JPH10200251A - 回路モジュールの製造方法 - Google Patents

回路モジュールの製造方法

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JPH10200251A
JPH10200251A JP9002331A JP233197A JPH10200251A JP H10200251 A JPH10200251 A JP H10200251A JP 9002331 A JP9002331 A JP 9002331A JP 233197 A JP233197 A JP 233197A JP H10200251 A JPH10200251 A JP H10200251A
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JP
Japan
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substrate
laser beam
electronic component
component
bump
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Withdrawn
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JP9002331A
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English (en)
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Kazutaka Suzuki
一高 鈴木
Koichiro Tsujiku
浩一郎 都竹
Chikashi Nakazawa
睦士 中澤
Noriyoshi Fujii
知徳 藤井
Mitsuo Ueno
光生 上野
Iwao Fujikawa
巌 藤川
Kazuyuki Shibuya
和行 渋谷
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Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザ光線等の照射エネルギーを利用した電
子部品と基板との接続を良好に行える回路モジュールの
製造方法を提供する。 【解決手段】 レーザ光線ＬＢの照射によってバンプ２
が溶融した直後に、該バンプ２にエアＧ１を吹き付けて
その溶融分を強制冷却して固化させているので、従来に
比べて溶融分が固化するまでの時間を大幅に短縮するこ
とができ、バンプ溶融後に電子部品１が自重や外力によ
って動いて位置ズレを生じることを確実に防止して、電
子部品１を高い位置精度で基板１に接続できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光線または
電磁波の照射エネルギーを利用して電子部品と基板との
接続を行う回路モジュールの製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図７はこの種従来の部品接続方法を示す
もので、図中の１はＩＣ，ＬＳＩ等の電子部品、１ａは
電子部品１の下面に設けられた電極、２はバンプ、３は
基板、３ａは基板３の上面に設けられた電極（ラン
ド）、ＬＢはレーザ光線である。
【０００３】バンプ２は、各電極１ａ，３ａよりも融点
の低い金属材料、例えばＳｎ−Ｐｂ系合金（半田）等か
ら成り、部品電極１ａまたは基板電極３ａの一方に予め
形成されている。
【０００４】電子部品１と基板３とを電気的に接続する
には、まず、図示省略の部品吸着具を用いて、電子部品
１を部品電極１ａと基板電極３ａとが一致するように位
置合わせしてから基板３上に載置する。
【０００５】そして、基板３としてレーザ光線透過性の
ものを用いる場合には、上記の部品載置状態で基板３の
下面側から該基板３を通じて基板電極３ａまたはバンプ
２に向けてレーザ光線ＬＢを照射する（図中実線矢印参
照）。また、基板３としてレーザ光線非透過性のものを
用いる場合には、上記の部品載置状態で電子部品１の側
方からバンプ２に向けてレーザ光線ＬＢを照射する（図
中破線矢印参照）。
【０００６】これにより、レーザ光線ＬＢのエネルギー
によってバンプ２の少なくとも表面部分が加熱溶融さ
れ、該溶融分の固化によって電子部品１の電極１ａと基
板３の電極３ａとがバンプ２を介して電気的に接続され
