JPH11145561A - 光半導体モジュール - Google Patents

光半導体モジュール

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JPH11145561A
JPH11145561A JP9305302A JP30530297A JPH11145561A JP H11145561 A JPH11145561 A JP H11145561A JP 9305302 A JP9305302 A JP 9305302A JP 30530297 A JP30530297 A JP 30530297A JP H11145561 A JPH11145561 A JP H11145561A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた性能を有する光半導体モジュールを得
ることを課題とする。 【解決手段】 基板７０の変調器付半導体レーザ素子１
の変調器部２０が載置される部分を高周波の損失角の小
さいアルミナ等からなる第１の板状部材７１とし、レー
ザ部４０が載置される部分が熱伝導率の高いＳｉＣ等か
らなる第２の板状部材７２とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光半導体モジュ
ールに関し、特に、大容量光ファイバ通信に用いられる
超高速変調器付半導体レーザ素子を備えた光半導体モジ
ュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の変調器付半導体レーザ素子
を備えた光半導体モジュールの構造を説明するための図
であり、図５(a) は変調器付半導体レーザ素子の構造を
示す斜視図、図５(b) は変調器付半導体レーザ素子を載
置するための基板の構造を示す斜視図、及び図５(c) は
変調器付半導体レーザ素子を基板に載置してなる光半導
体モジュールの構造を示す斜視図である。図において、
１００１は変調器付半導体レーザ素子、１００２ａ、１
００２ｂは変調器付半導体レーザ素子１００１の変調器
部１０２０の表面に設けられた表面電極、１００３ａ、
１００３ｂは変調器部１０２０の裏面側と導通された裏
面用電極、１００４は変調器付半導体レーザ素子１００
１のレーザ部１０４０の表面電極、１００５はレーザ部
１０４０の裏面側と導通された裏面用電極である。基板
１０１２は高周波の損失の少ないアルミナ等の材料から
なる板状部材であるマイクロストリップライン基板１０
０６を、ＣｕＷ等からなるチップキャリア１０１１上に
配置してなる。チップキャリア１０１１はマイクロスト
リップライン基板１００６を補強する機能を有するとと
もに、マイクロストリップ線路の接地導体となるもので
ある。１００７ａ、１００７ｂ、１００７ｄ、及び１０
０７ｅはマイクロストリップライン基板１００６上に配
置された金メッキ等からなるストリップ線路、１００７
ｃはマイクロストリップライン基板１００６上に配置さ
れた金メッキ等からなる給電線路、１００７ｆは金メッ
キ等からなる接地用線路、１００８はストリップ線路１
００７ｂ上に設けられた５０Ωの終端抵抗、１００９
ｂ、１００９ｄ、１００９ｅ、１００９ｆはその内面が
金メッキ等によりメタライズされた、マイクロストリッ
プライン基板１００６表面のストリップ線路とチップキ
ャリア１０１１とを導通させるためのスルーホールであ
る。
【０００３】この光半導体モジュールは、変調器付半導
体レーザ素子１００１を、その表面が、マイクロストリ
ップライン基板１００６の表面に向かい合うように、マ
イクロストリップライン基板１００６上に載置すること
により構成されており、表面電極１００２ａとストリッ
プ線路１００７ａ、表面電極１００２ｂとストリップ線
路１００７ｂ、裏面用電極１００３ａとストリップ線路
１００７ｄ、裏面用電極１００３ｂとストリップ線路１
００７ｅ、表面電極１００４と給電線路１００７ｃ、及
び裏面用電極１００５と接地用線路１００７ｆとがそれ
ぞれ互いに接着されている。
【０００４】図６は光半導体モジュールの組み立て方法
を説明するための図であり、図において、図５と同一符
号は同一または相当する部分を示している。この従来の
光半導体モジュールは、変調器付半導体レーザ素子１０
０１と、基板１２とを用意し、レーザ素子１００１の表
面の各電極上に、ＡｕＳｎはんだバンプ１０１０をそれ
ぞれ形成しておき、この変調器付半導体レーザ素子１０
０１を、予め３４０℃程度に加熱しておいたマイクロス
トリップライン基板１００６上に、その表面同士が互い
に向かい合うように載置し、レーザ素子１００１の変調
器部側の表面電極１００２ａ，１００２ｂ、裏面用電極
１００３ａ，１００３ｂ、レーザ部側の表面電極１００
４、及び裏面用電極１００５をそれぞれマイクロストリ
ップ線路１００７ａ、１００７ｂ，１００７ｄ，１００
７ｅ、給電線路１００７ｃ，及び接地用線路１００７ｆ
にＡｕＳｎはんだバンプ１０１０を介して圧着させ、昇
温して接着することにより形成される。
【０００５】次に、従来の光半導体モジュールに用いら
れる変調器付半導体レーザ素子の製造方法、及びレーザ
素子上へのはんだバンプの製造方法を図４を用いて説明
する。図４は従来の変調器付半導体レーザチップの製造
方法及びはんだバンプの製造方法を示す工程図であり、
レーザ共振器長方向に垂直な断面図である。図４におい
て、１０５１はアンドープＩｎＰ基板、レーザ部におい
ては活性層となる１０５２は導波層、１０６２はｐ型Ｉ
ｎＰ第２クラッド層、１０５３は高抵抗ＩｎＰ電流ブロ
ック層、１０５４はｎ型ＩｎＰホールトラップ層、１０
５５はｐ型ＩｎＰ第１クラッド層、１０５６はｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層、１０５７はエッチングにより形
成した溝、１０５８はＳｉＯ2 絶縁膜、１０５９はＣｒ
／Ａｕ膜、１０６０は表面電極、１０６１は裏面用電極
である。
【０００６】まず、最初に、図４(a) に示すように、ア
ンドープＩｎＰ基板１０５１上に、導波路１０５２とｐ
型ＩｎＰ第２クラッド層１０６２とを結晶成長させ、こ
れを基板１０５１に達する深さまでエッチングすること
によりレーザ共振器長となる方向に伸びる所定幅のリッ
ジストライプ形状に加工した後、リッジストライプ形状
部分を埋め込むように、高抵抗ＩｎＰ電流ブロック層１
０５３，ｎ型ＩｎＰホールトラップ層１０５４を成長
し、ついでｐ型ＩｎＰクラッド層１０５５，ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層１０５６を成長する。なお、レーザ
部を形成する領域の導波層１０５２上には回折格子を形
成するが、ここでは省略している。また、変調器部とレ
ーザ部とを電気的に分離するためにこの領域の間にアイ
ソレーション領域を形成するがここでは省略している。
【０００７】さらに、図４(b) に示すように、変調器部
の容量低減のため，及び素子の裏面側との導通のため
