JPH10256263A - Ｓｏｉ基板およびその製造方法 - Google Patents
Ｓｏｉ基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH10256263A JPH10256263A JP5635497A JP5635497A JPH10256263A JP H10256263 A JPH10256263 A JP H10256263A JP 5635497 A JP5635497 A JP 5635497A JP 5635497 A JP5635497 A JP 5635497A JP H10256263 A JPH10256263 A JP H10256263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- film
- substrate
- layer
- soi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 92
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 92
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 16
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 133
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 20
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ＳＯＩの作製工程、または半導体
素子の作製工程における高温熱処理を経ても高いゲッタ
リング能力を保つＳＯＩ基板を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 支持基板１０１と絶縁層とシリコン活性
層１０５が順に積層されたＳＯＩ基板において、前記絶
縁層内に、１０17／ｃｍ-3以上の不純物を含む多結晶シ
リコン領域１０３を有することを特徴とするＳＯＩ基
板。
素子の作製工程における高温熱処理を経ても高いゲッタ
リング能力を保つＳＯＩ基板を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 支持基板１０１と絶縁層とシリコン活性
層１０５が順に積層されたＳＯＩ基板において、前記絶
縁層内に、１０17／ｃｍ-3以上の不純物を含む多結晶シ
リコン領域１０３を有することを特徴とするＳＯＩ基
板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、支持基板上にシリ
コン活性層を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉ
ｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の構造に関するものである。
コン活性層を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉ
ｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】典型的なＳＯＩ基板は、図８に示すよう
にシリコン基板８０１上に形成された二酸化シリコン膜
８０２上にシリコン活性層８０３が積層された構造であ
る。ＳＯＩ構造では、シリコン活性層中に形成された各
トランジスタ等を、絶縁膜で完全に分離することができ
るため、ｐｎ接合分離によって生ずる多くの問題を解決
することができる。即ち、放射線によるソフトエラーの
抑制、低消費電力化、高速化などに有利な構造である。
にシリコン基板８０１上に形成された二酸化シリコン膜
８０２上にシリコン活性層８０３が積層された構造であ
る。ＳＯＩ構造では、シリコン活性層中に形成された各
トランジスタ等を、絶縁膜で完全に分離することができ
るため、ｐｎ接合分離によって生ずる多くの問題を解決
することができる。即ち、放射線によるソフトエラーの
抑制、低消費電力化、高速化などに有利な構造である。
【０００３】しかし、シリコン活性層の下に厚い酸化膜
があることによって、製造プロセス時の金属汚染の影響
を受けやすいという欠点がある。
があることによって、製造プロセス時の金属汚染の影響
を受けやすいという欠点がある。
【０００４】通常のシリコン基板を用いて半導体装置を
製造する際に、ウェーハ裏面に多結晶シリコン層や窒化
シリコン層などを形成したり、あるいはシリコン基板中
に結晶欠陥層を形成したりする方法で、何らかの歪み層
を形成しておき、製造プロセス時に生じる金属汚染を歪
み層で捕獲（ゲッタリング）することにより、半導体素
子を形成する表面活性層を金属汚染から守るという方法
が採られる。
製造する際に、ウェーハ裏面に多結晶シリコン層や窒化
シリコン層などを形成したり、あるいはシリコン基板中
に結晶欠陥層を形成したりする方法で、何らかの歪み層
を形成しておき、製造プロセス時に生じる金属汚染を歪
み層で捕獲（ゲッタリング）することにより、半導体素
子を形成する表面活性層を金属汚染から守るという方法
が採られる。
【０００５】一般に金属の拡散はシリコン中よりも絶縁
膜中で遥かに遅い。従って、シリコン活性層下に厚い絶
縁膜が存在するＳＯＩ構造の場合、表面活性層を金属汚
染から十分に保護できない問題がある。
膜中で遥かに遅い。従って、シリコン活性層下に厚い絶
縁膜が存在するＳＯＩ構造の場合、表面活性層を金属汚
染から十分に保護できない問題がある。
【０００６】このような欠点を改善する目的で、特開平
４−１９９６３２には、図９に示すような構造が開示さ
れている。
４−１９９６３２には、図９に示すような構造が開示さ
れている。
【０００７】即ち、半導体活性層９０１、第１の絶縁膜
９０２、シンク層９０３、第２の絶縁膜９０４および半
導体支持基板９０５が順に積層された構造である。この
構造は、シリコン基板に第１の酸化膜を熱酸化で形成し
たものと、支持基板上に第２の絶縁膜を形成し更にその
上に多結晶Ｓｉ膜、アモルファスＳｉ膜またはアモルフ
ァス窒化シリコン膜を形成したものとを密着させ、１０
００℃の温度で加熱処理することで接着するという方法
で製造される。
９０２、シンク層９０３、第２の絶縁膜９０４および半
導体支持基板９０５が順に積層された構造である。この
