JPH10308491A - 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームおよびその製造方法Info
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- JPH10308491A JPH10308491A JP10046939A JP4693998A JPH10308491A JP H10308491 A JPH10308491 A JP H10308491A JP 10046939 A JP10046939 A JP 10046939A JP 4693998 A JP4693998 A JP 4693998A JP H10308491 A JPH10308491 A JP H10308491A
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 板状素材上に形成されたＰｄ皮膜またはＰｄ
合金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止することができる半
導体装置用リードフレームおよびその製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 板状素材１上にＰｄ皮膜２またはＰｄ合
金皮膜を形成した半導体装置用リードフレームであっ
て、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰｄ合金組成以外
の不純物金属のＰｄ皮膜２中またはＰｄ合金皮膜中での
存在量が０．０６％以下であり、またはＰｄ組成以外の
不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ
めっき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在量が５ｐ
ｐｍ以下である。
合金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止することができる半
導体装置用リードフレームおよびその製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 板状素材１上にＰｄ皮膜２またはＰｄ合
金皮膜を形成した半導体装置用リードフレームであっ
て、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰｄ合金組成以外
の不純物金属のＰｄ皮膜２中またはＰｄ合金皮膜中での
存在量が０．０６％以下であり、またはＰｄ組成以外の
不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ
めっき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在量が５ｐ
ｐｍ以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用リー
ドフレームおよびその製造方法に関する。
ドフレームおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３はトランジスタ、ＩＣなどの半導体
装置が搭載される一般的な半導体装置用リードフレーム
を示す平面図であり、図４は半導体装置を実装した状態
を示す実装状態図である。図３、図４において、４はパ
ッド部、５はインナリード部、６はアウタリード部、７
はタイバ部、８は半導体装置としての半導体チップ、９
は接着剤、１０は電極パッド、１１はワイヤー、１２は
封止樹脂である。
装置が搭載される一般的な半導体装置用リードフレーム
を示す平面図であり、図４は半導体装置を実装した状態
を示す実装状態図である。図３、図４において、４はパ
ッド部、５はインナリード部、６はアウタリード部、７
はタイバ部、８は半導体装置としての半導体チップ、９
は接着剤、１０は電極パッド、１１はワイヤー、１２は
封止樹脂である。
【０００３】以上のような構成の半導体装置リードフレ
ームにおける配置、特性等について説明する。
ームにおける配置、特性等について説明する。
【０００４】図３において、半導体チップ８を搭載する
パッド部４の周囲に複数のインナリード部５がパッド部
４と離れて配置され、このインナリード部５はタイバ部
７を介してアウタリード部６と連結されている。図３に
示すような形状の半導体装置用リードフレームは、Ｃｕ
合金やＦｅ−Ｎｉ合金から成る板状素材にプレス加工や
エッチング加工を施すことにより得られる。また、パッ
ド部４およびインナリード部５には、酸化防止のために
Ａｇなどの貴金属が３〜５μｍ程度、部分めっきされて
いる。
パッド部４の周囲に複数のインナリード部５がパッド部
４と離れて配置され、このインナリード部５はタイバ部
７を介してアウタリード部６と連結されている。図３に
示すような形状の半導体装置用リードフレームは、Ｃｕ
合金やＦｅ−Ｎｉ合金から成る板状素材にプレス加工や
エッチング加工を施すことにより得られる。また、パッ
ド部４およびインナリード部５には、酸化防止のために
Ａｇなどの貴金属が３〜５μｍ程度、部分めっきされて
いる。
【０００５】このような半導体装置用リードフレームへ
の半導体チップ８の実装は一般的に次のような過程で行
われる。すなわち、図４に示すように、パッド部４上に
接着剤９を用いて半導体チップ８がダイボンディングさ
れ、この半導体チップ８に予め施されている電極パッド
１０とインナリード部５とがＡｕ、ＡｌまたはＣｕのワ
イヤー１１によってワイヤーボンディングされることで
電気的に接続される。
の半導体チップ８の実装は一般的に次のような過程で行
われる。すなわち、図４に示すように、パッド部４上に
接着剤９を用いて半導体チップ８がダイボンディングさ
れ、この半導体チップ８に予め施されている電極パッド
１０とインナリード部５とがＡｕ、ＡｌまたはＣｕのワ
イヤー１１によってワイヤーボンディングされることで
電気的に接続される。
【０００６】その後、上記ワイヤーボンディングされた
箇所を含んでエポキシ樹脂などの封止樹脂１２で封止さ
れる。次いで、アウタリード部６にＳｎ−Ｐｂ合金のよ
うな半田めっきを施して半田付け性を付与し、タイバ部
７を切断した後、ばり取り工程を経てアウタリード部６
の曲げ加工を施し、樹脂封止された半導体装置（樹脂封
止半導体装置）が完成する。このようにして製造された
樹脂封止半導体装置は、プリント基板などの外部機器基
板に搭載され、その基板における必要配線とアウタリー
ド部６の半田付けとにより目的とする電子機器回路が形
成される。
箇所を含んでエポキシ樹脂などの封止樹脂１２で封止さ
れる。次いで、アウタリード部６にＳｎ−Ｐｂ合金のよ
うな半田めっきを施して半田付け性を付与し、タイバ部
７を切断した後、ばり取り工程を経てアウタリード部６
の曲げ加工を施し、樹脂封止された半導体装置（樹脂封
止半導体装置）が完成する。このようにして製造された
樹脂封止半導体装置は、プリント基板などの外部機器基
板に搭載され、その基板における必要配線とアウタリー
ド部６の半田付けとにより目的とする電子機器回路が形
成される。
【０００７】ところで、上記アウタリード部６における
めっき処理は通常、溶融めっき法または電気めっき法で
行われるが、溶融めっき法では２３０〜４００℃程度の
高温処理となるため、上記樹脂封止半導体装置は強い熱
ストレスを受け、封止樹脂１２とリードフレームとの間
に微細な隙間が発生することがあり、樹脂封止半導体装
置の信頼性が低下する場合がある。また、電気めっき法
の場合も、用いるめっき液は一般に酸性またはアルカリ
性であるため、封止樹脂１２が部分的な浸食を受け、め
っき液が封止樹脂１２中に浸入することによりワイヤー
１１や電極パッド１０に腐食が発生し、樹脂封止半導体
装置の信頼性が低下する場合がある。
めっき処理は通常、溶融めっき法または電気めっき法で
行われるが、溶融めっき法では２３０〜４００℃程度の
高温処理となるため、上記樹脂封止半導体装置は強い熱
ストレスを受け、封止樹脂１２とリードフレームとの間
に微細な隙間が発生することがあり、樹脂封止半導体装
置の信頼性が低下する場合がある。また、電気めっき法
の場合も、用いるめっき液は一般に酸性またはアルカリ
性であるため、封止樹脂１２が部分的な浸食を受け、め
っき液が封止樹脂１２中に浸入することによりワイヤー
１１や電極パッド１０に腐食が発生し、樹脂封止半導体
装置の信頼性が低下する場合がある。
【０００８】このように樹脂封止半導体装置の信頼性が
低下するため、最近では、アウタリード部６に予めＳｎ
−Ｐｂ合金などの半田めっきを施し、その後にリードフ
レームに半導体チップを実装する半田ＰＰＦ（Ｐｒｅ−
Ｐｌａｔｅｄ Ｆｒａｍｅ、前めっきフレーム）という
方法が行われている。しかし、この半田ＰＰＦという方
法を使用した場合、後工程であるワイヤーボンディング
時に、その熱によってＳｎ−Ｐｂ合金が溶融しないよう
な低温ボンディング条件を設定する必要があり、また板
状素材がＣｕ素材の場合、Ｃｕ素材中の含有不純物イオ
ンのＳｎ−Ｐｂ合金への熱拡散によるアウタリード部６
の半田付け低下に配慮する必要がある。
低下するため、最近では、アウタリード部６に予めＳｎ
−Ｐｂ合金などの半田めっきを施し、その後にリードフ
レームに半導体チップを実装する半田ＰＰＦ（Ｐｒｅ−
Ｐｌａｔｅｄ Ｆｒａｍｅ、前めっきフレーム）という
方法が行われている。しかし、この半田ＰＰＦという方
法を使用した場合、後工程であるワイヤーボンディング
時に、その熱によってＳｎ−Ｐｂ合金が溶融しないよう
な低温ボンディング条件を設定する必要があり、また板
状素材がＣｕ素材の場合、Ｃｕ素材中の含有不純物イオ
ンのＳｎ−Ｐｂ合金への熱拡散によるアウタリード部６
の半田付け低下に配慮する必要がある。
【０００９】そこで近年、パット部４、インナリード部
５、アウタリード部６にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を
形成したリードフレーム（特開昭５９−１６８６５９号
公報、特開昭６３−２３５８号公報参照）、Ｐｄと板状
素材との間に中間層を設けることによりガルバニック・
マイグレーションを低減させた耐食性リードフレーム
（特開平２−４２７５３号公報参照）、Ｐｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の上にＡｕまたはＡｇのめっき皮膜を薄く
形成したことで半田ぬれ性を向上させたリードフレーム
（特開平４−１１５５５８号公報参照）、Ｐｄなどの貴
金属と板状素材との間にＮｉ、Ｚｎ、Ｓｎなどの下地層
を設けることで曲げ加工時のクラックを防止したリード
フレーム（特開平５−１１７８９８号公報参照）、板状
素材上にＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層を順次積層し、そのＰ
ｄが多層構造であるリードフレーム（特開平７−１６９
９０１号公報）などが提案されている。
５、アウタリード部６にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を
形成したリードフレーム（特開昭５９−１６８６５９号
公報、特開昭６３−２３５８号公報参照）、Ｐｄと板状
素材との間に中間層を設けることによりガルバニック・
マイグレーションを低減させた耐食性リードフレーム
（特開平２−４２７５３号公報参照）、Ｐｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の上にＡｕまたはＡｇのめっき皮膜を薄く
形成したことで半田ぬれ性を向上させたリードフレーム
（特開平４−１１５５５８号公報参照）、Ｐｄなどの貴
金属と板状素材との間にＮｉ、Ｚｎ、Ｓｎなどの下地層
を設けることで曲げ加工時のクラックを防止したリード
フレーム（特開平５−１１７８９８号公報参照）、板状
素材上にＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層を順次積層し、そのＰ
