JPH10308480A - 半導体デバイス用封止樹脂材料及び半導体デバイス - Google Patents
半導体デバイス用封止樹脂材料及び半導体デバイスInfo
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- JPH10308480A JPH10308480A JP9119204A JP11920497A JPH10308480A JP H10308480 A JPH10308480 A JP H10308480A JP 9119204 A JP9119204 A JP 9119204A JP 11920497 A JP11920497 A JP 11920497A JP H10308480 A JPH10308480 A JP H10308480A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体デバイスの封止に使用可能な絶縁性を
有し、かつ高い熱伝導性を有する半導体デバイス用封止
樹脂材料を提供する。 【解決手段】 半導体デバイス１０に於いて、封止樹脂
基材２１中に高熱伝導性のセラミック微粉末２０がフィ
ラーとして混入されている半導体デバイス用封止樹脂材
料４。
有し、かつ高い熱伝導性を有する半導体デバイス用封止
樹脂材料を提供する。 【解決手段】 半導体デバイス１０に於いて、封止樹脂
基材２１中に高熱伝導性のセラミック微粉末２０がフィ
ラーとして混入されている半導体デバイス用封止樹脂材
料４。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
保護のために用いられる半導体デバイス用封止樹脂材料
に関する。
保護のために用いられる半導体デバイス用封止樹脂材料
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイスをベアチップの状
態で適宜の基板或いはフィルム等のキャリア等に実装し
た後の封止材料や、良く知られているクワッドフラット
パッケージ（ＱＦＰ）或いはスモールアウトラインパッ
ケージ（ＳＯＰ）等の樹脂封止型パッケージ用に使用さ
れる封止材料としては、例えばエポキシ系の樹脂中に、
硝子微粒子或いはＳｉＯ2 微粒子等をフィラーとして混
入したものが多く用いられている。
態で適宜の基板或いはフィルム等のキャリア等に実装し
た後の封止材料や、良く知られているクワッドフラット
パッケージ（ＱＦＰ）或いはスモールアウトラインパッ
ケージ（ＳＯＰ）等の樹脂封止型パッケージ用に使用さ
れる封止材料としては、例えばエポキシ系の樹脂中に、
硝子微粒子或いはＳｉＯ2 微粒子等をフィラーとして混
入したものが多く用いられている。
【０００３】しかしながら、エポキシおよび硝子或いは
ＳｉＯ2 の熱伝導率が低いため、封止する半導体デバイ
スが比較的高消費電力の場合にはデバイスから発生した
熱を十分に放熱させることが困難となり、使用できない
という欠点があった。この問題を解決する手段として半
導体デバイス用の封止樹脂中に混入するフィラー材料を
高熱伝導率のものに変更する提案が特表平８−５０６６
９５号公報等に示されている。
ＳｉＯ2 の熱伝導率が低いため、封止する半導体デバイ
スが比較的高消費電力の場合にはデバイスから発生した
熱を十分に放熱させることが困難となり、使用できない
という欠点があった。この問題を解決する手段として半
導体デバイス用の封止樹脂中に混入するフィラー材料を
高熱伝導率のものに変更する提案が特表平８−５０６６
９５号公報等に示されている。
【０００４】つまり、図３に、特表平８−５０６６９５
号公報に示されている熱伝導性集積回路パッケージの一
例を示す。図３において、成形材料２１はエポキシなど
の熱伝導でかつ導電材料からなり、少なくとも１つ以上
のフィラー例えば金属元素または合金を有し、これが成
形材料の熱伝導性・導電性に実質的に寄与する。即ち、
当該成形材料２１は導電性および熱伝導性を提供するた
め、銅，アルミニウム，ニッケル，金，銀または同様な
種類の材料で一般に約７０〜７５％充填される。この成
形材料であれば、一般にＳｉＯ2 より熱伝導率が約２桁
大きい金属がフィラーとして混入されているため、成形
材料を介した放熱が期待できる。
号公報に示されている熱伝導性集積回路パッケージの一
例を示す。図３において、成形材料２１はエポキシなど
の熱伝導でかつ導電材料からなり、少なくとも１つ以上