構造は、シリコン基板に第１の酸化膜を熱酸化で形成し
たものと、支持基板上に第２の絶縁膜を形成し更にその
上に多結晶Ｓｉ膜、アモルファスＳｉ膜またはアモルフ
ァス窒化シリコン膜を形成したものとを密着させ、１０
００℃の温度で加熱処理することで接着するという方法
で製造される。
【０００８】しかし、例えばシリコン基板裏面に多結晶
シリコン膜を堆積させておいて重金属をゲッタリングす
るような場合、１０００℃以上に加熱すると多結晶シリ
コン膜に重金属のゲッタリング作用がなくなることが知
られている。これは、ＳＯＩ基板の作製工程において、
重金属のゲッタリング能力を持たせておくべき多結晶シ
リコン層の結晶粒径が大きくなり、ゲッタリング能力を
保ち得なくなるからである。上記の特開平４−１９９６
３２に開示されたような、ＳＯＩの絶縁膜中に多結晶Ｓ
ｉ膜を形成しておくという方法も、実際には重金属に対
するゲッタリング作用はほとんどなかった。また、アモ
ルファスＳｉ膜を用いても、１０００℃のごく短時間の
熱処理（分のオーダー）で多結晶化するので、多結晶シ
リコン膜と何ら変わりが無い。
シリコン膜を堆積させておいて重金属をゲッタリングす
るような場合、１０００℃以上に加熱すると多結晶シリ
コン膜に重金属のゲッタリング作用がなくなることが知
られている。これは、ＳＯＩ基板の作製工程において、
重金属のゲッタリング能力を持たせておくべき多結晶シ
リコン層の結晶粒径が大きくなり、ゲッタリング能力を
保ち得なくなるからである。上記の特開平４−１９９６
３２に開示されたような、ＳＯＩの絶縁膜中に多結晶Ｓ
ｉ膜を形成しておくという方法も、実際には重金属に対
するゲッタリング作用はほとんどなかった。また、アモ
ルファスＳｉ膜を用いても、１０００℃のごく短時間の
熱処理（分のオーダー）で多結晶化するので、多結晶シ
リコン膜と何ら変わりが無い。
【０００９】従って、従来の技術（特開平４−１９９６
３２）で示された作製方法によって得られる構造では、
十分なゲッタリング作用が得られないという問題があっ
た。
３２）で示された作製方法によって得られる構造では、
十分なゲッタリング作用が得られないという問題があっ
た。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＳＯＩの作
製工程、または半導体素子の作製工程における高温熱処
理を経ても高いゲッタリング能力を保つＳＯＩ基板を提
供することを目的とする。
製工程、または半導体素子の作製工程における高温熱処
理を経ても高いゲッタリング能力を保つＳＯＩ基板を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、支持基板と絶
縁層とシリコン活性層が順に積層されたＳＯＩ基板にお
いて、前記絶縁層内に、１０17／ｃｍ-3以上の不純物を
含む多結晶シリコン領域を有することを特徴とするＳＯ
Ｉ基板に関する。
縁層とシリコン活性層が順に積層されたＳＯＩ基板にお
いて、前記絶縁層内に、１０17／ｃｍ-3以上の不純物を
含む多結晶シリコン領域を有することを特徴とするＳＯ
Ｉ基板に関する。
【００１２】ここで、不純物を含む多結晶シリコン領域
は、前記絶縁層内に種々の形態で存在することが可能
で、例えば、多結晶シリコン膜として両側から絶縁膜で
挟まれている形態、絶縁膜内に不連続に島状に存在して
いる形態等を挙げることができる。製造上の観点から
は、膜状に形成するのが容易であり好ましい。この場
合、層数は１層以上で複数層とすることができる。ま
た、膜平面内において連続している必要はなくパターニ
ングされて離散的に存在しても良い。
は、前記絶縁層内に種々の形態で存在することが可能
で、例えば、多結晶シリコン膜として両側から絶縁膜で
挟まれている形態、絶縁膜内に不連続に島状に存在して
いる形態等を挙げることができる。製造上の観点から
は、膜状に形成するのが容易であり好ましい。この場
合、層数は１層以上で複数層とすることができる。ま
た、膜平面内において連続している必要はなくパターニ
ングされて離散的に存在しても良い。
【００１３】このように、絶縁層内に設けた多結晶シリ
コン領域に不純物を含ませると、高温下においてもシリ
コンが大粒子化するのを防ぐことができる。従って、ゲ
ッタリングサイトが減少しないので、ゲッタリング作用
が保持される。
コン領域に不純物を含ませると、高温下においてもシリ
コンが大粒子化するのを防ぐことができる。従って、ゲ
ッタリングサイトが減少しないので、ゲッタリング作用
が保持される。
【００１４】また、本発明は、支持基板と絶縁層とシリ
コン活性層が順に積層されたＳＯＩ基板において、前記
絶縁層内に、多結晶シリコン膜と窒化シリコン膜とを少
なくともそれぞれ１層ずつ有することを特徴とするＳＯ
Ｉ基板に関する。
コン活性層が順に積層されたＳＯＩ基板において、前記
絶縁層内に、多結晶シリコン膜と窒化シリコン膜とを少
なくともそれぞれ１層ずつ有することを特徴とするＳＯ
Ｉ基板に関する。
【００１５】さらに、本発明は、支持基板と絶縁層とシ
リコン活性層が順に積層されたＳＯＩ基板において、前
記絶縁層内に、少なくとも１層のシリコンゲルマニウム
膜を有することを特徴とするＳＯＩ基板に関する。
リコン活性層が順に積層されたＳＯＩ基板において、前
記絶縁層内に、少なくとも１層のシリコンゲルマニウム
膜を有することを特徴とするＳＯＩ基板に関する。
【００１６】絶縁層内に、多結晶シリコン膜と窒化シリ
コン膜とが存在すると、歪みが大きくなり、よりゲッタ
リング効果が大きくなる。多結晶シリコン膜と窒化シリ
コン膜とは特に接触して積層することが好ましい。
コン膜とが存在すると、歪みが大きくなり、よりゲッタ
リング効果が大きくなる。多結晶シリコン膜と窒化シリ
コン膜とは特に接触して積層することが好ましい。
【００１７】また、シリコンとゲルマニウムの混晶であ
るシリコンゲルマニウムもゲッタリング効果が大きいの
で、シリコンゲルマニウム膜もゲッタリング層として絶
縁層内に設けることができる。
るシリコンゲルマニウムもゲッタリング効果が大きいの
で、シリコンゲルマニウム膜もゲッタリング層として絶
縁層内に設けることができる。
【００１８】絶縁層内に、多結晶シリコン膜と窒化シリ
コン膜とが存在する場合、またはシリコンゲルマニウム
が存在する場合においても、多結晶シリコン膜およびシ
リコンゲルマニウム膜に１０17／ｃｍ-3以上の不純物を
