JPH10209551A - 半導体レーザ装置、その製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置、その製造方法Info
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- JPH10209551A JPH10209551A JP9005489A JP548997A JPH10209551A JP H10209551 A JPH10209551 A JP H10209551A JP 9005489 A JP9005489 A JP 9005489A JP 548997 A JP548997 A JP 548997A JP H10209551 A JPH10209551 A JP H10209551A
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性が良好な樹脂モールドタイプでありな
がら、キャンタイプと互換性があり、レーザチップの放
熱性が良好な半導体レーザ装置を実現する。 【解決手段】 樹脂モールド３６をキャンタイプと同様
な外形に形成し、リードフレーム３３の裏面に設けた放
熱板３９を、樹脂モールド３６のフランジ部３８の端面
４０，４１に露出させた。レーザチップ２の発熱を放熱
板３９により良好に放熱することができ、それでいて、
放熱板３９が樹脂モールド３６の外形を阻害しない。
がら、キャンタイプと互換性があり、レーザチップの放
熱性が良好な半導体レーザ装置を実現する。 【解決手段】 樹脂モールド３６をキャンタイプと同様
な外形に形成し、リードフレーム３３の裏面に設けた放
熱板３９を、樹脂モールド３６のフランジ部３８の端面
４０，４１に露出させた。レーザチップ２の発熱を放熱
板３９により良好に放熱することができ、それでいて、
放熱板３９が樹脂モールド３６の外形を阻害しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂モールドタイ
プの半導体レーザ装置と、その製造方法とに関する。
プの半導体レーザ装置と、その製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ディスクプレーヤやレーザプリ
ンタなどの光応用機器に半導体レーザ装置が利用されて
いる。半導体レーザ装置は、例えば、レーザチップをフ
レームに装着したもので、キャンタイプや樹脂モールド
タイプがある。
ンタなどの光応用機器に半導体レーザ装置が利用されて
いる。半導体レーザ装置は、例えば、レーザチップをフ
レームに装着したもので、キャンタイプや樹脂モールド
タイプがある。
【０００３】キャンタイプの半導体レーザ装置１は、図
１３に示すように、レーザ光を出射するレーザチップ２
を具備しており、このレーザチップ２が、その光軸と平
行な角柱状の放熱体３の側面に装着されている。この放
熱体３は、円盤状のステム４の上面に立設されており、
この周囲に円筒形のキャップ５が装着されている。この
キャップ５の上面にはガラス窓６が設けられているの
で、前記レーザチップ２は、前記キャップ５の内部から
前記ガラス窓６に対向している。なお、前記ステム４の
外径は前記キャップ５より大きいので、このキャップ５
より外側に突出した前記ステム４の外周部がフランジ部
７となっている。
１３に示すように、レーザ光を出射するレーザチップ２
を具備しており、このレーザチップ２が、その光軸と平
行な角柱状の放熱体３の側面に装着されている。この放
熱体３は、円盤状のステム４の上面に立設されており、
この周囲に円筒形のキャップ５が装着されている。この
キャップ５の上面にはガラス窓６が設けられているの
で、前記レーザチップ２は、前記キャップ５の内部から
前記ガラス窓６に対向している。なお、前記ステム４の
外径は前記キャップ５より大きいので、このキャップ５
より外側に突出した前記ステム４の外周部がフランジ部
７となっている。
【０００４】上述のようなキャンタイプの半導体レーザ
装置１は、キャップ５の内部のレーザチップ２がレーザ
光を出射すると、このレーザ光がガラス窓６を透過して
出射される。このとき、レーザチップ２は発熱するが、
キャップ５の内部は中空なので、その熱分はステム４を
放熱板として放熱される。
装置１は、キャップ５の内部のレーザチップ２がレーザ
光を出射すると、このレーザ光がガラス窓６を透過して
出射される。このとき、レーザチップ２は発熱するが、
キャップ５の内部は中空なので、その熱分はステム４を
放熱板として放熱される。
【０００５】なお、上述のような半導体レーザ装置１で
は、構造的にレーザチップ２がステム４に良好な精度で
固定されているので、図１４に示すように、一般的にフ
ランジ部７の形状を利用して機器本体８の段付孔９に装
着されることにより、機器本体８に対してレーザ光を正
確に出射する。
は、構造的にレーザチップ２がステム４に良好な精度で
固定されているので、図１４に示すように、一般的にフ
ランジ部７の形状を利用して機器本体８の段付孔９に装
着されることにより、機器本体８に対してレーザ光を正
確に出射する。
【０００６】上述のようなキャンタイプの半導体レーザ
装置１は、機器本体８にレーザ光を正確に出射すること
ができるが、部品が多数で構造が複雑である。そこで、
レーザチップを樹脂モールドで封止することにより、構
造を簡略化して生産性を向上させた半導体レーザ装置が
樹脂モールドタイプとして開発された。
装置１は、機器本体８にレーザ光を正確に出射すること
ができるが、部品が多数で構造が複雑である。そこで、
レーザチップを樹脂モールドで封止することにより、構
造を簡略化して生産性を向上させた半導体レーザ装置が
樹脂モールドタイプとして開発された。
【０００７】例えば、特開平７−１７００１９号公報に
開示された半導体レーザ装置１１は、図１５に示すよう
に、レーザチップ２がサブマウント層１２を介してリー
ドフレーム１３に装着されており、このリードフレーム
１３の上部とともにレーザチップ２が透明な樹脂モール
ド１４で封止されている。しかも、この樹脂モールド１
４が前述のキャンタイプと同様な外形に形成されている
ので、機器本体８にキャンタイプと同様に装着できるよ
うに互換性を確保している。
開示された半導体レーザ装置１１は、図１５に示すよう
に、レーザチップ２がサブマウント層１２を介してリー
ドフレーム１３に装着されており、このリードフレーム
１３の上部とともにレーザチップ２が透明な樹脂モール
ド１４で封止されている。しかも、この樹脂モールド１
４が前述のキャンタイプと同様な外形に形成されている
ので、機器本体８にキャンタイプと同様に装着できるよ
うに互換性を確保している。
【０００８】また、実開平２−５４２６３号公報に開示
された半導体レーザ装置２１は、図１６に示すように、
リードフレーム２２の両側に放熱板となる凸部２３が形
成されており、これらの凸部２３を樹脂モールド２４の
外側に突出させることにより、樹脂に封止されたレーザ
チップ２の放熱性を向上させている。
された半導体レーザ装置２１は、図１６に示すように、
リードフレーム２２の両側に放熱板となる凸部２３が形
成されており、これらの凸部２３を樹脂モールド２４の
外側に突出させることにより、樹脂に封止されたレーザ
チップ２の放熱性を向上させている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したような樹脂モ
ールドタイプの半導体レーザ装置１１，２１は、構造が
簡単で生産性が良好である。
ールドタイプの半導体レーザ装置１１，２１は、構造が
簡単で生産性が良好である。
【００１０】しかし、特開平７−１７００１９号公報に
開示された半導体レーザ装置１１は、樹脂モールド１４
がキャンタイプと同様な外形に形成されているので互換
性が良好であるが、この樹脂モールド１４に封止されて
いるレーザチップ２の放熱が困難である。さらに、上述
した半導体レーザ装置１１では、レーザチップ２を固定
したリードフレーム１３を樹脂モールド１４にインサー
トしているが、この樹脂モールド１４に対してリードフ
レーム１３を正確に位置決めすることが困難である。こ
のため、樹脂モールド１４に対してレーザチップ２の位
置精度が低く、半導体レーザ装置１１を樹脂モールド１
４の部分で機器本体８に装着しても、レーザ光を正確な
位置に出射することは困難である。
開示された半導体レーザ装置１１は、樹脂モールド１４
がキャンタイプと同様な外形に形成されているので互換
性が良好であるが、この樹脂モールド１４に封止されて
いるレーザチップ２の放熱が困難である。さらに、上述
した半導体レーザ装置１１では、レーザチップ２を固定
したリードフレーム１３を樹脂モールド１４にインサー
トしているが、この樹脂モールド１４に対してリードフ
レーム１３を正確に位置決めすることが困難である。こ
のため、樹脂モールド１４に対してレーザチップ２の位
置精度が低く、半導体レーザ装置１１を樹脂モールド１
４の部分で機器本体８に装着しても、レーザ光を正確な
位置に出射することは困難である。
【００１１】その点、実開平２−５４２６３号公報に開
示された半導体レーザ装置２１は、リードフレーム２２
に放熱板となる凸部２３を形成しているのでレーザチッ
プ２の発熱を良好に冷却でき、この凸部２３によりリー
ドフレーム２２を樹脂モールド２４に対して正確な位置
にインサートできる。しかし、このリードフレーム２２
の凸部２３が樹脂モールド２４の両側に突出しているの
で、その外形をキャンタイプと同様に形成して互換性を
確保することが困難である。
示された半導体レーザ装置２１は、リードフレーム２２
に放熱板となる凸部２３を形成しているのでレーザチッ
プ２の発熱を良好に冷却でき、この凸部２３によりリー
ドフレーム２２を樹脂モールド２４に対して正確な位置
にインサートできる。しかし、このリードフレーム２２
