JPH1049110A - サンプルホールド回路並びにこれを用いたデータドライバ及びフラットパネル型表示装置 - Google Patents
サンプルホールド回路並びにこれを用いたデータドライバ及びフラットパネル型表示装置Info
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- JPH1049110A JPH1049110A JP20498396A JP20498396A JPH1049110A JP H1049110 A JPH1049110 A JP H1049110A JP 20498396 A JP20498396 A JP 20498396A JP 20498396 A JP20498396 A JP 20498396A JP H1049110 A JPH1049110 A JP H1049110A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】FETのしきい値にばらつきがあっても、入出
力電圧特性のばらつきをより低減する。 【解決手段】ソースホロア回路30のゲートとグランド
線との間にホールドコンデンサCH1が接続され、該ゲ
ートとサンプルホールド回路の入力端との間にアナログ
スイッチ31が接続されたサンプルホールド回路におい
て、さらに、一端が該ゲートに接続された補正コンデン
サCC1と、補正コンデンサCC1の他端と該ソースと
の間に接続されたアナログスイッチ33と、補正コンデ
ンサCC1の他端と基準電位線Vrefとの間に接続され
たアナログスイッチ34とを有する。ホールドコンデン
サCH1にサンプリングされ保持された電圧は、補正コ
ンデンサCC1で検出されたnMOSトランジスタのし
きい値Vthに応じ減算されて補正され、補正前の出力電
圧VSA−Vthは、補正によりさらにΔV低下する。V
th小のときΔV大となりVth大のときΔV小となる。
力電圧特性のばらつきをより低減する。 【解決手段】ソースホロア回路30のゲートとグランド
線との間にホールドコンデンサCH1が接続され、該ゲ
ートとサンプルホールド回路の入力端との間にアナログ
スイッチ31が接続されたサンプルホールド回路におい
て、さらに、一端が該ゲートに接続された補正コンデン
サCC1と、補正コンデンサCC1の他端と該ソースと
の間に接続されたアナログスイッチ33と、補正コンデ
ンサCC1の他端と基準電位線Vrefとの間に接続され
たアナログスイッチ34とを有する。ホールドコンデン
サCH1にサンプリングされ保持された電圧は、補正コ
ンデンサCC1で検出されたnMOSトランジスタのし
きい値Vthに応じ減算されて補正され、補正前の出力電
圧VSA−Vthは、補正によりさらにΔV低下する。V
th小のときΔV大となりVth大のときΔV小となる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、サンプルホールド
回路並びにこれを用いたデータドライバ及びフラットパ
ネル型表示装置に関する。
回路並びにこれを用いたデータドライバ及びフラットパ
ネル型表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図7は、従来の液晶表示装置の全体構成
を示す。図7では簡単化のために、液晶表示パネル10
が4行5列の画素構成である場合を示している。液晶表
示パネル10は、1対のガラス基板が対向して配置され
ており、その一方のガラス基板上には、液晶画素11の
表示電極がマトリックス状に配列され、各液晶画素11
について薄膜トランジスタ12が形成され、薄膜トラン
ジスタ12の第1〜4行に対しそれぞれ走査電極141
〜144が形成され、薄膜トランジスタ12の第1〜5
列に対しそれぞれデータ電極131〜135が、走査電
極141〜144と直角に絶縁膜を介して形成されてい
る。他方のガラス基板上には、各液晶画素11に共通の
透明べた電極Vcom(表示電極に対する対向電極Vcom)
が形成されている。電極Vcomには、液晶劣化防止のた
めビデオ信号VSAを1水平期間毎に正極性電位と負極
性電位とに交互に反転させるための信号が供給される。
を示す。図7では簡単化のために、液晶表示パネル10
が4行5列の画素構成である場合を示している。液晶表
示パネル10は、1対のガラス基板が対向して配置され
ており、その一方のガラス基板上には、液晶画素11の
表示電極がマトリックス状に配列され、各液晶画素11
について薄膜トランジスタ12が形成され、薄膜トラン
ジスタ12の第1〜4行に対しそれぞれ走査電極141
〜144が形成され、薄膜トランジスタ12の第1〜5
列に対しそれぞれデータ電極131〜135が、走査電
極141〜144と直角に絶縁膜を介して形成されてい
る。他方のガラス基板上には、各液晶画素11に共通の
透明べた電極Vcom(表示電極に対する対向電極Vcom)
が形成されている。電極Vcomには、液晶劣化防止のた
めビデオ信号VSAを1水平期間毎に正極性電位と負極
性電位とに交互に反転させるための信号が供給される。
【0003】データ電極131〜135はデータドライ
バ20の出力端に接続され、走査電極141〜144は
走査ドライバ21の出力端に接続されている。制御回路
22は、供給されるドットクロックCLK、同期信号を
含まないビデオ信号VS、水平同期信号HSYNC及び
垂直同期信号VSYNCに基づき、周期が1水平期間の
スタートパルスST、ドットクロックCLKと同一周波
数のクロックCK1、増幅されたビデオ信号VSA及び
ラッチ信号LTを生成してデータドライバ20に供給
し、また、1水平期間の周期で走査電極を走査するため
の信号を走査ドライバ21に供給する。
バ20の出力端に接続され、走査電極141〜144は
走査ドライバ21の出力端に接続されている。制御回路
22は、供給されるドットクロックCLK、同期信号を
含まないビデオ信号VS、水平同期信号HSYNC及び
垂直同期信号VSYNCに基づき、周期が1水平期間の
スタートパルスST、ドットクロックCLKと同一周波
数のクロックCK1、増幅されたビデオ信号VSA及び
ラッチ信号LTを生成してデータドライバ20に供給
し、また、1水平期間の周期で走査電極を走査するため
の信号を走査ドライバ21に供給する。
【0004】データドライバ20は、点順次走査用シフ
トレジスタ23、サンプルホールド回路24及びサンプ
