JPH1056205A - 化合物半導体発光素子の電極構造 - Google Patents

化合物半導体発光素子の電極構造

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の発光素子の構造では、電極に遮られる
ことにより発光を効率良く素子外部へ取り出すことがで
きない。本発明はこの問題を解決し、発光の取り出し効
率の高い、特に、青色発光の化合物半導体発光素子を提
供することを目的とする。 【解決手段】 化合物半導体発光素子の上面に配置され
た電極が、発光部からの発光を透過する金属電極である
ことを特徴とする化合物半導体の電極構造とすることに
よって、上記問題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体発光素
子の電極構造に関し、特に青色発光する化合物半導体発
光素子の電極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、II−VI族化合物半導体ＺｎＳ、
ＺｎＳｅ等は青色発光ダイオードをはじめとする高効率
発光素子用の材料である。
【０００３】このII−VI族化合物半導体を用いた発光素
子において、従来用いられている構造の例を図２に示
す。図中、７１はハロゲン化学輸送法により成長させた
ＺｎＳバルク単結晶を１０００℃の溶融亜鉛中で１００
時間熱処理し、低抵抗にしたｎ型ＺｎＳ単結晶基板であ
る。この低抵抗化ｎ型ＺｎＳ基板７１上に分子線エピタ
キシー（ＭＢＥ）法、あるいは有機金属熱分解（ＭＯＣ
ＶＤ）法を用いてｎ型ＺｎＳからなる発光層７４、絶縁
性ＺｎＳからなる絶縁層７５を順次エピタキシャル成長
させ、上記絶縁層７５上に金（Ａｕ）を蒸着して正電極
７７とし、低抵抗化ｎ型基板７１の裏面にインジウム
（Ｉｎ）を用いたオーミック電極を形成し、これを負電
極７８として、ＭＩＳ型発光素子が製作されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の発光素子の構造では、電極に発光層からの発光が
遮られることにより発光を効率良く発光素子外部へ取り
出すことができない。特に、青色発光素子の場合、素子
としての発光効率が低く、発光の取り出し効率を高める
ことが必要であった。
【０００５】本発明は係る点に鑑みてなされたもので、
発光の取り出し効率を高める化合物半導体発光素子の電
極構造を提供することを目的の一つとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による化合物半導
体発光素子の電極構造は、化合物半導体発光素子の上面
に配置された電極が、発光層に電流を注入させるととも
に、発光層からの発光を透過する金属電極であることを
特徴とする。
【０００７】この発明における基板としては、低抵抗ｎ
型ＺｎＳ、低抵抗ｎ型ＺｎＳｅあるいは低抵抗ｎ型Ｚｎ
ＳxＳｅ1-x等からなるものや、絶縁性ＺｎＳ、絶縁性Ｚ
ｎＳｅあるいは絶縁性ＺｎＳxＳｅ1-x等からなるものが
好ましいものとして挙げられる。また、ＧａＡｓやＧａ
ＰやＧａＮ、Ａｌ2Ｏ3あるいはＳｉ等の材料も適用可能
である。
【０００８】そして、例えば低抵抗ｎ型ＺｎＳ基板（や
低抵抗ｎ型ＺｎＳｅ基板あるいは低抵抗ｎ型ＺｎＳxＳ
ｅ1-x基板）としては、ハロゲン化学輸送法により成長
させたＺｎＳバルク単結晶（やＺｎＳｅバルク単結晶あ
るいはＺｎＳxＳｅ1-xバルク単結晶）を１０００℃の溶
融亜鉛中で約１００時間熱処理することにより、低抵抗
化した基板を用いるのが好ましい。
【０００９】この発明における発光部としては、ｎ型Ｚ
ｎＳ基板を用いた場合には、ｎ型ＺｎＳあるいはｎ型Ｚ
ｎＳｅ等からなる。いわゆるＺｎＳ ＭＩＳ型あるいは
ＺｎＳｅ ＭＩＳ型の発光素子を構成する発光層や、一
対のｎ型ＺｎＳｅおよびｐ型ＺｎＳｅ等からなる、いわ
ゆるプレーナ構造を含むモノリシック素子構造のｐｎ接
合発光素子を構成する発光層が好ましいものとして挙げ
られる。
【００１０】そして、II−VI族化合物半導体からなる導
電層ならびに発光層を作成する上でｎ型不純物として
は、III族元素のホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウ
ム（Ｔｌ）等を、あるいはVII族元素の塩素（Ｃｌ）、
臭素（Ｂｒ）、フッ素（Ｆ）、ヨウ素（Ｉ）等のうち少
なくとも一つ、あるいは上記のIII族元素とVII族元素と
を少なくとも一つずつ組み合わせたものが用いられる。
一方、ｐ型不純物としては、Ｉａ族元素のリチウム（Ｌ
ｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウ
ム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）等や、Ｉｂ族元素の銅
（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）を、あるいはIII族
元素のタリウム（Ｔｌ）やＶ族元素の窒素（Ｎ）、リン
（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス
（Ｂｉ）等のうち少なくとも一つ、あるいは上記のＩａ
族、Ｉｂ族ならびにＶ族の元素と、III族ならびにVII族
とを少なくとも一つずつ組み合わせたものが用いられ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下図に示す実施例にもとづいて
この発明を詳述する。なお、これによってこの発明は限
定を受けるものではない。図１は本発明の請求項１によ
る第１の実施例の発光素子を模式的に示した断面図であ
る。同図において、１は抵抗率１Ωｃｍの低抵抗ｎ型Ｚ
ｎＳ基板、２は低抵抗ｎ型ＺｎＳからなる第１導電層、
３は第１導電層２よりも高いキャリア濃度をもつ低抵抗
ｎ型ＺｎＳからなる第２導電層、４はｎ型ＺｎＳ発光
層、５は絶縁性ＺｎＳからなる正孔注入用絶縁層、７は
正電極、８は負電極である。
【００１２】この素子において、第１導電層２、発光層
４、正孔注入用絶縁層５はＭＢＥ法を用いて基板１上に
順次エピタキシャル成長させた単結晶半導体層である。
