JPH10308029A - ガルバノミラーを含む集積光学装置およびこれを用いた光ディスク装置 - Google Patents
ガルバノミラーを含む集積光学装置およびこれを用いた光ディスク装置Info
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- JPH10308029A JPH10308029A JP9115629A JP11562997A JPH10308029A JP H10308029 A JPH10308029 A JP H10308029A JP 9115629 A JP9115629 A JP 9115629A JP 11562997 A JP11562997 A JP 11562997A JP H10308029 A JPH10308029 A JP H10308029A
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- galvanomirror
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- optical axis
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 取り付けが容易で、かつ小型化が図れ、反射
光軸の調整を正確に行なうことのできるガルバノミラー
を提供する。 【解決手段】 ウェハ50をエッチングして形成された
反射ミラー40を有する可動部37と、この可動部37
を移動可能に吊設支持する支持部材38a,38bと、
この支持部材を固定支持する固定部36とを備えるもの
において、前記可動部に設けられた前記反射ミラー40
が前記ウェハ面39に非平行な反射面を有すると共に、
前記可動部37を微動させることにより前記反射ミラー
40の反射光の光軸を微調整する光軸調整手段を備え
る。
光軸の調整を正確に行なうことのできるガルバノミラー
を提供する。 【解決手段】 ウェハ50をエッチングして形成された
反射ミラー40を有する可動部37と、この可動部37
を移動可能に吊設支持する支持部材38a,38bと、
この支持部材を固定支持する固定部36とを備えるもの
において、前記可動部に設けられた前記反射ミラー40
が前記ウェハ面39に非平行な反射面を有すると共に、
前記可動部37を微動させることにより前記反射ミラー
40の反射光の光軸を微調整する光軸調整手段を備え
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を所定の
方向に反射するためのガルバノミラーを含む集積光学装
置およびこの装置を搭載して対物レンズへの入射光の向
きを変化させながらディスクの所望の位置にスポットを
形成する光ディスク装置に関する。
方向に反射するためのガルバノミラーを含む集積光学装
置およびこの装置を搭載して対物レンズへの入射光の向
きを変化させながらディスクの所望の位置にスポットを
形成する光ディスク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、コンパクトディスク(CD)やレ
ーザディスク(LD)に代表されるように、レーザ光を
用いて情報の記録・再生を行なう光ディスク装置が広く
普及してきている。また、最近では、光ディスク装置は
コンピュータにおける情報記憶装置としても利用される
ようになっている。これに伴い、光ディスク装置に用い
られる記録媒体の高密度化が要求されるようになってき
ており、このような記録媒体の高密度化に伴い、記録媒
体に対して記録や再生を行なう光学ヘッドにおいても、
光学部品の高精度化が要求されるようになってきてい
る。
ーザディスク(LD)に代表されるように、レーザ光を
用いて情報の記録・再生を行なう光ディスク装置が広く
普及してきている。また、最近では、光ディスク装置は
コンピュータにおける情報記憶装置としても利用される
ようになっている。これに伴い、光ディスク装置に用い
られる記録媒体の高密度化が要求されるようになってき
ており、このような記録媒体の高密度化に伴い、記録媒
体に対して記録や再生を行なう光学ヘッドにおいても、
光学部品の高精度化が要求されるようになってきてい
る。
【0003】上述の光学部品の1つとして、光源から対
物レンズに至るレーザ光を反射させて光軸の方向を変更
すると共に、反射光の光軸の方向を微調整可能なガルバ
ノミラー装置が用いられている。図14は従来のガルバ
ノミラー装置の全体の概要を示す斜視図である。図14
において、従来のガルバノミラー装置1は、第1のプレ
ート2と、第2のプレート7とが積層された構造をなし
ている。第1のプレート2および第2のプレート7は、
ウェハ状のプレートをエッチングした後に、ダイシング
(切断)処理したものである。
物レンズに至るレーザ光を反射させて光軸の方向を変更
すると共に、反射光の光軸の方向を微調整可能なガルバ
ノミラー装置が用いられている。図14は従来のガルバ
ノミラー装置の全体の概要を示す斜視図である。図14
において、従来のガルバノミラー装置1は、第1のプレ
ート2と、第2のプレート7とが積層された構造をなし
ている。第1のプレート2および第2のプレート7は、
ウェハ状のプレートをエッチングした後に、ダイシング
(切断)処理したものである。
【0004】第1のプレート2は、図14に示されるよ
うに、略正方形状に第2のプレート7の対角に点対称に
設けられた1対の固定部3aおよび3bと、この固定部
3aおよび3bにそれぞれ形成された1対の電極4aお
よび4bと、反射ミラーが形成されると共に前記1対の
固定部3aおよび3bの間に設けられた長方形の板状の
揺動部5と、揺動部5の長辺側の略中央で固定部3aお
よび3bに対してこの揺動部5を揺動可能に支持する支
持部材としての2枚の弾性部6aおよび6bとを備えて
いる。
うに、略正方形状に第2のプレート7の対角に点対称に
設けられた1対の固定部3aおよび3bと、この固定部
3aおよび3bにそれぞれ形成された1対の電極4aお
よび4bと、反射ミラーが形成されると共に前記1対の
固定部3aおよび3bの間に設けられた長方形の板状の
揺動部5と、揺動部5の長辺側の略中央で固定部3aお
よび3bに対してこの揺動部5を揺動可能に支持する支
持部材としての2枚の弾性部6aおよび6bとを備えて
いる。
【0005】弾性部6aおよび6bは、その一端が揺動
部5に接続され、他端が固定部3aおよび3bにそれぞ
れ接続されることにより、揺動部5と固定部3aおよび
3bを連結すると共に、揺動部5を吊設支持している。
なお、第1のプレート2を構成する揺動部5と弾性部6
aおよび6bの下面には、第2のプレート7との間に1
ミクロンから20ミクロン程度の隙間が形成されるよう
に、第1のプレート2側がエッチングにより削られてい
る。
部5に接続され、他端が固定部3aおよび3bにそれぞ
れ接続されることにより、揺動部5と固定部3aおよび
3bを連結すると共に、揺動部5を吊設支持している。
なお、第1のプレート2を構成する揺動部5と弾性部6
aおよび6bの下面には、第2のプレート7との間に1
ミクロンから20ミクロン程度の隙間が形成されるよう
に、第1のプレート2側がエッチングにより削られてい
る。
【0006】また、第2のプレート7は、前記揺動部5
に対応する範囲を2つに分けるように設けられた電極8
aおよび8bと、この電極8aおよび8bにそれぞれ電
気的に接続された端子9aおよび9bと、を備えてい
る。前記電極8aおよび8bは端子9aおよび9bに外
部より電圧を供給することにより電圧を印加することが
できるようになっている。
に対応する範囲を2つに分けるように設けられた電極8
aおよび8bと、この電極8aおよび8bにそれぞれ電
気的に接続された端子9aおよび9bと、を備えてい
る。前記電極8aおよび8bは端子9aおよび9bに外
部より電圧を供給することにより電圧を印加することが
できるようになっている。
【0007】一方、前記固定部3aおよび3bには端子
4aおよび4bが形成されており、これら端子4aおよ
び4bはグランドに接続されている。前記第2のプレー
ト7に形成された端子9aおよび9bと、グランドに接
続された端子4aおよび4bとの間に電圧をかけること
により、半導体で形成された揺動部5と電極8aおよび
8bはクーロン力により引き合うが、端子9aと9bに
かける電圧を変化させることによりクーロン力のバラン
スが崩れ、揺動部5に回転トルクが発生し、図16にお
いて矢印Aにより示す方向に回転する。
4aおよび4bが形成されており、これら端子4aおよ
び4bはグランドに接続されている。前記第2のプレー
ト7に形成された端子9aおよび9bと、グランドに接
続された端子4aおよび4bとの間に電圧をかけること
により、半導体で形成された揺動部5と電極8aおよび
8bはクーロン力により引き合うが、端子9aと9bに
かける電圧を変化させることによりクーロン力のバラン
スが崩れ、揺動部5に回転トルクが発生し、図16にお
いて矢印Aにより示す方向に回転する。
【0008】上記構成を有するガルバノミラーを用いた
光ディスク装置を図15を参照しながら説明する。図1
5は従来の光ディスク装置の内部構造を示す断面図であ
り、図16は光ディスク装置に設けられる光学ユニット
を示す断面図である。図15において、光ディスク装置
10は、図示しないベースに固定されたスピンドルモー
タ11と、このスピンドルモータ11に対してマグネッ
トチャック等のチャッキング手段により保持されると共
に情報の記録再生のために用いられる光ディスクまたは
光磁気ディスク等のディスク12と、を備えており、デ
ィスク11は記録再生時には前記スピンドルモータ11
によって安定に回転駆動される。
光ディスク装置を図15を参照しながら説明する。図1
5は従来の光ディスク装置の内部構造を示す断面図であ
り、図16は光ディスク装置に設けられる光学ユニット
を示す断面図である。図15において、光ディスク装置
10は、図示しないベースに固定されたスピンドルモー
タ11と、このスピンドルモータ11に対してマグネッ
トチャック等のチャッキング手段により保持されると共
に情報の記録再生のために用いられる光ディスクまたは
光磁気ディスク等のディスク12と、を備えており、デ
ィスク11は記録再生時には前記スピンドルモータ11
によって安定に回転駆動される。
【0009】光ディスク装置10は、光源からの光を前
記ディスク12に照射して光スポット形成するための光
ヘッド13と、この光ヘッド13とディスク12との間
に設けられて前記光スポットを形成する対物レンズ14
と、前記光ヘッド13の一端側に設けられて光を照射す
る光源としての光学ユニット15と、をさらに備えてい
る。前記光学ユニット15の詳細構成は図16に示され
ている。
記ディスク12に照射して光スポット形成するための光
ヘッド13と、この光ヘッド13とディスク12との間
に設けられて前記光スポットを形成する対物レンズ14
と、前記光ヘッド13の一端側に設けられて光を照射す
る光源としての光学ユニット15と、をさらに備えてい
る。前記光学ユニット15の詳細構成は図16に示され
ている。
【0010】図16において、光学ユニット15は、前
記ディスク12に照射するためのレーザ光を生成する半
導体レーザ16と、ディスク12から反射されて戻って
きた光を検知するフォトディテクタ17と、半導体レー
ザ16から出射されたレーザ光を通過させると共にディ
スク12側から戻ってきた読出し光の向きを変更するホ
ログラム光学素子(以下、HOE―Hologramic Optical
Element―素子と略記する)18と、を備えている。な
お、光学ユニット15から対物レンズ14に至る光路は
両者の中間に設けられたガルバノミラー1により反射さ
れて方向が変更されている。このガルバノミラー1の構
成は図14に示したようになっている。また、前記対物
レンズ14および光学ユニット15は、前記光学ヘッド
13に固定されている。
記ディスク12に照射するためのレーザ光を生成する半
導体レーザ16と、ディスク12から反射されて戻って
きた光を検知するフォトディテクタ17と、半導体レー
ザ16から出射されたレーザ光を通過させると共にディ
スク12側から戻ってきた読出し光の向きを変更するホ
ログラム光学素子(以下、HOE―Hologramic Optical
Element―素子と略記する)18と、を備えている。な
お、光学ユニット15から対物レンズ14に至る光路は
両者の中間に設けられたガルバノミラー1により反射さ
れて方向が変更されている。このガルバノミラー1の構
成は図14に示したようになっている。また、前記対物
レンズ14および光学ユニット15は、前記光学ヘッド
13に固定されている。
【0011】上記構成を有する光ディスク装置10の動
作について説明する。まず、半導体レーザ16より発せ
られたレーザ光は、ガラス面に形成されたHOE素子1
8を通過し、光学ヘッド13に接合されたガルバノミラ
ー1で90°向きを変え、光学ヘッド13の上部に配置
された対物レンズ14へと導かれる。そして、この対物
レンズ14よりディスク12の記録トラック上にレーザ
光を集光させ焦点を形成する。
作について説明する。まず、半導体レーザ16より発せ
られたレーザ光は、ガラス面に形成されたHOE素子1
8を通過し、光学ヘッド13に接合されたガルバノミラ
ー1で90°向きを変え、光学ヘッド13の上部に配置
された対物レンズ14へと導かれる。そして、この対物
レンズ14よりディスク12の記録トラック上にレーザ
光を集光させ焦点を形成する。
【0012】また、ディスク12からの反射光は、対物
レンズ14を逆方向から透過して、ガルバノミラー1を
経由して、再びHOE素子18に戻り、このHOE素子
18により図16に示すようにその向きを変更されてフ
ォトディテクタ17に到達する。このフォトディテクタ
17は、ディスク12より戻ってきた光を検知するもの
であり、検知された光は図示されない光電変換手段等に
より電気信号に変換されて所定の情報が再生されること
になる。
レンズ14を逆方向から透過して、ガルバノミラー1を
経由して、再びHOE素子18に戻り、このHOE素子
18により図16に示すようにその向きを変更されてフ
ォトディテクタ17に到達する。このフォトディテクタ
17は、ディスク12より戻ってきた光を検知するもの