の凸部２３が樹脂モールド２４の両側に突出しているの
で、その外形をキャンタイプと同様に形成して互換性を
確保することが困難である。
【００１２】また、上述のような樹脂モールドタイプの
半導体レーザ装置１１，２１では、レーザチップ２もリ
ードフレーム１３，２２とともに樹脂モールド１４，２
４に封入することになるが、これでは樹脂モールド１
４，２４の成形時にレーザチップ２が高温高圧となるの
で破損する可能性が高く好ましくない。
半導体レーザ装置１１，２１では、レーザチップ２もリ
ードフレーム１３，２２とともに樹脂モールド１４，２
４に封入することになるが、これでは樹脂モールド１
４，２４の成形時にレーザチップ２が高温高圧となるの
で破損する可能性が高く好ましくない。
【００１３】本発明は以上のような課題に鑑みてなされ
たものであり、従来のキャンタイプと互換性を確保しな
がらレーザチップの放熱も良好であり、レーザ光の位置
精度も良好な樹脂モールドタイプの半導体レーザ装置を
提供することを目的とする。
たものであり、従来のキャンタイプと互換性を確保しな
がらレーザチップの放熱も良好であり、レーザ光の位置
精度も良好な樹脂モールドタイプの半導体レーザ装置を
提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ光を出
射するレーザチップを、その光軸と平行なリードフレー
ムの表面に装着し、該リードフレームの少なくとも一部
を樹脂モールドで封止した半導体レーザ装置において、
前記樹脂モールドを、その本体部の末端外周にフランジ
部が突設された外形に形成し、前記リードフレームの裏
面に放熱板を設け、該放熱板を前記フランジ部の両方の
端面の少なくとも一方に露出させた。
射するレーザチップを、その光軸と平行なリードフレー
ムの表面に装着し、該リードフレームの少なくとも一部
を樹脂モールドで封止した半導体レーザ装置において、
前記樹脂モールドを、その本体部の末端外周にフランジ
部が突設された外形に形成し、前記リードフレームの裏
面に放熱板を設け、該放熱板を前記フランジ部の両方の
端面の少なくとも一方に露出させた。
【００１５】従って、レーザチップが表面に装着される
リードフレームの裏面に放熱板が設けられており、この
放熱板が樹脂モールドのフランジ部の両方の端面の少な
くとも一方に露出しているので、レーザチップの発熱が
良好に放熱される。樹脂モールドが従来のキャンタイプ
と同等な外形に形成されており、この外形を阻害しない
ように放熱板が形成されているので、従来のキャンタイ
プとの互換性が確保されている。さらに、樹脂モールド
を成形する場合に放熱板によりリードフレームを金型の
キャビティに位置決めできるので、樹脂モールドの外形
とレーザチップの光軸との相対位置の精度が高い。
リードフレームの裏面に放熱板が設けられており、この
放熱板が樹脂モールドのフランジ部の両方の端面の少な
くとも一方に露出しているので、レーザチップの発熱が
良好に放熱される。樹脂モールドが従来のキャンタイプ
と同等な外形に形成されており、この外形を阻害しない
ように放熱板が形成されているので、従来のキャンタイ
プとの互換性が確保されている。さらに、樹脂モールド
を成形する場合に放熱板によりリードフレームを金型の
キャビティに位置決めできるので、樹脂モールドの外形
とレーザチップの光軸との相対位置の精度が高い。
【００１６】また、上述のような半導体レーザ装置にお
ける他の発明では、リードフレームと放熱板とが一体に
形成されている。従って、半導体レーザ装置の部品数が
少なく、レーザチップの発熱が放熱板まで良好に伝導す
る。
ける他の発明では、リードフレームと放熱板とが一体に
形成されている。従って、半導体レーザ装置の部品数が
少なく、レーザチップの発熱が放熱板まで良好に伝導す
る。
【００１７】さらに、他の発明の半導体レーザ装置で
は、放熱板が複数の部品からなる。従って、放熱板をＬ
字型に形成するような場合、これを二個の平板で形成す
るようなことができる。
は、放熱板が複数の部品からなる。従って、放熱板をＬ
字型に形成するような場合、これを二個の平板で形成す
るようなことができる。
【００１８】さらに、他の発明の半導体レーザ装置で
は、レーザチップが装着されたリードフレームの側方に
配線用のリードフレームが配置されており、樹脂モール
ドの端面の前記リードフレームが突出する位置に凸部が
形成されている。従って、樹脂モールドを機器に装着す
るときにリードフレームの周囲に金属の部品を配置する
場合でも、この金属の部品とリードフレームとが短絡す
ることが樹脂モールドの凸部により防止される。
は、レーザチップが装着されたリードフレームの側方に
配線用のリードフレームが配置されており、樹脂モール
ドの端面の前記リードフレームが突出する位置に凸部が
形成されている。従って、樹脂モールドを機器に装着す
るときにリードフレームの周囲に金属の部品を配置する
場合でも、この金属の部品とリードフレームとが短絡す
ることが樹脂モールドの凸部により防止される。
【００１９】さらに、他の発明の半導体レーザ装置で
は、フランジ部の外周面の少なくとも一部がレーザチッ
プの光軸を中心とした円筒形に形成されている。従っ
て、従来のキャンタイプの場合と同様に半導体レーザ装
置をフランジ部で機器に装着すると、レーザチップのレ
ーザ光が従来のキャンタイプと同一の位置に出射され
る。
は、フランジ部の外周面の少なくとも一部がレーザチッ
プの光軸を中心とした円筒形に形成されている。従っ
て、従来のキャンタイプの場合と同様に半導体レーザ装
置をフランジ部で機器に装着すると、レーザチップのレ
ーザ光が従来のキャンタイプと同一の位置に出射され
る。
【００２０】さらに、他の発明の半導体レーザ装置で
は、フランジ部の外周面にリードフレームの表面と平行
な平面が形成されている。従って、樹脂モールドを金型
のキャビティで成形する場合に、このキャビティから樹
脂モールドを押し出すスライド自在なピンをフランジ部
の外周面の平面の部分に当接させることができる。
は、フランジ部の外周面にリードフレームの表面と平行
な平面が形成されている。従って、樹脂モールドを金型
のキャビティで成形する場合に、このキャビティから樹
脂モールドを押し出すスライド自在なピンをフランジ部
の外周面の平面の部分に当接させることができる。
【００２１】さらに、他の発明の半導体レーザ装置で
は、フランジ部の外周面にリードフレームの表面と直交
して相互に平行な一対の平面が形成されている。従っ
て、樹脂モールドをフランジ部の一対の平面の部分で保
持するようなことができる。
は、フランジ部の外周面にリードフレームの表面と直交
して相互に平行な一対の平面が形成されている。従っ
て、樹脂モールドをフランジ部の一対の平面の部分で保
持するようなことができる。
【００２２】さらに、他の発明の半導体レーザ装置で
は、樹脂モールドがレーザチップを露出させる形状に形
成されており、レーザ光が透過する材料からなり前記レ
ーザチップを密閉する樹脂キャップが前記樹脂モールド
に装着されている。従って、樹脂モールドを成形してか
らレーザチップをリードフレームに実装することがで
き、このレーザチップを樹脂キャップにより密閉するこ
とができる。
は、樹脂モールドがレーザチップを露出させる形状に形
成されており、レーザ光が透過する材料からなり前記レ
ーザチップを密閉する樹脂キャップが前記樹脂モールド
に装着されている。従って、樹脂モールドを成形してか
らレーザチップをリードフレームに実装することがで
き、このレーザチップを樹脂キャップにより密閉するこ
とができる。
【００２３】さらに、他の発明の半導体レーザ装置で
は、樹脂キャップがＬ字状に形成されている。従って、
簡単な形状の樹脂キャップでレーザチップを密閉するこ
とができ、樹脂キャップのレーザ光が透過する部分を平
板とすることができる。
は、樹脂キャップがＬ字状に形成されている。従って、
簡単な形状の樹脂キャップでレーザチップを密閉するこ
とができ、樹脂キャップのレーザ光が透過する部分を平
板とすることができる。
【００２４】さらに、他の発明の半導体レーザ装置で
は、樹脂キャップがアクリル系かエポキシ系の樹脂で形
成されている。従って、樹脂キャップを一般的な樹脂を
材料として製作することができ、この材料を樹脂モール
ドと同一とするようなこともできる。
は、樹脂キャップがアクリル系かエポキシ系の樹脂で形
成されている。従って、樹脂キャップを一般的な樹脂を
材料として製作することができ、この材料を樹脂モール
ドと同一とするようなこともできる。
【００２５】さらに、他の発明の半導体レーザ装置で
は、樹脂キャップの少なくともレーザ光が透過する位置
にレーザ光の透過率が向上する表面処理が施されてい
る。従って、レーザチップから出射されたレーザ光は表
面処理が施された樹脂キャップを高効率に透過する。な
お、本発明で云う表面処理とは、樹脂におけるレーザ光
の透過率を向上させるものであれば良く、例えば、ＡＲ
コートなどを許容する。
は、樹脂キャップの少なくともレーザ光が透過する位置
にレーザ光の透過率が向上する表面処理が施されてい
る。従って、レーザチップから出射されたレーザ光は表
面処理が施された樹脂キャップを高効率に透過する。な
お、本発明で云う表面処理とは、樹脂におけるレーザ光
の透過率を向上させるものであれば良く、例えば、ＡＲ
コートなどを許容する。
【００２６】また、本発明の半導体レーザ装置の製造方
法は、レーザチップが表面に装着されるリードフレーム
の裏面に放熱板を設け、樹脂モールドを、その本体部の
末端外周にフランジ部が突設された外形に成形するキャ
ビティが形成された金型を用意し、該金型のキャビティ
に前記リードフレームを前記放熱板により位置決めし、
該放熱板が前記フランジ部の両方の端面の少なくとも一
方に露出する状態で前記リードフレームを封止する前記
樹脂モールドを前記金型のキャビティで成形するように