ｄが多層構造であるリードフレーム（特開平７−１６９
９０１号公報）などが提案されている。
【００１０】Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜は、Ａｇ、Ａ
ｕなどと同じ貴金属であるため、化学的に安定で酸化し
にくく、リードフレーム本体による熱拡散の影響もほと
んどない。そのため、半導体チップ８の良好な接合性、
良好なワイヤーボンディング性を有し、また、半田ぬれ
性も良好であるため、アウタリード部６の半田付け性も
良好である。さらに、リードフレーム全面にＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜を形成するため、工程の簡素化、品質
の安定化が図れるという利点がある。
ｕなどと同じ貴金属であるため、化学的に安定で酸化し
にくく、リードフレーム本体による熱拡散の影響もほと
んどない。そのため、半導体チップ８の良好な接合性、
良好なワイヤーボンディング性を有し、また、半田ぬれ
性も良好であるため、アウタリード部６の半田付け性も
良好である。さらに、リードフレーム全面にＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜を形成するため、工程の簡素化、品質
の安定化が図れるという利点がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置用リードフレームには、次のような問題
点がある。
来の半導体装置用リードフレームには、次のような問題
点がある。
【００１２】すなわち、近年、半導体装置の特性に対す
る要求が年々厳しくなってきており、上述したようにＰ
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜は化学的に安定であり、ワイ
ヤーボンディング性の特性ではおおよそ満足できるレベ
ルにあるが、年々厳しくなる要求に対して不満足な結果
を生じる場合もある。例えば、半導体チップ８の接合
性、ワイヤーボンディング性には特に問題は発生しない
が、半導体チップ８の接合時の高温の熱ストレスによっ
て、アウタリード部６のＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜
は、貴金属とは言え酸化反応を起こし、後工程での半田
ぬれ性の低下を招き、半田付け性に支障が生じる。すな
わち、要求される半田ぬれ面積をカバーするのが困難と
なり、ぬれ速度が低下するために半田槽への浸漬時間が
増大して作業性が低下し、ひどい場合には半田ぬれが全
く生じないという問題点を有していた。特に、近年の半
導体装置の高密度化に伴い、アウタリード部６同士間の
間隔が狭くなり、表面実装におけるクリーム半田による
リフロー接合時において、半田のぬれ性が悪いためにク
リームハンダが基板横方向に流れてしまい、配線間のブ
リッジが発生して回路が短絡してしまうという問題点を
も有していた。もちろん、クリーム半田の塗布量を減ら
すことにより或る程度のブリッジ発生を減少させること
は可能だが、別の問題点が発生する。すなわち、クリー
ム半田塗布量の減少によりクリーム半田の塗布高さが低
くなり、アウタリード部６の外部機器基板との隙間のば
らつきにより全く接合しない場合が生じ、電子機器回路
がオープンになってしまうという問題点が発生する。
る要求が年々厳しくなってきており、上述したようにＰ
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜は化学的に安定であり、ワイ
ヤーボンディング性の特性ではおおよそ満足できるレベ
ルにあるが、年々厳しくなる要求に対して不満足な結果
を生じる場合もある。例えば、半導体チップ８の接合
性、ワイヤーボンディング性には特に問題は発生しない
が、半導体チップ８の接合時の高温の熱ストレスによっ
て、アウタリード部６のＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜
は、貴金属とは言え酸化反応を起こし、後工程での半田
ぬれ性の低下を招き、半田付け性に支障が生じる。すな
わち、要求される半田ぬれ面積をカバーするのが困難と
なり、ぬれ速度が低下するために半田槽への浸漬時間が
増大して作業性が低下し、ひどい場合には半田ぬれが全
く生じないという問題点を有していた。特に、近年の半
導体装置の高密度化に伴い、アウタリード部６同士間の
間隔が狭くなり、表面実装におけるクリーム半田による
リフロー接合時において、半田のぬれ性が悪いためにク
リームハンダが基板横方向に流れてしまい、配線間のブ
リッジが発生して回路が短絡してしまうという問題点を
も有していた。もちろん、クリーム半田の塗布量を減ら
すことにより或る程度のブリッジ発生を減少させること
は可能だが、別の問題点が発生する。すなわち、クリー
ム半田塗布量の減少によりクリーム半田の塗布高さが低
くなり、アウタリード部６の外部機器基板との隙間のば
らつきにより全く接合しない場合が生じ、電子機器回路
がオープンになってしまうという問題点が発生する。
【００１３】この半導体装置用リードフレームおよびそ
の製造方法では、板状素材上に形成されたＰｄ皮膜また
はＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止することが要
求されている。
の製造方法では、板状素材上に形成されたＰｄ皮膜また
はＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止することが要
求されている。
【００１４】本発明は、板状素材上に形成されたＰｄ皮
膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止するこ
とができる半導体装置用リードフレーム、および、板状
素材上に形成されたＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田
ぬれ性の低下が防止される半導体装置用リードフレーム
の製造方法を提供することを目的とする。
膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止するこ
とができる半導体装置用リードフレーム、および、板状
素材上に形成されたＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田
ぬれ性の低下が防止される半導体装置用リードフレーム
の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の半導体装置用リードフレームは、板状素材上
にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用
リードフレームであって、Ｐｄ組成以外の不純物金属ま
たはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ皮膜中または
Ｐｄ合金皮膜中での存在量が２％以下である構成を備え
ている。
に本発明の半導体装置用リードフレームは、板状素材上
にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用
リードフレームであって、Ｐｄ組成以外の不純物金属ま
たはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ皮膜中または
Ｐｄ合金皮膜中での存在量が２％以下である構成を備え
ている。
【００１６】これにより、板状素材上に形成されたＰｄ
皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止する
ことができる半導体装置用リードフレームが得られる。
皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止する
ことができる半導体装置用リードフレームが得られる。
【００１７】また、この課題を解決するための本発明の
半導体装置用リードフレームの製造方法は、Ｐｄめっき
またはＰｄ合金めっきにより板状素材上にＰｄ皮膜また
はＰｄ合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレーム
の製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属または
Ｐｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめっき液中または
Ｐｄ合金めっき液中での存在量が２００ｐｐｍ以下であ
る構成を備えている。
半導体装置用リードフレームの製造方法は、Ｐｄめっき
またはＰｄ合金めっきにより板状素材上にＰｄ皮膜また
はＰｄ合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレーム
の製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属または
Ｐｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめっき液中または
Ｐｄ合金めっき液中での存在量が２００ｐｐｍ以下であ
る構成を備えている。
【００１８】これにより、板状素材上に形成されたＰｄ
皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止され
る半導体装置用リードフレームの製造方法が得られる。
皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止され
る半導体装置用リードフレームの製造方法が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、板状素材上にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成し
た半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ組成以外
の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰ
ｄ皮膜中またはＰｄ合金皮膜中での存在量が２％以下で
あることとしたものであり、半導体装置（例えば半導体
チップ）接合時の高温の熱ストレスによって酸化物を形
成する不純物金属の皮膜中の存在量が低く押さえられる
ことにより、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性
の低下が防止されるという作用を有する。
は、板状素材上にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成し
た半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ組成以外
の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰ
ｄ皮膜中またはＰｄ合金皮膜中での存在量が２％以下で
あることとしたものであり、半導体装置（例えば半導体
チップ）接合時の高温の熱ストレスによって酸化物を形
成する不純物金属の皮膜中の存在量が低く押さえられる
ことにより、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性
の低下が防止されるという作用を有する。
【００２０】請求項２に記載の発明は、板状素材上に下
地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した
半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ組成以外の
不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ
皮膜中またはＰｄ合金皮膜中での存在量が２％以下であ
ることとしたものであり、半導体装置接合時の高温の熱
