JPH10241114A

JPH10241114A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH10241114A
Application number: JP6252897A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiko Oguri; 克彦小栗
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1997-02-28
Filing date: 1997-02-28
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】ポ−ルトリミングを行ってもコイルの断線が
なく、かつ製造歩留りの高い薄膜磁気ヘッドの製造方法
を提供する。【解決手段】第１の磁性層６ａ上に第２の磁性層９、
絶縁層からなる磁気ギャップ層１０を順次積層し、前記
後部中間コア１３ｂとなる部分の磁気ギャップ層１０を
エッチング除去してコンタクトホール１１を形成した
後、前記磁気ギャップ層１０及び前記コンタクトホ−ル
１１上に第３の磁性層１２を形成し、前記上コア１８及
び前記下コア３と重なる部分以外の前記第２の磁性層
９、前記磁気ギャップ層１０、前記第３の磁性層１２を
前記第１の磁性層６ａまでエッチング除去して、前記前
部中間コア１３ａを形成すると同時に、前記コンタクト
ホール１１と重なる部分の前記第３磁性層１２、第２の
磁性層９以外をエッチング除去して前記後部中間コア１
３ｂを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＶＴＲ装置、磁気
ディスク装置などに好適な薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】高密度記録に伴うマルチトラック化等に
対応すべく、薄膜形成技術、フォトリリソフラフィ技
術、エッチング等のＩＣの製作技術を利用した薄膜磁気
ヘッドの製作が行われている。本出願人は、磁気飽和や
磁束漏れを防止する構造として、特開平３−５８３３０
８号公報に下コアと上コアの磁気的な接続を中間コアを
介して行う構造の薄膜磁気ヘッドを開示した。更に、記
録にじみやクロスト−クを防止する目的で、この構造の
薄膜磁気ヘッドの製造工程にポ−ルトリミングを行うこ
とを特開平７−９８８１７号公報に開示した。

【０００３】以下に我々が特開平７−９８８１７号公報
で開示した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明す
る。図１１乃至図２１は、我々が特開平７−９８８１７
号公報で開示した薄膜磁気ヘッドの製造工程の断面図で
ある。図１５乃至図２１において、（ａ）は従来の薄膜
磁気ヘッドの製造工程の断面図であり、（ｂ）は（ａ）
のｂ−ｂ方向から見た矢視図である。

【０００４】（第１工程）まず最初に、基板１００上に
絶縁層１０１、磁性層１０２ａを順次形成する（図１
１）。フォトリソグラフィ法によりフォトレジストパタ
−ンを形成後、磁性層１０２ａのエッチングを行い、下
コア１０２を形成する（図１２）。

【０００５】（第２工程）次に、絶縁層１０１及び下側
コア１０２上に絶縁層１０３を形成した後、下側コア１
０２が露出するまで機械的に研磨を行い、絶縁層１０３
及び下側コア１０２を平坦化する（図１３）。

【０００６】（第３工程）更に、（第１工程）乃至（第
２工程）と同様の工程を繰り返して、下コア１０２上に
所定間隔を有した前部第１中間コア１０５ａ、後部第１
中間コア１０５ｂ及び絶縁層１０４を形成し、平坦化す
る（図１４）。

【０００７】（第４工程）この後、フォトリソグラフィ
法により、絶縁層１０４上に後部第１中間コア１０５ｂ
を取り巻くコイル状のフォトレジストパタ−ンを形成
し、絶縁層１０４をエッチングして第１コイル溝１０６
ａを形成する。続いて、絶縁層１０４上にＣｕ等の導電
性材料を形成し、第１コイル溝１０６ａ以外の箇所に付
着した導電性材料を機械的な研磨で除去し、第１コイル
１０６を形成する（図１５）。

【０００８】（第５工程）更に、（第１工程）乃至（第
２工程）と同様の工程を繰り返して、前部第１中間コア
１０５ａ上に前部補助中間コア１０７ａ、後部第１中間
コア１０５ｂ上に後部補助中間コア１０７ｂ及び絶縁層
１０８を形成し、前部補助中間コア１０７ａ、後部補助
中間コア１０７ｂ及び絶縁層１０８を平坦化する（図１
６）。