に、リッジストライプ形状部分が形成されていない領域
に、アンドープＩｎＰ基板１０５１に到達するようにエ
ッチングにより開口部１０５７を形成し、図４(c) に示
すように、ＳｉＯ2 絶縁膜１０５８を基板１０５１の表
面全体に成膜した後、導波路１０５２の直上及び溝１０
５７の最深部に、それぞれ、コンタクト層１０５６及び
アンドープＩｎＰ基板１０５１が底面に露出した開口部
を設ける。その後、図４(d) に示すように、Ｃｒ／Ａｕ
膜１０５９を基板１０５１上全面に形成し、図４(e) に
示すように、パターニングにより導波層１０５２上の領
域と開口部１０５７上の領域とでＣｒ／Ａｕ膜１０５９
を分離し、表面電極１０６０と、裏面用電極１０６１と
を形成して変調器付半導体レーザ素子１００１を得る。
【０００８】さらに、図４(f) に示すように、レーザ素
子１００１表面全体をレジストで覆い、その一部を露光
技術を用いて窓開けし、その上にＡｕメッキとＳｎメッ
キを順次行い、レジストを除去する。これにより、Ａｕ
組成８０％、Ｓｎ組成２０％の合金となる融点２８０℃
のＡｕＳｎはんだバンプ１０１０が得られる。
【０００９】この光半導体モジュールでは、チップキャ
リア１０１１を接地させて変調器付半導体レーザ素子の
裏面用電極１００３ａ，１００３ｂ，１００５を接地電
位とし、給電線路１００７ｃからレーザ部にＤＣ電流を
注入してレーザ部においてレーザ光を発生させ、マイク
ロストリップライン１００７ｄから変調器部に変調信号
を印加することで、このレーザ光を変調させて、端面か
ら変調光が得られる。
【００１０】従来の光半導体モジュールは、変調器付半
導体レーザ素子１００１を載置するマイクロストリップ
ライン基板１００６として高周波の損失角が小さいアル
ミナの単一基板を用い、その上に変調器付半導体レーザ
素子１００１の変調器部１０２０とレーザ部１０４０と
をともに接着するようにしていた。しかしながら、この
ようにすると、アルミナの熱伝導率は０．３Ｗ／ｃｍ・
℃と小さいためにレーザ部１０４０に電流を注入したと
きに発光領域付近で生ずる熱を拡散するのが難しく放熱
性が悪くなり、発光領域付近の温度上昇が大きくなるた
めに、特に高温時に動作させる場合には、充分な光出力
を低消費電流で得ることが難しいという問題があった。
【００１１】逆に、マイクロストリップライン基板とし
てレーザ部のサブマウント材として一般的に用いられる
ＳｉＣ等の熱伝導率が２．６Ｗ／ｃｍ・℃と高い材料を
用いた場合、熱伝送性には優れるものの高周波の損失角
が大きく、変調器部においてＤＣから数十ＧＨｚまでの
幅広い周波数範囲で優れた高周波特性を得ることが困難
となるという問題があった。
【００１２】したがって、優れた高周波特性を有すると
ともに、高温時においても動作可能である、高性能な光
半導体モジュールを得ることは非常に困難であった。
【００１３】一方、図７は従来の他の光半導体モジュー
ルの構造を説明するための斜視図であり、図において、
図５と同一符号は同一又は相当する部分を示しており、
アレイ型変調器付半導体レーザチップ２００１は図５に
おいて説明した変調器付半導体レーザ素子１００１を複
数、その光軸が平行になるように併設して形成されてい
る。但し、ここでは、このレーザ素子１００１の表面に
は裏面用電極を設けず、素子の裏面に共通の裏面電極
（図示せず）を設けるようにしている。２００２は半導
体レーザ部、２００３は変調器部、２００５は材料が高
周波の損失の少ないアルミナ等の板状部材からなってい
るマイクロストリップライン基板で、その裏面には図示
していないが接地導体が設けられている。２００６はマ
イクロストリップライン基板２００５上に配置された、
上記アレイ型変調器付半導体レーザ素子２００１の光軸
に対して垂直な方向に伸びるように配置された、それぞ
れのアレイ型変調器付半導体レーザ素子２００１側の端
部が光軸方向において同一直線上に配列されている、高
周波信号を印加するための複数のストリップ線路で、こ
のストリップ線路２００６の本数はアレイ型変調器付半
導体レーザ素子２００１を構成する各半導体レーザ素子
１００１の数と同数とする。２００７は上記アレイ型変
調器付半導体レーザ素子２００１の光軸に対して垂直な
方向において等間隔で同一直線上に配列された給電線路
で、その配列間隔は、アレイ型変調器付半導体レーザ素
子２００１を構成するレーザ素子１００１同士の間隔と
等しい間隔となっている。２０１０は２００６はマイク
ロストリップライン基板２００５上に配置された、上記
アレイ型変調器付半導体レーザ素子２００１の光軸に対
して垂直な方向に伸びるように配置された、それぞれの
アレイ型変調器付半導体レーザ素子２００１側の端部が
光軸方向において同一直線上に配列されている複数のス
トリップ線路で、複数のストリップ線路２０１０と複数
のストリップ線路２００６とはそれぞれアレイ型変調器
付半導体レーザ素子２００１の両側に配置されている。
２００８は複数のストリップ線路２０１０のそれぞれに
挿入された終端抵抗、２００９はその内部に金メッキ等
のメタライズがなされているスルーホールで、マイクロ
ストリップライン基板２００５裏面の接地導体と複数の
ストリップ線路２０１０のそれぞれとを接続している。
【００１４】この光半導体モジュールにおいては、マイ
クロストリップライン基板２００５上に、アレイ型変調
器付半導体レーザ素子２００１が、その裏面が、マイク
ロストリップライン基板２００５の表面に対向するよう
に載置されて接着されている。そして金線等のボンディ
ングワイヤ２００４により、各ストリップ線路２００６
と、アレイ型変調器付半導体レーザ素子２００１を構成
する各半導体レーザ素子１００１の変調器部２００３側
の表面電極１００２ａとが、また、各ストリップ線路２
０１０と、各半導体レーザ素子１００１の変調器部２０
０３側の各表面電極１００２ｂとが接続されている。ま
た、アレイ型変調器付半導体レーザ素子２００１の裏面
電極は、マイクロストリップライン基板２００５の、該
素子２００１を載置する位置に設けられた接地用の金属
膜等に接着され接地される。
【００１５】この光半導体モジュールでは、チップキャ
リア１０１１を接地させ、アレイ型変調器付半導体レー
ザ素子２００１の裏面電極（図示せず）を接地電位と
し、各給電線路１００７ｃからアレイ型変調器付半導体
レーザ素子２００１の各レーザ部２００２にＤＣ電流を
注入してレーザ部２００２においてレーザ光を発生さ
せ、各マイクロストリップライン１００７ｄから各変調
器部２００３に変調信号を印加することで、各レーザ部
２００２において発生されたレーザ光を変調させて、端
面から変調光が得られる。
【００１６】しかしながら、このようなアレイ型変調器
付半導体レーザ素子２００１をマイクロストリップライ
ン基板２００５上に載置して形成された光半導体モジュ
ールにおいては、アレイ型変調器付半導体レーザ素子２
００１を構成する，並列して配置されたレーザ素子１０
０１の数が増えるに従って、各変調器付半導体レーザ素
子１００１の変調器部２００３の表面電極１００２ａ，
