JPH10247716A - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents

半導体装置用リードフレームの製造方法

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JPH10247716A
JPH10247716A JP9048663A JP4866397A JPH10247716A JP H10247716 A JPH10247716 A JP H10247716A JP 9048663 A JP9048663 A JP 9048663A JP 4866397 A JP4866397 A JP 4866397A JP H10247716 A JPH10247716 A JP H10247716A
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lead frame
film
electrolyte
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Hisahiro Tanaka
久裕 田中
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 板状素材上に形成されたＰｄ皮膜２またはＰ
ｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止される半導体装置
用リードフレームを製造することができる半導体装置用
リードフレームの製造方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 電解質を含有する水溶液中で、銅素材１
上にＰｄ皮膜２またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装
置用リードフレームを陰極とし、対極の陽極との間に電
位差を形成して所定処理時間だけ所定印加電流密度の電
流を流すことで発生する水素により半導体装置用リード
フレームを改質する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用リー
ドフレームの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３はトランジスタ、ＩＣなどの半導体
装置が搭載される一般的な半導体装置用リードフレーム
を示す平面図であり、図４は半導体装置を実装した状態
を示す実装状態図である。図３、図４において、４はパ
ッド部、５はインナリード部、６はアウタリード部、７
はタイバ部、８は半導体装置としての半導体チップ、９
は接着剤、１０は電極パッド、１１はワイヤー、１２は
封止樹脂である。
【０００３】以上のような構成の半導体装置リードフレ
ームにおける配置、特性等について説明する。
【０００４】図３において、半導体チップ８を搭載する
パッド部４の周囲に複数のインナリード部５がパッド部
４と離れて配置され、このインナリード部５はタイバ部
７を介してアウタリード部６と連結されている。図３に
示すような形状の半導体装置用リードフレームは、Ｃｕ
合金やＦｅ−Ｎｉ合金から成る板状素材にプレス加工や
エッチング加工を施すことにより得られる。また、パッ
ド部４およびインナリード部５には、酸化防止のために
Ａｇなどの貴金属が３〜５μｍ程度、部分メッキされて
いる。
【０００５】このような半導体装置用リードフレームへ
の半導体チップ８の実装は一般的に次のような過程で行
われる。すなわち、図４に示すように、パッド部４上に
接着剤９を用いて半導体チップ８がダイボンディングさ
れ、この半導体チップ８に予め施されている電極パッド
１０とインナリード部５とがＡｕ、ＡｌまたはＣｕのワ
イヤー１１によってワイヤーボンディングされることで
電気的に接続される。
【０００６】その後、上記ワイヤーボンディングされた
箇所を含んでエポキシ樹脂などの封止樹脂１２で封止さ
れる。次いで、アウタリード部６にＳｎ−Ｐｂ合金のよ
うな半田メッキを施して半田付け性を付与し、タイバ部
７を切断した後、ばり取り工程を経てアウタリード部６
の曲げ加工を施し、樹脂封止された半導体装置（樹脂封
止半導体装置）が完成する。このようにして製造された
樹脂封止半導体装置は、プリント基板などの外部機器基
板に搭載され、その基板における必要配線とアウタリー
ド部６の半田付けとにより目的とする電子機器回路が形
