JPH04171751A - 半導体装置のリードフレーム - Google Patents

半導体装置のリードフレーム

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Publication number
JPH04171751A
JPH04171751A JP2299308A JP29930890A JPH04171751A JP H04171751 A JPH04171751 A JP H04171751A JP 2299308 A JP2299308 A JP 2299308A JP 29930890 A JP29930890 A JP 29930890A JP H04171751 A JPH04171751 A JP H04171751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
semiconductor device
resin
island
mold
Prior art date
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Pending
Application number
JP2299308A
Other languages
English (en)
Inventor
Shohei Okazaki
岡崎 祥平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH04171751A publication Critical patent/JPH04171751A/ja
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置のリードフレームに関し、特にモー
ルド樹脂で封入されるリードフレームに関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置のリードフレームは、ニッケルと鉄の
合金又は鋼材等の薄板を所定のリードフレームの形状と
なるような金型を用いてプレスにより打ち抜き、又は所
定のリードフレームの形状となるようなマスク材でニッ
ケルと鉄の合金、又は鋼材等の薄板を覆い、エツチング
法によりリードフレームを溶かすことにより、所定のリ
ードフレームの形状を作成していた。
これらプレス法又はエツチング法により構成した半導体
装置のリードフレームのアイランド部およびリード部の
切断面は半導体装置を搭載するアイランド表面に対して
、90°の角度を持つような構造となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
これら従来のリードフレームは、ニッケルと鉄の合金又
は鋼材等の薄板をプレスによる打ち抜き、又はエツチン
グによりパターニングして形成しているので、このリー
ドフレームの表面に半導体装置をマウントし、リードフ
レームと半導体装置とをボンディングワイヤで切断した
後、モールド等の樹脂で封止した場合、リードフレーム
と封非樹脂の熱膨張率の違いにより、この封止樹脂上に
ストレスがかかり、特にリードフレームのアイランドの
角から樹脂の表面方向へクラックが入るという欠点があ
る。
本発明の目的は、このような欠点を除き、封止樹脂への
ストレスを除き、アイランドから樹脂表面にクラックを
生じないようにした半導体装置のリードフレームを提供
することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の構成は、半導体装置を搭載しモールド等の樹脂
で封止される半導体装置のリードフレームにおいて、こ
のリードフレーム上のアイランドを形成する面どおしの
角度が、すべて90°以上の角度を持つように、または
曲面となるように形成されたことを特徴とする。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のリードフレームを樹脂て封
止した後の断面図である。ここでは、リードフレームの
アイランド1の上に半導体装置2をマウントし、この半
導体装置2とリードフレームのり一ド3とをホンディン
グワイヤ4で切断し、モールド等の樹脂5て封止してい
る。この構成において、リードフレームのアイランド1
の切断面の内角は、すべて90°以上の角度を持つよう
な形状となっているため、封止樹脂5にかかるストレス
が分散され、封止樹脂5にクラックが生じないという効
果を有する。
第2図は本発明の第2の実施例のリードフレームを樹脂
で封止した後の断面図である。この実施例では、リード
フレームのアイランド1の切断面が曲面となっているた
め、封止樹脂5にかかるストレスが曲面で分散され、ク
ラックか入ることはない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、リードフレームのアイラ
ンド部の角がすべて90°以上の角度であったり、曲面
により形成される形状としなので、封止樹脂にかかるス
トレスが分散され、この封止樹脂にクラックが生じない
という効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明の第1および第2の実施例のリ
ードフレームを樹脂で封止した後の断面図である。 1・・・リードフレームのアイランド、2・・・半導体
装置、3・・・リードフレームのリード、4・・・ボン
ディングワイヤ、5・・・封止樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体装置を搭載しモールド等の樹脂で封止される半
    導体装置のリードフレームにおいて、このリードフレー
    ム上のアイランドを形成する面どおしの角度が、すべて
    90゜以上の角度を持つように、または曲面となるよう
    に形成されたことを特徴とする半導体装置のリードフレ
    ーム。
JP2299308A 1990-11-05 1990-11-05 半導体装置のリードフレーム Pending JPH04171751A (ja)

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JP2299308A JPH04171751A (ja) 1990-11-05 1990-11-05 半導体装置のリードフレーム

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JPH04171751A true JPH04171751A (ja) 1992-06-18

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ID=17870860

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JP2299308A Pending JPH04171751A (ja) 1990-11-05 1990-11-05 半導体装置のリードフレーム

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JP (1) JPH04171751A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0628997B1 (en) * 1993-06-10 2002-04-10 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with small die pad and method of making same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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