含ませることでさらにゲッタリング効果が期待できる。
コン膜とが存在する場合、またはシリコンゲルマニウム
が存在する場合においても、多結晶シリコン膜およびシ
リコンゲルマニウム膜に１０17／ｃｍ-3以上の不純物を
含ませることでさらにゲッタリング効果が期待できる。
【００１９】本発明では、以上のような構造を用いる事
によって、絶縁層の中に形成した多結晶シリコン領域な
どのゲッタリング作用は１０００℃以上の高温処理にお
いても損なわれる事はなく、製造プロセス中にやってく
る重金属を十分捕らえ、シリコン活性層を重金属汚染か
ら守ることができる。
によって、絶縁層の中に形成した多結晶シリコン領域な
どのゲッタリング作用は１０００℃以上の高温処理にお
いても損なわれる事はなく、製造プロセス中にやってく
る重金属を十分捕らえ、シリコン活性層を重金属汚染か
ら守ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２１】［実施形態１］図１は本発明の第１の実施
の形態を説明するための断面図である。シリコン基板１
０１の上に第１の絶縁膜１０２が形成され、その上に１
×１０17ｃｍ-3程度以上の不純物がドープされたシリコ
ン（多結晶）膜１０３があり、その上に第２の絶縁膜１
０４、その上にシリコン活性層１０５が形成されてい
る。
の形態を説明するための断面図である。シリコン基板１
０１の上に第１の絶縁膜１０２が形成され、その上に１
×１０17ｃｍ-3程度以上の不純物がドープされたシリコ
ン（多結晶）膜１０３があり、その上に第２の絶縁膜１
０４、その上にシリコン活性層１０５が形成されてい
る。
【００２２】不純物としては、ホウ素、炭素、酸素、窒
素などが適しており、こうした不純物を１×１０17ｃｍ
-3程度以上含む多結晶シリコン膜は１０００℃以上の温
度で長時間熱処理を経ても、結晶粒径が増大しない。従
って、後述するような貼合せＳＯＩ基板の形成工程で
も、また半導体素子を形成する熱処理工程でも重金属に
対する高いゲッタリング能力を維持することができる。
素などが適しており、こうした不純物を１×１０17ｃｍ
-3程度以上含む多結晶シリコン膜は１０００℃以上の温
度で長時間熱処理を経ても、結晶粒径が増大しない。従
って、後述するような貼合せＳＯＩ基板の形成工程で
も、また半導体素子を形成する熱処理工程でも重金属に
対する高いゲッタリング能力を維持することができる。
【００２３】不純物としてホウ素を選んだ場合、シリコ
ン膜１０３が厚いと、第１の絶縁膜１０２、シリコン膜
１０３および第２の絶縁膜１０４からなる絶縁層全体が
導電層として働いてしまうことが考えられる。しかし、
例えば１×１０20ｃｍ-3程度の不純物を含む場合でも、
膜厚を５ｎｍ程度以下に制限すれば、３層からなる絶縁
層としては絶縁性を保つ事ができ、半導体素子特性に影
響することを避けることができる。即ち、不純物のドー
プ量の上限は膜厚とのかねあいで適宜調製することがで
きる。
ン膜１０３が厚いと、第１の絶縁膜１０２、シリコン膜
１０３および第２の絶縁膜１０４からなる絶縁層全体が
導電層として働いてしまうことが考えられる。しかし、
例えば１×１０20ｃｍ-3程度の不純物を含む場合でも、
膜厚を５ｎｍ程度以下に制限すれば、３層からなる絶縁
層としては絶縁性を保つ事ができ、半導体素子特性に影
響することを避けることができる。即ち、不純物のドー
プ量の上限は膜厚とのかねあいで適宜調製することがで
きる。
【００２４】また、ホウ素単独ではなく、同程度の炭
素、酸素、窒素等も合わせてドープすることによって高
温処理を経ても、結晶粒径をより小さく保つことができ
るため、ホウ素のドープ量を減少させることができるの
で、シリコン膜１０３の膜厚を２０〜３０ｎｍ程度の厚
さとしても絶縁層全体としては絶縁性を保つことができ
る。
素、酸素、窒素等も合わせてドープすることによって高
温処理を経ても、結晶粒径をより小さく保つことができ
るため、ホウ素のドープ量を減少させることができるの
で、シリコン膜１０３の膜厚を２０〜３０ｎｍ程度の厚
さとしても絶縁層全体としては絶縁性を保つことができ
る。
【００２５】一方、ホウ素は、鉄等の半導体素子への悪
影響が大きく同時に酸化膜中での拡散係数が小さい不純
物と化学的に安定な化合物を形成する性質が有るため、
ゲッタリング層に含ませておくことにより、半導体素子
への影響をより少なくすることができるのでさらに有効
なゲッタリング層を形成することができる。
影響が大きく同時に酸化膜中での拡散係数が小さい不純
物と化学的に安定な化合物を形成する性質が有るため、
ゲッタリング層に含ませておくことにより、半導体素子
への影響をより少なくすることができるのでさらに有効
なゲッタリング層を形成することができる。
【００２６】［製造例１］次に、図２を用いて図１に示
した構造の形成方法の例を説明する。
した構造の形成方法の例を説明する。
【００２７】まず図２（ａ）のように、シリコン基板２
０１の上に第１の二酸化シリコン膜２０２を形成し、そ
の上に酸素などの不純物をドープした非晶質シリコン膜
２０３を堆積する。二酸化シリコン膜２０２の形成法は
熱酸化でも、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてもよい。ここでシリ
コン膜を非晶質の形で堆積するのは、表面の平坦性が良
いからで、この平坦性は後の接着を確実に行うために非
常に有効である。
０１の上に第１の二酸化シリコン膜２０２を形成し、そ
の上に酸素などの不純物をドープした非晶質シリコン膜
２０３を堆積する。二酸化シリコン膜２０２の形成法は
熱酸化でも、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてもよい。ここでシリ
コン膜を非晶質の形で堆積するのは、表面の平坦性が良
いからで、この平坦性は後の接着を確実に行うために非
常に有効である。
【００２８】次に図２（ｂ）のように、図２（ａ）で形
成した基板と、両面に熱酸化で形成した二酸化シリコン
膜２０６を形成したシリコン基板２０５とを貼合せる。
貼合せは１０００〜１１００℃程度の温度で１時間程度
熱処理を行う。この熱処理によって、２枚の基板は接着
されると同時に、非晶質シリコン膜２０３は多結晶シリ
コン膜２０４に変わることになる。このような熱処理を
受けても、ホウ素、炭素、酸素、窒素などの不純物が１
０17ｃｍ-3程度以上含まれているので、結晶粒径を小さ
