した。この塗布液をガラス基板上にダイ
コーターにより塗布し、140℃にして乾燥させ、膜厚
20μm±2μmの下地形成層を設けた。
【0066】この下地形成層上に、実施例2で作製した
電極形成層形成用転写シートを90℃の熱ロールを使用
してラミネートした後、ポリエチレンテレフタレートフ
イルムを剥離した。
【0067】次いで、PDPのアドレス電極のネガパタ
ーンマスクを介して、紫外線を700mJ/cm2 照射
した後、0.5%炭酸ナトリウム水溶液現像液を使用
し、未露光部を剥離し、現像した。
【0068】現像後、基板全体を600℃で焼成し、膜
厚10μmの下地層と膜厚6μm、幅70μmのPDP
用アドレス電極パターンを形成した。
【0069】(実施例4)実施例3で作製した下地形成
層上に、実施例1で記載した電極形成層形成用塗布液を
スクリーン印刷により塗布し、乾燥膜厚15μmの電極
形成層を形成した後、PDPのアドレス電極のネガパタ
ーンマスクを介して、紫外線を700mJ/cm2 照射
した後、0.5%炭酸ナトリウム水溶液現像液を使用
し、未露光部を剥離し、現像した。
【0070】現像後、基板全体を600℃で焼成し、膜
厚9μmの下地層と膜厚6μm、幅70μmのPDP用
アドレス電極パターンを形成した。
【0071】(実施例5) (下地形成層形成用転写シート) 組成 ・ガラスフリット{主成分;PbO、SiO2 、B2 3 (無アルカリ)} (ガラスフリットの軟化点570℃、Tg480℃、熱膨張係数α300 =83 ×10-7/℃、平均粒径1μm) ・・・・ 65重量部 ・Al2 3 ・・・・ 11重量部 ・CuO ・・・・ 4重量部 ・n−ブチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体( 8/2) ・・・・ 15重量部 ・ポリオキシエチレン化トリメチロールプロパントリアクリレート ・・・・ 5重量部 ・光開始剤(チバガイギー社製「イルガキュア907」)・・ 2重量部 ・ジブチルフタレート ・・・・ 3重量部 ・イソプロピルアルコール ・・・・ 15重量部 ・メチルエチルケトン ・・・・ 10重量部 をビーズミルを使用して混合分散処理した後、ポリエチ
レンテレフタレートフイルム上にロールコート塗布し、
100℃で乾燥し、膜厚18±2μmのインキ層を形成
した後、ポリエチレンフイルムをラミネートして下地形
成層形成用転写シートを作製した以外は、実施例1と同
様にして、下地形成層を有するガラス基板を作製し、実
施例1記載の電極形成層を下地形成層上に形成した。
【0072】次いで、PDPのアドレス電極のネガパタ
ーンマスクを介して、紫外線を700mJ/cm2 照射
した後、0.5%炭酸ナトリウム水溶液現像液を使用
し、未露光部を剥離し、現像した。
【0073】現像後、基板全体を600℃で焼成し、膜
厚9μmの下地層と膜厚6μm、幅70μmのPDP用
アドレス電極パターンを同時に形成できた。
【0074】
【発明の効果】本発明においては、下地層と電極層を同
時焼成することを可能とし、電極の形成時間を短縮する
ことができ、また電極の形成にあたって、転写シートを
利用するので、表面平滑性に優れ、かつ膜厚が均一で分
布精度のよい電極層を歩留りよく形成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の電極形成方法を、連続した工程図に
より説明するための図である。
【図2】 本発明の電極形成方法を、連続した工程図に
より説明するための図である。
【図3】 本発明の電極形成方法を、連続した工程図に
より説明するための図である。
【図4】 AC型PDPパネルを説明するための図であ
る。
【図5】 AC型PDPパネルを説明するための図であ
る。
【符号の説明】
1、2はガラス基板、3はセル障壁、4は透明電極、5
は金属電極、6、6′は誘電体層、7は保護層、8はア
ドレス電極、9は蛍光面、10は下地層、Sは下地層形
成用転写シート、S′は電極形成層形成用転写シート1
1はベースフイルム、12は電極形成層、13はガラス
基板、14は下地形成層、Mは電極パターンマスクであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森脇 聡 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくともガラスフリットからなる無機
    成分及び熱可塑性樹脂からなる下地形成層を設けたガラ
    ス基板における下地形成層上に、少なくともガラスフリ
    ットからなる無機成分、導電性粉末、感光性樹脂とから
    なる電極形成層を塗布形成する第1工程、電極形成層側
    から所定の電極パターンマスクを介して露光する第2工
    程、電極形成層を現像して電極パターンを形成する第3
    工程、全体を焼成して下地形成層と電極形成層を同時に
    焼結する第4工程からなることを特徴とする電極形成方
    法。
  2. 【請求項2】 電極形成層が、更に、増粘剤を含有する
    ものであることを特徴とする請求項1記載の電極形成方
    法。
  3. 【請求項3】 ベースフイルム上に、少なくともガラス
    フリットからなる無機成分、導電性粉末、感光性樹脂と
    からなる電極形成層を有する電極形成層形成用転写シー
    トをその電極形成層側から、少なくともガラスフリット
    からなる無機成分及び熱可塑性樹脂からなる下地形成層
    を設けたガラス基板における下地形成層上にラミネート
    する第1工程、ベースフイルム側から所定の電極パター
    ンマスクを介して露光する第2工程、ベースフイルムを
    剥離した後、電極形成層を現像して電極パターンを形成
    する第3工程、全体を焼成して下地形成層と電極形成層
    を同時に焼結する第4工程からなることを特徴とする電
    極形成方法。
  4. 【請求項4】 ベースフイルム上に、少なくともガラス
    フリットからなる無機成分、導電性粉末、感光性樹脂と
    からなる電極形成層を有する電極形成層形成用転写シー
    トをその電極形成層側から、少なくともガラスフリット
    からなる無機成分及び熱可塑性樹脂からなる下地形成層
    を設けたガラス基板における下地形成層上にラミネート
    し、次いで前記ベースフイルムを剥離する第1工程、電
    極形成層側から所定の電極パターンマスクを介して露光
    する第2工程、電極形成層を現像して電極パターンを形
    成する第3工程、全体を焼成して下地形成層と電極形成
    層を同時に焼結する第4工程からなることを特徴とする
    電極形成方法。
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