のフィラー例えば金属元素または合金を有し、これが成
形材料の熱伝導性・導電性に実質的に寄与する。即ち、
当該成形材料２１は導電性および熱伝導性を提供するた
め、銅，アルミニウム，ニッケル，金，銀または同様な
種類の材料で一般に約７０〜７５％充填される。この成
形材料であれば、一般にＳｉＯ2 より熱伝導率が約２桁
大きい金属がフィラーとして混入されているため、成形
材料を介した放熱が期待できる。
【０００５】しかしながら、係る公知技術に於いては、
封止用の成形材料自体が導電性を有するため、半導体デ
バイスの実装方法として一般的に最も多く使用されてい
るワイヤーボンディング方式の構造においては、半導体
デバイス上の電極パッド間やボンディングワイヤー間を
ショートさせてしまうため、その使用は難しい。同様
に、フリップチップ方式の半導体デバイスに於いても、
当該基板或いはキャリアとチップ間に配置される封止樹
脂としても使用する事が出来ないと言う問題を有してい
た。
封止用の成形材料自体が導電性を有するため、半導体デ
バイスの実装方法として一般的に最も多く使用されてい
るワイヤーボンディング方式の構造においては、半導体
デバイス上の電極パッド間やボンディングワイヤー間を
ショートさせてしまうため、その使用は難しい。同様
に、フリップチップ方式の半導体デバイスに於いても、
当該基板或いはキャリアとチップ間に配置される封止樹
脂としても使用する事が出来ないと言う問題を有してい
た。
【０００６】一方、第４図は、特開平５−９５０５７号
公報に示されている、公知の半導体封止樹脂材料用のフ
ィラーの断面図である。即ち、係る公知技術に於いて
は、封止樹脂に混入されるフィラーとしてＳｉ微粒子３
１の表面をＳｉＯ2 のフィルム３２が覆っている構造を
持つ。係る半導体封止樹脂中に該フィラーを混入させれ
ば、封止樹脂を介した放熱が可能であるし、また各フィ
ラーは表面が絶縁性のＳｉＯ2 で覆われているため、ワ
イヤーボンディング方式により実装された半導体デバイ
スを直接封止する場合にも使用可能となる。
公報に示されている、公知の半導体封止樹脂材料用のフ
ィラーの断面図である。即ち、係る公知技術に於いて
は、封止樹脂に混入されるフィラーとしてＳｉ微粒子３
１の表面をＳｉＯ2 のフィルム３２が覆っている構造を
持つ。係る半導体封止樹脂中に該フィラーを混入させれ
ば、封止樹脂を介した放熱が可能であるし、また各フィ
ラーは表面が絶縁性のＳｉＯ2 で覆われているため、ワ
イヤーボンディング方式により実装された半導体デバイ
スを直接封止する場合にも使用可能となる。
【０００７】然しながら、係るフィラーは、熱伝導性が
一般的には低く、実用的ではないが、かかるフィラーを
使用して封止樹脂の熱伝導率を大きく保つためには、当
該フィラーの表面に形成されるＳｉＯ2 膜を薄くすれば
可能であるが、その為には当該ＳｉＯ2 膜を均一に且つ
薄く形成する必要から、フィラー自体の製造工程の制御
が複雑になる。また、仮に精度良くＳｉＯ2 皮膜を形成
できたとしても、フィラーを封止樹脂中に混入する工程
等でＳｉＯ2 皮膜が傷つき、Ｓｉが露出するようなこと
があれば封止樹脂の絶縁性が損なわれてしまう可能性が
ある。
一般的には低く、実用的ではないが、かかるフィラーを
使用して封止樹脂の熱伝導率を大きく保つためには、当
該フィラーの表面に形成されるＳｉＯ2 膜を薄くすれば
可能であるが、その為には当該ＳｉＯ2 膜を均一に且つ
薄く形成する必要から、フィラー自体の製造工程の制御
が複雑になる。また、仮に精度良くＳｉＯ2 皮膜を形成
できたとしても、フィラーを封止樹脂中に混入する工程
等でＳｉＯ2 皮膜が傷つき、Ｓｉが露出するようなこと
があれば封止樹脂の絶縁性が損なわれてしまう可能性が
ある。
【０００８】従って、高信頼性を維持するためには熱伝
導率の低いＳｉＯ2 膜を厚く形成する必要が出てくる
為、結果として封止樹脂自体の熱伝導性を犠牲にしなけ
ればならなくなる。又、特開平５−１２１５７８号公報
には、窒化アルミニウムを含むアルファ粒子放出量の少
ない熱移動係数の高い合成フィラーをポリフルオロカー
ボン粒子で被覆したものを充填材として使用したカード
素材が開示されているが、係る従来技術に於いては、カ
ードの様なパッケージ基材を提供する事が目的であり、
チップを封止する樹脂として使用する方法に関しては全
く開示されていない。
導率の低いＳｉＯ2 膜を厚く形成する必要が出てくる