した。
法は、レーザチップが表面に装着されるリードフレーム
の裏面に放熱板を設け、樹脂モールドを、その本体部の
末端外周にフランジ部が突設された外形に成形するキャ
ビティが形成された金型を用意し、該金型のキャビティ
に前記リードフレームを前記放熱板により位置決めし、
該放熱板が前記フランジ部の両方の端面の少なくとも一
方に露出する状態で前記リードフレームを封止する前記
樹脂モールドを前記金型のキャビティで成形するように
した。
【００２７】従って、この製造方法により形成された半
導体レーザ装置は、レーザチップが表面に装着されるリ
ードフレームの裏面に放熱板が設けられており、この放
熱板が樹脂モールドのフランジ部の両方の端面の少なく
とも一方に露出しているので、レーザチップの発熱が良
好に放熱される。また、樹脂モールドが従来のキャンタ
イプと同等な外形に形成されており、この外形を阻害し
ないように放熱板が形成されているので、従来のキャン
タイプとの互換性が確保されている。さらに、樹脂モー
ルドを成形する場合に放熱板によりリードフレームが金
型のキャビティに位置決めされるので、樹脂モールドが
レーザチップの光軸に対して外形の相対位置の精度が高
い状態に成形される。
導体レーザ装置は、レーザチップが表面に装着されるリ
ードフレームの裏面に放熱板が設けられており、この放
熱板が樹脂モールドのフランジ部の両方の端面の少なく
とも一方に露出しているので、レーザチップの発熱が良
好に放熱される。また、樹脂モールドが従来のキャンタ
イプと同等な外形に形成されており、この外形を阻害し
ないように放熱板が形成されているので、従来のキャン
タイプとの互換性が確保されている。さらに、樹脂モー
ルドを成形する場合に放熱板によりリードフレームが金
型のキャビティに位置決めされるので、樹脂モールドが
レーザチップの光軸に対して外形の相対位置の精度が高
い状態に成形される。
【００２８】上述のような製造方法における他の発明で
は、キャビティから樹脂モールドを押し出すピンを金型
にスライド自在に設け、前記ピンを前記樹脂モールドの
フランジ部の外周面に対向させ、前記樹脂モールドの前
記ピンが当接する位置を平面に形成するようにした。従
って、金型のキャビティで成形された樹脂モールドをピ
ンで押し出すことができ、このピンが樹脂モールドのフ
ランジ部の外周面の平面の部分に当接するので、樹脂モ
ールドをピンで破損することもない。
は、キャビティから樹脂モールドを押し出すピンを金型
にスライド自在に設け、前記ピンを前記樹脂モールドの
フランジ部の外周面に対向させ、前記樹脂モールドの前
記ピンが当接する位置を平面に形成するようにした。従
って、金型のキャビティで成形された樹脂モールドをピ
ンで押し出すことができ、このピンが樹脂モールドのフ
ランジ部の外周面の平面の部分に当接するので、樹脂モ
ールドをピンで破損することもない。
【００２９】さらに、他の発明の製造方法では、樹脂モ
ールドのフランジ部の外周面にリードフレームの表面と
直交して相互に平行な一対の平面を形成し、成形された
樹脂モールドを前記フランジ部の一対の平面で保持する
ようにした。従って、成形された樹脂モールドがフラン
ジ部の一対の平面の部分で保持されるので、樹脂モール
ドに各種部品を組み付けるようなことや、半導体レーザ
装置を機器に装着するようなことが容易に実行される。
ールドのフランジ部の外周面にリードフレームの表面と
直交して相互に平行な一対の平面を形成し、成形された
樹脂モールドを前記フランジ部の一対の平面で保持する
ようにした。従って、成形された樹脂モールドがフラン
ジ部の一対の平面の部分で保持されるので、樹脂モール
ドに各種部品を組み付けるようなことや、半導体レーザ
装置を機器に装着するようなことが容易に実行される。
【００３０】さらに、他の発明の製造方法では、樹脂モ
ールドをレーザチップが露出する形状に形成し、レーザ
光が透過する樹脂キャップを前記樹脂モールドとは別体
に形成し、該樹脂モールドに前記樹脂キャップを装着し
て前記レーザチップを密閉するようにした。従って、樹
脂モールドの成形後にリードフレームにレーザチップを
実装することができ、このレーザチップを樹脂キャップ
により密閉することができる。
ールドをレーザチップが露出する形状に形成し、レーザ
光が透過する樹脂キャップを前記樹脂モールドとは別体
に形成し、該樹脂モールドに前記樹脂キャップを装着し
て前記レーザチップを密閉するようにした。従って、樹
脂モールドの成形後にリードフレームにレーザチップを
実装することができ、このレーザチップを樹脂キャップ
により密閉することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態を図１ない
し図１０を参照して以下に説明する。なお、本実施の形
態において、前述した従来例の半導体レーザ装置と同一
の部分に関しては、同一の名称および符号を使用して詳
細な説明は省略する。
し図１０を参照して以下に説明する。なお、本実施の形
態において、前述した従来例の半導体レーザ装置と同一
の部分に関しては、同一の名称および符号を使用して詳
細な説明は省略する。
【００３２】図１は本実施の形態の半導体レーザ装置を
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は縦断
側面図である。図２（ａ）（ｂ）は分解斜視図である。
図３は半導体レーザ装置を機器に装着した状態を示し、
（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は背面図である。図４
（ａ）は本実施の形態の半導体レーザ装置の出力特性の
グラフ、同図（ｂ）は従来のキャンタイプのグラフであ
る。図５は本実施の形態の半導体レーザ装置の製造方法
を示すフローチャートである。図６は放熱板の製作方法
を示す工程図である。図７は樹脂モールドを成形する射
出成形装置を示す斜視図である。図８は樹脂モールドの
材料となる樹脂粉末を示す模式図である。図９は金型の
構造を示す縦断側面図である。図１０は樹脂モールドの
成形工程を示す縦断側面図である。
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は縦断
側面図である。図２（ａ）（ｂ）は分解斜視図である。
図３は半導体レーザ装置を機器に装着した状態を示し、
（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は背面図である。図４
（ａ）は本実施の形態の半導体レーザ装置の出力特性の
グラフ、同図（ｂ）は従来のキャンタイプのグラフであ
る。図５は本実施の形態の半導体レーザ装置の製造方法
を示すフローチャートである。図６は放熱板の製作方法
を示す工程図である。図７は樹脂モールドを成形する射
出成形装置を示す斜視図である。図８は樹脂モールドの
材料となる樹脂粉末を示す模式図である。図９は金型の
構造を示す縦断側面図である。図１０は樹脂モールドの
成形工程を示す縦断側面図である。
【００３３】まず、本実施の形態の半導体レーザ装置３
１でも、図１に示すように、レーザチップ２が、ヒート
シンク３２を介して光軸と平行なリードフレーム３３の
表面に装着されており、このリードフレーム３３が、配
線用のリードフレーム３４，３５とともに樹脂モールド
３６で封止されている。
１でも、図１に示すように、レーザチップ２が、ヒート
シンク３２を介して光軸と平行なリードフレーム３３の
表面に装着されており、このリードフレーム３３が、配
線用のリードフレーム３４，３５とともに樹脂モールド
３６で封止されている。
【００３４】この樹脂モールド３６は、本体部３７の末
端外周にフランジ部３８が突設された外形に形成されて
おり、いわゆるキャンタイプの半導体レーザ装置１と同
様な外形に形成されている。前記リードフレーム３３の
裏面には、別体のＬ字型の放熱板３９が一体に装着され
ており、この放熱板３９は、前記フランジ部３８の両方
の端面４０，４１に露出する状態で前記樹脂モールド３
６に封止されている。
端外周にフランジ部３８が突設された外形に形成されて
おり、いわゆるキャンタイプの半導体レーザ装置１と同
様な外形に形成されている。前記リードフレーム３３の
裏面には、別体のＬ字型の放熱板３９が一体に装着され
ており、この放熱板３９は、前記フランジ部３８の両方
の端面４０，４１に露出する状態で前記樹脂モールド３
６に封止されている。
【００３５】この樹脂モールド３６は、図２に示すよう
に、ここでは前記レーザチップ２が露出する形状に形成
されており、ここに別体の樹脂キャップ４２が一体に装
着されることで前記レーザチップ２は密閉されている。
前記樹脂キャップ４２は、レーザ光が良好に透過する無
色透明なアクリル系やエポキシ系の樹脂により、二個の
平板を直角に接合したようなＬ字型に形成されており、
レーザ光が透過する位置には透過率を向上させる表面処
理としてＡＲコートが被覆されている。
に、ここでは前記レーザチップ２が露出する形状に形成
されており、ここに別体の樹脂キャップ４２が一体に装
着されることで前記レーザチップ２は密閉されている。
前記樹脂キャップ４２は、レーザ光が良好に透過する無
色透明なアクリル系やエポキシ系の樹脂により、二個の
平板を直角に接合したようなＬ字型に形成されており、
レーザ光が透過する位置には透過率を向上させる表面処
理としてＡＲコートが被覆されている。
【００３６】なお、前記レーザチップ２の光軸方向の後
方にはフォトダイオード４３が実装されており、このフ
ォトダイオード４３と前記レーザチップ２とは、金製の
ボンディングワイヤ４４により前記リードフレーム３
４，３５に各々結線されている。前記樹脂モールド３６
は、前記端面４１に凸部４５が形成されており、この凸
部４５の位置から前記リードフレーム３２〜３４が突出
している。上述のように前記樹脂モールド３６の内部に
