JPH10214871A - ロードロック装置 - Google Patents

ロードロック装置

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JPH10214871A
JPH10214871A JP9312222A JP31222297A JPH10214871A JP H10214871 A JPH10214871 A JP H10214871A JP 9312222 A JP9312222 A JP 9312222A JP 31222297 A JP31222297 A JP 31222297A JP H10214871 A JPH10214871 A JP H10214871A
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load lock
chamber
housing
central
opening
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JP9312222A
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R Cloker Tony
アール クローカー トニー
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Applied Materials Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 中央チャンバに２つ以上のロードロックチャ
ンバを取り付けた機能的なロードロック装置を提供す
る。 【解決手段】 この中央チャンバは、シリコンウェハ上
に集積回路を形成するための基板処理プラットホームの
ような真空チャンバ中の単一開口に取り付けられる。各
ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバが大気
圧に開いているときにシール状態を維持する半シリンダ
バルブを備えるのが好ましい。各ロードロックチャンバ
内に配置されるウェハカセットホルダが、半シリンダバ
ルブが大気圧から真空チャンバをシールしている間に、
装填されたり、取り出されたりできる。ロードロックチ
ャンバが真空にあるとき、半シリンダバルブが開位置に
ピボット回転し、全体のウェハカセットがロードロック
チャンバから中央チャンバに動く。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チャンバ内で真空
が維持されている間に、真空チャンバの装填及び取出し
に関し、特に基板処理プラットホームのシリコン基板を
装填するロードロック装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】処理プラットホームにおいて多くの基板
処理ユニットを結合するクラスタツールが、改良マイク
ロエレクトロニクス製造分野において有効で効率的な概
念として一般に受け入れられようになった。クラスタツ
ールは、一般に、モジュールマルチチャンバ統合型処理
システムと言われる。通常、これは、中央ウェハ取扱真
空チャンバと、多くの周辺真空処理チャンバとから構成
される。シリコンウェハは、様々な処理ステーションに
おいて、周囲環境に曝されることなく、真空下で一連の
処理ステップを行われる。これらの処理のために、ウェ
ハは、真空条件下に維持されているウェハ取扱真空チャ
ンバによって移送される。クラスタツールは、その低い
欠陥密度のために、かなり高い歩留りを提供する。異な
るタイプの機構を伴った直線形又は放射状のような別の
種類のクラスタツールも同様である。
【０００３】基板処理プラットホームは、真空チャンバ
が真空に保たれている間、シリコンウェハを装填又は取
出しするために、中央ウェハ取扱真空チャンバにおいて
別の開口に取り付けられた少なくとも２つのロードロッ
クチャンバを含むのが典型的である。ロードロックチャ
ンバは、処理プラットホームで、もしロードロックチャ
ンバがなければ他の処理チャンバに用いられるであろう
貴重な位置を占める。しかしながら、２つのチャンバ
は、通常、処理済ウェハが一方のチャンバから取り出さ
れ、新しいウェハが装填されている間に、他方のロード
ロックチャンバからのウェハが処理されるような連続動
作を維持するように要求される。図１（従来技術）は、
登録商標 Endura でアプライドマテリアルズ社より提供
される商業的に入手可能な基板処理プラットホームを示
す。このプラットホームは、10-3から10-8トルの範囲の
低／高圧真空でシリコンウェハを処理するように設計さ
れた真空チャンバを結合する。
【０００４】図１を参照すると、カセット１０にあるシ
リコンウェハが、第１ロードロックチャンバ１２により
第１スリットバルブを通じて、又は第２ロードロックチ
ャンバ１４により第２スリットバルブを通じて、プラッ
トホームに導かれ又はプラットホームから引っ込められ
る。ブレード１８を有する第１ロボット１６は、バッフ
ァチャンバ２０内に位置し、バッファチャンバ２０を取
り囲む様々なチャンバ２４、２６、２８の間でウェハ２
２を動かす。第２ロボット３０は、移送チャンバ３２内
に配置され、移送チャンバ３２を取り囲む様々なチャン
バ２８、３６の間でウェハ３４を動かす。バッファチャ
ンバ２０及び移送チャンバ３２は、２つの共通のチャン
バ２８を介して連結している。該分野においては、ウェ
ハに所望の半導体構造を製造するために、ウェハが１つ
以上のチャンバにおいて多数回の処理及び冷却を行われ
ると考えられている。マイクロプロセッサコントローラ
３８及び関連するソフトウェアは、ウェハの処理及び移
動を制御するために備えられる。
【０００５】２つ以上のロードロックチャンバを、処理
プラットホーム内の単一のスリットバルブに連結する試
みは、失敗に終わってきた。このような装置は、ウェハ
カセット全体を移送するための十分に大きい内部バルブ
を備えなければならない。ロードロックチャンバが大気
に開放され、高真空にあるチャンバに取り付けられてい
るときに、大きなバルブをシールすることは困難であ
る。本発明の目的は、基板処理プラットホームにおける
単一のスリットバルブに２つのロードロックチャンバを
取り付けるロードロック装置を提供することである。本
発明の別の目的は、ロードロックチャンバが高真空状態
にある真空チャンバの開口に取り付けられるとき、シー
ルされた状態を維持するロードロックチャンバに大きな
バルブを提供することである。
【０００６】
【発明の概要】本発明は、中央チャンバに取り付けられ
た２つ以上のロードロックチャンバを有する機能的ロー
ドロック装置を提供するものであり、この中央チャンバ
は、シリコンウェハ上に集積回路を形成する基板処理プ
ラットホームなどの真空チャンバにおける単一の開口に
取り付けられることができる。本発明は、ロードロック
チャンバに取り付けられる半シリンダバルブを有するロ
ードロック装置を提供する。ロードロックチャンバが大
気圧に対して開いているとき、半シリンダバルブはシー
ルされた状態を保つ。各ロードロックチャンバ内に配置
されるウェハカセットホルダは、半シリンダバルブが大
気圧から真空チャンバをシールしている間、装填され又
は取り出されることが可能である。ロードロックチャン
バが真空下にあるとき、半シリンダバルブは開位置にピ
ボット回転し、ウェハカセット全体が、ロードロックチ
ャンバから中央チャンバに移動する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、一般に中央移送領域に
選択的に連結可能な２つ以上の分離可能領域を有するロ
ードロックチャンバを提供する。このロードロックチャ
ンバは、真空システムに取り付けられるのが好ましく、
中央移送領域は、真空システムに選択的に連結すること
ができる。各ロードロック領域は、側壁に装填ポートを
形成し、装填ポートに取り付けられたドアバルブと、移
送領域に選択的に連結可能な移送ポートを有する。バル
ブは各領域中で回転可能に存在し、各ロードロック領域
を移送領域に選択的に連結する。ロードロックチャンバ
の中央ハウジングは、真空システムに選択的に連結可能
な移送ポートと、各ロードロック領域に選択的に連結可
能なポートを有し、ウェハが、各ロードロック領域から
移送領域に、それから真空システムに移される。
【０００８】本発明の１つの実施例においては、シール
バルブが各ロードロック領域に配置され、ロードロック
領域と移送領域とを選択的に連結する。このバルブは、
ロードロック領域において回転可能に配置された半シリ
ンダバルブであるのが好ましい。ウェハカセットホルダ
は、各ロードロック領域中に移動可能に配置されるシャ
フトに取り付けられ、ウェハカセットを移送領域に動か
す。ステッパモータのようなエレベータ機構が、ロード
ロック領域内でカセットホルダを動かし、ロードロック
領域と中央移送領域の間でウェハカセットホルダを移送
する。１つの実施例においては、少なくとも２つのロー
ドロックハウジングが、中央ハウジングに取り付けら
れ、真空チャンバの別の開口に取り付けられる第２ロー
