JPH1031234A - 反射型ゲストホスト液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射型ゲストホスト液晶表示装置に組込まれ
る四分の一波長板層を液晶配向層から保護する。 【解決手段】 反射型ゲストホスト液晶表示装置は所定
の間隙を介して互に接合した一対の基板１，２とこの間
隙に保持され且つ二色性色素５を含有したゲストホスト
液晶３とを備えている。上側の基板１には少なくとも対
向電極６が形成されている。下側の基板２には下から順
に少なくとも光反射層８、四分の一波長板層９、保護層
１０、画素電極１１及び配向層１２が積層されている。
四分の一波長板層９は比較的耐溶剤性に劣る一軸配向の
高分子液晶膜からなる。配向層１２は配向溶剤を塗工し
てラビングした有機塗工膜からなる。保護層１０は比較
的耐溶剤性に優れた樹脂膜からなり高分子液晶膜を配向
溶剤から隔絶して保護する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は反射型ゲストホスト
液晶表示装置及びその製造方法に関する。より詳しく
は、四分の一波長板層と光反射層とを装置内に内蔵して
入射光の利用効率を改善する技術に関する。さらに詳し
くは、液晶配向層に対する四分の一波長板層の保護構造
に関する。

【０００２】

【従来の技術】四分の一波長板層及び光反射層を内蔵し
た反射型ゲストホスト液晶表示装置が近年注目を集めて
おり、例えば特開平６−２２２３５１号公報に開示され
ている。図７に示す様に、従来の反射型ゲストホスト液
晶表示装置１０１は、上下一対の基板１０２及び１０
３、ゲストホスト液晶層１０４、二色性色素１０５、上
下一対の透明電極１０６及び１１０、上下一対の配向層
１０７及び１１１、光反射層１０８、四分の一波長板層
１０９等を含んで構成される。上下の基板１０２及び１
０３は例えばガラスや石英あるいはプラスチック等の絶
縁性を有する材料からなり、少なくとも入射側に位置す
る上側の基板１０２は透明である。一対の基板１０２及
び１０３の間には二色性色素１０５を含むゲストホスト
液晶層１０４が保持されている。ゲストホスト液晶層１
０４はネマティック液晶分子１０４ａと二色性色素１０
５を含んでいる。この二色性色素１０５はその分子の長
軸に略平行な遷移双極子モーメントを有しており、所謂
ｐ型色素である。上側の基板１０２の内表面１０２ａに
は、図示しないが薄膜トランジスタ等からなるスイッチ
ング素子と、これにより駆動される透明電極１０６とが
形成されている。この透明電極１０６はマトリスク状に
パタニングされており所謂画素電極である。スイッチン
グ素子と画素電極１０６とが形成された上側の基板１０
２の内表面１０２ａには、さらにポリイミド樹脂等から
なる配向層１０７が形成される。この配向層１０７の表
面は液晶分子１０４ａを水平配向させる為にラビング処
理が施されている。一方、下側の基板１０３の内表面１
０３ａには光反射層１０８と四分の一波長板層１０９と
がこの順に形成されている。この四分の一波長板層１０
９は例えば一軸配向した高分子液晶膜からなる。四分の
一波長板層１０９の表面には透明電極１１０と配向層１
１１とがこの順に形成される。この透明電極１１０は所
謂対向電極であって例えばストライプ状にパタニングさ
れている。配向層１１１は他の配向層１０７と同様にポ
リイミド樹脂からなりその表面はラビング処理されてい
る。