ルホールド回路25を備えている。データ電極131に
対応したシフトレジスタ23、サンプルホールド回路2
4及びサンプルホールド回路25の1列分の構成要素2
31、サンプルホールド回路241及び251の構成例
を図8に示す。
トレジスタ23、サンプルホールド回路24及びサンプ
ルホールド回路25を備えている。データ電極131に
対応したシフトレジスタ23、サンプルホールド回路2
4及びサンプルホールド回路25の1列分の構成要素2
31、サンプルホールド回路241及び251の構成例
を図8に示す。
【0005】サンプルホールド回路241は、その信号
入力端とバッファ回路30の入力端との間にアナログス
イッチ31が接続されている。アナログスイッチ31
は、pMOSトランジスタとnMOSトランジスタとを
並列接続した転送ゲートであり、選択信号S1とこれを
インバータ32で反転した信号とでオン/オフ制御され
る。バッファ回路30の入力端とグランド線との間に
は、ホールドコンデンサCH1が接続されている。サン
プルホールド回路251はサンプルホールド回路241
と同一回路であり、サンプルホールド回路251のバッ
ファ回路40、アナログスイッチ41、インバータ42
及びホールドコンデンサCH2はそれぞれサンプルホー
ルド回路241のバッファ回路30、アナログスイッチ
31、インバータ32及びホールドコンデンサCH1に
対応している。
入力端とバッファ回路30の入力端との間にアナログス
イッチ31が接続されている。アナログスイッチ31
は、pMOSトランジスタとnMOSトランジスタとを
並列接続した転送ゲートであり、選択信号S1とこれを
インバータ32で反転した信号とでオン/オフ制御され
る。バッファ回路30の入力端とグランド線との間に
は、ホールドコンデンサCH1が接続されている。サン
プルホールド回路251はサンプルホールド回路241
と同一回路であり、サンプルホールド回路251のバッ
ファ回路40、アナログスイッチ41、インバータ42
及びホールドコンデンサCH2はそれぞれサンプルホー
ルド回路241のバッファ回路30、アナログスイッチ
31、インバータ32及びホールドコンデンサCH1に
対応している。
【0006】最初、選択信号S1が低レベルでアナログ
スイッチ31がオフになっている。スタートパルスST
が高レベルに遷移し、これがクロックCK1の立ち上が
りでDフリップフロップ231に保持され、そのQ出力
である選択信号S1が高レベルになり、アナログスイッ
チ31がオンになり、ビデオ信号VSAの電圧がホール
ドコンデンサCH1にサンプリングされる。スタートパ
ルスSTが低レベルになり、次のクロックCK1の立ち
上がりで選択信号S1が低レベルに保持され、アナログ
スイッチ31がオフになって、ホールドコンデンサCH
1にサンプリングされた電圧が保持される。バッファ回
路30からは、ホールドコンデンサCH1の電圧に応じ
た電圧の画素信号VD1が取り出される。
スイッチ31がオフになっている。スタートパルスST
が高レベルに遷移し、これがクロックCK1の立ち上が
りでDフリップフロップ231に保持され、そのQ出力
である選択信号S1が高レベルになり、アナログスイッ
チ31がオンになり、ビデオ信号VSAの電圧がホール
ドコンデンサCH1にサンプリングされる。スタートパ
ルスSTが低レベルになり、次のクロックCK1の立ち
上がりで選択信号S1が低レベルに保持され、アナログ
スイッチ31がオフになって、ホールドコンデンサCH
1にサンプリングされた電圧が保持される。バッファ回
路30からは、ホールドコンデンサCH1の電圧に応じ
た電圧の画素信号VD1が取り出される。
【0007】図7において、シフトレジスタ23による
点順次走査により、1水平期間で1行分のビデオ信号V
SAがサンプルホールド回路24でサンプルホールドさ
れ、次いでラッチ信号LTによりサンプルホールド回路
24の出力がサンプルホールド回路25に保持される。
この状態で、シフトレジスタ23による点順次走査によ
り、1水平期間で1行分のビデオ信号VSAがサンプル
ホールド回路24でサンプルホールドされる。以下同様
の処理が繰り返される。
点順次走査により、1水平期間で1行分のビデオ信号V
SAがサンプルホールド回路24でサンプルホールドさ
れ、次いでラッチ信号LTによりサンプルホールド回路
24の出力がサンプルホールド回路25に保持される。
この状態で、シフトレジスタ23による点順次走査によ
り、1水平期間で1行分のビデオ信号VSAがサンプル
ホールド回路24でサンプルホールドされる。以下同様
の処理が繰り返される。
【0008】データドライバ20は、液晶表示パネル1
0の薄膜トランジスタ12を形成する工程と同じ工程
で、液晶表示パネル10の周辺部に薄膜トランジスタで
形成した方が製造コスト上好ましい。バッファ回路30
及び40はいずれも、高入力インピーダンス、低出力イ
ンピーダーンスであり、通常、演算増幅回路の反転入力
端と出力端とを接続した増幅率1のボルテージホロワで
構成される。
0の薄膜トランジスタ12を形成する工程と同じ工程
で、液晶表示パネル10の周辺部に薄膜トランジスタで
形成した方が製造コスト上好ましい。バッファ回路30
及び40はいずれも、高入力インピーダンス、低出力イ
ンピーダーンスであり、通常、演算増幅回路の反転入力
端と出力端とを接続した増幅率1のボルテージホロワで
構成される。
【0009】しかし、ガラス基板上に形成される薄膜ト
ランジスタは、特性のばらつきが比較的大きく、隣り合
うものであってもしいき値電圧(ドレイン電流が流れは
じめる時のゲート・ソース間電圧)が異なるので、ボル
テージホロワの入出力電圧特性のばらつきが大きく、同
一入力電圧であってもデータ電極毎に出力電圧が異な
り、表示画質が悪くなる。
ランジスタは、特性のばらつきが比較的大きく、隣り合
うものであってもしいき値電圧(ドレイン電流が流れは
じめる時のゲート・ソース間電圧)が異なるので、ボル
テージホロワの入出力電圧特性のばらつきが大きく、同
一入力電圧であってもデータ電極毎に出力電圧が異な
り、表示画質が悪くなる。
【0010】そこで、薄膜トランジスタで20を構成す
る場合、バッファ回路30として図9に示すようなソー
スホロワ回路が用いられる。バッファ回路30の入力及
び出力はそれぞれnMOSトランジスタN1のゲート及
びソースであり、抵抗R1には常時電流が流れている。