為、結果として封止樹脂自体の熱伝導性を犠牲にしなけ
ればならなくなる。又、特開平５−１２１５７８号公報
には、窒化アルミニウムを含むアルファ粒子放出量の少
ない熱移動係数の高い合成フィラーをポリフルオロカー
ボン粒子で被覆したものを充填材として使用したカード
素材が開示されているが、係る従来技術に於いては、カ
ードの様なパッケージ基材を提供する事が目的であり、
チップを封止する樹脂として使用する方法に関しては全
く開示されていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術の第１
の問題点は、半導体デバイス用封止樹脂に十分な放熱性
（熱伝導性）持たせた場合に、封止樹脂が導電性を帯び
てしまい、一般的に広く使用されているワイヤーボンデ
ィング方式で実装された半導体デバイスを直接封止する
目的には使用できない点である。
の問題点は、半導体デバイス用封止樹脂に十分な放熱性
（熱伝導性）持たせた場合に、封止樹脂が導電性を帯び
てしまい、一般的に広く使用されているワイヤーボンデ
ィング方式で実装された半導体デバイスを直接封止する
目的には使用できない点である。
【００１０】その理由は、高熱伝導性を得るために封止
樹脂中に混入するフィラーとして金属材料を使用してい
るためである。また、従来技術の第２の問題点は、半導
体デバイス封止用樹脂に放熱性と絶縁性を併せ持たせよ
うとした場合、封止樹脂中に混入するフィラーの製造工
程の制御が複雑になり、また、封止樹脂自体の熱伝導性
をある程度犠牲にしなければならないという点である。
樹脂中に混入するフィラーとして金属材料を使用してい
るためである。また、従来技術の第２の問題点は、半導
体デバイス封止用樹脂に放熱性と絶縁性を併せ持たせよ
うとした場合、封止樹脂中に混入するフィラーの製造工
程の制御が複雑になり、また、封止樹脂自体の熱伝導性
をある程度犠牲にしなければならないという点である。
【００１１】その理由は、封止樹脂中に混入するフィラ
ーの絶縁性を保つためにフィラー表面を酸化処理する手
段を取っているためである。
ーの絶縁性を保つためにフィラー表面を酸化処理する手
段を取っているためである。
【００１２】
【発明の目的】本発明の目的は、上記した従来技術の欠
点を改良し、一般に広く使われているワイヤーボンディ
ング方式或いはフリップチップ方式により実装された半
導体デバイスの封止に使用可能な絶縁性を有し、かつ金
属製フィラーを混入した場合の様に高い熱伝導性を有す
る半導体デバイス用封止樹脂を提供することにあり、更
にはかかる封止樹脂を使用した半導体デバイスを提供す
るものである。
点を改良し、一般に広く使われているワイヤーボンディ
ング方式或いはフリップチップ方式により実装された半
導体デバイスの封止に使用可能な絶縁性を有し、かつ金
属製フィラーを混入した場合の様に高い熱伝導性を有す
る半導体デバイス用封止樹脂を提供することにあり、更
にはかかる封止樹脂を使用した半導体デバイスを提供す
るものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、以下に記載されたような技術構成を採用
するものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、封止樹脂基材中に高熱伝導性のセラミック微粉末が
フィラーとして混入されている半導体デバイス用封止樹
脂材料であり、又本発明に係る第２の態様としては、基
板或いはキャリヤ部、当該基板或いはキャリヤ部に搭載
されているチップ部、当該チップ部を被覆する様に配置
されている高熱伝導性のセラミック微粉末がフィラーと
して混入されている封止樹脂基材とで構成されている半
導体デバイスである。
達成するため、以下に記載されたような技術構成を採用
するものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、封止樹脂基材中に高熱伝導性のセラミック微粉末が
フィラーとして混入されている半導体デバイス用封止樹
脂材料であり、又本発明に係る第２の態様としては、基
板或いはキャリヤ部、当該基板或いはキャリヤ部に搭載
されているチップ部、当該チップ部を被覆する様に配置
されている高熱伝導性のセラミック微粉末がフィラーと
して混入されている封止樹脂基材とで構成されている半
導体デバイスである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体デバイス用封