【０００３】この反射型液晶表示装置１０１は白黒表示
を行なう事ができる。電圧無印加状態では、液晶分子１
０４ａは上下一対の配向層１０７及び１１１のラビング
方向に沿って水平配向しており、二色性色素１０５も同
様に配向している。上側の基板１０２側から入射した光
がゲストホスト液晶層１０４に進入すると、入射光の内
二色性色素１０５の分子の長軸方向に対して平行な振動
面を持つ成分が二色性色素１０５によって吸収される。
又、二色性色素１０５の分子の長軸方向に対して垂直な
振動面を持つ他の成分はゲストホスト液晶層１０４を通
過し、下側の基板１０３の内表面１０３ａに形成された
四分の一波長板層１０９で円偏光とされ、光反射層１０
８で反射する。この時、反射光の偏光が逆回りとなり、
再び四分の一波長板層１０９を通過し、二色性色素１０
５の分子の長軸方向に対して平行な振動面をもつ光とな
る。この光は二色性色素１０５によって吸収されるの
で、略完全な黒色表示となる。一方、電圧印加時には、
液晶分子１０４ａは電界方向に沿って垂直に配向し、二
色性色素１０５も同様に配向する。上側の基板１０２側
から入射した光は二色性色素１０５によって吸収されず
にゲストホスト液晶層１０４を通過し、四分の一波長板
層１０９で偏光されずに光反射層１０８で反射する。反
射光は再び四分の一波長板層１０９を通過し、ゲストホ
スト液晶層１０４で吸収されずに出射する。従って白色
表示となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図７に示した反射型ゲ
ストホスト液晶表示装置では、ゲストホスト液晶層１０
４を配向する為、透明電極１１０及びその間に露出した
四分の一波長板層１０９の上に配向層１１１を成膜す
る。例えば、ポリイミド樹脂を溶解した配向溶液を塗布
乾燥した後、ラビング処理を施す。下地の四分の一波長
板層は一軸配向した高分子液晶膜から構成されるが、こ
れは一般に耐溶剤性に難点がある。配向溶剤に含まれる
極性溶媒に接触した場合高分子液晶膜はダメージを受け
溶解するかもしくは膨潤して四分の一波長板層としての
光学機能を損なう。この様に、従来の反射型ゲストホス
ト液晶表示装置では四分の一波長板層を内蔵した場合、
その上に塗工される液晶配向層の成膜段階でダメージを
受け、四分の一波長板層としての光学機能が損なわれる
という課題がある。即ち、高分子液晶膜が溶媒により溶
解もしくは膨潤し、一軸配向性が乱れる。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に
かかる反射型ゲストホスト液晶表示装置は、基本的な構
成として、所定の間隙を介して互いに接合した一対の基
板と該間隙に保持され且つ二色性色素を含有したゲスト
ホスト液晶とを備えている。一方の基板には少なくとも
対向電極が形成されている。他方の基板には下から順に
少なくとも光反射層、四分の一波長板層、保護層、画素
電極及び配向層が積層されている。前記四分の一波長板
層は比較的耐溶剤性に劣る一軸配向の高分子液晶膜から
なる。前記配向層は配向溶剤を塗工してラビングした有
機塗工膜からなる。前記保護層は比較的耐溶剤性に優れ
た樹脂膜からなり該高分子液晶膜を該配向溶剤から隔絶
して保護する事を特徴とする。好ましくは、前記他方の
基板には個々の画素電極を駆動するスイッチング素子が
形成されており、前記画素電極は該四分の一波長板層及
び保護層を貫通して設けたコンタクトホールを介して対
応するスイッチング素子に接続している。又、前記保護
層はコンタクトホールの開口が可能な感光性のアクリル
樹脂からなる。かかる構成を有する反射型ゲストホスト
液晶表示装置は、以下の工程により製造される。先ず、
第１の基板に光反射層を形成する。次に、該光反射層の
上に一軸配向した高分子液晶膜からなる四分の一波長板
層を形成する。続いて、該四分の一波長板層の上に耐溶
剤性を備えた樹脂膜からなる保護層を形成する。さら
に、該保護層の上に画素電極を形成する。この後、該画
素電極の上及び各画素電極の間に露出した保護層の上に
連続して配向溶剤を塗工しラビングして配向層を形成す
る。そして、予め対向電極が形成された第２の基板を所
定の間隙を介して該第１の基板に接合する。最後に、二
色性色素を含有したゲストホスト液晶を該間隙に注入す
る工程を行なう事で、本発明にかかる反射型ゲストホス
ト液晶表示装置が完成する。

