JPH1051182A - 測定器における入力アンプユニットの静電遮蔽構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】測定器用入力アンプユニットの静電遮蔽機能を
高める。 【解決手段】一側ケース部１３と他側ケース部１７とか
らなる樹脂ケーシング１２と、２チャンネル分の入力ア
ンプ回路を備えて樹脂ケーシング１２内に配設されるア
ンプ基板２１と、樹脂ケーシング１２の開口部を覆う樹
脂パネル部とで構成され、入力アンプ回路のそれぞれ
は、スルーホールを介して相互に導通させた導電パター
ンにより表裏にて囲繞されたハイインピーダンス領域２
３，２７を備え、一側ケース部１３と他側ケース部１７
とは、導電パターンとその端面１５，１９が当接して対
面合致し、かつ該端面１５，１９を含む内側面が導電層
１６，２０で覆われた囲壁部１４，１８を備え、アンプ
基板２１は、入力アンプ回路におけるハイインピーダン
ス領域２３，２７のそれぞれを囲壁部１４と１８とで表
裏両面から覆って形成される隔室３３，３４内に収納し
て樹脂ケーシング１２内に配設した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、測定器が備える入
力アンプユニットに内蔵させたアンプ基板が備える２チ
ャンネル分の入力アンプ回路のうち、それぞれのハイイ
ンピーダンス領域が他から電気的な影響を受けたり、他
の領域に電気的な影響を及ぼしたりしないようにした測
定器における入力アンプユニットの静電遮蔽構造に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】波形記録計等の測定器においては、図４
に示すように測定器本体２と、該測定器本体２に測定チ
ャンネルの数に応じて設けられている被装着部３に対し
着脱を自在にして装着される入力アンプユニット４とで
測定器１の全体が形成されているものもある。

【０００３】この場合、入力アンプユニット４は、アン
プ基板を内蔵させた樹脂ケーシング５の前面側に樹脂パ
ネル部６が覆設されており、該樹脂パネル部６の上下両
端部に配設されている通孔６ａを介して測定器本体２の
側にねじ７により止着できるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、入力アンプ
ユニット４には、内蔵しているアンプ基板が２チャンネ
ル分の入力アンプ回路を備えているものもあり、そのそ
れぞれが例えばアッテネータなどからなるハイインピー
ダンス領域を有していることも多くあり、これらハイイ
ンピーダンス領域に対し何らかの静電遮蔽手段を講じな
い限り、好ましくないクロストークなどが発生し、測定
を不安定なものにする不都合があった。

【０００５】本発明は従来技術にみられた上記課題に鑑
み、入力アンプユニットに内蔵されているアンプ基板が
２チャンネル分の入力アンプ回路を備えている場合であ
っても、ハイインピーダンス領域相互の間でクロストー
クすることのないようにした測定器における入力アンプ
ユニットの静電遮蔽構造を提供することにその目的があ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
すべくなされたものであり、その構成上の特徴は、一側
ケース部と他側ケース部とに二つ割りにされて前面側に
開口部を有する樹脂ケーシングと、２チャンネル分に分
割された入力アンプ回路を備えて前記樹脂ケーシング内
に配設されるアンプ基板と、樹脂ケーシングの前記開口
部に覆設される樹脂パネル部とで測定器のための入力ア
ンプユニットを構成し、アンプ基板の入力アンプ回路の
それぞれは、スルーホールを介して相互に導通させた導
電パターンにより表裏にて囲繞されたハイインピーダン
ス領域を備え、一側ケース部と他側ケース部とのそれぞ
れは、前記導電パターンとその端面が当接して対面合致
し、かつ該端面を含む内側面が導電層で覆われた囲壁部
を備え、アンプ基板は、入力アンプ回路におけるハイイ
ンピーダンス領域のそれぞれを一側ケース部の囲壁部と
他側ケース部の囲壁部とで表裏両面から覆って形成され
る隔室内に収納した配置関係のもとで樹脂ケーシング内
に配設したことにある。

【０００７】本発明において、前記アンプ基板は、入力
アンプ回路における少なくともハイインピーダンス領域
が位置する部位の入力アンプ回路相互を二分するに足る
切欠部を備え、一側ケース部と他側ケース部とのいずれ
か一方には、アンプ基板を配設した際に前記切欠部を介
して突出する導電性の隔壁部を設けたものであってもよ
い。

【０００８】

【発明の実施の形態】図１は、図４に示す測定器１の入
力アンプユニット４における一側ケース部の側に相当す
る部位についての本発明の要部構造を示す説明図であ
り、図２は、図１のＡ−Ａ線矢視方向に相当する入力ア
ンプユニットの断面構造を模式的に示す説明図である。

【０００９】これらの図によれば、入力アンプユニット
１１の全体は、一側ケース部１３と他側ケース部１７と
に二つ割りにされて前面側に開口部１２ａを有する樹脂
ケーシング１２と、２チャンネル分に分割された入力ア
ンプ回路２２，２６を備えて樹脂ケーシング１２内に配
設されるアンプ基板２１と、樹脂ケーシング１２の前記
開口部１２ａに覆設される樹脂パネル部３５とで構成さ
れている。また、一側ケース部１３と他側ケース部１７
とアンプ基板２１とは、図３（イ）〜（ハ）に示す対応
関係のもとでそれぞれが形成されている。