止樹脂材料は、上記した様な技術構成を採用しているの
で、封止樹脂中に混入するフィラーとしてＡｌＮ等の高
熱伝導性セラミック微粉末を使用しているため、金属系
フィラーを混入した封止樹脂と同等の放熱性を得ること
が可能となる。
止樹脂材料は、上記した様な技術構成を採用しているの
で、封止樹脂中に混入するフィラーとしてＡｌＮ等の高
熱伝導性セラミック微粉末を使用しているため、金属系
フィラーを混入した封止樹脂と同等の放熱性を得ること
が可能となる。
【００１５】また、当該フィラーとして混入するセラミ
ックは絶縁物質であるため、封止樹脂が半導体デバイス
の電極パッドやボンディングワイヤーに直接触れるよう
な場合でも使用することが可能となり、特にワイヤーボ
ンディング方式にて実装された半導体デバイスの封止樹
脂として使用可能となるばかりでなく、フリップチップ
方式によるチップと基板等との接続面にも封止樹脂とし
て使用する事も可能である。
ックは絶縁物質であるため、封止樹脂が半導体デバイス
の電極パッドやボンディングワイヤーに直接触れるよう
な場合でも使用することが可能となり、特にワイヤーボ
ンディング方式にて実装された半導体デバイスの封止樹
脂として使用可能となるばかりでなく、フリップチップ
方式によるチップと基板等との接続面にも封止樹脂とし
て使用する事も可能である。
【００１６】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体デバイス用封止
樹脂材料及び当該封止樹脂材料を使用した半導体デバイ
スの具体例を図面を参照しながら詳細に説明する。図１
及び図２は、本発明に係る半導体デバイス１０の一具体
例に於ける構造を示す断面図であり、半導体デバイス１
０に於いて、封止樹脂基材２１中に高熱伝導性のセラミ
ック微粉末２０がフィラーとして混入されている半導体
デバイス用封止樹脂材料４が示されている。
樹脂材料及び当該封止樹脂材料を使用した半導体デバイ
スの具体例を図面を参照しながら詳細に説明する。図１
及び図２は、本発明に係る半導体デバイス１０の一具体
例に於ける構造を示す断面図であり、半導体デバイス１
０に於いて、封止樹脂基材２１中に高熱伝導性のセラミ
ック微粉末２０がフィラーとして混入されている半導体
デバイス用封止樹脂材料４が示されている。
【００１７】本具体例に於ける当該封止樹脂基材２１
は、例えばエポキシ樹脂等であり、該封止樹脂基材２１
中に混在せしめられるフィラーとしての高熱伝導性のセ
ラミック微粉末は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）系の微粉
末である事が望ましい。つまり、本発明に於いては、当
該半導体デバイス用の封止樹脂としては、該封止樹脂材
料２１中に混入するフィラー２０として金属類と同等の
熱伝導性を有し、かつ絶縁物質であるＡｌＮ等のセラミ
ック微粉末を使用するものである。
は、例えばエポキシ樹脂等であり、該封止樹脂基材２１
中に混在せしめられるフィラーとしての高熱伝導性のセ
ラミック微粉末は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）系の微粉
末である事が望ましい。つまり、本発明に於いては、当
該半導体デバイス用の封止樹脂としては、該封止樹脂材
料２１中に混入するフィラー２０として金属類と同等の
熱伝導性を有し、かつ絶縁物質であるＡｌＮ等のセラミ
ック微粉末を使用するものである。
【００１８】高熱伝導性を考慮すれば、銅、アルミニウ
ム、銀、ベリリウム等が有力であるが、何れも導電性を
有していることから、本発明の目的達成の為には使用不
可能であり、又前記した様に、酸化シリコンや酸化アル
ミニウム等は絶縁性があるが熱伝導性が低いため、これ
も本発明の目的達成の為には使用不可能である。つまり
本発明に於いては、高熱伝導性と電気絶縁性とを合わせ
持ったフィラーの選択的な使用が特徴である。
ム、銀、ベリリウム等が有力であるが、何れも導電性を
有していることから、本発明の目的達成の為には使用不
可能であり、又前記した様に、酸化シリコンや酸化アル
ミニウム等は絶縁性があるが熱伝導性が低いため、これ
も本発明の目的達成の為には使用不可能である。つまり
本発明に於いては、高熱伝導性と電気絶縁性とを合わせ
持ったフィラーの選択的な使用が特徴である。
【００１９】次に、本発明に係る半導体デバイス１０の
構成の一具体例を図１を参照して更に詳細に説明する。
