JPH10298771A

JPH10298771A - 無電解ニッケルメッキ方法

Info

Publication number: JPH10298771A
Application number: JP10502197A
Authority: JP
Inventors: Kiyoaki Ihara; 清暁井原; Koji Takagi; 光司高木; Shinichi Iketani; 晋一池谷; Shoichi Fujimori; 正一藤森; Isao Hirata; 勲夫平田; Hiroaki Fujiwara; 弘明藤原; Satoru Ogawa; 悟小川; Shuji Maeda; 修二前田; Yoshihiro Nakagawa; 義廣中川; Masayuki Ishihara; 政行石原
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1997-04-22
Filing date: 1997-04-22
Publication date: 1998-11-10

Abstract

(57)【要約】【課題】表面に導体回路１１を有する有機系基板１０
の、その導体回路１１を有する側の表面にレジスト皮膜
２０を形成した後、無電解ニッケルメッキ液に浸漬して
ニッケルメッキ皮膜を形成する無電解ニッケルメッキ方
法であって、ニッケルメッキ皮膜の未形成部が生じ難
い、無電解ニッケルメッキ方法を提供する。【解決手段】導体回路１１の表面にニッケルメッキ皮
膜を形成する方法が、導体回路１１を第一の無電解ニッ
ケルメッキ液３５に浸漬して、導体回路１１の表面に第
一のニッケルメッキ皮膜３０を形成した後、その第一の
無電解ニッケルメッキ液３５よりニッケルの析出速度が
速い第二の無電解ニッケルメッキ液３６に浸漬して、第
一のニッケルメッキ皮膜３０の表面に第二のニッケルメ
ッキ皮膜３１を形成する方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板の
製造時行われる、無電解ニッケルメッキの方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】電気・電子機器等に使用されるプリント
配線板として、はんだの付着性を向上させて電子部品を
実装するときの信頼性を高める目的や、コネクタに差し
込んで接触させる接続信頼性を高める目的等のために、
表面に金メッキ皮膜を形成した導体回路を有するプリン
ト配線板が用いられている。

【０００３】この表面に金メッキ皮膜を形成した導体回
路を有するプリント配線板は、例えば以下のような工程
で製造されている。プリント配線板の材料として、図２
（ａ）に示すような、銅箔層１２を表面に有する、有機
系の基板１０を用いる。そして、図２（ｂ）に示すよう
に、導体回路を形成しようとする部分の基板１０表面に
エッチング用レジスト皮膜２５を形成した後、そのレジ
スト皮膜２５で被覆されていない部分の銅箔層１２をエ
ッチングして、図２（ｃ）に示すように、銅製の導体回
路１１を形成する。

【０００４】次いで、そのレジスト皮膜２５を剥離して
銅製の導体回路１１を露出させた後、図２（ｄ）に示す
ように、金メッキ皮膜の形成を予定しない部分の基板１
０表面に、メッキ用レジスト皮膜２０を形成する。

【０００５】次いで、図２（ｅ）に示すように、金メッ
キの析出性を安定させるために、メッキ用レジスト皮膜
２０で被覆されていない銅製の導体回路１１の表面に無
電解ニッケルメッキを行って、ニッケルメッキ皮膜５０
を形成する。次いで、置換無電解金メッキを行って、そ
のニッケルメッキ皮膜５０の表面に金メッキ皮膜６０を
形成する方法で製造されている。

【０００６】なお、無電解ニッケルメッキや置換無電解
金メッキの方法としては、一般に、無電解ニッケルメッ
キ液や金メッキ液に基板１０を浸漬する方法で行われて
いる。また、上記置換無電解金メッキは、ニッケルメッ
キ皮膜５０の一部又は全部と置き換わって金メッキ皮膜
６０が形成されるメッキであるため、ニッケルメッキ皮
膜５０の形成の良否が、そのまま金メッキ皮膜６０の付
き回り性に影響を及ぼすメッキである。