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の部品接続方
法では、レーザ光線ＬＢの照射エネルギーによってバン
プ２を溶融させた後、該溶融分を自然冷却により固化さ
せているため、溶融分が完全に固化するまでの間に電子
部品１が自重や外力によって動くと、該電子部品１が位
置ズレを生じたまま接続されてしまう不具合がある。
【０００８】また、レーザ光線ＬＢの照射エネルギーに
よってバンプ２が溶融するときにはその成分に応じたガ
ス、例えば半田バンプを使用するときには溶融時にフラ
ックス蒸気等の汚染ガスが発生するため、該汚染ガスが
電子部品１及び基板３やその周辺機器、例えばレーザ光
線ＬＢの光学系部品に付着してこれらを汚染する不具合
がある。
【０００９】さらに、バンプ２へのエネルギー付与が空
気等の酸化性雰囲気下で行われているため、エネルギー
付与時にバンプ２及びその溶融分が酸化し、該酸化膜の
影響でヌレ性が低下して接続不良を生じる不具合があ
る。
【００１０】さらにまた、レーザ光線ＬＢの照射エネル
ギーによってバンプ２及び各電極１ａ，３ａの温度が常
温域から高温域まで急激に上昇すると、この急激な温度
変化によってバンプ２及び各電極１ａ，３ａが熱的ダメ
ージを強く受けて、半田ボール発生やショート等の問題
を生じて接続信頼性が低下する不具合がある。
【００１１】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、レーザ光線等の照射エネ
ルギーを利用した部品接続を良好に行える回路モジュー
ルの製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、被接続部にレーザ光線または電
磁波を照射して電子部品と基板との接続を行う回路モジ
ュールの製造方法であって、被接続部にレーザ光線また
は電磁波を照射した直後に、少なくとも被接続部を強制
冷却する、ことをその特徴としている。
【００１３】この請求項１の発明によれば、被接続部に
レーザ光線または電磁波を照射した直後に、少なくとも
被接続部を強制冷却することにより、照射エネルギーに
よって溶融した接合材が固化するまでの時間を短縮し
て、電子部品が自重や外力によって動いて位置ズレを生
じることを防止できる。
【００１４】請求項３の発明は、被接続部にレーザ光線
または電磁波を照射して電子部品と基板との接続を行う
回路モジュールの製造方法であって、被接続部にレーザ
光線または電磁波を照射するときまたはその直後に、エ
ネルギー付与によって被接続部で発生した汚染ガスを強
制排気する、ことをその特徴としている。
【００１５】この請求項３の発明によれば、被接続部に
レーザ光線または電磁波を照射するときまたはその直後
に、エネルギー付与によって被接続部で発生した汚染ガ
スを強制排気することにより、該汚染ガスが電子部品及
び基板等に付着してこれらを汚染することを防止でき
る。
【００１６】請求項４の発明は、被接続部にレーザ光線
または電磁波を照射して電子部品と基板との接続を行う
回路モジュールの製造方法であって、少なくとも被接続
部を不活性ガス雰囲気中におき、同状態で被接続部にレ
ーザ光線または電磁波を照射する、ことをその特徴とし
ている。
【００１７】この請求項４の発明によれば、少なくとも
被接続部を不活性ガス雰囲気中におき、同状態で被接続
部にレーザ光線または電磁波を照射することにより、エ
ネルギー付与時に被接続部が酸化することを防いで、酸
化膜の影響で接続不良を生じることを防止できる。
【００１８】請求項５の発明は、被接続部にレーザ光線
または電磁波を照射して電子部品と基板との接続を行う
回路モジュールの製造方法であって、少なくとも被接続
部を予熱した後、被接続部にレーザ光線または電磁波を
照射する、ことをその特徴としている。
【００１９】この請求項５の発明によれば、少なくとも
被接続部を予熱した後、被接続部にレーザ光線または電
磁波を照射することにより、エネルギー付与時における
被接続部の温度上昇幅を低減して被接続部が受ける熱的
ダメージを軽減できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］図１は本発明の第１実施形態に係るも
ので、図中の１はＩＣ，ＬＳＩ等の電子部品、１ａは電
子部品１の下面に設けられた電極、２はバンプ、３は基
板、３ａは基板３の上面に設けられた電極、４はキャッ
プ、ＬＢはレーザ光線である。
【００２１】部品電極１ａと基板電極３ａは金，銀，ア
ルミニウム，銅，ニッケルまたはその合金等から成る。