バッファ回路40についてもバッファ回路30と同様で
ある。
る場合、バッファ回路30として図9に示すようなソー
スホロワ回路が用いられる。バッファ回路30の入力及
び出力はそれぞれnMOSトランジスタN1のゲート及
びソースであり、抵抗R1には常時電流が流れている。
バッファ回路40についてもバッファ回路30と同様で
ある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ソースホロワ回路の入
出力電圧特性のばらつきは、ボルテージホロワのそれよ
り小さいものの、nMOSトランジスタN1のしきい値
のばらつきがソースホロワ回路の入出力特性のばらつき
になるので、これによる表示画質の低下を避けることが
できない。
出力電圧特性のばらつきは、ボルテージホロワのそれよ
り小さいものの、nMOSトランジスタN1のしきい値
のばらつきがソースホロワ回路の入出力特性のばらつき
になるので、これによる表示画質の低下を避けることが
できない。
【0012】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、FETのしきい値にばらつきがあっても、入出力電
圧特性のばらつきをより低減することが可能なサンプル
ホールド回路並びにこれを用いたデータドライバ及びフ
ラットパネル型表示装置を提供することにある。
み、FETのしきい値にばらつきがあっても、入出力電
圧特性のばらつきをより低減することが可能なサンプル
ホールド回路並びにこれを用いたデータドライバ及びフ
ラットパネル型表示装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段及びその作用効果】本発明
に係るサンプルホールド回路では、出力段に、FETの
ゲート及びソースをそれぞれ入力端及び出力端とするソ
ースホロア回路を有し、該ゲートと第1基準電位との間
にホールドコンデンサが接続され、該ゲートとサンプル
ホールド回路の入力端との間に第1アナログスイッチが
接続されたサンプルホールド回路において、さらに、一
端が該ゲートに接続された補正コンデンサと、該補正コ
ンデンサの他端と該ソースとの間に接続された第2アナ
ログスイッチと、該補正コンデンサの他端と第2基準電
位との間に接続された第3アナログスイッチと、を有す
る。
に係るサンプルホールド回路では、出力段に、FETの
ゲート及びソースをそれぞれ入力端及び出力端とするソ
ースホロア回路を有し、該ゲートと第1基準電位との間
にホールドコンデンサが接続され、該ゲートとサンプル
ホールド回路の入力端との間に第1アナログスイッチが
接続されたサンプルホールド回路において、さらに、一
端が該ゲートに接続された補正コンデンサと、該補正コ
ンデンサの他端と該ソースとの間に接続された第2アナ
ログスイッチと、該補正コンデンサの他端と第2基準電
位との間に接続された第3アナログスイッチと、を有す
る。
【0014】上記構成において、例えば、最初に第1及
び第2のアナログスイッチがオフ、第3アナログスイッ
チがオンになっているとする。この状態から第1及び第
2のアナログスイッチをオンにすると、入力信号の電圧
VSAがホールドコンデンサにサンプリングされ、補正
コンデンサの電圧がFETのしきい値Vthに等しくな
る。
び第2のアナログスイッチがオフ、第3アナログスイッ
チがオンになっているとする。この状態から第1及び第
2のアナログスイッチをオンにすると、入力信号の電圧
VSAがホールドコンデンサにサンプリングされ、補正
コンデンサの電圧がFETのしきい値Vthに等しくな
る。
【0015】次に、第1及び第2のアナログスイッチを
オフにし、第3アナログスイッチをオンにすると、ホー
ルドコンデンサから補正コンデンサへ電荷ΔQが移動し
て、両コンデンサの電圧が等しくなり、サンプルホール
ド回路の出力電圧VD1がΔV低下する。これにより、
VD1=VSA−(Vth+ΔV)となる。電荷移動量Δ
Qは、しきい値Vthが小さいほど大きいので、しきい値
Vthが小さいほどホールドコンデンサの電圧低下が大き
くなり、出力電圧VD1の低下量ΔVも大きくなる。
オフにし、第3アナログスイッチをオンにすると、ホー
ルドコンデンサから補正コンデンサへ電荷ΔQが移動し
て、両コンデンサの電圧が等しくなり、サンプルホール
ド回路の出力電圧VD1がΔV低下する。これにより、
VD1=VSA−(Vth+ΔV)となる。電荷移動量Δ
Qは、しきい値Vthが小さいほど大きいので、しきい値
Vthが小さいほどホールドコンデンサの電圧低下が大き
くなり、出力電圧VD1の低下量ΔVも大きくなる。
【0016】したがって、ホールドコンデンサと補正コ
ンデンサとの容量比及び基準電位を適当に選定すること
により、FETのしきい値Vthのばらつきによらず電圧
(Vth+ΔV)を略一定にすることが可能となり、サン
プルホールド回路の入力電圧VSAに対する出力電圧V
D1の特性のばらつきを低減することができるという効
果を奏する。
ンデンサとの容量比及び基準電位を適当に選定すること
により、FETのしきい値Vthのばらつきによらず電圧
(Vth+ΔV)を略一定にすることが可能となり、サン
プルホールド回路の入力電圧VSAに対する出力電圧V
D1の特性のばらつきを低減することができるという効
果を奏する。
【0017】本発明の第1態様では、制御回路を有し、
該制御回路は、上記第1アナログスイッチ及び上記第2
アナログスイッチをオンにし上記第3アナログスイッチ
をオフにし、次いで該第1アナログスイッチ及び該第2
アナログスイッチをオフにし該第3アナログスイッチを
オンにする。
該制御回路は、上記第1アナログスイッチ及び上記第2
アナログスイッチをオンにし上記第3アナログスイッチ
をオフにし、次いで該第1アナログスイッチ及び該第2
アナログスイッチをオフにし該第3アナログスイッチを
オンにする。
【0018】本発明の第2態様では、制御回路を有し、
該制御回路は、(1)上記第1アナログスイッチ及び上
記第2アナログスイッチをオンにし上記第3アナログス
イッチをオフにし、(2)次いで該第1アナログスイッ
チをオフにし、(3)次いで該第2アナログスイッチを
オフにし該第3アナログスイッチをオンにし、(2)の
動作開始から(3)の動作開始までの時間を補正パラメ
ータとして利用する。
該制御回路は、(1)上記第1アナログスイッチ及び上
記第2アナログスイッチをオンにし上記第3アナログス
