JPH1041096A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH1041096A JPH1041096A JP8208846A JP20884696A JPH1041096A JP H1041096 A JPH1041096 A JP H1041096A JP 8208846 A JP8208846 A JP 8208846A JP 20884696 A JP20884696 A JP 20884696A JP H1041096 A JPH1041096 A JP H1041096A
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理体の大口径化／大型化に対応できるプ
ラズマ処理装置。 【解決手段】 処理室ＰＣ内に上部電極１０２と下部電
極１１４を対向配置し、少なくとも上部電極と下部電極
のいずれか一方に高周波電力を印加して処理ガスをプラ
ズマ化し、下部電極上に載置された被処理体Ｗに対して
処理を施すプラズマ処理装置に、処理室の上部に少なく
とも１の上部真空排気系１２４を有する上部排気室ＵＣ
を設け、前記処理室の下部に少なくとも１の下部真空排
気系１３２を有する下部排気室ＤＣを設けている。ま
た、上部排気室と処理室と下部排気室はそれぞれ分離可
能であり、処理室は、下部電極部分を除き一体的に構成
されている。
ラズマ処理装置。 【解決手段】 処理室ＰＣ内に上部電極１０２と下部電
極１１４を対向配置し、少なくとも上部電極と下部電極
のいずれか一方に高周波電力を印加して処理ガスをプラ
ズマ化し、下部電極上に載置された被処理体Ｗに対して
処理を施すプラズマ処理装置に、処理室の上部に少なく
とも１の上部真空排気系１２４を有する上部排気室ＵＣ
を設け、前記処理室の下部に少なくとも１の下部真空排
気系１３２を有する下部排気室ＤＣを設けている。ま
た、上部排気室と処理室と下部排気室はそれぞれ分離可
能であり、処理室は、下部電極部分を除き一体的に構成
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体ウェハやＬＣＤ用基板
などの被処理体に対してエッチングなどのプラズマ処理
するにあたり、図８に示すように、処理室１０内に上部
電極１２と下部電極１４を対向配置し、少なくとも上部
電極１２と下部電極１４のいずれか一方に高周波電源１
６より高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ（Ｐ）
化するプラズマ処理装置が提案されている。かかるプラ
ズマ処理装置では、上部電極１２の下面（すなわち、被
処理体に対する対向面）に複数の処理ガス噴出口１８を
設け、その処理ガス噴出口１８から供給される処理ガス
を高周波電力によりプラズマ（Ｐ）化して被処理体Ｗに
対して処理を施すとともに、その排ガスを下部電極１４
の周辺に設けられたバッフル板２０を介して処理室１０
に連通する一つの真空排気系２２により真空排気してい
た。
などの被処理体に対してエッチングなどのプラズマ処理
するにあたり、図８に示すように、処理室１０内に上部
電極１２と下部電極１４を対向配置し、少なくとも上部
電極１２と下部電極１４のいずれか一方に高周波電源１
６より高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ（Ｐ）
化するプラズマ処理装置が提案されている。かかるプラ
ズマ処理装置では、上部電極１２の下面（すなわち、被
処理体に対する対向面）に複数の処理ガス噴出口１８を
設け、その処理ガス噴出口１８から供給される処理ガス
を高周波電力によりプラズマ（Ｐ）化して被処理体Ｗに
対して処理を施すとともに、その排ガスを下部電極１４
の周辺に設けられたバッフル板２０を介して処理室１０
に連通する一つの真空排気系２２により真空排気してい
た。
【０００３】しかし、近年、被処理体の大口径化、大型
化が進むにつれ、処理室の容量も大きくなっている。そ
れに伴い、有効排気速度を高める必要が生じているが、
単に真空排気系の真空ポンプの容量を大型化したのみで
は、プラズマの真空排気系の回り込みを防止するための
上記バッフル板のコンダクタンスがネックとなり、十分
な有効排気速度が得られないという問題があった。
化が進むにつれ、処理室の容量も大きくなっている。そ
れに伴い、有効排気速度を高める必要が生じているが、
単に真空排気系の真空ポンプの容量を大型化したのみで
は、プラズマの真空排気系の回り込みを防止するための
上記バッフル板のコンダクタンスがネックとなり、十分
な有効排気速度が得られないという問題があった。
【０００４】また、従来の処理装置では、図８に示すよ
うに、処理室１０を複数の構成部材１０ａ〜１０ｆを組
み立てることにより構成されている。そのため、各部材
１０ａ〜１０ｆ間の導通性をいくら改善しても限界があ
り、各部材１０ａ〜１０ｆが有する電位（Ｖ１〜Ｖ４）
は異ならざるを得なかった。そのため、プラズマ処理時
に、プラズマが電位の低い方向に流れるという傾向が生
じ、プラズマを処理室内の処理空間（被処理体の上部）
に閉じこめにくいという問題があった。そして、かかる
問題は、被処理体の大口径化、大型化が進めば進むほど
顕著になってくるという問題があった。
うに、処理室１０を複数の構成部材１０ａ〜１０ｆを組
み立てることにより構成されている。そのため、各部材
１０ａ〜１０ｆ間の導通性をいくら改善しても限界があ
り、各部材１０ａ〜１０ｆが有する電位（Ｖ１〜Ｖ４）
は異ならざるを得なかった。そのため、プラズマ処理時
に、プラズマが電位の低い方向に流れるという傾向が生
じ、プラズマを処理室内の処理空間（被処理体の上部）
に閉じこめにくいという問題があった。そして、かかる
問題は、被処理体の大口径化、大型化が進めば進むほど
顕著になってくるという問題があった。
【０００５】さらに、従来の処理装置では、図８に示す
ように、上部電極１２を成す処理室の天板が開放自在に
構成されており、この天板を開放することにより、処理
室内のメンテナンスを行っていた。しかし、処理室内の
内壁に損傷などが生じた場合に、その修復は非常に困難
であるという問題があった。
ように、上部電極１２を成す処理室の天板が開放自在に
構成されており、この天板を開放することにより、処理
室内のメンテナンスを行っていた。しかし、処理室内の
内壁に損傷などが生じた場合に、その修復は非常に困難
であるという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来のプラズマ処理装置が有する問題点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的は、大口径化あるいは大型化
した被処理体にも対応可能なように高い有効排気速度を
確保することが可能であり、さらに、処理室内にプラズ
マを効果的に封じ込めることが可能であり、さらにま
た、処理室内のメンテナンスも容易な新規かつ改良され
たプラズマ処理装置を提供することを目的としている。
な従来のプラズマ処理装置が有する問題点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的は、大口径化あるいは大型化
した被処理体にも対応可能なように高い有効排気速度を
確保することが可能であり、さらに、処理室内にプラズ
マを効果的に封じ込めることが可能であり、さらにま
た、処理室内のメンテナンスも容易な新規かつ改良され
たプラズマ処理装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明は、処理室内に上部電極と下
部電極を対向配置し、少なくとも上部電極と下部電極の
いずれか一方に高周波電力を印加して処理ガスをプラズ
マ化し、下部電極上に載置された被処理体に対して処理
を施すプラズマ処理装置において、処理室の上部に処理
室に連通するとともに少なくとも１の上部真空排気系を
有する上部排気室を設け、処理室の下部に処理室に連通
するとともに少なくとも１の下部真空排気系を有する下
部排気室を設けたことを特徴としている。かかる構成に
より、処理室の上部と下部から別系統の真空排気系を用
いて処理室内を真空排気することができるので、処理室
の容積が増えた場合であっても、処理室と上部および下
部排気室との間に設けられる多孔板（バッフル板）のコ
ンダクタンスにかかわらず、十分な有効排気速度を確保
できる。
に、請求項１に記載の発明は、処理室内に上部電極と下
部電極を対向配置し、少なくとも上部電極と下部電極の
いずれか一方に高周波電力を印加して処理ガスをプラズ
マ化し、下部電極上に載置された被処理体に対して処理
を施すプラズマ処理装置において、処理室の上部に処理
室に連通するとともに少なくとも１の上部真空排気系を
有する上部排気室を設け、処理室の下部に処理室に連通
するとともに少なくとも１の下部真空排気系を有する下
部排気室を設けたことを特徴としている。かかる構成に
より、処理室の上部と下部から別系統の真空排気系を用
いて処理室内を真空排気することができるので、処理室
の容積が増えた場合であっても、処理室と上部および下
部排気室との間に設けられる多孔板（バッフル板）のコ
ンダクタンスにかかわらず、十分な有効排気速度を確保
できる。
【０００８】なお上記プラズマ処理装置において、請求
項２に記載のように、上部真空排気系および下部真空排
気系は、選択的にまたは同期して駆動することが可能で
あるように構成することが好ましい。かかる構成によれ
ば、要求される有効排気速度が小さい場合には一方の真
空排気系のみを選択的に駆動し、要求される有効排気速
度が大きい場合には両方の真空排気系を同期させて駆動
できるので、システムを柔軟に運用することが可能とな
る。
項２に記載のように、上部真空排気系および下部真空排
気系は、選択的にまたは同期して駆動することが可能で
あるように構成することが好ましい。かかる構成によれ
ば、要求される有効排気速度が小さい場合には一方の真
空排気系のみを選択的に駆動し、要求される有効排気速
度が大きい場合には両方の真空排気系を同期させて駆動
できるので、システムを柔軟に運用することが可能とな
る。
【０００９】また上記プラズマ処理装置において、処理
室には、請求項３に記載のように、少なくとも２以上の
処理ガス供給系が配されており、処理ガス供給系は選択
的にまたは同期して駆動することが可能であるように構
成することが好ましい。かかる構成によれば、被処理体
の大口径化／大型化により処理室の容量が増えた場合で
あっても、また上記構成により有効排気速度を高めた場
合であっても、処理室内に十分な処理ガスを供給するこ
とができる。
室には、請求項３に記載のように、少なくとも２以上の
処理ガス供給系が配されており、処理ガス供給系は選択
的にまたは同期して駆動することが可能であるように構
成することが好ましい。かかる構成によれば、被処理体
の大口径化／大型化により処理室の容量が増えた場合で
あっても、また上記構成により有効排気速度を高めた場
合であっても、処理室内に十分な処理ガスを供給するこ
とができる。
【００１０】さらに、上記プラズマ処理装置において、
各真空排気系および／または処理ガス供給系は、少なく
とも上部排気室と下部排気室のいずれか一方に設置され
た圧力センサの出力に応じて駆動制御されるように構成
することが好ましい。本発明によれば、上部排気室と下
部排気室との２つの排気室が設けられるが、発明者らの
知見によれば、各真空排気系を同期して駆動させれば、
必ずしも各排気室に圧力センサを設ける必要はなく、い
ずれかの排気室に設けたセンサの出力により、各真空排
気系および／または処理ガス供給系の駆動制御すれば、
十分な効果を得ることが可能である。
各真空排気系および／または処理ガス供給系は、少なく
とも上部排気室と下部排気室のいずれか一方に設置され
た圧力センサの出力に応じて駆動制御されるように構成
することが好ましい。本発明によれば、上部排気室と下
部排気室との２つの排気室が設けられるが、発明者らの
知見によれば、各真空排気系を同期して駆動させれば、
必ずしも各排気室に圧力センサを設ける必要はなく、い
ずれかの排気室に設けたセンサの出力により、各真空排
気系および／または処理ガス供給系の駆動制御すれば、
十分な効果を得ることが可能である。
【００１１】上記課題を解決するために、請求項５に記
載の発明は、上部電極と下部電極が対向配置され少なく
とも上部電極と下部電極のいずれか一方に高周波電力を
印加して処理ガスをプラズマ化し下部電極上に載置され
た被処理体に対して処理を施す処理室と、処理室の上部
にあって処理室に連通するとともに少なくとも１の上部
真空排気系を備えた上部排気室と、処理室の下部にあっ
て処理室に連通するとともに少なくとも１の下部真空排
気系を備えた下部排気室とを備えたプラズマ処理装置に
おいて、上部排気室と、下部電極を除く処理室と、下部
電極を含む下部排気室とは、それぞれ分離可能であるよ
うに構成されたことを特徴としている。かかる構成によ
れば、清掃や部品の交換などのメンテナンスを従来装置
に比較して容易にかつ迅速に行うことができる。
載の発明は、上部電極と下部電極が対向配置され少なく
とも上部電極と下部電極のいずれか一方に高周波電力を
印加して処理ガスをプラズマ化し下部電極上に載置され
た被処理体に対して処理を施す処理室と、処理室の上部
にあって処理室に連通するとともに少なくとも１の上部
真空排気系を備えた上部排気室と、処理室の下部にあっ
て処理室に連通するとともに少なくとも１の下部真空排
気系を備えた下部排気室とを備えたプラズマ処理装置に
おいて、上部排気室と、下部電極を除く処理室と、下部
電極を含む下部排気室とは、それぞれ分離可能であるよ
うに構成されたことを特徴としている。かかる構成によ
れば、清掃や部品の交換などのメンテナンスを従来装置
に比較して容易にかつ迅速に行うことができる。
【００１２】そして、かかるプラズマ処理装置は、請求
項６に記載のように、下部排気室は固定されており、上
部排気室は、上部真空排気系とともに、昇降機構により
処理室および下部排気室に対して昇降自在であるととも
に、回転機構により天地逆転可能であるように構成され
ていることが好ましく、さらに、下部電極を除く処理室
は、請求項７に記載のように、上部排気室と下部電極を
含む下部排気室とから着脱自在であることが好ましい。
かかる構成によれば、より一層、処理装置のメンテナン
スの便宜を図ることが可能となる。
項６に記載のように、下部排気室は固定されており、上
部排気室は、上部真空排気系とともに、昇降機構により
処理室および下部排気室に対して昇降自在であるととも
に、回転機構により天地逆転可能であるように構成され
ていることが好ましく、さらに、下部電極を除く処理室
は、請求項７に記載のように、上部排気室と下部電極を
含む下部排気室とから着脱自在であることが好ましい。
かかる構成によれば、より一層、処理装置のメンテナン
スの便宜を図ることが可能となる。
【００１３】また、上記プラズマ処理装置において、請
求項８に記載のように、処理室は、下部電極を除く部分
の電位が実質的に等価となるように、下部電極を除き一
体成型されていることが好ましく、さらに、請求項９に
記載のように、少なくとも下部電極を除く処理室の内壁
は被膜でコーティングされており、その被膜は、被覆の
損傷が発見されたときに、または所定ロットの処理ごと
に、または所定の時間経過ごとに再コーティングされる
ように構成することができる。
求項８に記載のように、処理室は、下部電極を除く部分
の電位が実質的に等価となるように、下部電極を除き一
体成型されていることが好ましく、さらに、請求項９に
記載のように、少なくとも下部電極を除く処理室の内壁
は被膜でコーティングされており、その被膜は、被覆の
損傷が発見されたときに、または所定ロットの処理ごと
に、または所定の時間経過ごとに再コーティングされる
ように構成することができる。
【００１４】上記課題を解決するために、さらに請求項
１０に記載の発明は、処理室内に上部電極と下部電極が
対向配置され、少なくとも上部電極と下部電極のいずれ
か一方に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化
し、下部電極上に載置された被処理体に対して処理を施
すプラズマ処理装置において、処理室は、下部電極を除