【０００９】（第６工程）更に、補助中間コア１０７
ａ、１０７ｂ及び絶縁層１０８上に絶縁物からなる磁気
ギャップ層１０９を形成後、フォトリソグラフィ法によ
り、フォトレジストパタ−ンを形成し、後部補助中間コ
ア１０７ｂに重なる部分の磁気ギャップ層１０９をエッ
チング除去して、コンタクトホ−ル１１０を形成する
（図１７）。

【００１０】（第７工程）次に、磁気ギャップ層１０９
及びコンタクトホ−ル１１０上に磁性層１１１を形成す
る（図１８）。磁性層１１１上にフォトリソグラフィ法
により、フォトレジストパタ−ンを形成した後、前部第
１中間コア１０５ａに重なる部分の前部補助中間コア１
０７ａ、磁気ギャップ層１０９、磁性層１１１以外を絶
縁層１０４までエッチング除去する。また、同時に後部
第１中間コア１０５ｂに重なる部分の後部補助中間コア
１０７ｂ、磁性層１１１以外を絶縁層１０４までエッチ
ング除去する（ポ−ルトリミング図１９）。こうし
て、磁気ギャップ層１０９上に形成された磁性層１１１
は前部第２中間コア１１２ａとなり、後部補助中間コア
１０７ｂ上に形成された磁性層１１１は後部第２中間コ
ア１１２ｂとなる。

【００１１】（第８工程）次に、前部第２中間コア１１
２ａ、後部第２中間コア１１２ｂ及び第１コイル１０６
が形成された絶縁層１０４上に絶縁層１１３を形成した
後、前部第２中間コア１１２ａ、後部第２中間１１２ｂ
が露出するまで機械的な研磨をし、前部第２中間コア１
１２ａ、後部第２中間コア１１２ｂ及び絶縁層１１３を
平坦化する。この後、フォトグラフィ法により絶縁層１
１３上に後部第２中間コア１０７ｂを取り巻き第１コイ
ル１０６と同様に、コイル状のフォトレジストパタ−ン
を形成し、絶縁層１１３をエッチングして第２コイル溝
１１４ａを形成する。続いて、前部第２中間コア１１２
ａ、後部第２中間コア１１２ｂ及び絶縁層１１３上にＣ
ｕ等の導電性材料を形成後、第２コイル溝１１４ａ以外
の箇所に付着した導電材料を機械的な研磨を行うことに
よって除去し、第２コイル１１４を形成する（図１
９）。

【００１２】（第９工程）前部第２中間コア１１２ａと
反対の後部第２中間コア１１２ｂ側の最内周位置の第１
コイル１０６と重なる部分の絶縁層１１３を第１コイル
までエッチング除去して第１スル−ホ−ル１１５を形成
する。再び、前部第２中間コア１１２ａ、後部第２中間
コア１１２ｂ及び絶縁層１１３上にＣｕ等の導電性材料
を形成後、第２コイル溝１１４ａ以外の箇所に付着した
導電材料を機械的な研磨を行うことによって除去し、第
１スル−コンタクト１１６を形成する（図２０）。こう
して、第２コイル１１４はスル−コンタクト１１６を介
して第１コイル１０６と接続するようになる。

【００１３】（第１０工程）次に、前部第２中間コア１
１２ａ、後部第２中間コア１１２ｂ及び第２コイル１１
４を有した絶縁層１１３上に絶縁層１１７を形成する。
絶縁層１１７上にフォトリソグラフィ法によりフォトレ
ジストパタ−ンを形成して前部第２中間コア１１２ａ、
後部第２中間コア１１２ｂと重なる部分の絶縁層１１７
をエッチング除去してコンタクトホ−ル１１７ａ、１１
７ｂを形成する。更に、コンタクトホ−ル１１７ａ、１
１７ｂ及び絶縁層１１７上に磁性層を形成し、フォトリ
ソグラフィ法によりフォトレジストパタ−ンを形成して
磁性層をエッチングして上コア１１８を形成する。