即ち、図１は、本発明の半導体デバイス用封止樹脂４を
セラミックボールグリッドアレー（ＢＧＡ）構造のマル
チチップモジュール上のデバイスの封止材料として使用
した実施例の断面図である。
構成の一具体例を図１を参照して更に詳細に説明する。
即ち、図１は、本発明の半導体デバイス用封止樹脂４を
セラミックボールグリッドアレー（ＢＧＡ）構造のマル
チチップモジュール上のデバイスの封止材料として使用
した実施例の断面図である。
【００２０】図１に於いて、セラミック基板１上に半導
体チップ２−１及び２−２がボンディングワイヤ３によ
り電気的に接続されており、さらに半導体チップ２−１
及び２−２は本発明の半導体デバイス用封止樹脂４によ
り封止されている。また、セラミック基板１はＢＧＡボ
ール５を介してプリント配線板６と接続されている。
体チップ２−１及び２−２がボンディングワイヤ３によ
り電気的に接続されており、さらに半導体チップ２−１
及び２−２は本発明の半導体デバイス用封止樹脂４によ
り封止されている。また、セラミック基板１はＢＧＡボ
ール５を介してプリント配線板６と接続されている。
【００２１】一方、半導体デバイス用封止樹脂４の表面
とプリント配線板６との間には熱伝導性の接着剤または
グリース７が注入されており、その下のプリント配線板
６にはサーマルビア８が設けられている。又、本具体例
に於けるセラミック基板１上部にはヒートシンク９−１
が、プリント配線板６の下部にはヒートシンク９−２が
設けられている。
とプリント配線板６との間には熱伝導性の接着剤または
グリース７が注入されており、その下のプリント配線板
６にはサーマルビア８が設けられている。又、本具体例
に於けるセラミック基板１上部にはヒートシンク９−１
が、プリント配線板６の下部にはヒートシンク９−２が
設けられている。
【００２２】従来、本構造の様なセラミックＢＧＡタイ
プのマルチチップモジュール等では、半導体デバイス用
の封止樹脂材料の熱伝導率が低かったため、半導体デバ
イスから発生した熱はセラミック基板を介してヒートシ
ンク９−１に伝え、放熱する手段しかとれなかったが、
本実施例の場合、半導体デバイス１０の封止樹脂材料４
として高い熱伝導率を有するＡｌＮフィラー入りの封止
材料を使用しているため、半導体チップ２−１、２−２
から発生した熱を封止樹脂４から熱伝導性の接着剤また
はグリース７を経てサーマルビア８を介してヒートシン
ク９−２に効率よく伝えることによって放熱する事が可
能となり、従来より高消費電力の半導体デバイスを搭載
可能となる。
プのマルチチップモジュール等では、半導体デバイス用
の封止樹脂材料の熱伝導率が低かったため、半導体デバ
イスから発生した熱はセラミック基板を介してヒートシ
ンク９−１に伝え、放熱する手段しかとれなかったが、
本実施例の場合、半導体デバイス１０の封止樹脂材料４
として高い熱伝導率を有するＡｌＮフィラー入りの封止
材料を使用しているため、半導体チップ２−１、２−２
から発生した熱を封止樹脂４から熱伝導性の接着剤また
はグリース７を経てサーマルビア８を介してヒートシン
ク９−２に効率よく伝えることによって放熱する事が可
能となり、従来より高消費電力の半導体デバイスを搭載
可能となる。
【００２３】本発明に於いては、上記した様な具体例の
他に、当該封止剤４が、半導体チップ２−１、２−２と
基板或いはキャリヤ部１との間に配置されるものであっ
ても良い。即ち、本発明に係る半導体デバイスは、基板
或いはキャリヤ部１、当該基板或いはキャリヤ部１に搭
載されているチップ部２−１、２−２、当該チップ部２
−１、２−２を被覆する様に配置されている高熱伝導性
のセラミック微粉末２０がフィラーとして混入されてい
る封止樹脂基材４とで構成されているものであり、且つ
当該高熱伝導性のセラミック微粉末が窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）系の微粉末である事が特に望ましい。
他に、当該封止剤４が、半導体チップ２−１、２−２と
基板或いはキャリヤ部１との間に配置されるものであっ
ても良い。即ち、本発明に係る半導体デバイスは、基板
或いはキャリヤ部１、当該基板或いはキャリヤ部１に搭
載されているチップ部２−１、２−２、当該チップ部２
−１、２−２を被覆する様に配置されている高熱伝導性
のセラミック微粉末２０がフィラーとして混入されてい
る封止樹脂基材４とで構成されているものであり、且つ