【０００７】なお、上記メッキ用レジスト皮膜２０の厚
みは、銅製の導体回路１１の厚みと比較して、一般に厚
いため、ニッケルメッキ皮膜５０を形成しようとする場
合には、図２（ｄ）に示す、メッキ用レジスト皮膜２０
と銅製の導体回路１１等で形成された凹部２１の底面部
分まで、活性が高い部分の無電解ニッケルメッキ液が供
給されるように、無電解ニッケルメッキ液を撹拌した
り、基板１０を揺動させて、ニッケルメッキ皮膜５０を
形成することが行われている。

【０００８】近年のプリント配線板の高密度実装化に伴
い、信号やランド等の導体回路１１も小幅化、小径化す
る傾向にある。そのため、ニッケルメッキ皮膜５０や金
メッキ皮膜６０を形成しようとする部分の大きさも小型
化し、上記ニッケルメッキ皮膜５０を形成しようとする
部分に、メッキ用レジスト皮膜２０等によって形成され
た凹部２１の開口部の大きさも小型化する傾向にある。

【０００９】なお、無電解ニッケルメッキは、ニッケル
を析出する際に、化学反応によって水素ガスを発生する
ものが一般的である。そして上記のような、開口部の大
きさが小型化した凹部２１の場合、無電解ニッケルメッ
キ液の撹拌や、基板１０の揺動を行っても、この凹部の
内側部分へのメッキ液の供給量は低下しやすく、図３に
示すように、この凹部２１の壁面や導体回路１１の表面
に付着して動かない状態の水素ガスの泡７０が、形成さ
れやすくなっている。

【００１０】そして、その水素ガスの泡７０が付着した
部分は、無電解ニッケルメッキ液５５の供給量が特に少
なくなって、一般にスキップと呼ばれるニッケルメッキ
皮膜の未形成部が生じてしまい、更にその表面に形成す
る金メッキ皮膜にも未形成部が生じ、得られるプリント
配線板の接続信頼性が低下する場合があるという問題が
あった。そのため、ニッケルメッキ皮膜の未形成部が生
じ難い、無電解ニッケルメッキの方法が望まれている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、表面に導体回路を有する有機系基板の、その導体
回路を有する側の表面にレジスト皮膜を形成した後、無
電解ニッケルメッキ液に浸漬してニッケルメッキ皮膜を
形成する無電解ニッケルメッキ方法であって、ニッケル
メッキ皮膜の未形成部が生じ難い、無電解ニッケルメッ
キ方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
無電解ニッケルメッキ方法は、表面に導体回路を有する
有機系基板の、その導体回路を有する側の表面にレジス
ト皮膜を形成した後、無電解ニッケルメッキ液に浸漬
し、無電解ニッケルメッキ液と接する導体回路の表面
に、ニッケルメッキ皮膜を形成する無電解ニッケルメッ
キ方法において、導体回路の表面にニッケルメッキ皮膜
を形成する方法が、導体回路を第一の無電解ニッケルメ
ッキ液に浸漬して、導体回路の表面に第一のニッケルメ
ッキ皮膜を形成した後、その第一の無電解ニッケルメッ
キ液よりニッケルの析出速度が速い第二の無電解ニッケ
ルメッキ液に浸漬して、第一のニッケルメッキ皮膜の表
面に第二のニッケルメッキ皮膜を形成する方法であるこ
とを特徴とする。

【００１３】本発明の請求項２に係る無電解ニッケルメ
ッキ方法は、請求項１記載の無電解ニッケルメッキ方法
において、第二の無電解ニッケルメッキ液が、第一の無
電解ニッケルメッキ液より、温度が高い液であることを
特徴とする。

【００１４】本発明の請求項３に係る無電解ニッケルメ
ッキ方法は、請求項１記載の無電解ニッケルメッキ方法
において、第二の無電解ニッケルメッキ液が、第一の無
電解ニッケルメッキ液より、ニッケル化合物及び還元剤
の濃度が高い液であることを特徴とする。

【００１５】本発明の請求項４に係る無電解ニッケルメ
ッキ方法は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の
無電解ニッケルメッキ方法において、第一のニッケルメ
ッキ皮膜の厚みが、０．１〜２μｍであることを特徴と
する。