成される。
【０００７】ところで、上記アウタリード部６における
メッキ処理は通常、溶融メッキ法または電気メッキ法で
行われるが、溶融メッキ法では２３０〜４００℃程度の
高温処理となるため、上記樹脂封止半導体装置は強い熱
ストレスを受け、封止樹脂１２とリードフレームとの間
に微細な隙間が発生することがあり、樹脂封止半導体装
置の信頼性が低下する場合がある。また、電気メッキ法
の場合も、用いるメッキ液は一般に酸性またはアルカリ
性であるため、封止樹脂１２が部分的な浸食を受け、メ
ッキ液が封止樹脂１２中に浸入することによりワイヤー
１１や電極パッド１０に腐食が発生し、樹脂封止半導体
装置の信頼性が低下する場合がある。
【０００８】このように樹脂封止半導体装置の信頼性が
低下するため、最近では、アウタリード部６に予めＳｎ
−Ｐｂ合金などの半田メッキを施し、その後にリードフ
レームに半導体チップを実装する半田ＰＰＦ（Pre-Plat
ed Frame、前メッキフレーム）という方法が行われてい
る。しかし、この半田ＰＰＦという方法を使用した場
合、後工程であるワイヤーボンディング時に、その熱に
よってＳｎ−Ｐｂ合金が溶融しないような低温ボンディ
ング条件を設定する必要があり、また板状素材がＣｕ素
材の場合、Ｃｕ素材中の含有不純物イオンのＳｎ−Ｐｂ
合金への熱拡散によるアウタリード部６の半田付け低下
に配慮する必要がある。
【０００９】そこで近年、パット部４、インナリード部
５、アウタリード部６にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を
形成したリードフレーム（特開昭５９−１６８６５９号
公報、特開昭６３−２３５８号公報参照）、Ｐｄと板状
素材との間に中間層を設けることによりガルバニック・
マイグレーションを低減させた耐食性リードフレーム
（特開平２−４２７５３号公報参照）、Ｐｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の上にＡｕまたはＡｇのメッキ皮膜を薄く
形成したことで半田ぬれ性を向上させたリードフレーム
（特開平４−１１５５５８号公報参照）、Ｐｄなどの貴
金属と板状素材との間にＮｉ、Ｚｎ、Ｓｎなどの下地層
を設けることで曲げ加工時のクラックを防止したリード
フレーム（特開平５−１１７８９８号公報参照）、板状
素材上にＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層を順次積層し、そのＰ
ｄが多層構造であるリードフレーム（特開平７−１６９
９０１号公報）などが提案されている。
【００１０】Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜は、Ａｇ、Ａ
ｕなどと同じ貴金属であるため、化学的に安定で酸化し
にくく、リードフレーム本体による熱拡散の影響もほと
んどない。そのため、半導体チップ８の良好な接合性、
良好なワイヤーボンディング性を有し、また、半田ぬれ
性も良好であるため、アウタリード部６の半田付け性も
良好である。さらに、リードフレーム全面にＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜を形成するため、工程の簡素化、品質
の安定化が図れるという利点がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置用リードフレームには、次のような問題
点がある。
【００１２】すなわち、近年、半導体装置の特性に対す
る要求が年々厳しくなってきており、上述したようにＰ
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜は化学的に安定であり、ワイ
ヤーボンディング性の特性ではおおよそ満足できるレベ
ルにあるが、年々厳しくなる要求に対して不満足な結果
を生じる場合もある。例えば、半導体チップ８の接合
性、ワイヤーボンディング性には特に問題は発生しない
が、半導体チップ８の接合時の高温の熱ストレスによっ
て、アウタリード部６のＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜
は、貴金属とは言え酸化反応を起こし、後工程での半田
ぬれ性の低下を招き、半田付け性に支障が生じる。すな
わち、要求される半田ぬれ面積をカバーするのが困難と
なり、ぬれ速度が低下するために半田槽への浸漬時間が
増大して作業性が低下し、ひどい場合には半田ぬれが全