であり、検知された光は図示されない光電変換手段等に
より電気信号に変換されて所定の情報が再生されること
になる。
【0013】前記ガルバノミラー1は、光源からの光を
対物レンズ側に反射させると共に、対物レンズが光スポ
ットをディスク上に形成する際に正確に記録トラック上
に集光させるための微調整を行なうためのものであり、
図14における揺動部5は、その表面に半導体レーザ1
6からのレーザ光を反射するために、揺動部5と同じ大
きさの図示されないミラー面が、金属や誘電体多層膜等
を蒸着することにより形成されている。しかし、揺動部
5を構成する材料と、ミラー面を形成する材料との熱膨
張係数の違いにより、ガルバノミラー1の周囲の温度が
変化したときに揺動部5が撓んでしまう虞れがあった。
対物レンズ側に反射させると共に、対物レンズが光スポ
ットをディスク上に形成する際に正確に記録トラック上
に集光させるための微調整を行なうためのものであり、
図14における揺動部5は、その表面に半導体レーザ1
6からのレーザ光を反射するために、揺動部5と同じ大
きさの図示されないミラー面が、金属や誘電体多層膜等
を蒸着することにより形成されている。しかし、揺動部
5を構成する材料と、ミラー面を形成する材料との熱膨
張係数の違いにより、ガルバノミラー1の周囲の温度が
変化したときに揺動部5が撓んでしまう虞れがあった。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】このようなガルバノミ
ラー1においては、光学ヘッド13中で、光を90°折
り曲げて対物レンズ14に立ち上げるいわゆる立ち上げ
ミラーとしても機能しなければならないので、ディスク
12に対して水平方向、垂直方向に移動する光に対し
て、ガルバノミラーをディスクに対して45°傾いた状
態で接着剤などで貼り付ける必要があり、貼り付けの際
の調整が複雑になるという欠点があった。
ラー1においては、光学ヘッド13中で、光を90°折
り曲げて対物レンズ14に立ち上げるいわゆる立ち上げ
ミラーとしても機能しなければならないので、ディスク
12に対して水平方向、垂直方向に移動する光に対し
て、ガルバノミラーをディスクに対して45°傾いた状
態で接着剤などで貼り付ける必要があり、貼り付けの際
の調整が複雑になるという欠点があった。
【0015】また、調整が複雑になることにより、ガル
バノミラー1が光学ヘッド13に対して角度誤差をもっ
て傾いて取り付けられる懸念や、調整しろの分だけミラ
ー面を光の像よりも大きくする必要があった。
バノミラー1が光学ヘッド13に対して角度誤差をもっ
て傾いて取り付けられる懸念や、調整しろの分だけミラ
ー面を光の像よりも大きくする必要があった。
【0016】また、光学ヘッド13は一般に樹脂などで
成型されているが、成型後の反りや撓みにより、ガルバ
ノミラー1の取り付け位置がずれ、これにより、ガルバ
ノミラー1が光学ヘッド13に傾いて取り付けられる懸
念や、調整しろの分だけミラー面を光の像よりも大きく
する必要があった。
成型されているが、成型後の反りや撓みにより、ガルバ
ノミラー1の取り付け位置がずれ、これにより、ガルバ
ノミラー1が光学ヘッド13に傾いて取り付けられる懸
念や、調整しろの分だけミラー面を光の像よりも大きく
する必要があった。
【0017】また、ミラー面が大きくなると、このミラ
ー面が形成された揺動部5の寸法が大きくなり、揺動部
5の慣性モーメントが増加するので、駆動力の低下を招
いていた。
ー面が形成された揺動部5の寸法が大きくなり、揺動部
5の慣性モーメントが増加するので、駆動力の低下を招
いていた。
【0018】また、揺動部5はウェハ面に平行にミラー
面を有する構成であるので、揺動部5を回転させる駆動
力を大きくしようとすると、電極8aおよび8bと共に
揺動部5を大きくしなければならない。しかしながら、
このように揺動部5を大きくするとガルバノミラー1そ
のものの高さが大きくなり、光学ヘッド13の高さの増
加を招いていた。
面を有する構成であるので、揺動部5を回転させる駆動
力を大きくしようとすると、電極8aおよび8bと共に
揺動部5を大きくしなければならない。しかしながら、
このように揺動部5を大きくするとガルバノミラー1そ
のものの高さが大きくなり、光学ヘッド13の高さの増
加を招いていた。
【0019】さらに、上記ガルバノミラー1を構成する
ためには、別途、シリコンウェハを加工してガルバノミ
ラー1を形成する必要があるので、コストの増加を招い
ていた。
ためには、別途、シリコンウェハを加工してガルバノミ
ラー1を形成する必要があるので、コストの増加を招い
ていた。
【0020】本発明は上記問題点に鑑み、取り付けが容
易で、かつ小型化が図れ、反射光軸の調整を正確に行な
うことのできるガルバノミラーを含む集積光学装置およ
びこれを用いた光ディスク装置を提供することを目的と
している。
易で、かつ小型化が図れ、反射光軸の調整を正確に行な
うことのできるガルバノミラーを含む集積光学装置およ
びこれを用いた光ディスク装置を提供することを目的と
している。
【0021】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の請求項1に係るガルバノミラーを含む集積
光学装置は、ウェハをエッチングすることにより形成さ
れた可動部と、この可動部を移動可能に吊設支持する支
持部材と、この支持部材を固定支持する固定部と、前記
可動部に設けられると共に前記ウェハの面に非平行な反
射面を有する反射ミラーと、前記可動部を微動させるこ
とにより前記反射ミラーの反射光の光軸を微調整する光
軸調整手段と、を備えることを特徴としている。
め、本発明の請求項1に係るガルバノミラーを含む集積
光学装置は、ウェハをエッチングすることにより形成さ
れた可動部と、この可動部を移動可能に吊設支持する支
持部材と、この支持部材を固定支持する固定部と、前記
可動部に設けられると共に前記ウェハの面に非平行な反
射面を有する反射ミラーと、前記可動部を微動させるこ
とにより前記反射ミラーの反射光の光軸を微調整する光
軸調整手段と、を備えることを特徴としている。
【0022】また、請求項2に係るガルバノミラーを含
む集積光学装置は、請求項1に記載のものにおいて、前
記光軸調整手段が、前記可動部を前記支持部材まわりに
揺動させることにより前記反射光の光軸を調整すること
を特徴としている。
む集積光学装置は、請求項1に記載のものにおいて、前
記光軸調整手段が、前記可動部を前記支持部材まわりに
揺動させることにより前記反射光の光軸を調整すること
を特徴としている。
【0023】また、請求項3に係るガルバノミラーを含
む集積光学装置は、請求項1に記載のものにおいて、前
記光軸調整手段が、前記可動部を往復動させることによ
り前記反射光の光軸を調整することを特徴としている。
む集積光学装置は、請求項1に記載のものにおいて、前
記光軸調整手段が、前記可動部を往復動させることによ
り前記反射光の光軸を調整することを特徴としている。
【0024】また、請求項4に係るガルバノミラーを含
む集積光学装置は、請求項1に記載のものにおいて、前
記可動部が、一対の傾斜面を有して断面が線対称をなす
形状を備え、前記傾斜面の一方に前記反射ミラーを備え
ることを特徴としている。
む集積光学装置は、請求項1に記載のものにおいて、前
記可動部が、一対の傾斜面を有して断面が線対称をなす
形状を備え、前記傾斜面の一方に前記反射ミラーを備え
ることを特徴としている。
【0025】また、請求項5に係るガルバノミラーを含
む集積光学装置は、請求項1に記載のものにおいて、前
記固定部に形成された光検出器と、固定部に接合された
半導体レーザとを備えることを特徴としている。
む集積光学装置は、請求項1に記載のものにおいて、前
記固定部に形成された光検出器と、固定部に接合された
半導体レーザとを備えることを特徴としている。
【0026】また、請求項6に係るガルバノミラーを含
む集積光学装置は、請求項5に記載のものにおいて、前
記可動部がシリコンにより形成されると共に、前記反射
ミラーが前記シリコンの(1,1,1)面に平行に形成
されていることを特徴としている。
む集積光学装置は、請求項5に記載のものにおいて、前
記可動部がシリコンにより形成されると共に、前記反射
ミラーが前記シリコンの(1,1,1)面に平行に形成
されていることを特徴としている。
【0027】また、請求項7に係るガルバノミラーを含
む集積光学装置は、請求項5に記載のものにおいて、前
記可動部がシリコンにより形成されると共に、前記反射
ミラーが前記シリコンの(1,1,0)面に平行に形成
されていることを特徴としている。
む集積光学装置は、請求項5に記載のものにおいて、前
記可動部がシリコンにより形成されると共に、前記反射
ミラーが前記シリコンの(1,1,0)面に平行に形成
されていることを特徴としている。
【0028】次に、請求項8に係るガルバノミラーを含
む集積光学装置を用いた光ディスク装置は、光源と、ウ
ェハをエッチングして形成された可動部,前記ウェハ面
に非平行な反射面を有して前記可動部に形成されると共
に前記光源から照射された光の光軸方向を変更するため
の反射ミラー,前記可動部を移動可能に吊設支持する支
持部材,この支持部材を固定支持する固定部,前記可動
部を微動させることにより前記反射ミラーの反射光の光
軸を微調整する光軸調整手段,を有する集積光学装置
と、前記反射ミラーにより光軸方向を変更された光を収
束させて光ディスクの情報記憶面に光スポットを形成す
る対物レンズと、を備えることを特徴としている。
む集積光学装置を用いた光ディスク装置は、光源と、ウ
ェハをエッチングして形成された可動部,前記ウェハ面
に非平行な反射面を有して前記可動部に形成されると共
に前記光源から照射された光の光軸方向を変更するため
の反射ミラー,前記可動部を移動可能に吊設支持する支
持部材,この支持部材を固定支持する固定部,前記可動
部を微動させることにより前記反射ミラーの反射光の光
軸を微調整する光軸調整手段,を有する集積光学装置
と、前記反射ミラーにより光軸方向を変更された光を収
束させて光ディスクの情報記憶面に光スポットを形成す
る対物レンズと、を備えることを特徴としている。
【0029】また、請求項9に係るガルバノミラーを含
む集積光学装置を用いた光ディスク装置は、請求項8に
記載のものにおいて、前記光軸調整手段が、前記可動部
を前記支持部材まわりに揺動させることにより前記反射
光の光軸を調整することを特徴としている。
む集積光学装置を用いた光ディスク装置は、請求項8に
記載のものにおいて、前記光軸調整手段が、前記可動部
を前記支持部材まわりに揺動させることにより前記反射
光の光軸を調整することを特徴としている。
【0030】また、請求項10に係るガルバノミラーを
含む集積光学装置を用いた光ディスク装置は、請求項8
に記載のものにおいて、前記光軸調整手段が、前記可動
部を往復動させることにより前記反射光の光軸を調整す
ることを特徴としている。
含む集積光学装置を用いた光ディスク装置は、請求項8
に記載のものにおいて、前記光軸調整手段が、前記可動
部を往復動させることにより前記反射光の光軸を調整す
ることを特徴としている。
【0031】以上のような構成を備える本発明によれ
ば、反射ミラーがウェハ面に非平行であるので、反射ミ
ラー備えた揺動部もしくは往復動部を形成するエッチン
グと、この揺動部もしくは往復動部を支持する支持部材
をエッチングするマーカーを半導体レーザーを接合する
マーカーと同一のものにすることができるため、揺動部
もしくは往復動部と半導体レーザーの位置決めを大幅に
簡略化できる。これにより、揺動部もしくは往復動部と
半導体レーザーの位置決めを正確に行なうことができる
ので、結果として反射ミラーを小さくすることができる
ため、揺動部もしくは往復動部の慣性を小さくすること
ができ、揺動部もしくは往復動部の駆動感度を増すこと
ができる。
ば、反射ミラーがウェハ面に非平行であるので、反射ミ
ラー備えた揺動部もしくは往復動部を形成するエッチン
グと、この揺動部もしくは往復動部を支持する支持部材
をエッチングするマーカーを半導体レーザーを接合する
マーカーと同一のものにすることができるため、揺動部
もしくは往復動部と半導体レーザーの位置決めを大幅に
簡略化できる。これにより、揺動部もしくは往復動部と
半導体レーザーの位置決めを正確に行なうことができる
ので、結果として反射ミラーを小さくすることができる
ため、揺動部もしくは往復動部の慣性を小さくすること
ができ、揺動部もしくは往復動部の駆動感度を増すこと
ができる。
【0032】また、支持部材を光検出器が形成されたウ
ェハに形成するので、この支持部材により規定される揺
動部もしくは往復動部の運動方向を、正確に光検出器と
一致させることができ、揺動部もしくは往復動部の運動
によるディスクからの戻り光の光検出器上での像の移動
に対して、光検出器の出力変動を抑えることが可能であ
る。また、上記揺動部もしくは往復動部をシリコンで形
成する際に、反射ミラーがシリコンの(1,1,1)面
に平行に形成するか、または(1,1,0)面に平行に
形成するように構成することにより、ウエットエッチン
グにより揺動部もしくは往復動部を形成し、そのうえに
反射ミラーを形成する際に、反射ミラーの平坦度を確保
することができる。さらに、ガルバノミラーは光検出器
を形成したウェハを用いて加工することができるので、
光学系を形成する際の材料費が低減し、コストを削減す
ることができる。
ェハに形成するので、この支持部材により規定される揺
動部もしくは往復動部の運動方向を、正確に光検出器と
一致させることができ、揺動部もしくは往復動部の運動
によるディスクからの戻り光の光検出器上での像の移動
に対して、光検出器の出力変動を抑えることが可能であ
る。また、上記揺動部もしくは往復動部をシリコンで形
成する際に、反射ミラーがシリコンの(1,1,1)面
に平行に形成するか、または(1,1,0)面に平行に
形成するように構成することにより、ウエットエッチン
グにより揺動部もしくは往復動部を形成し、そのうえに
反射ミラーを形成する際に、反射ミラーの平坦度を確保
することができる。さらに、ガルバノミラーは光検出器
を形成したウェハを用いて加工することができるので、
光学系を形成する際の材料費が低減し、コストを削減す
ることができる。