１００２ｂと、アレイ型変調器付半導体レーザ素子２０
０１の両側に配置されたストリップ線路２００６，２０
１０とを接続するボンディングワイヤ２００４の長さが
長くなるため、自己インダクタンスのみならず、ワイヤ
間の相互インダクタンスによるクロストークにより各レ
ーザ素子から出力される変調光の波形が乱されることと
なる。したがって、高周波特性に優れた、高性能な光半
導体モジュールが得られなくなるという問題があった。
【００１７】また、このようなボンディングワイヤ２０
０４の長さが長くなることによる問題の発生を避けるた
めに、ストリップ線路２００６，２０１０をアレイ型変
調器付半導体レーザ素子２００１のレーザ光を出射させ
る端面側、即ち変調器部１０２０側の近傍に配置するこ
とも考えられるが、この場合、接続に必要なボンディン
グワイヤが光の出射を妨げてしまうという問題が生じ
る。
【００１８】また、ストリップ線路２００６，２０１０
をアレイ型半導体レーザ素子２００１のレーザ部２００
２側の端面近傍に配置することも考えられるが、通常、
レーザ部２００２側の端面近傍には出力光強度モニタや
出力光制御用のフォトダイオードを載置するため、この
ようなストリップ線路を配置したり、ボンディングワイ
ヤを設けることはできない。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】以上に説明したよう
に、従来は性能のよい光半導体モジュールを得ることが
できないという問題があった。
【００２０】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものであり、優れた性能を有する光半導体モ
ジュールを得ることを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光半導体
モジュールは、その表面に高周波信号用のストリップ線
路を備えた第１の板状部材と、該第１の部材に併設され
たその表面に給電線路を備えた第２の板状部材とを有
し、上記第１の板状部材が第２の板状部材よりも損失角
の小さい材料からなり、第２の板状部材が第１の板状部
材よりも熱伝導率が高い材料からなる基板と、その表面
に表面電極を備えた変調器部と、その表面に表面電極を
備えた，その光軸が上記変調器部の光軸と同一直線上に
配置されたレーザ部とを有し、上記変調器部の表面電極
が、上記ストリップ線路と接着され、上記レーザ部の表
面電極が上記給電線路と接着されるよう、上記基板上に
配置された変調器付半導体レーザ素子とを備えたもので
ある。
【００２２】また、上記請求項１に記載の光半導体モジ
ュールにおいて、上記基板の裏面には接地導体が設けら
れており、上記ストリップ線路をマイクロストリップ線
路としたものである。
【００２３】また、上記光半導体モジュールにおいて、
上記第１の板状部材の表面には、スルーホールを介して
裏面の接地導体と接続された接地用線路が設けられてお
り、上記変調器付半導体レーザ素子の変調器部の表面に
は、その裏面と導通された裏面用電極が設けられてお
り、上記接地用線路と裏面用電極とが接着されているよ
うにしたものである。
【００２４】また、この発明に係る光半導体モジュール
は、その表面に表面電極を備えた変調器部と、その光軸
が該変調器部の光軸と同一直線上に配置されたレーザ部
とを有する変調器付半導体レーザ素子と、その表面にス
トライプ状に伸びるストリップ線路を有し、該ストリッ
プ線路の伸びる方向と、上記変調器付半導体レーザ素子
の光軸方向とが直交するよう、該ストリップ線路が上記
変調器付半導体レーザ素子の変調器部の表面電極と接着
された第１の板状部材と、上記変調器付半導体レーザ素
子の裏面側に配置された第２の板状部材とを備え、上記
第１の板状部材が第２の板状部材よりも損失角の小さい
材料からなり、第２の板状部材が第１の板状部材よりも
熱伝導率が高い材料からなるようにしたものである。
【００２５】また、上記光半導体モジュールにおいて、
上記各ストリップ線路は、その両側に、該線路に平行に
配置された接地線路を備えたコプレーナ線路であり、上
記変調器付半導体レーザ素子の変調器部の表面には、そ
の裏面と導通された裏面用電極が設けられており、上記
接地線路と裏面用電極とが接着されているようにしたも
のである。
【００２６】また、この発明に係る光半導体モジュール
は、基板と、該基板上に載置された、その表面に表面電
極を備えた変調器部と，その光軸が該変調器部の光軸と
同一直線上に配置されたその表面に表面電極を備えたレ
ーザ部とを有する、そのレーザ光の出射端面と上記変調
器部との距離が互いに異なる複数の変調器付半導体レー
ザ素子を、その表面及びその端面が同一平面を構成する
よう併設してなるアレイ型半導体レーザ素子とを備え、
上記基板上には、その端部が上記各変調器付半導体レー
ザ素子の変調器部の表面電極のそれぞれと接続された、
該変調器付半導体レーザ素子の光軸と垂直な方向に伸び
る複数の直線形状のストリップ線路と、上記各変調器付
半導体レーザ素子のレーザ部の表面電極のそれぞれと接
続された給電線路とを有しているようにしたものであ
る。
【００２７】また、上記光半導体モジュールにおいて、
上記基板の裏面には接地導体が設けられており、上記ス
トリップ線路をマイクロストリップ線路としたものであ
る。
【００２８】また、上記光半導体モジュールにおいて、
上記基板の表面には、スルーホールを介して裏面の接地
導体と接続された接地用線路が、上記複数のストリップ
線路に対応して複数設けられており、上記アレイ型半導
体レーザ素子を構成する各変調器付半導体レーザ素子の
変調器部の表面には、その裏面と導通された裏面用電極
が設けられており、上記各裏面用電極と各接地用線路と
が接着されているようにしたものである。
【００２９】
【発明の実施の形態】実施の形態１．この発明に係る光
半導体モジュールは、変調器付半導体レーザ素子を載置
する基板の、変調器部が載置される領域と、レーザ部が
載置される領域との材質を異なるものとするとともに、
変調器部が載置される領域の材質をレーザ部が載置され
る領域の材質よりも高周波の損失角が小さいものとし、
レーザ部が載置される領域の材質を変調器部が載置され
る領域の材質よりも熱伝導率の高いものとしたものであ
る。
【００３０】図１は本発明の実施の形態１に係る光半導
体モジュールの構造を説明するための図であり、図１
(a) は光半導体モジュールの一部となる変調器付半導体
レーザ素子の構造を示す斜視図、図１(b) は変調器付半
導体レーザ素子を載置するための基板の構造を示す斜視
図、及び図１(c) は変調器付半導体レーザ素子を基板に
載置してなる光半導体モジュールの構造を示す斜視図で
ある。
【００３１】図において、変調器付半導体レーザ素子１
はその表面に表面電極２ａ，２ｂを備えた変調器部２０
と、その表面に表面電極４を備え，その光軸が上記変調
器部２０の光軸と同一直線上に配置されたレーザ部４０
とを有している。レーザ素子１の光導波路３０は光軸に