【００１６】本発明によると、ニッケルの析出速度が遅
い第一の無電解ニッケルメッキ液で予め導体回路の表面
に第一のニッケルメッキ皮膜を形成した後、その第一の
無電解ニッケルメッキ液よりニッケルの析出速度が速い
第二の無電解ニッケルメッキ液で第一のニッケルメッキ
皮膜の表面に第二のニッケルメッキ皮膜を形成するた
め、第一の無電解ニッケルメッキ液のニッケルの析出速
度を、水素ガスの泡が発生し難い程度の速度で行うと、
第一のニッケルメッキ皮膜は、ほぼ導体回路の表面全体
に形成され、第二の無電解ニッケルメッキ液中で水素ガ
スの泡が第一のニッケルメッキ皮膜の表面に付着した場
合であっても、ニッケルメッキ皮膜の最低厚さは確保で
き、ニッケルメッキ皮膜の未形成部が生じ難くなる。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明に係る無電解ニッケルメッ
キ方法を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る
無電解ニッケルメッキ方法の一実施の形態を説明する工
程図である。

【００１８】本発明に係る無電解ニッケルメッキ方法
は、表面に導体回路を有する有機系基板の、その導体回
路を有する側の表面にレジスト皮膜を形成した後、無電
解ニッケルメッキ液に浸漬し、無電解ニッケルメッキ液
と接する導体回路の表面に、ニッケルメッキ皮膜を形成
する無電解ニッケルメッキ方法である。

【００１９】そして、その製造に当たっては、図１
（ａ）に示すような、導体回路１１を表面に有する基板
１０を用いる。そして、その導体回路１１を有する側
の、金メッキ皮膜の形成を予定しない部分の基板１０表
面に、メッキ用レジスト皮膜２０を形成する。

【００２０】本発明に用いる基板１０は、導体回路１１
を表面に有する有機系の板であり、熱硬化性樹脂組成物
のシートの片面又は両面に銅箔等の金属箔が張られてい
る板や、ガラス等の無機質繊維又はポリエステル、ポリ
アミド、木綿等の有機質繊維のクロス、ペーパー等の基
材を熱硬化性樹脂組成物で接着し、片面又は両面に銅箔
等の金属箔が張られている板等を用いて、表面の金属箔
をエッチングして導体回路１１を形成したもの、及び、
金属箔が張られていない同様の板の表面に銅メッキ等の
金属メッキを行い、導体回路１１を形成したもの等が挙
げられる。

【００２１】この基板１０の内部には、導体回路やその
壁面に金属皮膜を備える穴等を有していてもよい。な
お、上記熱硬化性樹脂組成物としては、例えば、エポキ
シ樹脂系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹脂系、不飽
和ポリエステル樹脂系、ポリフェニレンエーテル樹脂系
等の熱硬化性樹脂や、これらの熱硬化性樹脂に無機充填
材等を配合した樹脂組成物等が挙げられる。また、導体
回路１１を形成する金属としては、銅や、ステンレス等
が挙げられるが、電気的信頼性より、銅が好ましい。

【００２２】本発明に用いるメッキ用レジスト皮膜２０
は、ＵＶ光の照射や、加熱によってレジスト樹脂が硬化
し、無電解ニッケルメッキに耐える皮膜となるものであ
る。このメッキ用レジスト皮膜２０を形成する方法とし
ては、印刷法等により、ニッケルメッキ皮膜の形成を予
定しない部分の基板１０表面に、選択的に未硬化のレジ
スト樹脂を塗布した後、ＵＶ光の照射や、加熱によって
硬化させて形成する方法や、基板１０の表面全体に未硬
化のレジスト樹脂を塗布又は熱圧着した後、ニッケルメ
ッキ皮膜の形成を予定しない部分のみＵＶ光を照射して
硬化させ、次いでＵＶ光を照射していない未硬化の部分
を除去して形成する方法等が挙げられる。

【００２３】なお、このメッキ用レジスト皮膜２０は、
後工程で除去してプリント配線板完成時には残らないも
のであってもよく、一般にソルダーレジストと呼ばれる
ようなプリント配線板完成時に残るものであってもよ
い。このメッキ用レジスト皮膜２０の厚みは、特に限定
するものではないが、一般に３０〜２００μｍ程度形成
する。