く生じないという問題点を有していた。特に、近年の半
導体装置の高密度化に伴い、アウタリード部６同士間の
間隔が狭くなり、表面実装におけるクリーム半田による
リフロー接合時において、半田のぬれ性が悪いためにク
リームハンダが基板横方向に流れてしまい、配線間のブ
リッジが発生して回路が短絡してしまうという問題点を
も有していた。もちろん、クリーム半田の塗布量を減ら
すことにより或る程度のブリッジ発生を減少させること
は可能だが、別の問題点が発生する。すなわち、クリー
ム半田塗布量の減少によりクリーム半田の塗布高さが低
くなり、アウタリード部６の外部機器基板との隙間のば
らつきにより全く接合しない場合が生じ、電子機器回路
がオープンになってしまうという問題点が発生する。
【００１３】この半導体装置用リードフレームの製造方
法では、板状素材上に形成されたＰｄ皮膜またはＰｄ合
金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止される半導体装置用リ
ードフレームを製造可能なことが要求されている。
【００１４】本発明は、板状素材上に形成されたＰｄ皮
膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止される
半導体装置用リードフレームを製造することができる半
導体装置用リードフレームの製造方法を提供することを
目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の半導体装置用リードフレームの製造方法は、
電解質を含有する水溶液中で、板状素材上にＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リードフレー
ムを陰極とし、対極の陽極との間に電位差を形成して所
定処理時間だけ所定印加電流密度の電流を流すことで発
生する水素により半導体装置用リードフレームを改質す
る構成を備えている。
【００１６】これにより、板状素材上に形成されたＰｄ
皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止され
る半導体装置用リードフレームを製造することができる
半導体装置用リードフレームの製造方法が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、電解質を含有する水溶液中で、板状素材上にＰｄ皮
膜またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リードフ
レームを陰極とし、対極の陽極との間に電位差を形成し
て所定処理時間だけ所定印加電流密度の電流を流すこと
で発生する水素により半導体装置用リードフレームを改
質することとしたものであり、メカニズムは明らかでは
ないが、半導体装置（例えば半導体チップ）接合時の高
温の熱ストレスによって形成された酸化物がＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜に吸収された水素の還元作用により金
属に復元されると考えられ、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮
膜の半田ぬれ性の低下が防止されるという作用を有す
る。
【００１８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、電解質がＡ+−Ｂ-（ＡはＬｉ、Ｎａ、
Ｍｇ、Ｋ、Ｃａから選択された少なくとも１つの基、Ｂ
はＣＮ、ＯＨ、ＳＯ4、ＮＯ3、ＣＯ3から選択された少
なくとも１つの基）で表される化合物であることとした
ものであり、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の改質が十分
に行われるという作用を有する。
【００１９】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の発明において、所定処理時間に所定印加電流
密度を乗算した値である電気量を０．１〜１．０ＡＭ／
ｄｍ 2（Ａはアンペア、Ｍは分）とすることとしたもの
であり、上記電気量に基づく電解により、Ｐｄ皮膜また
はＰｄ合金皮膜の改質が十分に行われるという作用を有
する。
【００２０】請求項４に記載の発明において、電解質を
含有する水溶液中で、板状素材上に下地皮膜を介してＰ