当該高熱伝導性のセラミック微粉末が窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）系の微粉末である事が特に望ましい。
【００２４】更に本発明に於ける具体例では、当該半導
体デバイス１０がチップ２−１或いは２−２の端子部
と、リードフレーム或いは基板又はキャリア上に配置さ
れたコンタクト部とがボンディングワイヤ３を使用して
接続されているものである事が好ましい。又、本発明に
係る半導体デバイス１０に於いては、基板或いはキャリ
ヤ部１、当該基板或いはキャリヤ部１に搭載されている
チップ部２−１、２−２、当該チップ部２−１、２−２
と当該基板或いはキャリヤ部１との間に配置された高熱
伝導性のセラミック微粉末２０がフィラーとして混入さ
れている封止樹脂基材４とで構成されているものであっ
ても良い。
体デバイス１０がチップ２−１或いは２−２の端子部
と、リードフレーム或いは基板又はキャリア上に配置さ
れたコンタクト部とがボンディングワイヤ３を使用して
接続されているものである事が好ましい。又、本発明に
係る半導体デバイス１０に於いては、基板或いはキャリ
ヤ部１、当該基板或いはキャリヤ部１に搭載されている
チップ部２−１、２−２、当該チップ部２−１、２−２
と当該基板或いはキャリヤ部１との間に配置された高熱
伝導性のセラミック微粉末２０がフィラーとして混入さ
れている封止樹脂基材４とで構成されているものであっ
ても良い。
【００２５】
【発明の効果】本発明の半導体デバイス用封止樹脂で
は、樹脂中に混入するフィラーとしてＡｌＮ等の高熱伝
導性セラミック微粉末を使用しているため、金属系フィ
ラーを混入した封止樹脂と同等の放熱性を得ることが可
能となる。また、フィラーとして混入するセラミックは
絶縁物質であるため、封止樹脂が半導体デバイスの電極
パッドやボンディングワイヤーに直接触れるような場合
でも使用することが可能となり、ワイヤーボンディング
方式にて実装された半導体デバイスの封止にも使用可能
となる、という効果がある。
は、樹脂中に混入するフィラーとしてＡｌＮ等の高熱伝
導性セラミック微粉末を使用しているため、金属系フィ
ラーを混入した封止樹脂と同等の放熱性を得ることが可
能となる。また、フィラーとして混入するセラミックは
絶縁物質であるため、封止樹脂が半導体デバイスの電極
パッドやボンディングワイヤーに直接触れるような場合
でも使用することが可能となり、ワイヤーボンディング
方式にて実装された半導体デバイスの封止にも使用可能
となる、という効果がある。
【図１】図１は、本発明にかかる半導体デバイスの一実
施例を示した断面図である。
施例を示した断面図である。
【図２】図２は、本発明に於ける半導体装置に使用され
る封止樹脂材料の構成例を示す断面図である。
る封止樹脂材料の構成例を示す断面図である。
【図３】図３は、従来技術に於ける半導体デバイスの一
実施例を示した断面図である。
実施例を示した断面図である。
【図４】図４は、従来技術に於ける半導体デバイスの封
止樹脂材料に使用されるフィラーの一例を示した断面図
である。
止樹脂材料に使用されるフィラーの一例を示した断面図
である。
１…セラミック基板、キャリア ２、２−１、２−２…半導体チップ ３…ボンディングワイヤ ４…半導体デバイス用封止樹脂 ５…ＢＧＡボール ６…プリント配線板 ７…接着剤またはグリース ８…サーマルビア ９−１、９−２…ヒートシンク １０…半導体デバイス ２０…フィラー ２１…封止樹脂基材、成形材料
Claims (10)
- 【請求項１】 封止樹脂基材中に高熱伝導性のセラミッ
ク微粉末がフィラーとして混入されていることを特徴と
する半導体デバイス用封止樹脂材料。 - 【請求項２】 当該高熱伝導性のセラミック微粉末が窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）系の微粉末である事を特徴と
する請求項１記載の半導体デバイス用封止樹脂材料。 - 【請求項３】 当該封止剤が、チップの外表面を被覆す
るか若しくは当該チップと基板或いはキャリヤ部との間
に配置されるものである事を特徴とする請求項１又は２
に記載の半導体デバイス用封止樹脂材料。 - 【請求項４】 半導体デバイスがチップの端子部と、リ
ードフレーム或いは基板又はキャリア上に配置されたコ
ンタクト部とがボンディングワイヤを使用して接続され
ているものである事を特徴とする請求項１乃至３の何れ