【００１４】更に、上コア１１８上に絶縁層１１９を形
成し、上コア１１８が露出するまで機械的に研磨を行
い、上コア１１８及び絶縁層１１９を平坦化する。この
後、前部第２中間コア１１２ａと反対の後部第２中間コ
ア１１２ｂ側の最外周部分に第２コイル１１４と重なる
部分の絶縁層１１９を第２コイル１１４までエッチング
して、第２スル−ホ−ル１２０ａを形成する。続いて、
上コア１１８及び絶縁層１１９上にＣｕ等の導電性材料
を形成後、第２スル−ホ−ル１２０ａ以外に付着した導
電材料を機械的な研磨を行うことによって除去し、第２
スル−コンタクト１２０を形成する。再度、上コア１１
８及び絶縁層１１９上にＣｕ等の導電性材料を形成後、
フォトリソグラフィ法により、リ−ド線１２１が第２ス
ル−コンタクト１２０の重なる部分になるように絶縁層
１１９上にフォトレジストパタ−ンを形成し、リ−ド線
１２１のパタ−ン以外の導電材料をエッチング除去し、
リ−ド線１２１を形成する（図２１）。以上のようにし
て、ポ−ルトリミングを行うことによって、記録にじみ
やクロスト−クの少ない薄膜磁気ヘッドが得られる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポ−ル
トリミングを行わない工程と比較すると、第１コイル１
０６がエッチングされてしまうことを防止するための前
部補助中間コア１０７ａ及び後部補助中間コア１０７ｂ
を形成する必要があるので、機械的な研磨やエッチング
等の製造工程を増加させ、製造歩留りの低下や製造工程
時間の増加を生じていた。また、第１前部補助中間コア
１０７ａ及び後部補助コア１０７ｂの上面は機械的に研
磨された面であるため加工歪みや酸化等で劣化している
可能性があった。同様に、ホ−ルトリミングを行わず、
前部第１中間コア１０５ａ及び後部第１中間コア１０５
ｂ上に直接、磁気キャップ層１０９を形成する場合も、
前部第１中間コア１０５ａ及び後部第１中間コア１０５
ｂの上面が、機械的に研磨された面であるため加工歪み
や酸化等で劣化している可能性があった。そこで、本発
明は、上記のような問題点を解消するためになされたも
ので、ポ−ルトリミングを行ってもコイルの断線がな
く、かつ製造歩留りの高い薄膜磁気ヘッドの製造方法を
提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法による第１の発明は、上下コアと、これら上
下コアの間に設けた前部中間コア及び後部中間コアとで
磁気回路を構成すると共に、前記前部中間コア中に磁気
ギャップ層が形成されている薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、前部中間コア及び後部中間コアの一部を構成
する第１の磁性層上に第２の磁性層、絶縁膜からなる磁
気ギャップ層を順次積層し、前記後部中間コアとなる部
分の磁気ギャップ層をエッチング除去してコンタクトホ
ールを形成した後、前記磁気ギャップ層及び前記コンタ
クトホ−ル上に第３の磁性層を形成し、前記上コア及び
前記下コアと重なる部分以外の前記第２の磁性層、前記
磁気ギャップ層、前記第３の磁性層を前記第１の磁性層
までエッチング除去して、前記前部中間コアを形成する
と同時に、前記コンタクトホールと重なる部分の前記第
３磁性層、前記第２の磁性層以外をエッチング除去して
前記後部中間コアを形成することを特徴とする。

【００１７】第２の発明は、請求項１記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記第１の磁性層上に前記第
２の磁性層、絶縁膜からなる前記磁気ギャップ層、前記
第３の磁性層を順次積層し前記上コア及び前記下コアと
重なる部分以外の前記第２の磁性層、前記磁気ギャップ
層、前記第３の磁性層を前記第１の磁性層までエッチン
グ除去して、前記前部中間コア及び前記後部中間コアを
形成することを特徴とする。

【００１８】前部中間コア及び後部中間コアの一部を構
成する第１の磁性層上に第２の磁性層、絶縁層からなる
磁気ギャップ層を順次積層し、前記後部中間コアとなる
部分の磁気ギャップ層をエッチング除去してコンタクト
ホールを形成した後、前記磁気ギャップ層及び前記コン
タクトホ−ル上に第３の磁性層を形成し、前記上コア及
び前記下コアと重なる部分以外の前記第２の磁性層、前
記磁気ギャップ層、前記第３の磁性層を前記第１の磁性
層までエッチング除去して、前記前部中間コアを形成す
ると同時に、前記コンタクトホールと重なる部分の前記
第３磁性層、第２の磁性層以外をエッチング除去して前
記後部中間コアを形成するので、第２の磁性層が酸化さ
れたり、加工歪みが入ったりすることがなくなる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法の一実施例について図と共に以下に説明する。図１乃
至図１０は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程の断面図
である。図５乃至図１０において、（ａ）は薄膜磁気ヘ
ッド製造工程の断面図であり、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ
方向から見た矢視図である。