く部分の電位が実質的に等価となるように、下部電極を
除き一体成型されていることを特徴としている。かかる
構成によれば、従来の処理室のように、プラズマが電位
の低い方に流れる傾向を防止できるので、より効果的に
プラズマを処理空間に閉じ込め、処理速度を向上させる
ことができる。
１０に記載の発明は、処理室内に上部電極と下部電極が
対向配置され、少なくとも上部電極と下部電極のいずれ
か一方に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化
し、下部電極上に載置された被処理体に対して処理を施
すプラズマ処理装置において、処理室は、下部電極を除
く部分の電位が実質的に等価となるように、下部電極を
除き一体成型されていることを特徴としている。かかる
構成によれば、従来の処理室のように、プラズマが電位
の低い方に流れる傾向を防止できるので、より効果的に
プラズマを処理空間に閉じ込め、処理速度を向上させる
ことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら本
発明にかかるプラズマ処理装置の実施の一形態について
添付図面を参照しながら詳細に説明する。
発明にかかるプラズマ処理装置の実施の一形態について
添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】図１には、本実施の形態にかかるプラズマ
処理装置をエッチング装置１００に適用した実施の一形
態の断面を模式的に示した断面図である。このエッチン
グ装置１００は、処理室ＰＣを中心に、その上部に上部
排気室ＵＣ、その下部に下部排気室ＤＣを備えている。
これらの処理室ＰＣ、上部排気室ＵＣ、下部排気室ＤＣ
は相互に分離可能であり、図２には、本エッチング装置
１００を分離した状態の略断面図を示す。
処理装置をエッチング装置１００に適用した実施の一形
態の断面を模式的に示した断面図である。このエッチン
グ装置１００は、処理室ＰＣを中心に、その上部に上部
排気室ＵＣ、その下部に下部排気室ＤＣを備えている。
これらの処理室ＰＣ、上部排気室ＵＣ、下部排気室ＤＣ
は相互に分離可能であり、図２には、本エッチング装置
１００を分離した状態の略断面図を示す。
【００１７】まず処理室ＰＣの構造から説明すると、処
理室ＰＣは、アルミニウムなどの導電性材料を略円筒形
状に一体成型して成り、その内面は陽極酸化処理が施さ
れている。さらに、本実施の形態によれば、陽極酸化膜
の表面にコーティングが施されており、陽極酸化面が保
護されている。このコーティング材料としてはＰＢＩ
（ポリベンズイミダゾール）やポリイミド樹脂などを用
いることができる。後述するように、処理室ＰＣは、エ
ッチング装置１００から自在に取り外すことができるの
で、容易に再コーティング処理を行うことができる。し
たがって、上記コーティング材料に損傷が発見された場
合、あるいは所定ロットの処理後に、あるいは所定時間
経過後に、処理室ＰＣに対して再コーティング処理を施
すことにより、プラズマによる処理室ＰＣの損傷を防止
し、損傷箇所からのコンタミネーションの発生を防止す
ると共に、処理室ＰＣの寿命を延長することが可能とな
る。
理室ＰＣは、アルミニウムなどの導電性材料を略円筒形
状に一体成型して成り、その内面は陽極酸化処理が施さ
れている。さらに、本実施の形態によれば、陽極酸化膜
の表面にコーティングが施されており、陽極酸化面が保
護されている。このコーティング材料としてはＰＢＩ
（ポリベンズイミダゾール）やポリイミド樹脂などを用
いることができる。後述するように、処理室ＰＣは、エ
ッチング装置１００から自在に取り外すことができるの
で、容易に再コーティング処理を行うことができる。し
たがって、上記コーティング材料に損傷が発見された場
合、あるいは所定ロットの処理後に、あるいは所定時間
経過後に、処理室ＰＣに対して再コーティング処理を施
すことにより、プラズマによる処理室ＰＣの損傷を防止
し、損傷箇所からのコンタミネーションの発生を防止す
ると共に、処理室ＰＣの寿命を延長することが可能とな
る。
【００１８】処理室ＰＣの天井部１０２は、上部電極を
成すとともに、処理ガスの供給部を成すもので、その略
中央部表面（被処理体の対向面）には、図３に示すよう
に、多数のガス供給孔１０４が穿設されている。このガ
ス供給孔１０４は、組立時に、上部排気室ＵＣの略中央
を貫通する処理ガス供給管１０６と連通し、処理ガス源
１０８より流量制御装置（ＭＦＣ）により流量制御され
た処理ガスを、処理室内に均一に吹き出すことができ
る。なお、図３は、処理室ＰＣを図２のＡ−Ａ線で切断
して、処理室ＰＣの天井部１０２を処理室ＰＣ側から上
部排気室ＵＣ側に見た断面図である。また、処理ガス供
給管１０６の下端１０６ａは皿状にガス供給孔１０４が
穿設された領域を覆うように水平方向に展開しており、
その縁部分１０６ｂは、組立時に上記天井部１０２の上
面に気密に当接して、ガス供給孔１０４領域への処理ガ
ス供給系を構成する。処理ガスとしては、プラズマ処理
の種類に応じて各種ガスを使用することが可能であり、
例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のエッチングを行う
場合は、ＣＦ系のガス、例えばＣＦ４やＣＨＦ３などの
エッチングガスを使用することができる。
成すとともに、処理ガスの供給部を成すもので、その略
中央部表面（被処理体の対向面）には、図３に示すよう
に、多数のガス供給孔１０４が穿設されている。このガ
ス供給孔１０４は、組立時に、上部排気室ＵＣの略中央
を貫通する処理ガス供給管１０６と連通し、処理ガス源
１０８より流量制御装置（ＭＦＣ）により流量制御され
た処理ガスを、処理室内に均一に吹き出すことができ
る。なお、図３は、処理室ＰＣを図２のＡ−Ａ線で切断
して、処理室ＰＣの天井部１０２を処理室ＰＣ側から上
部排気室ＵＣ側に見た断面図である。また、処理ガス供
給管１０６の下端１０６ａは皿状にガス供給孔１０４が
穿設された領域を覆うように水平方向に展開しており、
その縁部分１０６ｂは、組立時に上記天井部１０２の上
面に気密に当接して、ガス供給孔１０４領域への処理ガ
ス供給系を構成する。処理ガスとしては、プラズマ処理
の種類に応じて各種ガスを使用することが可能であり、
例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のエッチングを行う
場合は、ＣＦ系のガス、例えばＣＦ４やＣＨＦ３などの
エッチングガスを使用することができる。
【００１９】さらに上記天井部１０２の外周部にも、図
３に示すように、組立時に処理室ＰＣと上部排気室ＵＣ
とを連通する多数の上部排気孔１１２ａが穿設された上
部バッフル板１１２が設置されている。この上部排気孔
１１２ａの孔径および上部バッフル板１１２の設置面積
は、上部排気室ＵＣへのプラズマの回り込みを防止する
とともに、必要な有効排気量を確保するために、排気時
のコンダクタンスが高くならないように設計されてい
る。
３に示すように、組立時に処理室ＰＣと上部排気室ＵＣ
とを連通する多数の上部排気孔１１２ａが穿設された上
部バッフル板１１２が設置されている。この上部排気孔
１１２ａの孔径および上部バッフル板１１２の設置面積
は、上部排気室ＵＣへのプラズマの回り込みを防止する
とともに、必要な有効排気量を確保するために、排気時
のコンダクタンスが高くならないように設計されてい
る。
【００２０】また処理室ＰＣの底部中央には、図２に示
すように、分解時には、下部排気室ＤＣの一部を成す
が、組立時には、図１に示すように処理室ＰＣの一部を
成す下部電極１１４が配されている。この下部電極１１
４は、図１および図４に示すように、半導体ウェハＷな
どの被処理体を載置することができるもので、サセプタ
とも称されるものである。なお、図４は、処理室ＰＣを
図２のＡ−Ａ線で切断して、処理室ＰＣの底部を処理室
ＰＣ側から下部排気室ＤＣ側に見た断面図である。この
サセプタ１１４は、セラミックなどの絶縁板１１５を介
して、後述する下部排気室ＤＣの中央部を貫通する昇降
軸１１６によって支持されており、この昇降軸１１６
は、不図示の外部モータにより、上下動自在となってい
る。したがって、被処理体Ｗを処理室ＰＣに搬入搬出す
る際には、サセプタ１１４は下部排気室ＤＣの側壁に設
けられたゲートバルブ１１６の位置まで下降し、処理時
には、後述する下部バッフル板１１８の上面と略同一面
を成す処理位置まで上昇する。なお処理室ＰＣおよび下
部排気室ＤＣの機密性を確保するために、サセプタ１１
４は下部排気室ＤＣの底部との間には、昇降軸１１６の
外方を囲むように伸縮自在な気密部材、例えばベローズ
１２０が設けられている。また昇降軸１１６の内部には
サセプタ１１４に連通する給電経路１１３が設けられて
おり、処理時には、高周波電源１１７より、例えば１
３．５６ＭＨｚの高周波を下部電極１１４に印加し、処
理室ＰＣ内に導入された処理ガスをプラズマ化し、被処
理体Ｗに対して所定のプラズマ処理を施すことができ
る。
すように、分解時には、下部排気室ＤＣの一部を成す
が、組立時には、図１に示すように処理室ＰＣの一部を
成す下部電極１１４が配されている。この下部電極１１
４は、図１および図４に示すように、半導体ウェハＷな
どの被処理体を載置することができるもので、サセプタ
とも称されるものである。なお、図４は、処理室ＰＣを
図２のＡ−Ａ線で切断して、処理室ＰＣの底部を処理室
ＰＣ側から下部排気室ＤＣ側に見た断面図である。この
サセプタ１１４は、セラミックなどの絶縁板１１５を介
して、後述する下部排気室ＤＣの中央部を貫通する昇降
軸１１６によって支持されており、この昇降軸１１６
は、不図示の外部モータにより、上下動自在となってい
る。したがって、被処理体Ｗを処理室ＰＣに搬入搬出す
る際には、サセプタ１１４は下部排気室ＤＣの側壁に設
けられたゲートバルブ１１６の位置まで下降し、処理時
には、後述する下部バッフル板１１８の上面と略同一面
を成す処理位置まで上昇する。なお処理室ＰＣおよび下
部排気室ＤＣの機密性を確保するために、サセプタ１１
４は下部排気室ＤＣの底部との間には、昇降軸１１６の
外方を囲むように伸縮自在な気密部材、例えばベローズ
１２０が設けられている。また昇降軸１１６の内部には
サセプタ１１４に連通する給電経路１１３が設けられて
おり、処理時には、高周波電源１１７より、例えば１
３．５６ＭＨｚの高周波を下部電極１１４に印加し、処
理室ＰＣ内に導入された処理ガスをプラズマ化し、被処
理体Ｗに対して所定のプラズマ処理を施すことができ
る。
【００２１】さらにサセプタ１１４は、表面が陽極酸化
処理されたアルミニウムからなり、その内部には、温度
調節手段、例えばセラミックヒータなどの加熱手段（図
示せず）や、外部の冷媒源（図示せず）との間で冷媒を
循環させるための冷媒循環路（図示せず）が設けられて
おり、サセプタ１１４上に載置される被処理体Ｗを所定
温度に維持することが可能なように構成されている。ま
たかかる温度は、温度センサ（図示せず）、および温度
制御機構（図示せず）によって自動的に制御される構成
となっている。また上記サセプタ１１４の載置面には、
被処理体Ｗをサセプタ１１４上に固定するための静電チ
ャック（図示せず）や機械的なクランプ機構（図示せ
ず）が設けられている。
処理されたアルミニウムからなり、その内部には、温度
調節手段、例えばセラミックヒータなどの加熱手段（図
示せず）や、外部の冷媒源（図示せず）との間で冷媒を
循環させるための冷媒循環路（図示せず）が設けられて
おり、サセプタ１１４上に載置される被処理体Ｗを所定
温度に維持することが可能なように構成されている。ま
たかかる温度は、温度センサ（図示せず）、および温度
制御機構（図示せず）によって自動的に制御される構成
となっている。また上記サセプタ１１４の載置面には、
被処理体Ｗをサセプタ１１４上に固定するための静電チ
ャック（図示せず）や機械的なクランプ機構（図示せ
ず）が設けられている。
【００２２】さらに上記サセプタ１１４の周囲には、図
４に示すように、組立時に処理室ＰＣと下部排気室ＤＣ
とを連通する多数の下部排気孔１１８ａが穿設された下
部バッフル板１１８が設置されている。この下部排気孔
１１８ａの孔径および下部バッフル板１１８の設置面積
についても、上部排気孔１１２ａおよび上部バッフル板
１１２と同様に、下部排気室ＤＣへのプラズマの回り込
みを防止するとともに、必要な有効排気量を確保するた
めに、排気時のコンダクタンスが高くならないように設
計されている。また、上記バッフル板１１８の内周部に
石英などからなるフォーカスリングを設けて、プラズマ
を被処理体Ｗに効果的に入射させる構成とすることもで
きる。
４に示すように、組立時に処理室ＰＣと下部排気室ＤＣ
とを連通する多数の下部排気孔１１８ａが穿設された下
部バッフル板１１８が設置されている。この下部排気孔
１１８ａの孔径および下部バッフル板１１８の設置面積
についても、上部排気孔１１２ａおよび上部バッフル板
１１２と同様に、下部排気室ＤＣへのプラズマの回り込
みを防止するとともに、必要な有効排気量を確保するた
めに、排気時のコンダクタンスが高くならないように設
計されている。また、上記バッフル板１１８の内周部に
石英などからなるフォーカスリングを設けて、プラズマ
を被処理体Ｗに効果的に入射させる構成とすることもで
きる。
【００２３】以上、組立時に処理室ＰＣを構成する上部
電極１０４、下部電極１１４、上部バッフル板１１２、
下部バッフル板１１８などについて説明したが、本実施
の形態によれば、図２に示すように、分解時には、処理
室ＰＣは、下部電極（サセプタ）１１４を除き一体物を
成すように構成されている。かかる構成により、メンテ
ナンスが容易になるばかりでなく、下部電極（サセプ
タ）１１４を除く部分の電位が均一化されるので、従来
の装置のように、処理室ＰＣ内に生成した反応性プラズ
マが、電位の低い方に流れる現象を効果的に防止し、プ
ラズマを処理空間（被処理体Ｗの上部空間）に閉じ込め
ることが可能となり、その結果、処理速度の向上を図る
ことが可能となる。
電極１０４、下部電極１１４、上部バッフル板１１２、
下部バッフル板１１８などについて説明したが、本実施
の形態によれば、図２に示すように、分解時には、処理
室ＰＣは、下部電極（サセプタ）１１４を除き一体物を
成すように構成されている。かかる構成により、メンテ
ナンスが容易になるばかりでなく、下部電極（サセプ
タ）１１４を除く部分の電位が均一化されるので、従来
の装置のように、処理室ＰＣ内に生成した反応性プラズ
マが、電位の低い方に流れる現象を効果的に防止し、プ
ラズマを処理空間（被処理体Ｗの上部空間）に閉じ込め
ることが可能となり、その結果、処理速度の向上を図る
ことが可能となる。
【００２４】次に、上部排気室ＵＣの構成について説明
すると、この上部排気室ＵＣは、処理室ＰＣと同様に略
円筒形状をしており、例えばアルミニウムから構成さ
れ、その内壁面には陽極酸化処理が施されている。また
この上部排気室ＵＣは処理室ＰＣの上部に気密に嵌合す
るように構成されており、組立時に、処理室ＰＣ内と上
部排気室ＵＣ内とは、上部バッフル板１１２の上部排気
孔１１２ａを介して相互に連通する。また、すでに説明
したように、上部排気室ＵＣの略中央には処理ガス供給
管１０６が貫通しており、処理室ＰＣの上部電極１０２
に穿設された処理ガス供給孔１０４より所定の処理ガス
を処理室ＰＣ内に供給することができる。また上部排気
室ＵＣには、流量調整弁１２２を介してターボポンプ１
２４からなる上部真空排気系が接続されており、上部排
気孔１１２ａを介して処理室ＰＣ内を排気することがで
きる。なお、上部真空排気系の駆動タイミングおよび排
気量は、後述するように、下部排気室ＤＣに設けられた
圧力センサ１２６からの出力を受けた制御器１２８によ
り制御される。
すると、この上部排気室ＵＣは、処理室ＰＣと同様に略
円筒形状をしており、例えばアルミニウムから構成さ
れ、その内壁面には陽極酸化処理が施されている。また
この上部排気室ＵＣは処理室ＰＣの上部に気密に嵌合す
るように構成されており、組立時に、処理室ＰＣ内と上
部排気室ＵＣ内とは、上部バッフル板１１２の上部排気
孔１１２ａを介して相互に連通する。また、すでに説明
したように、上部排気室ＵＣの略中央には処理ガス供給