バンプ２は、各電極１ａ，３ａよりも融点の低い金属材
料、例えばＳｎ−Ｐｂ系合金（半田）等から成り、部品
電極１ａまたは基板電極３ａの一方に予め形成されてい
る。
【００２２】基板３はレーザ光線ＬＢに対し透過性を有
するサファイヤ，ジルコニア，フッ化カルシウム，チッ
化アルミ，アルミナ，石英等のセラミクスやガラス、ま
たはポリミド，アクリル，ＰＥＴ，ガラスエポキシ等の
樹脂から成る。
【００２３】キャップ４は電子部品１を覆うに充分な大
きさを有しており、通気口４ａを異なる側面に少なくと
も１個宛備えている。また、キャップ４の下面開口の端
縁には、該端縁を基板３に気密に接触させるためのパッ
キン材４ｂが端縁に沿って設けられている。
【００２４】レーザ光線ＬＢは、ＹＡＧレーザやＣＯ2
レーザ 等のレーザ発振器（図示省略）から出射された
赤外領域から紫外領域のもので、基板３の下面側から基
板電極３ａまたはバンプ２に向けて照射される。ちなみ
に図示例のものでは、電子部品１の電極数に応じた複数
のレーザ光線ＬＢを同時に照射できるような光学系が組
まれている。このレーザ光線ＬＢの波長，出力及び照射
時間は、基板３のレーザ光線透過率やバンプ２の材質や
大きさ等によって予め設定される。
【００２５】電子部品１と基板３とを電気的に接続する
には、まず、図示省略の部品吸着具を用いて、電子部品
１を部品電極１ａと基板電極３ａとが一致するように位
置合わせてしてから基板３上に載置する。
【００２６】部品載置後は、部品吸着具を電子部品１か
ら退避し、載置された電子部品１にキャップ４を被せて
そのパッキング材４ｂを基板３に密着させる。
【００２７】そして、基板３の下面側から基板電極３ａ
またはバンプ２に向けてレーザ光線ＬＢを照射する。こ
れにより、基板３を透過したレーザ光線ＬＢのエネルギ
ーによって、バンプ２の少なくとも表面部分が加熱溶融
される。
【００２８】レーザ光線ＬＢの照射によりバンプ２が溶
融した直後は、キャップ４の一方の通気口４ａから内部
空間にエアＧ１を吹き込むか、或いは他方の通気口４ａ
から内部空間のエアＧ１を吸引するかの何れかの方法に
よって、一方の通気口４ａから内部空間を通じて他方の
通気口４ａに抜け出るエアＧ１の流れを形成する。これ
により、バンプ２にエアＧ１が吹き付けられ、該バンプ
２の溶融分が強制冷却されて固化し、電子部品１の電極
１ａと基板３の電極３ａとがバンプ２を介して電気的に
接続される。
【００２９】本実施形態によれば、レーザ光線ＬＢの照
射によってバンプ２が溶融した直後に、該バンプ２にエ
アＧ１を吹き付けてその溶融分を強制冷却して固化させ
ているので、従来に比べて溶融分が固化するまでの時間
を大幅に短縮することができ、バンプ溶融後に電子部品
１が自重や外力によって動いて位置ズレを生じることを
確実に防止して、電子部品１を高い位置精度で基板１に
接続できる。
【００３０】また、バンプ溶融時にフラックス蒸気等の
汚染ガスが発生しても、エアＧ１の流れによって該汚染
ガスを強制排気できるので、汚染ガスが電子部品１及び
基板３やその周辺機器、例えばレーザ光線ＬＢの光学系
部品に付着してこれらを汚染することを確実に防止し
て、製品品質を格段向上できる。
【００３１】尚、上記実施形態では、バンプ２自体を接
合材として用いたものを例示したが、バンプ表面にバン
プよりも融点の低い接合材層、例えば半田層を設けて、
該接合材層のみを加熱溶融して同様の部品接続を行うよ
うにしてもよく、或いは、バンプを排除しその代わりに
部品電極と基板電極の何れか一方に半田等の接合材を設
け、該接合材を用いて部品電極と基板電極とを接続する
ようにしてもよい。
【００３２】また、レーザ光線照射直後に強制冷却と強
制排気を行うようにしたものを例示したが、レーザ光線
を照射するときに上記同様のエア流れ、またはこれより
も弱いエア流れを形成しておけば、バンプ２が必要以上
に溶融することを抑制できると共に、汚染ガスをその発
生と同時に迅速に排気できる。
【００３３】さらに、強制冷却と強制排気を行うために
エアＧ１を用いたものを例示したが、エア以外のガスを
用いても同様の作用，効果が得られることは勿論であ
り、常温よりも温度の低いガスを送り込むようにすれ
ば、冷却効果をさらに向上させることができる。また、
強制的に冷却と排気を行う場合の通気口４ａの位置は図
示例のものに限らず任意に変更できる。
【００３４】［第２実施形態］図２は本発明の第２実施
形態に係るもので、本実施形態が第１実施形態と異なる
ところは、キャップ４の内側に電子部品１の上面を押さ