【００２０】（第１工程）スパッタ法、蒸着法等によ
り、基板１上にＴｉＯ₂等の絶縁層２及び磁性層３ａを
順次形成する（図１）。次に、フォトリソグラフィ法に
よりフォトレジストパタ−ンを形成後、イオンミリング
等で磁性層３ａのエッチングを行い、下コア３を形成す
る（図２）。

【００２１】（第２工程）次に、絶縁層２及び下コア３
上に絶縁層４を形成した後、下側コア３が露出するまで
機械的に研磨を行い、下コア３及び絶縁層４を平坦化す
る（図３）。

【００２２】（第３工程）下コア３及び絶縁層４上に磁
性層を形成した後、フォトリソグラフィ法によりフォト
レジストパタ−ンを形成後、前記磁性層を下コア３まで
エッチング除去し、前部第１中間コア６ａ及び後部第１
中間コア６ｂ形成する。この後、絶縁層４、前部第１中
間コア６ａ及び後部第１中間コア６ｂ上に絶縁層５を形
成し、前部第１中間コア６ａ及び後部第１中間コア６ｂ
が露出するまで機械的に研磨し、絶縁層５、前部第１中
間コア６ａ及び後部第１中間コア６ｂを平坦化する。

【００２３】（第４工程）この後、フォトリソグラフィ
法により、絶縁層５上に後部第１中間コア６ｂを取り巻
くコイル状のフォトレジストパタ−ンを形成し、絶縁層
５をエッチングして第１コイル溝７ａを形成する。続い
て、絶縁層６上にＣｕ等の導電性材料を形成し、第１コ
イル溝７ａ以外の箇所に付着した導電性材料を機械的な
研磨で除去し、第１コイル７を形成する（図５）。

【００２４】（第５工程）更に、第１コイル７が形成さ
れた絶縁層５及び第１中間コア６ａ、６ｂ上に絶縁層８
を形成し、フォトリソグラフィ法によりフォトレジスト
パタ−ンを形成後、前部第１中間コア６ａと後部第１中
間コア６ｂ上の絶縁層８をエッチング除去する。その
後、前部第１中間コア６ａ、後部第１中間コア６ｂ及び
絶縁層８上に磁性層９、絶縁物からなる磁気ギャップ層
１０を順次形成し、引き続いて、フォトリソグラフィ法
によりフォトレジストパタ−ンを形成後、後部第１中間
コア６ｂに重なる部分の磁気ギャップ層１０をエッチン
グ除去し、コンタクトホ−ル１１を形成する（図６）。

【００２５】（第６工程）次に、磁気ギャップ層１０及
びコンタクトホ−ル１１上に磁性層１２を形成する（図
７）。この結果、磁性層１２は、コンタクトホ−ル１１
を介して磁性層９と接続することになる。

【００２６】磁性層１２上にフォトリソグラフィ法によ
りフォトレジストパタ−ンを形成後、前部第１中間コア
６ａと重なり積層された部分の磁性層９、磁気ギャップ
１０、磁性層１２ａ以外を絶縁層８までイオンミリング
等でエッチング除去する。また、同時に後部第１中間コ
ア６ｂと重なり積層された部分の磁性層９、磁性層１２
以外を絶縁層８までイオンミリング等でエッチング除去
する（ポ−ルトリミング図８）。こうして、前部第２
中間コア１３ａは、磁性層９、磁気ギャップ層１０及び
磁性層１２が積層された構造となる。また、後部第２中
間コア１３ｂは、磁性層９と磁性層１２が積層された構
造となる。