【００１３】そして、第１導電層２より高いキャリア濃
度を有する第２導電層３は、第１導電層２の成長時に、
成長層表面の一部に光（例えば波長１９３ｎｍのＡｒＦ
エキシマレーザ光）を照射することにより形成される。
すなわち、光を照射しながら成長することにより、光照
射部分に不純物元素が高濃度に添加され、非照射部と比
較して約１桁キャリア濃度の高い領域を形成することが
できた。第１導電層２は厚さ５μｍ、電子濃度１０18ｃ
ｍ-3とし、第２導電層３は第１導電層２のほぼ全層にわ
たって形成し、電子濃度を上記の成長法を用いて第１導
電層１の約１０倍の１０19ｃｍ-3程度とした。この場合
抵抗率は第１導電層２が５×１０-2Ωｃｍ、第２導電層
３のそれは５×１０-3Ωｃｍであった。
【００１４】この際、第２導電層３は電流が十分に狭窄
されるように、例えば、３００μｍ×３００μｍの素子
（チップ）寸法に対して、径ｄ1を５０μｍ程度に設定
する。発光層４は厚さ２μｍ、電子濃度１０17ｃｍ-3と
し、正孔注入用の絶縁層５は２０〜７００Åの厚さとし
た。
【００１５】そして、正孔注入用の絶縁層５としては、
不純物を添加せずに成長させた絶縁性のＺｎＳ、あるい
は上述したｎ型不純物とＶ族元素の窒素（Ｎ）、リン
（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等のｐ型不
純物を同時に添加して成長させた絶縁性ＺｎＳを用いる
ことにより安定した特性が得られた。
【００１６】正電極７は絶縁層５上の第２導電層３の直
上の位置に金（Ａｕ）を５００〜１０００Å蒸着して形
成した。負電極８は、基板１の裏側全面にインジウム−
水銀（Ｉｎ−Ｈｇ）を塗布し、高純度水素（Ｈ2）中で
約４００℃（３０ｓｅｃ）加熱することにより形成した
オーミック電極である。
【００１７】以上のＺｎＳ ＭＩＳ型発光素子におい
て、発光層４への高密度の電流を注入することが可能と
なり、従来のＺｎＳ ＭＩＳ型発光素子と比較して５〜
１０倍の輝度を有する青色発光が正電極７、絶縁層５な
らびに素子端面を通して観察された。つまり、青色発光
が正電極７を透過することによって、青色発光を化合物
半導体素子の外部への取り出し効率を高めることができ
た。また、電極として発光を透過する金属電極を用いる
ことによって、電極での電位を一定とし、発光層での発
光密度を均一化することができた。
【００１８】このように実施例によれば、高い発光の取
り出し効率とすることのできる青色発光の化合物半導体
発光素子を実現することが可能となり、各種表示装置あ
るいはプリンタ、ファクシミリ等の高エネルギーかつ高
輝度の光源として極めて有用である。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載する効果を奏する。請求項１の化合物半
導体発光素子においては、青色発光を金属電極を通して
半導体素子外部に取り出すことができ、さらに、金属電
極は発光層に電流を注入させるのに用いられるため、発
光層で発光した光を化合物半導体発光素子の上面に取り
出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発明の請求項１による実施例を示す構成説明図
である。
【図２】従来例を示す構成説明図である。
【符号の説明】
１、７１ 低抵抗ｎ型ＺｎＳ基板 ２ ｎ型ＺｎＳ第１導電層 ３ ｎ型ＺｎＳ第２導電層 ４、７４ ｎ型ＺｎＳ発光層 ５、７５ ＺｎＳ絶縁層 ７、７７ 正電極 ８、７８ 負電極

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 化合物半導体発光素子の上面に配置され
    た電極が、発光層に電流を注入させるとともに、発光層
    からの発光を透過する金属電極であることを特徴とする
    化合物半導体発光素子の電極構造。
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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0268968A (ja) * 1988-09-02 1990-03-08 Sharp Corp 化合物半導体発光素子
DE68928245T2 (de) * 1988-12-27 1997-12-11 Canon Kk Durch elektrisches Feld lichtemittierende Vorrichtung
JP2588280B2 (ja) * 1989-07-10 1997-03-05 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子
US5198690A (en) * 1990-11-26 1993-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent device of II-IV compound semiconductor
JP2593960B2 (ja) * 1990-11-29 1997-03-26 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子とその製造方法
US5252895A (en) * 1991-05-09 1993-10-12 Westinghouse Electric Corp. TFEL edge emitter structure with light emitting face at angle greater than ninety degrees to substrate street
US5291507A (en) * 1991-05-15 1994-03-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Blue-green laser diode
CN1119358A (zh) * 1991-05-15 1996-03-27 明尼苏达州采矿制造公司 蓝-绿激光二极管
US5274269A (en) * 1991-05-15 1993-12-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Ohmic contact for p-type group II-IV compound semiconductors