【００２４】次いで、必要に応じて、脱脂やソフトエッ
チング等を行って、ニッケルメッキ皮膜の形成を予定す
る導体回路１１の表面を洗浄する。次いで、導体回路１
１の表面に、無電解ニッケルメッキ用の触媒を付与した
後、その触媒を活性化する。

【００２５】次いで、図１（ｂ）に示すように、導体回
路１１を表面に有する基板１０を、第一の無電解ニッケ
ルメッキ液３５に浸漬して、導体回路１１の表面に第一
のニッケルメッキ皮膜３０を形成した後、図１（ｃ）に
示すように、第二の無電解ニッケルメッキ液３６に浸漬
して、第一のニッケルメッキ皮膜３０の表面に第二のニ
ッケルメッキ皮膜３１を形成する。

【００２６】本発明に用いる第一の無電解ニッケルメッ
キ液３５や第二の無電解ニッケルメッキ液３６として
は、ニッケル化合物として硫酸ニッケルや塩化ニッケル
等を含有し、還元剤として次亜リン酸ナトリウムを含有
する酸性タイプの水溶液や、同様のニッケル化合物と、
還元剤として次亜リン酸ナトリウムや水素化ホウ素ナト
リウムを含有するアンモニアアルカリタイプの水溶液や
カセイアルカリタイプの水溶液等が挙げられる。

【００２７】なお、第二の無電解ニッケルメッキ液３６
は、第一の無電解ニッケルメッキ液３５より、ニッケル
の析出速度が速いことが重要である。第二の無電解ニッ
ケルメッキ液３６のニッケルの析出速度が、第一の無電
解ニッケルメッキ液３５のニッケルの析出速度と同じ、
又は遅い場合、第一の無電解ニッケルメッキ液３５中で
水素ガスの泡が発生しやすくなり、その水素ガスの泡
が、導体回路１１の表面等に付着して、ニッケルメッキ
皮膜（３０，３１）の未形成部が生じやすくなる、ある
いは、ニッケルメッキ皮膜（３０，３１）を形成する速
度が遅くなって、生産性が低下する場合がある。

【００２８】なお、第一の無電解ニッケルメッキ液３５
のニッケルの析出速度は、水素ガスの泡が発生し難い程
度の、従来の１種類の無電解ニッケルメッキ液で行う場
合より遅い速度で行うようにする。また、第二の無電解
ニッケルメッキ液３６のニッケルの析出速度は、第一の
無電解ニッケルメッキ液３５より、ニッケルの析出速度
が速ければ特に限定するものではなく、従来の１種類の
無電解ニッケルメッキ液で行う場合と、ほぼ同じ程度の
速度や、それ以上の速度とすればよい。

【００２９】この第二の無電解ニッケルメッキ液３６の
ニッケルの析出速度を、第一の無電解ニッケルメッキ液
３５のニッケルの析出速度より早くする方法としては、
同じ組成の無電解ニッケルメッキ液を用いて、温度を変
更して析出速度を変更する方法や、組成を変更した同じ
温度の無電解ニッケルメッキ液を用いて、析出速度を変
更する方法や、組成及び温度を変更した無電解ニッケル
メッキ液を用いて、析出速度を変更する方法等が挙げら
れる。

【００３０】なお、第一の無電解ニッケルメッキ液３５
と第二の無電解ニッケルメッキ液３６が、同じ組成の場
合、温度が高いとニッケルの析出速度が早いため、温度
を変更して析出速度を変更する場合には、第二の無電解
ニッケルメッキ液３６を、第一の無電解ニッケルメッキ
液３５より、温度の高い液とする。

【００３１】また、第一の無電解ニッケルメッキ液３５
と第二の無電解ニッケルメッキ液３６が、同じ温度の場
合、含有するニッケル化合物及び還元剤の濃度が高いと
ニッケルの析出速度が早いため、組成を変更して析出速
度を変更する場合には、第二の無電解ニッケルメッキ液
３６を、第一の無電解ニッケルメッキ液３５より、ニッ
ケル化合物及び還元剤の濃度が高い液とする。