管１０６が貫通しており、処理室ＰＣの上部電極１０２
に穿設された処理ガス供給孔１０４より所定の処理ガス
を処理室ＰＣ内に供給することができる。また上部排気
室ＵＣには、流量調整弁１２２を介してターボポンプ１
２４からなる上部真空排気系が接続されており、上部排
気孔１１２ａを介して処理室ＰＣ内を排気することがで
きる。なお、上部真空排気系の駆動タイミングおよび排
気量は、後述するように、下部排気室ＤＣに設けられた
圧力センサ１２６からの出力を受けた制御器１２８によ
り制御される。
【００２５】次に、下部排気室ＤＣの構成について説明
すると、この下部排気室ＤＣの上部は、処理室ＰＣと同
様に略円筒形状をしており、サセプタ１１４の昇降機構
などの駆動部が収容される下部は、略矩形形状をしてい
る（図５参照）。また下部排気室ＤＣも、上部排気室Ｕ
Ｃと同様に、例えばアルミニウムから構成され、その内
壁面には陽極酸化処理が施されている。またこの下部排
気室ＤＣは処理室ＰＣの下部に気密に嵌合するように構
成されており、組立時に、処理室ＰＣ内と下部排気室Ｄ
Ｃ内とは、下部バッフル板１１８の下部排気孔１１８ａ
を介して相互に連通する。また、すでに説明したよう
に、下部排気室ＵＣの略中央には、上下動可能なサセプ
タ１１４が収容されている。また下部排気室ＤＣの略矩
形の下部の一方壁には、被処理体Ｗの搬入搬出を行うた
めのゲートバルブ１１６が設けられている。このゲート
バルブ１１６は、不図示のロードロック室に連通してお
り、このゲートバルブ１１６を介して不図示の搬送アー
ム等の搬送機構により被処理体Ｗをエッチング装置１０
０に対して搬入搬出するものである。なお、被処理体Ｗ
の搬入搬出時には、サセプタ１１４はその上面がゲート
バルブ１１６の位置になるまで下降される。また下部排
気室ＤＣには、流量調整弁１３０を介してターボポンプ
１３２からなる下部真空排気系が接続されており、下部
排気孔１１８ａを介して処理室ＰＣ内を排気することが
できる。また下部排気室ＤＣには、圧力センサ１２６が
設けられており、その圧力センサ１２６からの出力に応
じて制御器１２８は、上部および下部真空排気系の駆動
タイミングおよび排気量、並びに処理ガス供給量を制御
する。
すると、この下部排気室ＤＣの上部は、処理室ＰＣと同
様に略円筒形状をしており、サセプタ１１４の昇降機構
などの駆動部が収容される下部は、略矩形形状をしてい
る（図５参照）。また下部排気室ＤＣも、上部排気室Ｕ
Ｃと同様に、例えばアルミニウムから構成され、その内
壁面には陽極酸化処理が施されている。またこの下部排
気室ＤＣは処理室ＰＣの下部に気密に嵌合するように構
成されており、組立時に、処理室ＰＣ内と下部排気室Ｄ
Ｃ内とは、下部バッフル板１１８の下部排気孔１１８ａ
を介して相互に連通する。また、すでに説明したよう
に、下部排気室ＵＣの略中央には、上下動可能なサセプ
タ１１４が収容されている。また下部排気室ＤＣの略矩
形の下部の一方壁には、被処理体Ｗの搬入搬出を行うた
めのゲートバルブ１１６が設けられている。このゲート
バルブ１１６は、不図示のロードロック室に連通してお
り、このゲートバルブ１１６を介して不図示の搬送アー
ム等の搬送機構により被処理体Ｗをエッチング装置１０
０に対して搬入搬出するものである。なお、被処理体Ｗ
の搬入搬出時には、サセプタ１１４はその上面がゲート
バルブ１１６の位置になるまで下降される。また下部排
気室ＤＣには、流量調整弁１３０を介してターボポンプ
１３２からなる下部真空排気系が接続されており、下部
排気孔１１８ａを介して処理室ＰＣ内を排気することが
できる。また下部排気室ＤＣには、圧力センサ１２６が
設けられており、その圧力センサ１２６からの出力に応
じて制御器１２８は、上部および下部真空排気系の駆動
タイミングおよび排気量、並びに処理ガス供給量を制御
する。
【００２６】なお、上部真空排気系および下部真空排気
系を同時に駆動する場合には、制御器１２８により、駆
動タイミングが同期するように制御される。また、要求
される有効排気速度が余り高くないような場合には、い
ずれか一方の真空排気系を選択的に駆動することができ
る。
系を同時に駆動する場合には、制御器１２８により、駆
動タイミングが同期するように制御される。また、要求
される有効排気速度が余り高くないような場合には、い
ずれか一方の真空排気系を選択的に駆動することができ
る。
【００２７】以上説明したように、本発明にかかるプラ
ズマ処理装置は、上部排気室ＵＣと処理室ＰＣと下部排
気室ＤＣとから構成されており、これらの各チャンバを
分離させることが可能な点に最大の特徴を有している。
すなわち、これらの各チャンバを分離可能に構成するこ
とにより、従来の装置に比較して、メンテナンスを遥か
に容易にかつ迅速に行うことができる。特に、本発明に
よれば、処理室ＰＣを一体的に構成することにより、下
部電極１１４を除く処理室ＰＣの電位差をなくし、プラ
ズマの封じ込めを促進することが可能となるとともに、
処理室ＰＣ自体を装置から容易に取り外すことが可能と
なり、プラズマ処理により損傷を受けやすい処理室ＰＣ
内のメンテナンスを容易に行うことができる。そして、
すでに説明したように、処理室ＰＣの内壁を構成する陽
極酸化膜の表面にさらにコーティングを施した場合に
は、このコーティング材料に損傷が発見された時に、あ
るいは所定ロットの処理後に、あるいは所定時間経過後
に、取り外した処理室ＰＣに対して再コーティング処理
を容易に施すことが可能となる。
ズマ処理装置は、上部排気室ＵＣと処理室ＰＣと下部排
気室ＤＣとから構成されており、これらの各チャンバを
分離させることが可能な点に最大の特徴を有している。
すなわち、これらの各チャンバを分離可能に構成するこ
とにより、従来の装置に比較して、メンテナンスを遥か
に容易にかつ迅速に行うことができる。特に、本発明に
よれば、処理室ＰＣを一体的に構成することにより、下
部電極１１４を除く処理室ＰＣの電位差をなくし、プラ
ズマの封じ込めを促進することが可能となるとともに、
処理室ＰＣ自体を装置から容易に取り外すことが可能と
なり、プラズマ処理により損傷を受けやすい処理室ＰＣ
内のメンテナンスを容易に行うことができる。そして、
すでに説明したように、処理室ＰＣの内壁を構成する陽
極酸化膜の表面にさらにコーティングを施した場合に
は、このコーティング材料に損傷が発見された時に、あ
るいは所定ロットの処理後に、あるいは所定時間経過後
に、取り外した処理室ＰＣに対して再コーティング処理
を容易に施すことが可能となる。
【００２８】次に、本実施の形態にかかるエッチング装
置１００の各チャンバを分離する機構２００およびその
動作について、図５および図６を参照しながら説明す
る。図５に示すように、本エッチング装置１００の上部
排気室ＵＣは、２本のアーム２０２に固定されている。
そして、アーム２０２は、昇降機構２０４に回転自在に
取り付けられたベース２０６に固定されている。昇降機
構２０４は、駆動モータ２０８によりボールネジ２１０
を回転させることにより、昇降軸２１０に沿って上下動
可能に構成されている。
置１００の各チャンバを分離する機構２００およびその
動作について、図５および図６を参照しながら説明す
る。図５に示すように、本エッチング装置１００の上部
排気室ＵＣは、２本のアーム２０２に固定されている。
そして、アーム２０２は、昇降機構２０４に回転自在に
取り付けられたベース２０６に固定されている。昇降機
構２０４は、駆動モータ２０８によりボールネジ２１０
を回転させることにより、昇降軸２１０に沿って上下動
可能に構成されている。
【００２９】メンテナンス時などにエッチング装置１０
０を分解する場合には、まず、昇降機構２０４を上昇さ
せ、上部排気室ＵＣを処理室ＰＣおよび下部排気室ＤＣ
から分離させた後、図６に示すように、ベース２０６を
回転させ、上部排気室ＵＣの天地を逆転させる。このよ
うに、上部排気室ＵＣの天地を逆転させることにより、
上部排気室ＵＣの内部の清掃等を容易に行うことができ
る。なお、図示の例では、上部排気室ＵＣに取り付けら
れるターボポンプ１２４（図１）は省略されているが、
本機構２００によれば、ターボポンプ１２４も上部排気
室ＵＣと一緒に上昇させ、さらに回転させることができ
る。もちろん、ターボポンプ１２４を上部排気室ＵＣか
ら取り外した後に、上部排気室ＵＣを処理室ＰＣおよび
下部排気室ＤＣから分離させることも可能である。
０を分解する場合には、まず、昇降機構２０４を上昇さ
せ、上部排気室ＵＣを処理室ＰＣおよび下部排気室ＤＣ
から分離させた後、図６に示すように、ベース２０６を
回転させ、上部排気室ＵＣの天地を逆転させる。このよ
うに、上部排気室ＵＣの天地を逆転させることにより、
上部排気室ＵＣの内部の清掃等を容易に行うことができ
る。なお、図示の例では、上部排気室ＵＣに取り付けら
れるターボポンプ１２４（図１）は省略されているが、
本機構２００によれば、ターボポンプ１２４も上部排気
室ＵＣと一緒に上昇させ、さらに回転させることができ
る。もちろん、ターボポンプ１２４を上部排気室ＵＣか
ら取り外した後に、上部排気室ＵＣを処理室ＰＣおよび
下部排気室ＤＣから分離させることも可能である。
【００３０】このようにして、上部排気室ＵＣを処理室
ＰＣおよび下部排気室ＤＣから分離させた後、図６に示
すように、処理室ＰＣを下部排気室ＤＣから取り外す。
図示の例では、処理室ＰＣの取り外しを、メンテナンス
要員が手動で行う構成が示されているが、もちろんロボ
ットアーム等を用いて自動的に取り外しを行うように構
成してもよい。メンテナンス終了後の組立は、分解動作
と逆順で行うことが可能なので、その詳細な説明は省略
する。
ＰＣおよび下部排気室ＤＣから分離させた後、図６に示
すように、処理室ＰＣを下部排気室ＤＣから取り外す。
図示の例では、処理室ＰＣの取り外しを、メンテナンス
要員が手動で行う構成が示されているが、もちろんロボ
ットアーム等を用いて自動的に取り外しを行うように構
成してもよい。メンテナンス終了後の組立は、分解動作
と逆順で行うことが可能なので、その詳細な説明は省略
する。
【００３１】次に、本実施の形態にかかるエッチング装
置１００により、半導体ウェハＷの酸化膜（ＳｉＯ２）
に対してエッチング処理を施す場合の動作について簡単
に説明する。なお、エッチング装置１００の上部排気室
ＵＣ、処理室ＰＣおよび下部排気室ＤＣは、すでに気密
に組み立てられているものとする。
置１００により、半導体ウェハＷの酸化膜（ＳｉＯ２）
に対してエッチング処理を施す場合の動作について簡単
に説明する。なお、エッチング装置１００の上部排気室
ＵＣ、処理室ＰＣおよび下部排気室ＤＣは、すでに気密
に組み立てられているものとする。
【００３２】まず、サセプタ１１４をゲートバルブ１１
６の位置にまで下降させた後、ロードロック室（図示せ
ず）に連通するゲートバルブ１１６を開放し、搬送アー
ム（図示せず）により、ウェハＷが下部排気室ＤＣ内の
サセプタ１１４上に載置され、静電チャック（図示せ
ず）によりサセプタ１１４上に吸着保持される。次い
で、搬送アームが下部排気室ＤＣから待避したことを確
認した後、ゲートバルブ１１６が閉止される。そしてサ
セプタ１１４は、処理位置（図１に示す位置）にまで上
昇される。
６の位置にまで下降させた後、ロードロック室（図示せ
ず）に連通するゲートバルブ１１６を開放し、搬送アー
ム（図示せず）により、ウェハＷが下部排気室ＤＣ内の
サセプタ１１４上に載置され、静電チャック（図示せ
ず）によりサセプタ１１４上に吸着保持される。次い
で、搬送アームが下部排気室ＤＣから待避したことを確
認した後、ゲートバルブ１１６が閉止される。そしてサ
セプタ１１４は、処理位置（図１に示す位置）にまで上
昇される。
【００３３】次いで、上部排気室ＵＣに接続されるター
ボポンプ１２４と下部排気室ＤＣに接続されるターボポ
ンプ１３２を同期駆動し、処理室ＰＣの天井部周囲の上
部排気孔１１２ａおよび底部周囲の下部排気孔１１８ａ
を介して、処理室ＰＣ内を所定の圧力にまで減圧する。
次いで、処理ガス源１０８から流量制御装置１００を介
して、処理ガス、例えばＣＦ４ガスが、処理室ＰＣの上
部電極１０２の下面の処理ガス供給孔１０４から処理室
ＰＣ内に噴出される。なお、処理室ＰＣ内は、下部排気
室１２６に設置された圧力センサの出力を受ける制御器
１２８により、上部真空排気系および下部真空排気系、
並びに処理ガス供給系の動作を調整することにより、所
定の圧力、例えば１０ｍＴｏｒｒに設定、維持される。
この場合、本実施の形態にかかるエッチング装置１００
によれば、処理室ＰＣ内を上下に設置された上部排気室
ＵＣと下部排気室ＤＣの双方から真空排気するので、被
処理体の大口径化および大型化に伴い、処理室ＰＣ内の
容量が大きくなった場合であっても、上部排気孔１１２
ａおよび下部排気孔１１８ａのコンダクタンスにかかわ
らず、処理室ＰＣ内を所定の減圧雰囲気に調整維持する
ことを容易に行うことが可能である。
ボポンプ１２４と下部排気室ＤＣに接続されるターボポ
ンプ１３２を同期駆動し、処理室ＰＣの天井部周囲の上
部排気孔１１２ａおよび底部周囲の下部排気孔１１８ａ
を介して、処理室ＰＣ内を所定の圧力にまで減圧する。
次いで、処理ガス源１０８から流量制御装置１００を介
して、処理ガス、例えばＣＦ４ガスが、処理室ＰＣの上
部電極１０２の下面の処理ガス供給孔１０４から処理室
ＰＣ内に噴出される。なお、処理室ＰＣ内は、下部排気
室１２６に設置された圧力センサの出力を受ける制御器
１２８により、上部真空排気系および下部真空排気系、
並びに処理ガス供給系の動作を調整することにより、所
定の圧力、例えば１０ｍＴｏｒｒに設定、維持される。
この場合、本実施の形態にかかるエッチング装置１００
によれば、処理室ＰＣ内を上下に設置された上部排気室
ＵＣと下部排気室ＤＣの双方から真空排気するので、被
処理体の大口径化および大型化に伴い、処理室ＰＣ内の
容量が大きくなった場合であっても、上部排気孔１１２
ａおよび下部排気孔１１８ａのコンダクタンスにかかわ
らず、処理室ＰＣ内を所定の減圧雰囲気に調整維持する
ことを容易に行うことが可能である。
【００３４】その後、高周波電源１１７より、例えば１
３．５６ＭＨｚの高周波が下部電極１１４に印加され、
処理室ＰＣ内に導入された処理ガスがプラズマ化され
る。この場合、本実施の形態によれば、処理室ＰＣは下
部電極１１４を除いて一体的に構成されているので、処
理室ＰＣ内に電位差が生じにくく、プラズマが低い電位
部分に流れる現象を効果的に回避できる。その結果、プ
ラズマを処理空間に効果的に閉じ込めることが可能とな
り、処理速度を向上させることができる。またエッチン
グ時に処理室ＰＣ内に生成する反応生成物も、本実施の
形態によれば、上下の排気室ＵＣ、ＤＣより適宜排気さ
れるので、一系統の真空排気系のみを備えた従来装置に
比較して、デポの付着も防止できる。
３．５６ＭＨｚの高周波が下部電極１１４に印加され、
処理室ＰＣ内に導入された処理ガスがプラズマ化され
る。この場合、本実施の形態によれば、処理室ＰＣは下
部電極１１４を除いて一体的に構成されているので、処
理室ＰＣ内に電位差が生じにくく、プラズマが低い電位
部分に流れる現象を効果的に回避できる。その結果、プ
ラズマを処理空間に効果的に閉じ込めることが可能とな
り、処理速度を向上させることができる。またエッチン
グ時に処理室ＰＣ内に生成する反応生成物も、本実施の
形態によれば、上下の排気室ＵＣ、ＤＣより適宜排気さ
れるので、一系統の真空排気系のみを備えた従来装置に
比較して、デポの付着も防止できる。
【００３５】以上のようにして所定の処理が終了した
後、高周波電力の印加および処理ガスの供給が停止さ
れ、上下真空排気系の排気速度を調整しながら、処理室
ＰＣ内にパージガスが導入される。そして、所定の圧力
まで昇圧された後、サセプタ１１４が搬出位置にまで下
降される。次いで、ゲートバルブ１１６が開放し、搬送
アームにより処理済みのウェハＷが下部排気室ＤＣから
搬出され、一連の動作を終了する。
後、高周波電力の印加および処理ガスの供給が停止さ
れ、上下真空排気系の排気速度を調整しながら、処理室
ＰＣ内にパージガスが導入される。そして、所定の圧力
まで昇圧された後、サセプタ１１４が搬出位置にまで下
降される。次いで、ゲートバルブ１１６が開放し、搬送
アームにより処理済みのウェハＷが下部排気室ＤＣから
搬出され、一連の動作を終了する。