イッチをオフにし、(2)次いで該第1アナログスイッ
チをオフにし、(3)次いで該第2アナログスイッチを
オフにし該第3アナログスイッチをオンにし、(2)の
動作開始から(3)の動作開始までの時間を補正パラメ
ータとして利用する。
【0019】この第2態様によれば、(2)の動作開始
から(3)の動作開始まではサンプルホールド回路の出
力電圧が補正されず、(3)の動作開始後にサンプルホ
ールド回路の出力電圧が補正されるので、液晶表示装置
のデータ電極に接続されたサンプルホールド回路のよう
に出力の1サイクル平均値が意味をもつ場合に有効であ
り、前記補正パラメータを適当に定めることにより、サ
ンプルホールド回路の入出力電圧特性のばらつき低減が
より一層達成されるという効果を奏する。
から(3)の動作開始まではサンプルホールド回路の出
力電圧が補正されず、(3)の動作開始後にサンプルホ
ールド回路の出力電圧が補正されるので、液晶表示装置
のデータ電極に接続されたサンプルホールド回路のよう
に出力の1サイクル平均値が意味をもつ場合に有効であ
り、前記補正パラメータを適当に定めることにより、サ
ンプルホールド回路の入出力電圧特性のばらつき低減が
より一層達成されるという効果を奏する。
【0020】本発明の第3態様のデータドライバでは、
液晶表示装置の各データ電極に対応して備えられ、出力
端が該データ電極に接続される上記いずれかのサンプル
ホールド回路を有し、該サンプルホールド回路のFET
が薄膜トランジスタで形成されている。この第3態様に
よれば、サンプルホールド回路を、画素スイッチとして
薄膜トランジスタを用いた液晶表示パネルと、入出力電
圧特性のばらつき低減が図られたサンプルホールド回路
とを、同一工程で製造できるので、液晶表示装置の製造
コストを低減できるという効果を奏する。
液晶表示装置の各データ電極に対応して備えられ、出力
端が該データ電極に接続される上記いずれかのサンプル
ホールド回路を有し、該サンプルホールド回路のFET
が薄膜トランジスタで形成されている。この第3態様に
よれば、サンプルホールド回路を、画素スイッチとして
薄膜トランジスタを用いた液晶表示パネルと、入出力電
圧特性のばらつき低減が図られたサンプルホールド回路
とを、同一工程で製造できるので、液晶表示装置の製造
コストを低減できるという効果を奏する。
【0021】本発明の第4態様のフラットパネル型表示
装置では、上記いずれかのサンプルホールド回路と、デ
ータ電極に該サンプルホールド回路の出力端が接続され
た表示用フラットパネルと、を有する。
装置では、上記いずれかのサンプルホールド回路と、デ
ータ電極に該サンプルホールド回路の出力端が接続され
た表示用フラットパネルと、を有する。
【0022】この第4態様によれば、サンプルホールド
回路の入出力電圧特性のばらつきが低減するので、フラ
ットパネル型表示装置の表示品質が向上するという効果
を奏する。
回路の入出力電圧特性のばらつきが低減するので、フラ
ットパネル型表示装置の表示品質が向上するという効果
を奏する。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、図1及び図2に基づいて本
発明の一実施形態を説明する。図1は、本発明の一実施
形態のサンプルホールド回路を示す。バッファ回路30
は、ソースホロワ回路であり、nMOSトランジスタN
1のゲート及びソースがそれぞれバッファ回路30の入
力端及び出力端となっている。nMOSトランジスタN
1のソースは、抵抗R1を介してグランド線に接続さ
れ、nMOSトランジスタN1のドレインは電源供給線
VCCに接続されている。nMOSトランジスタN1の
ゲートとサンプルホールド回路の入力端との間には、選
択信号S1でオン/オフ制御されるアナログスイッチ3
1が接続されている。nMOSトランジスタN1のゲー
トとグランド線との間には、ホールドコンデンサCH1
が接続されている。以上の構成は従来と同一である。
発明の一実施形態を説明する。図1は、本発明の一実施
形態のサンプルホールド回路を示す。バッファ回路30
は、ソースホロワ回路であり、nMOSトランジスタN
1のゲート及びソースがそれぞれバッファ回路30の入
力端及び出力端となっている。nMOSトランジスタN
1のソースは、抵抗R1を介してグランド線に接続さ
れ、nMOSトランジスタN1のドレインは電源供給線
VCCに接続されている。nMOSトランジスタN1の
ゲートとサンプルホールド回路の入力端との間には、選
択信号S1でオン/オフ制御されるアナログスイッチ3
1が接続されている。nMOSトランジスタN1のゲー
トとグランド線との間には、ホールドコンデンサCH1
が接続されている。以上の構成は従来と同一である。
【0024】本実施形態の構成の特徴は、nMOSトラ
ンジスタN1のゲートに補正コンデンサCC1の一端が
接続され、補正コンデンサCC1の他端が、一方ではア
ナログスイッチ33を介してnMOSトランジスタN1
のソースに接続され、他方ではアナログスイッチ34を
介して基準電位線Vrefに接続されていることにある。
アナログスイッチ33及び34はそれぞれ、制御信号S
2及びS3でオン/オフ制御される。
ンジスタN1のゲートに補正コンデンサCC1の一端が
接続され、補正コンデンサCC1の他端が、一方ではア
ナログスイッチ33を介してnMOSトランジスタN1
のソースに接続され、他方ではアナログスイッチ34を
介して基準電位線Vrefに接続されていることにある。
アナログスイッチ33及び34はそれぞれ、制御信号S
2及びS3でオン/オフ制御される。
【0025】次に、上記の如く構成された本実施形態の
動作を、図2に基づいて説明する。図2(A)〜(C)
はそれぞれアナログスイッチ31、33及び34のオン
/オフ波形を示し、図2(D)及び(E)はサンプルホ
ールド回路の入出力電圧波形を示す。VSA及びVD1
はそれぞれサンプルホールド回路の入力信号及び出力信
号である。図2(D)と図2(E)とはnMOSトラン
ジスタN1のしきい値Vthが異なり、図2(C)は図2
(E)よりもしきい値Vthが大きい場合を示す。
動作を、図2に基づいて説明する。図2(A)〜(C)
はそれぞれアナログスイッチ31、33及び34のオン
/オフ波形を示し、図2(D)及び(E)はサンプルホ
ールド回路の入出力電圧波形を示す。VSA及びVD1
はそれぞれサンプルホールド回路の入力信号及び出力信