【0033】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るガルバノミラ
ーを含む集積光学装置およびこれを用いた光ディスク装
置の好適な実施の形態について、添付図面を参照しなが
ら詳細に説明する。まず、図2から図5を用いて本発明
のガルバノミラーを含む集積光学装置を用いた光ディス
ク装置について説明する。ここで、図2は光学ヘッドの
構成を示す断面図、図3は光学ヘッドを含む駆動系の構
成を示す平面図、図4は光ディスク装置の内部構造を示
す断面図、図5は光学ユニットの構成を示す断面図であ
る。
ーを含む集積光学装置およびこれを用いた光ディスク装
置の好適な実施の形態について、添付図面を参照しなが
ら詳細に説明する。まず、図2から図5を用いて本発明
のガルバノミラーを含む集積光学装置を用いた光ディス
ク装置について説明する。ここで、図2は光学ヘッドの
構成を示す断面図、図3は光学ヘッドを含む駆動系の構
成を示す平面図、図4は光ディスク装置の内部構造を示
す断面図、図5は光学ユニットの構成を示す断面図であ
る。
【0034】なお、図1から図7には説明のためX,
Y,Z軸を付記している。このX軸方向は、光ディスク
装置におけるトラッキング方向であり、Y軸方向は光デ
ィスク面と平行な面内において前記トラッキング方向に
略沿った方向であり、Z軸方向は光ディスクにおけるフ
ォーカス方向である。また、図2ないし図5において、
従来の光ディスク装置の構成を示した図15および図1
6と同一符号を付したものは従来の装置の構成要素と同
一または相当する構成要素を示している。
Y,Z軸を付記している。このX軸方向は、光ディスク
装置におけるトラッキング方向であり、Y軸方向は光デ
ィスク面と平行な面内において前記トラッキング方向に
略沿った方向であり、Z軸方向は光ディスクにおけるフ
ォーカス方向である。また、図2ないし図5において、
従来の光ディスク装置の構成を示した図15および図1
6と同一符号を付したものは従来の装置の構成要素と同
一または相当する構成要素を示している。
【0035】図2において、光ディスク装置20は、図
示しないベースに固定されたスピンドルモータ11と、
このスピンドルモータ11に対してマグネットチャック
等のチャッキング手段により保持され情報の記録再生に
供される光ディスクおよび光磁気ディスク等のディスク
12と、光源および対物レンズ等を搭載した光学ヘッド
13と、を概略備えており、記録再生時にはディスク1
2が前記スピンドルモータ11によって安定に回転駆動
される。光学ヘッド13には、光源から出射される光の
方向をフォーカス方向に変更させると共にトラッキング
方向の微調整を行なうガルバノミラー19が設けられて
いる。
示しないベースに固定されたスピンドルモータ11と、
このスピンドルモータ11に対してマグネットチャック
等のチャッキング手段により保持され情報の記録再生に
供される光ディスクおよび光磁気ディスク等のディスク
12と、光源および対物レンズ等を搭載した光学ヘッド
13と、を概略備えており、記録再生時にはディスク1
2が前記スピンドルモータ11によって安定に回転駆動
される。光学ヘッド13には、光源から出射される光の
方向をフォーカス方向に変更させると共にトラッキング
方向の微調整を行なうガルバノミラー19が設けられて
いる。
【0036】光ヘッド13には、対物レンズ14が設け
られており、この対物レンズ15はプラスチックマグネ
ットにより形成された対物レンズホルダ21によって保
持されている。また、この対物レンズホルダ21には平
行板バネ22の一端が固定されており、平行板バネ22
の他端は光学ヘッド13に固定されることにより対物レ
ンズ14はその光軸方向(Z軸方向)に移動可能に支持
されている。プラスチックマグネットからなる対物レン
ズホルダ21と、光学ヘッド13に巻装固定されたフォ
ーカスコイル23に流れる電流との間に電磁作用が作用
し、対物レンズ14にフォーカス駆動力を発生させてい
る。
られており、この対物レンズ15はプラスチックマグネ
ットにより形成された対物レンズホルダ21によって保
持されている。また、この対物レンズホルダ21には平
行板バネ22の一端が固定されており、平行板バネ22
の他端は光学ヘッド13に固定されることにより対物レ
ンズ14はその光軸方向(Z軸方向)に移動可能に支持
されている。プラスチックマグネットからなる対物レン
ズホルダ21と、光学ヘッド13に巻装固定されたフォ
ーカスコイル23に流れる電流との間に電磁作用が作用
し、対物レンズ14にフォーカス駆動力を発生させてい
る。
【0037】また、図3に示すように、光ディスク装置
20の光学ヘッド13には、一対のリニアモータコイル
24が設けられており、このリニアモータコイル24は
筒状に形成されており、光学ヘッド13の両側面に各1
個が固定されている。光学ヘッド13のリニアモータコ
イル24を挟んで両側には、計3個の滑り軸受25が形
成されており、ディスク1の径方向に延設された2本の
ガイドシャフト26とそれぞれ係合している。これによ
り光学ヘッド13はディスク12の半径方向に移動でき
るように支持されている。
20の光学ヘッド13には、一対のリニアモータコイル
24が設けられており、このリニアモータコイル24は
筒状に形成されており、光学ヘッド13の両側面に各1
個が固定されている。光学ヘッド13のリニアモータコ
イル24を挟んで両側には、計3個の滑り軸受25が形
成されており、ディスク1の径方向に延設された2本の
ガイドシャフト26とそれぞれ係合している。これによ
り光学ヘッド13はディスク12の半径方向に移動でき
るように支持されている。
【0038】前記ガイドシャフト26は磁性体により形
成されており、磁気回路のヨークとしての役割も果たし
ている。ガイドシャフト26の両側にはコ字形のバック
ヨーク27が固定されている。また磁気ギャップを挟ん
でリニアモータコイル24と対向する位置にはラジアル
磁石28が配置され、バックヨーク27に固定されてい
る。これらガイドシャフト26、バックヨーク27、ラ
ジアル磁石28がラジアル磁気回路29を形成してお
り、リニアモータコイル24に磁界を作用させ、リニア
モータコイル24に流れる電流との電磁作用により、光
学ヘッド13にディスク12の半径方向への駆動力を発
生させている。
成されており、磁気回路のヨークとしての役割も果たし
ている。ガイドシャフト26の両側にはコ字形のバック
ヨーク27が固定されている。また磁気ギャップを挟ん
でリニアモータコイル24と対向する位置にはラジアル
磁石28が配置され、バックヨーク27に固定されてい
る。これらガイドシャフト26、バックヨーク27、ラ
ジアル磁石28がラジアル磁気回路29を形成してお
り、リニアモータコイル24に磁界を作用させ、リニア
モータコイル24に流れる電流との電磁作用により、光
学ヘッド13にディスク12の半径方向への駆動力を発
生させている。
【0039】図4および図5に示すように、前記ディス
ク12に照射するためのレーザ光を生成する半導体レー
ザ31は、ディスクから戻ってきた光を検知する光検出
器としてのフォトディテクタ32と、ガルバノミラー3
3(後述する)と共に集積光学装置30を構成してお
り、さらに、HOE素子48と貼り合わせることにより
光学ユニット47を構成しており、この光学ユニット4
7は光学ヘッド13に固定されている。なお、光学ユニ
ット47には、放熱性を高める目的で複数の凹凸を有す
るヒートシンク49が貼り付けられている。
ク12に照射するためのレーザ光を生成する半導体レー
ザ31は、ディスクから戻ってきた光を検知する光検出
器としてのフォトディテクタ32と、ガルバノミラー3
3(後述する)と共に集積光学装置30を構成してお
り、さらに、HOE素子48と貼り合わせることにより
光学ユニット47を構成しており、この光学ユニット4
7は光学ヘッド13に固定されている。なお、光学ユニ
ット47には、放熱性を高める目的で複数の凹凸を有す
るヒートシンク49が貼り付けられている。
【0040】図3および図4において、半導体レーザ3
1から図中X方向に発せられたレーザ光は、ガルバノミ
ラー33により約90°向きを変えられ図中Y方向に進
行する(詳細は後述する)。さらに、ガラス面に形成さ
れたHOE素子48を通過して、立ち上げミラー19に
より再び90°向きを変えて、光学ヘッド13の上部に
配置された対物レンズ14に導かれる。この対物レンズ
14によりディスク12の記録トラック上にレーザ光を
集光させ焦点を形成する。
1から図中X方向に発せられたレーザ光は、ガルバノミ
ラー33により約90°向きを変えられ図中Y方向に進
行する(詳細は後述する)。さらに、ガラス面に形成さ
れたHOE素子48を通過して、立ち上げミラー19に
より再び90°向きを変えて、光学ヘッド13の上部に
配置された対物レンズ14に導かれる。この対物レンズ
14によりディスク12の記録トラック上にレーザ光を
集光させ焦点を形成する。
【0041】また、ディスク12からの反射光は、対物
レンズ14に戻り、立ち上げミラー19を逆方向から再
び経由して、今度はHOE素子51により向きを変えら
れてフォトディテクタ32により検知される。フォトデ
ィテクタ32に取り込まれた反射光から、記録情報信
号、フォーカスオフセット信号、トラックオフセット信
号等が生成される。そして、フォーカスオフセット信号
を用いることにより対物レンズ14のフォーカス方向の
位置ズレが検出され、この位置ズレを補正するようにフ
ォーカスコイル23に電流を流す制御動作を行なう。ま
た、トラックオフセット信号を用いることにより対物レ
ンズ14のトラック方向の位置ズレが検出され、この位
置ズレを補正するようにリニアモータコイル24とガル
バノミラー33に電圧を加えて制御動作を行なう。この
ようにしてディスク12の記録トラック上に情報が記録
され、またディスク12の記録トラック上から情報が読
み取られることになる。
レンズ14に戻り、立ち上げミラー19を逆方向から再
び経由して、今度はHOE素子51により向きを変えら
れてフォトディテクタ32により検知される。フォトデ
ィテクタ32に取り込まれた反射光から、記録情報信
号、フォーカスオフセット信号、トラックオフセット信
号等が生成される。そして、フォーカスオフセット信号
を用いることにより対物レンズ14のフォーカス方向の
位置ズレが検出され、この位置ズレを補正するようにフ
ォーカスコイル23に電流を流す制御動作を行なう。ま
た、トラックオフセット信号を用いることにより対物レ
ンズ14のトラック方向の位置ズレが検出され、この位
置ズレを補正するようにリニアモータコイル24とガル
バノミラー33に電圧を加えて制御動作を行なう。この
ようにしてディスク12の記録トラック上に情報が記録
され、またディスク12の記録トラック上から情報が読
み取られることになる。
【0042】上記構成を備える光ディスク装置に用いら
れる集積光学装置30の詳細な構成について、図1,図
6および図7を参照しながら説明する。図1は本発明の
第1実施形態に係るガルバノミラーを含む集積光学装置
の全体構成を示す斜視図であり、図6はガルバノミラー
を含む集積光学装置の平面図であり、図7は集積光学装
置を構成する第2プレートを示す斜視図である。
れる集積光学装置30の詳細な構成について、図1,図
6および図7を参照しながら説明する。図1は本発明の
第1実施形態に係るガルバノミラーを含む集積光学装置
の全体構成を示す斜視図であり、図6はガルバノミラー
を含む集積光学装置の平面図であり、図7は集積光学装
置を構成する第2プレートを示す斜視図である。
【0043】集積光学装置30は、図1に示されるよう
に、フォトディテクタ32が形成された第1のプレート
34と、半導体レーザ31が固定された第2のプレート
35との2枚のプレートが積層された構造を有してい
る。第1のプレート34には、図1に示されるように、
固定部36、可動部としての揺動部37、支持部材とし
ての一対の弾性部38aおよび38bが形成されてい
る。第1のプレート34を構成する固定部36、揺動部
37、弾性部38aおよび38bは、シリコンを材料と
する第1のプレート34を、エッチングすることにより
形成されたものである。
に、フォトディテクタ32が形成された第1のプレート
34と、半導体レーザ31が固定された第2のプレート
35との2枚のプレートが積層された構造を有してい
る。第1のプレート34には、図1に示されるように、
固定部36、可動部としての揺動部37、支持部材とし
ての一対の弾性部38aおよび38bが形成されてい
る。第1のプレート34を構成する固定部36、揺動部
37、弾性部38aおよび38bは、シリコンを材料と
する第1のプレート34を、エッチングすることにより
形成されたものである。
【0044】前記揺動部37は、第1のプレート34の
面と同一面を形成する面39と、傾斜した面40とを有
し、この面を形成する溝部41は、固定部36と同様、
水酸化カリウム水溶液などを用いてシリコンを異方性エ
ッチングして形成されたものであり、面40はシリコン
の(1,1,1)面か、あるいは(1,1,0)面に平
行になるように、第1のプレート34を形成するシリコ
ンの結晶方位がプレートと同一レベルの面39に対して
定められている。シリコンの(1,1,1)面と(1,
1,0)面はエッチングのスピードが遅い面として知ら
れており、これらの面を面40と平行にすることで、面
40を平坦にすることができる。
面と同一面を形成する面39と、傾斜した面40とを有
し、この面を形成する溝部41は、固定部36と同様、
水酸化カリウム水溶液などを用いてシリコンを異方性エ
ッチングして形成されたものであり、面40はシリコン
の(1,1,1)面か、あるいは(1,1,0)面に平
行になるように、第1のプレート34を形成するシリコ
ンの結晶方位がプレートと同一レベルの面39に対して
定められている。シリコンの(1,1,1)面と(1,
1,0)面はエッチングのスピードが遅い面として知ら
れており、これらの面を面40と平行にすることで、面
40を平坦にすることができる。
【0045】特に面40をシリコンの(1,1,0)面
に平行にすると、第1のプレート34の上面と同一面を
形成する面39をシリコンの(1,0,0)面と一致さ
せることができるので、第1のプレート34として一般
に数多く流通しているシリコンウェハを用いることがで
きる。また、面40の表面には半導体レーザ31からの