【００２７】この後、前部第２中間コア１３ａ、後部第
２中間コア１３ｂ及び絶縁層８上に絶縁層１４を形成
し、第２中間コア１３ａ、１３ｂが露出するまで、機械
的な研磨を行い、平坦化する。更に、フォトリソグラフ
ィ法により、絶縁層１４上に後部第２中間コア１３ｂを
取り巻くコイル状のフォトレジストパタ−ンを形成し、
絶縁層１４をエッチングして第２コイル溝１５ａを形成
する。続いて、フォトリソグラフィ法により、前部第２
中間コア１３ａと反対側の後部第２中間コア１３ｂの最
内周位置に第１コイル溝７ａと重なる部分の絶縁層１４
をエッチング除去して第１スル−ホ−ル溝１７ａを形成
する。次に、絶縁層１４上にＣｕ等の導電性材料を形成
し、第２コイル溝１５ａ及び第１スル−ホ−ル溝１７ａ
以外の部分に付着した導電性材料を機械的に研磨で除去
し、第２コイル１５及びスル−コンタクト１７を形成す
る。この後、前部第２中間コア１３ａ、後部第２中間コ
ア１３ｂ及び第２コイルが形成された絶縁層１４上に絶
縁層１６を形成し、フォトリソグラフィ法により、前部
第２中間コア１３ａと後部第２中間コア１３ｂ上の絶縁
層１４をする。

【００２８】次に、絶縁層１６及び前部第２中間コア１
３ａ、後部第２中間コア１３ｂ上に磁性層を形成し、前
記磁性層６上にフォトリソグラフィ法によりフォトレジ
ストパタ−ンを形成後、前記磁性層６をエッチング除去
し、上コア１８を形成する。更に、絶縁層１４及び上コ
ア１８上に絶縁層１９を形成し、上コア１８が露出する
まで機械的に研磨を行い、上コア１８及び絶縁層１９を
平坦化する。前部第２中間コア１３ａと反対の後部第２
中間コア１３ｂ側の最外周位置に第２コイル溝１５ａと
重なる部分の絶縁層１９をエッチング除去して第２スル
−コンタクト溝２０ａを形成する。引き続き、上コア１
８及び絶縁層１９上にＣｕ等の導電性材料を形成する。
この場合、第２スル−コンタクト溝２０ａ中にも導電性
材料が形成されることになり、第２スル−コンタクト２
０が形成される。フォトリソグラフィ法により、リ−ド
線２１のパタ−ンを形成して、導電性材料をエッチング
除去し、リ−ド線２１を形成する。こうして、リ−ド線
２１は第２スル−コンタクト２０を介して第２コイル１
５と接続することになる（図９）。

【００２９】以上のようにすると、従来技術に示すホ−
ルトリミング法に比較して、前部補助中間コア１０７ａ
及び後部補助中間コア１０７ｂを形成する工程を省略し
ても、従来と同等の磁気記録特性を得ることができ、製
造歩留りが向上し、安価な薄膜磁気ヘッドが得られる。
また、第１中間コア６ａ、６ｂ及び絶縁層８上に磁性層
９、磁気ギャップ層１０を順次積層した後、第１中間コ
ア６ｂと重なった部分の磁気ギャップ層１０をエッチン
グ除去してコンタクトホ−ル１１を形成した後、前部第
２中間コア１３ａ及び後部中間コア１３ｂを形成してい
るので、後部中間コア１３ｂだけが空気等にさらされる
だけであり、前部第２中間コア１３ａの磁性層の酸化等
による劣化を防止でき、信頼性を向上させることができ
る。

【００３０】ここでは、磁気ギャップ層１０にコンタク
トホ−ル１１を形成して第２中間コア１３ｂが磁性層９
ｂと磁性層１２ｂからなるようにしたが、第２中間コア
１３ｂが磁気ギャップ１０を挟んだ構造でも薄膜磁気ヘ
ッドの特性は若干低下する程度であるので、コンタクト
ホ−ル１１の形成を行わない構造、即ち、磁性層９ｂと
磁性層１２ｂとの間に磁気ギャップ１０を挟んだ構造で
もよい（図１０）。この場合には、薄膜磁気ヘッドの製
造工程は時間短縮されると共に、製造歩留りが向上す
る。また、以上では、前部第２中間コア１３ａまたは、
後部第２中間コア１３ｂの間に磁気ギャップ層１０を形
成したが、前部第１中間コア６ａまたは、後部第１中間
コア６ｂの間に磁気ギャップ層１０を設けても同様の効
果が得られる。