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リー
ドフレームを陰極とし、対極の陽極との間に電位差を形
成して所定処理時間だけ所定印加電流密度の電流を流す
ことで発生する水素により半導体装置用リードフレーム
を改質することとしたものであり、メカニズムは明らか
ではないが、半導体装置接合時の高温の熱ストレスによ
って形成された酸化物がＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜に
吸収された水素の還元作用により金属に復元されると考
えられ、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低
下が防止されるという作用を有する。
【００２１】請求項５に記載の発明は、請求項４に記載
の発明において、電解質がＡ+−Ｂ-（ＡはＬｉ、Ｎａ、
Ｍｇ、Ｋ、Ｃａから選択された少なくとも１つの基、Ｂ
はＣＮ、ＯＨ、ＳＯ4、ＮＯ3、ＣＯ3から選択された少
なくとも１つの基）で表される化合物であることとした
ものであり、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の改質が十分
に行われるという作用を有する。
【００２２】請求項６に記載の発明は、請求項４または
５に記載の発明において、所定処理時間に所定印加電流
密度を乗算した値である電気量を０．１〜１．０ＡＭ／
ｄｍ 2（Ａはアンペア、Ｍは分）とすることとしたもの
であり、上記電気量に基づく電解により、Ｐｄ皮膜また
はＰｄ合金皮膜の改質が十分に行われるという作用を有
する。
【００２３】請求項７に記載の発明は、請求項４乃至６
のいずれか１に記載の発明において、下地皮膜はＮｉで
あることとしたものであり、素材の酸化防止効果により
Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止
されるという作用を有する。
【００２４】以下、本発明の実施の形態について、図
１、図２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１による半
導体装置用リードフレームの製造方法を説明するための
半導体装置用リードフレームの概略断面図である。図２
は図１の半導体装置用リードフレームの変形例を示す概
略断面図である。図１、図２において、１は板状素材と
しての銅素材、２はＰｄ皮膜、３はＮｉ下地皮膜であ
る。
【００２５】以上のように構成された半導体装置用リー
ドフレームのうち、図２の半導体装置用リードフレーム
の製造方法について説明する。なお、図１の半導体装置
用リードフレームの製造方法は図２の半導体装置用リー
ドフレームの製造方法に準ずればよい。
【００２６】まず、銅素材１のリードフレームに対して
常法によりアルカリ電解脱脂、酸活性を行った後、Ｎｉ
下地皮膜３を２．０μｍ形成し、その上にＰｄメッキ皮
膜を０．１μｍ形成した。ここで、アルカリ電解脱脂
は、電解液としてＮＣラストール（奥野製薬株式会社の
登録商標）６０ｇ／ｌ濃度の脱脂液（ＮａＯＨ３０ｇ／
ｌ）を用い、陽極にステンレスを用いて、浴温５０℃、
印加電圧５Ｖで１５秒間処理した。酸活性は、３％硫酸
溶液を用い、浴温５０℃で１５秒間浸漬処理を行った。
Ｎｉメッキは、スルファミン酸Ｎｉ浴を用いて、浴温５
０℃、平均電流密度１０Ａ／ｄｍ2で行った。Ｐｄメッ
キは、小島化学製のＫ−ピュア・パラジウム（登録商
標）浴を用い、浴温５０℃、平均電流密度６Ａ／ｄｍ2
で行った。
【００２７】次に、電解液を２％ＫＣＮ溶液とし、陽極
にステンレスを用い、浴温５０℃、印加電圧５Ｖ、印加
電流密度２．０Ａ／ｄｍ2で０．５分（Ｍ）間の電解を
行った。
【００２８】次に、このようにして製造された図１、図
２の半導体装置用リードフレームのメッキ皮膜の半田付
け性の測定方法を説明する。まず、メッキした半導体装
置用リードフレームを３３０℃で６０秒間、大気中でホ
ットプレートにて加熱した後、半導体装置用リードフレ
ームのアウタリード部６（図３、図４参照）のみを切断
して半田付け試験装置に装着し、ＪＩＳ Ｃ ００５３
規定の平衡法による半田付け試験方法によりゼロクロス
タイムを測定した。半田付け試験装置は、タルチン製の
ＳＷＥＴ１００を用い、条件としては、半田浴温度を２
２０℃、半田組成を６０％Ｓｎ−４０％Ｐｂ、降下スピ
ードを１０ｍｍ／ｓｅｃ、上昇スピードを２ｍｍ／ｓｅ
ｃ、浸漬時間を０．２ｓｅｃとして測定した。フラック