く保つことができる。例えば１０18ｃｍ-3の上記不純物
を含ませておくことで、結晶粒径を２０ｎｍ程度以下に
保つことができ、十分なゲッタリングサイト（結晶粒の
総表面積）を有する層を形成することができる。シリコ
ン基板２０５の両面に形成する熱酸化膜の厚さは２０〜
５０ｎｍ程度がゲッタリングの面からは望ましい。
成した基板と、両面に熱酸化で形成した二酸化シリコン
膜２０６を形成したシリコン基板２０５とを貼合せる。
貼合せは１０００〜１１００℃程度の温度で１時間程度
熱処理を行う。この熱処理によって、２枚の基板は接着
されると同時に、非晶質シリコン膜２０３は多結晶シリ
コン膜２０４に変わることになる。このような熱処理を
受けても、ホウ素、炭素、酸素、窒素などの不純物が１
０17ｃｍ-3程度以上含まれているので、結晶粒径を小さ
く保つことができる。例えば１０18ｃｍ-3の上記不純物
を含ませておくことで、結晶粒径を２０ｎｍ程度以下に
保つことができ、十分なゲッタリングサイト（結晶粒の
総表面積）を有する層を形成することができる。シリコ
ン基板２０５の両面に形成する熱酸化膜の厚さは２０〜
５０ｎｍ程度がゲッタリングの面からは望ましい。
【００２９】次に図２（ｃ）のように、シリコン基板２
０５を機械的研磨で薄くし、表面にシリコン活性層２０
７を残す。シリコン活性層２０７の厚さは、研磨の均一
性と作製する半導体素子の種類によって選ばれる。
０５を機械的研磨で薄くし、表面にシリコン活性層２０
７を残す。シリコン活性層２０７の厚さは、研磨の均一
性と作製する半導体素子の種類によって選ばれる。
【００３０】以上のような方法で作製した貼合せＳＯＩ
基板の重金属ゲッタリング効果を確認する目的で、強制
汚染させたＳＯＩ基板を熱処理し、熱処理後の重金属不
純物の分布を調べた。
基板の重金属ゲッタリング効果を確認する目的で、強制
汚染させたＳＯＩ基板を熱処理し、熱処理後の重金属不
純物の分布を調べた。
【００３１】使用した基板は、シリコン基板上に２００
ｎｍの熱酸化膜、１０ｎｍの多結晶シリコン膜（ホウ素
および酸素を、濃度１０18ｃｍ-3にドープした）、５０
ｎｍの第２の熱酸化膜、約５０ｎｍのシリコン活性層が
形成されたＳＯＩ基板である。比較のために不純物をド
ープしていない多結晶シリコン膜を挟み込んだＳＯＩを
作製した。
ｎｍの熱酸化膜、１０ｎｍの多結晶シリコン膜（ホウ素
および酸素を、濃度１０18ｃｍ-3にドープした）、５０
ｎｍの第２の熱酸化膜、約５０ｎｍのシリコン活性層が
形成されたＳＯＩ基板である。比較のために不純物をド
ープしていない多結晶シリコン膜を挟み込んだＳＯＩを
作製した。
【００３２】典型的な汚染重金属である、鉄あるいは銅
を基板上に１０12ｃｍ-2程度強制的に汚染させ、１１０
０℃、１時間の熱処理を行った後、各層の不純物濃度を
評価した。鉄を汚染させた場合、本発明のＳＯＩ基板構
造では汚染量の約８５％が多結晶シリコン層に、約１０
％が表面シリコン活性層に、残りが二酸化シリコン膜中
で検出された。一方、従来のＳＯＩ基板構造では、汚染
量の約４０％が表面シリコン層に残っており、本発明の
ＳＯＩ構造を用いるとシリコン活性層の汚染量を効果的
に減少できることが確認された。
を基板上に１０12ｃｍ-2程度強制的に汚染させ、１１０
０℃、１時間の熱処理を行った後、各層の不純物濃度を
評価した。鉄を汚染させた場合、本発明のＳＯＩ基板構
造では汚染量の約８５％が多結晶シリコン層に、約１０
％が表面シリコン活性層に、残りが二酸化シリコン膜中
で検出された。一方、従来のＳＯＩ基板構造では、汚染
量の約４０％が表面シリコン層に残っており、本発明の
ＳＯＩ構造を用いるとシリコン活性層の汚染量を効果的
に減少できることが確認された。
【００３３】銅を汚染させた場合、本発明のＳＯＩ基板
構造では汚染量の約６０％が多結晶シリコン層に、約３
％が表面シリコン薄膜層に、３０％以上が基板シリコン
中（酸化膜との界面近く）で検出された。一方、従来の
ＳＯＩ基板構造では、汚染量の約２０％が表面シリコン
層に、約４０％が多結晶シリコン層で検出され、同様に
本発明の有効性が確認された。
構造では汚染量の約６０％が多結晶シリコン層に、約３
％が表面シリコン薄膜層に、３０％以上が基板シリコン
中（酸化膜との界面近く）で検出された。一方、従来の
ＳＯＩ基板構造では、汚染量の約２０％が表面シリコン
層に、約４０％が多結晶シリコン層で検出され、同様に
本発明の有効性が確認された。
【００３４】［実施形態２］次に、本発明の第２の実施
の形態について、図面を参照して詳細に説明する。図３
は本発明の第２の実施の形態例を説明するための断面図
である。シリコン基板３０１の上に第１の絶縁膜３０２
が形成され、その上に１×１０17ｃｍ-3程度以上の不純
物がドープされた第１のシリコン（多結晶）膜３０３が
あり、その上に第２の絶縁膜３０４、さらに第２のシリ
コン（多結晶）膜３０５、さらに第３の絶縁膜３０６、
その上にシリコン活性層３０７が形成されている。
の形態について、図面を参照して詳細に説明する。図３
は本発明の第２の実施の形態例を説明するための断面図
である。シリコン基板３０１の上に第１の絶縁膜３０２
が形成され、その上に１×１０17ｃｍ-3程度以上の不純
物がドープされた第１のシリコン（多結晶）膜３０３が
あり、その上に第２の絶縁膜３０４、さらに第２のシリ
コン（多結晶）膜３０５、さらに第３の絶縁膜３０６、
その上にシリコン活性層３０７が形成されている。
【００３５】第１のシリコン膜３０３の中の不純物とし
ては、ホウ素、炭素、酸素、窒素などが適しており、こ
うした不純物が１×１０17ｃｍ-3程度以上含まれた多結
晶シリコン膜は１０００℃以上の長時間熱処理を経ても
結晶粒径が増大しない。第２のシリコン膜３０５の中に
は不純物を含んでも含まなくてもゲッタリング効果は期
待できるが、第１のシリコン膜中とは異なる不純物を含
ませておくことで、第１のシリコン層でゲッタリングし
にくい不純物のゲッタリング効果も期待できる。
ては、ホウ素、炭素、酸素、窒素などが適しており、こ
うした不純物が１×１０17ｃｍ-3程度以上含まれた多結
晶シリコン膜は１０００℃以上の長時間熱処理を経ても
結晶粒径が増大しない。第２のシリコン膜３０５の中に
は不純物を含んでも含まなくてもゲッタリング効果は期
待できるが、第１のシリコン膜中とは異なる不純物を含
ませておくことで、第１のシリコン層でゲッタリングし
にくい不純物のゲッタリング効果も期待できる。