【００３２】なお、この組成を変更して析出速度を変更
する方法において、第一の無電解ニッケルメッキ液３５
や第二の無電解ニッケルメッキ液３６に、ニッケルの析
出速度に影響を及ぼす、ニッケル化合物及び還元剤以外
の化合物をも含有している場合には、それらの濃度も同
時に変更すると、ニッケルの析出速度が安定して好まし
いが、ニッケルの析出速度に影響を及ぼさない含有物に
ついては、変更しても良く、変更しなくても良い。な
お、ニッケル化合物及び還元剤以外の含有物の濃度を変
更することにより、ニッケルの析出速度を変更可能な場
合には、ニッケル化合物及び還元剤の濃度は変更せず
に、この析出速度に影響する含有物の濃度を変更して、
ニッケルの析出速度を変更しても良い。

【００３３】なお、形成する第一のニッケルメッキ皮膜
３０の厚みは、０．１〜２μｍであると好ましい。０．
１μｍ未満の場合、面内ばらつきによって第一のニッケ
ルメッキ皮膜３０が形成されない部分が発生する場合が
あるため、第二の無電解ニッケルメッキ液３６に浸漬し
たとき、その第一のニッケルメッキ皮膜３０が形成され
ていない部分の表面に、水素ガスの泡が付着して第二の
ニッケルメッキ皮膜３１も形成されず、ニッケルメッキ
皮膜（３０，３１）の未形成部が生じる場合がある。ま
た、２μｍを越える厚み形成しても、ニッケルメッキ皮
膜（３０，３１）の未形成部を生じ難くする効果に差が
なく、経済的でない。

【００３４】なお、第一の無電解ニッケルメッキ液に浸
漬して、導体回路の表面に第一のニッケルメッキ皮膜を
形成した後、第二の無電解ニッケルメッキ液に浸漬し
て、第一のニッケルメッキ皮膜の表面に第二のニッケル
メッキ皮膜を形成し、次いで、再度第一の無電解ニッケ
ルメッキ液に浸漬して、第二のニッケルメッキ皮膜の表
面に第三のニッケルメッキ皮膜を形成した後、再度第二
の無電解ニッケルメッキ液に浸漬して、第三のニッケル
メッキ皮膜の表面に第四のニッケルメッキ皮膜を形成す
る場合のように、第一の無電解ニッケルメッキ液への浸
漬及び第二の無電解ニッケルメッキ液への浸漬を１サイ
クルとして、そのサイクルを複数回繰り返すと、合計時
間が同じになるように浸漬した場合（例えば、２０分及
び４０分の１サイクルと、１０分及び２０分の２サイク
ル）であっても、特にニッケルメッキ皮膜の未形成部が
生じ難くなり好ましい。

【００３５】

【実施例】

（実施例１〜９）銅箔厚さ３５μｍ、絶縁部の厚さ１．
２ｍｍのエポキシ樹脂両面銅張り積層板［松下電工株式
会社製、品名Ｒ１７６６］を用いて、表面の銅箔をエ
ッチングして、一方の面に直径が１４０μｍのランド状
導体回路を３０００個有する基板を形成した。次いでこ
の基板の、上記ランド状導体回路を形成した面に、アル
カリ現像型の液状レジスト［タムラ化研株式会社製］を
カーテンコート法により塗布した後、乾燥して、その面
全面に未硬化のメッキ用レジスト皮膜を形成した。

【００３６】次いで、上記ランド状導体回路を形成した
部分とその周囲とを除く部分にＵＶ光を照射して硬化さ
せ、次いで未硬化部を現像して、その底面に上記ランド
状導体回路が露出している、メッキ用レジスト皮膜等で
形成された、直径１８０μｍの凹部を、それぞれのラン
ド状導体回路の部分に形成した。

【００３７】次いで、ニッケルメッキの前処理として、
下記の方法で、脱脂、ソフトエッチング、酸洗浄、プリ
ディップ、触媒付与及び触媒活性化を行った。脱脂は、
室温のアトテック社製脱脂液［商品名酸性クリーナ
ー］を用いて５分行い、ソフトエッチングは、室温のワ
ールドメタル社製ソフトエッチング液を用いて３０秒行
い、酸洗浄は、９８％硫酸［試薬］を１体積％含有する
室温の水溶液を用いて３分行い、プリディップは、３５
％塩酸［試薬］を１０体積％含有する室温の水溶液を用
いて３０秒行い、触媒付与は、６０℃のワールドメタル
社製無電解ニッケルメッキ用触媒［商品名ＡＴ-９０］
を用いて２分行い、触媒活性化は、９８％硫酸［試薬］
を１体積％含有する室温の水溶液を用いて１分行った。