【０００６】本反射型ゲストホスト液晶表示装置は内部
に四分の一波長板層及び光反射層を内蔵した所謂集積偏
光変換型である。四分の一波長板層の上にアクリル樹脂
等からなる保護層（ガード層）を形成している。この保
護層が集積偏光変換型ゲストホスト液晶表示装置の製造
プロセス上で不可欠な配向層の溶媒から四分の一波長板
層を隔絶（ブロック）している。これにより、一軸配向
した高分子液晶膜からなる四分の一波長板層の光学機能
を損なう事なく、集積偏光変換型ゲストホスト液晶表示
装置を製造する事が可能になる。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明にかか
る反射型ゲストホスト液晶表示装置及びその製造方法を
詳細に説明する。図１は、反射型ゲストホスト液晶表示
装置の基本的な構成を示す部分断面図である。図示する
様に、本発明にかかる反射型ゲストホスト液晶表示装置
は所定の間隙を介して互いに接合した上下一対の基板
１，２とこの間隙に保持されたゲストホスト液晶３とを
備えている。このゲストホスト液晶３はネマティック液
晶分子４を主体とし且つ二色性色素５を含有したもので
ある。入射側となる上方の基板１には少なくとも対向電
極６及び配向層７がこの順で形成されている。

【０００８】反射側となる下方の基板２には下から順に
少なくとも光反射層８、四分の一波長板層９、保護層１
０、画素電極１１及び配向層１２が積層されている。四
分の一波長板層９は比較的耐溶剤性に劣る一軸配向の高
分子液晶膜からなる。配向層１２は配向溶剤を塗工して
ラビングした有機塗工膜からなる。この配向溶剤は例え
ばポリイミド樹脂をｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）に
溶解したものである。一軸配向した高分子液晶膜はこの
ＮＭＰに対して十分な耐溶剤性を備えていない。ゲスト
ホスト液晶３を上下から挟持する配向層７及び１２はネ
マティック液晶分子４を例えば垂直配向し、これに倣っ
て二色性色素５も垂直配向している。なお、本発明はこ
れに限られるものではなく、ゲストホスト液晶３を図７
に示した様に水平配向してもよい。特徴事項として、保
護層１０が四分の一波長板層９の上に成膜されている。
この保護層１０は比較的耐溶剤性に優れた樹脂膜からな
り、高分子液晶膜を配向溶剤から隔絶して保護してい
る。

【０００９】なお、本実施形態にかかる反射型ゲストホ
スト液晶表示装置は所謂アクティブマトリクス型であっ
て、下側の基板２には個々の画素電極１１を駆動するス
イッチング素子として例えば薄膜トランジスタ１３が形
成されている。この薄膜トランジスタ１３はボトムゲー
ト構造を有し、下から順にゲート電極１４、ゲート絶縁
膜１５、半導体薄膜１６、ストッパ１７を積層したもの
である。この薄膜トランジスタ１３を被覆する様に層間
絶縁膜１８が形成されている。この上にはソース電極１
９及びドレイン電極２０がパタニング形成されており、
層間絶縁膜１８に開口したコンタクトホールを介して薄
膜トランジスタ１３に電気接続している。この層間絶縁
膜１８の上に前述した光反射層８が形成されている。こ
の光反射層８は画素電極１１と対応して画素毎に細分化
されており、ドレイン電極２０と同電位である。光反射
層８は凹凸の光散乱面を有し、所謂ホワイトペーパーと
呼ばれる表示画面を実現している。薄膜トランジスタ１
３及び光反射層８の凹凸を埋める様に平坦化層２１が形
成されている。平坦化層２１の上には下地配向層２２が
形成されており、その上に成膜される高分子液晶膜を一
軸配向する為に用いられる。かかる構成において、画素
電極１１は保護層１０、四分の一波長板層９及び平坦化
層２１を貫通して設けたコンタクトホール２３を介して
対応する薄膜トランジスタ１３のドレイン電極２０に電
気接続している。この場合、保護層１０はコンタクトホ
ール２３の開口が可能な感光性のアクリル樹脂を用いる
事が好ましい。