沿って伸びており、変調器部２０側の光が出射される端
面２０ａは光導波路３０の伸びる方向に対して垂直に配
置されている。裏面用電極３ａ、３ｂは光軸の両側に配
置されており、それぞれが変調器部２０の裏面側と導通
されている。裏面用電極３ａ、３ｂはいずれか一方のみ
を設けるようにしてもよいが、光軸の両側にそれぞれ設
けることが動作特性上好ましい。裏面用電極５はレーザ
部４０の裏面側と導通されている。
【００３２】基板７０は、ＣｕＷ等からなるチップキャ
リア１１上に、材料が高周波の損失角の小さいアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）やＡｌＮ等からなるマイクロストリップ
ライン基板として機能する第１の板状部材７１と、第１
の板状部材７１に対して熱伝導率の高いＳｉＣ等の材料
からなるサブマウントとして機能する第２の板状部材７
２とが併設されて構成されている。なお、第１の板状部
材７１の材料は、第２の板状部材７２に対して高周波の
損失角の小さい材料であれば他の材料を用いてもよく、
第２の板状部材７２の材料としては、第１の板状部材７
２よりも熱伝導率の高い材料であれば他の材料を用いて
もよい。チップキャリア１１は、２つの板状部材７１，
７２を固定するとともに、これらを補強する機能と、２
つの板状部材７１，７２の接地導体となる機能とを兼ね
備えている。また、変調器付半導体素子１の実装時の障
害となる段差が生じないように、２つの板状部材７１，
７２の厚さはそれぞれ調整され、これらの表面の高さは
同じになっている。ここでは板状部材７１，７２が空間
的に分離されて配置されているが、互いに接着させて配
置するようにしてもよい。この場合、チップキャリア１
１を設けずに、板状部材７１，７２の裏面にメッキ等か
らなる共通の接地導体を形成するようにしてもよい。第
１の板状部材７１上に配置された金メッキ等からなるス
トリップ線路７ａ、７ｂ、７ｄ、及び７ｅと、第１の板
状部材７１の裏面側に設けられた接地導体となるチップ
キャリア１１とが、マイクロストリップ線路を構成して
いる。８はストリップ線路７ｂ上に挿入された５０Ωの
終端抵抗、７ｃは第２の板状部材７２上に配置された金
メッキ等からなる給電線路、７ｆは金メッキ等からなる
接地用線路、スルーホール９ｂ、９ｄ、９ｅ、９ｆはそ
の内面が金メッキ等によりメタライズされており、第
１，第２の板状部材７１，７２表面のストリップ線路７
ｂ，７ｄ，７ｅ，及び接地用線路７ｆと，接地導体とな
るチップキャリア１１とを導通させている。
【００３３】この光半導体モジュールは、図１(c) に示
すように、変調器付半導体レーザ素子１を、その表面
が、第１，第２の板状部材７１，７２の表面に向かい合
うように、第１，第２の板状部材７１，７２上に載置す
ることにより構成されており、変調器付半導体レーザ素
子１は、その光軸方向が、第１の板状部材７１と第２の
板状部材７２との配列方向と同じとなり、かつ、変調器
付半導体レーザ素子１の変調器部２０が第１の板状部材
７１上に、また、レーザ部４０が第２の板状部材７２上
に位置するように載置されている。そして、表面電極２
ａとストリップ線路７ａ、表面電極２ｂとストリップ線
路７ｂ、裏面用電極３ａとストリップ線路７ｄ、裏面用
電極３ｂとストリップ線路７ｅ、表面電極４と給電線路
７ｃ、及び裏面用電極５と接地用線路７ｆとがそれぞれ
互いに接着されている。
【００３４】このように変調器付半導体レーザ素子１が
基板７０上に載置されているため、ストリップ線路７ａ
と変調器部の表面電極２ａとが接続され、変調器部の表
面電極２ｂはストリップ線路７ｂとスルーホール９ｂと
を介してチップキャリア１１と接続されている。変調器
部の裏面用電極３ａはストリップ線路７ｄとスルーホー
ル９ｄとを介してチップキャリア１１と接続されてい
る。変調器部の裏面用電極３ｂはストリップ線路７ｅと
スルーホール９ｅとを介してチップキャリア１１と接続
されている。終端抵抗８はストリップ線路７ｂの途中に
挿入されているため、終端抵抗８は変調器部と並列に接
続されている。
【００３５】図８は光半導体モジュールの組み立て方法
を説明するための図であり、図において、図１と同一符
号は同一または相当する部分を示している。本実施の形
態１に係る光半導体モジュールは、変調器付半導体レー
ザ素子１と、基板７０とを用意し、レーザ素子１の表面
上の所定の位置に、ＡｕＳｎはんだバンプ１０をそれぞ
れ形成しておき、この変調器付半導体レーザ素子１を、
予め３４０℃程度に加熱しておいた基板７０上に、その
表面が基板７０の表面に向かい合うように載置し、レー
ザ素子１の変調器部側の表面電極２ａ，２ｂ、裏面用電
極３ａ，３ｂ、レーザ部側の表面電極４、及び裏面用電
極５をそれぞれストリップ線路７ａ、７ｂ，７ｄ，７
ｅ、給電線路７ｃ，及び接地用線路７ｆにＡｕＳｎはん
だバンプ１０を介して圧着させ、昇温することにより接
着させて形成される。
【００３６】次に動作について説明する。チップキャリ
ア１１を接地させて変調器付半導体レーザ素子１の裏面
用電極３ａ，３ｂ，５を接地電位とし、給電線路７ｃか
らレーザ部４０にＤＣ電流を注入してレーザ部４０にお
いてレーザ光を発生させ、ストリップ線路７ｄから変調
器部２０に変調信号を印加することで、このレーザ光を
変調させて、変調器付半導体レーザ素子１の変調器側の
端面２０ａから変調光が得られる。
【００３７】この光半導体モジュールにおいては、基板
７０の変調器付半導体レーザ素子１の変調器部２０が載
置される部分を高周波の損失角の小さいアルミナ等から
なる第１の板状部材７１とし、レーザ部４０が載置され
る部分が熱伝導率の高いＳｉＣ等からなる第２の板状部
材７２としたため、変調器部２０においては、損失角の
小さい第１の板状部材７２により高周波の損失を小さく
して、高周波特性を向上させることができるとともに、
レーザ部３０においては、電流注入により発生する熱を
第２の板状部材により効率的に放散させることができ
る。この結果、本実施の形態１に係る光半導体モジュー
ルによれば、優れた高周波特性を有するとともに、放熱
性に優れ，高温動作が可能である、高性能な光半導体モ
ジュールを提供することができる。
【００３８】なお、上記実施の形態１においては、光半
導体モジュールを組み立てる際に、変調器付半導体レー
ザのレーザ部４０の表面電極４及び裏面用電極５と、基
板７０の給電線路７ｃ及び接地用線路７ｆとをはんだバ
ンプ１０を用いて接着するようにしたが、本発明におい
ては、図２に示すように、変調器付半導体レーザ素子１
のレーザ部４０の表面電極４、裏面用電極１００５と接
着する部分に、はんだバンプを設ける代わりに、それぞ
れ薄くパターニングされたＡｕＳｎはんだ８１ｃ、８１
ｆを形成するようにし、これにより、レーザ部４０の表
面電極４及び裏面用電極５と、基板７０の給電線路７ｃ
及び接地用線路７ｆとを接着するようにしてもよく、こ
のような場合においても上記実施の形態１と同様の効果
を奏する。
【００３９】なお、上記実施の形態１においては各スト