ドロックチャンバの必要性をなくする。
【０００９】本発明のロードロックチャンバは、真空シ
ステムに設けられたマイクロプロセッサコントローラに
より作動されるのが好ましい。ロードロックチャンバを
作動するシーケンス及びタイミングは、第１ロードロッ
ク領域が装填され、選択された圧力まで圧力を下げら
れ、それからウェハカセットが移送領域に動かされ、ウ
ェハが真空システムに移されるように定められる。ウェ
ハが処理されている間、第２ロードロック領域が装填さ
れ、所望の圧力まで下げられる。第１領域から移動した
ウェハが処理された後、ウェハカセットはロードロック
領域に戻され、移送領域とロードロック領域の間にある
バルブが閉じられる。第２ロードロック領域にあるウェ
ハカセットは、それから移送領域に移され、ウェハがシ
ステムに装填される。
【００１０】ロードロックチャンバと中央移送チャンバ
の間にあるポートに配置された半シリンダバルブを備え
る２つ以上のロードロックチャンバを有して、真空シス
テムに取り付けるのに好ましいロードロック装置が、図
２〜１５を参照して説明される。様々なチャンバ構成要
素は、アルミニウムから機械加工されるのが好ましい
が、該分野において知られている真空処理に適合する別
の材料から構成されてもよい。図２は、図１の放射状ク
ラスタツールのような基板処理プラットホームにおける
スリットバルブに取り付けるための２つのロードロック
チャンバを有する本発明の好適なロードロック装置の正
面図である。このロードロックチャンバは、中央チャン
バの回りで垂直方向に整列されるのが好ましく、隣接す
るスリットバルブの位置に処理チャンバ用の空間を形成
する。図２を参照すると、ロードロック装置４０が、処
理プラットホームのスリットバルブに連結するためのス
リット４８を有する中央ハウジング４２を備える。スリ
ット４８は、シリコンウェハの通路に対応する幅を有す
るのが通常である。しかしながら、２つのウェハを並ん
で通過させる２倍の幅のスリットを使用することも意図
される。中央ハウジング４２は、処理プラットホーム５
２に共通して設けられる、又はオプションとしてロード
ロック装置に設けられる真空システムに接続するための
真空ポート５４を有する。
【００１１】ロードロック装置は、さらに中央ハウジン
グ４２に取り付けられた第１ロードロックハウジング５
６を有する。第１ロードロックハウジング５６に係合す
る外部ノッブ６８を有するドアバルブ６６は、図５に関
して後述するように、ウェハの装填及び取出しを行うた
めのアクセスを与える。好ましくは、ドアバルブ６６
は、処理プラットホームにより自動的に作動される。自
動ドアバルブは、図１のロードロックチャンバで商業的
に用いられ、本発明にも含めることができる。第１ロー
ドロックハウジング５６の真空ポート７０は、処理プラ
ットホーム５２に共通して設けられ、またはオプション
としてロードロック装置に設けられる真空システムに連
結する。真空システムは、典型的にはロードロックチャ
ンバにおいて0.01トルよりも低い圧力を達成できる。
【００１２】回転可能シール７６が、ロードロックハウ
ジング５６の両側に取り付けられ、ピボットピン８２
が、回転可能シール７６に回転可能に取り付けられる。
空気圧作動アーム７８は、一端でロードロックハウジン
グ５６に外部で固着され、他端は、ピボットピン８２に
固着されたピボットアーム８０にピボット可能にリンク
される。第１カセットエレベータ９０の外部構成要素
は、ロードロックハウジング５６に取り付けられ、空気
圧作動アーム７８の端部に固着するシールド９８によっ
て保護される。空気圧作動アーム７８の伸縮は、ピボッ
トピン８２を回転し、図４に関して以下に示されるよう
に内部構成要素を作動する。第１カセットエレベータ９
０が、図５に関して説明されるように、装置内でウェハ
カセットを動かし、ロードロックハウジング５６に取り
付けられたパッキングランド９４をスライドするシャフ
ト９２を外部に備える。
【００１３】ロードロック装置４０は、中央ハウジング
４２に取り付けられた第２ロードロックハウジング１０
０を備える。第２ロードロックハウジング１００に係合
するノッブ１１２を有するドアバルブ１１０が、以下に
図５に関して説明されるように、ウェハの装填及び取出
しを行うアクセスをもたらす。ドアバルブ１１０は、上
述されたように、処理プラットホーム５２により自動的
に作動されるのが好ましい。第２ロードロックハウジン
グ１００の真空ポート１１４が、第１ロードロックハウ
ジング５６の真空ポート７０に関して説明されるように
真空システムに結合する。ロードロック装置は、第１ロ
ードロックハウジング５６に関して説明されたように、
第２ロードロックハウジング１００に、さらに回転可能
シール１２０及びピボットピン１２６を備える。空気圧
作動アーム１２２は、一端でロードロックハウジング１
００に固着され、他端が、ピボットピン１２６に固着さ
れるピボットアーム１２４にリンクされる。第２カセッ
トエレベータ１３０の外部構成要素は、ロードロックハ
ウジング１００に取り付けられ且つ空気圧作動アーム１
２２の一端を固定するシールド１３８により保護され
る。空気圧作動アーム１２２の伸縮は、ピボットピン１
２６を回転させ、図４に関して後述される内部構成要素
を作動させる。
【００１４】第２カセットエレベータ１３０は、図５に
関して説明されるように装置内で第２ウェハカセットを
動かし、第２ロードロックハウジング１００に取り付け
られたパッキングランド１３４を通してスライドさせる
シャフト１３２を外部に備える。図３は、図２のロード
ロック装置の側面図であり、第１空気圧アーム７８が延
びた位置にあり、対照的に第２空気圧アーム１２２が縮
んだ位置にある状態を示す。図４は、内部チャンバ及び
半シリンダバルブを示す図２のロードロック装置の側方
断面図である。中央ハウジング４２は、第１開口４４及
び第２開口４６と、中央ハウジング内の中央チャンバ５
０と処理プラットホーム５２の間で基板を移送するスリ
ット４８とを内部に備える。第１ロードロックハウジン
グ５６は、中央ハウジング４２の第１開口４４に隣接す
る第１開口５８を有し、中央チャンバ５０と、第１ロー
ドロックハウジング５６内の第１ロードロックチャンバ
６２の間で第１基板カセットホルダ６０（図５参照）を
移送する。第１ロードロックハウジング５６は、ドアバ
ルブ６６を通じて第１基板カセットホルダ６０を装填又
は取出しする第２開口６４を備える。
【００１５】ロードロック装置４０は、第１ロードロッ
クハウジング５６にピボット回転可能に取り付けられる
第１半シリンダバルブ７２を内部に備える。半シリンダ
バルブ７２は、偏心支持７５に固定される可撓性ブラケ
ット７４に、一方の側でねじなどによって固定される。
各偏心支持７５は、図２に関して説明されたように、ロ
ードロックハウジング５６を通過するピボットピン８２
の１つに固定される。空気圧作動アーム７８の伸縮は、
偏心支持７５を回転し、開位置と閉位置の間で半シリン
ダバルブ７２を動かし、第１ロードロックチャンバ６２
と中央チャンバ５０とを選択的に連結する。半シリンダ
バルブ７２とロードロックハウジング５６に接続するこ
とは、様々な方法によって実現可能である。図４に示さ
れる可撓性ブラケット７４、偏心支持７５及び回転可能
シール７６が、ロードロックチャンバ６２の内部バルブ
構成要素の磨耗を最小にしながら、真空の漏れを最小に
する。
【００１６】第２ロードロックハウジング１００が、中
央ハウジング４２の第２開口４６に隣接する第１開口１
０２を備え、中央チャンバ５０と、第２ロードロックハ
ウジング１００内の第２ロードロックチャンバ１０６の
間で第２基板カセットホルダ（図５参照）を移送する。
第２ロードロックハウジング１００は、ドアバルブ１１
０を通じて第２基板カセットホルダ１０４を装填又は取
出しするための第２開口１０８をさらに備える。ロード
ロック装置は、第１半シリンダバルブ７２に関して説明
したように、可撓性ブラケット１１８、偏心支持１１
９、ピボットピン１２６及び回転可能シール１２０によ
って第２ロードロックハウジング１００にピボット回転
可能に取り付けられた第２半シリンダバルブ１１６をさ
らに備える。半シリンダバルブ１１６は、第１半シリン
ダバルブ７２に関して説明される、同一のバルブストッ
プ８３と同一の運動（図１０〜１２参照）を有する。
【００１７】図５は、内部半シリンダバルブとウェハカ
セットを示す図２のロードロック装置の後方断面図であ
る。第１半シリンダバルブ７２はこの図面から取り除か
れ、第１半シリンダバルブを位置させるための第１ロー
ドロックハウジング５６の半シリンダ面８８を示す。ロ
ードロック装置４０は、第１基板カセットホルダ６０に
取り付けられた第１カセットエレベータ９０をさらに備
え、第１ロードロックチャンバ６２と中央チャンバ５０
の間で第１基板カセットホルダを動かす。第１カセット
エレベータ９０は、例えばロードロックハウジング５６
上に取り付けられるパッキングランド９４を通ってスラ
イドするシャフト９２のような、カセットホルダ６０を
動かすいかなる手段であってもよい。シャフト９２は、