ストレスによって酸化物を形成する不純物金属の皮膜中
の存在量が低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜また
はＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるという
作用を有する。
地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した
半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ組成以外の
不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ
皮膜中またはＰｄ合金皮膜中での存在量が２％以下であ
ることとしたものであり、半導体装置接合時の高温の熱
ストレスによって酸化物を形成する不純物金属の皮膜中
の存在量が低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜また
はＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるという
作用を有する。
【００２１】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることとした
ものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるという作
用を有する。
の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることとした
ものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるという作
用を有する。
【００２２】請求項４に記載の発明は、板状素材上にＰ
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リー
ドフレームであって、Ｐｄ組成以外の不純物金属または
Ｐｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ皮膜中またはＰｄ
合金皮膜中での存在量が１％以下であることとしたもの
であり、半導体装置接合時の高温の熱ストレスによって
酸化物を形成する不純物金属の皮膜中の存在量が更に低
く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮
膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止されるという作
用を有する。
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リー
ドフレームであって、Ｐｄ組成以外の不純物金属または
Ｐｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ皮膜中またはＰｄ
合金皮膜中での存在量が１％以下であることとしたもの
であり、半導体装置接合時の高温の熱ストレスによって
酸化物を形成する不純物金属の皮膜中の存在量が更に低
く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮
膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止されるという作
用を有する。
【００２３】請求項５に記載の発明は、板状素材上に下
地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した
半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ組成以外の
不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ
皮膜中またはＰｄ合金皮膜中での存在量が１％以下であ
ることとしたものであり、半導体装置接合時の高温の熱
ストレスによって酸化物を形成する不純物金属の皮膜中
の存在量が更に低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜
またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防
止されるという作用を有する。
地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した
半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ組成以外の
不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ
皮膜中またはＰｄ合金皮膜中での存在量が１％以下であ
ることとしたものであり、半導体装置接合時の高温の熱
ストレスによって酸化物を形成する不純物金属の皮膜中
の存在量が更に低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜
またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防
止されるという作用を有する。
【００２４】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることとした
ものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止され
るという作用を有する。
の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることとした
ものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止され
るという作用を有する。
【００２５】請求項７に記載の発明は、板状素材上にＰ
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リー
ドフレームであって、Ｐｄ組成以外の不純物金属または
Ｐｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ皮膜中またはＰｄ
合金皮膜中での存在量が０．１２％以下であることとし
たものであり、半導体装置（例えば半導体チップ）接合
時の高温の熱ストレスによって酸化物を形成する不純物
金属の皮膜中の存在量が低く押さえられることにより、
Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止
されるという作用を有する。
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リー
ドフレームであって、Ｐｄ組成以外の不純物金属または
Ｐｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ皮膜中またはＰｄ
合金皮膜中での存在量が０．１２％以下であることとし
たものであり、半導体装置（例えば半導体チップ）接合
時の高温の熱ストレスによって酸化物を形成する不純物
金属の皮膜中の存在量が低く押さえられることにより、
Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止
されるという作用を有する。
【００２６】請求項８に記載の発明は、板状素材上に下
地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した
半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ組成以外の
不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ
皮膜中またはＰｄ合金皮膜中での存在量が０．１２％以
下であることとしたものであり、半導体装置接合時の高
温の熱ストレスによって酸化物を形成する不純物金属の
皮膜中の存在量が低く押さえられることにより、Ｐｄ皮
膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止される
という作用を有する。
地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した
半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ組成以外の
不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ
皮膜中またはＰｄ合金皮膜中での存在量が０．１２％以
下であることとしたものであり、半導体装置接合時の高
温の熱ストレスによって酸化物を形成する不純物金属の
皮膜中の存在量が低く押さえられることにより、Ｐｄ皮
膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止される
という作用を有する。
【００２７】請求項９に記載の発明は、請求項８に記載
の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることとした
ものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるという作
用を有する。
の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることとした
ものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるという作
用を有する。
【００２８】請求項１０に記載の発明は、板状素材上に
Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リ
ードフレームであって、Ｐｄ組成以外の不純物金属また
はＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ皮膜中またはＰ
ｄ合金皮膜中での存在量が０．０６％以下であることと
したものであり、半導体装置接合時の高温の熱ストレス
によって酸化物を形成する不純物金属の皮膜中の存在量
が更に低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜またはＰ
ｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止される
という作用を有する。
Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リ
ードフレームであって、Ｐｄ組成以外の不純物金属また
はＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ皮膜中またはＰ
ｄ合金皮膜中での存在量が０．０６％以下であることと
したものであり、半導体装置接合時の高温の熱ストレス
によって酸化物を形成する不純物金属の皮膜中の存在量
が更に低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜またはＰ
ｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止される
という作用を有する。
【００２９】請求項１１に記載の発明は、板状素材上に
下地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成し
た半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ組成以外
の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰ
ｄ皮膜中またはＰｄ合金皮膜中での存在量が０．０６％
以下であることとしたものであり、半導体装置接合時の
高温の熱ストレスによって酸化物を形成する不純物金属
の皮膜中の存在量が更に低く押さえられることにより、
Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に
確実に防止されるという作用を有する。
下地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成し
た半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ組成以外
の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰ
ｄ皮膜中またはＰｄ合金皮膜中での存在量が０．０６％
以下であることとしたものであり、半導体装置接合時の
高温の熱ストレスによって酸化物を形成する不純物金属
の皮膜中の存在量が更に低く押さえられることにより、
Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に
確実に防止されるという作用を有する。
【００３０】請求項１２に記載の発明は、請求項１１に
記載の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることと
したものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止
されるという作用を有する。
記載の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることと
したものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止
されるという作用を有する。
【００３１】請求項１３に記載の発明は、Ｐｄめっきま
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上にＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの
製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰ
ｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめっき液中またはＰ
ｄ合金めっき液中での存在量が２００ｐｐｍ以下である
こととしたものであり、めっき液中の不純物金属の含有
率が低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜またはＰｄ
合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるという作用を
有する。
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上にＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの
製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰ
ｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめっき液中またはＰ
ｄ合金めっき液中での存在量が２００ｐｐｍ以下である
こととしたものであり、めっき液中の不純物金属の含有
率が低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜またはＰｄ
合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるという作用を
有する。
【００３２】請求項１４に記載の発明は、Ｐｄめっきま
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上に下地皮膜を介し
てＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成する半導体装置用
リードフレームの製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不
純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめ
っき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在量が２００
ｐｐｍ以下であることとしたものであり、めっき液中の
不純物金属の含有率が低く押さえられることにより、Ｐ
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止さ
れるという作用を有する。
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上に下地皮膜を介し
てＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成する半導体装置用
リードフレームの製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不
純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめ
っき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在量が２００
ｐｐｍ以下であることとしたものであり、めっき液中の
不純物金属の含有率が低く押さえられることにより、Ｐ
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止さ
れるという作用を有する。
【００３３】請求項１５に記載の発明は、請求項１４に
記載の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることと
したものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるとい
う作用を有する。
記載の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることと
したものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるとい
う作用を有する。
【００３４】請求項１６に記載の発明は、Ｐｄめっきま
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上にＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの
製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰ
ｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめっき液中またはＰ
ｄ合金めっき液中での存在量が１００ｐｐｍ以下である
こととしたものであり、めっき液中の不純物金属の含有
率が更に低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止され
るという作用を有する。
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上にＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの
製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰ
ｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめっき液中またはＰ
ｄ合金めっき液中での存在量が１００ｐｐｍ以下である
こととしたものであり、めっき液中の不純物金属の含有
率が更に低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止され
るという作用を有する。
【００３５】請求項１７に記載の発明は、Ｐｄめっきま
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上に下地皮膜を介し
てＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成する半導体装置用
リードフレームの製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不
純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめ
っき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在量が１００
ｐｐｍ以下であることとしたものであり、めっき液中の
不純物金属の含有率が更に低く押さえられることによ
り、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が
更に確実に防止されるという作用を有する。
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上に下地皮膜を介し
てＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成する半導体装置用
リードフレームの製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不
純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめ
っき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在量が１００
ｐｐｍ以下であることとしたものであり、めっき液中の
不純物金属の含有率が更に低く押さえられることによ
り、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が
更に確実に防止されるという作用を有する。
【００３６】請求項１８に記載の発明は、請求項１７に
記載の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることと
したものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止
されるという作用を有する。
記載の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることと
したものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止
されるという作用を有する。
【００３７】請求項１９に記載の発明は、Ｐｄめっきま
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上にＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの
製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰ
ｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめっき液中またはＰ
ｄ合金めっき液中での存在量が２００ｐｐｍ以下である
こととしたものであり、めっき液中の不純物金属の含有
率が低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜またはＰｄ
合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるという作用を
有する。
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上にＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの
製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰ
ｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめっき液中またはＰ
