JPH10501088A - 磁気記録媒体において減摩剤として有用なスルホンアミド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 基材、磁気記録単層、及び少なくとも１種のスルホンアミドを含み、この少なくとも１種のスルホンアミドが所望の減摩性を与えるに十分な量存在する磁気記録媒体。磁気記録媒体の表面に少なくとも１種のスルホンアミドを塗布すること、又は磁気記録媒体の単層に少なくとも１種のスルホンアミドを混入することを含む磁気記録媒体を減摩する方法。

Description

【発明の詳細な説明】 磁気記録媒体において減摩剤として有用なスルホンアミド 本発明は、減摩剤、より詳細には、磁気記録媒体において有用な減摩剤に関す る。 既存の減摩剤に求められている要求は、現在、大きく変化している。例えば、 磁気記録ヘッドにより読まれることができる、高密度剛性ディスク、超高密度フ ロッピーディスク、デジタルオーディオテープおよびビデオテープのような磁気 記録媒体における使用には減摩剤が必要である。これらの媒体の使用において、 記録ヘッドは記録媒体と非常に近接しており、そして頻繁に、記録媒体に接触す る。このような接触は、記録媒体上の磁気材料の薄い層の摩耗をもたらし、そし て記録媒体の有用な寿命を短縮する。有効性が不十分な減摩剤では、摩擦性、引 掻性および付着性が増加する等の問題がある。それ故、新規の有効な減摩剤が望 まれる。 1 つの態様において、本発明は、基材、磁気記録層および少なくとも1 種のス ルホンアミドを含み、ここで、少なくとも1 種のスルホンアミドが望ましい減摩 特性を付与するために十分な量で存在する、磁気記録媒体である。 本発明のスルホンアミドを含有する記録媒体は物理的に、且つ、磁気的に耐久 性である。更に、スルホンアミドは、トルエン、アセトン、エタノールおよびテ トラヒドロフランのような有機溶剤中に相溶性であるから製造時に容易に加工さ れる。 別の態様において、本発明は、磁気記録媒体を減摩するために有用な方法であ って、この方法は、磁気記録媒体の表面上に少なくとも1 種のスルホンアミドを 塗布して、この表面上に平均厚さ1 〜10 00Åのスルホンアミドフィルムを形成することを含む。 更に別の態様において、本発明は、磁気記録媒体を減摩するために有用な方法 であり、この方法は、磁気記録媒体の調製の間に、粒状の磁気記録層中に少なく とも1 種のスルホンアミドを混入させて粒状の磁気記録層に0.001 〜10重量% の スルホンアミドを含ませることを含む。 本発明は、高密度剛性ディスク、超高密度フロッピーディスク、デジタルオー ディオテープ、8mm ビデオテープおよびスーパーVHS テープのような高密度記録 媒体上に配置される組成物を含み、それは、摩耗を低下し、全体の性能を改良し 、そしてディスクアセンブリーの読出および／または書込ヘッドから媒体の損傷 を保護するための内部減摩剤系または局所減摩剤系として使用されるスルホンア ミド減摩剤を含む。 本発明のスルホンアミドは、60個未満の炭素原子を含み、式Ｒ₁−ＳＯ₂ＮＲ₂ Ｒ₃により表される。ここで、Ｒ₁は、炭素数18以下、好ましくは炭素数4 〜10の 未置換アルキルであるか、または、炭素数12以下の芳香族部分であり、ハロゲン 、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、トリハロメチル、トリハロメトキシま たはポリハロエトキシにより置換されていてよい。芳香族部分は５個までの置換 基により置換されていてよい。Ｒ₂およびＲ₃は、独立に、水素、炭素数18以下の 芳香族基、または、炭素数20以下のアルキルであって、好ましくはメチル、オク チル、ドデシルまたはオクタデシルであり、但し、Ｒ₂およびＲ₃の両方が水素で あることはできない。Ｒ₂またはＲ₃が芳香族部分であるときには、芳香族部分は 好ましくはフェニルである。Ｒ₁において、芳香族部分は、環内に１個以上のヘ テロ原子、好ましくは１個以上の窒素原子を含んでよい。Ｒ₁において、芳香族 部分はフェノキシフェニルであることもで きる。Ｒ₁において、芳香族部分は、フェニル、ナフチル、ビフェニル、キノリ ニル、ピリジニル、ピリダジニル、ピリミジニルであることができる。 Ｒ₁のために好ましい芳香族部分は、フェニル、ナフチル、キノリニルおよび フェノキシフェニルを含む。Ｒ₁において、ハロは好ましくはクロロまたはフル オロである。好ましくは、トリハロメチルおよびポリハロエトキシにおいては、 ハロゲンはフッ素である。 本発明のスルホンアミドの代表的な例は、Ｎ−メチル−Ｎ’−フェニルブタン スルホンアミド、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−オクチル−２，４−ビス（２，２，２−ト リフルオロエトキシ）ベンゼンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−オクチル− ３−トリフルオロメチルベンゼンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−オクチル −２，４−ジエトキシベンゼンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−オクチル− ４−（３−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ’ −ジ−ｎ−オクチル−２，４−ジクロロベンゼンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ’−ジ −ｎ−オクチル−３，４−ジフルオロベンゼンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ’−ジ− ｎ−オクチル−８−キノリンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−オクチル−４ −フェノキシベンゼンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−オクチル−４−クロ ロベンゼンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−オクチル−２−ナフタレンスル ホンアミド、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−オクチルベンゼンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ’− ジ−ｎ−オクチルブタンスルホンアミド、Ｎ−ドデシルベンゼンスルホンアミド 、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−オクチル−ペンタフルオロベンゼンスルホンアミド、Ｎ− ドデシル−３−トリフルオロメチルベンゼンスルホンアミドおよびＮ−オクタデ シル−３−トリフルオロメチルベンゼンスルホンアミドである。１つの好ましい スルホンアミドは、Ｒ₁がトリハロメチルで置換され た芳香族部分であり、Ｒ₂がｎ−オクチルであり、そしてＲ₃がｎ−オクチルであ るスルホンアミドである。この好ましいスルホンアミドの例は、Ｎ，Ｎ’−ジ− ｎ−オクチル−３−トリフルオロメチルベンゼンスルホンアミドである。 スルホンアミドは、適切な塩化スルホニルと適切な一置換若しくは二置換アミ ンとを反応させることにより調製されうる。（二置換）アミンは、塩化スルホニ ルとの反応が起こらないほど厳しく立体障害のある化合物であることができない 。反応はトルエンのような溶剤中で行われることができる。反応体が酸アクセプ ターの存在下で溶剤中に可溶性であるかぎり、溶剤の選択は重要でない。反応温 度は、反応体のタイプ、溶剤の選択、圧力および同様のパラメータにより変化し 、そして反応が起こるように調節されうる。一般に、反応温度は20〜150 ℃の範 囲であるが、より高いまたはより低い温度は使用されることができる。適切な反 応時間の後、所望の程度の反応に到達したときに、所望の生成物は、従来の技術 、一般には、濾過、結晶化、洗浄、蒸留等により単離され、そして精製されるこ とができる。 減摩剤の基礎材料に添加剤または補助減摩剤として使用されるときに、本発明 のスルホンアミドは基礎材料と相溶性でなければならない。相溶性とは、適切な 界面活性剤を添加して、または、添加しないで、スルホンアミドが基礎材料中に 容易に分散されるか、または、その中に可溶性であることを意味する。本発明の 減摩剤組成物において有用な既知の減摩剤基礎材料の例は有機油およびグリース を含む。本発明のスルホンアミドが、従来の相溶性の基礎材料への添加剤として 使用されるときに、基礎材料はポリα−オレフィン、ポリグリコール、ポリフェ ニルエーテル、ポリオールエステルまたは脂肪酸エステルであることが好ましい 。基礎材料が脂肪酸エステ ルまたはポリフェニルエーテル、例えば、５Ｐ４Ｅ（５個のフェニル環と４個の エーテル結合を有するポリフェニルエーテル）であることはより好ましい。他の 好ましい基礎材料は、ペンタエリトリトールテトラＣ₅〜Ｃ₉エステル（ＰＥＴ） のようなポリオールエステルおよびポリα−オレフィンを含む。本発明の減摩剤 組成物は、約0.1 〜約100 重量% の1 種以上のスルホンアミドを含む。本発明の スルホンアミドが減摩剤組成物の成分として使用されるときに、スルホンアミド は約0.5 重量% を越える量で使用されることが好ましく、より好ましくは約5 重 量% を越える量で使用される。本発明のスルホンアミドは、添加剤として使用さ れるときに、約50重量% を下回る量で使用されることが好ましく、より好ましく は約20重量% を下回る量で使用される。 本発明の好ましい態様は、粒状または薄膜の磁気記録層を基材上に有して含む 記録媒体であって、この磁気記録層は、粒状の媒体の場合にはバインダーととも に磁性粒子を含み、または、薄膜の媒体、例えば、ニッケル−コバルトの場合に は、バインダーを含まない。記録層は、内部または局所減摩剤のいずれかとして 使用される1 種以上のスルホンアミドを減摩可能な量で含む。本発明に重要なこ とは、媒体に望ましい減摩特性を付与するために十分な量でスルホンアミドが存 在しなければならないことである。この量は、しかし、薄膜の磁気記録媒体また は粒状の磁気記録媒体のいずれかといったような使用される媒体のタイプによる ものである。 本発明のスルホンアミドは、薄膜の磁気記録媒体のための局所減摩剤として特 に有用である。薄膜の磁気記録媒体は、一般に、非磁性金属またはポリエステル （例えば、ポリエチレンテレフタレート）のようなプラスティックであることが できる基材を含む。金属またはニッケル- コバルトのような合金のような磁性膜 は基材に適用 される。磁性層の厚さは約0.20マイクロメートルである。1 種以上のスルホンア ミドは、好ましくは約1 〜約1000Å(10^-10〜10^-7m)、より好ましくは約5 〜約10 0 Åの厚さで磁気記録層の表面上にある。このような記録媒体の特定の例は金属 蒸着テープである。このようなテープおよびこのテープを製造する方法は、Chib a らにより、「高バンド8 ミリビデオシステムのための金属蒸着テープ」(Metal Evaporated Tape for High Band 8MM Video System)、IEEE Transactions on C onsumer Electronics，Vol.35，No.3、第421 頁〜第428 頁(1989年、8 月)に記 載されている。 同様に、スルホンアミドは粒状磁気記録媒体において有用である。粒状磁気記 録媒体は、一般に、非磁性金属またはポリエステルのようなプラスティックであ ることができる基材を含む。磁性粒子含有顔料、例えば、コバルトγ- Ｆｅ₂Ｏ₃ 、バリウムフェライトおよび鉄金属をバインダーとともに基材に適用する。顔料 の量は、配合物全体の重量を基準にして約17〜約21重量% であり、そして好まし い範囲は約17〜約19重量% である。バインダーは、有利には、配合物全体の重量 を基準にして約2.5 重量% 〜約6.0 重量% の量で存在するウレタン、ビニルまた はそれらの組み合わせのような熱硬化性樹脂であり、そして好ましい範囲は約3 〜約6 重量% である。 粒状磁気記録媒体において使用されるスルホンアミドの量は、磁気記録層の全 体の重量の0.001 〜10重量% である。好ましくは、スルホンアミドは、スルホン アミド内部減摩剤では、磁気記録層の0.02重量% を越える。 粒状または薄膜の媒体のいずれかのための局所減摩剤として使用されるときに 、スルホンアミドは、そのままで、または、揮発性溶剤中の溶液のいずれかで表 面に便利に適用される。スルホンアミドのための揮発性溶剤の代表的な例は、ベ ンゼン、トルエンおよびキ シレンのような芳香族炭化水素、ジエチルエーテル、ジメトキシエチレン、ジオ キサン、テトラヒドロフランおよびジエトキシエタンのようなエーテル、クロロ ホルム、ジクロロメタンおよび四塩化炭素のようなハロゲン化炭化水素、メタノ ールおよびエタノールのようなアルコール、メチルエチルケトンおよびアセトン のようなケトン、酢酸エチルのようなエステル、シクロヘキサンのような脂環式 炭化水素、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドおよびシリコーン液体 を含む。 または、粒状磁気記録媒体において内部減摩剤として使用されるときに、スル ホンアミドは、記録層を形成するために基材上に塗布される混合物の組成物中に 含まれる。この混合物は、バインダー、磁性粒子を含有する顔料および揮発性溶 剤を減摩剤とともに含む。スルホンアミドのための代表的な溶剤は、局所使用の ために示したものを含む。 または、スルホンアミドは薄膜または無孔性の剛性および可撓性の磁気記録媒 体において局所的に使用される。 次の例は例示の目的のみで提供され、そして本発明の範囲または請求の範囲を 制限するものと解釈されるべきでない。特に指示かないかぎり、全ての部、比お よび百分率は重量基準である。 実施例幾つかのスルホンアミドの調製 本発明のスルホンアミドを調製する手順を説明するために以下に調製法を示す 。N- メチル-N'-フェニルブタンスルホンアミド N'−メチルアニリン（21.5g，0.2mol）及びトリエチルアミン（35ml）をトル エン（250 ml）で稀釈した。ブタンスルホニルクロラ イド(31g，0.2mol)を室温で攪拌しながらトルエン溶液に加えた。反応は発熱反 応であった。室温に冷却後、トリエチルアミン塩酸塩を濾過し、次いでトルエン 溶液を稀HCl、稀NaOH及び水で洗浄し、次いでMgSO₄により乾燥させた。溶液を活 性炭（Darco^TM）で処理し、次いでトルエンを減圧下で除去した。分子量の計算 値が227 であるC₁₁H₁₇NO₂Sが分子量227 に見出された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0.92 (t，3，CH₃)，1.43(m，2，CH₂)，1.80(m，2，CH₂)，2.98（t，2，CH₂N)，3.35(s ，3，CH₃N)，7.10〜7.50(m，5，芳香族)。N,N' −ジ-n−オクチル-2,4−ビス（2,2,2-トリフルオロエトキシ）ベンゼンスル ホンアミド N,N'−ジ-n−オクチル-2,4−ジクロロベンゼンスルホンアミド（20g，0.045mo l）を、ナトリウムトリフルオロエトキシド(0.2 mol)を含むダイグライム（100 ml）中で140 ℃で３時間加熱した。生成物をトルエンを用いて抽出により単離し 、次いで、アルミナを使用するカラムクロマトグラフィーにより精製した。分子 量の計算値が578 であるC₂₆H₄₂F₆NO₄Sが分子量578 に見出された。¹H NMR(CDCl₃ ): δ 0.87(t，6，CH₃)，1.22(m，20，CH₂)，1.45(t，4，CH₂)，3.20(t，6，CH₂ N)，4.42(m，4，CH₂CF₃)，6.59(d，1，H-4)，7.26(s，1，H-3)，7.96(d，1，H-5 )。N,N' −ジ-n−オクチル-3−トリフルオロメチルベンゼンスルホンアミド 3-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルクロライド（50g，0.20mol）をジ-n - オクチルアミン（48g，0.2mol）とトリエチルアミン（35ml，20％過剰）のト ルエン溶液（500 ml）に加えた。室温で２時間攪拌後、トリエチルアミン塩酸塩 を濾過し、次いでトルエン溶液を稀HCl、稀NaOH及び水で洗浄した。溶液をアル ミナを使用するカラムクロマトグラフィーで処理した。分子量の計算値が449 で あ るC₂₃H₃₈F₃NO₂Sが分子量449 に見出された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0.88(t，6，CH₃ )，1.27(m，20，CH₂)，1.53(t，4，CH₂)，3.12(t,6，CH₂N)，7.06(d，2，Ar(オ ルト-SO₂))，7.25(t)，7.31(s)，7.50(m)(4，H-2，H-4，H-5，H-6)，7.80(d，4 ，メタ-SO₂)。N,N' −ジ-n−オクチル-2,4−ジエトキシベンゼンスルホンアミド Parr反応器内で300 mlのナトリウムエトキシド溶液（ナトリウム0.5mol）と共 にN,N'−ジ-n−オクチル-2,4−ジクロロベンゼンスルホンアミド（40.4g，0.09 mol）を120℃で2.5 日間加熱した。生成物をトルエンを用いて抽出により単離し 、次いでアルミナを使用するカラムクロマトグラフィーで処理した。分子量の計 算値が469 であるC₂₆H₄₇NO₄Sが分子量469 に見出された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0. 87(t，6，CH₃)，1.22(m，20，CH₂)，1.48(t，4，CH₂)，2.47(t，6，CH₃)，3.20( t，6，CH₂N)，4.06(m，4，OCH₂)，6.45(d，1，H-5)，7.26(s，1，H-3)，7.84(d ，1，H-6)。N,N' −ジ-n−オクチル-4-(3-トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼンスルホン アミド N-メチルピロリジノン中でN,N'−ジ-n−オクチル-4−クロロベンゼンスルホン アミド（83g，0.2mol）及び3-トリフルオロメチルフェノキシド（0.28mol，40% 過剰）を一晩加熱した。生成物をトルエンを用いて抽出により単離し、次いでア ルミナを使用するカラムクロマトグラフィーで処理した。分子量の計算値が541 であるC₂₉H₄₂F₃NO₃Sが分子量541 に見出された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0.87(t，6 ，CH₃)，1.24(m，20，CH₂)，1.50(t，4，CH₂)，3.14(t，4，CH₂N)，［7.64(t)， 7.79(d)，7.98(d)，8.06(s)4H，芳香族］。N,N' −ジ-n−オクチル-2,4−ジクロロベンゼンスルホンアミド 2,4-ジクロロベンゼンスルホニルクロライド（1.83g，0.75mol）のトルエン（ 1800ml）溶液に室温でジ-n−オクチルアミン（181 g， 0.75mol）とトリエチルアミンの溶液を滴下添加した。反応物を２時間攪拌し、 次いで濾過により沈殿したトリエチルアミン塩酸塩を除去した。トルエン溶液を 、稀HCl、稀NaOH及び水で洗浄し、次いでMgSO₄により乾燥させた。トルエンを回 転減圧蒸発器により減圧下で蒸発させ、次いで残渣をヘキサン（1500ml）で稀釈 し、そして塩基性、酸性及び中性アルミナを使用するカラムクロマトグラフィー により精製し、融点が40〜42℃の白色固形物を得た。分子量の計算値が449 であ るC₂₂H₃₇NCl₂OS が分子量449 に見出された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0.87(t，6，CH₃ )，1.21(m，20，CH₂)，1.49(t，4，CH₂)，3.26(t，4，CH₂N)，[7.26(s)，7.36( d)，7.50(s)，8.02(d)（3H，芳香族）。N,N' −ジ-n−オクチル-3,4−ジフルオロベンゼンスルホンアミド ジ-n−オクチルアミン（91g，0.377mol）とトリエチルアミン（57ml，10% 過 剰）のトルエン(1000mol)溶液に3,4-ジフルオロベンゼンスルホニルに3,4-ジフ ルオロベンゼンスルホニルクロライド(80g，0.377mol)を加えた。１時間還流後 、精製物を抽出により単離し、次いでアルミナを使用するカラムクロマトグラフ ィーにより精製した。分子量の計算値が417 であるC₂₂H₃₇F₂NO₂Sが分子量417 に 見出された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0.90(t，6，CH₃)，1.25(m，20，CH₂)，1.50(t ，4，CH₂)，3.10(t，4，CH₂N)，7.27，7.62(m，3，芳香族)。N,N'-n −オクチル-8−キノリンスルホンアミド ジ-n−オクチルアミン（60g，0.25mol）をトルエン（500 ml）に溶かし、次い で8-キノリンスルホニルクロライド（25g，0.11mol）を室温で加えた。この溶液 を１時間還流させた。冷却後、アミン塩を濾過により除去した。水で稀釈後、更 に沈殿物が形成され、そしてこれを濾過により除去した。トルエン溶液を水で洗 浄し、乾燥さ せ、次いで塩基性アルミナに通して濾過した。分子量の計算値が408 であるC₂₃H₄₀ N₂O₂S が分子量408 に見出された。GC-MS は親ピークを示さなかった。¹H NMR (CDCl₃): δ 0.88(t，3，CH₃)，1.22(s，10，CH₂)，1.48(sb，2，CH₂)，3.42(t ，2，CH₂)，7.50(m)，7.59(t)，8.00(d)，8.22(d)，8.49(d)，9.06(d)(6，芳香 族)。N,N' −ジ-n−オクチル-4−フェノキシベンゼンスルホンアミド N,N'−ジ-n−オクチル-4−クロロベンゼスルホンアミド(20.75g，0.05mol)及 びナトリウムフェネート(11.6g，0.1mol)をジメチルスルホキシド（100 ml）中 で110 ℃で48時間加熱した。生成物をトルエンを用いる抽出により単離し、次い で、Grl 酸及び塩基性アルミナを通じての濾過により精製した。分子量の計算値 が472 であるC₂₈H₄₂NO₃Sが分子量472 に見出された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0.87(t ，3，CH₃)，1.26(s，10，CH₂)，2.50(sb，2，CH₂)，3.09(t，2，CH₂)，7.02，7. 20，7.40，7.74(m，4，芳香族)。N,N' −ジ-n−オクチル-4−クロロベンゼンスルホンアミド ジ-n−オクチルアミン(24.1g，0.1mol)及びトリエチルアミン(20mol)を含むト ルエン（300 ml）の攪拌された溶液に4-クロロベンゼンスルホンアミド(21.1g， 0.1mol)を加えた。下記のN,N'−ジ-n−オクチルナフタレンスルホンアミドにお けるように生成物を単離した。分子量の計算値が415 であるC₂₈H₄₂NO₃Sが分子量 415 に見出された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0.88(t，3，CH₃)，1.24(s，10，CH₂)，1 .50(sb，2，CH₂)，3.10(t，2，CH₂)，7.45，7.74(m，2，芳香族)。N,N' −ジ-n−オクチル-2−ナフタレンスルホンアミド ジ-n−オクチルアミン(26.52g，0.11mol)及びトリエチルアミン（15.0g，0.15 mol）を含むトルエン（300 ml）溶液に、2-ナフタレンスルホニルクロライド（2 5g，0.11mol）を固形物として加えた。 0.5 時間還流させた後、生成物を抽出により単離し、次いでMgSO₄により乾燥さ せた。トルエンの除去後、生成物をヘキサンで稀釈し、次いで酸性及び塩基性ア ルミナに通して濾過した。¹H NMR(CDCl₃):δ 0.86(t，6，CH₃)，1.22(s，10，CH₂ )，1.52(s，4，CH₂)，3.17(t，4，CH₂)，7.60〜7.90(m，6，芳香族)，8.38(S， 1，芳香族)。N,N' −ジ-n−オクチルベンゼンスルホンアミド ベンゼンスルホニルクロライド（17.6g，0.1mol）をトルエン（100 ml）に溶 かし、次いでジ-n−オクチルアミン(24.1g，0.1mol)及びトリエチルアミン(10.1 g，0.1mol)のトルエン（500 ml）溶液に滴下添加した。添加が完了した後、溶液 を15分間還流させ、冷却し、濾過し、次いで水及び水酸化ナトリウム水溶液（5% ）で洗浄した。MgSO₄により乾燥させた後、生成物を油として得た。分子量の計 算値が381 であるC₂₂H₃₉NO₂Sが分子量381 に見出された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0. 86(t，6，CH₃)，1.24(s，20，CH₂)，1.49(s，4，CH₂)，3.09(s，4，CH₂)，7.49( m，3,芳香族)，7.90(m，2，芳香族)。N,N' −ジ-n−オクチルブタンスルホンアミド ジオクチルアミン(24.1g，0.2mol)及びトリエチルアミン（10.1g，0.10mol） をトルエン（250 ml）で稀釈し、次いでこのアミン溶液にブタンスルホンニルク ロライド(15.6g，0.2mol)のトルエン（50ml）溶液を滴下添加した。添加が完了 した後、生成物を抽出により単離し、次いで、Kugelohr装置（bp 180℃ (0.1mm) ）により蒸留した。分子量の計算値が361 であるC₂₀H₄₃NO₂Sが分子量361 に見出 された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0.90(t，6，CH₃)，0.93(t，3，CH₃)，1.20(s，10， CH₂)，1.45(s，2，CH₂)，1.56(m，4，CH₂)，1.78(m，2，CH₂)，2.89(t，2，CH₂) ，3.15(t，4，CH₂)。N- ドデシルベンゼンスルホンアミド 氷浴により冷却しなから、ドデシルアミン(37.1g，2mol)及びトリエチルアミ ン(20.3g，2mol)のトルエン（2000ml）溶液にベンゼンスルホニルクロライド(35 .2g，2mol)を滴下添加した。１時間の添加の間に、温度が約40℃に上昇した。ト リエチルアミン塩酸塩の濾過後、トルエン溶液を、稀HCl、稀NaOH及び水で洗浄 した。硫酸マグネシウムにより乾燥させた後、トルエンを減圧下で除去し、そし て沈殿物をヘキサン中にスラリー化させ、次いで濾過し、539gの生成物をい得た 。融点は57〜60℃であった。分子量の計算値が326 であるC₂₂H₃₇NCl₂O₂S が分子 量326 に見出された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0.88(t，3，CH₃)，1.24(d，18，CH₂) ，1.45(s，2，CH₂)，4.66(sb，1，NH)，7.49〜7.84(m，5，芳香族)。N,N' −ジ-n−オクチル−ペンタフルオロンゼンスルホンアミド ジ-n−オクチルアミン（22.7g，0.094 mol）及びトリエチルアミン(10.1g，0. 094mol)をトルエン（200 ml）で稀釈した。室温で、このアミン溶液にペンタフ ルオロベンゼンスルホニルクロライド（25g，0.094 mol）を滴下添加した。添加 終了後、トリエチルアミン塩酸塩を濾過し、次いでトルエン溶液を稀Na₂CO₃、稀 HCl 及び水で稀釈した。硫酸マグネシウムにより乾燥させた後、トルエンを減圧 下で除去し、ヘキサンから生成物を再結晶化させた。融点は53〜55℃であった。 分子量の計算値が471 であるC₂₂H₃₄F₅NO₂Sが分子量471 に見出された。¹H NMR(C DCl₃): δ 3.31(m，2，CH₂)，1.60(m，2，CH₂)，1.31(s，10，CH₂)，0.91(t，3 ，CH₃)。N- ドデシル-3−トリフルオロメチルベンゼンスルホンアミド この化合物はN-デシルベンゼンスルホンアミドに関して記述したように調製し た。融点は65〜68℃であった。分子量の計算値が394 であるC₁₉H₃₁F₃NO₂Sが分子 量394 に見出された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0.84(t，3，CH₃)，1.21(s，18，CH₂)，1.45(d，2，CH₂)，2.98(s，2，CH₂)， 4.72(sb，1，NH)，7.2〜8.2(m，4，芳香族)。N- オクタデシル-3−トリフルオロメチルベンゼンスルホンアミド この化合物はN-デシルベンゼンスルホンアミドに関して記述したように調製し た。融点は83〜85℃であった。分子量の計算値が477 であるC₂₅H₄₂F₃NO₂Sが分子 量477 に見出された。¹H NMR(CDCl₃): δ 0.84(t，3，CH₃)，1.21(s，30，CH₂) ，1.49(d，2，CH₂)，3.01(s，2，CH₂)，4.5(sb，1，NH)，7.28〜8.16(m，4，芳 香族)。 実施例１：減摩された磁気テープの製造及び試験 減摩されていないコバルト−ニッケル金属蒸着磁気テープ（８mm）を、メチル エチルケトン(MEK)中に溶解したN,N'−ジ-n−オクチル-2−ナフタレンスルホン アミド（Lube 1）、N,N'−ジ-n−オクチルベンゼンスルホンアミド（Lube 2）、 N,N'−ジ-n−オクチル-3,4−ジフルオロベンゼンスルホンアミド（Lube 3）、N, N'−ジ-n−オクチル-3−トリフルオロメチルベンゼンスルホンアミド（Lube 4） 、N,N'−ジ-n−オクチル-2,4-(2,2,2-トリフルオロエトキシ)-ベンゼンスルホン アミド（Lube 5）又はN,N'−ジ-n−オクチル-4-(3-トリフルオロメチルフェノキ シ)ベンゼンスルホンアミド（Lube 6）の１％溶液に浸漬した。次いで、テープ を取り出し、そして乾燥してMEK を蒸発させ、その結果５〜20オングストローム の平均厚さを有する減摩剤の塗膜が残った。 次いで、ASTMD-3028の方法により、摩擦計（Custom Scientific Instruments ，Inc．）を使用し、減摩されたテープを試験し、摩擦係数を得た。このデータ を表１に示す。 実施例２：減摩された磁気ハードディスクの調製及び試験 減摩されていない炭素オーバーコート3.75インチ(9.5cm)磁気ハードディスク 及び亜リン酸ニッケル3.75インチ(9.5cm)磁気ハードディスク（「硬質ディスク 」とも称される）（Elixir Priducts，Fremont，California）を、超音波槽（ul trasonic bath）を使用してヘキサン中で10分間洗浄し、次いで少なくとも１時 間かけて空気フード(Class 100)内で乾燥させた。次いで、前記ディスクを、Lub e 2，3 又は4 の0.1 重量％ヘキサン溶液を含む５インチ×８インチ×６インチ のステンレス鋼容器内に５分間浸漬した。次いで溶液 を前記容器から１分間当たり１インチ（2.5 cm）の速度で排出した。減摩剤は槽 内の滞留時間の間にディスク上に吸着／吸収された。次いで、清浄空気フード内 で少なくとも１時間かけて室温でディスクを乾燥させ、ヘキサンを蒸発させた。 炭素オーバーコート磁気ハードディスク上の減摩剤の平均塗膜厚さは５〜20オン グストロームであり、そして亜リン酸ニッケル磁気ハードディスク上の減摩剤の 平均塗膜厚さは５〜20オングストロームであった。以下の手順に従って、減摩さ れた磁気ハードディスクの摩擦及びスティクション（stiction）係数を評価する ために試験した。 +0.5〜+3.5マイクロインチのレール平面度（クラウン）、１マイクロインチの 空気帯同面（air-bearing surface: ABS）、-1〜+1マイクロインチのチャンバー 、-2〜+2マイクロインチの捩れ、最低100 マイクロインチから最大300 マイクロ インチのエッジブレンド（edge blend）を有し、幅が0.3 マイクロインチ以上の クラック及びスクラッチ並びに幅４マイクロインチ×長さ５マイクロインチより も大きな密閉された切り屑を有しない２つのアルミナ−チタンカーバイドスライ ダー（MS-13-T13-07-X1，Rank Technology）を備えた硬質ディスク及びヘッド磨 耗試験装置（SD8001，Suface Dynamics，Alameda，Californiaから市販入手可能 ）を使用した。このヘッド磨耗試験装置は、磁気ハードディスクとスライダーの 間の静摩擦係数及び動摩擦係数を測定する。このヘッド磨耗試験装置は、MEGASI SS^TMソフトウェアを備えたホストコンピューターにより制御され、そして測定さ れたデータは収集され、このコンピューターに蓄積される。試験時に、減摩され た磁気ハードディスクをヘッド磨耗試験装置に入れ、次いで、７グラムのヘッド 荷重で、ディスクの表面速度が中心から1.5 インチの距離において3.4 ×10⁴イ ンチ／分（3600ppm，8.6×10⁴cm／分）となるように回転させた。3600ppm にお いて、スライダーは、それ自体とディスク表面との間の気流のために浮遊した。 試験の間、スライダーが降下するまでディスク速度は周期的に遅くなった。500 サイクル毎に摩擦係数を測定し、５rpm 単位で記録した。各サイクルの最初の30 ミリ秒の間にスティクション（ディスクが回転し始めるのに要する力）係数を測 定した。試験の結果を表II〜V に報告する。各表において、「接触起動−静止サ イクル」なる用語は、ディスクを起動及び静止させた回数を表し、その度ごとに 摩擦及びスティクション係数を測定した。表において、「Coef．Fric．」なる用 語は摩擦係数を意味し、そして「Coef．Stic．」なる用語はスティクション係数 を意味する。 表II及びIIIにおいて、ニッケルリン磁気ハードディスクを用いる。 表IV及びＶにおいて、カーボンオーバーコート磁気ハードディスクを用いる。 表II〜Ｖに示した結果より、本発明のスルホンアミドを磁気ハードディスクに 塗布した場合にこのディスクに減摩性を与えることが明らかである。 本明細書及び本発明の実施より、当業者には本発明の他の態様が明らかであろ う。この明細書及び実施例は単なる例示であり、本発明の範囲及び精神は以下の 請求の範囲に示される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ， ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)， ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，Ｃ Ｈ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＲ，ＫＺ， ＬＫ，ＬＲ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＮ，Ｍ Ｗ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＴ，ＵＡ， ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ (72)発明者 カー，キショア ケー. アメリカ合衆国，ミシガン 48640，ミッ ドランド，オークリッジ ドライブ 4616

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．基材、磁気記録単層、及び少なくとも１種のスルホンアミドを含む磁気記 録媒体であって、少なくとも１種のスルホンアミドが所望の減摩性を与えるに十 分な量存在し、このスルホンアミドが60個以下の炭素原子を含みかつ式Ｒ₁-ＳＯ₂ ＮＲ₂Ｒ₃（式中、Ｒ₁は18個以下の炭素を有する未置換アルキル又は12個以下の 炭素を有する芳香族部分であり、この芳香族部分はハロゲン、メチル、エチル、 メトキシ、エトキシ、トリハロメチル、トリハロメトキシもしくはポリハロエト キシで置換していてもよく、Ｒ₂及びＲ₃は独立に水素、18個以下の炭素を有する 芳香族部分又は20個以下の炭素を有するアルキルであり、但しＲ₂又はＲ₃の両方 が水素であることはできない）で表されるものである磁気記録媒体。 ２．Ｒ₁が４〜10個の炭素を有する未置換アルキルであり、そしてＲ₂及びＲ₃ が独立にメチル、オクリル、ドデシルもしくはオクタデシルである、請求項１記 載の磁気記録媒体。 ３．Ｒ₂及びＲ₃の芳香族部分が環内に１個以上の窒素原子を含み得る、請求項 １記載の磁気記録媒体。 ４．Ｒ₂及びＲ₃の芳香族部分がフェノキシフェニル、フェニル、ナフチル、ビ フェニル、キノリニル、ピリジニル、ピリダジニルもしくはピリミジニルである 、請求項１記載の磁気記録媒体。 ５．Ｒ₁がトリハロメチル置換芳香族部分であり、Ｒ₂がｎ−オクチルであり、 そしてＲ₃がｎ−オクチルである、請求項１記載の磁気記録媒体。 ６．少なくとも１種のスルホンアミドがN-ドデシルベンゼンスルホンアミド、 N-メチル-N'-フェニルブタンスルホンアミド、N,N'-ジ-n- オクチル-2,4- ビス( 2,2,2- トリフルオロエトキシ)ベンゼ ンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-3- トリフルオロメチルベンゼンスル ホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-2,4- ジエトキシベンゼンスルホンアミド、 N,N'- ジ-n- オクチル-4-(3-トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼンスルホン アミド、N,N'- ジ-n- オクチル-2,4- ジクロロベンゼンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-3,4- ジフルオロベンゼンスルホンアミド、N,N'-ジ-n- オクチ ル-8- キノリンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-4- フェノキシベンゼン スルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-4-クロロベンゼンスルホンアミド、N,N '- ジ-n- オクチル-2- ナフタレンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチルベン ゼンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチルブタンスルホンアミド、N,N'- ジ-n - オクチルペンタフルオロベンゼンスルホンアミド、N-ドデシル-3- トリフルオ ロメチルベンゼンスルホンアミド又はN-オクタデシル-3- トリフルオロメチルベ ンゼンスルホンアミドである、請求項１記載の磁気記録媒体。 ７．磁気記録単層が粒状物である、請求項１記載の磁気記録媒体。 ８．磁気記録単層が薄フィルムである、請求項１記載の磁気記録媒体。 ９．磁気記録単層が金属蒸着したテープである、請求項１記載の磁気記録媒体 。 10．磁気記録媒体を減摩する方法であって、磁気記録媒体の表面に少なくとも １種のスルホンアミドを塗布してその表面に平均厚さ１〜1000オングストローム のスルホンアミドフィルムを形成することを含み、少なくとも１種のスルホンア ミドが60個以下の炭素原子を含みかつ式Ｒ₁-ＳＯ₂ＮＲ₂Ｒ₃(式中、Ｒ₁は18個以 下の炭素を有する未置換アルキル又は12個以下の炭素を有する芳香族部分であ り、この芳香族部分はハロゲン、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、トリハ ロメチル、トリハロメトキシもしくはポリハロエトキシで置換していてもよく、 Ｒ₂及びＲ₃は独立に水素、18個以下の炭素を有する芳香族部分又は20個以下の炭 素を有するアルキルであり、但しＲ₂又はＲ₃の両方が水素であることができない )で表されるものである方法。 11．Ｒ₁が４〜10個の炭素を有する未置換アルキルであり、そしてＲ₂及びＲ₃ が独立にメチル、オクリル、ドデシルもしくはオクタデシルである、請求項10記 載の方法。 12．Ｒ₂及びＲ₃の芳香族部分が環内に１個以上の窒素原子を含み得る、請求項 10記載の方法。 13．Ｒ₂及びＲ₃の芳香族部分がフェノキシフェニル、フェニル、ナフチル、ビ フェニル、キノリニル、ピリジニル、ピリダジニルもしくはピリミジニルである 、請求項10記載の方法。 14．Ｒ₂及びＲ₃の芳香族部分がフェニル、ナフチル、キノリニル、又はフェノ キシフェニルである、請求項10記載の方法。 15．少なくとも１種のスルホンアミドがN-ドデシルベンゼンスルホンアミド、 N-メチル-N'-フェニルブタンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-2,4- ビス (2,2,2- トリフルオロエトキシ)ベンゼンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチ ル-3- トリフルオロメチルベンゼンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-2,4 - ジエトキシベンゼンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-4-(3-トリフルオ ロメチルフェノキシ)ベンゼンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-2,4- ジ クロロベンゼンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-3,4- ジフルオロベンゼ ンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-8- キノリンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-4- フェノキシベンゼンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル -4- クロロベ ンゼンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチル-2- ナフタレンスルホンアミド、 N,N'- ジ-n- オクチルベンゼンスルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチルブタンス ルホンアミド、N,N'- ジ-n- オクチルペンタフルオロベンゼンスルホンアミド、 N-ドデシル-3- トリフルオロメチルベンゼンスルホンアミド又はN-オクタデシル -3- トリフルオロメチルベンゼンスルホンアミドである、請求項10記載の方法。 16．磁気記録媒体を減摩する方法であって、磁気記録媒体の製造の間に粒状磁 気記録単層に少なくとも１種のスルホンアミドを混入させて粒状磁気記録単層に 0.001 〜10重量％のスルホンアミドを含ませることを含み、少なくとも１種のス ルホンアミドが60個以下の炭素原子を含みかつ式Ｒ₁-ＳＯ₂ＮＲ₂Ｒ₃(式中、Ｒ₁ は18個以下の炭素を有する未置換アルキル又は12個以下の炭素を有する芳香族部 分であり、この芳香族部分はハロゲン、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、 トリハロメチル、トリハロメトキシもしくはポリハロエトキシで置換していても よく、Ｒ₂及びＲ₃は独立に水素、18個以下の炭素を有する芳香族部分又は20個以 下の炭素を有するアルキルであり、但しＲ₂又はＲ₃の両方が水素であることはで きない)で表されるものである方法。 17．Ｒ₁が４個以下の炭素を有する未置換アルキルであり、そしてＲ₂及びＲ₃ が独立にメチル、オクリル、もしくはドデシルである、請求項16記載の方法。 18．Ｒ₂及びＲ₃の芳香族部分が環内に１個以上の窒素原子を含み得る、請求項 16記載の方法。 19．Ｒ₂及びＲ₃の芳香族部分がフェノキシフェニル、フェニル、ナフチル、ビ フェニル、キノリニル、ピリジニル、ピリダジニルもしくはピリミジニルである 、請求項16記載の方法。 20．Ｒ₂及びＲ₃の芳香族部分がフェニル、ナフチル、キノリニ ル、又はフェノキシフェニルである、請求項16記載の方法。