位置する前記リードフレーム３２〜３４の部分は内部リ
ード部４６と呼称され、前記樹脂モールド３６から突出
した前記リードフレーム３２〜３４の部分はタイバー部
４７と呼称される。
方にはフォトダイオード４３が実装されており、このフ
ォトダイオード４３と前記レーザチップ２とは、金製の
ボンディングワイヤ４４により前記リードフレーム３
４，３５に各々結線されている。前記樹脂モールド３６
は、前記端面４１に凸部４５が形成されており、この凸
部４５の位置から前記リードフレーム３２〜３４が突出
している。上述のように前記樹脂モールド３６の内部に
位置する前記リードフレーム３２〜３４の部分は内部リ
ード部４６と呼称され、前記樹脂モールド３６から突出
した前記リードフレーム３２〜３４の部分はタイバー部
４７と呼称される。
【００３７】前記樹脂モールド３６のフランジ部３８
は、その外周面４８が前記レーザチップ２の光軸を中心
とした円筒形となるように形成されているが、前記リー
ドフレーム３３の表面と平行な一つの平面４９および直
交する一対の平面５０が部分的に形成されている。
は、その外周面４８が前記レーザチップ２の光軸を中心
とした円筒形となるように形成されているが、前記リー
ドフレーム３３の表面と平行な一つの平面４９および直
交する一対の平面５０が部分的に形成されている。
【００３８】上述のような構成において、本実施の形態
の半導体レーザ装置３１は、樹脂モールド３６の外形が
従来のキャンタイプと同等なので、図３に示すように、
従来のキャンタイプと同様に機器本体８に装着すること
が可能である。
の半導体レーザ装置３１は、樹脂モールド３６の外形が
従来のキャンタイプと同等なので、図３に示すように、
従来のキャンタイプと同様に機器本体８に装着すること
が可能である。
【００３９】そして、本実施の形態の半導体レーザ装置
３１は、レーザチップ２が表面に実装されたリードフレ
ーム３３の裏面に放熱板３９が設けられており、この放
熱板３９が樹脂モールド３６のフランジ部３８の両方の
端面に露出しているので、レーザチップ２の発熱を良好
に放熱してレーザ光を安定に出射することができる。特
に、フランジ部３８の端面４０，４１に金属製の機器本
体８や保持具５１等が当接する場合、これらに放熱板３
９を当接させてレーザチップ２の発熱を良好に放熱する
ことが可能である。
３１は、レーザチップ２が表面に実装されたリードフレ
ーム３３の裏面に放熱板３９が設けられており、この放
熱板３９が樹脂モールド３６のフランジ部３８の両方の
端面に露出しているので、レーザチップ２の発熱を良好
に放熱してレーザ光を安定に出射することができる。特
に、フランジ部３８の端面４０，４１に金属製の機器本
体８や保持具５１等が当接する場合、これらに放熱板３
９を当接させてレーザチップ２の発熱を良好に放熱する
ことが可能である。
【００４０】そこで、上述のような半導体レーザ装置３
１を実際に試作して従来のキャンタイプの半導体レーザ
装置１とともに放熱性の試験を実施したところ、図４に
示すように、本実施の形態の半導体レーザ装置３１は樹
脂モールドタイプであるのに従来のキャンタイプと同等
の放熱性を実現していることが確認された。
１を実際に試作して従来のキャンタイプの半導体レーザ
装置１とともに放熱性の試験を実施したところ、図４に
示すように、本実施の形態の半導体レーザ装置３１は樹
脂モールドタイプであるのに従来のキャンタイプと同等
の放熱性を実現していることが確認された。
【００４１】以下に試験の内容を説明する。まず、半導
体レーザ装置１，３１をアルミブロックに装着し、この
アルミブロックをホットプレート上に載置した（図示せ
ず）。このとき、半導体レーザ装置３１では、放熱板３
９をアルミブロックに密着させた。
体レーザ装置１，３１をアルミブロックに装着し、この
アルミブロックをホットプレート上に載置した（図示せ
ず）。このとき、半導体レーザ装置３１では、放熱板３
９をアルミブロックに密着させた。
【００４２】そして、ホットプレートによりアルミブロ
ックを２５℃，５０℃，６０℃，７０℃，７７℃に加熱
し、各々の状態で半導体レーザ装置１，３１に電流を印
加し、そのレーザ光の出力が所定の約３０ｍＷとなるま
で電流を上昇させた。すると、何れの半導体レーザ装置
１，３１でも高温では所定の光出力を発生するために必
要な電流が大きくなり、少ない電流でレーザ光を高効率
に出力するためには放熱性が高い必要があることが確認
された。そして、各温度での半導体レーザ装置１，３１
の電流値と光出力との関係の特性曲線を比較したとこ
ろ、図４（ａ）（ｂ）に示すように、これらは同等であ
ることが確認された。
ックを２５℃，５０℃，６０℃，７０℃，７７℃に加熱
し、各々の状態で半導体レーザ装置１，３１に電流を印
加し、そのレーザ光の出力が所定の約３０ｍＷとなるま
で電流を上昇させた。すると、何れの半導体レーザ装置
１，３１でも高温では所定の光出力を発生するために必
要な電流が大きくなり、少ない電流でレーザ光を高効率
に出力するためには放熱性が高い必要があることが確認
された。そして、各温度での半導体レーザ装置１，３１
の電流値と光出力との関係の特性曲線を比較したとこ
ろ、図４（ａ）（ｂ）に示すように、これらは同等であ
ることが確認された。
【００４３】つまり、本実施の形態の半導体レーザ装置
３１は樹脂モールドタイプであるにも係わらず従来のキ
ャンタイプの半導体レーザ装置１と同等な放熱性を実現
していることになり、これはレーザチップ２の発熱が放
熱板３９によりアルミブロックまで良好に伝達されてい
ることになる。
３１は樹脂モールドタイプであるにも係わらず従来のキ
ャンタイプの半導体レーザ装置１と同等な放熱性を実現
していることになり、これはレーザチップ２の発熱が放
熱板３９によりアルミブロックまで良好に伝達されてい
ることになる。
【００４４】さらに、本実施の形態の半導体レーザ装置
３１は、前述のように機器本体８の段付孔９に樹脂モー
ルド３６のフランジ部３８で装着することになるが、こ
のフランジ部３８の外形とレーザチップ２との相対位置
の精度が高いので機器本体８に対してレーザ光を正確に
出射することができる。つまり、詳細には後述するが、
樹脂モールド３６を成形するとき、レーザチップ２が表
面に実装されるリードフレーム３３を裏面の放熱板３９
により位置決めすることができるので、樹脂モールド３
６の外形に対してレーザチップ２を正確な位置に配置す
ることができる。
３１は、前述のように機器本体８の段付孔９に樹脂モー
ルド３６のフランジ部３８で装着することになるが、こ
のフランジ部３８の外形とレーザチップ２との相対位置
の精度が高いので機器本体８に対してレーザ光を正確に
出射することができる。つまり、詳細には後述するが、
樹脂モールド３６を成形するとき、レーザチップ２が表
面に実装されるリードフレーム３３を裏面の放熱板３９
により位置決めすることができるので、樹脂モールド３
６の外形に対してレーザチップ２を正確な位置に配置す
ることができる。
【００４５】特に、フランジ部３８の外周面４８がレー
ザチップ２の光軸を中心とした円筒形に形成されている
ので、従来のキャンタイプの場合と同様に半導体レーザ
装置３１をフランジ部３８で機器本体８に装着すれば、
レーザチップ２のレーザ光を従来のキャンタイプと同一
の位置に出射することができ、装着時の角度を限定する
必要がない。
ザチップ２の光軸を中心とした円筒形に形成されている
ので、従来のキャンタイプの場合と同様に半導体レーザ
装置３１をフランジ部３８で機器本体８に装着すれば、
レーザチップ２のレーザ光を従来のキャンタイプと同一
の位置に出射することができ、装着時の角度を限定する
必要がない。
【００４６】それでいて、樹脂モールド３６のフランジ
部３８の外周面４８には相互に平行な一対の平面５０が
形成されているので、例えば、組立用のマニピュレータ
（図示せず）が樹脂モールド３６を平面５０の位置で容
易に保持することができ、樹脂モールド３６に樹脂キャ
ップ４２を組み付ける作業や、半導体レーザ装置３１を
機器本体８に組み付けるような作業を、高効率に実行す
ることができる。しかも、このような平面５０はリード
フレーム３３の表面と直交する方向に形成されているの
で、詳細には後述するが、射出成形した樹脂モールド３
６を金型から取り出すことが容易である。
部３８の外周面４８には相互に平行な一対の平面５０が
形成されているので、例えば、組立用のマニピュレータ
（図示せず）が樹脂モールド３６を平面５０の位置で容
易に保持することができ、樹脂モールド３６に樹脂キャ
ップ４２を組み付ける作業や、半導体レーザ装置３１を
機器本体８に組み付けるような作業を、高効率に実行す
ることができる。しかも、このような平面５０はリード
フレーム３３の表面と直交する方向に形成されているの
で、詳細には後述するが、射出成形した樹脂モールド３
６を金型から取り出すことが容易である。
【００４７】また、図示するように、本実施の形態の半
導体レーザ装置３１を円環状の保持具５１で機器本体８
に固定する場合、樹脂モールド３６の端面４１にはリー
ドフレーム３３〜３５が突出する位置に凸部４５が形成
されているので、保持具５１が金属製でもリードフレー
ム３３〜３５に短絡することがない。さらに、本実施の
形態の半導体レーザ装置３１では、放熱板３９が樹脂モ
ールド３６のフランジ部３８の両面に露出しているの
で、上述のような構造では放熱板３９を機器本体８と保
持具５１との両方に当接させることができ、極めて良好
な放熱性を実現することができる。
導体レーザ装置３１を円環状の保持具５１で機器本体８
に固定する場合、樹脂モールド３６の端面４１にはリー
ドフレーム３３〜３５が突出する位置に凸部４５が形成
されているので、保持具５１が金属製でもリードフレー
ム３３〜３５に短絡することがない。さらに、本実施の
形態の半導体レーザ装置３１では、放熱板３９が樹脂モ