ｄ合金めっき液中での存在量が２００ｐｐｍ以下である
こととしたものであり、めっき液中の不純物金属の含有
率が低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜またはＰｄ
合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるという作用を
有する。
【００３８】請求項２０に記載の発明は、Ｐｄめっきま
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上に下地皮膜を介し
てＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成する半導体装置用
リードフレームの製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不
純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめ
っき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在量が２００
ｐｐｍ以下であることとしたものであり、めっき液中の
不純物金属の含有率が低く押さえられることにより、Ｐ
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止さ
れるという作用を有する。
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上に下地皮膜を介し
てＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成する半導体装置用
リードフレームの製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不
純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめ
っき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在量が２００
ｐｐｍ以下であることとしたものであり、めっき液中の
不純物金属の含有率が低く押さえられることにより、Ｐ
ｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止さ
れるという作用を有する。
【００３９】請求項２１に記載の発明は、請求項１４に
記載の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることと
したものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるとい
う作用を有する。
記載の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることと
したものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が防止されるとい
う作用を有する。
【００４０】請求項２２に記載の発明は、Ｐｄめっきま
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上にＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの
製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰ
ｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめっき液中またはＰ
ｄ合金めっき液中での存在量が１００ｐｐｍ以下である
こととしたものであり、めっき液中の不純物金属の含有
率が更に低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止され
るという作用を有する。
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上にＰｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの
製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰ
ｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめっき液中またはＰ
ｄ合金めっき液中での存在量が１００ｐｐｍ以下である
こととしたものであり、めっき液中の不純物金属の含有
率が更に低く押さえられることにより、Ｐｄ皮膜または
Ｐｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止され
るという作用を有する。
【００４１】請求項２３に記載の発明は、Ｐｄめっきま
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上に下地皮膜を介し
てＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成する半導体装置用
リードフレームの製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不
純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめ
っき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在量が１００
ｐｐｍ以下であることとしたものであり、めっき液中の
不純物金属の含有率が更に低く押さえられることによ
り、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が
更に確実に防止されるという作用を有する。
たはＰｄ合金めっきにより板状素材上に下地皮膜を介し
てＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成する半導体装置用
リードフレームの製造方法であって、Ｐｄ組成以外の不
純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめ
っき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在量が１００
ｐｐｍ以下であることとしたものであり、めっき液中の
不純物金属の含有率が更に低く押さえられることによ
り、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が
更に確実に防止されるという作用を有する。
【００４２】請求項２４に記載の発明は、請求項１７に
記載の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることと
したものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止
されるという作用を有する。
記載の発明において、下地皮膜がＮｉ皮膜であることと
したものであり、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の低下が更に確実に防止
されるという作用を有する。
【００４３】以下、本発明の実施の形態について、図
１、図２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１による半
導体装置用リードフレームを示す概略断面図である。図
２は図１の半導体装置用リードフレームの変形例を示す
概略断面図である。図１、図２において、１は板状素材
としての銅素材、２はＰｄ皮膜、３はＮｉ下地皮膜であ
る。
１、図２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１による半
導体装置用リードフレームを示す概略断面図である。図
２は図１の半導体装置用リードフレームの変形例を示す
概略断面図である。図１、図２において、１は板状素材
としての銅素材、２はＰｄ皮膜、３はＮｉ下地皮膜であ
る。
【００４４】以上のように構成された半導体装置用リー
ドフレームのうち、図２の半導体装置用リードフレーム
の製造方法について説明する。なお、図１の半導体装置
用リードフレームの製造方法は図２の半導体装置用リー
ドフレームの製造方法に準ずればよい。
ドフレームのうち、図２の半導体装置用リードフレーム
の製造方法について説明する。なお、図１の半導体装置
用リードフレームの製造方法は図２の半導体装置用リー
ドフレームの製造方法に準ずればよい。
【００４５】まず、銅素材１のリードフレームに対して
常法によりアルカリ電解脱脂、酸活性を行った後、Ｎｉ
下地皮膜３を２．０μｍ形成し、その上にＰｄめっき皮
膜を０．１μｍ形成した。ここで、アルカリ電解脱脂
は、電解液としてＮＣラストール（奥野製薬株式会社の
登録商標）６０ｇ／ｌ濃度の脱脂液（ＮａＯＨ３０ｇ／
ｌ）を用い、陽極にステンレスを用いて、浴温５０℃、
印加電圧５Ｖで１５秒間処理した。酸活性は、３％硫酸
溶液を用い、浴温５０℃で１５秒間浸漬処理を行った。
Ｎｉめっきは、スルファミン酸Ｎｉ浴を用いて、浴温５
０℃、平均電流密度１０Ａ／ｄｍ2で行った。Ｐｄめっ
きは、小島化学製のＫ−ピュア・パラジウム（登録商
標）浴を用い、浴温５０℃、平均電流密度６Ａ／ｄｍ2
で行った。
常法によりアルカリ電解脱脂、酸活性を行った後、Ｎｉ
下地皮膜３を２．０μｍ形成し、その上にＰｄめっき皮
膜を０．１μｍ形成した。ここで、アルカリ電解脱脂
は、電解液としてＮＣラストール（奥野製薬株式会社の
登録商標）６０ｇ／ｌ濃度の脱脂液（ＮａＯＨ３０ｇ／
ｌ）を用い、陽極にステンレスを用いて、浴温５０℃、
印加電圧５Ｖで１５秒間処理した。酸活性は、３％硫酸
溶液を用い、浴温５０℃で１５秒間浸漬処理を行った。
Ｎｉめっきは、スルファミン酸Ｎｉ浴を用いて、浴温５
０℃、平均電流密度１０Ａ／ｄｍ2で行った。Ｐｄめっ
きは、小島化学製のＫ−ピュア・パラジウム（登録商
標）浴を用い、浴温５０℃、平均電流密度６Ａ／ｄｍ2
で行った。
【００４６】次に、このようにして製造された図１、図
２の半導体装置用リードフレームのめっき皮膜の半田付
け性の測定方法を説明する。まず、めっきした半導体装
置用リードフレームを３１５℃で３０秒間、大気中でホ
ットプレートにて加熱した後、半導体装置用リードフレ
ームのアウタリード部６（図３、図４参照）のみを切断
して半田付け試験装置に装着し、ＪＩＳ Ｃ ００５３
規定の平衡法による半田付け試験方法によりゼロクロス
タイムを測定した。半田付け試験装置は、タルチン製の
ＳＷＥＴ１００を用い、条件としては、半田浴温度を２
２０℃、半田組成を６０％Ｓｎ−４０％Ｐｂ、降下スピ
ードを１０ｍｍ／ｓｅｃ、上昇スピードを２ｍｍ／ｓｅ
ｃ、浸漬時間を０．２ｓｅｃとして測定した。フラック
スはロジン系のＲ−１００（日本アルファメタルズ製）
を用いた。
２の半導体装置用リードフレームのめっき皮膜の半田付
け性の測定方法を説明する。まず、めっきした半導体装
置用リードフレームを３１５℃で３０秒間、大気中でホ
ットプレートにて加熱した後、半導体装置用リードフレ
ームのアウタリード部６（図３、図４参照）のみを切断
して半田付け試験装置に装着し、ＪＩＳ Ｃ ００５３
規定の平衡法による半田付け試験方法によりゼロクロス
タイムを測定した。半田付け試験装置は、タルチン製の
ＳＷＥＴ１００を用い、条件としては、半田浴温度を２
２０℃、半田組成を６０％Ｓｎ−４０％Ｐｂ、降下スピ
ードを１０ｍｍ／ｓｅｃ、上昇スピードを２ｍｍ／ｓｅ
ｃ、浸漬時間を０．２ｓｅｃとして測定した。フラック
スはロジン系のＲ−１００（日本アルファメタルズ製）
を用いた。
【００４７】この測定結果を（表１）に試験例１として
示す。この試験例１は、Ｐｄめっき液中のＮｉ濃度が０
ｐｐｍで、Ｐｄ皮膜２中のＮｉ濃度が０．０ｐｐｍであ
る場合には、半田付け性は３１５℃で０．４ｓｅｃであ