リップ線路がマイクロストリップ線路である場合につい
て説明したが、本発明においては、各ストリップ線路の
両側に接地線路を設けて、上記各ストリップ線路をコプ
レーナ線路としてもよく、このような場合においても上
記実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００４０】実施の形態２．図３は本発明の実施の形態
２に係る光半導体モジュールの構造を説明するための斜
視図であり、図３(a) は変調器付半導体レーザ素子の裏
面にサブマウントとなる第２の板状部材を取り付けた状
態を示す斜視図、図３(b) は変調器付半導体レーザ素子
に載置されるコプレーナ線路用基板となる第１の板状部
材の構造を示す斜視図、及び図３(c) は光半導体モジュ
ールの構造を示す斜視図である。
【００４１】図において、図１と同一符号は同一又は相
当する部分を示しており、変調器付半導体レーザ素子１
ａは、図１(a) に示した変調器付半導体レーザ素子１に
おいて、レーザ部４０の裏面電極をレーザ素子１の表面
から取り出さないようにし、その裏面に裏面電極（図示
せず）を設けたものである。高周波の損失角が小さいア
ルミナ等の材料からなるコプレーナ線路基板として機能
する第１の板状部材９１の表面には、同一直線上におい
て伸びるとともに、互いに所定の間隔を隔てて配置され
たストリップ線路１７ａ，１７ｂと、これらの両側に平
行に配置された接地用線路１９ａ，１９ｂが設けられて
いる。このストリップ線路１７ａ，１７ｂと接地用線路
１９ａ，１９ｂとによりコプレーナ線路が形成されてい
る。ストリップ線路１７ｂには５０Ωの終端抵抗１８が
挿入されており、ストリップ線路１７ｂのストリップ線
路１７ａと対向する端部の反対側の端部が接地用線路１
９ａ，１９ｂと接続されている。９２は変調器付半導体
レーザ素子１を載置するためのサブマウントとなる第２
の板状部材で、ＳｉＣ等の熱伝導率の高い材料からな
る。９３はレーザ部の表面電極４と光半導体モジュール
の外部の給電源とを接続するボンディングワイヤであ
る。第２の板状部材９２の上面、底面、及び少なくとも
１つの側面は金メッキ等でメタライズされている。
【００４２】この光半導体モジュールは、図３(c) に示
すように、変調器付半導体レーザチップ１ａが第２の板
状部材９２上に、その裏面が、第２の板状部材９２の表
面と接するようにはんだ等を用いて載置され、第１の板
状部材９１が、その表面が変調器付半導体レーザ素子１
ａの表面に向かい合うように、変調器付半導体レーザ素
子１ａの変調器部２０上の領域に載置されている。スト
リップ線路１７ａのストリップ線路１７ｂと向かい合う
端部は変調器部２０の表面電極２ａとＡｕＳｎはんだを
用いて接着され、ストリップ線路１７ｂのストリップ線
路１７ａと向かい合う端部は変調器部２０の表面電極２
ｂとＡｕＳｎはんだを用いて接着され、変調器部２０の
接地電極３ａ，３ｂは接地用線路１９ｂとＡｕＳｎはん
だを用いて接着されている。ストリップ線路１７ｂの端
部が表面電極２ｂと接続され、変調器部２０の接地電極
３ｂｇａ地用線路１９ｂと接続されるため、終端抵抗１
８は変調器部２０と並列に接続される。
【００４３】この光半導体モジュールの第２の板状部材
９２の裏面を接地すると、レーザ部４０の裏面電極が接
地される。そして、レーザ部４０の表面電極４にボンデ
ィングワイヤ９３を介してＤＣ電流を注入し、接地用線
路１９ａ，１９ｂを接地してストリップライン７ａから
変調信号を印加することで、レーザ素子１ａの変調器部
２０側の端部２０ａから変調光を得ることができる。
【００４４】この光半導体モジュールにおいては、変調
器付半導体レーザチップ１ａの裏面全面を熱伝導率の高
い第２の板状部材９２に接触させることができるので、
光半導体モジュールの放熱性を向上させて、高温動作の
可能な光半導体モジュールを得ることができる。また、
高周波信号を伝送するためのコプレーナ線路となるスト
リップ線路１７ａ，１７ｂの基板となる第１の板状部材
９１として高周波の損失角の小さい材料を用いるように
したことにより、高周波特性に優れた光半導体モジュー
ルを得ることができる。
【００４５】実施の形態３．図９は本発明の実施の形態
３に係る光半導体モジュールの構造を説明するための斜
視図であり、図９(a) は光半導体モジュールに用いられ
るアレイ型変調器付半導体レーザ素子の構造を示す斜視
図、図９(b) はアレイ型変調器付半導体レーザ素子が載
置される基板の構造を示す斜視図、及び図３(c) は光半
導体モジュールの構造を示す斜視図である。
【００４６】図において、図１と同一符号は同一または
相当する部分を示しており、アレイ型変調器付半導体レ
ーザ素子１００は図１に示した変調器付半導体レーザ素
子１と同様の構造を有する複数の変調器付半導体レーザ
素子１０１ａ〜１０１ｅを、それぞれの光軸が互いに平
行となるよう併設してなる。各半導体レーザ素子１０１
ａ〜１０１ｅの光が出射される端面及びその上面は、同
一平面を構成している。ここではアレイ型変調器付半導
体レーザ素子１００を構成する変調器付半導体レーザ素
子の数が５つの場合について説明しているが、この数は
２つ以上であればいくつであってもよい。このアレイ型
変調器付半導体レーザ素子を構成する変調器付半導体レ
ーザ素子１０１ａ〜１０１ｅには、変調器部１０２ａ〜
１０２ｅとレーザ部１０４ａ〜１０４ｅとの間，及び変
調光が出射される端面と変調器部１０２ａ〜１０２ｅと
の間に、それぞれ必要に応じて、光損失の少ない導波路
１０３ａ〜１０３ｅが設けられており、アレイ型変調器
付半導体レーザ素子１００の光軸に対して垂直な同一直
線上には、３つ以上の変調器部１０２ａ〜１０２ｅが並
ぶことがないように、各変調器部１０２ａ〜１０２ｅの
光軸方向の位置が調整されている。ここでは特に５つの
変調器付半導体レーザ素子１０１ａ〜１０１ｅの中心と
なる素子１０１ｃの変調器部１０２ｃと変調光が出射さ
れる端面との距離が最も短く、最も外側の素子１０１
ａ，１０１ｅの変調器部１０２ａ，１０２ｅと変調光が
出射される端面との距離が最も長くなっている。
【００４７】基板２００はアルミナ等からなり、その表
面には、この基板２００の両端から基板２００の中心方
向に向かって互いに平行に伸びるとともに、それぞれの
端部が該伸びる方向に向かって一定の間隔で配列されて
いる５つのストリップ線路群２０４ａ〜２０４ｅが配設
されている。この間隔は、アレイ型変調器付半導体レー
ザ素子１００を構成するレーザ素子１０１ａ〜１０１ｅ
の隣接する素子同士の間隔とほぼ同じ間隔とする。基板
２００の裏面には接地導体となるチップキャリア２０５
が設けられており、これにより５つのストリップ線路群
２０４ａ〜２０４ｅは、それぞれマイクロストリップ線
路群となっている。なお、チップキャリアを設ける代わ
りに、基板２００の裏面にメタライズを設けるようにし
てもよい。ストリップ線路群２０４ａ〜２０４ｅは、そ
れぞれ、基板２００の両端から基板の中心方向に向かっ
て互いに平行に伸びるそれぞれの端部が該伸びる方向に