【００１０】この場合、アンプ基板２１にあって２チャ
ンネル分に分割された入力アンプ回路２２，２６は、図
３（ロ）に示すようにアッテネータなどのハイインピー
ダンス部品が集中的に実装されているハイインピーダン
ス領域２３，２７を備えている。

【００１１】しかも、これらハイインピーダンス領域２
３，２７のそれぞれは、アンプ基板２１の表面２１ａと
裏面２１ｂとにおいて銅箔などからなる導電パターン２
４，２８により囲繞することにより画成されており、表
裏にて対向する導電パターン２４，２４もしくは２８，
２８相互のそれぞれはスルーホール２５，２９を介して
導通されている。

【００１２】また、アンプ基板２１は、入力アンプ回路
２２，２６における少なくともハイインピーダンス領域
２３，２７が位置している部位にてアンプ回路２２，２
６相互を二分するに足る長さを有する切欠部３０を例え
ば図３（ロ）に示すようにして設けておくのが望ましい
が、該切欠部３０を特に設けないものであってもよい。

【００１３】一方、アンプ基板２１が内蔵される樹脂ケ
ーシング１２を構成している一側ケース部１３と他側ケ
ース部１７とのうち、一側ケース部１３は、アンプ基板
２１において表面２１ａ側のハイインピーダンス領域２
３，２７を囲繞している導電パターン２４，２８とそれ
ぞれの端面１５，１５が当接して対面合致し、かつ端面
１５，１５を含む内側面が導電塗料を塗布するなどして
なる導電層１６で覆われた一対の囲壁部１４，１４を備
えて形成されている。この場合、囲壁部１４のそれぞれ
は、アンプ基板２１の表面２１ａ側に実装されているア
ッテネータなどのようにある程度の座高を有する部品を
確実に収納できるに足る高さが付与されて形成されてい
る。

【００１４】また、他側ケース部１７は、図３（ハ）に
示すようにアンプ基板２１において裏面２１ｂ側のハイ
インピーダンス領域２３，２７を囲繞している図示しな
い導電パターンとそれぞれの端面１９，１９が当接して
対面合致し、かつ端面１９，１９を含む内側面が導電塗
料を塗布するなどしてなる導電層２０で覆われた一対の
囲壁部１８，１８を備えて形成されている。この場合、
囲壁部１８は、部品が実装されていないアンプ基板２１
の裏面２１ｂ側を覆うに足る高さが付与されて形成され
ている。

【００１５】さらに、樹脂ケーシング１２に内蔵される
アンプ基板２１が切欠部３０を備えている場合、一側ケ
ース部１３は、定置させたアンプ基板２１の切欠部３０
が位置する部位にその表面に導電層３２を有して導電性
が付与された隔壁部３１を設けておくのが望ましい。該
隔壁部３１は、他側ケース部１７と一体的に組み合わせ
た際、該他側ケース部１７の内側面にほぼ到達する高さ
が付与されて形成されるものであり、必要により他側ケ
ース部１７の側に形成するものであってもよい。

【００１６】また、アンプ基板２１は、一側ケース部１
３と他側ケース部１７とを図２に示すように一体的に組
み合わせた際、入力アンプ回路２２，２６におけるハイ
インピーダンス領域２３，２７のそれぞれを一側ケース
部１３の囲壁部１４，１４と他側ケース部１７の囲壁部
１８，１８とで表裏両面２１ａ，２１ｂから覆う配置関
係のもとで配設することにより樹脂ケーシング１２に内
蔵されている。

【００１７】本発明はこのようにして構成されているの
で、一側ケース部１３の一方の囲壁部１４の端面１５に
はアンプ基板２１の一方の導電パターン２４が、他方の
囲壁部１４の端面１５には他方の導電パターン２８がそ
れぞれ対面合致する配置関係のもとで一側ケース部１３
にアンプ基板２１を定置することができる。

【００１８】このとき、一側ケース部１３に隔壁部３１
が、アンプ基板２１に切欠部３０がそれぞれ設けられて
いる場合には、切欠部３０から隔壁部３１を突出させた
状態のもとで一側ケース部１３にアンプ基板２１が定置
されることになる。

【００１９】このようにして一側ケース部１３にアンプ
基板２１を定置した後は、他側ケース部１７の一方の囲
壁部１８の端面１９にはアンプ基板２１の裏面２１ａに
位置する図示しない一方の導電パターンが、他方の囲壁
部１８の端面１９には図示しない他方の導電パターンが
それぞれ対面合致する配置関係のもとで他側ケース部１
７が一側ケース部１３に組み合わされる。

【００２０】このため、アンプ基板２１は、ハイインピ
ーダンス領域２３，２７のそれぞれが一側ケース部１３
の囲壁部１４と、他側ケース部１７の囲壁部１８とで形
成される隔室３３，３４内に図２に示すように各別に収
納されながら樹脂ケーシング１２に内蔵されることにな
る。