【００３８】次いで、表１に示す温度の第一の無電解ニ
ッケルメッキ液に２０分浸漬して、導体回路の表面に第
一のニッケルメッキ皮膜を形成した。第一の無電解ニッ
ケルメッキ液は、ワールドメタル社製無電解ニッケルメ
ッキ液［商品名リンデン２０２-０］を２０体積％含有
する水溶液を標準濃度とし、その標準濃度、標準濃度の
１／２、標準濃度の１／３及び標準濃度の１／５の組成
で建浴した液を、表１に示す実施例に用いた。

【００３９】次いで、上記標準濃度の組成で建浴した８
０℃の第二の無電解ニッケルメッキ液に４０分浸漬し
て、第一のニッケルメッキ皮膜の表面に第二のニッケル
メッキ皮膜を形成することにより、導体回路の表面に、
ニッケルメッキ皮膜（第一及び第二の合計）を形成し
た。

【００４０】形成した第一のニッケルメッキ皮膜の厚み
を、断面観察により電子顕微鏡で測定したところ、表１
に示した厚みであった。なお、第一の無電解ニッケルメ
ッキ液の代わりに、上記８０℃の第二の無電解ニッケル
メッキ液を用いて、同様に２０分浸漬して、導体回路の
表面にニッケルメッキ皮膜を形成した後、そのニッケル
メッキ皮膜の厚みを同様に測定したところ２．２μｍで
あり、各実施例は共に、第二の無電解ニッケルメッキ液
のニッケルの析出速度が、第一の無電解ニッケルメッキ
液のニッケルの析出速度と比べて、速いことが確認され
た。

【００４１】

【表１】

【００４２】（実施例１０）第一の無電解ニッケルメッ
キ液に１０分浸漬して、導体回路の表面に第一のニッケ
ルメッキ皮膜を形成した後、第二の無電解ニッケルメッ
キ液に２０分浸漬して、第一のニッケルメッキ皮膜の表
面に第二のニッケルメッキ皮膜を形成し、次いで、再度
第一の無電解ニッケルメッキ液に１０分浸漬して、第二
のニッケルメッキ皮膜の表面に第三のニッケルメッキ皮
膜を形成した後、再度第二の無電解ニッケルメッキ液に
２０分浸漬して、第三のニッケルメッキ皮膜の表面に第
四のニッケルメッキ皮膜を形成したこと以外は実施例１
と同様にして、導体回路の表面に、ニッケルメッキ皮膜
（第一〜第四）を形成した。

【００４３】（実施例１１）第一の無電解ニッケルメッ
キ液に１０分浸漬して、導体回路の表面に第一のニッケ
ルメッキ皮膜を形成した後、第二の無電解ニッケルメッ
キ液に２０分浸漬して、第一のニッケルメッキ皮膜の表
面に第二のニッケルメッキ皮膜を形成し、次いで、再度
第一の無電解ニッケルメッキ液に１０分浸漬して、第二
のニッケルメッキ皮膜の表面に第三のニッケルメッキ皮
膜を形成した後、再度第二の無電解ニッケルメッキ液に
２０分浸漬して、第三のニッケルメッキ皮膜の表面に第
四のニッケルメッキ皮膜を形成したこと以外は実施例６
と同様にして、導体回路の表面に、ニッケルメッキ皮膜
（第一〜第四）を形成した。

【００４４】（比較例）第一の無電解ニッケルメッキ液
に浸漬せずに、上記８０℃の第二の無電解ニッケルメッ
キ液に６０分浸漬して、導体回路の表面に第二のニッケ
ルメッキ皮膜を直接形成したこと以外は、実施例１と同
様にして、導体回路の表面に、ニッケルメッキ皮膜（第
二のみ）を形成した。