US5404027A (en) * 1991-05-15 1995-04-04 Minnesota Mining & Manufacturing Compay Buried ridge II-VI laser diode
US5183689A (en) * 1991-07-15 1993-02-02 Cvd, Inc. Process for an improved laminated of znse and zns
JP2837004B2 (ja) * 1991-09-30 1998-12-14 株式会社デンソー Ｅｌディスプレイ素子
JPH05182766A (ja) * 1991-12-26 1993-07-23 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 薄膜ｅｌ素子
US5536584A (en) * 1992-01-31 1996-07-16 Hitachi, Ltd. Polyimide precursor, polyimide and metalization structure using said polyimide
AU4104293A (en) * 1992-05-19 1993-12-13 California Institute Of Technology Wide band-gap semiconductor light emitters
WO1994015369A1 (en) * 1992-12-22 1994-07-07 Research Corporation Technologies, Inc. Group ii-vi compound semiconductor light emitting devices and an ohmic contact therefor
JPH06196261A (ja) * 1992-12-25 1994-07-15 Hitachi Maxell Ltd 薄膜型エレクトロルミネツセンス素子
US5459337A (en) * 1993-02-19 1995-10-17 Sony Corporation Semiconductor display device with red, green and blue emission
US5422902A (en) * 1993-07-02 1995-06-06 Philips Electronics North America Corporation BeTe-ZnSe graded band gap ohmic contact to p-type ZnSe semiconductors
US5445550A (en) * 1993-12-22 1995-08-29 Xie; Chenggang Lateral field emitter device and method of manufacturing same
JP3156503B2 (ja) 1994-05-27 2001-04-16 松下電器産業株式会社 固体撮像装置の駆動方法及び固体撮像装置の信号処理回路
DE69425383T2 (de) * 1994-10-11 2001-02-15 International Business Machines Corp., Armonk Monoelektrische anordnung von lichtemittierenden dioden zur lichterzeugung mehrerer wellenlängen und deren anwendung für mehrfarben-anzeigevorrichtungen
US5796120A (en) * 1995-12-28 1998-08-18 Georgia Tech Research Corporation Tunnel thin film electroluminescent device
JP2839027B2 (ja) * 1997-01-23 1998-12-16 住友電気工業株式会社 Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の熱処理方法
JP3934730B2 (ja) * 1997-03-28 2007-06-20 ローム株式会社 半導体発光素子
US5889364A (en) * 1997-08-22 1999-03-30 Durel Corporation Electrical, solderless snap connector for EL lamp
JP2001267085A (ja) * 2000-03-23 2001-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 有機発光装置およびその製造方法
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US7053419B1 (en) 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6650044B1 (en) * 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
DE10051159C2 (de) 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
US6987613B2 (en) * 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
DE10120703A1 (de) * 2001-04-27 2002-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die Optoelektronik
JP3758562B2 (ja) * 2001-11-27 2006-03-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体多色発光素子