号である。図2(D)と図2(E)とはnMOSトラン
ジスタN1のしきい値Vthが異なり、図2(C)は図2
(E)よりもしきい値Vthが大きい場合を示す。
【0026】最初、アナログスイッチ31及び33がオ
フ、アナログスイッチ34がオンになっているとする。
この状態からアナログスイッチ31及び33をオンにす
ると、入力信号VSAの電圧がホールドコンデンサCH
1にサンプリングされ、補正コンデンサCC1の電圧が
nMOSトランジスタN1のしきい値Vthに等しくな
る。
フ、アナログスイッチ34がオンになっているとする。
この状態からアナログスイッチ31及び33をオンにす
ると、入力信号VSAの電圧がホールドコンデンサCH
1にサンプリングされ、補正コンデンサCC1の電圧が
nMOSトランジスタN1のしきい値Vthに等しくな
る。
【0027】次に、アナログスイッチ31及び33をオ
フにし、アナログスイッチ34をオンにすると、補正コ
ンデンサCC1の電圧がホールドコンデンサCH1の電
圧よりも低いので、ホールドコンデンサCH1から補正
コンデンサCC1へ電荷ΔQが移動して、両電圧が等し
くなり、電圧VD1がΔV低下する。これにより、VD
1=VSA−(Vth+ΔV)となる。電荷移動量ΔQ
は、しきい値Vthが小さいほど大きいので、しきい値V
thが小さいほどホールドコンデンサCH1の電圧低下が
大きくなり、電圧VD1の低下量ΔVも大きくなる。
フにし、アナログスイッチ34をオンにすると、補正コ
ンデンサCC1の電圧がホールドコンデンサCH1の電
圧よりも低いので、ホールドコンデンサCH1から補正
コンデンサCC1へ電荷ΔQが移動して、両電圧が等し
くなり、電圧VD1がΔV低下する。これにより、VD
1=VSA−(Vth+ΔV)となる。電荷移動量ΔQ
は、しきい値Vthが小さいほど大きいので、しきい値V
thが小さいほどホールドコンデンサCH1の電圧低下が
大きくなり、電圧VD1の低下量ΔVも大きくなる。
【0028】したがって、ホールドコンデンサCH1と
補正コンデンサCC1との容量比及び基準電位線Vref
を適当に選定することにより、nMOSトランジスタN
1のしきい値Vthのばらつきによらず電圧(Vth+Δ
V)を略一定にすることが可能となり、サンプルホール
ド回路の入力電圧VSAに対する出力電圧VD1の特性
のばらつきを低減することができる。
補正コンデンサCC1との容量比及び基準電位線Vref
を適当に選定することにより、nMOSトランジスタN
1のしきい値Vthのばらつきによらず電圧(Vth+Δ
V)を略一定にすることが可能となり、サンプルホール
ド回路の入力電圧VSAに対する出力電圧VD1の特性
のばらつきを低減することができる。
【0029】
[第1実施例]図3は、本発明の第1実施例のサンプル
ホールド回路を示す。この回路では、図1のアナログス
イッチ31を、nMOSトランジスタとpMOSトラン
ジスタとが並列接続された転送ゲートで構成し、図1の
アナログスイッチ33及び34をいずれもnMOSトラ
ンジスタで構成し、基準電位線Vrefをグランド線とし
ている。また、アナログスイッチ31のnMOSトラン
ジスタ及びpMOSトランジスタのゲートにそれぞれ、
選択信号S1、及び、選択信号S1をインバータ32で
反転した信号*S1を供給し、nMOSトランジスタ3
4のゲートに制御信号S3を供給し、nMOSトランジ
スタ33のゲートに、制御信号S3をインバータ35で
反転した信号S2を供給している。
ホールド回路を示す。この回路では、図1のアナログス
イッチ31を、nMOSトランジスタとpMOSトラン
ジスタとが並列接続された転送ゲートで構成し、図1の
アナログスイッチ33及び34をいずれもnMOSトラ
ンジスタで構成し、基準電位線Vrefをグランド線とし
ている。また、アナログスイッチ31のnMOSトラン
ジスタ及びpMOSトランジスタのゲートにそれぞれ、
選択信号S1、及び、選択信号S1をインバータ32で
反転した信号*S1を供給し、nMOSトランジスタ3
4のゲートに制御信号S3を供給し、nMOSトランジ
スタ33のゲートに、制御信号S3をインバータ35で
反転した信号S2を供給している。
【0030】他の点は図1と同一である。 [第2実施例]図4は、本発明の第2実施例のサンプル
ホールド回路を示す。この回路では、図3のホールドコ
ンデンサCH1を省略し、その替わりに、nMOSトラ
ンジスタN1のゲート容量をホールドコンデンサCH1
として用いている。
ホールド回路を示す。この回路では、図3のホールドコ
ンデンサCH1を省略し、その替わりに、nMOSトラ
ンジスタN1のゲート容量をホールドコンデンサCH1
として用いている。
【0031】他の点は図3と同一である。 [第3実施例]図5は、本発明の第3実施例の2段サン
プルホールド回路を示す。この回路は、図7の液晶表示
装置のデータドライバに用いられ、サンプルホールド回
路241A及び251Aはそれぞれ図8のサンプルホー
ルド回路241及び251に対応している。
プルホールド回路を示す。この回路は、図7の液晶表示
装置のデータドライバに用いられ、サンプルホールド回
路241A及び251Aはそれぞれ図8のサンプルホー
ルド回路241及び251に対応している。
【0032】サンプルホールド回路241Aは、図3の
サンプルホールド回路の出力端に、駆動能力を増すため
のコンデンサCを接続した構成となっている。また、サ
ンプルホールド回路251Aは、サンプルホールド回路
241AからコンデンサCを除いたものと同一構成であ
り、サンプルホールド回路251AのnMOSトランジ
スタN2、抵抗R2、ホールドコンデンサCH2、アナ
ログスイッチ41、インバータ42、補正コンデンサC
C2、アナログスイッチとしてのnMOSトランジスタ
43、44、インバータ45、ラッチ信号LT、制御信
号S4及び信号VD2はそれぞれサンプルホールド回路
241AのnMOSトランジスタN1、抵抗R1、ホー
ルドコンデンサCH1、アナログスイッチ31、インバ
ータ32、補正コンデンサCC1、アナログスイッチと
してのnMOSトランジスタ33、34、インバータ3
5、制御信号S1、S3及び信号VD1に対応してい
る。
サンプルホールド回路の出力端に、駆動能力を増すため
のコンデンサCを接続した構成となっている。また、サ
ンプルホールド回路251Aは、サンプルホールド回路
241AからコンデンサCを除いたものと同一構成であ