カセットホルダ６０を中央チャンバ５０のスリット４８
に整列させるねじ廻しシステム９６（図３参照）に係合
するのが好ましい。
【００１８】ロードロック装置４０は、第２基板カセッ
トホルダ１０４に取り付けられる第２カセットエレベー
タ１３０をさらに備え、第２ロードロックチャンバ１０
６及び中央チャンバ５０の間で第２基板カセットホルダ
を動かす。第２カセットエレベータ１３０は、ロードロ
ックハウジング１００に取り付けられるパッキングラン
ド１３４を通ってスライドするシャフト１３２のよう
な、カセットホルダ１０４を動かすいかなる手段であっ
てもよい。シャフト１３２は、ねじ廻しシステム１３６
（図３参照）に係合する。各基板カセットホルダ６０、
１０４は、ウェハを受け取る個々のスリットを備えるこ
とができ、またオプションとして、外部ウェハカセット
が基板カセットホルダに滑り込んで装填及び取出しを迅
速に行わせるように、外部ウェハカセットを収容しても
よい。各カセットエレベータ９０、１３０は、垂直方向
にインデックス可能(indexable) であり、各基板カセッ
トホルダ６０、１０４における全ての基板が、中央ハウ
ジング４２内のスリット４８を通じて第１ロボット１４
０によって送られることができる。例えば、コンピュー
タ制御ステッパモータ駆動リードねじ廻しシステム９
６、１３６が、基板カセットホルダ６０、１０４を配置
するために用いられ、各ロードロックハウジング４２、
１００内のドアバルブ６６、１１２を通じてウェハの装
填及び取出しを行い、中央ハウジング４２内のスリット
４８を通じてウェハの装填及び取出しを行う。ねじ廻し
システムは、図１の商業的に利用可能なプラットホーム
上の同一機能を実行するために現在のところ用いられ
る。
【００１９】図６〜９は、図５に示されたロードロック
装置内部のチャンバを切った水平横断面を示す。図６
は、第１ロードロックハウジング５６の半シリンダ面８
８を向いた第１ロードロックチャンバ６２の横断面を示
す。この図は、第１ロードロックハウジング５６内の第
１開口５８と、バルブストップ８３とを示す。図７は、
第２ロードロックハウジング４２内の第１開口１０２を
向いた中央チャンバ５０の横断面を示す。図８は、第２
ロードロックチャンバ１０６と、第２基板ホルダ１０４
に取り付けられるシャフト１３２の横断面である。図９
は、第２ロードロックハウジング１００の外側にあるパ
ッキングランド１３４を向いたシャフト１３２の横断面
である。図１０〜１２は、第１半シリンダバルブ７２の
運動を示す。ピボットピン８２の回転は、可撓性ブラケ
ット７４及び半シリンダバルブ７２に取り付けられる偏
心支持７５を回転する。ピボットピン４２の最初の回転
は、半シリンダバルブ７２を、図１０に示される開位置
から、図１１に示される閉位置に動かし、そこで可撓性
ブラケット７４はバルブストップ８３により動きを止め
られる。ピボットピン８２がさらに回転すると、可撓性
ブラケット７４は偏心支持７５から離れる方向に撓み、
半シリンダバルブ７２を外向きに押して、ロードロック
ハウジング５６の半シリンダ面８８に接触させる。ロー
ドロックチャンバ６２を大気圧にガス抜きすると、半シ
リンダバルブ７２が半シリンダ面８８に対して、よりし
っかりと押さえつけられる。従って、ロードロックチャ
ンバ６２と中央チャンバ５０の間のウェハ装填及び取出
し中の高い圧力差は、半シリンダバルブ７２回りを高度
に密封し、中央チャンバ５０をシーリングする補助をす
る。半シリンダバルブ７２は、中央チャンバ５０とロー
ドロックチャンバ６２の間に圧力差が存在している間は
動かされない。ロードロックチャンバ６２が中央チャン
バ５０と同じ真空度まで排気された後、半シリンダバル
ブ７２は開かれる。空気圧アーム７８の縮みは、ロード
ロックハウジング５６の半シリンダ面８８から離れる方
向に半シリンダバルブ７２を引っ張ることによって、半
シリンダバルブ７２を開く。
【００２０】図１３〜１５は、磨耗したときに交換する
ことができる分離可能バルブシールを示す半シリンダバ
ルブの詳細図である。図１３は、半シリンダバルブの各
端部を支持する可撓性ブラケット７４を示す半シリンダ
バルブ７２の部分横断面図である。半シリンダバルブ７
２は、分離可能シール８４を有するのが好ましく、この
シールは、平坦アルミニウムシートの両側にチャネルを
機械加工し、シートを所望の形状に丸めることによって
形成される。VITON フルオロエラストマ（デュポンの登
録商標）などの耐久性エラストマシール８６は、分離可
能シール８４のチャネルに接着される。外部エラストマ
シール８６は、第１ロードロックハウジング５６の第１
開口５８回りの半シリンダ面８８に支えられる。内部エ
ラストマシール８６は、外部シールと同じものであるの
が好ましいが、分離可能シール８４のチャネルに接着し
ないＯリングであってもよい。図１４は、分離可能シー
ル８４とエラストマシール８６の横断面である。図１５
は、エラストマシール８６が分離可能シール８４の周部
近くに配置されている状態を示す分離可能シール８４の
平面図である。
【００２１】図１６は、図１の商業的に利用可能な基板
処理プラットホーム５２に取り付けられた本発明のロー
ドロック装置４０を示す。ブレード１４２を備える第１
ロボット１４０は、バッファチャンバ１４４に位置し、
ウェハ１４６を、バッファチャンバ１４４を取り囲む様
々なチャンバ１５０、１５２、１５４の間で動かす。第
２ロボット１６０が移送チャンバ１６２に位置し、ウェ
ハ１６４を、移送チャンバ１６２を取り囲む様々なチャ
ンバ１５４、１６６の間で移送する。バッファチャンバ
１４４及び移送チャンバ１６２が、２つの冷却チャンバ
１５４を介して連結される。該分野においては、ウェハ
上に所望の半導体構造を製造するために、ウェハが１つ
以上のチャンバ内で複数回、処理又は冷却されると理解
される。マイクロプロセッサコントローラ１８０及び関
連するソフトウェアは、システムの全体にわたるウェハ
の運動及び処理を制御する。
【００２２】半シリンダバルブ７２、１１６を第１及び
第２ロードロックハウジング５６、１００に接続する別
の手段が、半シリンダバルブ及びピボットピン８２、１
２６に固着され、偏心支持７５、１１９を有しない剛性
ブラケットを含む。ロードロックハウジング５６、１０
０の半シリンダ面８８に対して半シリンダバルブを押し
込み、又は引っ張ることは、回転可能シール７６、１２
０内にピボットピン８２、１２６を偏心して取り付け、
外部レバーを回転可能シールに固定することによって剛
性ブラケットで実現可能とされる。シリンダバルブが閉
位置にあるとき、外部レバーが独立して作動され、シー
ルを回転し、半シリンダ面８８の方向にピボットピンを
動かす。別の変更例として、可撓性ブラケット７４、１
１８が、バルブが開いたときに縮んだ位置にばねバイア
スされているヒンジブラケットによって交換可能とされ
る。ヒンジブラケットの回転は、バルブストップ８３に
よって止められ、ピボットピン８２、１２６が続けて回
転すると、ヒンジブラケットが延ばされ、半シリンダバ
ルブが半シリンダ面８８に対して押し付けられる。
【００２３】ロードロック装置４０が基板処理プラット
ホーム５２に取り付けられた後、ロードロック装置４０
の動作は、２つの別のロードロックチャンバ１２、１４
の動作と非常に近い。中央チャンバ５０が、真空ポート
５４によって、プラットホーム７２に備えられる真空ソ
ースに結合されるのが好ましい。真空ポート５４は、ロ
ードロック装置４０内の中央チャンバ５０を排気するた
めに用いられるが、プラットホーム７２内の全体のバッ
ファチャンバ１４４を排気するために用いられてもよ
い。中央チャンバ５０は、典型的に乾燥窒素でパージさ
れて湿気を除き、半シリンダバルブ７２、１１６の両方
が閉じている間に、0.01トルよりも低い圧力にまで排気
される。ロードロックチャンバ６２、１０６は、中央チ
ャンバ５０がパージされ、排気されている間に、乾燥窒
素でパージされる。中央チャンバ５０は、一般に、全て
の処理ステップ中のバッファチャンバ１４４と同一条件
に維持される。
【００２４】中央チャンバ５０が排気された後、半シリ
ンダバルブ７２、１１６は、中央チャンバ５０を密封
し、ウェハが第１基板カセットホルダ６０に装填されて
いる間に、第１ロードロックチャンバ６２のパージが続
けられる。第１ドアバルブ６６はそれから閉じられ、第
１ロードロックチャンバ６２が、0.01トルよりも低い圧
力に真空ポート７０を通して排気される。第１半シリン
ダバルブ７２はそれから開かれ、第１カセット移動器９
０が、第１基板カセットホルダ６０を中央チャンバ５０
に動かす。第１基板カセットホルダ６０のウェハがプラ
ットホーム５２中で処理されている間、ウェハ装填手続
が、第２ロードロックチャンバ１０６内の第２基板カセ
ットホルダ１０６に関して行われる。第１基板カセット
ホルダ６０内の全てのウェハがプラットホーム５２から
戻された後、第１カセットホルダ６０が第１ロードロッ
クチャンバ６２に戻され、第１半シリンダバルブ７２が
閉じて、第１ロードロックチャンバ６２がガス抜きされ
て、乾燥窒素のようなガスでパージされる。第２ドアバ
ルブ１１０がそれから閉じられ、第２ロードロックチャ