向かって一定の間隔で配列されている高周波信号印加用
のストリップ線路２１０ａ〜２１０ｅと、これらの端部
に対して一定の間隔を隔てて配置されたストリップ線路
２１１ａ〜２１１ｅと、ストリップ線路２１０ａ〜２１
０ｅ及びストリップ線路２１１ａ〜２１１ｅとの互いに
対向する端部の、それぞれの近傍に設けられたストリッ
プ線路２１２ａ〜２１２ｅ及びストリップ線路２１３ａ
〜２１３ｅとからなる。ストリップ線路２１１ａ〜２１
１ｅ，ストリップ線路２１２ａ〜２１２ｅ，及びストリ
ップ線路２１３ａ〜２１３ｅとが設けられている領域に
は内面がメタライズされたスルーホール２１４が設けら
れており、その裏面に配置されたチップキャリア２０５
と導通されている。上記ストリップ線路２１０ａ〜２１
０ｅのそれぞれの基板２００の中心側の端部を経てこれ
らのストリップ線路２１０ａ〜２１０ｅの伸びる方向に
垂直な方向に伸びる直線上の領域近傍には上記各ストリ
ップ線路群２１０ａ〜２１０ｅと対をなす５つの給電線
路２０２ａ〜２０２ｅが設けられており、これらは、ス
トリップ線路２１０ａ〜２１０ｅの伸びる方向と平行な
方向において同一直線上に配置されている。また、各給
電線路２０２ａ〜２０２ｅの近傍には接地用線路２０３
ａ〜２０３ｅが設けられている。
【００４８】上記アレイ型変調器付半導体レーザ素子１
００はその光軸が上記各ストリップ線路群２０４ａ〜２
０４ｅの伸びる方向に対して垂直となるよう、上記基板
２００の表面をアレイ１００の表面と向かい合わせとし
て上記基板２００上に載置されている。また、上記各変
調器付半導体レーザ素子１０１ａ〜１０１ｅの変調器部
１０２ａ〜１０２ｅの表面電極２ａ，２ｂ及びレーザ部
１０４ａ〜１０４ｅの表面電極４が、それぞれ、上記各
ストリップ線路群２０４ａ〜２０４ｅの、上記ストリッ
プ線路２１０ａ〜２１０ｅの端部とこれと対向するスト
リップ線路２１１ａ〜２１１ｅの端部及びストリップ線
路２１０ａ〜２１０ｅの端部と対をなす給電線路２０２
ａ〜２０２ｅとのみにはんだ等を介して接着されてい
る。また、上記各変調器付半導体レーザ素子１０１ａ〜
１０１ｅの裏面用電極３ａ，３ｂ及び裏面用電極５が、
それぞれ、上記各ストリップ線路群２０４ａ〜２０４ｅ
の、ストリップ線路２１２ａ〜２１２ｅ，ストリップ線
路２１３ａ〜２１３ｅ及びこれらと対をなす接地用線路
２０３ａ〜２０３ｅとのみにはんだ等を介して接着され
ている。このとき、レーザ素子１０１ａ〜１０１ｅの変
調器部１０２ａ〜１０２ｅの光軸方向の位置が一定では
ないため、光軸に垂直な方向に伸びるストリップ線路２
１０ａ〜２１０ｅは、その端部が接続された変調器部１
０２ａ〜１０２ｅ以外の変調器部１０２ａ〜１０２ｅと
は接続されない。
【００４９】この光半導体モジュールでは、上記各スト
リップ線路２１０ａ〜２１０ｅと各半導体レーザ素子１
０１ａ〜１０１ｅの変調器部１０２ａ〜１０２ｅの表面
電極２ａとが接続され、各変調器部１０２ａ〜１０２ｅ
の表面電極２ｂはストリップ線路２１１ａ〜２１１ｅと
スルーホール２１４とを介してチップキャリア２０５と
接続される。変調器部１０２ａ〜１０２ｅの裏面用電極
３ａはストリップ線路２１２ａ〜２１２ｅとスルーホー
ル２１４とを介してチップキャリア２０５と接続され
る。変調器部１０２ａ〜１０２ｅの裏面用電極３ｂはス
トリップ線路２１３ａ〜２１３ｅとスルーホール２１４
とを介してチップキャリア２０５と接続される。終端抵
抗２８が各ストリップ線路２１１ａ〜２１１ｅの途中に
挿入されているため、終端抵抗２８は変調器部１０２ａ
〜１０２ｅと並列に接続される。
【００５０】チップキャリア２０５を接地させ、アレイ
型変調器付半導体レーザ素子１００の各裏面用電極３
ａ，３ｂ，５を接地電位とし、各給電線路２０２ａ〜２
０２ｅからレーザ部１０４ａ〜１０４ｅにＤＣ電流を注
入してレーザ部１０４ａ〜１０４ｅにおいてレーザ光を
発生させ、マイクロストリップ線路２１０ａ〜２１０ｅ
から変調器部１０２ａ〜１０２ｅに変調信号を印加する
ことで、このレーザ光を変調させて、端面から変調光が
得られる。
【００５１】本実施の形態３においては、アレイ型変調
器付半導体レーザ素子１００を構成する各半導体レーザ
素子１０１ａ〜１０１ｅの変調器部１０２ａ〜１０２ｅ
の表面電極２ａは、マイクロストリップ線路であるスト
リップ線路２１０ａ〜２１０ｅと直接接続されている。
このため接続にボンディングワイヤ等を用いる必要がな
い。したがって、従来のアレイ型変調器付半導体レーザ
素子を用いた光半導体モジュールにおいて発生してい
た、アレイを構成するのレーザ素子数が増えるにしたが
ってボンディングワイヤの長さが長くなって、自己イン
ダクタンスのみならず、ワイヤ間の相互インダクタンス
によるクロストークにより各レーザ素子から出力される
変調光の波形が乱されるという問題がなくなる。この結
果、高周波特性を損なうことなくアレイを構成する素子
数を増やすことができ、優れた高周波特性を有する高性
能な光半導体モジュールが得られる効果がある。
【００５２】図１０は本実施の形態３に係る光半導体モ
ジュールの変形例を示す図であり、図において、図９と
同一符号は同一または相当する部分を示しており、２０
０ａはアルミナ等の高周波の損失角の小さい材料からな
る第１の板状部材、２００ｂはＳｉＣ等の熱伝導率の高
い材料からなる第２の板状部材である。
【００５３】上記実施の形態３においては、アルミナ等
からなる単一の基板２００を用いるようにしたが、この
変形例においては、図１０に示すように、アレイ型変調
器付半導体レーザ素子を載置する基板を、即ち第１の板
状部材２００ａと第２の板状部材２００ｂとからなるよ
うにしたものである。即ち、上記実施の形態１において
説明したように、変調器部１０２ａ〜１０２ｅが載置さ
れる領域と、レーザ部１０４ａ〜１０４ｅが載置される
領域とで材質を異なるものとするとともに、変調器部１
０２ａ〜１０２ｅが載置される領域の材質をレーザ部１
０４ａ〜１０４ｅが載置される領域の材質よりも高周波
の損失角が小さいものとし、レーザ部１０４ａ〜１０４
ｅが載置される領域の材質を変調器部が載置される領域
の材質よりも熱伝導率の高いものとしたものである。こ
のような変形例においても、上記実施の形態３と同様の
効果を奏するとともに、レーザ部１０４ａ〜１０４ｅか
らの放熱性をよくして、高温動作の可能な光半導体モジ
ュールを得ることができる。
【００５４】なお、上記実施の形態３においては各スト
リップ線路がマイクロストリップ線路である場合につい
て説明したが、本発明においては、各ストリップ線路の
両側に接地線路を設けて、上記各ストリップ線路をコプ
レーナ線路としてもよく、このような場合においても上
記実施の形態３と同様の効果を奏する。
【００５５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、その表
面に高周波信号用のストリップ線路を備えた第１の板状
部材と、該第１の部材に併設されたその表面に給電線路