【００４５】（評価、結果）各実施例及び比較例で得ら
れたニッケルメッキ皮膜の付き回り性を評価した。その
方法は、８０℃のワールドメタル社製置換無電解金メッ
キ液［商品名ＭＮ−ＡＵＡ］に３分浸漬した後、８０℃
のワールドメタル社製厚付け無電解金めっき［商品名Ｇ
ＯＬＤ−８］に１０分浸漬して、ニッケルメッキ皮膜の
表面に金メッキ皮膜を形成した後、それぞれ３０００個
のランド状導体回路を顕微鏡で観察し、均一に金メッキ
が形成されているものを合格、形成されてない場合を不
合格とし、合格の個数を数えた。

【００４６】その結果は、表１に示したように、各実施
例は、比較例と比べて金メッキが形成されている比率が
高く、ニッケルメッキ皮膜の未形成部が生じ難いことが
確認された。また、第一のニッケルメッキ皮膜の厚み
が、０．１〜２μｍの範囲内である実施例２〜５及び実
施例７〜９は、実施例１，６と比べて、特にニッケルメ
ッキ皮膜の未形成部が生じ難いことが確認された。ま
た、第一の無電解ニッケルメッキ液への浸漬及び第二の
無電解ニッケルメッキ液への浸漬のサイクルを２回繰り
返した実施例１０，１１は、実施例１〜９と比べて、特
にニッケルメッキ皮膜の未形成部が生じ難いことが確認
された。

【００４７】

【発明の効果】本発明に係る無電解ニッケルメッキ方法
によると、第一の無電解ニッケルメッキ液に浸漬して、
導体回路の表面に第一のニッケルメッキ皮膜を形成した
後、その第一の無電解ニッケルメッキ液よりニッケルの
析出速度が速い第二の無電解ニッケルメッキ液に浸漬し
て、第一のニッケルメッキ皮膜の表面に第二のニッケル
メッキ皮膜を形成するため、ニッケルメッキ皮膜の未形
成部が生じ難くなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る無電解ニッケルメッキ方法の一実
施の形態を説明する工程図である。

【図２】従来の無電解ニッケルメッキ方法を説明する工
程図である。

【図３】従来の無電解ニッケルメッキ方法の工程の一部
を説明する図である。

【符号の説明】

１０基板１１導体回路１２銅箔層２０メッキ用レジスト皮膜２１凹部２５エッチング用レジスト皮膜３０第一のニッケルメッキ皮膜３１第二のニッケルメッキ皮膜３５第一の無電解ニッケルメッキ液３６第二の無電解ニッケルメッキ液５０ニッケルメッキ皮膜５５無電解ニッケルメッキ液６０金メッキ皮膜７０水素ガスの泡

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者藤森正一大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者平田勲夫大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者藤原弘明大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者小川悟大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者前田修二大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者中川義廣大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者石原政行大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に導体回路を有する有機系基板の、
その導体回路を有する側の表面にレジスト皮膜を形成し
た後、無電解ニッケルメッキ液に浸漬し、無電解ニッケ
ルメッキ液と接する導体回路の表面に、ニッケルメッキ
皮膜を形成する無電解ニッケルメッキ方法において、導
体回路の表面にニッケルメッキ皮膜を形成する方法が、
導体回路を第一の無電解ニッケルメッキ液に浸漬して、
導体回路の表面に第一のニッケルメッキ皮膜を形成した
後、その第一の無電解ニッケルメッキ液よりニッケルの
析出速度が速い第二の無電解ニッケルメッキ液に浸漬し
て、第一のニッケルメッキ皮膜の表面に第二のニッケル
メッキ皮膜を形成する方法であることを特徴とする無電
解ニッケルメッキ方法。
【請求項２】第二の無電解ニッケルメッキ液が、第一
の無電解ニッケルメッキ液より、温度が高い液であるこ
とを特徴とする請求項１記載の無電解ニッケルメッキ方
法。
【請求項３】第二の無電解ニッケルメッキ液が、第一
の無電解ニッケルメッキ液より、ニッケル化合物及び還
元剤の濃度が高い液であることを特徴とする請求項１記
載の無電解ニッケルメッキ方法。
【請求項４】第一のニッケルメッキ皮膜の厚みが、
０．１〜２μｍであることを特徴とする請求項１から請
求項３のいずれかに記載の無電解ニッケルメッキ方法。