り、サンプルホールド回路251AのnMOSトランジ
スタN2、抵抗R2、ホールドコンデンサCH2、アナ
ログスイッチ41、インバータ42、補正コンデンサC
C2、アナログスイッチとしてのnMOSトランジスタ
43、44、インバータ45、ラッチ信号LT、制御信
号S4及び信号VD2はそれぞれサンプルホールド回路
241AのnMOSトランジスタN1、抵抗R1、ホー
ルドコンデンサCH1、アナログスイッチ31、インバ
ータ32、補正コンデンサCC1、アナログスイッチと
してのnMOSトランジスタ33、34、インバータ3
5、制御信号S1、S3及び信号VD1に対応してい
る。
【0033】サンプルホールド回路251Aの出力端
は、データ電極を介して液晶画素11の一方の電極に接
続されている。また、信号LT、VSA、S3及びS4
は、図7の制御回路22に対応した制御回路22Aから
供給される。ラッチ信号及び選択信号S1は、図8のも
のと同一である。次に、上記の如く構成された2段サン
プルホールド回路の動作を、図6に基づいて説明する。
は、データ電極を介して液晶画素11の一方の電極に接
続されている。また、信号LT、VSA、S3及びS4
は、図7の制御回路22に対応した制御回路22Aから
供給される。ラッチ信号及び選択信号S1は、図8のも
のと同一である。次に、上記の如く構成された2段サン
プルホールド回路の動作を、図6に基づいて説明する。
【0034】最初、選択信号S1が低レベルでアナログ
スイッチ31がオフ、制御信号S3が高レベルでnMO
Sトランジスタ33がオフ、nMOSトランジスタ34
がオン、ラッチ信号LTが低レベルでアナログスイッチ
41がオフ、制御信号S4が低レベルでnMOSトラン
ジスタ44がオフ、nMOSトランジスタ43がオンで
あるとする。この状態では、nMOSトランジスタ44
がオフであるので、サンプルホールド回路251Aの出
力信号VD2は、補正コンデンサCC2で補正されてお
らず従来と同一である。
スイッチ31がオフ、制御信号S3が高レベルでnMO
Sトランジスタ33がオフ、nMOSトランジスタ34
がオン、ラッチ信号LTが低レベルでアナログスイッチ
41がオフ、制御信号S4が低レベルでnMOSトラン
ジスタ44がオフ、nMOSトランジスタ43がオンで
あるとする。この状態では、nMOSトランジスタ44
がオフであるので、サンプルホールド回路251Aの出
力信号VD2は、補正コンデンサCC2で補正されてお
らず従来と同一である。
【0035】(t1)選択信号S1が高レベルに遷移し
てアナログスイッチ31がオンになり、これと同時に制
御信号S3が低レベルに遷移してnMOSトランジスタ
34がオフ、nMOSトランジスタ33がオンになる。
これにより、入力信号VSAの電圧がホールドコンデン
サCH1にサンプリングされ、補正コンデンサCC1の
電圧がnMOSトランジスタN1のしきい値Vthに等し
くなる。
てアナログスイッチ31がオンになり、これと同時に制
御信号S3が低レベルに遷移してnMOSトランジスタ
34がオフ、nMOSトランジスタ33がオンになる。
これにより、入力信号VSAの電圧がホールドコンデン
サCH1にサンプリングされ、補正コンデンサCC1の
電圧がnMOSトランジスタN1のしきい値Vthに等し
くなる。
【0036】(t2)選択信号S1が低レベルに遷移し
てアナログスイッチ31がオフになり、これと同時に制
御信号S3が高レベルに遷移してnMOSトランジスタ
34がオン、nMOSトランジスタ33がオフになる。
これにより、ホールドコンデンサCH1から補正コンデ
ンサCC1へ電荷が移動し、上記のように、nMOSト
ランジスタN1のしきい値Vthに応じて信号VD1の電
圧が補正され、サンプルホールド回路241Aの入力信
号VSAに対する出力信号VD1の特性のばらつきが低
減される。
てアナログスイッチ31がオフになり、これと同時に制
御信号S3が高レベルに遷移してnMOSトランジスタ
34がオン、nMOSトランジスタ33がオフになる。
これにより、ホールドコンデンサCH1から補正コンデ
ンサCC1へ電荷が移動し、上記のように、nMOSト
ランジスタN1のしきい値Vthに応じて信号VD1の電
圧が補正され、サンプルホールド回路241Aの入力信
号VSAに対する出力信号VD1の特性のばらつきが低
減される。
【0037】(t3)制御信号S4が高レベルに遷移し
てnMOSトランジスタ44がオン、nMOSトランジ
スタ43がオフになる。これにより、ホールドコンデン
サCH2から補正コンデンサCC2へ電荷が移動し、上
記のように、nMOSトランジスタN2のしきい値Vth
に応じて出力信号VD2の電圧がΔVだけ補正され、サ
ンプルホールド回路251Aの入力電圧VD1に対する
出力電圧VD2の特性のばらつきが低減される。
てnMOSトランジスタ44がオン、nMOSトランジ
スタ43がオフになる。これにより、ホールドコンデン
サCH2から補正コンデンサCC2へ電荷が移動し、上
記のように、nMOSトランジスタN2のしきい値Vth
に応じて出力信号VD2の電圧がΔVだけ補正され、サ
ンプルホールド回路251Aの入力電圧VD1に対する
出力電圧VD2の特性のばらつきが低減される。
【0038】ラッチ信号LTの立ち上がりから次のラッ
チ信号LTの立ち上がりまでの期間Tでの出力電圧VD
2の時間平均値が、液晶画素の輝度に対応しているの
で、サンプルホールド回路251Aの補正開始時点t3
が、前記ばらつき低減のパラメータの1つに加えられ、
補正開始時点t3を適当に定めることにより、サンプル
ホールド回路251Aの入出力電圧特性のばらつき低減
がより一層達成される。
チ信号LTの立ち上がりまでの期間Tでの出力電圧VD
2の時間平均値が、液晶画素の輝度に対応しているの
で、サンプルホールド回路251Aの補正開始時点t3
が、前記ばらつき低減のパラメータの1つに加えられ、
補正開始時点t3を適当に定めることにより、サンプル
ホールド回路251Aの入出力電圧特性のばらつき低減
がより一層達成される。
【0039】(t4)ラッチ信号LTが高レベルに遷移
してアナログスイッチ41がオンになり、これと同時に
制御信号S4が低レベルに遷移してnMOSトランジス
タ44がオフ、nMOSトランジスタ43がオンにな
る。これにより、補正された信号VD1がホールドコン
デンサCH2にサンプリングされ、補正コンデンサCC
2の電圧がnMOSトランジスタN2のしきい値Vthに