【００３６】なお、上記エッチング装置１００のメンテ
ナンス時には、上部排気室ＵＣと処理室ＰＣと下部排気
室ＤＣとが分離され、それぞれに対してメンテナンスが
施されるが、これらのチャンバの分離動作については、
図５および図６に関連してすでに説明したので、重複説
明は省略する。
ナンス時には、上部排気室ＵＣと処理室ＰＣと下部排気
室ＤＣとが分離され、それぞれに対してメンテナンスが
施されるが、これらのチャンバの分離動作については、
図５および図６に関連してすでに説明したので、重複説
明は省略する。
【００３７】以上本発明の好適な実施の一形態につい
て、添付図面を参照しながら説明したが、本発明はかか
る例に限定されない。特許請求の範囲に記載された技術
的思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例
および修正例に想到し得るものであり、それらの変更例
および修正例についても本発明の技術的範囲に属するも
のと了解される。
て、添付図面を参照しながら説明したが、本発明はかか
る例に限定されない。特許請求の範囲に記載された技術
的思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例
および修正例に想到し得るものであり、それらの変更例
および修正例についても本発明の技術的範囲に属するも
のと了解される。
【００３８】例えば、真空排気系に関して、上記実施の
形態では、上部排気室および下部排気室にそれぞれ一系
統の真空排気系を接続する構成を示したが、本発明はか
かる例に限定されず、少なくとも上部排気室と下部排気
室にに一系統ずつ真空排気系が接続されていれば、任意
の数の真空排気系を各排気室に接続することが可能であ
る。例えば、より大きな有効排気速度が要求されるよう
な場合には、図７に示すように、下部排気室ＤＣに２つ
の真空排気系Ｐ１、Ｐ２を接続するとともに、上部排気
室ＵＣに１つの真空排気系Ｐ３を接続し、これら３系統
の真空排気系Ｐ１〜Ｐ３を、同期させてあるいは選択的
に駆動するように構成することができる。なお、図７の
基本的構成は、図１〜図６に関連して説明したものと実
質的に変わらないので、実質的に同一の機能構成を有す
る部材については、同一の参照番号を付することにより
重複説明を省略することにする。
形態では、上部排気室および下部排気室にそれぞれ一系
統の真空排気系を接続する構成を示したが、本発明はか
かる例に限定されず、少なくとも上部排気室と下部排気
室にに一系統ずつ真空排気系が接続されていれば、任意
の数の真空排気系を各排気室に接続することが可能であ
る。例えば、より大きな有効排気速度が要求されるよう
な場合には、図７に示すように、下部排気室ＤＣに２つ
の真空排気系Ｐ１、Ｐ２を接続するとともに、上部排気
室ＵＣに１つの真空排気系Ｐ３を接続し、これら３系統
の真空排気系Ｐ１〜Ｐ３を、同期させてあるいは選択的
に駆動するように構成することができる。なお、図７の
基本的構成は、図１〜図６に関連して説明したものと実
質的に変わらないので、実質的に同一の機能構成を有す
る部材については、同一の参照番号を付することにより
重複説明を省略することにする。
【００３９】また、ガス供給系に関して、上記実施の形
態では、処理室ＰＣの上部電極１０２に穿設されたガス
供給孔１０４から処理ガスを供給する一系統のガス供給
系のみが示されていたが、本発明によれば、複数の処理
ガス供給系を設けて、複数箇所から処理室ＰＣ内にガス
を供給するように構成してもよい。かかる構成によれ
ば、被処理体の大口径化および大型化に伴って、処理室
ＰＣの容積が拡大した場合であっても、処理室ＰＣ内に
十分な量の処理ガスを均一に分布させることが可能とな
る。例えば図７に示す例では、図１〜図６に示すガス供
給系に加えて、別のガス供給系１５０が設けられてい
る。このガス供給系１５０は、処理室ＰＣの側壁の外方
にガス供給系路１５２が巡らされており、処理室ＰＣの
側壁に形成された処理ガス供給孔１５４からも処理ガス
を処理室ＰＣ内に導入することが可能である。
態では、処理室ＰＣの上部電極１０２に穿設されたガス
供給孔１０４から処理ガスを供給する一系統のガス供給
系のみが示されていたが、本発明によれば、複数の処理
ガス供給系を設けて、複数箇所から処理室ＰＣ内にガス
を供給するように構成してもよい。かかる構成によれ
ば、被処理体の大口径化および大型化に伴って、処理室
ＰＣの容積が拡大した場合であっても、処理室ＰＣ内に
十分な量の処理ガスを均一に分布させることが可能とな
る。例えば図７に示す例では、図１〜図６に示すガス供
給系に加えて、別のガス供給系１５０が設けられてい
る。このガス供給系１５０は、処理室ＰＣの側壁の外方
にガス供給系路１５２が巡らされており、処理室ＰＣの
側壁に形成された処理ガス供給孔１５４からも処理ガス
を処理室ＰＣ内に導入することが可能である。
【００４０】さらに上記実施の形態では下部電極にのみ
高周波電源を接続する構成を示したが、本発明はかかる
実施の形態に限定されない。例えば、上部電極にも高周
波電源を接続し、上部電極と下部電極間で位相の異なる
高周波電力を供給して、プラズマ密度を制御することが
可能なプラズマ処理装置にも当然に適用することが可能
である。
高周波電源を接続する構成を示したが、本発明はかかる
実施の形態に限定されない。例えば、上部電極にも高周
波電源を接続し、上部電極と下部電極間で位相の異なる
高周波電力を供給して、プラズマ密度を制御することが
可能なプラズマ処理装置にも当然に適用することが可能
である。
【００４１】さらに、上記実施の形態では、半導体ウェ
ハ表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）をエッチングする
装置を例に挙げて、本発明を説明したが、本発明はかか
る例に限定されず、他のエッチングプロセスを実施する
装置としても構成することができる。また、本発明を適
用できる装置についても、エッチングを行うエッチング
装置に限らず、プラズマにより被処理体に対して処理を
行う各種プロセス、例えばアッシング、スパッタリン
グ、ＣＶＤ処理などを行う装置に対しても適用すること
ができる。さらにまた、被処理体についても、ウェハに
限らず、ＬＣＤ基板の加工にも当然に適用することがで
きる。
ハ表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）をエッチングする
装置を例に挙げて、本発明を説明したが、本発明はかか
る例に限定されず、他のエッチングプロセスを実施する
装置としても構成することができる。また、本発明を適
用できる装置についても、エッチングを行うエッチング
装置に限らず、プラズマにより被処理体に対して処理を
行う各種プロセス、例えばアッシング、スパッタリン
グ、ＣＶＤ処理などを行う装置に対しても適用すること
ができる。さらにまた、被処理体についても、ウェハに
限らず、ＬＣＤ基板の加工にも当然に適用することがで
きる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理室の上下に設置された排気室から別系統の真空排気
系により排気を行うので、被処理体が大口径化または大
型化した場合にも、上部および下部排気室と処理室とを
それぞれ連通する上部および下部排気孔のコンダクタン
スにもかかわらず、十分な有効排気速度を確保すること
ができる。
処理室の上下に設置された排気室から別系統の真空排気
系により排気を行うので、被処理体が大口径化または大
型化した場合にも、上部および下部排気室と処理室とを
それぞれ連通する上部および下部排気孔のコンダクタン
スにもかかわらず、十分な有効排気速度を確保すること
ができる。
【００４３】また本発明によれば、プラズマ処理装置を
構成する上部排気室と処理室と下部排気室とを、簡単に
分離することができるので、処理装置内のメンテナンス
を容易にかつ迅速に行うことができる。
構成する上部排気室と処理室と下部排気室とを、簡単に
分離することができるので、処理装置内のメンテナンス
を容易にかつ迅速に行うことができる。
【００４４】さらに本発明によれば、処理室が、下部電
極部分を除いて一体的に構成されているので、処理室内
の電位を均一化することが可能となり、プラズマが電位
の低い方向に流れる傾向を抑えることができる。その結
果、プラズマを処理空間に効果的に閉じ込めることがで
きる。
極部分を除いて一体的に構成されているので、処理室内
の電位を均一化することが可能となり、プラズマが電位
の低い方向に流れる傾向を抑えることができる。その結
果、プラズマを処理空間に効果的に閉じ込めることがで
きる。
【図１】本発明にかかるプラズマ処理装置をエッチング
装置に適用した実施の一形態の概略的な断面図である。
装置に適用した実施の一形態の概略的な断面図である。
【図２】図１に示すエッチング装置を、上部排気室と、
処理室と、下部排気室に分離させた様子を示す概略的な
断面図である。
処理室と、下部排気室に分離させた様子を示す概略的な
断面図である。
【図３】処理室を、図２のＡ−Ａ線で切断し、処理室側
から上部排気室側に見た様子を示す概略的な断面図であ
る。
から上部排気室側に見た様子を示す概略的な断面図であ
る。
【図４】処理室を、図２のＡ−Ａ線で切断し、処理室側
から下部排気室側に見た様子を示す概略的な断面図であ
る。
から下部排気室側に見た様子を示す概略的な断面図であ
る。
【図５】本発明にかかるプラズマ処理装置の上部排気室
と処理室と下部排気室とを分離させる機構を示す概略的
な見取図である。
と処理室と下部排気室とを分離させる機構を示す概略的
な見取図である。
【図６】図５に示すプラズマ処理装置の上部排気室と処
理室と下部排気室とを分離させる分離機構の動作を示す
概略的な見取図である。
理室と下部排気室とを分離させる分離機構の動作を示す
概略的な見取図である。
【図７】本発明にかかるプラズマ処理装置のさらに別の
実施の形態を示す概略的な断面図である。
実施の形態を示す概略的な断面図である。
【図８】従来のプラズマ処理装置の概略的な構成を示す
断面図である。
断面図である。
ＵＣ 上部排気室 ＰＣ 処理室 ＤＣ 下部排気室 １０２ 上部電極 １０４ ガス供給孔 １０６ ガス供給管 １０８ ガス源 １１０ 流量制御装置 １１２ 上部バッフル板 １１４ 下部電極 １１６ ゲートバルブ １１７ 高周波電源 １１８ 下部バッフル板 １２２ 流量調整弁 １２４ ターボポンプ １２６ 圧力センサ １２８ 制御器 １３０ 流量調整弁 １３２ ターボポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｃ
Claims (10)
- 【請求項１】 処理室内に上部電極と下部電極を対向配
置し、少なくとも前記上部電極と前記下部電極のいずれ
か一方に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化
し、前記下部電極上に載置された被処理体に対して処理
を施すプラズマ処理装置において、 前記処理室の上部に前記処理室に連通するとともに少な
くとも１の上部真空排気系を有する上部排気室を設け、 前記処理室の下部に前記処理室に連通するとともに少な
くとも１の下部真空排気系を有する下部排気室を設けた
ことを特徴とする、プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記上部真空排気系および前記下部真空
排気系は、選択的にまたは同期して駆動することが可能
であることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項３】 前記処理室には、少なくとも２以上の処
理ガス供給系が配されており、前記処理ガス供給系は選
択的にまたは同期して駆動することが可能であることを
特徴とする、請求項１または２に記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項４】 前記各真空排気系および／または前記処
理ガス供給系は、少なくとも前記上部排気室と前記下部
排気室のいずれか一方に設置された圧力センサの出力に
応じて駆動制御されることを特徴とする、請求項２また
は３に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 上部電極と下部電極が対向配置され、少
なくとも前記上部電極と前記下部電極のいずれか一方に
高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し、前記下
部電極上に載置された被処理体に対して処理を施す処理
室と；前記処理室の上部にあって前記処理室に連通する
とともに少なくとも１の上部真空排気系を備えた上部排
気室と；前記処理室の下部にあって前記処理室に連通す
るとともに少なくとも１の下部真空排気系を備えた下部
排気室とを備えたプラズマ処理装置において：前記上部
排気室と、前記下部電極を除く前記処理室と、前記下部
電極を含む前記下部排気室とは、それぞれ分離可能であ
るように構成されたことを特徴とする、プラズマ処理装
置。 - 【請求項６】 前記下部排気室は固定されており、前記
上部排気室は、前記上部真空排気系とともに、昇降機構
により前記処理室および前記下部排気室に対して昇降自
在であるとともに、回転機構により天地逆転可能である
ように構成されていることを特徴とする、請求項５に記
載のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 前記下部電極を除く処理室は、前記上部
排気室と前記下部電極を含む前記下部排気室とから着脱
自在であることを特徴とする、請求項５または６に記載
のプラズマ処理装置。 - 【請求項８】 前記処理室は、前記下部電極を除く部分
の電位が実質的に等価となるように、前記下部電極を除
き一体成型されていることを特徴とする、請求項５、６
または７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項９】 少なくとも前記下部電極を除く前記処理
室の内壁は被膜でコーティングされており、その被膜
は、被覆に損傷が発見されたときに、または所定ロット
の処理ごとに、または所定の時間経過ごとに再コーティ
ングされることを特徴とする、請求項８に記載のプラズ
マ処理装置。 - 【請求項１０】 処理室内に上部電極と下部電極が対向
配置され、少なくとも前記上部電極と前記下部電極のい
ずれか一方に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ
化し、前記下部電極上に載置された被処理体に対して処
理を施すプラズマ処理装置において、 前記処理室は、前記下部電極を除く部分の電位が実質的
に等価となるように、前記下部電極を除き一体成型され
ていることを特徴とする、プラズマ処理装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08208846A JP3122617B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | プラズマ処理装置 |
| EP97112132A EP0821395A3 (en) | 1996-07-19 | 1997-07-16 | Plasma processing apparatus |
| TW086110151A TW406291B (en) | 1996-07-19 | 1997-07-17 | Plasma processing apparatus |
| TW088109726A TW432466B (en) | 1996-07-19 | 1997-07-17 | Plasma processing apparatus |
| US08/895,993 US6156151A (en) | 1996-07-19 | 1997-07-17 | Plasma processing apparatus |
| KR1019970033443A KR100392549B1 (ko) | 1996-07-19 | 1997-07-18 | 플라즈마처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08208846A JP3122617B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041096A true JPH1041096A (ja) | 1998-02-13 |