【００１０】次に、図２を参照して本発明の要部をさら
に詳細に説明する。（Ａ）はマトリクス状にパタニング
された個々の画素電極１１の形状を模式的に表わしてい
る。各画素電極１１はコンタクトホール２３を介して対
応する薄膜トランジスタ（図示せず）に電気接続してい
る。（Ｂ）は、（Ａ）に示したＢ−Ｂ線に沿った断面図
である。但し、下地配向層２２より下方の層は図示を省
略している。前述した様に、本発明にかかる反射型ゲス
トホスト液晶表示装置の製造プロセスでは一軸配向した
高分子液晶膜からなる四分の一波長板層９を形成してい
る。この四分の一波長板層９の上に耐溶剤性を備えた樹
脂膜からなる保護層１０を形成している。さらに、保護
層１０の上に画素電極１１を形成している。この後、個
々の画素電極１１の上及び各画素電極１１の間Ｘに露出
した保護層１０の上に連続して配向溶剤を塗工しラビン
グして配向層１２を形成する。図から明らかな様に、配
向層１２は隣合う画素電極１１の間Ｘで直接保護層１０
に接触している。仮に、この保護層１０がないと、隣合
う画素電極１１の間Ｘから配向溶剤に含まれた溶媒が侵
入し、下層の四分の一波長板層９がダメージを受ける。
本発明では保護層１０が配向溶剤の溶媒から四分の一波
長板層９を隔絶するので、ダメージを受ける懸念はな
い。（Ｃ）は（Ａ）に示したＣ−Ｃ線に沿った断面図で
あり、丁度、コンタクトホール２３の断面が現われてい
る。なお、（Ｂ）と同様に、下地配向層２２より下方の
層は図示を省略している。この断面でも、隣合う画素電
極１１の間Ｘは下地の四分の一波長板層９が露出してお
らず保護層１０により遮閉されている。なお、図示の実
施例では保護層１０にコンタクトホール２３を開口する
ので、例えば感光性のアクリル樹脂膜を保護層１０とし
て用いている。しかしながら、特にコンタクトホール２
３を開口する必要がない構造では熱硬化型のエポキシ樹
脂膜等を用いてもよい。

【００１１】次に図３及び図４を参照して、図１に示し
た反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法を詳細に
説明する。先ず図３の工程（Ａ）において、ガラス又は
石英等からなる絶縁性の基板２の上に薄膜トランジスタ
１３を集積形成する。具体的には、高融点金属膜等から
なるゲート電極１４をパタニング形成した後、ＣＶＤ等
でシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を堆積してゲート絶
縁膜１５とする。その上に多結晶シリコン等からなる半
導体薄膜１６を成膜し、薄膜トランジスタ１３の素子領
域に合わせて島状にパタニングする。その上に、ゲート
電極１４と整合する様に、ストッパ１７を設ける。この
ストッパ１７をマスクとしてイオンドーピング又はイオ
ンインプランテーションにより不純物を半導体薄膜１６
に注入して、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ１３を
形成する。この薄膜トランジスタ１３をＰＳＧ等からな
る層間絶縁膜１８で被覆する。工程（Ｂ）に進み、層間
絶縁膜１８にコンタクトホールを開口した後、アルミニ
ウム等をスパッタリングし所定の形状にパタニングして
ソース電極１９及びドレイン電極２０に加工する。この
時同時に光反射層８を形成する。なお、光反射層８を形
成する領域には予め下地として凹凸が形成されており、
この結果光反射層８は光散乱性を備える事になり、所謂
ホワイトペーパーの表示外観が得られる。さらに、薄膜
トランジスタ１３及び光反射層８の凹凸を埋める様に、
アクリル樹脂等からなる平坦化層２１を形成する。その
上に、ポリイミド樹脂を塗工してラビング処理を施こ
し、下地配向層２２を設ける。その上に、一軸配向した
高分子液晶膜からなる四分の一波長板層９を形成する。
工程（Ｃ）に進み、四分の一波長板層９の表面を全面的
に被覆する様に比較的耐溶剤性に優れた樹脂膜からなる
保護層１０を形成する。本例では保護層１０として感光
性を有するアクリル樹脂膜を塗工している。塗工方法と
してはスピンコートやスクリーン印刷等が利用できる。
感光性を優するアクリル樹脂膜はフォトリソグラフィー
が可能であると共に透明性に優れている。工程（Ｄ）に
進み、保護層１０を露光現像し下方のドレイン電極２０
と整合する領域に窓１０ａを設ける。