【００３１】

【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、第２磁性層と磁気ギャップ層を連続して形成でき
るので、酸化等による第２磁性層の劣化することを防止
することができる。磁気ギャップ層の前記後部第１中間
コアと重なる部分の除去をしないようにすると、第２磁
性層、磁気ギャップ層、第３磁性層を同時に形成するこ
とができるため、更に製造工程の短縮及び歩留りの低下
を防止を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における基板上に絶縁層及び磁性層を形
成する工程の断面図である。

【図２】本発明における下コアを形成する工程の断面図
である。

【図３】本発明における下コアの両端に絶縁層を形成す
る工程の断面図である。

【図４】本発明における第１中間コアを形成する工程の
断面図。

【図５】（ａ）は本発明における第１コイルを形成する
工程の断面図である。（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視
図である。

【図６】（ａ）は本発明におけるコンタクトホ−ルを形
成する工程の断面図である。（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方
向矢視図である。

【図７】（ａ）は本発明における磁性層を形成する工程
の断面図である。（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視図で
ある。

【図８】（ａ）は本発明におけるポ−ルトリミングを行
った状態の工程の断面図である。（ｂ）は（ａ）のｂ−
ｂ方向矢視図である。

【図９】（ａ）は本発明における薄膜磁気ヘッドの断面
図である。（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視図である。

【図１０】（ａ）は図７において、後部第１中間コアに
磁気ギャップ層を有した場合の薄膜磁気ヘッドの断面図
である。

【図１１】従来における基板上に絶縁層、磁性層を順次
積層した工程の断面図である。

【図１２】従来における下コアを形成する工程の断面図
である。

【図１３】従来における下コアの両端に絶縁層を形成す
る工程の断面図である。

【図１４】従来における第１中間コアを形成する工程の
断面図である。

【図１５】（ａ）は従来における第１コイルを形成する
工程の断面図である。（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視
図である。

【図１６】（ａ）は従来における補助中間コアを形成す
る工程の断面図である。（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢
視図である。

【図１７】（ａ）は従来における磁気ギャップ層を除去
する工程の断面図である。（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向
矢視図である。

【図１８】（ａ）は従来における磁性層を形成する工程
の断面図である。（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視図で
ある。

【図１９】（ａ）は従来におけるポ−ルトリミングエッ
チング行った状態の工程の断面図である。（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ方向矢視図である。

【図２０】（ａ）は従来における第２コイルを形成する
工程の断面図である。（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視
図である。

【図２１】（ａ）は従来における薄膜磁気ヘッドの断面
図である。（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ方向矢視図である。

【符号の説明】

１…基板、２、４、５、８、１２、１４、１６、１７、
１９…絶縁層、３ａ、９、１２…磁性層、３…下コア、
６ａ…前部第１中間コア、６ｂ…後部第１中間、７…第
１コイル、１０…磁気ギャップ層、１１…コンタクトホ
−ル、１３ａ…前部第２中間コア、１３ｂ…後部第２中
間コア、１５…第２コイル、１８…上コア

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上下コアと、これら上下コアの間に設けた
前部中間コア及び後部中間コアとで磁気回路を構成する
と共に、前記前部中間コア中に磁気ギャップ層が形成さ
れている薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前部中間
コア及び後部中間コアの一部を構成する第１の磁性層上
に第２の磁性層、絶縁膜からなる磁気ギャップ層を順次
積層し、前記後部中間コアとなる部分の磁気ギャップ層
をエッチング除去してコンタクトホールを形成した後、
前記磁気ギャップ層及び前記コンタクトホ−ル上に第３
の磁性層を形成し、前記上コア及び前記下コアと重なる
部分以外の前記第２の磁性層、前記磁気ギャップ層、前
記第３の磁性層を前記第１の磁性層までエッチング除去
して、前記前部中間コアを形成すると同時に、前記コン
タクトホールと重なる部分の前記第３磁性層、前記第２
の磁性層以外をエッチング除去して前記後部中間コアを
形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】前記第１の磁性層上に前記第２の磁性層、
絶縁膜からなる前記磁気ギャップ層、前記第３の磁性層
を順次積層し前記上コア及び前記下コアと重なる部分以
外の前記第２の磁性層、前記磁気ギャップ層、前記第３
の磁性層を前記第１の磁性層までエッチング除去して、
前記前部中間コア及び前記後部中間コアを形成すること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。