ールド３６のフランジ部３８の両面に露出しているの
で、上述のような構造では放熱板３９を機器本体８と保
持具５１との両方に当接させることができ、極めて良好
な放熱性を実現することができる。
【００４８】ここで、本実施の形態の半導体レーザ装置
１の製造方法を図５ないし図１０を参照して以下に説明
する。まず、図５に示すように、本実施の形態の製造方
法では、リードフレーム３３〜３５と放熱板３９とを別
個に製作する。例えば、リードフレーム３３〜３５は、
金属の薄板のエッチング加工やプレス加工により、最初
は三個のリードフレーム３３〜３５がタイバー部４７の
位置で一体に連結された状態に形成される。
１の製造方法を図５ないし図１０を参照して以下に説明
する。まず、図５に示すように、本実施の形態の製造方
法では、リードフレーム３３〜３５と放熱板３９とを別
個に製作する。例えば、リードフレーム３３〜３５は、
金属の薄板のエッチング加工やプレス加工により、最初
は三個のリードフレーム３３〜３５がタイバー部４７の
位置で一体に連結された状態に形成される。
【００４９】また、放熱板３９は、板厚があるために金
属板のエッチング加工やプレス加工での製作は困難なの
で、例えば、引き抜き加工により製作する。その場合、
図６（ａ）に示すように、放熱板３９に対応したＬ字型
の開口孔５２が形成された引き抜き用の金型５３を用意
しておき、同図（ｂ）に示すように、この金型５３で断
面形状がＬ字型の部材５４を引き抜き加工により形成
し、同図（ｃ）に示すように、この部材５４を１．０ｍ
ｍ等の板厚に切断すれば多数の放熱板３９が容易に製作
される。
属板のエッチング加工やプレス加工での製作は困難なの
で、例えば、引き抜き加工により製作する。その場合、
図６（ａ）に示すように、放熱板３９に対応したＬ字型
の開口孔５２が形成された引き抜き用の金型５３を用意
しておき、同図（ｂ）に示すように、この金型５３で断
面形状がＬ字型の部材５４を引き抜き加工により形成
し、同図（ｃ）に示すように、この部材５４を１．０ｍ
ｍ等の板厚に切断すれば多数の放熱板３９が容易に製作
される。
【００５０】上述のように製作された放熱板３９を、リ
ードフレーム３４，３５が一体化されたリードフレーム
３３の裏面にＡｇペースト等の熱伝導性が良好な接着剤
で固定し、これを樹脂モールド３６で封止する。その場
合、図７に示すように、樹脂モールド３６に対応した固
定金型５５と可動金型５６とを用意し、これらを射出成
形装置５７にセットする。つぎに、図８に示すように、
例えば、エポキシ系の樹脂粉末５８を用意し、これを射
出成形装置５７に供給する。
ードフレーム３４，３５が一体化されたリードフレーム
３３の裏面にＡｇペースト等の熱伝導性が良好な接着剤
で固定し、これを樹脂モールド３６で封止する。その場
合、図７に示すように、樹脂モールド３６に対応した固
定金型５５と可動金型５６とを用意し、これらを射出成
形装置５７にセットする。つぎに、図８に示すように、
例えば、エポキシ系の樹脂粉末５８を用意し、これを射
出成形装置５７に供給する。
【００５１】図９に示すように、金型５５，５６には樹
脂モールド３６に対応した形状のキャビティ６０を形成
するよう凹部６１，６２が形成されており、特に固定金
型５５は凹部６２を閉止する位置にスライド部６３が形
成されている。固定金型５５の凹部６２はスライド部６
３で閉止される位置が放熱板３９を保持するように形成
されているので、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、こ
こで固定金型５５の凹部６１にリードフレーム３３〜３
５を放熱板３９で位置決めする。
脂モールド３６に対応した形状のキャビティ６０を形成
するよう凹部６１，６２が形成されており、特に固定金
型５５は凹部６２を閉止する位置にスライド部６３が形
成されている。固定金型５５の凹部６２はスライド部６
３で閉止される位置が放熱板３９を保持するように形成
されているので、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、こ
こで固定金型５５の凹部６１にリードフレーム３３〜３
５を放熱板３９で位置決めする。
【００５２】同図（ｃ）に示すように、この状態で可動
金型５６を固定金型５５に接合させ、同図（ｄ）（ｅ）
に示すように、これらの金型５５，５６の凹部６１，６
２で形成されたキャビティ６０に溶融した樹脂６４を射
出する。これで放熱板３９が固定されたリードフレーム
３３が両側のリードフレーム３４，３５とともに樹脂モ
ールド３６にインサート成形されるので、後は可動金型
５６を固定金型５５から離反させて樹脂モールド３６を
取り出すことになる。
金型５６を固定金型５５に接合させ、同図（ｄ）（ｅ）
に示すように、これらの金型５５，５６の凹部６１，６
２で形成されたキャビティ６０に溶融した樹脂６４を射
出する。これで放熱板３９が固定されたリードフレーム
３３が両側のリードフレーム３４，３５とともに樹脂モ
ールド３６にインサート成形されるので、後は可動金型
５６を固定金型５５から離反させて樹脂モールド３６を
取り出すことになる。
【００５３】このとき、樹脂モールド３６は可動金型５
６に設けられたスライドピン６５により凹部６１から押
し出されるが、このスライドピン６５は樹脂モールド３
６のフランジ部３８の平面４９に当接するので、樹脂モ
ールド３６の外形をスライドピンが損傷することがな
い。また、樹脂モールド３６のフランジ部３８の両側に
も相互に平行な一対の平面５０が形成されているが、こ
れらの平面５０は金型５５，５６が接離する方向と平行
に形成されているので、樹脂モールド３６を金型５５，
５６から容易に取り外すことができる。さらに、上述の
ようにリードフレーム３３〜３５は放熱板３９により金
型５５，５６のキャビティ６０の内部に正確に位置決め
されるので、樹脂モールド３６はリードフレーム３３の
表面の位置に対して正確な外形に成形される。
６に設けられたスライドピン６５により凹部６１から押
し出されるが、このスライドピン６５は樹脂モールド３
６のフランジ部３８の平面４９に当接するので、樹脂モ
ールド３６の外形をスライドピンが損傷することがな
い。また、樹脂モールド３６のフランジ部３８の両側に
も相互に平行な一対の平面５０が形成されているが、こ
れらの平面５０は金型５５，５６が接離する方向と平行
に形成されているので、樹脂モールド３６を金型５５，
５６から容易に取り外すことができる。さらに、上述の
ようにリードフレーム３３〜３５は放熱板３９により金
型５５，５６のキャビティ６０の内部に正確に位置決め
されるので、樹脂モールド３６はリードフレーム３３の
表面の位置に対して正確な外形に成形される。
【００５４】上述のようにしてリードフレーム３３〜３
５が樹脂モールド３６に封止されたものが形成されるの
で、この状態で理想的には樹脂モールド３６の内部にリ
ードフレーム３３〜３５の内部リード部４６が露出して
いることになる。ただし、この表面に樹脂のバリが発生
することもあるので、図５に示すように、その場合には
バリを除去する。つぎに、樹脂モールド３６から突出し
たリードフレーム３３〜３５のタイバー部４７を切断し
て分離し、リードフレーム３３〜３５の内部リード部４
６とタイバー部４７とに金等のメッキ膜を被覆する。
５が樹脂モールド３６に封止されたものが形成されるの
で、この状態で理想的には樹脂モールド３６の内部にリ
ードフレーム３３〜３５の内部リード部４６が露出して
いることになる。ただし、この表面に樹脂のバリが発生
することもあるので、図５に示すように、その場合には
バリを除去する。つぎに、樹脂モールド３６から突出し
たリードフレーム３３〜３５のタイバー部４７を切断し
て分離し、リードフレーム３３〜３５の内部リード部４
６とタイバー部４７とに金等のメッキ膜を被覆する。
【００５５】また、別個に用意したレーザチップ２とフ
ォトダイオード４３とを金属製のヒートシンク３２に実
装しておき、このヒートシンク３２を上述のリードフレ
ーム３３の内部リード部４６にＡｇペースト等の熱伝導
性と導電性とが良好な接着剤で固定する。つぎに、金製
のボンディングワイヤ４４の熱圧着や超音波溶着によ
り、レーザチップ２をリードフレーム３４の内部リード
部４６に結線するとともに、フォトダイオード４３をリ
ードフレーム３５の内部リード部４６に結線する。
ォトダイオード４３とを金属製のヒートシンク３２に実
装しておき、このヒートシンク３２を上述のリードフレ
ーム３３の内部リード部４６にＡｇペースト等の熱伝導
性と導電性とが良好な接着剤で固定する。つぎに、金製
のボンディングワイヤ４４の熱圧着や超音波溶着によ
り、レーザチップ２をリードフレーム３４の内部リード
部４６に結線するとともに、フォトダイオード４３をリ
ードフレーム３５の内部リード部４６に結線する。
【００５６】また、やはりアクリル系やエポキシ系の樹
脂の射出成形などにより、樹脂キャップ４２を別個に製
作しておき、この樹脂キャップ４２に表面処理としてＡ
Ｒコートを被覆する。この樹脂キャップ４２を上述の樹
脂モールド３６に光硬化性接着剤などで固定し、リード
フレーム３３〜３５のタイバー部４７を必要な長さに切
断すれば、半導体レーザ装置３１は完成する。
脂の射出成形などにより、樹脂キャップ４２を別個に製
作しておき、この樹脂キャップ４２に表面処理としてＡ
Ｒコートを被覆する。この樹脂キャップ４２を上述の樹
脂モールド３６に光硬化性接着剤などで固定し、リード
フレーム３３〜３５のタイバー部４７を必要な長さに切
断すれば、半導体レーザ装置３１は完成する。
【００５７】上述のような製造方法によれば、レーザチ
ップ２やフォトダイオード４３は樹脂モールド３６を射
出成形してからリードフレーム３３に実装するので、レ
ーザチップ２等に射出成形時の高温高圧が作用すること
がなく、その劣化や破損を防止することができる。それ