【００１２】図４の工程（Ｅ）に進み、パタニングされ
た保護層１０をマスクとしてエッチングを行ない、四分
の一波長板層９、下地配向層２２、平坦化層２１を貫通
するコンタクトホール２３を開口する。このエッチング
では、四分の一波長板層９や平坦化層２１に対して溶解
性を備えた溶液を用いてウェットエッチングを採用して
いる。これに変えて、酸素プラズマ等を照射するドライ
エッチングを採用してもよい。工程（Ｆ）に進み、保護
層１０の上にＩＴＯ等からなる透明導電膜を被覆し、所
定の形状にパタニングして画素電極１１に加工する。こ
の画素電極１１はコンタクトホール２３を介して薄膜ト
ランジスタ１３のドレイン電極２０に電気接続する。最
後に工程（Ｇ）に進み、画素電極１１及び保護層１０の
上に有機配向層１２を成膜する。即ち、画素電極１１の
上及び各画素電極１１の間に露出した保護層１０の上に
連続して配向溶剤を塗工しラビングして配向層１２を形
成する。この配向溶剤は例えばポリイミド樹脂を溶媒の
ＮＭＰに溶解した液体である。この後、予め対向電極及
び配向層が形成された上側の基板を所定の間隙を介して
下側の基板２に接合し、二色性色素を含有したゲストホ
スト液晶をこの間隙に注入すれば、反射型ゲストホスト
液晶表示装置が完成する。

【００１３】次に図５を参照して、図３の工程（Ｂ）に
示した四分の一波長板層形成方法を具体的に説明する。
ここでは、理解を容易にする為、基板５１の上に四分の
一波長板層５３を成膜する手順を示す。先ず下地配向工
程（Ａ）を行ない、ガラス等の絶縁性基板５１の表面を
所定の配向方向に沿って配向処理する。例えば、基板５
１の表面にポリイミドフィルム（図示せず）を成膜した
後、配向方向に沿ってこのポリイミドフィルムをラビン
グすればよい。場合によっては基板５１の表面を直にラ
ビングしてもよい。次に成膜工程(Ｂ)を行ない、高分子
液晶膜５２を所定の厚みで基板５１の上に成膜する。高
分子液晶は所定の転移点を境にして高温側のネマティッ
ク液晶相と低温側のガラス固体相との間を相転移可能な
材料である。例えば、この高分子液晶は室温でガラス状
態であり、好ましくは１００℃以上に相転移点をもつ、
主鎖型もしくは側鎖型である。この高分子液晶膜５２は
光学的には可視領域に吸収のない透明物質である。この
高分子液晶を有機溶媒（例えばシクロヘキサノンとｎ−
ブタノンの混合溶液）に溶解させた後、スピンコーティ
ングによって基板５１の表面に塗布する。なお、スピン
コーティングに代え、ディッピング（浸漬）又はスクリ
ーン印刷等を用いて基板５１の表面に塗布してもよい。
スピンコーティングを行なう場合、溶液の濃度やスピン
回転数等の条件を適宜設定して、形成される薄膜５２の
膜厚が可視光領域でλ／４の位相差を生じさせる様にす
る。なおλは入射光の波長を表わしている。最後に温度
処理工程（Ｃ）を行ない、基板５３を一旦転移点以上に
加熱した後転移点以下の室温に徐冷し、成膜された高分
子液晶膜５２を配向方向に整列させて一軸光学薄膜から
なる四分の一波長板層５３を形成する。例えば、１００
℃以上の転移点を有し高分子の主鎖又は側鎖に液晶分子
を導入した高分子液晶材料に対して加熱及び徐冷を行な
う。図示する様に、成膜段階では高分子液晶膜５２に含
まれる液晶分子はランダムな整列状態にあるのに対し、
徐冷後では液晶分子は配向方向に沿って整列し、所望の
一軸光学異方性が得られる。具体的には、高分子液晶膜
５２を成膜した基板５１を予めネマティック相温度又は
イソトロピック相温度に設定されたオーブンに投入して
加熱する。その後徐冷して室温まで戻す。これによって
コーティングされた高分子液晶膜５２が予め配向処理し
ておいた基板５１の配向方向に整列する。

【００１４】最後に図６を参照して、図４の工程（Ｇ）
に示した配向層の形成方法を具体的に説明する。なお、
図６では理解を容易にする為基板７１の上にパタニング
形成された電極７２の上に有機配向層７３ａを成膜する
場合を挙げている。この成膜方法は、そのまま図３の工
程(Ｇ)に応用可能なものである。先ず塗工工程（Ａ）を
行ない、予め少なくとも電極７２が形成された反射型ゲ
ストホスト液晶表示装置用の基板７１の表面に配向溶剤
を塗工して有機塗工膜７３を形成する。この塗工工程は
例えば回転塗布法もしくは印刷塗布法によって行なう。
なお、この塗工工程に先立って基板７１は予め洗浄され
ている。本例では配向溶剤としてポリイミド樹脂をＮＭ
Ｐ等の溶媒に溶かした液体を用いている。次に乾燥工程
（Ｂ）を行なう。即ち比較的低い温度で基板７１を加熱
し、その表面に塗布された配向溶剤を乾燥して有機配向
層７３ａを形成する。例えば、塗布された配向溶剤を１
００℃以下の温度で加熱し、溶媒を飛ばしている。この
乾燥工程は好ましくは窒素雰囲気下で行なわれる。さら
にラビング工程（Ｃ）を行なう。即ち、有機配向層７３
ａを回転ローラ７４に巻付けられたバフ材７５で一定の
方向（矢印で示す）にラビングして液晶分子に対する配
向能を付与する。