ンバ１０６が真空ポート１１４を通じて0.01トルより低
い圧力に排気される。第２基板カセットホルダ１０４の
ウェハはそれから中央チャンバ５０に動かされ、処理済
ウェハが第１カセットホルダ６０から取り除かれている
間に、プラットホーム５２において処理される。
【００２５】プラットホーム５２の動作は、第２基板カ
セットホルダ１０４の全てのウェハが処理されて、カセ
ットホルダ１０４に戻されるまで続く。第２カセットホ
ルダ１０４は第２ロードロックチャンバ１０６に戻さ
れ、第２半シリンダバルブ１１６が閉じられる。第２ロ
ードロックチャンバ１０６が、それからガス抜きされ、
処理済ウェハが取り出され新しいウェハが装填される前
に、乾燥窒素のようなガスでパージされる。ドアバルブ
６６、１１０を通じてウェハを装填及び取出す作業は、
典型的には、ウェハの汚染を最小にするロボットを用い
て、制御されたクリーンルームで行われる。ロードロッ
ク装置４０が、基板処理プラットホーム５２及びクリー
ンルーム内の別のコンポーネントを制御するマイクロプ
ロセッサコントローラ１８０で制御されるのが好まし
い。ロードロック装置４０は、利用可能なロードロック
チャンバ１２、１４に対して用いられる入力／出力装置
と同じものを有するのが好ましく、マイクロプロセッサ
コントローラ３８又は関連するソフトウェアをほとんど
ないしは全く修正することなく、この利用可能なチャン
バ１２、１４を用いることができる。当然のことなが
ら、当業者であれば、前述した本発明のロードロック装
置を備えるように、現存する基板処理プラットホームを
変更し、また新しい基板処理プラットホームを設計する
ことができる。
【００２６】以上に本発明の好適な実施例について説明
してきたが、本発明の他の実施例は、特許請求の範囲に
記載された事項から逸脱することなく得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】シリコンウェハのバッチ処理を行う従来技術で
ある放射状クラスタツールの頂面概略図である。
【図２】図１の放射状クラスタツールのような基板処理
プラットホームにおける単一のスリットバルブに取り付
ける２つのロードロックチャンバを備えた本発明のロー
ドロック装置の正面概略図である。
【図３】図２のロードロック装置の側面概略図である。
【図４】内部半シリンダバルブを示す、図２のロードロ
ック装置の側方断面図である。
【図５】内部半シリンダバルブ及びウェハカセットを示
す、図２のロードロック装置の後方断面図である。
【図６】図５のロードロック装置をライン６−６で切っ
た断面図である。
【図７】図５のロードロック装置をライン７−７で切っ
た断面図である。
【図８】図５のロードロック装置をライン８−８で切っ
た断面図である。
【図９】図５のロードロック装置をライン９−９で切っ
た断面図である。
【図１０】本発明のロードロック装置のロードロックチ
ャンバの断面図であって、半シリンダバルブの動きを示
す。
【図１１】本発明のロードロック装置のロードロックチ
ャンバの断面図であって、半シリンダバルブの動きを示
す。
【図１２】本発明のロードロック装置のロードロックチ
ャンバの断面図であって、半シリンダバルブの動きを示
す。
【図１３】半シリンダバルブの各端部を支持する可撓性
ブラケットを示す半シリンダバルブの部分横断面図であ
る。
【図１４】分離可能シールとエラストマシールの横断面
である。
【図１５】エラストマシールが分離可能シールの周部近
くに配置されている状態を示す分離可能シールの平面図
である。
【図１６】図１のクラスタツールのロードロックチャン
バの両方を図２のロードロック装置と交換した頂面概略
図である。

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板処理プラットホームに取り付けるロ
    ードロック装置であって、 中央チャンバと、該中央チャンバと処理プラットホーム
    との間で基板を移送するための開口とを有する中央ハウ
    ジングと、 中央ハウジングに取り付けられ、各々がロードロックチ
    ャンバを備える、２つ以上のロードロックハウジング
    と、 ２つ以上の基板カセットホルダ、とを備え、 各基板カセットホルダが、カセット移動器に取り付けら
    れ、該カセット移動器が、中央チャンバと１つのロード
    ロックチャンバとの間でカセットホルダを移送すること
    を特徴とするロードロック装置。
  2. 【請求項２】 各ロードロックハウジングがドアバルブ
    を備えることを特徴とする請求項１に記載のロードロッ
    ク装置。
  3. 【請求項３】 ロードロックチャンバと中央チャンバを
    選択的に連結するために、各ロードロックハウジングに
    取り付けられたロードロックバルブを備えることを特徴
    とする請求項２に記載のロードロック装置。
  4. 【請求項４】 各ロードロックバルブが、中央チャンバ
    とロードロックチャンバの間の通路に取り付けられるこ
    とを特徴とする請求項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】 各基板カセットホルダが、２倍幅カセッ
    トホルダであることを特徴とする請求項４に記載のロー
    ドロック装置。
  6. 【請求項６】 中央ハウジングの開口が２倍幅スリット
    であることを特徴とする請求項５に記載のロードロック
    装置。
  7. 【請求項７】 各ロードロックバルブが取外し可能なバ
    ルブシールであることを特徴とする請求項６に記載のロ
    ードロック装置。
  8. 【請求項８】 各ロードロックバルブが、ロードロック
    ハウジングに取り付けられたピボットピンに可撓的に連
    結された半シリンダバルブであることを特徴とする請求
    項７に記載のロードロック装置。
  9. 【請求項９】 基板処理プラットホームに取り付けるロ
    ードロック装置であって、 第１開口および第２開口と、中央チャンバと処理プラッ
    トホームとの間で基板を移送するためのスリットとを備
    える中央ハウジングと、 該中央チャンバは該中央ハウジング内にあり、 該中央ハウジングに取り付けられた第１ロードロックハ
    ウジングであって、該第１ロードロックハウジングは、
    中央チャンバと第１ロードロックハウジング内の第１ロ
    ードロックチャンバとの間で第１基板カセットホルダを
    移送するための中央ハウジングの第１開口に隣接する第
    １開口と、第１基板カセットホルダの装填及び取出しを
    行うための第２開口とを備える第１ロードロックハウジ
    ングと、 第１ロードロックチャンバと中央チャンバとを選択的に
    連結する第１ロードロックバルブと、 第１ロードロックチャンバと中央チャンバとの間で第１
    カセットホルダを動かすために、第１基板カセットホル
    ダに取り付けられた第１カセットエレベータと、 該中央ハウジングに取り付けられた第２ロードロックハ
    ウジングであって、該第２ロードロックハウジングは、
    中央チャンバと第２ロードロックハウジング内の第２ロ
    ードロックチャンバとの間で第２基板カセットホルダを
    移送するための中央ハウジングの第２開口に隣接する第
    １開口と、第２基板カセットホルダの装填及び取出しを
    行うための第２開口とを備える第２ロードロックハウジ
    ングと、 第２ロードロックチャンバと中央チャンバとを選択的に
    連結する第２ロードロックバルブと、 第２ロードロックチャンバと中央チャンバとの間で第２
    カセットホルダを動かすために、第２基板カセットホル
    ダに取り付けられた第２カセットエレベータとを備える
    ロードロック装置。
  10. 【請求項１０】 ロードロックバルブが閉じられると
    き、ロードロックハウジングの第１開口を閉じ、ロード
    ロックバルブが開かれるとき、ロードロックハウジング
    の第１開口を開くように、各ロードロックバルブが設け
    られることを特徴とする請求項９に記載のロードロック
    装置。
  11. 【請求項１１】 各基板カセットホルダが２倍幅カセッ
    トホルダであることを特徴とする請求項９に記載のロー
    ドロック装置。
  12. 【請求項１２】 中央ハウジングの第１開口が２倍幅ス
    リットであることを特徴とする請求項９に記載のロード
    ロック装置。
  13. 【請求項１３】 各ロードロックバルブが、取外し可能
    バルブシールを有することを特徴とする請求項９に記載
    のロードロック装置。
  14. 【請求項１４】 各ロードロックバルブが、ピボットピ
    ンに可撓的に連結された半シリンダバルブであることを
    特徴とする請求項９に記載のロードロック装置。
  15. 【請求項１５】 真空チャンバに取り付けるロードロッ
    ク装置であって、 ロードロックチャンバと、第１開口に取り付けられたド