でいて、樹脂モールド３６に別体の樹脂キャップ４２を
装着することでレーザチップ２やフォトダイオード４３
は密閉されるので、レーザチップ２等を外界の湿度など
から良好に保護することができる。
ップ２やフォトダイオード４３は樹脂モールド３６を射
出成形してからリードフレーム３３に実装するので、レ
ーザチップ２等に射出成形時の高温高圧が作用すること
がなく、その劣化や破損を防止することができる。それ
でいて、樹脂モールド３６に別体の樹脂キャップ４２を
装着することでレーザチップ２やフォトダイオード４３
は密閉されるので、レーザチップ２等を外界の湿度など
から良好に保護することができる。
【００５８】また、この樹脂キャップ４２は、単純なＬ
字型に形成されているので容易に製作することができ、
樹脂モールド３６に正確に固定することができるのでレ
ーザチップ２等を良好に密閉することができ、レーザチ
ップ２に対向する部分が平板状なのでレーザ光の透過を
阻害することがない。しかも、このような樹脂キャップ
４２を、レーザ光の透過率を向上させるＡＲコートで表
面処理しているので、半導体レーザ装置３１はレーザ光
を高い効率で出射することができる。さらに、上述のよ
うな樹脂キャップ４２は、アクリル系やエポキシ系の樹
脂で形成されるので、一般的な樹脂を材料として容易に
製作することができ、この材料を樹脂モールド３６と同
一として熱膨張の格差による剥離を防止するようなこと
もできる。
字型に形成されているので容易に製作することができ、
樹脂モールド３６に正確に固定することができるのでレ
ーザチップ２等を良好に密閉することができ、レーザチ
ップ２に対向する部分が平板状なのでレーザ光の透過を
阻害することがない。しかも、このような樹脂キャップ
４２を、レーザ光の透過率を向上させるＡＲコートで表
面処理しているので、半導体レーザ装置３１はレーザ光
を高い効率で出射することができる。さらに、上述のよ
うな樹脂キャップ４２は、アクリル系やエポキシ系の樹
脂で形成されるので、一般的な樹脂を材料として容易に
製作することができ、この材料を樹脂モールド３６と同
一として熱膨張の格差による剥離を防止するようなこと
もできる。
【００５９】なお、本発明は上記形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では金型５３により所定の断
面形状に引き抜いた部材５４を切断して放熱板３９を製
作することを例示したが、図１１に示すように、所定の
板厚の金属板６６からワイヤカッタやレーザカッタによ
り放熱板３９を切り出すことも可能である。
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態では金型５３により所定の断
面形状に引き抜いた部材５４を切断して放熱板３９を製
作することを例示したが、図１１に示すように、所定の
板厚の金属板６６からワイヤカッタやレーザカッタによ
り放熱板３９を切り出すことも可能である。
【００６０】また、上記形態では放熱板３９を一個の部
品として製作することを例示したが、このような放熱板
３９を複数の部品で製作することも可能である。例え
ば、上述のように断面形状がＬ字型の放熱板３９であれ
ば、長短の平板を接合することでも製作可能である。放
熱板３９を一個の部品として製作した場合と、複数の部
品で製作した場合では、生産性や熱伝導性などが各々相
反するので、必要な性能やコストを考慮して選択するこ
とが好ましい。
品として製作することを例示したが、このような放熱板
３９を複数の部品で製作することも可能である。例え
ば、上述のように断面形状がＬ字型の放熱板３９であれ
ば、長短の平板を接合することでも製作可能である。放
熱板３９を一個の部品として製作した場合と、複数の部
品で製作した場合では、生産性や熱伝導性などが各々相
反するので、必要な性能やコストを考慮して選択するこ
とが好ましい。
【００６１】さらに、上記形態ではリードフレーム３３
と放熱板３９とを別体に形成して一体に接合することを
例示したが、リードフレームと放熱板とを最初から一体
に形成することも可能である。このような一体の部品
は、別体の場合ほど製作が容易でないが熱伝導性を向上
させることができ、これらの構造も性能やコストを考慮
して選択することが好ましい。
と放熱板３９とを別体に形成して一体に接合することを
例示したが、リードフレームと放熱板とを最初から一体
に形成することも可能である。このような一体の部品
は、別体の場合ほど製作が容易でないが熱伝導性を向上
させることができ、これらの構造も性能やコストを考慮
して選択することが好ましい。
【００６２】また、上記形態の半導体レーザ装置３１で
は、樹脂キャップ４２を単純なＬ字型に形成して樹脂モ
ールド３６のボックス状の部分に接合することを例示し
たが、図１２に示す半導体レーザ装置７１のように、上
述のボックス状の部分を斜めに切断したような形状に樹
脂キャップ７２と樹脂モールド７３とを形成しておき、
これらを斜面の位置で一体に接合することも可能であ
る。この場合、樹脂キャップ７２の形状が複雑となり生
産性は低下するが、例えば、経時変化による樹脂キャッ
プ７２の変形を防止することができ、半導体レーザ装置
７１の耐久性や信頼性を向上させることができる。
は、樹脂キャップ４２を単純なＬ字型に形成して樹脂モ
ールド３６のボックス状の部分に接合することを例示し
たが、図１２に示す半導体レーザ装置７１のように、上
述のボックス状の部分を斜めに切断したような形状に樹
脂キャップ７２と樹脂モールド７３とを形成しておき、
これらを斜面の位置で一体に接合することも可能であ
る。この場合、樹脂キャップ７２の形状が複雑となり生
産性は低下するが、例えば、経時変化による樹脂キャッ
プ７２の変形を防止することができ、半導体レーザ装置
７１の耐久性や信頼性を向上させることができる。
【００６３】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【００６４】請求項１記載の発明は、レーザ光を出射す
るレーザチップを、その光軸と平行なリードフレームの
表面に装着し、該リードフレームの少なくとも一部を樹
脂モールドで封止した半導体レーザ装置において、前記
樹脂モールドを、その本体部の末端外周にフランジ部が
突設された外形に形成し、前記リードフレームの裏面に
放熱板を設け、該放熱板を前記フランジ部の両方の端面
の少なくとも一方に露出させたことにより、レーザチッ
プの発熱を放熱板により良好に放熱することができるの
で、レーザチップを少ない電力で高効率に発光させるこ
とができ、樹脂モールドが従来のキャンタイプと同等な
外形に形成されており、この外形を阻害しないように放
熱板が形成されているので、従来のキャンタイプとの互
換性が確保されており、さらに、樹脂モールドを成形す
る場合に放熱板によりリードフレームを金型のキャビテ
ィに位置決めできるので、樹脂モールドの外形とレーザ
チップの光軸との相対位置の精度が高く、レーザ光を正
確な位置に出射することができる。
るレーザチップを、その光軸と平行なリードフレームの
表面に装着し、該リードフレームの少なくとも一部を樹
脂モールドで封止した半導体レーザ装置において、前記
樹脂モールドを、その本体部の末端外周にフランジ部が
突設された外形に形成し、前記リードフレームの裏面に
放熱板を設け、該放熱板を前記フランジ部の両方の端面
の少なくとも一方に露出させたことにより、レーザチッ
プの発熱を放熱板により良好に放熱することができるの
で、レーザチップを少ない電力で高効率に発光させるこ
とができ、樹脂モールドが従来のキャンタイプと同等な
外形に形成されており、この外形を阻害しないように放
熱板が形成されているので、従来のキャンタイプとの互
換性が確保されており、さらに、樹脂モールドを成形す
る場合に放熱板によりリードフレームを金型のキャビテ
ィに位置決めできるので、樹脂モールドの外形とレーザ
チップの光軸との相対位置の精度が高く、レーザ光を正
確な位置に出射することができる。
【００６５】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置であって、リードフレームと放熱板とが
一体に形成されていることにより、半導体レーザ装置の
部品数を削減することができ、レーザチップの発熱を放
熱板まで良好に伝導させることできるので、レーザチッ
プの放熱性を向上させることができる。
導体レーザ装置であって、リードフレームと放熱板とが
一体に形成されていることにより、半導体レーザ装置の
部品数を削減することができ、レーザチップの発熱を放
熱板まで良好に伝導させることできるので、レーザチッ
プの放熱性を向上させることができる。
【００６６】請求項３記載の発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置であって、放熱板が複数の部品からなる
ことにより、放熱板をＬ字型に形成するような場合、こ
れを二個の平板で形成するようなことができ、放熱板の
生産性を向上させるようなことができる。
導体レーザ装置であって、放熱板が複数の部品からなる
ことにより、放熱板をＬ字型に形成するような場合、こ
れを二個の平板で形成するようなことができ、放熱板の
生産性を向上させるようなことができる。
【００６７】請求項４記載の発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置であって、レーザチップが装着されたリ
ードフレームの側方に配線用のリードフレームが配置さ
れており、樹脂モールドの端面の前記リードフレームが
突出する位置に凸部が形成されていることにより、樹脂
モールドを機器に装着するときにリードフレームの周囲
に金属の部品を配置する場合でも、この金属の部品とリ
ードフレームとが短絡することを樹脂モールドの凸部に
より防止することができる。