【００２１】つまり、アンプ基板２１の一方の入力アン
プ回路２２のハイインピーダンス領域２３は、それぞれ
の導電層１６，２０がスルーホール２５を介して相互に
導通している一側ケース部１３の囲壁部１４と他側ケー
ス部１７の囲壁部１８とで形成される密閉性の高い隔室
３３内に収納される結果、該隔室３３内に位置するハイ
インピーダンス領域２３を静電遮蔽することができるこ
とになる。

【００２２】また、アンプ基板２１の他方の入力アンプ
回路２６のハイインピーダンス領域２７は、それぞれの
導電層１６，２０がスルーホール２９を介して相互に導
通している一側ケース部１３の囲壁部１４と他側ケース
部１７の囲壁部１８とで形成される密閉性の高い隔室３
４内に収納される結果、該隔室３４内に位置するハイイ
ンピーダンス領域２７を静電遮蔽することができる。

【００２３】このため、入力アンプユニット１１から
は、アンプ基板２１の入力アンプ回路２２，２６相互間
にクロストークが生ずるといった好ましくない現象を効
果的に排除することができるので、これが組み込まれた
測定器により行われる測定作業をより安定したものとす
ることができる。

【００２４】なお、図示例のように一側ケース部１３が
導電層３２を有する隔壁部３１を、アンプ基板２１が切
欠部３０をそれぞれ備えている場合には、図２に示すよ
うに樹脂ケーシング１２内の隔室３３と隔室３４とをよ
り効果的に隔離することができるので、静電遮蔽効果を
一段と高めることができることになる。

【００２５】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、入力
アンプユニットにおけるアンプ基板は、２チャンネル分
に分割された入力アンプ回路のそれぞれが有するハイイ
ンピーダンス領域を静電遮蔽性の高い隔室内に収納した
配置関係のもとで樹脂ケーシングに内蔵させることがで
きるので、入力アンプ回路相互間にクロストークが生ず
るといった好ましくない現象を効果的に排除することに
より、安定した測定を遂行する上での一助として寄与さ
せることができる。

【００２６】また、一側ケース部が導電層を有する隔壁
部を、アンプ基板が切欠部をそれぞれ備えている場合に
は、樹脂ケーシング内に形成される隔室相互をより効果
的に隔離することができるので、静電遮蔽効果を一段と
高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明において樹脂ケーシングを構成している
一側ケース部の側の要部構造を示す説明図。

【図２】図１のＡ−Ａ線矢視方向に相当する入力アンプ
ユニットの断面構造を示す説明図。

【図３】本発明における一側ケーズ部とアンプ基板と他
側ケース部との対応関係を（イ）〜（ハ）として示す説
明図。

【図４】入力アンプユニットを備える測定器の一例を示
す要部斜視図。

【符号の説明】

１１ 入力アンプユニット １２ 樹脂ケーシング １２ａ 開口部 １３ 一側ケース部 １７ 他側ケース部 １４，１８ 囲壁部 １５，１９ 端面 １６，２０ 導電層 ２１ アンプ基板 ２１ａ 表面 ２１ｂ 裏面 ２２，２６ 入力アンプ回路 ２３，２７ ハイインピーダンス領域 ２４，２８ 導電パターン ２５，２９ スルーホール ３０ 切欠部 ３１ 隔壁部 ３２ 導電層 ３３，３４ 隔室 ３５ 樹脂パネル部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一側ケース部と他側ケース部とに二つ割
   りにされて前面側に開口部を有する樹脂ケーシングと、
   ２チャンネル分に分割された入力アンプ回路を備えて前
   記樹脂ケーシング内に配設されるアンプ基板と、樹脂ケ
   ーシングの前記開口部に覆設される樹脂パネル部とで測
   定器のための入力アンプユニットを構成し、アンプ基板
   の入力アンプ回路のそれぞれは、スルーホールを介して
   相互に導通させた導電パターンにより表裏にて囲繞され
   たハイインピーダンス領域を備え、一側ケース部と他側
   ケース部とのそれぞれは、前記導電パターンとその端面
   が当接して対面合致し、かつ該端面を含む内側面が導電
   層で覆われた囲壁部を備え、アンプ基板は、入力アンプ
   回路におけるハイインピーダンス領域のそれぞれを一側
   ケース部の囲壁部と他側ケース部の囲壁部とで表裏両面
   から覆って形成される隔室内に収納した配置関係のもと
   で樹脂ケーシング内に配設したことを特徴とする測定器
   における入力アンプユニットの静電遮蔽構造。
2. 【請求項２】 アンプ基板は、入力アンプ回路における
   少なくともハイインピーダンス領域が位置する部位の入
   力アンプ回路相互を二分するに足る切欠部を備え、一側
   ケース部と他側ケース部とのいずれか一方には、アンプ
   基板を配設した際に前記切欠部を介して突出する導電性
   の隔壁部を設けたことを特徴とする請求項１記載の測定
   器における入力アンプユニットの静電遮蔽構造。