【００３６】また、半導体素子の製造工程において高温
熱処理が長い場合、ホウ素のように半導体の導電性を変
える不純物が表面のシリコン活性層中に拡散してくる可
能性もないわけではない。そうした場合、表面近くの第
２のシリコン膜３０５中の不純物として酸素を選び、第
１のシリコン膜３０３中の不純物としてホウ素を選ぶこ
とによって、全体のゲッタリング効果を保ちながら、ホ
ウ素の拡散を第１のシリコン膜３０３でストップすると
いった効果も持たせることができる。
熱処理が長い場合、ホウ素のように半導体の導電性を変
える不純物が表面のシリコン活性層中に拡散してくる可
能性もないわけではない。そうした場合、表面近くの第
２のシリコン膜３０５中の不純物として酸素を選び、第
１のシリコン膜３０３中の不純物としてホウ素を選ぶこ
とによって、全体のゲッタリング効果を保ちながら、ホ
ウ素の拡散を第１のシリコン膜３０３でストップすると
いった効果も持たせることができる。
【００３７】また、シリコン／絶縁膜界面などは比較的
ゲッタリング効果が大きな場所であるため、シリコン膜
が２倍になったことで第１の実施の形態に比べ２倍程度
のゲッタリング効果を持たせることができる。
ゲッタリング効果が大きな場所であるため、シリコン膜
が２倍になったことで第１の実施の形態に比べ２倍程度
のゲッタリング効果を持たせることができる。
【００３８】［製造例２］次に、図４を用いて図３に示
した構造の形成方法の例を説明する。
した構造の形成方法の例を説明する。
【００３９】まず図４（ａ）のように、シリコン基板４
０１の上に第１の二酸化シリコン膜４０２を形成し、そ
の上に酸素などの不純物をドープした非晶質シリコン膜
４０３を堆積する。二酸化シリコン膜４０２の形成法は
熱酸化でも、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてもよい。ここでシリ
コン膜を非晶質の形で堆積するのは、表面の平坦性が良
いからである。
０１の上に第１の二酸化シリコン膜４０２を形成し、そ
の上に酸素などの不純物をドープした非晶質シリコン膜
４０３を堆積する。二酸化シリコン膜４０２の形成法は
熱酸化でも、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてもよい。ここでシリ
コン膜を非晶質の形で堆積するのは、表面の平坦性が良
いからである。
【００４０】次に図４（ｂ）のように、図４（ａ）に引
き続き熱酸化を行い、表面に第２の二酸化シリコン膜４
０５を形成し、その上に第２の非晶質シリコン膜４０６
を形成する。非晶質シリコン膜４０３は熱酸化時に多結
晶シリコン膜４０４になる。第２の非晶質シリコン膜中
には例えばホウ素等をドープする。
き続き熱酸化を行い、表面に第２の二酸化シリコン膜４
０５を形成し、その上に第２の非晶質シリコン膜４０６
を形成する。非晶質シリコン膜４０３は熱酸化時に多結
晶シリコン膜４０４になる。第２の非晶質シリコン膜中
には例えばホウ素等をドープする。
【００４１】次に図４（ｃ）のように、図４（ｂ）で形
成した基板と、両面に熱酸化で形成した二酸化シリコン
膜４０９を形成したシリコン基板４０８と貼合せる。貼
合せは１０００〜１１００℃程度の温度で１時間程度熱
処理を行う。この熱処理によって、２枚の基板は接着さ
れると同時に、第２の非晶質シリコン膜４０６は多結晶
シリコン膜４０７に変わることになる。
成した基板と、両面に熱酸化で形成した二酸化シリコン
膜４０９を形成したシリコン基板４０８と貼合せる。貼
合せは１０００〜１１００℃程度の温度で１時間程度熱
処理を行う。この熱処理によって、２枚の基板は接着さ
れると同時に、第２の非晶質シリコン膜４０６は多結晶
シリコン膜４０７に変わることになる。
【００４２】次に図４（ｄ）のように、シリコン基板４
０８を機械的研磨で薄くし、表面にシリコン活性層４１
０を残す。このようにして、図３に示した構造を形成す
ることができる。
０８を機械的研磨で薄くし、表面にシリコン活性層４１
０を残す。このようにして、図３に示した構造を形成す
ることができる。
【００４３】［実施形態３］次に、本発明の第３の実施
の形態について、図面を参照して詳細に説明する。図５
は本発明の第３の実施の形態を説明するための断面図で
ある。シリコン基板５０１の上に絶縁膜５０２が形成さ
れ、その上にシリコン活性層５０３が形成されている。
絶縁膜５０２中には不純物がドープされたシリコン膜５
０４がある。シリコン膜５０４は連続ではなく離散的に
形成されている。こうした構造は、ホウ素などの不純物
を高濃度にドープし、ある程度導電性を持った膜を使う
場合などや、素子構造上、上層とシリコン基板５０１と
のコンタクトが必要になる場合に有利である。また、ホ
ウ素の濃度が高いほど高いゲッタリング効率が期待でき
るため有利となる。
の形態について、図面を参照して詳細に説明する。図５
は本発明の第３の実施の形態を説明するための断面図で
ある。シリコン基板５０１の上に絶縁膜５０２が形成さ
れ、その上にシリコン活性層５０３が形成されている。
絶縁膜５０２中には不純物がドープされたシリコン膜５
０４がある。シリコン膜５０４は連続ではなく離散的に
形成されている。こうした構造は、ホウ素などの不純物
を高濃度にドープし、ある程度導電性を持った膜を使う
場合などや、素子構造上、上層とシリコン基板５０１と
のコンタクトが必要になる場合に有利である。また、ホ
ウ素の濃度が高いほど高いゲッタリング効率が期待でき
るため有利となる。
【００４４】［製造例３］次に、図６を用いて図５に示
した構造の形成方法の例を説明する。
した構造の形成方法の例を説明する。
【００４５】まず、図６（ａ）のように、シリコン基板
６０１上に二酸化シリコン膜６０２を形成し、その上に
不純物をドープした非晶質シリコン膜６０３を形成し、
その非晶質シリコン膜６０３をパターニングする。
６０１上に二酸化シリコン膜６０２を形成し、その上に
不純物をドープした非晶質シリコン膜６０３を形成し、
その非晶質シリコン膜６０３をパターニングする。
【００４６】次に図６（ｂ）のように、図６（ａ）に引
き続き、表面に二酸化シリコン膜６０５を形成し、表面
を平坦化する。この平坦化は、 １）全体に二酸化シリコン膜を形成し、シリコン膜をス
トッパにして機械的研磨で 平坦化し、表面に二酸化シ
リコン膜を堆積する。 ２）全体に二酸化シリコン膜を形成し、機械的研磨で平