レーザ光を反射するための図示しないミラー面が、金属
薄膜や誘電体多層膜等を蒸着することにより形成されて
いる。
に平行にすると、第1のプレート34の上面と同一面を
形成する面39をシリコンの(1,0,0)面と一致さ
せることができるので、第1のプレート34として一般
に数多く流通しているシリコンウェハを用いることがで
きる。また、面40の表面には半導体レーザ31からの
レーザ光を反射するための図示しないミラー面が、金属
薄膜や誘電体多層膜等を蒸着することにより形成されて
いる。
【0046】また、弾性部38aおよび38bとこれを
形成する溝部41は、例えばRIE(Reactive Ion Etc
hing)等のドライエッチングにより、第1のプレート3
4のプレート面方向に対して異方性を有すると共に帯状
の弾性部38aおよび38bが残される形状になるよう
に、第1のプレート34の上面39から第1のプレート
34下面に向かってエッチングされている。弾性部38
a,38bは、その一端が揺動部37に、他端が固定部
36にそれぞれ接続されることにより、揺動部37と固
定部36とを連結し吊設支持している。ここで、可動部
としての揺動部37の質量の重心は2枚の弾性部38a
および38bを結ぶ線上の丁度中間付近となるように構
成されている。第1のプレート34上には端子42が形
成されており、この端子42はグランドに接続され、常
に揺動部37の電位をグランドと同じレベルに保ってい
る。
形成する溝部41は、例えばRIE(Reactive Ion Etc
hing)等のドライエッチングにより、第1のプレート3
4のプレート面方向に対して異方性を有すると共に帯状
の弾性部38aおよび38bが残される形状になるよう
に、第1のプレート34の上面39から第1のプレート
34下面に向かってエッチングされている。弾性部38
a,38bは、その一端が揺動部37に、他端が固定部
36にそれぞれ接続されることにより、揺動部37と固
定部36とを連結し吊設支持している。ここで、可動部
としての揺動部37の質量の重心は2枚の弾性部38a
および38bを結ぶ線上の丁度中間付近となるように構
成されている。第1のプレート34上には端子42が形
成されており、この端子42はグランドに接続され、常
に揺動部37の電位をグランドと同じレベルに保ってい
る。
【0047】一方、第2のプレート35は、例えばガラ
ス板等の電気的絶縁材料で形成されるか、あるいは表面
に電気的絶縁材料(または酸化膜)がコーティングされ
たシリコンで形成されており、第1のプレート34の固
定部36に対して静電接合、拡散接合、陽極酸化接合等
の手段で接合されることにより第1プレート34全体を
固定保持している。
ス板等の電気的絶縁材料で形成されるか、あるいは表面
に電気的絶縁材料(または酸化膜)がコーティングされ
たシリコンで形成されており、第1のプレート34の固
定部36に対して静電接合、拡散接合、陽極酸化接合等
の手段で接合されることにより第1プレート34全体を
固定保持している。
【0048】なお、第2のプレート35の上面43には
揺動部37と接触して揺動部37の回転を妨げないよう
に、1ミクロンから20ミクロン程度の深さの凹部44
がエッチングにより形成され、また、この上面43には
半導体レーザー31が接合されている。また、図7に示
されたように、第2のプレート35の凹部44の底面上
の揺動部37と対向する部位には、スパッター等により
形成された電極45aおよび45bが設置されている。
揺動部37と接触して揺動部37の回転を妨げないよう
に、1ミクロンから20ミクロン程度の深さの凹部44
がエッチングにより形成され、また、この上面43には
半導体レーザー31が接合されている。また、図7に示
されたように、第2のプレート35の凹部44の底面上
の揺動部37と対向する部位には、スパッター等により
形成された電極45aおよび45bが設置されている。
【0049】本第1実施形態においては、例えば図7に
示すように、電極45aおよび45bは平面上に形成さ
れているが、電極45aおよび45bを固定する第2の
プレート35の凹部44の底面に、揺動部37の回転に
より発生する高圧空気を排出するための溝を形成しても
構わない。また、電極45aおよび45bはそれぞれ端
子46aおよび46bにより電気的に接続されている。
そして、外部より端子46aおよび46bに電圧を供給
することにより電極45aおよび45bに電圧を印加す
ることができるようになっている。
示すように、電極45aおよび45bは平面上に形成さ
れているが、電極45aおよび45bを固定する第2の
プレート35の凹部44の底面に、揺動部37の回転に
より発生する高圧空気を排出するための溝を形成しても
構わない。また、電極45aおよび45bはそれぞれ端
子46aおよび46bにより電気的に接続されている。
そして、外部より端子46aおよび46bに電圧を供給
することにより電極45aおよび45bに電圧を印加す
ることができるようになっている。
【0050】本第1実施形態においては、例えば図1に
おいて、凹凸のない第1のプレート34が第2のプレー
ト35と接合されるように構成されているが、第2のプ
レート35の凹部44に合わせて、凹部44よりも小さ
く凹部44の深さよりも低い高さを有する凸部(図示せ
ず)を第1のプレート34の下面にエッチングにより設
け、これを凹部44と入れ子形状のように嵌め合わせて
接合し、第2プレート上面43よりも、凸部の底面が第
2のプレート35の内部に食い込んで配置されることに
より、異方性エッチングにより形成する面40を第2の
プレート35の上面43よりも下側まで形成するように
しても良い。このように構成することにより、半導体レ
ーザ31の開口面積を大きく取ることができるので、半
導体レーザ31の出力を効率よくディスク12まで伝達
することができる。
おいて、凹凸のない第1のプレート34が第2のプレー
ト35と接合されるように構成されているが、第2のプ
レート35の凹部44に合わせて、凹部44よりも小さ
く凹部44の深さよりも低い高さを有する凸部(図示せ
ず)を第1のプレート34の下面にエッチングにより設
け、これを凹部44と入れ子形状のように嵌め合わせて
接合し、第2プレート上面43よりも、凸部の底面が第
2のプレート35の内部に食い込んで配置されることに
より、異方性エッチングにより形成する面40を第2の
プレート35の上面43よりも下側まで形成するように
しても良い。このように構成することにより、半導体レ
ーザ31の開口面積を大きく取ることができるので、半
導体レーザ31の出力を効率よくディスク12まで伝達
することができる。
【0051】同様に第2のプレート35の上面43に凸
部を設けても同じ効果が得られることはいうまでもな
い。なお、第1のプレート34と第2のプレート35と
は、ほぼ同じ熱膨張係数を有する材料が選択されている
ことが好ましい。このように構成されている本第1実施
形態のガルバノミラー33は、光学ヘッド13の一部に
設けられた端子と、ガルバノミラー33に設けられた端
子42,46aおよび46bとが半田などの手段により
電気的に接続され、また、図4に示されるようにヒート
シンク52を介して機械的にも強固に接続されている。
本実施例では、ヒートシンク52を介して接合してある
が、もちろん直接光学ヘッド13に接合してもかまわな
い。
部を設けても同じ効果が得られることはいうまでもな
い。なお、第1のプレート34と第2のプレート35と
は、ほぼ同じ熱膨張係数を有する材料が選択されている
ことが好ましい。このように構成されている本第1実施
形態のガルバノミラー33は、光学ヘッド13の一部に
設けられた端子と、ガルバノミラー33に設けられた端
子42,46aおよび46bとが半田などの手段により
電気的に接続され、また、図4に示されるようにヒート
シンク52を介して機械的にも強固に接続されている。
本実施例では、ヒートシンク52を介して接合してある
が、もちろん直接光学ヘッド13に接合してもかまわな
い。
【0052】次に、本発明のガルバノミラー33の具体
的な駆動方法を説明する。まず、端子46aおよび46
bに電圧を印加することにより、グランドとのあいだに
電位差を持たせ、電位がグランドである揺動部37と電
極45aおよび45bがクーロン力により引き合うよう
にする。ここで、端子46aと端子46bに印加する電
圧を変化させると、揺動部37と電極45aと電極45
bとの引き合う力が変化し、偶力が作用するので、2枚
の弾性部38aおよび38bがねじれ変形を起こし、揺
動部37は図1に示すZ軸回りに回転する。
的な駆動方法を説明する。まず、端子46aおよび46
bに電圧を印加することにより、グランドとのあいだに
電位差を持たせ、電位がグランドである揺動部37と電
極45aおよび45bがクーロン力により引き合うよう
にする。ここで、端子46aと端子46bに印加する電
圧を変化させると、揺動部37と電極45aと電極45
bとの引き合う力が変化し、偶力が作用するので、2枚
の弾性部38aおよび38bがねじれ変形を起こし、揺
動部37は図1に示すZ軸回りに回転する。
【0053】揺動部37が図1のZ軸回りに回転する
と、光は立ち上げミラー19に至る直前で、Z軸を中心
に振られ、立ち上げミラー19で反射した後には、光は
Y軸を中心にX軸方向に振られることになるので、これ
によりディスク12上でビームスポットがディスク12
の半径方向に移動することになる。ここで、揺動部37
と電極45aおよび45bの間の静電容量を測定するこ
とにより、揺動部37と第2のプレート35とのギャッ
プ長を検出することができ、これによって揺動部37の
回転(揺動)角度を正確に検出することができる。
と、光は立ち上げミラー19に至る直前で、Z軸を中心
に振られ、立ち上げミラー19で反射した後には、光は
Y軸を中心にX軸方向に振られることになるので、これ
によりディスク12上でビームスポットがディスク12
の半径方向に移動することになる。ここで、揺動部37
と電極45aおよび45bの間の静電容量を測定するこ
とにより、揺動部37と第2のプレート35とのギャッ
プ長を検出することができ、これによって揺動部37の
回転(揺動)角度を正確に検出することができる。
【0054】上記検出値を用いてトラッキングオフセッ
トを電気的に補正することにより、ガルバノミラー特有
の回転角度の制約をほとんどなくすことができ、安定か
つ精度の高いトラッキング制御を行なうことができる。
また、静電容量からギャップ長の変化を測定することに
より、温度上昇や経時変化によるミラー面の傾きを補正
することもできる。
トを電気的に補正することにより、ガルバノミラー特有
の回転角度の制約をほとんどなくすことができ、安定か
つ精度の高いトラッキング制御を行なうことができる。
また、静電容量からギャップ長の変化を測定することに
より、温度上昇や経時変化によるミラー面の傾きを補正
することもできる。
【0055】次に、本発明の第1実施形態に係るガルバ
ノミラーを含む集積光学装置を製造する方法について、
図8を参照しながら説明する。集積光学装置30は、図
8の(a)ないし(f)の加工手順に示すように、ウェ
ハから製品へと製造されている。集積光学装置30はフ
ォトディテクタ32、電極45a,45b等の部品が形
成されたウェハ同士を接合、異方性エッチング、ドライ
エッチング、切断することによって得られる。
ノミラーを含む集積光学装置を製造する方法について、
図8を参照しながら説明する。集積光学装置30は、図
8の(a)ないし(f)の加工手順に示すように、ウェ
ハから製品へと製造されている。集積光学装置30はフ
ォトディテクタ32、電極45a,45b等の部品が形
成されたウェハ同士を接合、異方性エッチング、ドライ
エッチング、切断することによって得られる。
【0056】具体的には、フォトディテクタ32が形成
された第1のプレート34と、凹部44、電極45a,
45b、端子46a,46bがそれぞれ形成された第2
のプレート35を、それぞれ形成するウェハ50および
51の上にそれぞれ形成されたマーカー52aおよび5
2bと、53aおよび53bとを基準にして、例えば赤
外線位置合わせ装置により位置合わせをした後、前記ウ
ェハ50および51を接合する。また、フォトディテク
タ32もマーカー52aおよび52bを基準に形成され
ている。その後、接合された合わせウェハ54には、マ
ーカー52a,52bを基準に、溝部58等を形成する
ための水酸化ナトリウム等による異方性エッチング、溝
部41を形成するドライエッチングが施される。
された第1のプレート34と、凹部44、電極45a,
45b、端子46a,46bがそれぞれ形成された第2
のプレート35を、それぞれ形成するウェハ50および
51の上にそれぞれ形成されたマーカー52aおよび5
2bと、53aおよび53bとを基準にして、例えば赤
外線位置合わせ装置により位置合わせをした後、前記ウ
ェハ50および51を接合する。また、フォトディテク
タ32もマーカー52aおよび52bを基準に形成され
ている。その後、接合された合わせウェハ54には、マ
ーカー52a,52bを基準に、溝部58等を形成する
ための水酸化ナトリウム等による異方性エッチング、溝
部41を形成するドライエッチングが施される。
【0057】また、合わせウェハ54の、ウェハ51の
上面43には半導体レーザー31がマーカー52a,5
2bを基準にして、ロボットハンド等により、必要数だ
け接合される。なお、図8においては説明の便宜上、2
列2行で4個の集積光学装置を作成する場合について例
示しているが、実際には50列50行で25O個程度の
集積光学装置を1度に作成するものとする。さらに、H
OE素子48を形成するガラスウェハ55を、ガラスウ
ェハ55に形成されたマーカー56a,56bとマーカ
ー52a,52bを基準にして位置合わせするととも
に、スペーサ57を介して接合する。しかる後に、この
ウェハ50,51,55、スペーサ57を接合して形成
された接合物59をダイサーにより切断して、集積光学
装置30が作成される。
上面43には半導体レーザー31がマーカー52a,5
2bを基準にして、ロボットハンド等により、必要数だ
け接合される。なお、図8においては説明の便宜上、2
列2行で4個の集積光学装置を作成する場合について例
示しているが、実際には50列50行で25O個程度の