を備えた第２の板状部材とを有し、上記第１の板状部材
が第２の板状部材よりも損失角の小さい材料からなり、
第２の板状部材が第１の板状部材よりも熱伝導率が高い
材料からなる基板と、その表面に表面電極を備えた変調
器部と、その表面に表面電極を備えた，その光軸が上記
変調器部の光軸と同一直線上に配置されたレーザ部とを
有し、上記変調器部の表面電極が、上記ストリップ線路
と接着され、上記レーザ部の表面電極が上記給電線路と
接着されるよう、上記基板上に配置された変調器付半導
体レーザ素子とを備えたから、変調器部においては、損
失角の小さい第１の板状部材により高周波の損失を小さ
くして、高周波特性を向上させることができるととも
に、レーザ部においては、電流注入により発生する熱を
第２の板状部材により効率的に放散させることができ、
優れた高周波特性を有するとともに、放熱性に優れ，高
温動作が可能である、高性能な光半導体モジュールを提
供することができる効果がある。
【００５６】また、この発明によれば、上記基板の裏面
には接地導体が設けられており、上記ストリップ線路を
マイクロストリップ線路としたから、優れた高周波特性
を有するとともに、放熱性に優れ，高温動作が可能であ
る、高性能な光半導体モジュールを提供することができ
る効果がある。
【００５７】また、この発明によれば、上記第１の板状
部材の表面には、スルーホールを介して裏面の接地導体
と接続された接地用線路が設けられており、上記変調器
付半導体レーザ素子の変調器部の表面には、その裏面と
導通された裏面用電極が設けられており、上記接地用線
路と裏面用電極とが接着されているようにしたから、優
れた高周波特性を有するとともに、放熱性に優れ，高温
動作が可能である、高性能な光半導体モジュールを提供
することができる効果がある。
【００５８】また、この発明によれば、その表面に表面
電極を備えた変調器部と、その光軸が該変調器部の光軸
と同一直線上に配置されたレーザ部とを有する変調器付
半導体レーザ素子と、その表面にストライプ状に伸びる
ストリップ線路を有し、該ストリップ線路の伸びる方向
と、上記変調器付半導体レーザ素子の光軸方向とが直交
するよう、該ストリップ線路が上記変調器付半導体レー
ザ素子の変調器部の表面電極と接着された第１の板状部
材と、上記変調器付半導体レーザ素子の裏面側に配置さ
れた第２の板状部材とを備え、上記第１の板状部材が第
２の板状部材よりも損失角の小さい材料からなり、第２
の板状部材が第１の板状部材よりも熱伝導率が高い材料
からなるようにしたから、変調器付半導体レーザ素子の
裏面全面を熱伝導率の高い第２の板状部材に接触させる
ことができるので、光半導体モジュールの放熱性を向上
させて、高温動作の可能な光半導体モジュールを得るこ
とができるとともに、高周波信号を伝送するためのスト
リップ線路の基板となる第１の板状部材として高周波の
損失角の小さい材料を用いるようにしたことにより、高
周波特性に優れた光半導体モジュールを得ることがで
き、優れた高周波特性を有するとともに、放熱性に優
れ，高温動作が可能である、高性能な光半導体モジュー
ルを提供することができる効果がある。
【００５９】また、この発明によれば、上記各ストリッ
プ線路は、その両側に、該線路に平行に配置された接地
線路を備えたコプレーナ線路であり、上記変調器付半導
体レーザ素子の変調器部の表面には、その裏面と導通さ
れた裏面用電極が設けられており、上記接地線路と裏面
用電極とが接着されているようにしたから、優れた高周
波特性を有するとともに、放熱性に優れ，高温動作が可
能である、高性能な光半導体モジュールを提供すること
ができる効果がある。
【００６０】また、この発明によれば、基板と、該基板
上に載置された、その表面に表面電極を備えた変調器部
と，その光軸が該変調器部の光軸と同一直線上に配置さ
れたその表面に表面電極を備えたレーザ部とを有する、
そのレーザ光の出射端面と上記変調器部との距離が互い
に異なる複数の変調器付半導体レーザ素子を、その表面
及びその端面が同一平面を構成するよう併設してなるア
レイ型半導体レーザ素子とを備え、上記基板上には、そ
の端部が上記各変調器付半導体レーザ素子の変調器部の
表面電極のそれぞれと接続された、該変調器付半導体レ
ーザ素子の光軸と垂直な方向に伸びる複数の直線形状の
ストリップ線路と、上記各変調器付半導体レーザ素子の
レーザ部の表面電極のそれぞれと接続された給電線路と
を有しているようにしたから、アレイ型変調器付半導体
レーザ素子を構成する各半導体レーザ素子の変調器部の
表面電極をストリップ線路２１０ａ〜２１０ｅと直接接
続させることができ、接続にボンディングワイヤ等を用
いる必要がない。このため、アレイを構成するのレーザ
素子数が増えるにしたがってボンディングワイヤの長さ
が長くなって、アレイ型変調器付レーザ素子の特性が劣
化することがなく、高周波特性を損なうことなくアレイ
を構成する素子数を増やすことができ、優れた高周波特
性を有する高性能な光半導体モジュールが得られる効果
がある。
【００６１】また、この発明によれば、上記基板の裏面
には接地導体が設けられており、上記ストリップ線路を
マイクロストリップ線路としたから、優れた高周波特性
を有する高性能な光半導体モジュールが得られる効果が
ある。
【００６２】また、この発明によれば、上記基板の表面
には、スルーホールを介して裏面の接地導体と接続され
た接地用線路が、上記複数のストリップ線路に対応して
複数設けられており、上記アレイ型半導体レーザ素子を
構成する各変調器付半導体レーザ素子の変調器部の表面
には、その裏面と導通された裏面用電極が設けられてお
り、上記各裏面用電極と各接地用線路とが接着されてい
るようにしたから、優れた高周波特性を有する高性能な
光半導体モジュールが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１に係る光半導体モジュ
ールの構造を示す斜視図である。
【図２】 本発明の実施の形態１に係る光半導体モジュ
ールの変形例の組み立て方法を説明するための斜視図で
ある。
【図３】 本発明の実施の形態２に係る光半導体モジュ
ールの構造を示す斜視図である。
【図４】 従来の光半導体モジュールに用いられる変調
器付き半導体レーザ素子の製造方法を示す断面図であ
る。
【図５】 従来の光半導体モジュールの構造を示す斜視
図である。
【図６】 従来の光半導体モジュールの組み立て方法を
示す斜視図である。
【図７】 従来の他の光半導体モジュールの構造を示す
斜視図である。
【図８】 本発明の実施の形態１に係る光半導体モジュ
ールの組み立て方法を説明するための斜視図である。
【図９】 本発明の実施の形態３に係る光半導体モジュ
ールの構造を示す斜視図である。
【図１０】 本発明の実施の形態３に係る光半導体モジ
ュールの構造を説明するための斜視図である。
【図１１】 本発明の実施の形態３の変形例に係る光半
導体モジュールの構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