ることを示す。半田付け性は、時間が短いほど良好であ
ることを示す。
示す。この試験例１は、Ｐｄめっき液中のＮｉ濃度が０
ｐｐｍで、Ｐｄ皮膜２中のＮｉ濃度が０．０ｐｐｍであ
る場合には、半田付け性は３１５℃で０．４ｓｅｃであ
ることを示す。半田付け性は、時間が短いほど良好であ
ることを示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】（表１）の試験例２〜８は、Ｐｄめっき液
中のＮｉ濃度およびＰｄ皮膜２中のＮｉ濃度の種々の値
に対する半田付け性を示す。すなわち、試験例２〜８に
おいては、前工程使用のＮｉめっき液成分が時間と共に
Ｐｄめっき浴に持ち込まれて、（表１）に記載の量だけ
Ｐｄめっき液中にＮｉめっき液成分が増加する点が試験
例１と異なるのみであり、その他は試験例１と同様であ
る。なお、Ｐｄ皮膜２中のＮｉ濃度は、銅素材のリード
フレームまたはＰｔ／Ｔｉ上に所定皮膜をめっきした
後、硝酸にて溶解後、ＩＣＰ（セイコー電子工業製、Ｓ
ＰＳ７０００Ａ）にて測定を行った。
中のＮｉ濃度およびＰｄ皮膜２中のＮｉ濃度の種々の値
に対する半田付け性を示す。すなわち、試験例２〜８に
おいては、前工程使用のＮｉめっき液成分が時間と共に
Ｐｄめっき浴に持ち込まれて、（表１）に記載の量だけ
Ｐｄめっき液中にＮｉめっき液成分が増加する点が試験
例１と異なるのみであり、その他は試験例１と同様であ
る。なお、Ｐｄ皮膜２中のＮｉ濃度は、銅素材のリード
フレームまたはＰｔ／Ｔｉ上に所定皮膜をめっきした
後、硝酸にて溶解後、ＩＣＰ（セイコー電子工業製、Ｓ
ＰＳ７０００Ａ）にて測定を行った。
【００５０】（表１）から分かるように、Ｐｄめっき液
中のＮｉ濃度とＰｄ皮膜２中のＮｉ濃度とは一定の関係
にあり、Ｐｄめっき液中のＰｄ濃度に対するＮｉ濃度が
およそＰｄ皮膜２中のＮｉ濃度となっている。すなわ
ち、Ｎｉ濃度５０ｐｐｍの場合、Ｐｄ濃度は１０ｇ／ｌ
であるからＰｄに対するＮｉ濃度は０．５２％となる。
半田付け性は１．０以下であれば十分であると考えられ
るので、試験例１〜５は半導体装置用リードフレームと
して良好であり、試験例６〜８は不良であることを示
す。すなわち、Ｐｄめっき液中のＮｉ濃度は２００ｐｐ
ｍ以下、Ｐｄ皮膜２中のＮｉ濃度は２．０２％以下であ
れば良く、特Ｐｄめっき液中のＮｉ濃度は１００ｐｐｍ
以下、Ｐｄ皮膜２中のＮｉ濃度は１．０６％以下であれ
ば更に良好な半田付け性が得られる。
中のＮｉ濃度とＰｄ皮膜２中のＮｉ濃度とは一定の関係
にあり、Ｐｄめっき液中のＰｄ濃度に対するＮｉ濃度が
およそＰｄ皮膜２中のＮｉ濃度となっている。すなわ
ち、Ｎｉ濃度５０ｐｐｍの場合、Ｐｄ濃度は１０ｇ／ｌ
であるからＰｄに対するＮｉ濃度は０．５２％となる。
半田付け性は１．０以下であれば十分であると考えられ
るので、試験例１〜５は半導体装置用リードフレームと
して良好であり、試験例６〜８は不良であることを示
す。すなわち、Ｐｄめっき液中のＮｉ濃度は２００ｐｐ
ｍ以下、Ｐｄ皮膜２中のＮｉ濃度は２．０２％以下であ
れば良く、特Ｐｄめっき液中のＮｉ濃度は１００ｐｐｍ
以下、Ｐｄ皮膜２中のＮｉ濃度は１．０６％以下であれ
ば更に良好な半田付け性が得られる。
【００５１】（実施の形態２）（表２）の試験例９〜１
６は、Ｐｄめっき液中のＣｕ濃度およびＰｄ皮膜２中の
Ｃｕ濃度の種々の値に対する半田付け性を示す。すなわ
ち、試験例９〜１６おいては、銅素材のリードフレーム
がＰｄめっき液と接触することで、銅成分が時間と共に
Ｐｄめっき浴に混入して、（表２）に記載の量だけＰｄ
めっき液中にＣｕ成分が増加する点が試験例９と異なる
のみであり、その他は試験例９と同様である。なお、Ｐ
ｄ皮膜２中のＣｕ濃度は、Ｐｔ／Ｔｉ上に所定皮膜をめ
っきした後、硝酸にて溶解後、ＩＣＰ（セイコー電子工
業製、ＳＰＳ７０００Ａ）にて測定を行った。
６は、Ｐｄめっき液中のＣｕ濃度およびＰｄ皮膜２中の
Ｃｕ濃度の種々の値に対する半田付け性を示す。すなわ
ち、試験例９〜１６おいては、銅素材のリードフレーム
がＰｄめっき液と接触することで、銅成分が時間と共に
Ｐｄめっき浴に混入して、（表２）に記載の量だけＰｄ
めっき液中にＣｕ成分が増加する点が試験例９と異なる
のみであり、その他は試験例９と同様である。なお、Ｐ
ｄ皮膜２中のＣｕ濃度は、Ｐｔ／Ｔｉ上に所定皮膜をめ
っきした後、硝酸にて溶解後、ＩＣＰ（セイコー電子工
業製、ＳＰＳ７０００Ａ）にて測定を行った。
【００５２】
【表２】
【００５３】（表２）から分かるように、Ｐｄめっき液
中のＣｕ濃度とＰｄ皮膜２中のＣｕ濃度とは一定の関係
にあり、Ｐｄめっき液中のＰｄ濃度に対するＣｕ濃度が
およそＰｄ皮膜２中のＣｕ濃度となっている。すなわ
ち、Ｃｕ濃度１０ｐｐｍの場合、Ｐｄ濃度は１０ｇ／ｌ
であるからＰｄに対するＣｕ濃度は０．１％となる。半
田付け性は１．０以下であれば十分であると考えられる
ので、試験例１〜５は半導体装置用リードフレームとし
て良好であり、試験例１４〜１６は不良であることを示
す。すなわち、Ｐｄめっき液中のＣｕ濃度は１０ｐｐｍ
以下、Ｐｄ皮膜２中のＣｕ濃度は０．１２％以下であれ
ば良く、特Ｐｄめっき液中のＣｕ濃度は５ｐｐｍ以下、
Ｐｄ皮膜２中のＣｕ濃度は０．０６％以下であれば更に
良好な半田付け性が得られる。
中のＣｕ濃度とＰｄ皮膜２中のＣｕ濃度とは一定の関係
にあり、Ｐｄめっき液中のＰｄ濃度に対するＣｕ濃度が
およそＰｄ皮膜２中のＣｕ濃度となっている。すなわ
ち、Ｃｕ濃度１０ｐｐｍの場合、Ｐｄ濃度は１０ｇ／ｌ
であるからＰｄに対するＣｕ濃度は０．１％となる。半
田付け性は１．０以下であれば十分であると考えられる
ので、試験例１〜５は半導体装置用リードフレームとし
て良好であり、試験例１４〜１６は不良であることを示
す。すなわち、Ｐｄめっき液中のＣｕ濃度は１０ｐｐｍ
以下、Ｐｄ皮膜２中のＣｕ濃度は０．１２％以下であれ
ば良く、特Ｐｄめっき液中のＣｕ濃度は５ｐｐｍ以下、
Ｐｄ皮膜２中のＣｕ濃度は０．０６％以下であれば更に
良好な半田付け性が得られる。
【００５４】（実施の形態３）（表３）の試験例１７〜
１８は、実施の形態１の記載内容と同様に、銅素材のリ
ードフレーム上にＮｉ下地めっきを行った後、Ｐｄめっ
き皮膜を形成した。得られためっき皮膜について、二次
イオン質量分析（以下、「ＳＩＭＳ」と記す）での深さ
方向分析を行った（分析装置：ＣＡＭＥＣＡ社製 ｉｍ
ｓ−４ｆ）。ＳＩＭＳは、試料表面にイオンビームを照
射することでスパッタリングにより試料表面の原子が放
出され、そのイオン化した粒子を質量分析計により、試
料表面に含まれる元素の種類や濃度を高感度で測定する
方法である。ＳＩＭＳでは、イオン化した２次イオンの
数に相当するカウント数が、その質量数に対応した原子
・分子の存在量を示す。測定条件は、一次イオン種：Ｏ
2＋、二次イオン種：陽イオン、一次イオンエネルギー
（ｋｅＶ）：８．０、一次イオン電流（ｎＡ）：２３
０、ラスター面積：３００μｍ×３００μｍ、分析領
域：３０μｍφで行った。尚、Ｐｄ皮膜２中のＮｉ濃度
は、Ｎｉ下地めっきを形成せずに、銅素材のリードフレ
ームに直接所定皮膜をＰｄめっきした後、硝酸にて溶解
後、ＩＣＰにて測定を行った。
１８は、実施の形態１の記載内容と同様に、銅素材のリ
ードフレーム上にＮｉ下地めっきを行った後、Ｐｄめっ
き皮膜を形成した。得られためっき皮膜について、二次
イオン質量分析（以下、「ＳＩＭＳ」と記す）での深さ
方向分析を行った（分析装置：ＣＡＭＥＣＡ社製 ｉｍ
ｓ−４ｆ）。ＳＩＭＳは、試料表面にイオンビームを照
射することでスパッタリングにより試料表面の原子が放
出され、そのイオン化した粒子を質量分析計により、試
料表面に含まれる元素の種類や濃度を高感度で測定する
方法である。ＳＩＭＳでは、イオン化した２次イオンの
数に相当するカウント数が、その質量数に対応した原子
・分子の存在量を示す。測定条件は、一次イオン種：Ｏ
2＋、二次イオン種：陽イオン、一次イオンエネルギー
（ｋｅＶ）：８．０、一次イオン電流（ｎＡ）：２３
０、ラスター面積：３００μｍ×３００μｍ、分析領
域：３０μｍφで行った。尚、Ｐｄ皮膜２中のＮｉ濃度
は、Ｎｉ下地めっきを形成せずに、銅素材のリードフレ
ームに直接所定皮膜をＰｄめっきした後、硝酸にて溶解
後、ＩＣＰにて測定を行った。
【００５５】
【表３】
【００５６】（表３）のＰｄ／Ｎｉ強度比は、（図５）
（図６）のＳＩＭＳチャートにおいてＰｄ、Ｎｉの２次
イオン強度が安定した領域（０．０３〜０．０５μｍ）
の平均値を用いてＮｉ強度をＰｄ強度で規格化して算出
した。（表３）に示すように、本発明の試験例におい
て、Ｐｄめっき液中のＮｉ濃度は、Ｐｄ皮膜中のＮｉ濃
度に反映される。ＳＩＭＳによる機器分析によって、試
験例１８に対する試験例１７の割合であるＰｄ／Ｎｉ強
度比の割合は、Ｐｄ皮膜中のＮｉ濃度における比と良い
一致を示し、ＳＩＭＳによってＰｄ皮膜中のＮｉ濃度を
測定することができる。
（図６）のＳＩＭＳチャートにおいてＰｄ、Ｎｉの２次
イオン強度が安定した領域（０．０３〜０．０５μｍ）
の平均値を用いてＮｉ強度をＰｄ強度で規格化して算出
した。（表３）に示すように、本発明の試験例におい
て、Ｐｄめっき液中のＮｉ濃度は、Ｐｄ皮膜中のＮｉ濃
度に反映される。ＳＩＭＳによる機器分析によって、試
験例１８に対する試験例１７の割合であるＰｄ／Ｎｉ強
度比の割合は、Ｐｄ皮膜中のＮｉ濃度における比と良い
一致を示し、ＳＩＭＳによってＰｄ皮膜中のＮｉ濃度を
測定することができる。
【００５７】なお、本実施の形態では、銅素材１上にＰ
ｄ皮膜２を形成した半導体装置用リードフレームを示し
たが、銅素材の代わりに例えば４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金素
材を使用しても同様の効果を奏することができる。ま
た、銅素材１とＰｄ皮膜２との間にＮｉ皮膜３を介在さ
せたが、Ｎｉの代わりに例えばＳｎ−Ｎｉを使用しても
同様の効果を奏することができる。さらに、銅素材１上
にＰｄ皮膜２を形成した場合を示したが、Ｐｄ皮膜２以
外の金属としてＰｄ合金皮膜（例えばＰｄ−Ａｇ）を使
用して同様の効果を奏することもできる。
ｄ皮膜２を形成した半導体装置用リードフレームを示し
たが、銅素材の代わりに例えば４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金素
材を使用しても同様の効果を奏することができる。ま
た、銅素材１とＰｄ皮膜２との間にＮｉ皮膜３を介在さ
せたが、Ｎｉの代わりに例えばＳｎ−Ｎｉを使用しても
同様の効果を奏することができる。さらに、銅素材１上
にＰｄ皮膜２を形成した場合を示したが、Ｐｄ皮膜２以
外の金属としてＰｄ合金皮膜（例えばＰｄ−Ａｇ）を使
用して同様の効果を奏することもできる。
【００５８】以上のように本実施の形態によれば、Ｐｄ
組成以外の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物
金属のＰｄ皮膜２中またはＰｄ合金皮膜中での存在量が
Ｎｉ不純物の場合に１％以下、Ｃｕ不純物の場合に０．
０６％以下であるようにしたので、半導体装置たとえば
半導体チップ接合時の高温の熱ストレスによって酸化物
を形成する不純物金属のＰｄ皮膜２中またはＰｄ合金皮
膜中の存在量を低く押さえて、Ｐｄ皮膜２またはＰｄ合
金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止することができる。ま
た、Ｐｄ皮膜２またはＰｄ合金皮膜と銅素材１との間に
中間膜としてＰｄ組成以外の金属またはＰｄ合金組成以
外の金属たとえばＮｉを介在させることにより、素材の
酸化防止ができ、半田ぬれ性の低下を防止することがで
きる。
組成以外の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物
金属のＰｄ皮膜２中またはＰｄ合金皮膜中での存在量が
Ｎｉ不純物の場合に１％以下、Ｃｕ不純物の場合に０．
０６％以下であるようにしたので、半導体装置たとえば
半導体チップ接合時の高温の熱ストレスによって酸化物
を形成する不純物金属のＰｄ皮膜２中またはＰｄ合金皮