| JP3122617B2 JP3122617B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=16563078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08208846A Expired - Fee Related JP3122617B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3122617B2 (ja) |
Cited By (352)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999045584A1 (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-10 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
| WO2000055894A1 (en) * | 1999-03-17 | 2000-09-21 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and method of maintaining the same |
| WO2007018139A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| KR100688954B1 (ko) | 2005-09-16 | 2007-03-02 | 주식회사 아이피에스 | 플라즈마 처리장치의 개폐구조 |
| JP2007067218A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理システム |
| JP4554824B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置，そのメンテナンス方法およびその施工方法 |
| KR20140145095A (ko) * | 2013-06-12 | 2014-12-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 가공하기 위한 플라즈마 보조 가공 장치 및 플라즈마 보조 가공에 의해 처리된 기판의 면내 균일성을 제어하는 방법 |
| US10312129B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| JP2019145600A (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-29 | サムコ株式会社 | プラズマ処理室用排気構造 |
| KR20190101509A (ko) * | 2009-08-31 | 2019-08-30 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (ｒｆ) 접지 복귀 장치들 |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10438965B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US10480072B2 (en) | 2009-04-06 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US10541173B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US10566223B2 (en) | 2012-08-28 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US10561975B2 (en) | 2014-10-07 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10604847B2 (en) | 2014-03-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10622375B2 (en) | 2016-11-07 | 2020-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10665452B2 (en) | 2016-05-02 | 2020-05-26 | Asm Ip Holdings B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10672636B2 (en) | 2017-08-09 | 2020-06-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10707106B2 (en) | 2011-06-06 | 2020-07-07 | Asm Ip Holding B.V. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10714335B2 (en) | 2017-04-25 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10720331B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-21 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10720322B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-07-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top surface |
| US10734223B2 (en) | 2017-10-10 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10734497B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US10734244B2 (en) | 2017-11-16 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by the same |
| US10741385B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-08-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10784102B2 (en) | 2016-12-22 | 2020-09-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10787741B2 (en) | 2014-08-21 | 2020-09-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US10804098B2 (en) | 2009-08-14 | 2020-10-13 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US10832903B2 (en) | 2011-10-28 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10847371B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10851456B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867786B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| WO2021014675A1 (ja) * | 2019-07-22 | 2021-01-28 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US10914004B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-02-09 | Asm Ip Holding B.V. | Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10928731B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-02-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same |
| US10934619B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-03-02 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11056567B2 (en) | 2018-05-11 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11101370B2 (en) | 2016-05-02 | 2021-08-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11233133B2 (en) | 2015-10-21 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
| US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| US11469098B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
| US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
| US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
| US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
| US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
| US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
| US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
| US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
| US11993843B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
| US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12027365B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap and related systems and devices |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US12051567B2 (en) | 2020-10-07 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| US12074022B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process |
| US12087586B2 (en) | 2020-04-15 | 2024-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer |
| US12106944B2 (en) | 2020-06-02 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Rotating substrate support |
| US12107005B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material |
| US12112940B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US12125700B2 (en) | 2020-01-16 | 2024-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming high aspect ratio features |
| US12131885B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma treatment device having matching box |
| US12129545B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Precursor capsule, a vessel and a method |
| US12148609B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon oxide deposition method |
| US12154824B2 (en) | 2020-08-14 | 2024-11-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12159788B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-12-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures for threshold voltage control |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| US12195852B2 (en) | 2020-11-23 | 2025-01-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus with an injector |
| US12211742B2 (en) | 2020-09-10 | 2025-01-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluid |
| US12209308B2 (en) | 2020-11-12 | 2025-01-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor and related methods |
| US12217946B2 (en) | 2020-10-15 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus using ether-CAT |
| US12218000B2 (en) | 2020-09-25 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing method |
| US12218269B2 (en) | 2020-02-13 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus including light receiving device and calibration method of light receiving device |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| US12217954B2 (en) | 2020-08-25 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning a surface |