スはロジン系のＲ−１００（日本アルファメタルズ製）
を用いた。
【００２９】この測定結果を（表１）に試験例１として
示す。この試験例１は、電解質の陽イオンがＫで電解質
の陰イオンがＣＮの電解液中で、印加電流密度２．０Ａ
／ｄｍ2で処理時間０．５分（Ｍ）間の電解を行って半
導体装置用リードフレームを改質した場合の半田付け性
は０．６ｓｅｃであることを示す。半田付け性は、時間
が短いほど良好である。
【００３０】
【表１】
【００３１】（表１）の試験例２〜５は陽イオンがＫで
陰イオンがＯＨ、ＳＯ4、ＮＯ3、ＣＯ3の電解液中で印
加電流密度２．０Ａ／ｄｍ2、処理時間０．５分間の電
解を行って半導体装置用リードフレームを改質した場合
の半田付け性を示し、（表１）の試験例６、７は陽イオ
ンがＬｉで陰イオンがＯＨ、ＳＯ4の電解液中で印加電
流密度２．０Ａ／ｄｍ2、処理時間０．５分間の電解を
行って半導体装置用リードフレームを改質した場合の半
田付け性を示す。
【００３２】さらに条件を変えて試験を行った試験結果
を試験例８〜２７として（表２）、（表３）、（表４）
に示す。
【００３３】
【表２】
【００３４】
【表３】
【００３５】
【表４】
【００３６】（表２）の試験例８、９は陽イオンがＬｉ
で陰イオンがＮＯ3、ＣＯ3の電解液中で印加電流密度
２．０Ａ／ｄｍ2、処理時間０．５分間の電解を行って
半導体装置用リードフレームを改質した場合の半田付け
性を示し、（表２）の試験例１０〜１４は陽イオンがＮ
ａで陰イオンがＣＮ、ＯＨ、ＳＯ4、ＮＯ3、ＣＯ3の電
解液中で印加電流密度２．０Ａ／ｄｍ2、処理時間０．
５分間の電解を行って半導体装置用リードフレームを改
質した場合の半田付け性を示す。
【００３７】また、（表３）の試験例１５、１６は陽イ
オンがＭｇで陰イオンがＳＯ4、ＮＯ3の電解液中で印加
電流密度２．０Ａ／ｄｍ2、処理時間０．５分間の電解
を行って半導体装置用リードフレームを改質した場合の
半田付け性を示し、（表３）の試験例１７は陽イオンが
Ｃａで陰イオンがＮＯ3の電解液中で印加電流密度２．
０Ａ／ｄｍ2、処理時間０．５分間の電解を行って半導
体装置用リードフレームを改質した場合の半田付け性を
示す。
【００３８】さらに、（表３）の試験例１８〜２１は陽
イオンがＫで陰イオンがＣＮの電解液中で印加電流密度
１．０Ａ、０．５Ａ、０．２Ａ、０．１Ａ／ｄｍ2、処
理時間１．０分、２．０分、０．５分、１．０分間の電
解を行って半導体装置用リードフレームを改質した場合
の半田付け性を示す。
【００３９】さらに、（表４）の試験例２２は半導体装
置用リードフレームの改質を行わなかった場合の半田付
け性を示し、（表４）の試験例２３〜２７は陽イオンが
Ｋで陰イオンがＣＮの電解液中で印加電流密度２．０
Ａ、２．０Ａ、１．０Ａ、０．５Ａ、０．１Ａ／ｄ
ｍ2、処理時間１．０分、２．０分、２．０分、３．０
分、０．５分間の電解を行って半導体装置用リードフレ
ームを改質した場合の半田付け性を示す。
【００４０】半田付け性は１．０以下であれば十分であ
ると考えられるが、このことは試験例１〜２１では満足
され、試験例２２〜２７では満足されていない。試験例
１〜２１と試験例２２〜２７との比較から分かるよう
に、処理時間に印加電流密度を乗算した値である電気量
を０．１〜１．０ＡＭ／ｄｍ2（Ａはアンペア、Ｍは
分）とすることにより、半田付け性は、１．０ｓｅｃ以
下の０．６ｓｅｃとなる。
【００４１】これは電解で発生する水素による不足もせ
ず過度でもない適度の還元作用によって酸化物が金属に
復元されるためと推察される。したがって、半導体装置
用リードフレームの改質条件としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍ
ｇ、Ｋ、Ｃａから選択されたいずれか１つの陽イオンと
ＣＮ、ＯＨ、ＳＯ4、ＮＯ3、ＣＯ3から選択されたいず
れか１つの陰イオンとから成る電解液中で電気量が０．
１〜１．０ＡＭ／ｄｍ 2の電解を行うことを条件とすれ
ばよい。
【００４２】なお、本実施の形態では、銅素材１上にＰ
ｄ皮膜２を形成した半導体装置用リードフレームを示し
たが、銅素材の代わりに例えば４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金素
材を使用しても同様の効果を奏することができる。ま
た、銅素材１とＰｄ皮膜２との間にＮｉ皮膜３を介在さ
せたが、Ｎｉの代わりに例えばＳｎ−Ｎｉを使用しても