え付けるための部品支持部４ｃを設けた点にある。この
部品支持部４ｃは基板３の上面と平行な平坦面を下端に
有しており、電子部品１にキャップ４を被せた状態で該
電子部品１の主に上面中央を押さえ付けることができる
と共に、基板３上に載置された電子部品１の傾きをその
下端平坦面で矯正することができる。他の構成及び接続
方法は第１実施形態と同じであるため同一符号を用いそ
の説明を省略する。
【００３５】本実施形態によれば、基板３上に載置され
た電子部品１を、キャップ４の部品支持部４ｃによって
押さえ付けた状態で、レーザ光線照射による部品接続を
行えるので、レーザ光線照射前に電子部品１に位置ズレ
を生じることを防止できると共に、該電子部品１を安定
した姿勢のままで基板３に接続できる。他の作用，効果
は第１実施形態と同様である。
【００３６】尚、本実施形態では、電子部品１の主に上
面中央を部品支持部４ｃによって押さえ付けるものを例
示したが、部品支持部の数を増加したり、または、部品
支持部の少なくとも下部を拡大して該部品支持部の下面
で部品上面全体を押さえ付けるようにしてもよい。
【００３７】また、部品支持部４ｃをキャップ４と一体
に形成したものを例示したが、部品支持部４ｃを別体で
構成してこれをバネ材を介してキャップ４に取り付ける
ようにすれば、部品高さに拘わらずバネ圧を利用して電
子部品１を押さえ付けることができる。勿論、部品支持
部自体を弾性変形可能な材料から形成すれば、バネ材を
用いずとも同様の作用が得られる。
【００３８】［第３実施形態］図３は本発明の第３実施
形態に係るもので、本実施形態が第１実施形態と異なる
ところは、キャップ４の上面中央に部品支持具５用の挿
入口４ｄを設け、通気口４ａそれぞれの高さ位置を一致
させた点にある。部品支持具５は基板３の上面と平行な
平坦面を下端に有しており、挿入口４ｄを通じて載置部
品１の主に上面中央を押さえ付けることができる。他の
構成は第１実施形態と同じであるため同一符号を用いそ
の説明を省略する。
【００３９】電子部品１と基板３とを電気的に接続する
には、まず、図示省略の部品吸着具を用いて、電子部品
１を部品電極１ａと基板電極３ａとが一致するように位
置合わせてしてから基板３上に載置する。
【００４０】部品載置後は、図３（ａ）に示すように、
部品吸着具を電子部品１から退避し、載置された電子部
品１にキャップ４を被せてそのパッキング材４ｂを基板
３に密着させると共に、キャップ４の挿入口４ｄに部品
支持具５を挿入し、基板３上に載置された電子部品１を
該部品支持具５によって押さえ付ける。
【００４１】そして、基板３の下面側から基板電極３ａ
またはバンプ２に向けてレーザ光線ＬＢを照射する。こ
れにより、基板３を透過したレーザ光線ＬＢのエネルギ
ーによって、バンプ２の少なくとも表面部分が加熱溶融
される。
【００４２】レーザ光線ＬＢの照射によりバンプ２が溶
融した直後は、図３（ｂ）に示すように、部品支持具５
をキャップ４の挿入口４ｄから抜き出し、該挿入口４ｄ
から内部空間にエアＧ１を吹き込むか、或いは各通気口
４ａから内部空間のエアＧ１を吸引するかの何れかの方
法によって、挿入口４ｄから内部空間を通じて各通気口
４ａに抜け出るエアＧ１の流れを形成する。これによ
り、バンプ２にエアＧ１が吹き付けられ、該バンプ２の
溶融分が強制冷却されて固化し、電子部品１の電極１ａ
と基板３の電極３ａとがバンプ２を介して電気的に接続
される。
【００４３】本実施形態によれば、基板３上に載置され
た電子部品１を、キャップ４の挿入口４ｄに挿入された
部品支持具５によって押さえ付けた状態で、レーザ光線
照射による部品接続を行っているので、レーザ光線照射
前に電子部品１に位置ズレを生じることを防止できると
共に、該電子部品１を安定した姿勢のままで基板３に接
続できる。他の作用，効果は第１実施形態と同様であ
る。
【００４４】尚、上記実施形態では、挿入口４ｄから内
部空間を通じて各通気口４ａに抜け出るエアＧ１の流れ
を形成したものを例示したが、部品支持具抜き出し後
に、各通気口４ａから内部空間にエアＧ１を吹き込む
か、或いは挿入口４ｄから内部空間のエアＧ１を吸引す
るかの何れかの方法によって、上記とは逆方向のエア流
れを形成するようにしてもよい。
【００４５】また、キャップ４の挿入口４ｄと部品支持
具５との間にエア通路と成る隙間を形成しておけば、部
品支持具５を抜き出すことなく、つまり、部品支持具５
によって電子部品１を押さえ付けた状態のままで上記同
様のエア流れを形成することができる。
【００４６】［第４実施形態］図４は本発明の第４実施