JP2005026688A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法
US7009213B2 (en) 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US7151338B2 (en) * 2003-10-02 2006-12-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inorganic electroluminescent device with controlled hole and electron injection
JP2005123526A (ja) * 2003-10-20 2005-05-12 Oki Data Corp 半導体装置、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置
DE102004029412A1 (de) * 2004-02-27 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
WO2007091500A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
JP5300345B2 (ja) 2007-08-10 2013-09-25 キヤノン株式会社 発光膜、発光素子およびその製造方法
US9337407B2 (en) * 2009-03-31 2016-05-10 Epistar Corporation Photoelectronic element and the manufacturing method thereof
KR100986440B1 (ko) * 2009-04-28 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US20120097918A1 (en) * 2010-10-20 2012-04-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Implanted current confinement structure to improve current spreading
KR20220046701A (ko) * 2013-12-27 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
CN109346497A (zh) * 2018-09-26 2019-02-15 北京蜃景光电科技有限公司 微显示器件及其制备方法、显示面板

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3919589A (en) * 1973-04-06 1975-11-11 Rca Corp Electroluminescent cell with a current-limiting layer of high resistivity
JPS5437800B2 (ja) * 1973-06-19 1979-11-16
JPS5444547Y2 (ja) * 1975-02-27 1979-12-21
US3991339A (en) * 1975-05-27 1976-11-09 Rca Corporation Light emitting diode with reflector
US4025157A (en) * 1975-06-26 1977-05-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Gradient index miniature coupling lens
JPS58128784A (ja) * 1982-01-27 1983-08-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体発光装置
EP0111566B1 (en) * 1982-05-19 1987-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent display unit
JPS58218180A (ja) * 1982-06-11 1983-12-19 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US4706254A (en) * 1983-05-12 1987-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device and its fabrication
JPS6085585A (ja) * 1983-10-17 1985-05-15 Nec Corp 埋め込み型半導体レ−ザ
JPS617050U (ja) * 1984-06-18 1986-01-16 三洋電機株式会社 Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド
DE3581333D1 (de) * 1984-07-24 1991-02-21 Nec Corp Lichtemittierende halbleitervorrichtung.
JPS6199392A (ja) * 1984-10-19 1986-05-17 Sanyo Electric Co Ltd Ｍｉｓ型発光ダイオ−ド
JPH0750795B2 (ja) * 1985-03-28 1995-05-31 キヤノン株式会社 発光素子
JPH0697704B2 (ja) * 1986-01-27 1994-11-30 シャープ株式会社 ＭＩＳ型ＺｎＳ青色発光素子
JP2723227B2 (ja) * 1986-09-26 1998-03-09 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法

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Publication number Publication date
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