集積光学装置を1度に作成するものとする。さらに、H
OE素子48を形成するガラスウェハ55を、ガラスウ
ェハ55に形成されたマーカー56a,56bとマーカ
ー52a,52bを基準にして位置合わせするととも
に、スペーサ57を介して接合する。しかる後に、この
ウェハ50,51,55、スペーサ57を接合して形成
された接合物59をダイサーにより切断して、集積光学
装置30が作成される。
【0058】スペーサ57は、図8のように略四角形形
状の開口部を有しており、接合物59をダイシングした
後に、集積光学装置30の周囲を例えば接着剤などで封
止することにより、外部環境から集積光学装置30を隔
絶することができる。
状の開口部を有しており、接合物59をダイシングした
後に、集積光学装置30の周囲を例えば接着剤などで封
止することにより、外部環境から集積光学装置30を隔
絶することができる。
【0059】この封止は、上記のように行なうのではな
く、例えば第1のプレート34の固定部36を、第1の
プレート34の全周にわたって固定部36と同じ高さに
なるように溝41を形成すれば、スペーサ57と接合す
るだけで集積光学装置30を外部環境から隔絶すること
もできる。
く、例えば第1のプレート34の固定部36を、第1の
プレート34の全周にわたって固定部36と同じ高さに
なるように溝41を形成すれば、スペーサ57と接合す
るだけで集積光学装置30を外部環境から隔絶すること
もできる。
【0060】ガルバノミラー33の反射面40は、半導
体レーザー31の光をウェハ面外の方向に出射すること
を考えると、ウェハ面に対して必ず傾斜している必要が
あるが、このような構成の集積光学装置30によれば、
ウェハ50上のマーカー52a,52bを基準にウェハ
面内のガルバノミラー33の面40を形成する異方性エ
ッチングと、弾性部38a,38bを形成するドライエ
ッチングを行ない、かつこのマーカー52a,52bを
基準に半導体レーザー31の貼り合わせが行なうので、
物体の位置決めがすべてウェハ面内の2次元位置合わせ
により行なうことができ、調整を大幅に簡略化すること
ができる。
体レーザー31の光をウェハ面外の方向に出射すること
を考えると、ウェハ面に対して必ず傾斜している必要が
あるが、このような構成の集積光学装置30によれば、
ウェハ50上のマーカー52a,52bを基準にウェハ
面内のガルバノミラー33の面40を形成する異方性エ
ッチングと、弾性部38a,38bを形成するドライエ
ッチングを行ない、かつこのマーカー52a,52bを
基準に半導体レーザー31の貼り合わせが行なうので、
物体の位置決めがすべてウェハ面内の2次元位置合わせ
により行なうことができ、調整を大幅に簡略化すること
ができる。
【0061】上述のように製造した結果として、面40
と弾性部38a,38bからなるガルバノミラー33と
半導体レーザー31を極めて精度よく位置決めすること
ができ、これにより、ガルバノミラー33は、半導体レ
ーザー31の開口に対して、面40を最小の大きさにす
ることができるため、ガルバノミラー33の駆動感度を
高めることができる。
と弾性部38a,38bからなるガルバノミラー33と
半導体レーザー31を極めて精度よく位置決めすること
ができ、これにより、ガルバノミラー33は、半導体レ
ーザー31の開口に対して、面40を最小の大きさにす
ることができるため、ガルバノミラー33の駆動感度を
高めることができる。
【0062】また、本実施形態においては、半導体レー
ザー31から面40に至るまでの間に、シリコンもしく
はガラスからなる第2のプレート35しか介在していな
いので、熱による反りや撓みにより、半導体レーザー3
1と面40が大きくずれることはない。また、揺動部3
7と電極45a,45bの隙間は、例えば1ミクロンか
ら20ミクロン程度と、非常に近接しているが、本発明
のように、HOEを介して外界から封止することによ
り、隙間にゴミが入ることを未然に防ぐことができ、結
果として高い信頼性が確保できる。
ザー31から面40に至るまでの間に、シリコンもしく
はガラスからなる第2のプレート35しか介在していな
いので、熱による反りや撓みにより、半導体レーザー3
1と面40が大きくずれることはない。また、揺動部3
7と電極45a,45bの隙間は、例えば1ミクロンか
ら20ミクロン程度と、非常に近接しているが、本発明
のように、HOEを介して外界から封止することによ
り、隙間にゴミが入ることを未然に防ぐことができ、結
果として高い信頼性が確保できる。
【0063】また、ガルバノミラー33の揺動部37
は、図中Z方向からみた断面が略三角形形状となる台形
形状をしているので、ミラー面40を形成する材料と揺
動部37を形成するシリコンの熱膨張率の違いにより、
揺動部37を変形させる力が働いたとしても、揺動部3
7の変形は少なく、結果として面40の変形が少ないの
で、収差によりディスク1上でビームスポットの精度が
悪化し、再生もしくは記録・再生に悪影響を及ぼすこと
がない。
は、図中Z方向からみた断面が略三角形形状となる台形
形状をしているので、ミラー面40を形成する材料と揺
動部37を形成するシリコンの熱膨張率の違いにより、
揺動部37を変形させる力が働いたとしても、揺動部3
7の変形は少なく、結果として面40の変形が少ないの
で、収差によりディスク1上でビームスポットの精度が
悪化し、再生もしくは記録・再生に悪影響を及ぼすこと
がない。
【0064】また、ガルバノミラー33の駆動感度を上
昇させるために、電極45aおよび45bを図中X方向
に延長し、それに合わせて、揺動部37を図中X方向に
延長しても、光学ヘッド13がZ方向に長くなることは
なく、つまり薄型化の妨げになることはない。
昇させるために、電極45aおよび45bを図中X方向
に延長し、それに合わせて、揺動部37を図中X方向に
延長しても、光学ヘッド13がZ方向に長くなることは
なく、つまり薄型化の妨げになることはない。
【0065】また、弾性部38a,38bをフォトディ
テクタ32が形成された第1のプレート34に形成して
いるので、揺動部37の運動によるディスク21からの
戻り光の動きとフォトディテクタ32の分割方向を合わ
せて、揺動部37の運動による戻り光の動きの効果を低
減することができる。
テクタ32が形成された第1のプレート34に形成して
いるので、揺動部37の運動によるディスク21からの
戻り光の動きとフォトディテクタ32の分割方向を合わ
せて、揺動部37の運動による戻り光の動きの効果を低
減することができる。
【0066】具体的には、揺動部37が図中Z軸回りに
回転すると、戻り光は図中X方向に移動するが、図1の
ようにフォトディテクタ32をZ方向に分割して、HO
E素子48をこれに合わせて戻り光を分割するように形
成すれば、揺動部37の回転軸を決定する弾性部38
a,38bはフォトディテクタ32を形成するために用
いられたマーカー52a,52bをもとに形成されてい
るので、戻り光の移動方向と、フォトディテクタ32の
分割方向は正確に一致し、戻り光の移動によるフォトデ
ィテクタ32の出力変動を抑制することができる。
回転すると、戻り光は図中X方向に移動するが、図1の
ようにフォトディテクタ32をZ方向に分割して、HO
E素子48をこれに合わせて戻り光を分割するように形
成すれば、揺動部37の回転軸を決定する弾性部38
a,38bはフォトディテクタ32を形成するために用
いられたマーカー52a,52bをもとに形成されてい
るので、戻り光の移動方向と、フォトディテクタ32の
分割方向は正確に一致し、戻り光の移動によるフォトデ
ィテクタ32の出力変動を抑制することができる。
【0067】本実施形態においては、フォトディテクタ
32は光をZ方向に分割するものとして構成している
が、HOE素子48の回折格子のパターンによっては、
フォトディテクタ32の分割方向はZ方向とは異なる方
向であっても構わない。また、本実施形態においては、
揺動部37を駆動するための動力源として、電極45a
および45bと揺動部37に電位差を与えた際に、両者
に働くクーロン力を用いている。このように、静電気に
よるクーロン力を用いた駆動機構の場合、電磁駆動機構
において電流が流れることによる抵抗損出が無いため
に、駆動機構での発熱が少ない。
32は光をZ方向に分割するものとして構成している
が、HOE素子48の回折格子のパターンによっては、
フォトディテクタ32の分割方向はZ方向とは異なる方
向であっても構わない。また、本実施形態においては、
揺動部37を駆動するための動力源として、電極45a
および45bと揺動部37に電位差を与えた際に、両者
に働くクーロン力を用いている。このように、静電気に
よるクーロン力を用いた駆動機構の場合、電磁駆動機構
において電流が流れることによる抵抗損出が無いため
に、駆動機構での発熱が少ない。
【0068】また、半導体レーザー31は半導体レーザ
ー自身が発光により発熱し、しかも半導体レーザーの寿
命が半導体レーザーの周囲の環境温度によって支配され
るということが一般に知られている。本実施形態に示し
た集積光学装置30においては、半導体レーザー31と
揺動部37の駆動機構が近接配置されているので、揺動
部37を駆動する駆動機構として静電気駆動力を用いる
と、半導体レーザー31が揺動部37の駆動機構による
発熱の影響を受けることがない。
ー自身が発光により発熱し、しかも半導体レーザーの寿
命が半導体レーザーの周囲の環境温度によって支配され
るということが一般に知られている。本実施形態に示し
た集積光学装置30においては、半導体レーザー31と
揺動部37の駆動機構が近接配置されているので、揺動
部37を駆動する駆動機構として静電気駆動力を用いる
と、半導体レーザー31が揺動部37の駆動機構による
発熱の影響を受けることがない。
【0069】上述した集積光学装置の製造方法によれ
ば、ウェハの張り合わせにはエッチングを用いるものと
して説明したが、本発明はこれに限定されず、例えばス
パッタリングにより揺動部37に磁性体を貼り付け、第
2のプレート35の上面43に薄膜コイルを形成するよ
うに構成し、電磁駆動により揺動部37を駆動するよう
にしても良い。また、ガルバノミラー33はフォトディ
テクタ32を形成したウェハ50により形成されている
ので、ウェハを別途用意して加工しガルバノミラーを形
成するよりも、材料費の低減を図ることができる。
ば、ウェハの張り合わせにはエッチングを用いるものと
して説明したが、本発明はこれに限定されず、例えばス
パッタリングにより揺動部37に磁性体を貼り付け、第
2のプレート35の上面43に薄膜コイルを形成するよ
うに構成し、電磁駆動により揺動部37を駆動するよう
にしても良い。また、ガルバノミラー33はフォトディ
テクタ32を形成したウェハ50により形成されている
ので、ウェハを別途用意して加工しガルバノミラーを形
成するよりも、材料費の低減を図ることができる。
【0070】次に、本発明の第2実施形態に係るガルバ
ノミラーを含む集積光学装置を説明する。なお、以下の
各実施形態の説明においては、前述の第1実施形態と同
一構成要素には同一符号を付して重複する説明を省略す
る。
ノミラーを含む集積光学装置を説明する。なお、以下の
各実施形態の説明においては、前述の第1実施形態と同
一構成要素には同一符号を付して重複する説明を省略す
る。
【0071】図9は、本発明の第2実施形態に係るガル
バノミラーを含む集積光学装置を示す平面図である。図
9において、本第2実施形態に係る集積光学装置60
は、図9中に示すX,Y,Z軸が図1から図7に示す
X,Y,Z軸と一致するように、図6に示す集積光学装
置30に対してY軸回りに90°回転させて、光学ヘッ
ド13に対して配置されている。
バノミラーを含む集積光学装置を示す平面図である。図
9において、本第2実施形態に係る集積光学装置60
は、図9中に示すX,Y,Z軸が図1から図7に示す
X,Y,Z軸と一致するように、図6に示す集積光学装
置30に対してY軸回りに90°回転させて、光学ヘッ
ド13に対して配置されている。
【0072】さらに、第1実施形態と異なる点は、揺動
部61の形状と、揺動部61の回転方向、揺動部61を
回転自在に支持する弾性部62a,62b,62c,6
2dの構造、および揺動部61を回転駆動する駆動機構
にある。
部61の形状と、揺動部61の回転方向、揺動部61を
回転自在に支持する弾性部62a,62b,62c,6
2dの構造、および揺動部61を回転駆動する駆動機構
にある。
【0073】本実施例の第1のプレート34は、揺動部
61と、弾性部62a,62b,62c,62dと、電
極ブロック63a,63b,63c,63dと、固定部
36と、フォトディテクタ32と、から構成されてい
る。
61と、弾性部62a,62b,62c,62dと、電
極ブロック63a,63b,63c,63dと、固定部
36と、フォトディテクタ32と、から構成されてい
る。
【0074】第1実施形態と同様に、揺動部61は、第
1プレート34の上面と45°の角度をなす面64を有
する形状になっているが、第1実施形態と同じように、
面64を形成する溝部65は水酸化カリウム水溶液等に
よる異方性エッチングにより製造することができる。ま
た、4本の弾性部62a,62b,62c,62dは一
端が揺動部61に接続され、もう一端が固定部36に接
続され、4本の弾性部62a,62b,62c,62d
が揺動部61の重心点66の方向を向くように配置され
ている。
1プレート34の上面と45°の角度をなす面64を有
する形状になっているが、第1実施形態と同じように、
面64を形成する溝部65は水酸化カリウム水溶液等に
よる異方性エッチングにより製造することができる。ま
た、4本の弾性部62a,62b,62c,62dは一
端が揺動部61に接続され、もう一端が固定部36に接
続され、4本の弾性部62a,62b,62c,62d
が揺動部61の重心点66の方向を向くように配置され
ている。
【0075】また、電極ブロック63a,63b,63
c,63dは電極67a,67b,67c,67dを挟
んで接触しながら、第2のプレート35に接合されてい
るが第2のプレート35表面には絶縁膜が形成されてお
り、電極67a,67b,67c,67dは電気的に絶
縁されている。
c,63dは電極67a,67b,67c,67dを挟
んで接触しながら、第2のプレート35に接合されてい