    アバルブとを備えるロードロックハウジングと、 該第１開口は、ロードロックハウジングに設けられてお
    り、 ロードロックハウジングにある第２開口を開閉するため
    に、ロードロックハウジングにピボット回転可能に取り
    付けられた半シリンダバルブ、とを有するロードロック
    装置。
  16. 【請求項１６】 中央ハウジングを備え、 該中央ハウジングは、中央チャンバと、中央チャンバと
    真空チャンバとの間で物体を移送するための第１開口と
    を備え、 ロードロックハウジングの第２開口が、中央ハウジング
    の第２開口に隣接して設けられることを特徴とする請求
    項１５に記載のロードロック装置。
  17. 【請求項１７】 カセットエレベータに取り付けられた
    基板カセットホルダを備え、該カセットエレベータは、
    中央チャンバとロードロックチャンバとの間で基板カセ
    ットホルダを移送するためにロードロックハウジングに
    取り付けられていることを特徴とする請求項１６に記載
    のロードロック装置。
  18. 【請求項１８】 少なくとも２つのロードロックハウジ
    ングが、中央ハウジングに取り付けられていることを特
    徴とする請求項１７に記載のロードロック装置。
  19. 【請求項１９】 各基板カセットホルダが２倍幅カセッ
    トホルダであることを特徴とする請求項１８に記載のロ
    ードロック装置。
  20. 【請求項２０】 中央ハウジングの第１開口が２倍幅ス
    リットであることを特徴とする請求項１９に記載のロー
    ドロック装置。
  21. 【請求項２１】 基板処理プラットホームに取り付ける
    ロードロック装置であって、 中央チャンバ、及び、該中央チャンバと処理プラットホ
    ームとの間で基板を移送するスリットを有する中央ハウ
    ジングと、 中央ハウジングに取り付けられる２つ以上のロードロッ
    クハウジングであって、各ロードロックハウジングは、
    ロードロックチャンバと、ロードロックチャンバと中央
    チャンバとを選択的に連結するために、ロードロックハ
    ウジングにピボット回転可能に取り付けられる半シリン
    ダバルブとを備えるロードロックハウジングと、 ２つ以上の基板カセットホルダ、とを有し、 各基板カセットホルダが、中央チャンバとロードロック
    チャンバとの間でカセットホルダを移送するために、各
    ロードロックハウジングに取り付けられたカセットエレ
    ベータに取り付けられることを特徴とするロードロック
    装置。
  22. 【請求項２２】 各ロードロックハウジングが、ドアバ
    ルブを取り付ける第１開口と、中央ハウジング内の開口
    に隣接して設けられる第２開口とを有することを特徴と
    する請求項２１に記載のロードロック装置。
  23. 【請求項２３】 各ロードロックハウジングが、ロード
    ロックハウジングの第１開口に取り付けられたドアバル
    ブを備えることを特徴とする請求項２２に記載のロード
    ロック装置。
  24. 【請求項２４】 半シリンダバルブが閉じられるとき、
    ロードロックハウジングの第２開口を閉じ、半シリンダ
    バルブが開かれるとき、ロードロックハウジングの第２
    開口を開くように、各半シリンダバルブを設けることを
    特徴とする請求項２３に記載のロードロック装置。
  25. 【請求項２５】 各基板カセットホルダが、２倍幅カセ
    ットホルダであることを特徴とする請求項２４に記載の
    ロードロック装置。
  26. 【請求項２６】 中央ハウジングの第１開口が、２倍幅
    スリットであることを特徴とする請求項２５に記載のロ
    ードロック装置。
  27. 【請求項２７】 各半シリンダバルブが、平坦シールを
    丸めることによって生成される取外し可能バルブシール
    を有することを特徴とする請求項２６に記載のロードロ
    ック装置。
  28. 【請求項２８】 各半シリンダバルブが、可撓的にピボ
    ットピンに連結されることを特徴とする請求項２７に記
    載のロードロック装置。
JP9312222A 1996-11-18 1997-11-13 ロードロック装置 Abandoned JPH10214871A (ja)

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TW (1) TW382740B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000357722A (ja) * 1999-04-19 2000-12-26 Applied Materials Inc ウェハ処理方法および装置
EP0935279A3 (en) * 1998-02-09 2003-11-26 Asm Japan K.K. Device and method for load locking for semiconductor processing
JP2007208252A (ja) * 2006-01-06 2007-08-16 Applied Materials Inc 柔軟性のある結合要素を備えた湾曲したスリットバルブドア
JP2022543570A (ja) * 2019-07-31 2022-10-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 分離バルブ

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100469931B1 (ko) * 1996-03-18 2005-04-06 로제 가부시키가이샤 공작물반송시스템의제어장치
FR2747111B1 (fr) * 1996-04-03 1998-04-30 Commissariat Energie Atomique Systeme d'accouplement pour un transfert confine d'un objet plat d'une boite de confinement vers une unite de traitement de l'objet
US5961269A (en) 1996-11-18 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Three chamber load lock apparatus
US6152070A (en) 1996-11-18 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Tandem process chamber
US6235634B1 (en) * 1997-10-08 2001-05-22 Applied Komatsu Technology, Inc. Modular substrate processing system
US6517303B1 (en) 1998-05-20 2003-02-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle
US6949143B1 (en) 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment
US6347919B1 (en) * 1999-12-17 2002-02-19 Eaton Corporation Wafer processing chamber having separable upper and lower halves
US7076920B2 (en) * 2000-03-22 2006-07-18 Mks Instruments, Inc. Method of using a combination differential and absolute pressure transducer for controlling a load lock
US6977014B1 (en) * 2000-06-02 2005-12-20 Novellus Systems, Inc. Architecture for high throughput semiconductor processing applications
KR20030032034A (ko) 2000-09-15 2003-04-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 장비용 두 개의 이중 슬롯 로드록
KR100410991B1 (ko) * 2001-02-22 2003-12-18 삼성전자주식회사 반도체 제조장치의 로드포트
US6663333B2 (en) 2001-07-13 2003-12-16 Axcelis Technologies, Inc. Wafer transport apparatus
US7316966B2 (en) 2001-09-21 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Method for transferring substrates in a load lock chamber