| US12221357B2 (en) | 2020-04-24 | 2025-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and apparatus for stabilizing vanadium compounds |
| US12230531B2 (en) | 2018-04-09 | 2025-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
| US12243757B2 (en) | 2020-05-21 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Flange and apparatus for processing substrates |
| US12243742B2 (en) | 2020-04-21 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for processing a substrate |
| US12243747B2 (en) | 2020-04-24 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including vanadium boride and vanadium phosphide layers |
| US12240760B2 (en) | 2016-03-18 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US12241158B2 (en) | 2020-07-20 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming structures including transition metal layers |
| US12247286B2 (en) | 2019-08-09 | 2025-03-11 | Asm Ip Holding B.V. | Heater assembly including cooling apparatus and method of using same |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| US12252785B2 (en) | 2019-06-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for cleaning quartz epitaxial chambers |
| US12266524B2 (en) | 2020-06-16 | 2025-04-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing boron containing silicon germanium layers |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| US12276023B2 (en) | 2017-08-04 | 2025-04-15 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly for distributing a gas within a reaction chamber |
| US12278129B2 (en) | 2020-03-04 | 2025-04-15 | Asm Ip Holding B.V. | Alignment fixture for a reactor system |
| US12288710B2 (en) | 2020-12-18 | 2025-04-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer processing apparatus with a rotatable table |
| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US12406846B2 (en) | 2020-05-26 | 2025-09-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing boron and gallium containing silicon germanium layers |
| US12410515B2 (en) | 2020-01-29 | 2025-09-09 | Asm Ip Holding B.V. | Contaminant trap system for a reactor system |
| US12428726B2 (en) | 2019-10-08 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas injection system and reactor system including same |
| US12431334B2 (en) | 2020-02-13 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution assembly |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| US12442082B2 (en) | 2020-05-07 | 2025-10-14 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system comprising a tuning circuit |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US12518970B2 (en) | 2020-08-11 | 2026-01-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a titanium aluminum carbide film structure on a substrate and related semiconductor structures |
| US12532674B2 (en) | 2019-09-03 | 2026-01-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and apparatus for depositing a chalcogenide film and structures including the film |
| US12550644B2 (en) | 2020-10-06 | 2026-02-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming silicon nitride on a sidewall of a feature |
| US12564871B2 (en) | 2020-12-02 | 2026-03-03 | Asm Ip Holding B.V. | Cleaning fixture for showerhead assemblies |
| US12622218B2 (en) | 2020-07-22 | 2026-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette lid opening device |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP08208846A patent/JP3122617B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (463)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6733620B1 (en) | 1998-03-06 | 2004-05-11 | Tokyo Electron Limited | Process apparatus |
| WO1999045584A1 (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-10 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
| WO2000055894A1 (en) * | 1999-03-17 | 2000-09-21 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and method of maintaining the same |
| JP4554824B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置，そのメンテナンス方法およびその施工方法 |
| WO2007018139A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JPWO2007018139A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2009-02-19 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JP2007067218A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理システム |
| KR100688954B1 (ko) | 2005-09-16 | 2007-03-02 | 주식회사 아이피에스 | 플라즈마 처리장치의 개폐구조 |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US10844486B2 (en) | 2009-04-06 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US10480072B2 (en) | 2009-04-06 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US10804098B2 (en) | 2009-08-14 | 2020-10-13 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| KR20210021151A (ko) * | 2009-08-31 | 2021-02-24 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (ｒｆ) 접지 복귀 장치들 |
| KR20190102098A (ko) * | 2009-08-31 | 2019-09-02 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (ｒｆ) 접지 복귀 장치들 |
| KR20210034704A (ko) * | 2009-08-31 | 2021-03-30 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (ｒｆ) 접지 복귀 장치들 |
| KR20200117074A (ko) * | 2009-08-31 | 2020-10-13 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (ｒｆ) 접지 복귀 장치들 |
| KR20210006009A (ko) * | 2009-08-31 | 2021-01-15 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (ｒｆ) 접지 복귀 장치들 |
| US10720314B2 (en) | 2009-08-31 | 2020-07-21 | Lam Research Corporation | Confinement ring for use in a plasma processing system |
| KR20190101509A (ko) * | 2009-08-31 | 2019-08-30 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (ｒｆ) 접지 복귀 장치들 |
| US10707106B2 (en) | 2011-06-06 | 2020-07-07 | Asm Ip Holding B.V. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US10832903B2 (en) | 2011-10-28 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US10566223B2 (en) | 2012-08-28 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US11501956B2 (en) | 2012-10-12 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| JP2015002349A (ja) * | 2013-06-12 | 2015-01-05 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | プラズマアシストプロセスにより処理された基板の面内均一性を制御する方法 |
| KR20140145095A (ko) * | 2013-06-12 | 2014-12-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 가공하기 위한 플라즈마 보조 가공 장치 및 플라즈마 보조 가공에 의해 처리된 기판의 면내 균일성을 제어하는 방법 |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10604847B2 (en) | 2014-03-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US12454755B2 (en) | 2014-07-28 | 2025-10-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10787741B2 (en) | 2014-08-21 | 2020-09-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10561975B2 (en) | 2014-10-07 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10438965B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11242598B2 (en) | 2015-06-26 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10312129B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US11233133B2 (en) | 2015-10-21 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11956977B2 (en) | 2015-12-29 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10720322B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-07-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top surface |