形態に係るもので、本実施形態が第１実施形態と異なる
ところは、Ａｒ，Ｎ2 等の不活性ガスＧ２を用い、不活
性ガス雰囲気中で部品接続を行うようにした点にある。
他の構成は第１実施形態と同じであるため同一符号を用
いその説明を省略する。
【００４７】電子部品１と基板とを電気的に接続するに
は、まず、図示省略の部品吸着具を用いて、電子部品１
を部品電極１ａと基板電極３ａとが一致するように位置
合わせてしてから基板３上に載置する。
【００４８】部品載置後は、図４（ａ）に示すように、
部品吸着具を電子部品１から退避し、載置された電子部
品１にキャップ４を被せてそのパッキング材４ｂを基板
３に密着させると共に、図示省略のガス供給チューブを
介してキャップ４の一方の通気口４ａから内部空間に不
活性ガスＧ１を吹き込んで充満させる。
【００４９】そして、図４（ｂ）に示すように、基板３
の下面側から基板電極３ａまたはバンプ２に向けてレー
ザ光線ＬＢを照射する。これにより、基板３を透過した
レーザ光線ＬＢのエネルギーによって、バンプ２の少な
くとも表面部分が、不活性ガス雰囲気中で加熱溶融され
る。
【００５０】レーザ光線ＬＢの照射によりバンプ２が溶
融した後は、該バンプ２の溶融分が自然冷却されて固化
し、電子部品１の電極１ａと基板３の電極３ａとがバン
プ２を介して電気的に接続される。
【００５１】本実施形態によれば、バンプ２を不活性ガ
ス雰囲気中で加熱溶融できるので、エネルギー付与時に
バンプ２及びその溶融分が酸化することを防ぎ、酸化膜
の影響でヌレ性が低下して接続不良を生じることを確実
に防止して、接続信頼性を格段向上できる。
【００５２】尚、上記実施形態では、バンプ２の溶融分
を自然冷却させるものを例示したが、バンプ溶融直後
に、キャップ４の一方の通気口４ａから内部空間に不活
性ガスＧ２を吹き込めば、該不活性ガスＧ２をバンプ２
に吹き付けて溶融分を強制冷却して固化させることがで
きると共に、バンプ溶融時に発生したフラックス蒸気等
の汚染ガスを不活性ガスＧ２の流れによって強制排気す
ることができる。勿論、上記の強制冷却と強制排気に
は、不活性ガスＧ２の代わりにエアＧ１を用いてもよ
い。
【００５３】また、キャップ４の大きさを極力小さくし
て電子部品１との隙間を狭めておけば、不活性ガスＧ２
の使用量及びコストを低減することができる。
【００５４】［第５実施形態］図５は本発明の第５実施
形態に係るもので、本実施形態が第１実施形態と異なる
ところは、キャップ４内に部品予熱用の電熱ヒータ６を
設けた点にある。他の構成は第１実施形態と同じである
ため同一符号を用いその説明を省略する。
【００５５】電子部品１と基板３とを電気的に接続する
には、まず、図示省略の部品吸着具を用いて、電子部品
１を部品電極１ａと基板電極３ａとが一致するように位
置合わせてしてから基板３上に載置する。
【００５６】部品載置後は、図５（ａ）に示すように、
部品吸着具を電子部品１から退避し、載置された電子部
品１にキャップ４を被せてそのパッキング材４ｂを基板
３に密着させると共に、ヒータ熱を利用して電子部品１
及びバンプ２を加熱し、主にバンプ２を常温よりも高い
温度に予熱する。
【００５７】そして、図５（ｂ）に示すように、基板３
の下面側から基板電極３ａまたはバンプ２に向けてレー
ザ光線ＬＢを照射する。これにより、基板３を透過した
レーザ光線ＬＢのエネルギーによって、バンプ２の少な
くとも表面部分が加熱溶融される。
【００５８】レーザ光線ＬＢの照射によりバンプ２が溶
融した直後は、電熱ヒータ５による加熱を停止し、キャ
ップ４の一方の通気口４ａから内部空間にエアＧ１を吹
き込むか、或いは他方の通気口４ａから内部空間のエア
Ｇ１を吸引するかの何れかの方法によって、一方の通気
口４ａから内部空間を通じて他方の通気口４ａに抜け出
るエアＧ１の流れを形成する。これにより、バンプ２に
エアＧ１が吹き付けられ、該バンプ２の溶融分が強制冷
却されて固化し、電子部品１の電極１ａと基板３の電極
３ａとがバンプ２を介して電気的に接続される。
【００５９】本実施形態によれば、ヒータ熱によってバ
ンプ２を予熱してから該バンプ２にレーザ光線ＬＢのエ
ネルギーを付与しているので、該エネルギー付与時にお
けるバンプ２及び各電極１ａ，２ａの温度上昇幅を低減
してこれらが受ける熱的ダメージを大幅に軽減し、半田
ボール発生やショート等の問題を排除して、接続信頼性
を格段向上できる。他の作用，効果は第１実施形態と同
様である。
【００６０】尚、本実施形態では、ヒータ熱を利用して
電子部品１の主にバンプ２を予熱したものを例示した