るが第2のプレート35表面には絶縁膜が形成されてお
り、電極67a,67b,67c,67dは電気的に絶
縁されている。
【0076】これら、揺動部61と、4本の弾性部62
a,62b,62c,62dと、電極ブロック67a,
67b,67c,67dの形状は、第1実施形態と同じ
ように、W型の溝部68a,68bと略Y型の溝部69
a,69b,69c,69dをドライエッチングにより
第1のプレート34の上面から下面に向かってエッチン
グすることにより得られている。また、固定部36上に
は、端子42が形成されている。端子42はグランドに
接続され、常に揺動部61の電位をグランドと同じレベ
ルに保っている。
a,62b,62c,62dと、電極ブロック67a,
67b,67c,67dの形状は、第1実施形態と同じ
ように、W型の溝部68a,68bと略Y型の溝部69
a,69b,69c,69dをドライエッチングにより
第1のプレート34の上面から下面に向かってエッチン
グすることにより得られている。また、固定部36上に
は、端子42が形成されている。端子42はグランドに
接続され、常に揺動部61の電位をグランドと同じレベ
ルに保っている。
【0077】また、第2のプレート35においては、揺
動部61を回転自在にするために、揺動部61と弾性部
62a,62b,62c,62dとが相対する箇所が、
凹部65Aとしてエッチングされている。第2のプレー
ト35は、前述のように電極67a,67b,67c,
67dを備え、半導体により形成された電極ブロック6
3a,63b,63c,63dと接触することにより、
電極ブロック63a,63b,63c,63dの電位
が、電極67a,67b,67c,67dの電位と同じ
になっている。
動部61を回転自在にするために、揺動部61と弾性部
62a,62b,62c,62dとが相対する箇所が、
凹部65Aとしてエッチングされている。第2のプレー
ト35は、前述のように電極67a,67b,67c,
67dを備え、半導体により形成された電極ブロック6
3a,63b,63c,63dと接触することにより、
電極ブロック63a,63b,63c,63dの電位
が、電極67a,67b,67c,67dの電位と同じ
になっている。
【0078】次に、第2実施形態に係るガルバノミラー
の具体的な動作について説明する。まず、電極67a,
67b,67c,67dに電圧を印加することにより、
グランドとの間に電位差を生じさせて、電位がグランド
である揺動部61と電極ブロック63a,63b,63
c,63dとがクーロン力によって引き合うようにす
る。ここで、電極67a,67cと電極67b,67d
に印加する電圧を変化させると、揺動部61と電極ブロ
ック63a,63cおよび電極ブロック63b,63d
とが引き合う力が変化して偶力が作用することによっ
て、4枚の弾性部62a,62b,62c,62dが第
1のプレート34の面内方向に曲げ変形を起こし、揺動
部61は図9におけるY軸回りに回転する。
の具体的な動作について説明する。まず、電極67a,
67b,67c,67dに電圧を印加することにより、
グランドとの間に電位差を生じさせて、電位がグランド
である揺動部61と電極ブロック63a,63b,63
c,63dとがクーロン力によって引き合うようにす
る。ここで、電極67a,67cと電極67b,67d
に印加する電圧を変化させると、揺動部61と電極ブロ
ック63a,63cおよび電極ブロック63b,63d
とが引き合う力が変化して偶力が作用することによっ
て、4枚の弾性部62a,62b,62c,62dが第
1のプレート34の面内方向に曲げ変形を起こし、揺動
部61は図9におけるY軸回りに回転する。
【0079】揺動部61が図9におけるY軸回りに回転
すると、半導体レーザー31から図中Z方向に進行した
光は、Z軸回りに回転させられることになり、光は立ち
上げミラー19に至る直前で、Z軸を中心に振られ、立
ち上げミラー19で反射した後には、光はY軸を中心に
振られることになり、これによりディスク12上でビー
ムスポットがディスク12の半径方向に移動することに
なる。したがって、このような構造のガルバノミラーを
含む集積光学装置60であっても、前述の第1実施形態
と同様の効果を得ることができる。
すると、半導体レーザー31から図中Z方向に進行した
光は、Z軸回りに回転させられることになり、光は立ち
上げミラー19に至る直前で、Z軸を中心に振られ、立
ち上げミラー19で反射した後には、光はY軸を中心に
振られることになり、これによりディスク12上でビー
ムスポットがディスク12の半径方向に移動することに
なる。したがって、このような構造のガルバノミラーを
含む集積光学装置60であっても、前述の第1実施形態
と同様の効果を得ることができる。
【0080】次に、本発明の第3実施形態に係るガルバ
ノミラーを含む集積光学装置を説明する。図10は、第
3実施形態に係るガルバノミラーを含む集積光学装置の
概略を示す平面図である。本第3実施形態に係る集積光
学装置70は、図10中に示されるX,Y,Z軸が、図
1から図7に示すX,Y,Z軸と一致するように配置さ
れている。
ノミラーを含む集積光学装置を説明する。図10は、第
3実施形態に係るガルバノミラーを含む集積光学装置の
概略を示す平面図である。本第3実施形態に係る集積光
学装置70は、図10中に示されるX,Y,Z軸が、図
1から図7に示すX,Y,Z軸と一致するように配置さ
れている。
【0081】第1実施形態と異なる点は、揺動部71の
回転方向、および揺動部71を回転自在に支持する弾性
部72a,72bと、揺動部71を回転駆動する駆動機
構にある。この第3実施形態における第1のプレート3
4は、揺動部71と、弾性部72aおよび72bと、電
極ブロック73a,73b,73c,73dと、固定部
36と、フォトディテクタ32と、を備えている。第1
実施形態と同様に、揺動部71は第1のプレート34の
上面と45°の角度をなす面74を有する形状になって
いるが、第1実施形態と同じように、面74を形成する
溝部75は水酸化カリウム水溶液等による異方性エッチ
ングにより得られる。
回転方向、および揺動部71を回転自在に支持する弾性
部72a,72bと、揺動部71を回転駆動する駆動機
構にある。この第3実施形態における第1のプレート3
4は、揺動部71と、弾性部72aおよび72bと、電
極ブロック73a,73b,73c,73dと、固定部
36と、フォトディテクタ32と、を備えている。第1
実施形態と同様に、揺動部71は第1のプレート34の
上面と45°の角度をなす面74を有する形状になって
いるが、第1実施形態と同じように、面74を形成する
溝部75は水酸化カリウム水溶液等による異方性エッチ
ングにより得られる。
【0082】また、第2実施形態における2本の弾性部
72a,72bは、それぞれ一端が揺動部71に接続さ
れ、他端が固定部36に接続されているが、第1実施形
態に比較すると、弾性部72a,72bが長くなってお
り、弾性部72a,72bを捻るときの剛性と、第1の
プレート34の面内方向に曲げる剛性の比が変えられて
いる。
72a,72bは、それぞれ一端が揺動部71に接続さ
れ、他端が固定部36に接続されているが、第1実施形
態に比較すると、弾性部72a,72bが長くなってお
り、弾性部72a,72bを捻るときの剛性と、第1の
プレート34の面内方向に曲げる剛性の比が変えられて
いる。
【0083】また、電極ブロック73a,73b,73
c,73dは電極76a,76b,76c,76dをそ
れぞれ挟んで接触しながら、第2のプレート35に接合
されているが、第2のプレート35の表面には絶縁膜が
形成されているので、電極76a,76b,76c,7
6dは電気的に絶縁されている。
c,73dは電極76a,76b,76c,76dをそ
れぞれ挟んで接触しながら、第2のプレート35に接合
されているが、第2のプレート35の表面には絶縁膜が
形成されているので、電極76a,76b,76c,7
6dは電気的に絶縁されている。
【0084】前記揺動部71と、2本の弾性部72a,
72bと、電極ブロック73a,73b,73c,73
dの形状は、第1実施形態と同じように、略コの字型の
溝部77a,77b,77c,77dをドライエッチン
グにより第1のプレート35の上面から下面に向かって
エッチングすることにより得られている。また、固定部
36上には、端子42が形成されている。端子42はグ
ランドに接続され、常に揺動部71の電位をグランドと
同じレベルに保っている。
72bと、電極ブロック73a,73b,73c,73
dの形状は、第1実施形態と同じように、略コの字型の
溝部77a,77b,77c,77dをドライエッチン
グにより第1のプレート35の上面から下面に向かって
エッチングすることにより得られている。また、固定部
36上には、端子42が形成されている。端子42はグ
ランドに接続され、常に揺動部71の電位をグランドと
同じレベルに保っている。
【0085】また、第2プレート35には、揺動部71
を回転自在にするために、揺動部71と弾性部72a,
72bとが相対する箇所が、凹部78としてエッチング
されている。第2のプレート31には、前述のように電
極76a,76b,76c,76dが存在し、半導体で
形成された電極ブロック73a,73b,73c,73
dと接触することにより、電極ブロック73a,73
b,73c,73dの電位が、電極76a,76b,7
6c,76dの電位と同じになっており、さらに凹部7
8の底面には、電極79a,79bが設置されている。
を回転自在にするために、揺動部71と弾性部72a,
72bとが相対する箇所が、凹部78としてエッチング
されている。第2のプレート31には、前述のように電
極76a,76b,76c,76dが存在し、半導体で
形成された電極ブロック73a,73b,73c,73
dと接触することにより、電極ブロック73a,73
b,73c,73dの電位が、電極76a,76b,7
6c,76dの電位と同じになっており、さらに凹部7
8の底面には、電極79a,79bが設置されている。
【0086】次に、この第3実施形態に係るガルバノミ
ラーの具体的な動作を説明する。まず、電極76a,7
6b,76c,76dに所定の電圧を印加することによ
り、グランドとの間に電位差を生じさせて、電位がグラ
ンドである揺動部71と電極ブロック73a,73b,
73c,73dとがクーロン力によって引き合うように
する。
ラーの具体的な動作を説明する。まず、電極76a,7
6b,76c,76dに所定の電圧を印加することによ
り、グランドとの間に電位差を生じさせて、電位がグラ
ンドである揺動部71と電極ブロック73a,73b,
73c,73dとがクーロン力によって引き合うように
する。
【0087】ここで、電極76a,76cと電極76
b,76dに印加する電圧を変化させると、揺動部71
と電極ブロック73a,73cと電極ブロック73b,
73dとが引き合う力が変化し、偶力が作用するので、
2枚の弾性部72a,72bが第1のプレート34の面
内方向の曲げ変化を起こし、揺動部71は図10におけ
るY軸回りに回転する。また、電極79a,79bに電
圧を印加することによって、グランドとの間に電位差を
生じさせて、電位がグランドである揺動部71と電極7
9a,79bとがクーロン力により引き合うようにして
いる。
b,76dに印加する電圧を変化させると、揺動部71
と電極ブロック73a,73cと電極ブロック73b,
73dとが引き合う力が変化し、偶力が作用するので、
2枚の弾性部72a,72bが第1のプレート34の面
内方向の曲げ変化を起こし、揺動部71は図10におけ
るY軸回りに回転する。また、電極79a,79bに電
圧を印加することによって、グランドとの間に電位差を
生じさせて、電位がグランドである揺動部71と電極7
9a,79bとがクーロン力により引き合うようにして
いる。
【0088】ここで、電極79aと電極79bに印加す
る電圧を変化させると、揺動部71と電極79aと電極
79bとが引き合う力が変化して偶力が作用するので、
2枚の弾性部72a,72bが捻れ変形を起こし、揺動
部71は図10におけるZ軸回りに回転する。
る電圧を変化させると、揺動部71と電極79aと電極
79bとが引き合う力が変化して偶力が作用するので、
2枚の弾性部72a,72bが捻れ変形を起こし、揺動
部71は図10におけるZ軸回りに回転する。
【0089】揺動部71が図10におけるY軸回りに回
転すると、半導体レーザー31から図中X方向に進行し
た光は、X軸回りに回転させられることになり、光は立
ち上げミラー19に至る直前で、X軸を中心に振られ、
立ち上げミラーで反射した後には、光はX軸を中心に振
られることになり、これによりディスク12上でビーム
スポットがディスク12のトラックと平行方向に移動す
ることになる。
転すると、半導体レーザー31から図中X方向に進行し
た光は、X軸回りに回転させられることになり、光は立
ち上げミラー19に至る直前で、X軸を中心に振られ、
立ち上げミラーで反射した後には、光はX軸を中心に振
られることになり、これによりディスク12上でビーム
スポットがディスク12のトラックと平行方向に移動す
ることになる。
【0090】揺動部71が図10中Z軸回りに回転する
と、半導体レーザ31から図中X方向に進行した光は、
Z軸回りに回転させられることになり、光は立ち上げミ
ラー19に至る直前で、Z軸を中心に振られ、立ち上げ
ミラーで反射した後には、光はY軸を中心に振られるこ
とになるので、これによりディスク12上でビームスポ
ットがディスク12の半径方向に移動することになる。
と、半導体レーザ31から図中X方向に進行した光は、
Z軸回りに回転させられることになり、光は立ち上げミ
ラー19に至る直前で、Z軸を中心に振られ、立ち上げ
ミラーで反射した後には、光はY軸を中心に振られるこ
とになるので、これによりディスク12上でビームスポ
ットがディスク12の半径方向に移動することになる。
【0091】したがって、このような構造のガルバノミ
ラーを含む集積光学装置であれば、ビームスポットをデ
ィスク12上で2軸方向に移動させることができ、トラ
ッキング方向の制御とともに、スピンドルモータ11の
回転変動によるディスク12からの再生信号のジッター
補正をも行なうことができる。
ラーを含む集積光学装置であれば、ビームスポットをデ
ィスク12上で2軸方向に移動させることができ、トラ