坦化する。 ３）全体に二酸化シリコン膜を形成し、シリコン膜をス
トッパにして機械的研磨で 平坦化し、表面にシリコン
膜を形成した後熱酸化する方法。 等の方法で行うことができる。この段階で７００℃程度
以上の温度が加わればシリコン膜６０４は多結晶化し、
そうでなければ非晶質のままである。
き続き、表面に二酸化シリコン膜６０５を形成し、表面
を平坦化する。この平坦化は、 １）全体に二酸化シリコン膜を形成し、シリコン膜をス
トッパにして機械的研磨で 平坦化し、表面に二酸化シ
リコン膜を堆積する。 ２）全体に二酸化シリコン膜を形成し、機械的研磨で平
坦化する。 ３）全体に二酸化シリコン膜を形成し、シリコン膜をス
トッパにして機械的研磨で 平坦化し、表面にシリコン
膜を形成した後熱酸化する方法。 等の方法で行うことができる。この段階で７００℃程度
以上の温度が加わればシリコン膜６０４は多結晶化し、
そうでなければ非晶質のままである。
【００４７】次に図６（ｃ）のように、両面に二酸化シ
リコン膜６０７を形成したシリコン基板６０６を図６
（ｂ）で形成した基板の表面に貼合せる。
リコン膜６０７を形成したシリコン基板６０６を図６
（ｂ）で形成した基板の表面に貼合せる。
【００４８】この後、二酸化シリコン膜６０７とシリコ
ン基板６０６の大部分を機械的研磨で削ることによっ
て、図６（ｄ）に示すような、表面にシリコン活性層６
０８を有するＳＯＩ基板が形成される。
ン基板６０６の大部分を機械的研磨で削ることによっ
て、図６（ｄ）に示すような、表面にシリコン活性層６
０８を有するＳＯＩ基板が形成される。
【００４９】［実施形態４］次に、本発明の第４の実施
の形態について、図面を参照して詳細に説明する。図７
は本発明の第４の実施の形態を説明するための断面図で
ある。シリコン基板７０１の上に絶縁膜７０２が形成さ
れ、その上に多層膜７０３が形成されている。
の形態について、図面を参照して詳細に説明する。図７
は本発明の第４の実施の形態を説明するための断面図で
ある。シリコン基板７０１の上に絶縁膜７０２が形成さ
れ、その上に多層膜７０３が形成されている。
【００５０】多層膜としては、多結晶シリコン膜または
非晶質シリコン膜のいずれかの膜と窒化シリコン膜とを
少なくともそれぞれ１層ずつ含むような膜や、シリコン
とゲルマニウムの混晶即ちシリコンゲルマニウム膜を少
なくとも１層含む膜が好ましい。シリコン膜と窒化シリ
コン膜の界面には大きな歪みが蓄積されるので界面のシ
リコン側で著しいゲッタリング効果がある。
非晶質シリコン膜のいずれかの膜と窒化シリコン膜とを
少なくともそれぞれ１層ずつ含むような膜や、シリコン
とゲルマニウムの混晶即ちシリコンゲルマニウム膜を少
なくとも１層含む膜が好ましい。シリコン膜と窒化シリ
コン膜の界面には大きな歪みが蓄積されるので界面のシ
リコン側で著しいゲッタリング効果がある。
【００５１】
【発明の効果】本発明のＳＯＩ基板は、ＳＯＩの作製工
程、または半導体素子の作製工程における高温熱処理を
経ても高いゲッタリング能力を保持するので、ＳＯＩ基
板を半導体素子形成に適用する際に大きな問題となる重
金属汚染から、表面シリコン活性層を保護することがで
きる。
程、または半導体素子の作製工程における高温熱処理を
経ても高いゲッタリング能力を保持するので、ＳＯＩ基
板を半導体素子形成に適用する際に大きな問題となる重
金属汚染から、表面シリコン活性層を保護することがで
きる。
【図１】本発明の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１に示したＳＯＩ構造の製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図３】本発明の第２の実施形態を示す断面図である。
【図４】図３に示したＳＯＩ構造の製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図５】本発明の第３の実施形態を示す断面図である。
【図６】図５に示したＳＯＩ構造の製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図７】本発明の第４の実施形態を示す断面図である。
【図８】従来のＳＯＩ構造を説明した断面図である。
【図９】従来のＳＯＩでのゲッタリング構造を示した断
面図である。
面図である。
１０１、２０１、２０５、３０１、４０１、４０８、５
０１、６０１、６０６、７０１、８０１ シリコン基
板 １０２、３０２、７０２、９０２ 第１の絶縁膜 １０３ 不純物がドープされたシリコン膜 １０４、３０４、９０４ 第２の絶縁膜 １０５ シリコン活性層 ２０２、４０２ 第１の二酸化シリコン膜 ２０３、４０３、４０６、６０３ 非晶質シリコン膜 ２０４、６０４ シリコン膜 ２０６、４０９、６０２、６０５、６０７、８０２
二酸化シリコン膜 ２０７、４１０、５０３、６０８、７０５、８０３
シリコン活性層 ３０３ 不純物がドープされた第１のシリコン膜 ３０５ 第２のシリコン膜 ３０６ 第３の絶縁膜 ４０４、４０７ 多結晶シリコン膜 ４０５ 第２の二酸化シリコン膜 ５０２ 絶縁膜 ５０４ 不純物がドープされたシリコン膜 ７０３ 多層膜 ７０４ 第２の絶縁膜 ９０１ 半導体活性層 ９０３ シンク層 ９０５ 半導体支持基板
０１、６０１、６０６、７０１、８０１ シリコン基
板 １０２、３０２、７０２、９０２ 第１の絶縁膜 １０３ 不純物がドープされたシリコン膜 １０４、３０４、９０４ 第２の絶縁膜 １０５ シリコン活性層 ２０２、４０２ 第１の二酸化シリコン膜 ２０３、４０３、４０６、６０３ 非晶質シリコン膜 ２０４、６０４ シリコン膜 ２０６、４０９、６０２、６０５、６０７、８０２
二酸化シリコン膜 ２０７、４１０、５０３、６０８、７０５、８０３
シリコン活性層 ３０３ 不純物がドープされた第１のシリコン膜 ３０５ 第２のシリコン膜 ３０６ 第３の絶縁膜 ４０４、４０７ 多結晶シリコン膜 ４０５ 第２の二酸化シリコン膜 ５０２ 絶縁膜 ５０４ 不純物がドープされたシリコン膜 ７０３ 多層膜 ７０４ 第２の絶縁膜 ９０１ 半導体活性層 ９０３ シンク層 ９０５ 半導体支持基板
Claims (8)
- 【請求項１】 支持基板と絶縁層とシリコン活性層が順
に積層されたＳＯＩ基板において、 前記絶縁層内に、１０17／ｃｍ-3以上の不純物を含む多
結晶シリコン領域を有することを特徴とするＳＯＩ基