同様の効果を奏することができる。さらに、銅素材１上
にＰｄ皮膜２を形成した場合を示したが、Ｐｄ皮膜２以
外の金属としてＰｄ合金皮膜（例えばＰｄ−Ａｇ）を使
用して同様の効果を奏することもできる。
【００４３】以上のように本実施の形態によれば、電解
質を含有する水溶液（電解液）中で、板状素材１上にＰ
ｄ皮膜２またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リ
ードフレームを陰極とし、対極の陽極との間に電位差を
形成して所定処理時間だけ所定印加電流密度の電流を流
すことで発生する水素により半導体装置用リードフレー
ムを改質するようにしたので、半導体装置（例えば半導
体チップ）接合時の高温の熱ストレスによって形成され
た酸化物をＰｄ皮膜２またはＰｄ合金皮膜に吸収された
水素の還元作用により金属に復元することができ、Ｐｄ
皮膜２またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止す
ることができる。また、Ｐｄ皮膜２またはＰｄ合金皮膜
と銅素材１との間に中間膜としてＰｄ組成以外の金属ま
たはＰｄ合金組成以外の金属たとえばＮｉを介在させる
ことにより、素材の酸化防止ができ、半田ぬれ性の低下
を防止することができる。
【００４４】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体装置用リー
ドフレームの製造方法によれば、半導体装置（例えば半
導体チップ）接合時の高温の熱ストレスによって形成さ
れた酸化物をＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜に吸収された
水素の還元作用により金属に復元していると考えられ、
Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止
することができるので、半導体装置接合時の高温の熱ス
トレスによる半田ぬれ性の低下が防止される半導体装置
用リードフレームが実現可能となるという有利な効果が
得られる。
【００４５】また、電解質がＡ+−Ｂ-（ＡはＬｉ、Ｎ
ａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａから選択された少なくとも１つの
基、ＢはＣＮ、ＯＨ、ＳＯ4、ＮＯ3、ＣＯ3から選択さ
れた少なくとも１つの基）で表される化合物であること
により、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の改質を十分に行
うことができるという有利な効果が得られる。
【００４６】さらに、所定処理時間に所定印加電流密度
を乗算した値である電気量を０．１〜１．０ＡＭ／ｄｍ
2（Ａはアンペア、Ｍは分）とすることにより、水素に
よる適度な還元作用を行うことができるので、Ｐｄ皮膜
またはＰｄ合金皮膜の改質を十分に行うことができると
いう有利な効果が得られる。
【００４７】さらに、電解質を含有する水溶液中で、板
状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮
膜を形成した半導体装置用リードフレームを陰極とし、
対極の陽極との間に電位差を形成して所定処理時間だけ
所定印加電流密度の電流を流すことで発生する水素によ
り半導体装置用リードフレームを改質することにより、
半導体装置接合時の高温の熱ストレスによって形成され
た酸化物をＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜に吸収された水
素の還元作用により金属に復元していると考えられ、Ｐ
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止す
ることができるので、半導体装置接合時の高温の熱スト
レスによる半田ぬれ性の低下が防止される半導体装置用
リードフレームが実現可能となるという有利な効果が得
られる。
【００４８】さらに、電解質がＡ+−Ｂ-（ＡはＬｉ、Ｎ
ａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａから選択された少なくとも１つの
基、ＢはＣＮ、ＯＨ、ＳＯ4、ＮＯ3、ＣＯ3から選択さ
れた少なくとも１つの基）で表される化合物であること
により、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の改質を十分に行
