JPH10326013A5 - - Google Patents
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- JPH10326013A5 JPH10326013A5 JP1997082854A JP8285497A JPH10326013A5 JP H10326013 A5 JPH10326013 A5 JP H10326013A5 JP 1997082854 A JP1997082854 A JP 1997082854A JP 8285497 A JP8285497 A JP 8285497A JP H10326013 A5 JPH10326013 A5 JP H10326013A5
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- 下記一般式〔I〕で表される単量体と分子内にアミン構造を有する単量体を繰り返し構造単位として含有し、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂と、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
(式中、R1 は水素原子又はメチル基を表す。R2 はアルキル基、環状アルキル基、又は置換アルキル基を表す。R3 、R4 は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又はアルキル基を表すが、R3 とR4 のうち少なくとも1つは水素原子である。R2 とR3 あるいはR4 とが結合して環を形成してもよい。Aは、単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基の中から選ばれる1つの基もしくはそれら2つ以上を組み合わせた基を表す。) - 前記分子内にアミン構造を有する単量体に相当する繰り返し構造単位の樹脂中の含有量が、全繰り返し単位に対して0.001モル%〜10モル%であることを特徴とする請求項1に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
- 前記分子内にアミン構造を有する単量体が、下記一般式〔II〕で示される単量体であることを特徴とする請求項1又は2に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
(式中、R1 及びAは請求項1に記載のものと同義である。R5 、R6 は、同じでも異なっていてもよく、アルキル基又は置換アルキル基を表し、R5 とR6 が結合して、ヘテロ原子を含んでいてもよい環を形成してもよい。R7 、R8 は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基又は置換アルキル基を表す。) - 前記樹脂が、更に脂肪族環状炭化水素部位を分子内に有する繰り返し構造単位を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物によりポジ型フォトレジスト膜を形成し、遠紫外線を用いて該ポジ型フォトレジスト膜を露光、現像することを特徴とするポジ型パターン形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08285497A JP3791718B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-04-01 | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
| US09/048,787 US6242153B1 (en) | 1997-03-27 | 1998-03-27 | Positive photoresist composition for far ultraviolet ray exposure |
| KR10-1998-0010768A KR100479275B1 (ko) | 1997-03-27 | 1998-03-27 | 원자외선노광용포지티브포토레지스트조성물 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7564397 | 1997-03-27 | ||
| JP9-75643 | 1997-03-27 | ||
| JP08285497A JP3791718B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-04-01 | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10326013A JPH10326013A (ja) | 1998-12-08 |
| JPH10326013A5 true JPH10326013A5 (ja) | 2004-10-07 |
| JP3791718B2 JP3791718B2 (ja) | 2006-06-28 |
Family
ID=26416791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08285497A Expired - Fee Related JP3791718B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-04-01 | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3791718B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8741537B2 (en) * | 2005-03-04 | 2014-06-03 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and pattern-forming method using the same |
| JP4667273B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2011-04-06 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP5598351B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2014-10-01 | 信越化学工業株式会社 | 電子線用又はeuv用化学増幅ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
-
1997
- 1997-04-01 JP JP08285497A patent/JP3791718B2/ja not_active Expired - Fee Related