US20030113188A1 (en) * 2001-12-17 2003-06-19 Applied Materials, Inc. Mechanism for providing a continuous supply of wafers and cassettes to semiconductor fabrication tool
US6701972B2 (en) 2002-01-11 2004-03-09 The Boc Group, Inc. Vacuum load lock, system including vacuum load lock, and associated methods
TWI294155B (en) 2002-06-21 2008-03-01 Applied Materials Inc Transfer chamber for vacuum processing system
US20040141832A1 (en) * 2003-01-10 2004-07-22 Jang Geun-Ha Cluster device having dual structure
US7207766B2 (en) 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US20050223837A1 (en) * 2003-11-10 2005-10-13 Blueshift Technologies, Inc. Methods and systems for driving robotic components of a semiconductor handling system
US20070269297A1 (en) 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
US20070282480A1 (en) * 2003-11-10 2007-12-06 Pannese Patrick D Methods and systems for controlling a semiconductor fabrication process
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US8639489B2 (en) * 2003-11-10 2014-01-28 Brooks Automation, Inc. Methods and systems for controlling a semiconductor fabrication process
US8639365B2 (en) * 2003-11-10 2014-01-28 Brooks Automation, Inc. Methods and systems for controlling a semiconductor fabrication process
US7458763B2 (en) 2003-11-10 2008-12-02 Blueshift Technologies, Inc. Mid-entry load lock for semiconductor handling system
US20050205210A1 (en) * 2004-01-06 2005-09-22 Devine Daniel J Advanced multi-pressure workpiece processing
US7784164B2 (en) * 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
US7575220B2 (en) * 2004-06-14 2009-08-18 Applied Materials, Inc. Curved slit valve door
US7422653B2 (en) * 2004-07-13 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Single-sided inflatable vertical slit valve
US8668422B2 (en) 2004-08-17 2014-03-11 Mattson Technology, Inc. Low cost high throughput processing platform
US20060137609A1 (en) * 2004-09-13 2006-06-29 Puchacz Jerzy P Multi-single wafer processing apparatus
US7445015B2 (en) * 2004-09-30 2008-11-04 Lam Research Corporation Cluster tool process chamber having integrated high pressure and vacuum chambers
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
NL1027902C2 (nl) * 2004-12-28 2006-06-29 Tempress Systems Sluis om materialen te kunnen toevoeren vanuit en naar een afgesloten ruimte waar een bepaalde gasatmosfeer heerst en een werkwijze om met behulp van de sluis materialen naar een afgesloten ruimte te verplaatsen.
US20070020890A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing
US7845891B2 (en) 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
US7665951B2 (en) 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
US7833351B2 (en) * 2006-06-26 2010-11-16 Applied Materials, Inc. Batch processing platform for ALD and CVD
US7845618B2 (en) 2006-06-28 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Valve door with ball coupling
US20080025821A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Applied Materials, Inc. Octagon transfer chamber
US8124907B2 (en) 2006-08-04 2012-02-28 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment
JP2008075135A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 真空処理装置および大気開放方法
CN101225550B (zh) * 2007-01-15 2010-05-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 改善晶圆缺陷的方法
JP4435799B2 (ja) * 2007-03-19 2010-03-24 東京エレクトロン株式会社 開閉バルブ及び該開閉バルブを備えた処理装置
US10541157B2 (en) 2007-05-18 2020-01-21 Brooks Automation, Inc. Load lock fast pump vent
WO2008144670A1 (en) 2007-05-18 2008-11-27 Brooks Automation, Inc. Load lock fast pump vent
US20120288355A1 (en) * 2011-05-11 2012-11-15 Ming-Teng Hsieh Method for storing wafers
US10023954B2 (en) * 2011-09-15 2018-07-17 Applied Materials, Inc. Slit valve apparatus, systems, and methods
JP5810929B2 (ja) * 2012-01-13 2015-11-11 シンフォニアテクノロジー株式会社 ウェーハ搬送装置
TWM476362U (en) * 2012-09-07 2014-04-11 Applied Materials Inc Load lock chamber with slit valve doors