ッキング方向の制御とともに、スピンドルモータ11の
回転変動によるディスク12からの再生信号のジッター
補正をも行なうことができる。
【0092】第1ないし第3実施形態において、第1の
プレート34の上面と45°の角度をなす面(例えば面
40)は、揺動部(例えば37)により回転させられて
いるが、例えば揺動部37等による面40の運動は必ず
しも回転運動でなくても、半導体レーザ31が発生する
光は面40上の反射面においては、平行光ではなく拡散
光であるので、例えば面40が往復動しても、ディスク
12上でビームスポットを移動させることができる。
プレート34の上面と45°の角度をなす面(例えば面
40)は、揺動部(例えば37)により回転させられて
いるが、例えば揺動部37等による面40の運動は必ず
しも回転運動でなくても、半導体レーザ31が発生する
光は面40上の反射面においては、平行光ではなく拡散
光であるので、例えば面40が往復動しても、ディスク
12上でビームスポットを移動させることができる。
【0093】このような観点に立って、本発明の第4実
施形態に係るガルバノミラーを含む集積光学装置を説明
する。図11は第4実施形態に係るガルバノミラーを含
む集積光学装置の構成を示す平面図である。本第4実施
形態に係る集積光学装置80は、図11中に示すX,
Y,Z軸が、図1から図7に示すX,Y,Z軸と一致す
るように配置されている。第1ないし第3実施形態と異
なる点は、半導体レーザー31からの光を反射する反射
ミラーとなる面84を有する可動部材が、揺動部ではな
く、往復動部81であることである。
施形態に係るガルバノミラーを含む集積光学装置を説明
する。図11は第4実施形態に係るガルバノミラーを含
む集積光学装置の構成を示す平面図である。本第4実施
形態に係る集積光学装置80は、図11中に示すX,
Y,Z軸が、図1から図7に示すX,Y,Z軸と一致す
るように配置されている。第1ないし第3実施形態と異
なる点は、半導体レーザー31からの光を反射する反射
ミラーとなる面84を有する可動部材が、揺動部ではな
く、往復動部81であることである。
【0094】第4実施形態における第1のプレート34
は、往復動部81と、弾性部82aおよび82bと、櫛
歯状電極ブロック83aおよび83bと、固定部36
と、フォトディテクタ32と、より構成されている。第
1実施形態と同様に、往復動部81は、第1のプレート
34の上面39と45°の角度をなす面84を有する形
状になっているが、第1実施形態と同じように、面84
を形成する溝部85は水酸化カリウム水溶液等による異
方性エッチングにより得られる。
は、往復動部81と、弾性部82aおよび82bと、櫛
歯状電極ブロック83aおよび83bと、固定部36
と、フォトディテクタ32と、より構成されている。第
1実施形態と同様に、往復動部81は、第1のプレート
34の上面39と45°の角度をなす面84を有する形
状になっているが、第1実施形態と同じように、面84
を形成する溝部85は水酸化カリウム水溶液等による異
方性エッチングにより得られる。
【0095】また、2本の平行弾性体82aおよび82
bは、一端が往復動部81に接続され、もう一端が固定
部36に接続されるように配置されている。また、櫛歯
状電極部87は、往復動部81の櫛歯状電極ブロック8
3aおよび83bと入れ子状態でかつ非接触な状態で、
電極87a,87bを挟んで接触しながら、第2のプレ
ート35に接合されているが、第2のプレート35の表
面には絶縁膜が形成されており、電極87a,87bは
電気的に絶縁されている。
bは、一端が往復動部81に接続され、もう一端が固定
部36に接続されるように配置されている。また、櫛歯
状電極部87は、往復動部81の櫛歯状電極ブロック8
3aおよび83bと入れ子状態でかつ非接触な状態で、
電極87a,87bを挟んで接触しながら、第2のプレ
ート35に接合されているが、第2のプレート35の表
面には絶縁膜が形成されており、電極87a,87bは
電気的に絶縁されている。
【0096】前記往復動部81と、櫛歯状電極部86
と、2本の平行弾性部82a,82bと、櫛歯状電極ブ
ロック87a,87bの形状は、第1実施形態と同じよ
うに、溝部88a,88b,88c,88dをドライエ
ッチングにより第1のプレート34の上面から下面に向
かってエッチングすることにより得られている。
と、2本の平行弾性部82a,82bと、櫛歯状電極ブ
ロック87a,87bの形状は、第1実施形態と同じよ
うに、溝部88a,88b,88c,88dをドライエ
ッチングにより第1のプレート34の上面から下面に向
かってエッチングすることにより得られている。
【0097】また、第2のプレート35には、往復動部
81を往復動自在にするために、往復動部81と平行弾
性部82aおよび82bとが相対する箇所が、凹部89
としてエッチングされている。第2のプレート35に
は、前述のように電極87aおよび87bが設けられて
おり、半導体で形成された櫛歯状電極ブロック83aお
よび83bと接触することによって櫛歯状電極ブロック
83aおよび83bの電位が、電極87aおよび87b
の電位と同じになるように設定されている。
81を往復動自在にするために、往復動部81と平行弾
性部82aおよび82bとが相対する箇所が、凹部89
としてエッチングされている。第2のプレート35に
は、前述のように電極87aおよび87bが設けられて
おり、半導体で形成された櫛歯状電極ブロック83aお
よび83bと接触することによって櫛歯状電極ブロック
83aおよび83bの電位が、電極87aおよび87b
の電位と同じになるように設定されている。
【0098】次に、第4実施形態に係るガルバノミラー
の具体的な動作を説明する。まず、電極86a,86b
に電圧を印加することにより、グランドとのあいだに電
位差を生じさせ、電位がグランドである往復動部81の
櫛歯状電極部86と櫛歯状電極ブロック83a,83b
とがクーロン力により引き合うようにする。ここで、電
極83aと電極83bに印加する電圧を変化させると、
往復動部81の櫛歯状電極部86と櫛歯状電極ブロック
83a,83bとが引き合う力が変化し、往復運動力が
作用するので、2枚の平行弾性部82a,82bが第1
のプレート34の面内方向に曲げ変形を起こし、往復動
部81は図11におけるX軸方向に往復移動する。
の具体的な動作を説明する。まず、電極86a,86b
に電圧を印加することにより、グランドとのあいだに電
位差を生じさせ、電位がグランドである往復動部81の
櫛歯状電極部86と櫛歯状電極ブロック83a,83b
とがクーロン力により引き合うようにする。ここで、電
極83aと電極83bに印加する電圧を変化させると、
往復動部81の櫛歯状電極部86と櫛歯状電極ブロック
83a,83bとが引き合う力が変化し、往復運動力が
作用するので、2枚の平行弾性部82a,82bが第1
のプレート34の面内方向に曲げ変形を起こし、往復動
部81は図11におけるX軸方向に往復移動する。
【0099】往復動部81が図11におけるX軸方向に
移動すると、半導体レーザー31から図中X方向に進行
した光は、反射面84に反射した後に、X軸方向に移動
させられることになり、光は立ち上げミラー19に至る
直前で、同様にX軸方向に移動させられ、立ち上げミラ
ー19で反射した後は、同様にX軸方向に移動するた
め、ディスク1上でビームスポットがディスク1の半径
方向に微少に移動することになる。このように、面84
を往復運動させても、揺動部の揺動により反射面を回転
させた場合と同様の効果を得ることができる。
移動すると、半導体レーザー31から図中X方向に進行
した光は、反射面84に反射した後に、X軸方向に移動
させられることになり、光は立ち上げミラー19に至る
直前で、同様にX軸方向に移動させられ、立ち上げミラ
ー19で反射した後は、同様にX軸方向に移動するた
め、ディスク1上でビームスポットがディスク1の半径
方向に微少に移動することになる。このように、面84
を往復運動させても、揺動部の揺動により反射面を回転
させた場合と同様の効果を得ることができる。
【0100】次に、本発明の第5実施形態に係るガルバ
ノミラーを含む集積光学装置を説明する。図12は第5
実施形態に係るガルバノミラーを含む集積光学装置90
の斜視図であり、図13は光学ヘッドの内部構造を示す
断面図である。この第5実施形態に係る集積光学装置9
0は、図12および図13に示すX,Y,Z軸が図1か
ら図7に示すX,Y,Z軸と一致するように、光学ヘッ
ド13に対して配置されている。本実施形態において
は、集積光学装置90は、1つの基盤としての第1のプ
レート35の上に2組の半導体レーザー31a,31b
を設け、さらに複数のフォトディテクタ32a,32
b,32bを設けている。さらに、第1のプレート34
には、傾斜面91と、ガルバノミラー92とが形成され
ている。
ノミラーを含む集積光学装置を説明する。図12は第5
実施形態に係るガルバノミラーを含む集積光学装置90
の斜視図であり、図13は光学ヘッドの内部構造を示す
断面図である。この第5実施形態に係る集積光学装置9
0は、図12および図13に示すX,Y,Z軸が図1か
ら図7に示すX,Y,Z軸と一致するように、光学ヘッ
ド13に対して配置されている。本実施形態において
は、集積光学装置90は、1つの基盤としての第1のプ
レート35の上に2組の半導体レーザー31a,31b
を設け、さらに複数のフォトディテクタ32a,32
b,32bを設けている。さらに、第1のプレート34
には、傾斜面91と、ガルバノミラー92とが形成され
ている。
【0101】ガルバノミラー91の構成、製造方法、お
よび動作については、第1実施形態と同じなので、詳述
しない。また、光ヘッド13には、図13に示すよう
に、新たにプリズム93と、偏光ビームスプリッター9
4と、λ/4板95と、対物レンズ14をディスク12
の半径方向と面方向に駆動することが可能な、対物レン
ズアクチュエータ96と、が設けられている。
よび動作については、第1実施形態と同じなので、詳述
しない。また、光ヘッド13には、図13に示すよう
に、新たにプリズム93と、偏光ビームスプリッター9
4と、λ/4板95と、対物レンズ14をディスク12
の半径方向と面方向に駆動することが可能な、対物レン
ズアクチュエータ96と、が設けられている。
【0102】半導体レーザー31aを出射した光は傾斜
面91で反射してHOE素子48を通過し、偏光ビーム
スプリッター94を通過してλ/4板95で円偏光とな
り、立ち上げミラー19で90°折り曲げられ、対物レ
ンズアクチュエータ96によりディスク12のトラック
上に焦点が絞られる。
面91で反射してHOE素子48を通過し、偏光ビーム
スプリッター94を通過してλ/4板95で円偏光とな
り、立ち上げミラー19で90°折り曲げられ、対物レ
ンズアクチュエータ96によりディスク12のトラック
上に焦点が絞られる。
【0103】また、ディスク12からの反射光は、偏光
の向きが変わっているので、対物レンズ14を通過し、
立ち上げミラー19で反射し、λ/4板95を通過し
て、偏光ビームスプリッター94によりプリズム93方
向に反射され、さらにプリズム93により90°折り曲
げられた後、HOE素子48によりフォトディテクタ3
2bに集光される。
の向きが変わっているので、対物レンズ14を通過し、
立ち上げミラー19で反射し、λ/4板95を通過し
て、偏光ビームスプリッター94によりプリズム93方
向に反射され、さらにプリズム93により90°折り曲
げられた後、HOE素子48によりフォトディテクタ3
2bに集光される。
【0104】半導体レーザー31bは、仮に半導体レー
ザ31aと同じ半導体レーザーであるとすると、図12
のように、半導体レーザー31a,31bを互いに直角
に配置することで、偏光ビームスプリッター94の反射
透過面97に対して、偏光の方向が異なる。
ザ31aと同じ半導体レーザーであるとすると、図12
のように、半導体レーザー31a,31bを互いに直角
に配置することで、偏光ビームスプリッター94の反射
透過面97に対して、偏光の方向が異なる。
【0105】そこで、半導体レーザー31bを出射した
光は、ガルバノミラー92で反射して、λ/4板95で
円偏光となり、立ち上げミラー19で90°折り曲げら
れてから、対物レンズアクチュエータ96で、ディスク
12のトラック上に焦点が絞られる。その際、ガルバノ
ミラー92を図12におけるY軸を中心に回転揺動させ
ることにより、ディスク12上で光の焦点を、半導体レ
ーザー31aの光の焦点に対して微少に制御することが
可能である。
光は、ガルバノミラー92で反射して、λ/4板95で
円偏光となり、立ち上げミラー19で90°折り曲げら
れてから、対物レンズアクチュエータ96で、ディスク
12のトラック上に焦点が絞られる。その際、ガルバノ
ミラー92を図12におけるY軸を中心に回転揺動させ
ることにより、ディスク12上で光の焦点を、半導体レ
ーザー31aの光の焦点に対して微少に制御することが
可能である。
【0106】また、ディスク12からの反射光は偏光の
向きが変わっているので、対物レンズ14を通過して、
立ち上げミラー19で反射し、λ/4板95を通過し
て、偏光ビームスプリッター94によりプリズム93方
向に反射され、さらにプリズム93により90°折り曲
げられた後、HOE素子48によりフォトディテクタ3
2bに集光される。
向きが変わっているので、対物レンズ14を通過して、
立ち上げミラー19で反射し、λ/4板95を通過し
て、偏光ビームスプリッター94によりプリズム93方
向に反射され、さらにプリズム93により90°折り曲
げられた後、HOE素子48によりフォトディテクタ3
2bに集光される。
【0107】半導体レーザー31bは、仮に半導体レー
ザ31aと同じ半導体レーザーであるとすると、図12
のように、半導体レーザー31a,31bを互いに直角
に配置することで、偏光ビームスプリッター94の反射
透過面97に対して、偏光の方向が異なる。そこで、半
導体レーザー31bを出射した光は、ガルバノミラー9
2に反射し、λ/4板95で円偏光となり、立ち上げミ
ラー19で90°折り曲げられ、対物レンズアクチュエ
ータ96で、ディスク12のトラック上に焦点が絞られ
る。その際、ガルバノミラー92を図12におけるY軸
を中心に回転させることにより、ディスク12上で光の