等しくなる。
してアナログスイッチ41がオンになり、これと同時に
制御信号S4が低レベルに遷移してnMOSトランジス
タ44がオフ、nMOSトランジスタ43がオンにな
る。これにより、補正された信号VD1がホールドコン
デンサCH2にサンプリングされ、補正コンデンサCC
2の電圧がnMOSトランジスタN2のしきい値Vthに
等しくなる。
【0040】(t5)ラッチ信号LTが低レベルに遷移
してアナログスイッチ41がオフになり、ホールドコン
デンサCH2の電圧が保持される。出力信号VD2は、
補正コンデンサCC2による補正前のホールドコンデン
サCH2に応じた電圧になる。以上の処理が繰り返し行
われる。
してアナログスイッチ41がオフになり、ホールドコン
デンサCH2の電圧が保持される。出力信号VD2は、
補正コンデンサCC2による補正前のホールドコンデン
サCH2に応じた電圧になる。以上の処理が繰り返し行
われる。
【0041】なお、本発明には外にも種々の変形例が含
まれる。例えば、本発明はしきい値のばらつきが比較的
大きい薄膜トランジスタを用いたサンプルホールド回路
に好適であるが、薄膜トランジスタ以外のFETであっ
ても、一般にしきい値にばらつきがあり高精度が要求さ
れるサンプルホールド回路に適用しても有効である。
まれる。例えば、本発明はしきい値のばらつきが比較的
大きい薄膜トランジスタを用いたサンプルホールド回路
に好適であるが、薄膜トランジスタ以外のFETであっ
ても、一般にしきい値にばらつきがあり高精度が要求さ
れるサンプルホールド回路に適用しても有効である。
【0042】ソースホロワ回路30は、入力インピーダ
ーンスが出力インピーダーンスより高くかつソース電位
がゲート電位よりしきい値Vthだけ低いものであればよ
く、抵抗R1の替わりに定電流源を用いたものであって
もよい。ホールドコンデンサは、実質的にその電圧保持
機能を有すればよく、図4の場合のようなゲート容量も
ホールドコンデンサに含まれる。
ーンスが出力インピーダーンスより高くかつソース電位
がゲート電位よりしきい値Vthだけ低いものであればよ
く、抵抗R1の替わりに定電流源を用いたものであって
もよい。ホールドコンデンサは、実質的にその電圧保持
機能を有すればよく、図4の場合のようなゲート容量も
ホールドコンデンサに含まれる。
【0043】また、液晶表示装置のデータドライバに本
発明を適用する場合であっても、他の構成のデータドラ
イバ、例えばサンプルホールド回路を並列に接続し、一
方のサンプルホールド回路で入力信号VSAをサンプリ
ング中に他方のサンプルホールド回路の出力をデータ電
極に供給し、両サンプルホールド回路の役割を交互に切
り換える構成のデータドライバに適用することができ
る。
発明を適用する場合であっても、他の構成のデータドラ
イバ、例えばサンプルホールド回路を並列に接続し、一
方のサンプルホールド回路で入力信号VSAをサンプリ
ング中に他方のサンプルホールド回路の出力をデータ電
極に供給し、両サンプルホールド回路の役割を交互に切
り換える構成のデータドライバに適用することができ
る。
【0044】さらに、液晶表示装置を含む各種フラット
パネル型表示装置において、そのパネルのデータ電極に
本発明のサンプルホールド回路を接続すれば、サンプル
ホールド回路の入力電圧に対する出力電圧の特性のばら
つきを低減することができるので、表示品質を向上させ
ることができる。
パネル型表示装置において、そのパネルのデータ電極に
本発明のサンプルホールド回路を接続すれば、サンプル
ホールド回路の入力電圧に対する出力電圧の特性のばら
つきを低減することができるので、表示品質を向上させ
ることができる。
【図1】本発明の一実施形態のサンプルホールド回路を
示す図である。
示す図である。
【図2】図1の回路の動作波形図である。
【図3】本発明の第1実施例のサンプルホールド回路を
示す図である。
示す図である。
【図4】本発明の第2実施例のサンプルホールド回路を
示す図である。
示す図である。
【図5】本発明の第3実施例の、液晶表示装置に用いら
れた2段サンプルホールド回路を示す図である。
れた2段サンプルホールド回路を示す図である。
【図6】図5の回路の動作を示すタイミングチャートで
ある。
ある。
【図7】従来の液晶表示装置の全体構成図である。
【図8】図7のデータドライバに用いられた2段サンプ
ルホールド回路を示す図である。
ルホールド回路を示す図である。
【図9】図8のサンプルホールド回路内のバッファ回路
として用いられたソースホロワ回路を示す図である。
として用いられたソースホロワ回路を示す図である。
231 Dフリップフロップ 241、241A、251、251A サンプルホール
ド回路 30 バッファ回路 31、33、34、41、43、44 アナログスイッ
チ 32、35、42、45 インバータ CH1、CH2 ホールドコンデンサ CC1、CC2 補正コンデンサ N1、N2 nMOSトランジスタ R1、R2 抵抗
ド回路 30 バッファ回路 31、33、34、41、43、44 アナログスイッ
チ 32、35、42、45 インバータ CH1、CH2 ホールドコンデンサ CC1、CC2 補正コンデンサ N1、N2 nMOSトランジスタ R1、R2 抵抗
フロントページの続き (72)発明者 中林 謙一 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 山本 彰 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内
Claims (5)
- 【請求項1】 出力段に、FETのゲート及びソースを
それぞれ入力端及び出力端とするソースホロア回路を有
し、該ゲートと第1基準電位との間にホールドコンデン
サが接続され、該ゲートとサンプルホールド回路の入力
端との間に第1アナログスイッチが接続されたサンプル
ホールド回路において、さらに、 一端が該ゲートに接続された補正コンデンサと、 該補正コンデンサの他端と該ソースとの間に接続された
第2アナログスイッチと、 該補正コンデンサの他端と第2基準電位との間に接続さ
れた第3アナログスイッチと、 を有することを特徴とするサンプルホールド回路。 - 【請求項2】 請求項1にさらに制御回路を有し、該制
御回路は、 上記第1アナログスイッチ及び上記第2アナログスイッ
チをオンにし上記第3アナログスイッチをオフにし、 次いで該第1アナログスイッチ及び該第2アナログスイ
ッチをオフにし該第3アナログスイッチをオンにする、 ことを特徴とすることをサンプルホールド回路。 - 【請求項3】 請求項1にさらに制御回路を有し、該制
御回路は、 (1)上記第1アナログスイッチ及び上記第2アナログ
スイッチをオンにし上記第3アナログスイッチをオフに
し、 (2)次いで該第1アナログスイッチをオフにし、 (3)次いで該第2アナログスイッチをオフにし該第3
アナログスイッチをオンにし、 (2)の動作開始から(3)の動作開始までの時間を補
正パラメータとして利用することを特徴とすることをサ
ンプルホールド回路。 - 【請求項4】 液晶表示装置の各データ電極に対応して
備えられ、出力端が該データ電極に接続される請求項1
乃至3のいずれか1つに記載のサンプルホールド回路を
有し、該サンプルホールド回路のFETが薄膜トランジ
スタで形成されていることを特徴とするデータドライ
バ。 - 【請求項5】 請求項1乃至3のいずれか1つに記載の
サンプルホールド回路と、 データ電極に該サンプルホールド回路の出力端が接続さ
れた表示用フラットパネルと、を有することを特徴とす
るフラットパネル型表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20498396A JPH1049110A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | サンプルホールド回路並びにこれを用いたデータドライバ及びフラットパネル型表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20498396A JPH1049110A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | サンプルホールド回路並びにこれを用いたデータドライバ及びフラットパネル型表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1049110A true JPH1049110A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16499537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20498396A Pending JPH1049110A (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | サンプルホールド回路並びにこれを用いたデータドライバ及びフラットパネル型表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1049110A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001125545A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Toshiba Corp | 負荷駆動回路および液晶表示装置 |
| JP2005266365A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ソースフォロワ回路及びその駆動方法、ボルテージフォロワ回路、表示装置 |
| KR100567605B1 (ko) * | 2002-11-06 | 2006-04-04 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 출력단부의 로스를 저감시킨 소스 팔로워 회로 및 액정표시 장치의 구동 장치 |
| KR100696695B1 (ko) | 2005-08-30 | 2007-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 샘플/홀드 회로 및 이를 이용한 표시 장치 |
| WO2017145568A1 (ja) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | ソニー株式会社 | ソースドライバ、表示装置、及び、電子機器 |
-
1996
- 1996-08-02 JP JP20498396A patent/JPH1049110A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001125545A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Toshiba Corp | 負荷駆動回路および液晶表示装置 |
| KR100567605B1 (ko) * | 2002-11-06 | 2006-04-04 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 출력단부의 로스를 저감시킨 소스 팔로워 회로 및 액정표시 장치의 구동 장치 |
| JP2005266365A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ソースフォロワ回路及びその駆動方法、ボルテージフォロワ回路、表示装置 |
| KR100696695B1 (ko) | 2005-08-30 | 2007-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 샘플/홀드 회로 및 이를 이용한 표시 장치 |
| WO2017145568A1 (ja) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | ソニー株式会社 | ソースドライバ、表示装置、及び、電子機器 |
| CN108701436A (zh) * | 2016-02-23 | 2018-10-23 | 索尼公司 | 源极驱动器、显示设备、以及电子设备 |
| US11468849B2 (en) | 2016-02-23 | 2022-10-11 | Sony Group Corporation | Source driver, display apparatus, and electronic apparatus |
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