膜中の存在量を低く押さえて、Ｐｄ皮膜２またはＰｄ合
金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止することができる。ま
た、Ｐｄ皮膜２またはＰｄ合金皮膜と銅素材１との間に
中間膜としてＰｄ組成以外の金属またはＰｄ合金組成以
外の金属たとえばＮｉを介在させることにより、素材の
酸化防止ができ、半田ぬれ性の低下を防止することがで
きる。
【００５９】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体装置用リー
ドフレームによれば、半導体装置（例えば半導体チッ
プ）接合時の高温の熱ストレスによって酸化物を形成す
る不純物金属のＰｄ皮膜中またはＰｄ合金皮膜中の存在
量を低く押さえて、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田
ぬれ性の低下を防止することができるので、半導体装置
接合時の高温の熱ストレスによる半田ぬれ性の低下を防
止することができるという有利な効果が得られる。
ドフレームによれば、半導体装置（例えば半導体チッ
プ）接合時の高温の熱ストレスによって酸化物を形成す
る不純物金属のＰｄ皮膜中またはＰｄ合金皮膜中の存在
量を低く押さえて、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田
ぬれ性の低下を防止することができるので、半導体装置
接合時の高温の熱ストレスによる半田ぬれ性の低下を防
止することができるという有利な効果が得られる。
【００６０】また、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜と板状
素材との間に下地皮膜を設けた場合にも、上記と同様の
有利な効果が得られる。
素材との間に下地皮膜を設けた場合にも、上記と同様の
有利な効果が得られる。
【００６１】さらに、下地皮膜がＮｉ皮膜であることに
より、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜またはＰｄ合
金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止することができるとい
う有利な効果が得られる。
より、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜またはＰｄ合
金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止することができるとい
う有利な効果が得られる。
【００６２】さらに、Ｐｄ組成以外の不純物金属または
Ｐｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ皮膜中またはＰｄ
合金皮膜中での存在量が０．０６％以下であることによ
り、半導体装置接合時の高温の熱ストレスによって酸化
物を形成する不純物金属のＰｄ皮膜中またはＰｄ合金皮
膜中の存在量を更に低く押さえて、Ｐｄ皮膜またはＰｄ
合金皮膜の半田ぬれ性の低下を更に確実に防止すること
ができるという有利な効果が得られる。
Ｐｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄ皮膜中またはＰｄ
合金皮膜中での存在量が０．０６％以下であることによ
り、半導体装置接合時の高温の熱ストレスによって酸化
物を形成する不純物金属のＰｄ皮膜中またはＰｄ合金皮
膜中の存在量を更に低く押さえて、Ｐｄ皮膜またはＰｄ
合金皮膜の半田ぬれ性の低下を更に確実に防止すること
ができるという有利な効果が得られる。
【００６３】さらに、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜と板
状素材との間に下地皮膜を設けた場合にも、上記と同様
の有利な効果が得られる。
状素材との間に下地皮膜を設けた場合にも、上記と同様
の有利な効果が得られる。
【００６４】さらに、下地皮膜がＮｉ皮膜であることに
より、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜またはＰｄ合
金皮膜の半田ぬれ性の低下を更に確実に防止することが
できるという有利な効果が得られる。
より、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜またはＰｄ合
金皮膜の半田ぬれ性の低下を更に確実に防止することが
できるという有利な効果が得られる。
【００６５】本発明の半導体装置用リードフレームの製
造方法によれば、めっき液中の不純物金属の含有率を低
く押さえて、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性
の低下を防止することができるので、半導体装置接合時
の高温の熱ストレスによる半田ぬれ性の低下を防止する
ことができるという有利な効果が得られる。
造方法によれば、めっき液中の不純物金属の含有率を低
く押さえて、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性
の低下を防止することができるので、半導体装置接合時
の高温の熱ストレスによる半田ぬれ性の低下を防止する
ことができるという有利な効果が得られる。
【００６６】また、ＰｄめっきまたはＰｄ合金めっきに
より板状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ
合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの製造
方法の場合にも、上記と同様の有利な効果が得られる。
より板状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ
合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの製造
方法の場合にも、上記と同様の有利な効果が得られる。
【００６７】さらに、下地皮膜がＮｉ皮膜であることに
より、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜またはＰｄ合
金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止することができるとい
う有利な効果が得られる。
より、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜またはＰｄ合
金皮膜の半田ぬれ性の低下を防止することができるとい
う有利な効果が得られる。
【００６８】さらに、Ｐｄ組成以外の不純物金属または
Ｐｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめっき液中または
Ｐｄ合金めっき液中での存在量が５ｐｐｍ以下であるこ
とにより、めっき液中の不純物金属の含有率を更に低く
押さえて、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の
低下を更に確実に防止することができるという有利な効
果が得られる。
Ｐｄ合金組成以外の不純物金属のＰｄめっき液中または
Ｐｄ合金めっき液中での存在量が５ｐｐｍ以下であるこ
とにより、めっき液中の不純物金属の含有率を更に低く
押さえて、Ｐｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜の半田ぬれ性の
低下を更に確実に防止することができるという有利な効
果が得られる。
【００６９】さらに、ＰｄめっきまたはＰｄ合金めっき
により板状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰ
ｄ合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの製
造方法の場合であっても、上記と同様の有利な効果が得
られる。
により板状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰ
ｄ合金皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの製
造方法の場合であっても、上記と同様の有利な効果が得
られる。
【００７０】さらに、下地皮膜がＮｉ皮膜であることに
より、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜またはＰｄ合
金皮膜の半田ぬれ性の低下を更に確実に防止することが
できるという有利な効果が得られる。
より、素材の酸化防止効果によりＰｄ皮膜またはＰｄ合
金皮膜の半田ぬれ性の低下を更に確実に防止することが
できるという有利な効果が得られる。
【図１】本発明の実施の形態１による半導体装置用リー
ドフレームを示す概略断面図
ドフレームを示す概略断面図
【図２】図１の半導体装置用リードフレームの変形例を
示す概略断面図
示す概略断面図
【図３】トランジスタ、ＩＣなどの半導体装置が搭載さ
れる一般的な半導体装置用リードフレームを示す平面図
れる一般的な半導体装置用リードフレームを示す平面図
【図４】半導体装置を実装した状態を示す実装状態図
【図５】本発明の実施の形態３によるＳＩＭＳチャート
【図６】本発明の実施の形態３によるＳＩＭＳチャート
１ 銅素材（板状素材） ２ Ｐｄ皮膜 ３ Ｎｉ皮膜（下地皮膜） ４ パッド部 ５ インナリード部 ６ アウタリード部 ７ タイバ部 ８ 半導体チップ（半導体装置） ９ 接着剤 １０ 電極パッド １１ ワイヤー １２ 封止樹脂
Claims (24)
- 【請求項１】板状素材上にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜
を形成した半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ
組成以外の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物
金属の前記Ｐｄ皮膜中または前記Ｐｄ合金皮膜中での存
在量が２％以下であることを特徴とする半導体装置用リ
ードフレーム。 - 【請求項２】板状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リードフレー
ムであって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰｄ合金
組成以外の不純物金属の前記Ｐｄ皮膜中または前記Ｐｄ
合金皮膜中での存在量が２％以下であることを特徴とす
る半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項３】前記下地皮膜がＮｉ皮膜であることを特徴
とする請求項２に記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項４】板状素材上にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜
を形成した半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ
組成以外の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物
金属の前記Ｐｄ皮膜中または前記Ｐｄ合金皮膜中での存
在量が１％以下であることを特徴とする半導体装置用リ
ードフレーム。 - 【請求項５】板状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リードフレー
ムであって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰｄ合金
組成以外の不純物金属の前記Ｐｄ皮膜中または前記Ｐｄ
合金皮膜中での存在量が１％以下であることを特徴とす
る半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項６】前記下地皮膜がＮｉ皮膜であることを特徴