焦点を、半導体レーザー31aの光の焦点に対して微少
に制御することが可能である。
ザ31aと同じ半導体レーザーであるとすると、図12
のように、半導体レーザー31a,31bを互いに直角
に配置することで、偏光ビームスプリッター94の反射
透過面97に対して、偏光の方向が異なる。そこで、半
導体レーザー31bを出射した光は、ガルバノミラー9
2に反射し、λ/4板95で円偏光となり、立ち上げミ
ラー19で90°折り曲げられ、対物レンズアクチュエ
ータ96で、ディスク12のトラック上に焦点が絞られ
る。その際、ガルバノミラー92を図12におけるY軸
を中心に回転させることにより、ディスク12上で光の
焦点を、半導体レーザー31aの光の焦点に対して微少
に制御することが可能である。
【0108】また、ディスク12からの反射光は、偏光
の向きが変わっているので、対物レンズ14を通過し、
立ち上げミラー19で反射して、λ/4板95を通過し
て、偏光ビームスプリッター94を透過し、HOE素子
48によりフォトディテクタ32aに集光される。
の向きが変わっているので、対物レンズ14を通過し、
立ち上げミラー19で反射して、λ/4板95を通過し
て、偏光ビームスプリッター94を透過し、HOE素子
48によりフォトディテクタ32aに集光される。
【0109】この第5実施形態のように、半導体レーザ
ー31a,31b、フォトディテクタ32a,32b、
ガルバノミラー92の取り付けが正確であり、かつ基板
としての第2のプレート35に配置されていることによ
り、ガルバノミラー92を動作させないときのディスク
12上での焦点のずれ量が小さくなり、ガルバノミラー
92をわずか1トラック分だけ回転させて、光の焦点を
ずらすことにより、2つのトラックを同時に再生もしく
は記録・再生することができる。
ー31a,31b、フォトディテクタ32a,32b、
ガルバノミラー92の取り付けが正確であり、かつ基板
としての第2のプレート35に配置されていることによ
り、ガルバノミラー92を動作させないときのディスク
12上での焦点のずれ量が小さくなり、ガルバノミラー
92をわずか1トラック分だけ回転させて、光の焦点を
ずらすことにより、2つのトラックを同時に再生もしく
は記録・再生することができる。
【0110】このような構造のガルバノミラーを含む集
積光学装置であっても、前述の実施形態と同様の効果を
得ることができる。また、本第5実施形態においては、
半導体レーザー31aを反射する面を、固定した傾斜面
91としたが、これをガルバノミラーにより置き換え
て、対物レンズアクチュエータ96をディスク12の面
方向にのみ動作するものと置き換えてもかまわない。ま
た、半導体レーザー31a,31bの偏光方向をプリズ
ム93等により変えて、半導体レーザーを平行に配置し
てもかまわない。また、半導体レーザー31a,31b
を例えば発振波長や偏光モード等の異なるものとしても
良い。
積光学装置であっても、前述の実施形態と同様の効果を
得ることができる。また、本第5実施形態においては、
半導体レーザー31aを反射する面を、固定した傾斜面
91としたが、これをガルバノミラーにより置き換え
て、対物レンズアクチュエータ96をディスク12の面
方向にのみ動作するものと置き換えてもかまわない。ま
た、半導体レーザー31a,31bの偏光方向をプリズ
ム93等により変えて、半導体レーザーを平行に配置し
てもかまわない。また、半導体レーザー31a,31b
を例えば発振波長や偏光モード等の異なるものとしても
良い。
【0111】なお、本発明は上述した各実施形態および
その変形例に限定されるものではなく、本発明の主旨を
逸脱しない範囲で種々変形して実施できることは言うま
でもない。
その変形例に限定されるものではなく、本発明の主旨を
逸脱しない範囲で種々変形して実施できることは言うま
でもない。
【0112】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体レーザーに対する位置決めが正確かつ容易に行なう
ことができ、さらに駆動感度を高くすることができると
共に、高い信頼性が有するガルバノミラーを含む集積光
学装置を提供することができ、さらにこのガルバノミラ
ーの運動に伴う戻り光の移動による出力の変動の効果が
少なくて、高い信頼性を有する安価な集積光学装置およ
びこれを用いた光ディスク装置を実現することができ
る。
導体レーザーに対する位置決めが正確かつ容易に行なう
ことができ、さらに駆動感度を高くすることができると
共に、高い信頼性が有するガルバノミラーを含む集積光
学装置を提供することができ、さらにこのガルバノミラ
ーの運動に伴う戻り光の移動による出力の変動の効果が
少なくて、高い信頼性を有する安価な集積光学装置およ
びこれを用いた光ディスク装置を実現することができ
る。
【図1】本発明の第1実施形態に係るガルバノミラーを
含む集積光学装置を示す斜視図である。
含む集積光学装置を示す斜視図である。
【図2】本発明の第1実施形態に係るガルバノミラーを
含む集積光学装置を用いた光ディスク装置を示す断面図
である。
含む集積光学装置を用いた光ディスク装置を示す断面図
である。
【図3】本発明の第1実施形態に係る光ディスク装置の
駆動系を示す平面図である。
駆動系を示す平面図である。
【図4】本発明の第1実施形態に係る光ディスク装置の
内部を示す断面図である。
内部を示す断面図である。
【図5】本発明の第1実施形態に係る光学ユニットを示
す断面図である。
す断面図である。
【図6】本発明の第1実施形態に係るガルバノミラーを
含む集積光学装置の配置を示す平面図である。
含む集積光学装置の配置を示す平面図である。
【図7】本発明の第1実施形態に係る集積光学装置を構
成する第2のプレートを示す斜視図である。
成する第2のプレートを示す斜視図である。
【図8】本発明の第1実施形態に係るガルバノミラーを
含む集積光学装置をウェハから構成する製造方法を示す
斜視図である。
含む集積光学装置をウェハから構成する製造方法を示す
斜視図である。
【図9】本発明の第2実施形態に係るガルバノミラーを
含む集積光学装置を示す平面図である。
含む集積光学装置を示す平面図である。
【図10】本発明の第3実施形態に係るガルバノミラー
を含む集積光学装置を示す平面図である。
を含む集積光学装置を示す平面図である。
【図11】本発明の第4実施形態に係るガルバノミラー
を含む集積光学装置を示す平面図である。
を含む集積光学装置を示す平面図である。
【図12】本発明の第5実施形態に係るガルバノミラー
を含む集積光学装置を示す斜視図である。
を含む集積光学装置を示す斜視図である。
【図13】本発明の第5実施形態に係る光学ヘッドの内
部構造を示す断面図である。
部構造を示す断面図である。
【図14】従来のガルバノミラー装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図15】従来の光ディスク装置の内部構造を示す断面
図である。
図である。
【図16】従来の光学ユニットを示す断面図である。
12 ディスク 13 光学ヘッド 14 対物レンズ 20 光ディスク装置 30 集積光学装置 31 半導体レーザ 32 フォトディテクタ 33 ガルバノミラー 34 第1プレート 35 第2プレート 37 揺動部 38a,38b 弾性部 39 第1プレート上面 40 傾斜した面 41 溝部 45a,45b 電極 46a,46b 端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米 澤 実 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式会 社東芝研究開発センター内 (72)発明者 石 橋 頼 幸 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式会 社東芝研究開発センター内
Claims (10)
- 【請求項1】ウェハをエッチングすることにより形成さ
れた可動部と、 この可動部を移動可能に吊設支持する支持部材と、 この支持部材を固定支持する固定部と、 前記可動部に設けられると共に前記ウェハの面に非平行
な反射面を有する反射ミラーと、 前記可動部を微動させることにより前記反射ミラーの反
射光の光軸を微調整する光軸調整手段と、 を備えることを特徴とするガルバノミラーを含む集積光
学装置。 - 【請求項2】前記光軸調整手段は、前記可動部を前記支
持部材まわりに揺動させることにより前記反射光の光軸
を調整することを特徴とする請求項1に記載のガルバノ
ミラーを含む集積光学装置。 - 【請求項3】前記光軸調整手段は、前記可動部を往復動
させることにより前記反射光の光軸を調整することを特
徴とする請求項1に記載のガルバノミラーを含む集積光
学装置。 - 【請求項4】前記可動部は、一対の傾斜面を有して断面
が線対称をなす形状を備え、前記傾斜面の一方に前記反
射ミラーを備えることを特徴とする請求項1に記載のガ
ルバノミラーを含む集積光学装置。 - 【請求項5】前記固定部に形成された光検出器と、固定
部に接合された半導体レーザとを備えることを特徴とす
る請求項1に記載のガルバノミラーを含む集積光学装
置。 - 【請求項6】前記可動部がシリコンにより形成されると
共に、前記反射ミラーが前記シリコンの(1,1,1)
面に平行に形成されていることを特徴とする請求項5に
記載のガルバノミラーを含む集積光学装置。 - 【請求項7】前記可動部がシリコンにより形成されると
共に、前記反射ミラーが前記シリコンの(1,1,0)
面に平行に形成されていることを特徴とする請求項5に
記載のガルバノミラーを含む集積光学装置。 - 【請求項8】光源と、 ウェハをエッチングして形成された可動部と、前記ウェ
ハ面に非平行な反射面を有して前記可動部に形成される
と共に前記光源から照射された光の光軸方向を変更する
ための反射ミラーと、前記可動部を移動可能に吊設支持
する支持部材と、この支持部材を固定支持する固定部
と、前記可動部を微動させることにより前記反射ミラー
の反射光の光軸を微調整する光軸調整手段と、を有する
集積光学装置と、 前記反射ミラーにより光軸方向を変更された光を収束さ
せて光ディスクの情報記憶面に光スポットを形成する対
物レンズと、 を備えることを特徴とするガルバノミラーを含む集積光
学装置を用いた光ディスク装置。 - 【請求項9】前記光軸調整手段は、前記可動部を前記支
持部材まわりに揺動させることにより前記反射光の光軸
を調整することを特徴とする請求項8に記載のガルバノ
ミラーを含む集積光学装置を用いた光ディスク装置。 - 【請求項10】前記光軸調整手段は、前記可動部を往復
動させることにより前記反射光の光軸を調整することを
特徴とする請求項8に記載のガルバノミラーを含む集積
光学装置を用いた光ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9115629A JPH10308029A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | ガルバノミラーを含む集積光学装置およびこれを用いた光ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9115629A JPH10308029A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | ガルバノミラーを含む集積光学装置およびこれを用いた光ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308029A true JPH10308029A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=14667388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9115629A Pending JPH10308029A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | ガルバノミラーを含む集積光学装置およびこれを用いた光ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10308029A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6985421B2 (en) | 2000-08-24 | 2006-01-10 | Fujitsu Limited | Optical device having a light emission unit emitting a light beam reflected by a light reflection unit to a substrate, and optical information recording apparatus using the same |
| JP2009170091A (ja) * | 2009-04-28 | 2009-07-30 | Konica Minolta Opto Inc | 光ピックアップ装置及び光源ユニット |
-
1997
- 1997-05-06 JP JP9115629A patent/JPH10308029A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6985421B2 (en) | 2000-08-24 | 2006-01-10 | Fujitsu Limited | Optical device having a light emission unit emitting a light beam reflected by a light reflection unit to a substrate, and optical information recording apparatus using the same |
| JP2009170091A (ja) * | 2009-04-28 | 2009-07-30 | Konica Minolta Opto Inc | 光ピックアップ装置及び光源ユニット |
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