板。 - 【請求項２】 前記多結晶シリコン領域が、パターニン
グされていても良い少なくとも１層の多結晶シリコン膜
である請求項１記載のＳＯＩ基板。 - 【請求項３】 前記支持基板がシリコン基板である請求
項１または２記載のＳＯＩ基板。 - 【請求項４】 前記不純物が、ホウ素、炭素、酸素およ
び窒素からなる群より選ばれる少なくとも１種よりなる
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＳＯ
Ｉ基板。 - 【請求項５】 支持基板と絶縁層とシリコン活性層が順
に積層されたＳＯＩ基板において、前記絶縁層内に、多
結晶シリコン膜と窒化シリコン膜とを少なくともそれぞ
れ１層ずつ有することを特徴とするＳＯＩ基板。 - 【請求項６】 支持基板と絶縁層とシリコン活性層が順
に積層されたＳＯＩ基板において、 前記絶縁層内に、少なくとも１層のシリコンゲルマニウ
ム膜を有することを特徴とするＳＯＩ基板。 - 【請求項７】 支持基板上に、絶縁膜形成と１０17／ｃ
ｍ-3以上の不純物を含む非晶質シリコン膜形成とを順に
少なくとも１回繰り返す工程と、 この基板の非晶質シリコン膜を形成した面に、両面に絶
縁膜を形成したシリコン基板を重ね合わせ貼り合わせる
工程と、 貼り合わせ後に、貼り合わせ面と反対側から前記シリコ
ン基板を研磨してシリコン活性層を形成する工程とを含
むＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項８】 前記非晶質シリコン膜の形成は、全面に
非晶質シリコン膜を形成した後にパターニングすること
からなる請求項６記載のＳＯＩの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05635497A JP3171322B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | Ｓｏｉ基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05635497A JP3171322B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | Ｓｏｉ基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256263A true JPH10256263A (ja) | 1998-09-25 |
| JP3171322B2 JP3171322B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=13024913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05635497A Expired - Fee Related JP3171322B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | Ｓｏｉ基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3171322B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227601A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2008060220A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | ゲッタリング層形成装置 |
| WO2011148434A1 (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | パナソニック株式会社 | 半導体基板及びこれを用いた固体撮像装置の製造方法 |
| WO2016103846A1 (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 三菱重工工作機械株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2018507562A (ja) * | 2015-03-03 | 2018-03-15 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドＳｕｎＥｄｉｓｏｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法 |
| JP2018137278A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| JP2022515096A (ja) * | 2018-12-24 | 2022-02-17 | ソイテック | 表面イメージセンサの基板の製造プロセス |
| WO2022176701A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 信越化学工業株式会社 | 複合ウェーハおよびその製造方法 |
-
1997
- 1997-03-11 JP JP05635497A patent/JP3171322B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227601A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2008060220A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | ゲッタリング層形成装置 |
| WO2011148434A1 (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | パナソニック株式会社 | 半導体基板及びこれを用いた固体撮像装置の製造方法 |
| US10486263B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-11-26 | Mitsubishi Heavy Industries Machine Tool Co., Ltd. | Room-temperature-bonded semiconductor device and manufacturing method of room-temperature-bonded semiconductor device |