導体レーザ装置であって、レーザチップが装着されたリ
ードフレームの側方に配線用のリードフレームが配置さ
れており、樹脂モールドの端面の前記リードフレームが
突出する位置に凸部が形成されていることにより、樹脂
モールドを機器に装着するときにリードフレームの周囲
に金属の部品を配置する場合でも、この金属の部品とリ
ードフレームとが短絡することを樹脂モールドの凸部に
より防止することができる。
【００６８】請求項５記載の発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置であって、フランジ部の外周面の少なく
とも一部がレーザチップの光軸を中心とした円筒形に形
成されていることにより、従来のキャンタイプの場合と
同様に半導体レーザ装置をフランジ部で機器に装着すれ
ば、レーザチップのレーザ光を従来のキャンタイプと同
一の位置に正確に出射することができる。
導体レーザ装置であって、フランジ部の外周面の少なく
とも一部がレーザチップの光軸を中心とした円筒形に形
成されていることにより、従来のキャンタイプの場合と
同様に半導体レーザ装置をフランジ部で機器に装着すれ
ば、レーザチップのレーザ光を従来のキャンタイプと同
一の位置に正確に出射することができる。
【００６９】請求項６記載の発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置であって、フランジ部の外周面にリード
フレームの表面と平行な平面が形成されていることによ
り、樹脂モールドを金型のキャビティで成形する場合
に、このキャビティから樹脂モールドを押し出すスライ
ド自在なピンをフランジ部の外周面の平面の部分に当接
させることができるので、樹脂モールドの破損を防止す
るようなことができる。
導体レーザ装置であって、フランジ部の外周面にリード
フレームの表面と平行な平面が形成されていることによ
り、樹脂モールドを金型のキャビティで成形する場合
に、このキャビティから樹脂モールドを押し出すスライ
ド自在なピンをフランジ部の外周面の平面の部分に当接
させることができるので、樹脂モールドの破損を防止す
るようなことができる。
【００７０】請求項７記載の発明は、請求項５記載の半
導体レーザ装置であって、フランジ部の外周面にリード
フレームの表面と直交して相互に平行な一対の平面が形
成されていることにより、樹脂モールドをフランジ部の
一対の平面の部分で保持できるので、半導体レーザ装置
の組立性を向上させることができる。請求項８記載の発
明は、請求項１記載の半導体レーザ装置であって、樹脂
モールドがレーザチップを露出させる形状に形成されて
おり、レーザ光が透過する材料からなり前記レーザチッ
プを密閉する樹脂キャップが前記樹脂モールドに装着さ
れていることにより、樹脂モールドを成形してからレー
ザチップをリードフレームに実装することができるの
で、樹脂モールドの成形時の高温や高圧によるレーザチ
ップの破損や劣化を防止することができ、それでいて、
このレーザチップを樹脂キャップにより密閉することが
できるので、レーザチップを外界の湿度などから良好に
保護することができる。
導体レーザ装置であって、フランジ部の外周面にリード
フレームの表面と直交して相互に平行な一対の平面が形
成されていることにより、樹脂モールドをフランジ部の
一対の平面の部分で保持できるので、半導体レーザ装置
の組立性を向上させることができる。請求項８記載の発
明は、請求項１記載の半導体レーザ装置であって、樹脂
モールドがレーザチップを露出させる形状に形成されて
おり、レーザ光が透過する材料からなり前記レーザチッ
プを密閉する樹脂キャップが前記樹脂モールドに装着さ
れていることにより、樹脂モールドを成形してからレー
ザチップをリードフレームに実装することができるの
で、樹脂モールドの成形時の高温や高圧によるレーザチ
ップの破損や劣化を防止することができ、それでいて、
このレーザチップを樹脂キャップにより密閉することが
できるので、レーザチップを外界の湿度などから良好に
保護することができる。
【００７１】請求項９記載の発明は、請求項８記載の半
導体レーザ装置であって、樹脂キャップがＬ字状に形成
されていることにより、簡単な形状の樹脂キャップでレ
ーザチップを良好に密閉することができ、樹脂キャップ
のレーザチップが対向する部分を平板とすることができ
るので、レーザ光を良好に透過させることができる。
導体レーザ装置であって、樹脂キャップがＬ字状に形成
されていることにより、簡単な形状の樹脂キャップでレ
ーザチップを良好に密閉することができ、樹脂キャップ
のレーザチップが対向する部分を平板とすることができ
るので、レーザ光を良好に透過させることができる。
【００７２】請求項１０記載の発明は、請求項８記載の
半導体レーザ装置であって、樹脂キャップがアクリル系
かエポキシ系の樹脂で形成されていることにより、樹脂
キャップを一般的な樹脂を材料として製作することがで
き、この材料を樹脂モールドと同一として熱膨張率の相
違による剥離を防止するようなこともできる。
半導体レーザ装置であって、樹脂キャップがアクリル系
かエポキシ系の樹脂で形成されていることにより、樹脂
キャップを一般的な樹脂を材料として製作することがで
き、この材料を樹脂モールドと同一として熱膨張率の相
違による剥離を防止するようなこともできる。
【００７３】請求項１１記載の発明は、請求項８記載の
半導体レーザ装置であって、樹脂キャップの少なくとも
レーザ光が透過する位置にレーザ光の透過率が向上する
表面処理が施されていることにより、レーザチップから
出射されたレーザ光を高効率に透過させることができ
る。
半導体レーザ装置であって、樹脂キャップの少なくとも
レーザ光が透過する位置にレーザ光の透過率が向上する
表面処理が施されていることにより、レーザチップから
出射されたレーザ光を高効率に透過させることができ
る。
【００７４】請求項１２記載の発明の半導体レーザ装置
の製造方法は、レーザチップが表面に装着されるリード
フレームの裏面に放熱板を設け、樹脂モールドを、その
本体部の末端外周にフランジ部が突設された外形に成形
するキャビティが形成された金型を用意し、該金型のキ
ャビティに前記リードフレームを前記放熱板により位置
決めし、該放熱板が前記フランジ部の両方の端面の少な
くとも一方に露出する状態で前記リードフレームを封止
する前記樹脂モールドを前記金型のキャビティで成形す
るようにしたことにより、生産性が良好な樹脂モールド
タイプでありながら、レーザチップの放熱性が高く、従
来のキャンタイプと互換性があり、レーザ光を正確な位
置に出射できる半導体レーザ装置を製造することができ
る。
の製造方法は、レーザチップが表面に装着されるリード
フレームの裏面に放熱板を設け、樹脂モールドを、その
本体部の末端外周にフランジ部が突設された外形に成形
するキャビティが形成された金型を用意し、該金型のキ
ャビティに前記リードフレームを前記放熱板により位置
決めし、該放熱板が前記フランジ部の両方の端面の少な
くとも一方に露出する状態で前記リードフレームを封止
する前記樹脂モールドを前記金型のキャビティで成形す
るようにしたことにより、生産性が良好な樹脂モールド
タイプでありながら、レーザチップの放熱性が高く、従
来のキャンタイプと互換性があり、レーザ光を正確な位
置に出射できる半導体レーザ装置を製造することができ
る。
【００７５】請求項１３記載の発明は、請求項１２記載
の製造方法であって、キャビティから樹脂モールドを押
し出すピンを金型にスライド自在に設け、前記ピンを前
記樹脂モールドのフランジ部の外周面に対向させ、前記
樹脂モールドの前記ピンが当接する位置を平面に形成す
るようにしたことにより、金型のキャビティで成形され
た樹脂モールドをピンで押し出すことができ、このピン
が樹脂モールドのフランジ部の外周面の平面の部分に当
接するので、樹脂モールドを金型から容易に取り出すこ
とができ、その場合に樹脂モールドをピンで破損するこ
とを防止できる。
の製造方法であって、キャビティから樹脂モールドを押
し出すピンを金型にスライド自在に設け、前記ピンを前
記樹脂モールドのフランジ部の外周面に対向させ、前記
樹脂モールドの前記ピンが当接する位置を平面に形成す
るようにしたことにより、金型のキャビティで成形され
た樹脂モールドをピンで押し出すことができ、このピン
が樹脂モールドのフランジ部の外周面の平面の部分に当
接するので、樹脂モールドを金型から容易に取り出すこ
とができ、その場合に樹脂モールドをピンで破損するこ
とを防止できる。
【００７６】請求項１４記載の発明は、請求項１２記載
の製造方法であって、樹脂モールドのフランジ部の外周
面にリードフレームの表面と直交して相互に平行な一対
の平面を形成し、成形された樹脂モールドを前記フラン
ジ部の一対の平面で保持するようにしたことにより、成
形された樹脂モールドをフランジ部の一対の平面の部分
で保持することができるので、半導体レーザ装置の組立
性を向上させることができる。
の製造方法であって、樹脂モールドのフランジ部の外周
面にリードフレームの表面と直交して相互に平行な一対
の平面を形成し、成形された樹脂モールドを前記フラン
ジ部の一対の平面で保持するようにしたことにより、成
形された樹脂モールドをフランジ部の一対の平面の部分
で保持することができるので、半導体レーザ装置の組立
性を向上させることができる。
【００７７】請求項１５記載の発明は、請求項１２記載
の製造方法であって、樹脂モールドをレーザチップが露
出する形状に形成し、レーザ光が透過する樹脂キャップ
を前記樹脂モールドとは別体に形成し、該樹脂モールド
に前記樹脂キャップを装着して前記レーザチップを密閉
するようにしたことにより、樹脂モールドの成形後にリ
ードフレームにレーザチップを実装することができるの
で、樹脂モールドの成形時の高温や高圧によるレーザチ