| US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
| US12240760B2 (en) | 2016-03-18 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10851456B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10665452B2 (en) | 2016-05-02 | 2020-05-26 | Asm Ip Holdings B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US11101370B2 (en) | 2016-05-02 | 2021-08-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US11749562B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US11094582B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US10541173B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US11107676B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-08-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US12525449B2 (en) | 2016-07-28 | 2026-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
| US10741385B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-08-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11694892B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US10943771B2 (en) | 2016-10-26 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10720331B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-21 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10644025B2 (en) | 2016-11-07 | 2020-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10622375B2 (en) | 2016-11-07 | 2020-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10934619B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-03-02 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US12000042B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11970766B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US10784102B2 (en) | 2016-12-22 | 2020-09-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11251035B2 (en) | 2016-12-22 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US12043899B2 (en) | 2017-01-10 | 2024-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US12106965B2 (en) | 2017-02-15 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10468262B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by a cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11658030B2 (en) | 2017-03-29 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10714335B2 (en) | 2017-04-25 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
| US10950432B2 (en) | 2017-04-25 | 2021-03-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11976361B2 (en) | 2017-06-28 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US11164955B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-11-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11695054B2 (en) | 2017-07-18 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US10734497B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11004977B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US12363960B2 (en) | 2017-07-19 | 2025-07-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US12276023B2 (en) | 2017-08-04 | 2025-04-15 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly for distributing a gas within a reaction chamber |
| US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10672636B2 (en) | 2017-08-09 | 2020-06-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11581220B2 (en) | 2017-08-30 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11993843B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| US10928731B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-02-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US11094546B2 (en) | 2017-10-05 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US12033861B2 (en) | 2017-10-05 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10734223B2 (en) | 2017-10-10 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10734244B2 (en) | 2017-11-16 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by the same |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11682572B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-06-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US12119228B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11972944B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| USD913980S1 (en) | 2018-02-01 | 2021-03-23 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11735414B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US12173402B2 (en) | 2018-02-15 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| JP2019145600A (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-29 | サムコ株式会社 | プラズマ処理室用排気構造 |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US10847371B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US12020938B2 (en) | 2018-03-27 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US10867786B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12230531B2 (en) | 2018-04-09 | 2025-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
| US11469098B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| US11056567B2 (en) | 2018-05-11 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11908733B2 (en) | 2018-05-28 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11837483B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US12516413B2 (en) | 2018-06-08 | 2026-01-06 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11814715B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11952658B2 (en) | 2018-06-27 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10914004B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-02-09 | Asm Ip Holding B.V. | Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device |
| US11168395B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755923B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US12601062B2 (en) | 2018-08-06 | 2026-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11735445B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11866823B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-01-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US12448682B2 (en) | 2018-11-06 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11244825B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11798999B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11411088B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US12444599B2 (en) | 2018-11-30 | 2025-10-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11769670B2 (en) | 2018-12-13 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11959171B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11615980B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11798834B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US12176243B2 (en) | 2019-02-20 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US12410522B2 (en) | 2019-02-22 | 2025-09-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11901175B2 (en) | 2019-03-08 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US12195855B2 (en) | 2019-06-06 | 2025-01-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system including a gas detector |