うことができるという有利な効果が得られる。
【００４９】さらに、所定処理時間に所定印加電流密度
を乗算した値である電気量を０．１〜１．０ＡＭ／ｄｍ
2（Ａはアンペア、Ｍは分）とすることにより、水素に
よる適度な還元作用を行うことができるので、Ｐｄ皮膜
またはＰｄ合金皮膜の改質を十分に行うことができると
いう有利な効果が得られる。
【００５０】さらに、下地皮膜はＮｉであることによ
り、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜またはＰｄ合金
皮膜の半田ぬれ性の低下が防止される半導体装置用リー
ドフレームを実現できるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体装置用リー
ドフレームの製造方法を説明するための半導体装置用リ
ードフレームの概略断面図
【図２】図１の半導体装置用リードフレームの変形例を
示す概略断面図
【図３】トランジスタ、ＩＣなどの半導体装置が搭載さ
れる一般的な半導体装置用リードフレームを示す平面図
【図４】半導体装置を実装した状態を示す実装状態図
【符号の説明】
１ 銅素材（板状素材） ２ Ｐｄ皮膜 ３ Ｎｉ皮膜（下地皮膜） ４ パッド部 ５ インナリード部 ６ アウタリード部 ７ タイバ部 ８ 半導体チップ（半導体装置） ９ 接着剤 １０ 電極パッド １１ ワイヤー １２ 封止樹脂

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】電解質を含有する水溶液中で、板状素材上
    にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用
    リードフレームを陰極とし、対極の陽極との間に電位差
    を形成して所定処理時間だけ所定印加電流密度の電流を
    流すことで発生する水素により前記半導体装置用リード
    フレームを改質する半導体装置用リードフレームの製造
    方法。
  2. 【請求項２】前記電解質がＡ+−Ｂ-（ＡはＬｉ、Ｎａ、
    Ｍｇ、Ｋ、Ｃａから選択された少なくとも１つの基、Ｂ
    はＣＮ、ＯＨ、ＳＯ4、ＮＯ3、ＣＯ3から選択された少
    なくとも１つの基）で表される化合物であることを特徴
    とする請求項１に記載の半導体装置用リードフレームの
    製造方法。
  3. 【請求項３】前記所定処理時間に前記所定印加電流密度
    を乗算した値である電気量を０．１〜１．０ＡＭ／ｄｍ
    2（Ａはアンペア、Ｍは分）とすることを特徴とする請
    求項１または２に記載の半導体装置用リードフレームの
    製造方法。
  4. 【請求項４】電解質を含有する水溶液中で、板状素材上
    に下地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成
    した半導体装置用リードフレームを陰極とし、対極の陽
    極との間に電位差を形成して所定処理時間だけ所定印加
    電流密度の電流を流すことで発生する水素により前記半
    導体装置用リードフレームを改質することを特徴とする
    半導体装置用リードフレームの製造方法。
  5. 【請求項５】前記電解質がＡ+−Ｂ-（ＡはＬｉ、Ｎａ、
    Ｍｇ、Ｋ、Ｃａから選択された少なくとも１つの基、Ｂ
    はＣＮ、ＯＨ、ＳＯ4、ＮＯ3、ＣＯ3から選択された少
    なくとも１つの基）で表される化合物であることを特徴
    とする請求項４に記載の半導体装置用リードフレームの
    製造方法。
  6. 【請求項６】前記所定処理時間に前記所定印加電流密度
    を乗算した値である電気量を０．１〜１．０ＡＭ／ｄｍ
    2（Ａはアンペア、Ｍは分）とすることを特徴とする請
    求項４または５に記載の半導体装置用リードフレームの
    製造方法。
  7. 【請求項７】前記下地皮膜はＮｉであることを特徴とす
    る請求項４乃至６のいずれか１に記載の半導体装置用リ
    ードフレームの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015029991A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 Ｎｉめっき材の接合方法

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