【００１５】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、四
分の一波長板層は比較的耐溶剤性に劣る一軸配向の高分
子液晶膜からなる一方、配向層は配向溶剤を塗工してラ
ビングした有機塗工膜からなる。両層の間に介在する保
護層は比較的耐溶剤性に優れた樹脂膜からなり、高分子
液晶膜を配向溶剤から隔絶して保護している。これによ
り、四分の一波長板層が溶剤のダメージを受ける事がな
く、その光学機能が安定に維持できる。この結果、ゲス
トホスト液晶を自在に配向制御可能となり、安定な垂直
配向もしくは水平配向を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる反射型ゲストホスト液晶表示装
置の基本的な構成を示す部分断面図である。

【図２】図１に示した反射型ゲストホスト液晶表示装置
の要部を示す模式的な斜視図及び断面図である。

【図３】図１に示した反射型ゲストホスト液晶表示装置
の製造方法を示す工程図である。

【図４】同じく製造方法を示す工程図である。

【図５】図３の工程（Ｂ）に示した四分の一波長板層形
成プロセスを示す工程図である。

【図６】図４の工程（Ｇ）に示した配向層形成プロセス
を示す工程図である。

【図７】従来の反射型ゲストホスト液晶表示装置の一例
を示す断面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…基板、３…ゲストホスト液晶、４…液晶
分子、５…二色性色素、６…対向電極、７…配向層、８
…光反射層、９…四分の一波長板層、１０…保護層、１
１…画素電極、１２…配向層、１３…薄膜トランジス
タ、２０…ドレイン電極、２１…平坦化層、２２…下地
配向層、２３…コンタクトホール

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の間隙を介して互いに接合した一対
   の基板と該間隙に保持され且つ二色性色素を含有したゲ
   ストホスト液晶とを備え、 一方の基板には少なくとも対向電極が形成され、 他方の基板には下から順に少なくとも光反射層、四分の
   一波長板層、保護層、画素電極及び配向層が積層されて
   おり、 前記四分の一波長板層は比較的耐溶剤性に劣る一軸配向
   の高分子液晶膜からなり、 前記配向層は配向溶剤を塗工してラビングした有機塗工
   膜からなり、 前記保護層は比較的耐溶剤性に優れた樹脂膜からなり該
   高分子液晶膜を該配向溶剤から隔絶して保護する事を特
   徴とする反射型ゲストホスト液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記他方の基板には個々の画素電極を駆
   動するスイッチング素子が形成されており、前記画素電
   極は該四分の一波長板層及び保護層を貫通して設けたコ
   ンタクトホールを介して対応するスイッチング素子に接
   続していることを特徴とする請求項１記載の反射型ゲス
   トホスト液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記保護層はコンタクトホールの開口が
   可能な感光性のアクリル樹脂膜からなる事を特徴とする
   請求項２記載の反射型ゲストホスト液晶表示装置。
4. 【請求項４】 第１の基板に光反射層を形成する工程
   と、 該光反射層の上に一軸配向した高分子液晶膜からなる四
   分の一波長板層を形成する工程と、 該四分の一波長板層の上に耐溶剤性を備えた樹脂膜から
   なる保護層を形成する工程と、 該保護層の上に画素電極を形成する工程と、 該画素電極の上及び各画素電極の間に露出した保護層の
   上に連続して配向溶剤を塗工しラビングして配向層を形
   成する工程と、 予め対向電極が形成された第２の基板を所定の間隙を介
   して該第１の基板に接合する工程と、 二色性色素を含有したゲストホスト液晶を該間隙に注入
   する工程とを行なう反射型ゲストホスト液晶表示装置の
   製造方法。