| US12252785B2 (en) | 2019-06-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for cleaning quartz epitaxial chambers |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11908684B2 (en) | 2019-06-11 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11746414B2 (en) | 2019-07-03 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| US12107000B2 (en) | 2019-07-10 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11996304B2 (en) | 2019-07-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US12129548B2 (en) | 2019-07-18 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US12112940B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| JPWO2021014675A1 (ja) * | 2019-07-22 | 2021-12-23 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| EP4006195A4 (en) * | 2019-07-22 | 2023-07-12 | ULVAC, Inc. | VACUUM TREATMENT DEVICE |
| CN113994021A (zh) * | 2019-07-22 | 2022-01-28 | 株式会社爱发科 | 真空处理装置 |
| CN113994021B (zh) * | 2019-07-22 | 2023-12-01 | 株式会社爱发科 | 真空处理装置 |
| WO2021014675A1 (ja) * | 2019-07-22 | 2021-01-28 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| US11891685B2 (en) | 2019-07-22 | 2024-02-06 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11876008B2 (en) | 2019-07-31 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| US12247286B2 (en) | 2019-08-09 | 2025-03-11 | Asm Ip Holding B.V. | Heater assembly including cooling apparatus and method of using same |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| US12040229B2 (en) | 2019-08-22 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US12033849B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane |
| US11827978B2 (en) | 2019-08-23 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
| US11898242B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film |
| US12532674B2 (en) | 2019-09-03 | 2026-01-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and apparatus for depositing a chalcogenide film and structures including the film |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12230497B2 (en) | 2019-10-02 | 2025-02-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
| US12428726B2 (en) | 2019-10-08 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas injection system and reactor system including same |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| US12266695B2 (en) | 2019-11-05 | 2025-04-01 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US12119220B2 (en) | 2019-12-19 | 2024-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
| US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| US12125700B2 (en) | 2020-01-16 | 2024-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming high aspect ratio features |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| US12410515B2 (en) | 2020-01-29 | 2025-09-09 | Asm Ip Holding B.V. | Contaminant trap system for a reactor system |
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| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US12218269B2 (en) | 2020-02-13 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus including light receiving device and calibration method of light receiving device |
| US12431334B2 (en) | 2020-02-13 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution assembly |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
| US12278129B2 (en) | 2020-03-04 | 2025-04-15 | Asm Ip Holding B.V. | Alignment fixture for a reactor system |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
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| US12130084B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
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| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
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| US12442082B2 (en) | 2020-05-07 | 2025-10-14 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system comprising a tuning circuit |
| US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US12243757B2 (en) | 2020-05-21 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Flange and apparatus for processing substrates |
| US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
| US12406846B2 (en) | 2020-05-26 | 2025-09-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing boron and gallium containing silicon germanium layers |
| US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US12106944B2 (en) | 2020-06-02 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Rotating substrate support |
| US12266524B2 (en) | 2020-06-16 | 2025-04-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing boron containing silicon germanium layers |
| US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
| US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12055863B2 (en) | 2020-07-17 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
| US12241158B2 (en) | 2020-07-20 | 2025-03-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming structures including transition metal layers |
| US12622218B2 (en) | 2020-07-22 | 2026-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette lid opening device |
| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| US12518970B2 (en) | 2020-08-11 | 2026-01-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a titanium aluminum carbide film structure on a substrate and related semiconductor structures |
| US12154824B2 (en) | 2020-08-14 | 2024-11-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| US12217954B2 (en) | 2020-08-25 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning a surface |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| US12074022B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process |
| US12211742B2 (en) | 2020-09-10 | 2025-01-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluid |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US12148609B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon oxide deposition method |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12218000B2 (en) | 2020-09-25 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing method |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| US12107005B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material |
| US12550644B2 (en) | 2020-10-06 | 2026-02-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming silicon nitride on a sidewall of a feature |
| US12051567B2 (en) | 2020-10-07 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit |
| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US12217946B2 (en) | 2020-10-15 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus using ether-CAT |
| US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
| US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
| US12209308B2 (en) | 2020-11-12 | 2025-01-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor and related methods |
| US12195852B2 (en) | 2020-11-23 | 2025-01-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus with an injector |
| US12027365B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap and related systems and devices |
| US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
| US12564871B2 (en) | 2020-12-02 | 2026-03-03 | Asm Ip Holding B.V. | Cleaning fixture for showerhead assemblies |
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| US12131885B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma treatment device having matching box |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3122617B2 (ja) | 2001-01-09 |
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