が、電子部品１にキャップ４を被せた後に常温よりも温
度の高いエアＧ１や不活性ガスＧ２をキャップ４の一方
の通気口４ａから内部空間に吹き込むようにすれば、こ
れらエアＧ１や不活性ガスＧ２によって電子部品１の主
にバンプ２をレーザ光線照射前に同様に予熱することが
できる。
【００６１】［第６実施形態］図６は本発明の第６実施
形態に係るもので、本実施形態が第１実施形態と異なる
ところは、レーザ光線ＬＢに対し透過性を有するセラミ
クス，ガラス，樹脂等からキャップ４を形成した点と、
該キャップ４を透過したレーザ光線ＬＢをバンプ２に照
射した点にある。他の構成は第１実施形態のものと同じ
であるため同一符号を用いここでの説明を省略する。
【００６２】電子部品１と基板３とを電気的に接続する
には、まず、図示省略の部品吸着具を用いて、電子部品
１を部品電極１ａと基板電極３ａとが一致するように位
置合わせてしてから基板３上に載置する。
【００６３】部品載置後は、部品吸着具を電子部品１か
ら退避し、載置された電子部品１にキャップ４を被せて
そのパッキング材４ｂを基板３に密着させる。
【００６４】そして、キャップ４の外側からバンプ２に
向けてレーザ光線ＬＢを照射する。これにより、キャッ
プ４を透過したレーザ光線ＬＢのエネルギーによって、
バンプ２の少なくとも表面部分が加熱溶融される。
【００６５】レーザ光線ＬＢの照射によりバンプ２が溶
融した直後は、キャップ４の一方の通気口４ａから内部
空間にエアＧ１を吹き込むか、或いは他方の通気口４ａ
から内部空間のエアＧ１を吸引するかの何れかの方法に
よって、一方の通気口４ａから内部空間を通じて他方の
通気口４ａに抜け出るエアＧ１の流れを形成する。これ
により、バンプ２にエアＧ１が吹き付けられ、該バンプ
２の溶融分が強制冷却されて固化し、電子部品１の電極
１ａと基板３の電極３ａとがバンプ２を介して電気的に
接続される。
【００６６】本実施形態によれば、レーザ光線ＬＢに対
して透過性を有するキャップ４を用い、該キャップ４の
外側からバンプ２に向けてレーザ光線ＬＢを照射するよ
うにしているので、基板３がレーザ光線ＬＢに対して透
過性を有しない場合でも、レーザ光線照射による部品接
続を同様に実施できる。他の作用，効果は第１実施形態
と同様である。
【００６７】以上、上述の各実施形態では、１つの電子
部品に１つのキャップを被せるものを例示したが、複数
の電子部品、或いは基板に載置された全ての電子部品に
１つのキャップを被せるようにしても同様の部品接続を
行うことができる。
【００６８】また、電子部品としてＩＣ，ＬＳＩ等を例
示したが、各実施形態で説明した接続方法は、チップコ
ンデンサ，チップインダクタ，チップ抵抗器等のチップ
状電子部品やこれ以外の電子部品にも幅広く適用でき、
同様の作用，効果を得ることができる。
【００６９】さらに、レーザ光線の代わりに電磁波、例
えば赤外線等の熱放射線やマイクロ波等の電波を、部品
電極やバンプ等の被接続部に照射するようにしても該照
射エネルギーによって部品接続を同様に行うことができ
る。
【００７０】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１の発明に
よれば、照射エネルギーによって溶融した接合材が固化
するまでの時間を短縮して、電子部品が自重や外力によ
って動いて位置ズレを生じることを防止することがで
き、これにより、電子部品を高い位置精度で基板に接続
して、レーザ光線等の照射エネルギーを利用した電子部
品と基板との接続を良好に行える。
【００７１】請求項３の発明によれば、エネルギー付与
によって被接続部で発生した汚染ガスが電子部品及び基
板等に付着してこれらを汚染することを防止することが
でき、これにより、製品品質を格段向上して、レーザ光
線等の照射エネルギーを利用した電子部品と基板との接
続を良好に行える。
【００７２】請求項４の発明によれば、照射エネルギー
によって被接続部が酸化することを防いで、酸化膜の影
響で接続不良を生じることを防止することができ、これ
により、接続信頼性を格段向上して、レーザ光線等の照
射エネルギーを利用した電子部品と基板との接続を良好
に行える。
【００７３】請求項５の発明によれば、照射エネルギー
による被接続部の温度上昇幅を低減して被接続部が受け
る熱的ダメージを軽減することができ、これにより、接
続信頼性を格段向上して、レーザ光線等の照射エネルギ
ーを利用した電子部品と基板との接続を良好に行える。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る部品接続方法の説