とする請求項５に記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項７】板状素材上にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜
を形成した半導体装置用リードフレームであって、Ｐｄ
組成以外の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物
金属の前記Ｐｄ皮膜中または前記Ｐｄ合金皮膜中での存
在量が０．１２％以下であることを特徴とする半導体装
置用リードフレーム。 - 【請求項８】板状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜ま
たはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リードフレー
ムであって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰｄ合金
組成以外の不純物金属の前記Ｐｄ皮膜中または前記Ｐｄ
合金皮膜中での存在量が０．１２％以下であることを特
徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項９】前記下地皮膜がＮｉ皮膜であることを特徴
とする請求項７に記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項１０】板状素材上にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮
膜を形成した半導体装置用リードフレームであって、Ｐ
ｄ組成以外の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純
物金属の前記Ｐｄ皮膜中または前記Ｐｄ合金皮膜中での
存在量が０．０６％以下であることを特徴とする半導体
装置用リードフレーム。 - 【請求項１１】板状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜
またはＰｄ合金皮膜を形成した半導体装置用リードフレ
ームであって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰｄ合
金組成以外の不純物金属の前記Ｐｄ皮膜中または前記Ｐ
ｄ合金皮膜中での存在量が０．０６％以下であることを
特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項１２】前記下地皮膜がＮｉ皮膜であることを特
徴とする請求項１１に記載の半導体装置用リードフレー
ム。 - 【請求項１３】ＰｄめっきまたはＰｄ合金めっきにより
板状素材上にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成する半
導体装置用リードフレームの製造方法であって、Ｐｄ組
成以外の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金
属のＰｄめっき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在
量が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体装
置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項１４】ＰｄめっきまたはＰｄ合金めっきにより
板状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金
皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの製造方法
であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰｄ合金組
成以外の不純物金属のＰｄめっき液中またはＰｄ合金め
っき液中での存在量が２００ｐｐｍ以下であることを特
徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項１５】前記下地皮膜がＮｉ皮膜であることを特
徴とする請求項１４に記載の半導体装置用リードフレー
ムの製造方法。 - 【請求項１６】ＰｄめっきまたはＰｄ合金めっきにより
板状素材上にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成する半
導体装置用リードフレームの製造方法であって、Ｐｄ組
成以外の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金
属のＰｄめっき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在
量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体装
置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項１７】ＰｄめっきまたはＰｄ合金めっきにより
板状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金
皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの製造方法
であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰｄ合金組
成以外の不純物金属のＰｄめっき液中またはＰｄ合金め
っき液中での存在量が１００ｐｐｍ以下であることを特
徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項１８】前記下地皮膜がＮｉ皮膜であることを特
徴とする請求項１７に記載の半導体装置用リードフレー
ムの製造方法。 - 【請求項１９】ＰｄめっきまたはＰｄ合金めっきにより
板状素材上にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成する半
導体装置用リードフレームの製造方法であって、Ｐｄ組
成以外の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金
属のＰｄめっき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在
量が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体装置
用リードフレームの製造方法。 - 【請求項２０】ＰｄめっきまたはＰｄ合金めっきにより
板状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金
皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの製造方法
であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰｄ合金組
成以外の不純物金属のＰｄめっき液中またはＰｄ合金め
っき液中での存在量が１０ｐｐｍ以下であることを特徴
とする半導体装置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項２１】前記下地皮膜がＮｉ皮膜であることを特
徴とする請求項２０に記載の半導体装置用リードフレー
ムの製造方法。 - 【請求項２２】ＰｄめっきまたはＰｄ合金めっきにより
板状素材上にＰｄ皮膜またはＰｄ合金皮膜を形成する半
導体装置用リードフレームの製造方法であって、Ｐｄ組
成以外の不純物金属またはＰｄ合金組成以外の不純物金
属のＰｄめっき液中またはＰｄ合金めっき液中での存在
量が５ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体装置用
リードフレームの製造方法。 - 【請求項２３】ＰｄめっきまたはＰｄ合金めっきにより
板状素材上に下地皮膜を介してＰｄ皮膜またはＰｄ合金
皮膜を形成する半導体装置用リードフレームの製造方法
であって、Ｐｄ組成以外の不純物金属またはＰｄ合金組
成以外の不純物金属のＰｄめっき液中またはＰｄ合金め
っき液中での存在量が５ｐｐｍ以下であることを特徴と
する半導体装置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項２４】前記下地皮膜がＮｉ皮膜であることを特
徴とする請求項２３に記載の半導体装置用リードフレー
ムの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10046939A JPH10308491A (ja) | 1997-03-04 | 1998-02-27 | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 |
| US09/153,065 US6521358B1 (en) | 1997-03-04 | 1998-09-15 | Lead frame for semiconductor device and method of producing same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4866297 | 1997-03-04 | ||
| JP9-48662 | 1997-03-04 | ||
| JP10046939A JPH10308491A (ja) | 1997-03-04 | 1998-02-27 | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308491A true JPH10308491A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=26387106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10046939A Pending JPH10308491A (ja) | 1997-03-04 | 1998-02-27 | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10308491A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008072006A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Toyota Central R&D Labs Inc | 接合体 |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP10046939A patent/JPH10308491A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008072006A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Toyota Central R&D Labs Inc | 接合体 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050131 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050215 |
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| RD01 | Notification of change of attorney |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A02 | Decision of refusal |
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