| JP2016119415A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 三菱重工工作機械株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| TWI596651B (zh) * | 2014-12-22 | 2017-08-21 | 三菱重工工作機械股份有限公司 | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| WO2016103846A1 (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 三菱重工工作機械株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2018507562A (ja) * | 2015-03-03 | 2018-03-15 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドＳｕｎＥｄｉｓｏｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法 |
| JP2019153797A (ja) * | 2015-03-03 | 2019-09-12 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドＳｕｎＥｄｉｓｏｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法 |
| JP2018137278A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 |
| JP2022515096A (ja) * | 2018-12-24 | 2022-02-17 | ソイテック | 表面イメージセンサの基板の製造プロセス |
| WO2022176701A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 信越化学工業株式会社 | 複合ウェーハおよびその製造方法 |
| JPWO2022176701A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | ||
| EP4297069A4 (en) * | 2021-02-19 | 2024-08-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composite wafer and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3171322B2 (ja) | 2001-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2806277B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US5298449A (en) | Semiconductor substrate having a silicon-on-insulator structure and method of fabricating the same | |
| KR100738145B1 (ko) | 기판 제조 방법 및 이 방법에 의한 기판 | |
| JPS61292934A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| US5897362A (en) | Bonding silicon wafers | |
| JP3033655B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3171322B2 (ja) | Ｓｏｉ基板およびその製造方法 | |
| JP3528880B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP3480480B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP2755185B2 (ja) | Ｓｏｉ基板 | |
| US5770511A (en) | Silicon-on-insulator substrate and a method for fabricating the same | |
| JP3484961B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPH04199632A (ja) | Ｓｏｉウエハ及びその製造方法 | |
| JPH01259546A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11330437A (ja) | Ｓｏｉ基板とその製造方法 | |
| JP3070501B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2007095951A (ja) | 半導体基板およびその製造方法 | |
| JPH08321509A (ja) | 半導体装置と、半導体装置およびその半導体基板の製法 | |
| JPH03181115A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH0464249A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPH10189405A (ja) | 直接接合シリコン基板の作製方法 | |
| JP2000353706A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08316442A (ja) | Ｓｏｉ基板及びその製造方法 | |
| JPH02260428A (ja) | 半導体基板及び半導体装置 | |
| JP3465765B2 (ja) | Ｉｇｂｔ用半導体基板の作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991207 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |