JPH10501672A - 増幅段 - Google Patents

増幅段

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JPH10501672A
JPH10501672A JP8530139A JP53013996A JPH10501672A JP H10501672 A JPH10501672 A JP H10501672A JP 8530139 A JP8530139 A JP 8530139A JP 53013996 A JP53013996 A JP 53013996A JP H10501672 A JPH10501672 A JP H10501672A
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Abstract

(57)【要約】 差動対(T1,T2)を具える増幅段にはこの差動対の第2制御電極間に結合された抵抗性ラダー(R1・・・R2n)を設ける。この抵抗性ラダー(R1・・・R2n)に沿うミラー位置の口出しタップを第1および第2電流源トランジスタ(T3,T4)に切換え自在に接続し、この電流源トランジスタの制御電極を差動対を形成するトランジスタの第1主電極に接続する。電流源トランジスタ(T3,T4)に直列にスイッチを設けることによって、電流源トランジスタ(T3,T4)の出力インピーダンスが前記スイッチの出力インピーダンスよりも著しく大きくなる際にこれらスイッチの非直線性インピーダンスの影響を無視し得る程度に小さく低減し、従って利得が切換え自在で歪みが低減された増幅段を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】 増幅段発明の技術分野 本発明は各々が制御電極並びに第1および第2主電極を有する第1および第2 トランジスタを具え、これらトランジスタの第2主電極は複数の口出しタップを 有する抵抗性ラダーを経て相互に接続し、利得を前記抵抗性ラダーの選択された 部分を経て切換え可能とした増幅段に関するものである。発明の背景 この種増幅段はヨーロッパ特許出願公開EP 0 587 965 A1 から既知である。ト ランジスタの制御電極に供給される入力電圧はこの抵抗性ラダーによって電流に 変換する。抵抗性ラダーの選択された部分を橋絡することによって抵抗性ラダー の変換インピーダンスを変化させることができ、従って増幅段の利得を有効に変 更する。既知の増幅段の欠点は、抵抗性ラダーの選択させる部分を橋絡するため に用いられるスイッチのインピーダンスがこれらトランジスタの第2主電極間に 見られる変換インピーダンスの部分となる点である。これらスイッチはしばしば 、閉成状態で非直線性インピーダンスを有するトランジスタで構成されるため、 第2主電極間の合成インピーダンスは非直線性となる。この結果、特に、閉成さ れたスイッチのインピーダンスが抵抗性ラダーの合成インピーダンスの大きさま たはこれに近いものとなる場合には、歪みが生じるようになる。発明の概要 本発明の目的は利得が切換え可能で、歪みが低減された増幅段を提供せんとす るにある。 本発明増幅段は各々が制御電極並びに第1および第2主電極を有する第1およ び第2電流源トランジスタを具え、これら第1および第2電流源トランジスタは 、その制御電極を前記第1および第2トランジスタの第1主電極にそれぞれ接続 するとともに前記第1および第2電流源トランジスタの第1主電極を前記抵抗性 ラダーの各口出しタップに結合する複数のスイッチをさらに具えることを特徴と する。 これら電流源トランジスタによってフィードバックループを構成し、このフィ ードバックループを経て電圧−電流変換を直線性とする。本発明によれば、これ らスイッチを電流源トランジスタに直列に配置する。電流源トランジスタのイン ピーダンスが閉成されたスイッチのインピーダンスよりも著しく大きくなると、 このスイッチのインピーダンスを無視し得るようにすることができる。これがた め、変換インピーダンスに及ぼすスイッチの非直線性インピーダンスの影響は無 視し得る程度に小さくなり、これにより、スイッチのインピーダンスが抵抗性ラ ダーを構成する抵抗性素子のインピーダンスの大きさと同程度となる場合でも、 直線性変換インピーダンスを得ることができる。 電流源トランジスタによって形成されるフィードバックはPCT 出願WO 94/1649 4 から既知であり、このPCT 出願WO 94/16494 には電流源トランジスタの第1主 電極をそれぞれ第1および第2トランジスタの第2主電極に直接接続するように して歪みを低くするようにした増幅段の構成が記載されている。しかし、この構 成では、増幅段の利得を切換え可能とすることはできない。 本発明増幅段の一例では、前記増幅段は第1および第2電流源を具え、これら 第1および第2電流源を前記第1および第2トランジスタの第1主電極にそれぞ れ接続し得るようにする。かかる手段によれば、第1および第2トランジスタを 流れる電流を一定に保持し、その結果、各トランジスタの第2主電極の電圧をト ランジスタの制御電極に供給される電圧に正確に追従し得るようにする。これが ため、電圧−電流変換を一層直線性とし、その結果、歪みをさらに低減させるこ とができる。図面の簡単な説明 図1はMOSトランジスタを用いる本発明増幅器配置の一例の構成を示す回路 図である。発明を実施するための最良の形態 本発明は制御電極をゲート、第1主電極をドレイン、第2主電極をソースとし たMOSトランジスタを用いる。また、制御電極をベース、第1主電極をコレク タ、第2主電極をエミッタとしたバイポーラトランジスタを用いることもできる 。この場合には、nチャネルMOSトランジスタの代わりにNPNトランジスタ およびpチャネルMOSトランジスタの代わりにPNPトランジスタを用いる。 さらに、例えばpチャネルの代わりにnチャネルを用いることにより、またはそ の逆とすることにより反対導電型のトランジスタを用いることができる。 図はMOSトランジスタを用いる本発明増幅器配置の一例の回路図である。n −チャネルトランジスタT1およびT2は抵抗性ラダー50を経て結合されたソ ースを有する差動対とし、この抵抗性ラダーは抵抗素子R1・・・R2nを有す るとともに複数対の口出しタップ(X1,Y1),・・・,(Xn,Yn)をも具え 、一対の口出しタップ(Xi,Yi)は抵抗素子間の抵抗性ラダーに沿って配列し 、ここにi=1・・nとする。複数の口出しタップの第1部分X1 ・・Xn を各 スイッチSx1・・Sxnを経てノード35に接続する。複数の口出しタップの第2 部分Y1 ・・Yn を各スイッチSy1・・Synを経てノード36に接続する。トラ ンジスタT1のゲートをノード31に接続するとともにトランジスタT2のゲー トをノード32に接続する。第1電流源(10)および第2電流源(11)をト ランジスタT1およびT2のソースと第1給電ノード29との間にそれぞれ結合 する。第3電流源(20)および第4電流源(21)を第2給電ノード30とト ランジスタT1およびT2のドレインスとの間にそれぞれ結合する。第1および 第2p−チャネル電流源トランジスタをT3およびT4はそのゲートをトランジ スタT1およびT2のドレインにそれぞれ結合し、そのソースを給電ノード30 に結合し、そのドレインをノード35および36にそれぞれ結合する。また、p −チャネル出力トランジスタT5およびT6はそのゲートをトランジスタT1お よびT2のドレインにそれぞれ結合し、そのソースを給電ノード30に結合し、 そのドレインをノード33および34にそれぞれ結合する。第1および第2抵抗 40および41は給電ノード29と出力ノード33および34との間にそれぞれ 接続する。スイッチSx1・・・Sxn,Sy1・・・Synは半導体スイッチ、例えば MOSトランジスタとして構成する。閉成状態においては、これらスイッチはこ れを流れる電流とその両端間の電圧との関係が非直線性を呈するようになる。従 ってこれらスイッチは非直線性インピーダンスを有する。常規作動中では、一対 のスイッチSxiおよびSyiのみが閉成される。従ってその他のスイッチは 開放されている。しかし、所望に応じ、一対の以上のスイッチを同時に閉成させ ることもできる。 本発明増幅段の作動は次の通りである。ノード31および32間に差動電圧を 増幅段の入力電圧として供給する。トランジスタT1およびT2を流れる電流が 一定であり、この電流が電流源20および21によってそれぞれ供給されるため 、トランジスタT1およびT2のゲート電圧はノード38および39にコピーさ れるようになる。一例として、図1に示すように、スイッチSxiおよびSyiが閉 成され、その他のスイッチ全部が開放されているものとする。ノード38から口 出しタップXi に一定の電流、即ち、電流源20および10によって供給される 電流の差分に等しい電流が流れるようになる。これがため、口出しタップXi の 電圧はノード38の電圧に直接追従するようになり、ノード38および口出しタ ップXi 間のインピーダンスの両端間の電圧降下の差が一定となり、これにより トランジスタT1を流れる電流が一定となる際にこれがトランジスタT1のゲー ト電圧に追従するようになる。同様のことが口出しタップYi に対しても当ては まり、これはノード39の電圧、従ってトランジスタT2のゲート電圧に直接追 従するようになる。従って、口出しタップXi およびYi 間の抵抗性ラダーの部 分のみによって電圧−電流変換を行う。口出しタップXi によって抵抗性ラダー のR1からR(i−1)までの部分を規制するとともに口出しタップYi によっ て抵抗性ラダーのR2nからR(2n−i)までの他の部分を規制する。これらの部 分はスイッチSxiおよびSyiをそれぞれ閉成することによって有効に橋絡し、従 って従来のインピーダンスの部分をもはや取らなくなる。この電圧−電流変換か ら生じた差電流は電流源トランジスタT3およびT4によって供給される。これ らスイッチSxiおよびSyiは電流源トランジスタT3およびT4とそれぞれ直列 に配置する。ノード35および36にそれぞれ見られるような電流源トランジス タT3およびT4の出力インピーダンスは閉成されたスイッチSxiおよびSyiの 非直線性インピーダンスよりも著しく大きいため、これらスイッチのインピーダ ンスは電流源トランジスタのインダクタンスに比べて無視することができる。従 って、これらスイッチの非直線性インピーダンスは口出しタップXi およびYi 間に見られるようなインピーダンスの電圧−電流変換には寄与しない。これは、 増幅段の電圧−電流変換の直線性を特に抵抗性ラダーが構成される低い値の抵抗 素子で著しく増強するようになる。出力ノード33および34には差出力信号を 得ることができる。この差出力信号はトランジスタT3およびT4に流れる電流 をトランジスタT5およびT6にそれぞれコピーすることによって発生し、従っ てトランジスタT5およびT6に流れる電流はノード33および34にそれぞれ 接続された抵抗40および41の両端間の電圧に変換される。これがため、出力 ノード33および34に差出力電圧を得ることができる。増幅段の利得は複数の スイッチ(Sx1・・・Sxn,Sy1・・・Syn)の選択されたスイッチ対Sxiおよ びSyiを閉成することによって設定することができる。これがため、増幅段は利 得を切換え可能にするとともに歪みをも低減することができる。 本発明は上述した例にのみ限定されるものではない。例えば、電流源10およ び11を省略し得るとともに他の電流源をモード37および給電ノード39間に 挿入してこれらモード37および給電ノード39を結合することができる。或は 又、この他の電流源を図1の回路に追加することもできる。所望に応じ、1つ以 上の抵抗を口出しタップXn およびYn 間に追加することもできる。 さらに、一対の出力信号を得るにも多数の手段がある。電流源20および21 の代わりに、それぞれ抵抗を用いることができ、しかも抵抗をトランジスタT1 およびT2に接続するノードに出力信号を得ることができる。さらに、トランジ スタT3およびT4の第2主電極を給電ノード30に直接接続する必要はない。 例えば、これら第2主電極を相互接続するとともに他の電流源を経て給電ノード 30に接続することができる。また、電流源20および21の代わりに抵抗を用 いる場合にはこれら抵抗の各々に口出しタップを設け、これら抵抗を2部分に有 効に分割し、トランジスタT3およびT4の第2主電極を各トランジスタの口出 しタップに接続することができる。従ってこの場合には抵抗の口出しタップに出 力信号を得ることができる。しかし、これらの例は発明の要旨を逸脱することな く、多くの変形が可能となることを単に示すだけである。電流源に直列に設けら れた差動対の利得を制御するスイッチを設けることを示し、このスイッチは抵抗 性ラダーの口出しタップに接続し、これによって電圧−電流変換インピーダンス を決め、この電流源を差動対の利得を直線性とするフィードバックループの一部 分とする。電流源に直列にスイッチを設けることによって差動対の変換インピー ダンスに及ぼすスイッチの非直線性インピーダンスの影響を充分に除去すること ができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.各々が制御電極並びに第1および第2主電極を有する第1および第2トラン ジスタ(T1,T2)を具え、これらトランジスタ(T1,T2)の第2主電極 は複数の口出しタップ(X1・・・Xn,Y1・・・Yn)を有する抵抗性ラダ ー(R1・・・R2n)を経て相互に接続し、利得を前記抵抗性ラダー(R1・・ ・R2n)の選択された部分を経て切換え可能とした増幅段において、各々が制御 電極並びに第1および第2主電極を有する第1および第2電流源トランジスタ( T3,T4)を具え、これら第1および第2電流源トランジスタ(T3,T4) は、その制御電極を前記第1および第2トランジスタ(T1,T2)の第1主電 極にそれぞれ接続するとともに前記第1および第2電流源トランジスタ(T3, T4)の第1主電極を前記抵抗性ラダー(R1・・・R2n)の各口出しタップの 結合する複数のスイッチ(Sx1・・・Sxn,Sy1・・・Syn)をさらに具えるこ とを特徴とする増幅段。 2.前記増幅段は第1および第2電流源(20,21)を具え、これら第1およ び第2電流源(20,21)を前記第1および第2トランジスタ(T1,T2) の第1主電極にそれぞれ接続するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の 増幅段。
JP8530139A 1995-04-04 1996-03-18 増幅段 Ceased JPH10501672A (ja)

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NL95200848.0 1995-04-04
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757230A (en) * 1996-05-28 1998-05-26 Analog Devices, Inc. Variable gain CMOS amplifier
DE19854847C2 (de) * 1998-11-27 2003-07-31 Vishay Semiconductor Gmbh Verstärkeranordnung
US6239655B1 (en) 1999-04-08 2001-05-29 Peavey Electronics Corporation Microphone amplifier with digital gain control
US6684065B2 (en) * 1999-12-20 2004-01-27 Broadcom Corporation Variable gain amplifier for low voltage applications
US6509796B2 (en) 2000-02-15 2003-01-21 Broadcom Corporation Variable transconductance variable gain amplifier utilizing a degenerated differential pair
DE60116470T2 (de) * 2000-02-15 2006-08-10 Broadcom Corp., Irvine Verstärker mit variabler transkonduktanz und variabler verstärkung unter verwendung einer degenerierten differenzanordnung
KR100785533B1 (ko) * 2000-02-24 2007-12-12 엔엑스피 비 브이 차동 쌍의 트랜스컨덕턴스를 축퇴시키는 축퇴 수단이 제공되는 차동 쌍과 보조 회로를 포함하는 전자 회로
US6316997B1 (en) 2000-03-23 2001-11-13 International Business Machines Corporation CMOS amplifiers with multiple gain setting control
US6864723B2 (en) * 2000-09-27 2005-03-08 Broadcom Corporation High-swing transconductance amplifier
US6456158B1 (en) 2000-10-13 2002-09-24 Oki America, Inc. Digitally programmable transconductor
US6714075B2 (en) * 2001-11-16 2004-03-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Variable gain amplifier and filter circuit
US7489910B2 (en) * 2005-03-30 2009-02-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Wireless transmitter and amplifier
JP4719044B2 (ja) * 2006-03-22 2011-07-06 株式会社東芝 増幅回路
TWI314393B (en) * 2006-07-25 2009-09-01 Realtek Semiconductor Corp Gain-controlled amplifier
CN101453197B (zh) * 2007-11-30 2011-01-26 瑞昱半导体股份有限公司 增益调整电路
US20130234685A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 Qualcomm Atheros, Inc Highly linear programmable v-i converter using a compact switching network

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58154911A (ja) * 1982-03-09 1983-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 利得制御増幅器
EP0587965B1 (en) * 1992-09-16 1999-08-04 STMicroelectronics S.r.l. Differential transconductance stage, dynamically controlled by the input signal's amplitude
FR2700083B1 (fr) * 1992-12-30 1995-02-24 Gerard Perrot Amplificateur à distorsion stable pour signaux audio.
US5574678A (en) * 1995-03-01 1996-11-12 Lattice Semiconductor Corp. Continuous time programmable analog block architecture

Also Published As

Publication number Publication date
US5668502A (en) 1997-09-16
DE69609272T2 (de) 2001-03-15
WO1996031945A3 (en) 1996-12-19
DE69609272D1 (de) 2000-08-17
TW301078B (ja) 1997-03-21
EP0764364B1 (en) 2000-07-12
KR100393693B1 (ko) 2003-10-22
WO1996031945A2 (en) 1996-10-10
EP0764364A2 (en) 1997-03-26
KR970703645A (ko) 1997-07-03

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