明図
【図２】本発明の第２実施形態に係る部品接続方法の説
明図
【図３】本発明の第３実施形態に係る部品接続方法の説
明図
【図４】本発明の第４実施形態に係る部品接続方法の説
明図
【図５】本発明の第５実施形態に係る部品接続方法の説
明図
【図６】本発明の第６実施形態に係る部品接続方法の説
明図
【図７】従来の部品接続方法の説明図
【符号の説明】
１…電子部品、１ａ…部品電極、２…バンプ、３…基
板、３ａ…基板電極、４…キャップ、ＬＢ…レーザ光
線、Ｇ１…エア、Ｇ２…不活性ガス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 知徳 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 上野 光生 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 藤川 巌 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 渋谷 和行 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被接続部にレーザ光線または電磁波を照
    射して電子部品と基板との接続を行う回路モジュールの
    製造方法であって、 被接続部にレーザ光線または電磁波を照射した直後に、
    少なくとも被接続部を強制冷却する、 ことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
  2. 【請求項２】 強制冷却が、少なくとも被接続部にガス
    を吹き付けることにより実施される、 ことを特徴とする請求項１記載の回路モジュールの製造
    方法。
  3. 【請求項３】 被接続部にレーザ光線または電磁波を照
    射して電子部品と基板との接続を行う回路モジュールの
    製造方法であって、 被接続部にレーザ光線または電磁波を照射するときまた
    はその直後に、エネルギー付与によって被接続部で発生
    した汚染ガスを強制排気する、 ことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
  4. 【請求項４】 被接続部にレーザ光線または電磁波を照
    射して電子部品と基板との接続を行う回路モジュールの
    製造方法であって、 少なくとも被接続部を不活性ガス雰囲気中におき、同状
    態で被接続部にレーザ光線または電磁波を照射する、 ことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
  5. 【請求項５】 被接続部にレーザ光線または電磁波を照
    射して電子部品と基板との接続を行う回路モジュールの
    製造方法であって、 少なくとも被接続部を予熱した後、被接続部にレーザ光
    線または電磁波を照射する、 ことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
  6. 【請求項６】 被接続部の予熱が、少なくとも被接続部
    に常温よりも温度の高いガスを吹き付けることにより実
    施される、 ことを特徴とする請求項５記載の回路モジュールの製造
    方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005347610A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Ricoh Microelectronics Co Ltd 電子部品実装方法
JP2007059825A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Eco & Engineering Co Ltd ハイブリッド型集光ヒーター及びそれを用いた太陽電池素子の接続方法
JP2007229739A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Jfe Steel Kk 高強度薄鋼板のレーザーブレージング方法
JP2009231415A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Fujikura Ltd リフロー半田付け方法及びその装置
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