ップの破損や劣化を防止することができ、それでいて、
このレーザチップを樹脂キャップにより密閉することが
できるので、レーザチップを外界の湿度などから良好に
保護することができる。
の製造方法であって、樹脂モールドをレーザチップが露
出する形状に形成し、レーザ光が透過する樹脂キャップ
を前記樹脂モールドとは別体に形成し、該樹脂モールド
に前記樹脂キャップを装着して前記レーザチップを密閉
するようにしたことにより、樹脂モールドの成形後にリ
ードフレームにレーザチップを実装することができるの
で、樹脂モールドの成形時の高温や高圧によるレーザチ
ップの破損や劣化を防止することができ、それでいて、
このレーザチップを樹脂キャップにより密閉することが
できるので、レーザチップを外界の湿度などから良好に
保護することができる。
【図１】本発明の実施の一形態の半導体レーザ装置を示
す三面図である。
す三面図である。
【図２】半導体レーザ装置を示す斜視図である。
【図３】半導体レーザ装置を機器本体に組み付けた状態
を示す二面図である。
を示す二面図である。
【図４】（ａ）は本実施の形態の半導体レーザ装置の出
力特性を示すグラフ、（ｂ）は従来のキャンタイプの出
力特性を示すグラフである。
力特性を示すグラフ、（ｂ）は従来のキャンタイプの出
力特性を示すグラフである。
【図５】本発明の製造方法を示すフローチャートであ
る。
る。
【図６】放熱板の製造方法を示す工程図である。
【図７】射出成形装置を示す斜視図である。
【図８】樹脂モールドの材料となる樹脂粉末を示す模式
図である。
図である。
【図９】金型の構造を示す縦断側面図である。
【図１０】樹脂モールドの製造方法の後半部を示す工程
図である。
図である。
【図１１】放熱板の製造方法の一変形例を示す工程図で
ある。
ある。
【図１２】一変形例の半導体レーザ装置を示す斜視図で
ある。
ある。
【図１３】第一の従来例の半導体レーザ装置を示す斜視
図である。
図である。
【図１４】半導体レーザ装置を機器本体に組み付けた状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図１５】第二の従来例の半導体レーザ装置を示す二面
図である。
図である。
【図１６】第三の従来例の半導体レーザ装置を示す斜視
図である。
図である。
２ レーザチップ ３１，７１ 半導体レーザ装置 ３２ ヒートシンク ３３ リードフレーム ３４，３５ リードフレーム ３６，７３ 樹脂モールド ３７ 本体部 ３８ フランジ部 ３９ 放熱板 ４０，４１ 端面 ４２，７２ 樹脂キャップ ４３ フォトダイオード ４４ ボンディングワイヤ ４５ 凸部 ４６ 内部リード部 ４７ タイバー部 ４８ 外周面 ４９ 平面 ５０ 平面 ５１ 保持具 ５２ 開口孔 ５３ 金型 ５４ 部材 ５５ 固定金型 ５６ 可動金型 ５７ 射出成形装置 ５８ 樹脂粉末 ６０ キャビティ ６１，６２ 凹部 ６３ スライド部 ６４ 樹脂 ６５ スライドピン ６６ 金属板
Claims (15)
- 【請求項１】 レーザ光を出射するレーザチップを、そ
の光軸と平行なリードフレームの表面に装着し、該リー
ドフレームの少なくとも一部を樹脂モールドで封止した
半導体レーザ装置において、 前記樹脂モールドを、その本体部の末端外周にフランジ
部が突設された外形に形成し、 前記リードフレームの裏面に放熱板を設け、 該放熱板を前記フランジ部の両方の端面の少なくとも一
方に露出させたことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 リードフレームと放熱板とが一体に形成
されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レー
ザ装置。 - 【請求項３】 放熱板が複数の部品からなることを特徴
とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 レーザチップが装着されたリードフレー
ムの側方に配線用のリードフレームを配置し、樹脂モー
ルドの端面の前記リードフレームが突出する位置に凸部
を形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体レー
ザ装置。 - 【請求項５】 フランジ部の外周面の少なくとも一部が
レーザチップの光軸を中心とした円筒形に形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 フランジ部の外周面にリードフレームの
表面と平行な平面が形成されていることを特徴とする請
求項５記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 フランジ部の外周面にリードフレームの
表面と直交して相互に平行な一対の平面が形成されてい
ることを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項８】 樹脂モールドがレーザチップを露出させ
る形状に形成されており、レーザ光が透過する材料から
なり前記レーザチップを密閉する樹脂キャップが前記樹
脂モールドに装着されていることを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項９】 樹脂キャップがＬ字状に形成されている
ことを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１０】 樹脂キャップがアクリル系かエポキシ
系の樹脂で形成されていることを特徴とする請求項８記
載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１１】 樹脂キャップの少なくともレーザ光が
透過する位置にレーザ光の透過率が向上する表面処理が
施されていることを特徴とする請求項８記載の半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項１２】 レーザチップが表面に装着されるリー
ドフレームの裏面に放熱板を設け、 樹脂モールドを、その本体部の末端外周にフランジ部が
突設された外形に成形するキャビティが形成された金型
を用意し、 該金型のキャビティに前記リードフレームを前記放熱板
により位置決めし、 該放熱板が前記フランジ部の両方の端面の少なくとも一
方に露出する状態で前記リードフレームを封止する前記
樹脂モールドを前記金型のキャビティで成形するように
したことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１３】 キャビティから樹脂モールドを押し出
すピンを金型にスライド自在に設け、前記ピンを前記樹
脂モールドのフランジ部の外周面に対向させ、前記樹脂
モールドの前記ピンが当接する位置を平面に形成するよ
うにしたことを特徴とする請求項１２記載の半導体レー
ザ装置の製造方法。 - 【請求項１４】 樹脂モールドのフランジ部の外周面に
リードフレームの表面と直交して相互に平行な一対の平
面を形成し、成形された樹脂モールドを前記フランジ部
の一対の平面で保持するようにしたことを特徴とする請
求項１２記載の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１５】 樹脂モールドをレーザチップが露出す
る形状に形成し、レーザ光が透過する樹脂キャップを前
記樹脂モールドとは別体に形成し、該樹脂モールドに前
記樹脂キャップを装着して前記レーザチップを密閉する
ようにしたことを特徴とする請求項１２記載の半導体レ
ーザ装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09005489A JP3082695B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 半導体レーザ装置、その製造方法 |
| US09/008,511 US6181720B1 (en) | 1997-01-16 | 1998-01-16 | Semiconductor laser device and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09005489A JP3082695B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 半導体レーザ装置、その製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209551A true JPH10209551A (ja) | 1998-08-07 |
| JP3082695B2 JP3082695B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=11612670
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09005489A Expired - Fee Related JP3082695B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 半導体レーザ装置、その製造方法 |
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|---|---|
| US (1) | US6181720B1 (ja) |
| JP (1) | JP3082695B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007275A1 (en) * | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
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