US10082104B2 (en) 2016-12-30 2018-09-25 X Development Llc Atmospheric storage and transfer of thermal energy
US11381212B2 (en) 2018-03-21 2022-07-05 Qorvo Us, Inc. Piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation and methods for making the same
DE102018004086A1 (de) * 2018-05-18 2019-11-21 Singulus Technologies Ag Durchlaufanlage und Verfahren zum Beschichten von Substraten
US20230257869A1 (en) * 2020-06-30 2023-08-17 Qorvo Biotechnologies, Llc System for depositing piezoelectric materials, methods for using the same, and materials deposited with the same

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3090593A (en) * 1958-12-18 1963-05-21 Air Placement Equipment Compan Shut-off valve for cementitious pressure vessels
CH626214GA3 (ja) 1979-02-07 1981-11-13
US4278380A (en) * 1979-04-30 1981-07-14 Varian Associates, Inc. Lock and elevator arrangement for loading workpieces into the work chamber of an electron beam lithography system
US4680061A (en) 1979-12-21 1987-07-14 Varian Associates, Inc. Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
LU83279A1 (fr) * 1981-04-03 1983-03-24 Wurth Paul Sa Installation de chargement d'un four a cuve
US4619573A (en) * 1984-03-09 1986-10-28 Tegal Corporation Article transport apparatus
US4632624A (en) * 1984-03-09 1986-12-30 Tegal Corporation Vacuum load lock apparatus
US5044871A (en) 1985-10-24 1991-09-03 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit processing system
US4687542A (en) 1985-10-24 1987-08-18 Texas Instruments Incorporated Vacuum processing system
US4966519A (en) 1985-10-24 1990-10-30 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit processing system
JPS62252128A (ja) * 1986-04-25 1987-11-02 Hitachi Ltd 半導体製造装置の基板導入装置
US4765591A (en) * 1986-06-16 1988-08-23 Bodnar Thomas R Gate valves
IL82673A0 (en) * 1986-06-23 1987-11-30 Minnesota Mining & Mfg Multi-chamber depositions system
US5882165A (en) 1986-12-19 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Multiple chamber integrated process system
US5292393A (en) * 1986-12-19 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Multichamber integrated process system
US4819167A (en) * 1987-04-20 1989-04-04 Applied Materials, Inc. System and method for detecting the center of an integrated circuit wafer
US4785962A (en) * 1987-04-20 1988-11-22 Applied Materials, Inc. Vacuum chamber slit valve
US4816098A (en) 1987-07-16 1989-03-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for transferring workpieces
US4911103A (en) 1987-07-17 1990-03-27 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US5435682A (en) * 1987-10-15 1995-07-25 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Chemical vapor desposition system
JPH01125821A (ja) * 1987-11-10 1989-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相成長装置
US5019233A (en) * 1988-10-31 1991-05-28 Eaton Corporation Sputtering system
US5120019A (en) * 1989-08-03 1992-06-09 Brooks Automation, Inc. Valve
DE69032945T2 (de) * 1989-10-20 1999-09-16 Applied Materials, Inc. Robotereinrichtung
US5186594A (en) 1990-04-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Dual cassette load lock
US5226632A (en) * 1990-04-20 1993-07-13 Applied Materials, Inc. Slit valve apparatus and method
US5133284A (en) * 1990-07-16 1992-07-28 National Semiconductor Corp. Gas-based backside protection during substrate processing
JP2595132B2 (ja) 1990-11-26 1997-03-26 株式会社日立製作所 真空処理装置
JPH04240721A (ja) * 1991-01-25 1992-08-28 Sony Corp マルチチャンバプロセス装置
JPH0812846B2 (ja) * 1991-02-15 1996-02-07 株式会社半導体プロセス研究所 半導体製造装置
JPH04308090A (ja) * 1991-04-05 1992-10-30 M B K Maikurotetsuku:Kk 気相化学反応生成装置のロードロック機構
US5223001A (en) 1991-11-21 1993-06-29 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Vacuum processing apparatus
US5275303A (en) * 1992-02-03 1994-01-04 Applied Materials, Inc. Valve closure mechanism for semiconductor deposition apparatus
US5534072A (en) * 1992-06-24 1996-07-09 Anelva Corporation Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
US5697749A (en) * 1992-07-17 1997-12-16 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus
JP2929859B2 (ja) * 1992-08-26 1999-08-03 株式会社村田製作所 チップ部品のプレス装置
JPH06104326A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Tokyo Electron Ltd 処理システム
KR100261532B1 (ko) * 1993-03-14 2000-07-15 야마시타 히데나리 피처리체 반송장치를 가지는 멀티챔버 시스템
US5363872A (en) * 1993-03-16 1994-11-15 Applied Materials, Inc. Low particulate slit valve system and method for controlling same
NZ248895A (en) * 1993-10-08 1995-07-26 Convertech Group Ltd Transfer device having intermittently rotated carousel having through passageways with assembly sealing pressure maximised during rotor dwell periods
GB9406769D0 (en) * 1994-04-06 1994-05-25 Btr Plc Valve system
US5586585A (en) 1995-02-27 1996-12-24 Asyst Technologies, Inc. Direct loadlock interface
JP3288200B2 (ja) * 1995-06-09 2002-06-04 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US5664925A (en) 1995-07-06 1997-09-09 Brooks Automation, Inc. Batchloader for load lock
KR100244041B1 (ko) * 1995-08-05 2000-02-01 엔도 마코토 기판처리장치
JP2713276B2 (ja) 1995-12-07 1998-02-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法
US6176667B1 (en) * 1996-04-30 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Multideck wafer processing system
US6062798A (en) * 1996-06-13 2000-05-16 Brooks Automation, Inc. Multi-level substrate processing apparatus
US6048154A (en) 1996-10-02 2000-04-11 Applied Materials, Inc. High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock
US5844195A (en) 1996-11-18 1998-12-01 Applied Materials, Inc. Remote plasma source
US5909994A (en) 1996-11-18 1999-06-08 Applied Materials, Inc. Vertical dual loadlock chamber
US5961269A (en) 1996-11-18 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Three chamber load lock apparatus
US5902088A (en) 1996-11-18 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Single loadlock chamber with wafer cooling function
US5838121A (en) 1996-11-18 1998-11-17 Applied Materials, Inc. Dual blade robot
US5911834A (en) 1996-11-18 1999-06-15 Applied Materials, Inc. Gas delivery system
US5855681A (en) 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
US5905302A (en) 1996-11-18 1999-05-18 Applied Materials, Inc. Loadlock cassette with wafer support rails
US5833426A (en) 1996-12-11 1998-11-10 Applied Materials, Inc. Magnetically coupled wafer extraction platform
US5795355A (en) 1996-12-24 1998-08-18 Applied Materials, Inc. Integrated micro-environment container loader apparatus having a semipermeable barrier
US6059507A (en) * 1997-04-21 2000-05-09 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with small batch load lock
US5944857A (en) 1997-05-08 1999-08-31 Tokyo Electron Limited Multiple single-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
KR100271758B1 (ko) 1997-06-25 2001-01-15 윤종용 반도체장치 제조설비 및 이의 구동방법
US6270582B1 (en) 1997-12-15 2001-08-07 Applied Materials, Inc Single wafer load lock chamber for pre-processing and post-processing wafers in a vacuum processing system
US6042623A (en) 1998-01-12 2000-03-28 Tokyo Electron Limited Two-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
JP3286240B2 (ja) * 1998-02-09 2002-05-27 日本エー・エス・エム株式会社 半導体処理用ロードロック装置及び方法
US6162299A (en) 1998-07-10 2000-12-19 Asm America, Inc. Multi-position load lock chamber
US6145673A (en) 1999-03-31 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Wafer transfer cassette

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0935279A3 (en) * 1998-02-09 2003-11-26 Asm Japan K.K. Device and method for load locking for semiconductor processing
JP2000357722A (ja) * 1999-04-19 2000-12-26 Applied Materials Inc ウェハ処理方法および装置
JP2007208252A (ja) * 2006-01-06 2007-08-16 Applied Materials Inc 柔軟性のある結合要素を備えた湾曲したスリットバルブドア
JP2022543570A (ja) * 2019-07-31 2022-10-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 分離バルブ

Also Published As

Publication number Publication date
US6494670B2 (en) 2002-12-17
KR19980042257A (ko) 1998-08-17
US5961269A (en) 1999-10-05
US6250869B1 (en) 2001-06-26
US20010036393A1 (en) 2001-11-01
TW382740B (en) 2000-02-21

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