１，１ａ，１０１ａ〜１０１ｅ，１００１ 変調器付半
導体レーザ素子、２ａ，２ｂ，１００２ａ，１００２ｂ
表面電極、３ａ，３ｂ，１００３ａ，１００３ｂ 裏
面用電極、４，１００４，１０６０ 表面電極、５，１
００５，１０６１ 裏面用電極、７ａ，７ｂ，７ｄ，７
ｅ，１７ａ，１７ｂ，２１０ａ〜２１０ｅ，２１１ａ〜
２１１ｅ，２１２ａ〜２１２ｅ，２１３ａ〜２１３ｅ，
１００７ａ，１００７ｂ，１００７ｄ，１００７ｅ，２
００６，２０１０ ストリップ線路、２０４ａ〜２０４
ｅ，１００７ｃ，２００７ 給電線路、７ｆ，２０３ａ
〜２０３ｅ，１００７ｆ 接地用線路、９ｂ，９ｄ，９
ｅ，９ｆ，２１４ スルーホール、１０，１０１０ は
んだバンプ、１１，１０１１ チップキャリア、１９
ａ，１９ｂ 接地線路、１８ 終端抵抗、２０，１０３
ａ〜１０３ｅ，２００３ 変調器部、２０ａ 変調器部
側端面、３０ 光導波路、４０，１０４ａ〜１０４ｅ，
２００２ レーザ部、７０，１０１２，２００５基板、
７１，２００ａ 第１の板状部材、７２，２００ｂ 第
２の板状部材、９１ 第１の板状部材、９２ 第２の板
状部材、９３，２００４ ボンディングワイヤ、１００
アレイ型変調器付半導体レーザ素子、１０５１ アン
ドープＩｎＰ基板、１０５２ 導波層、１０５３ 高抵
抗ＩｎＰ電流ブロック層、１０５４ ｎ型ＩｎＰホール
トラップ層、１０５５ ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層、１
０５６ ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、１０５７
溝、１０５８ 絶縁膜、１０５９ Ｃｒ／Ａｕ膜、１０
０６，２００５ マイクロストリップライン基板、２０
０ 基板、２０４ａ〜２０４ｅ ストリップ線路群。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 その表面に高周波信号用のストリップ線
    路を備えた第１の板状部材と、該第１の部材に併設され
    たその表面に給電線路を備えた第２の板状部材とを有
    し、上記第１の板状部材が第２の板状部材よりも損失角
    の小さい材料からなり、第２の板状部材が第１の板状部
    材よりも熱伝導率が高い材料からなる基板と、 その表面に表面電極を備えた変調器部と、その表面に表
    面電極を備えた，その光軸が上記変調器部の光軸と同一
    直線上に配置されたレーザ部とを有し、上記変調器部の
    表面電極が、上記ストリップ線路と接着され、上記レー
    ザ部の表面電極が上記給電線路と接着されるよう、上記
    基板上に配置された変調器付半導体レーザ素子とを備え
    たことを特徴とする光半導体モジュール。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の光半導体モジュールに
    おいて、 上記基板の裏面には接地導体が設けられており、 上記ストリップ線路はマイクロストリップ線路であるこ
    とを特徴とする光半導体モジュール。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の光半導体モジュールに
    おいて、 上記第１の板状部材の表面には、スルーホールを介して
    裏面の接地導体と接続された接地用線路が設けられてお
    り、 上記変調器付半導体レーザ素子の変調器部の表面には、
    その裏面と導通された裏面用電極が設けられており、 上記接地用線路と裏面用電極とが接着されていることを
    特徴とする光半導体モジュール。
  4. 【請求項４】 その表面に表面電極を備えた変調器部
    と、その光軸が該変調器部の光軸と同一直線上に配置さ
    れたレーザ部とを有する変調器付半導体レーザ素子と、 その表面にストライプ状に伸びるストリップ線路を有
    し、該ストリップ線路の伸びる方向と、上記変調器付半
    導体レーザ素子の光軸方向とが直交するよう、該ストリ
    ップ線路が上記変調器付半導体レーザ素子の変調器部の
    表面電極と接着された第１の板状部材と、 上記変調器付半導体レーザ素子の裏面側に配置された第
    ２の板状部材とを備え、 上記第１の板状部材が第２の板状部材よりも損失角の小
    さい材料からなり、第２の板状部材が第１の板状部材よ
    りも熱伝導率が高い材料からなることを特徴とする光半
    導体モジュール。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の光半導体モジュールに
    おいて、 上記各ストリップ線路は、その両側に、該線路に平行に
    配置された接地線路を備えたコプレーナ線路であり、 上記変調器付半導体レーザ素子の変調器部の表面には、
    その裏面と導通された裏面用電極が設けられており、 上記接地線路と裏面用電極とが接着されていることを特
    徴とする光半導体モジュール。
  6. 【請求項６】 基板と、 該基板上に載置された、その表面に表面電極を備えた変
    調器部と，その光軸が該変調器部の光軸と同一直線上に
    配置されたその表面に表面電極を備えたレーザ部とを有
    する、そのレーザ光の出射端面と上記変調器部との距離
    が互いに異なる複数の変調器付半導体レーザ素子を、そ
    の表面及びその端面が同一平面を構成するよう併設して
    なるアレイ型半導体レーザ素子とを備え、 上記基板上には、その端部が上記各変調器付半導体レー
    ザ素子の変調器部の表面電極のそれぞれと接続された、
    該変調器付半導体レーザ素子の光軸と垂直な方向に伸び
    る複数の直線形状のストリップ線路と、上記各変調器付
    半導体レーザ素子のレーザ部の表面電極のそれぞれと接
    続された給電線路とを有していることを特徴とする光半
    導体モジュール。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載の光半導体モジュールに
    おいて、 上記基板の裏面には接地導体が設けられており、 上記ストリップ線路はマイクロストリップ線路であるこ
    とを特徴とする光半導体モジュール。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の光半導体モジュールに
    おいて、 上記基板の表面には、スルーホールを介して裏面の接地
    導体と接続された接地用線路が、上記複数のストリップ
    線路に対応して複数設けられており、 上記アレイ型半導体レーザ素子を構成する各変調器付半
    導体レーザ素子の変調器部の表面には、その裏面と導通
    された裏面用電極が設けられており、 上記各裏面用電極と各接地用線路とが接着されているこ
    とを特徴とする光半導体モジュール。
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