かに記載の半導体デバイス用封止樹脂材料。 - 【請求項５】 基板或いはキャリヤ部、当該基板或いは
キャリヤ部に搭載されているチップ部、当該チップ部を
被覆する様に配置されている高熱伝導性のセラミック微
粉末がフィラーとして混入されている封止樹脂基材とで
構成されている事を特徴とする半導体デバイス。 - 【請求項６】 当該高熱伝導性のセラミック微粉末が窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）系の微粉末である事を特徴と
する請求項５記載の半導体デバイス。 - 【請求項７】 半導体デバイスがチップの端子部と、リ
ードフレーム或いは基板又はキャリア上に配置されたコ
ンタクト部とがボンディングワイヤを使用して接続され
ているものである事を特徴とする請求項５又は６記載の
半導体デバイス。 - 【請求項８】 基板或いはキャリヤ部、当該基板或いは
キャリヤ部に搭載されているチップ部、当該チップ部と
当該基板或いはキャリヤ部との間に配置された高熱伝導
性のセラミック微粉末がフィラーとして混入されている
封止樹脂基材とで構成されている事を特徴とする半導体
デバイス。 - 【請求項９】 当該高熱伝導性のセラミック微粉末が窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）系の微粉末である事を特徴と
する請求項８記載の半導体デバイス。 - 【請求項１０】 当該高熱伝導性のセラミック微粉末を
含む当該封止樹脂形成部にヒートシンクが接続されてい
る事を特徴とする請求項５乃至９の何れかに記載の半導
体デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119204A JPH10308480A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 半導体デバイス用封止樹脂材料及び半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119204A JPH10308480A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 半導体デバイス用封止樹脂材料及び半導体デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308480A true JPH10308480A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=14755516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9119204A Pending JPH10308480A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 半導体デバイス用封止樹脂材料及び半導体デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10308480A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100796522B1 (ko) | 2006-09-05 | 2008-01-21 | 삼성전기주식회사 | 전자소자 내장형 인쇄회로기판의 제조방법 |
| CN103596357A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-02-19 | 沙洲职业工学院 | 一种pcb板及功率电子器件散热装置 |
-
1997
- 1997-05-09 JP JP9119204A patent/JPH10308480A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100796522B1 (ko) | 2006-09-05 | 2008-01-21 | 삼성전기주식회사 | 전자소자 내장형 인쇄회로기판의 제조방법 |
| CN103596357A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-02-19 | 沙洲职业工学院 | 一种pcb板及功率电子器件散热装置 |
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