JPH11213370A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 支持体の厚さが薄い磁気記録媒体においても
カールをできる限り小さくして、磁気ヘッドとの当たり
が充分とれ、カールに起因する様々な問題を無くし、良
好な電磁変換特性と走行性を合わせ持つ、長時間記録可
能な磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性支持体２上に磁性層３を形成した
磁気記録媒体１において、非磁性支持体２が芳香性ポリ
アミドフィルムであり、非磁性支持体２の縦方向のヤン
グ率が１０００ｋｇ／ｍｍ² 以上であり、非磁性支持体
２の幅方向のヤング率が１３００ｋｇ／ｍｍ² 以上であ
り、非磁性支持体２に平均粒径０．０２〜０．３μｍの
不活性粒子を添加して、非磁性支持体２の磁性層３を形
成する面の表面に１万個／ｍｍ² 〜２０００万個／ｍｍ
² の突起が形成され、非磁性支持体２の磁性層３が形成
される面とは反対側の面に、有機プラズマ重合体層４を
形成した構成を採る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば強磁性金属
薄膜を用いて磁性層を形成した磁気記録媒体に関し、特
に長時間記録用のビデオテープ、あるいは大容量のテー
プストリーマーとして用いて好適な磁気記録媒体に係わ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体用の支持体とし
て、主としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が
用いられている。特に、ホームビデオ用ビデオテープ、
例えば８ｍｍテープには厚さ７〜１０μｍ程度のポリエ
チレンテレフタレートフィルムが用いられ、コンピュー
タのデータバックアップ用のテープストリーマーには厚
さ５〜７μｍ程度のポリエチレンテレフタレートフィル
ムが使用されている。

【０００３】ところで、近年ビデオカセット用の磁気記
録媒体は、ビデオカセットの小型化に伴い、より一層の
コンパクト化と長時間記録化が望まれている。また、昨
今の情報量の増大化に伴い、テープストリーマーにおい
ても大容量化が望まれており、これらの要求に応えるた
めに、磁気記録媒体の厚さを薄くすることが検討されて
いる。

【０００４】磁気記録媒体の厚さを薄くするためには、
支持体の厚さを薄くすることが容易に考えられる。しか
しながら、支持体としてポリエチレンテレフタレートフ
ィルムを用いている場合、その厚さを薄くすると、長さ
方向或いは幅方向の強度が低下する。そして、磁気記録
媒体は、長さ方向の強度が低下すると、ビデオテープレ
コーダ又はドライブでの走行時に変形しやすくなる。ま
た、磁気記録媒体は、幅方向の強度が低下すると、シワ
や折れが発生しやすくなり、さらにはヘッドとの接触不
良を生じやすくなる等の問題点があった。

【０００５】そこで、金属薄膜型磁気記録媒体用の支持
体としてポリアミドフィルムを用いることが検討され、
実用化されてきている。

【０００６】ポリアミドフィルムは、ポリエチレンテレ
フタレートフィルムに比べ強度が高い。従って、このポ
リアミドフィルムを支持体として用いた磁気記録媒体
は、厚さを薄くすることが可能であり、ビデオカセット
テープの長時間記録化、テープストリーマーの大容量化
に対応した磁気記録媒体として注目されている。

【０００７】特に、テープストリーマーにおいては、２
〜３年置きに容量が倍密度化され、大容量化に対応する
ため、益々磁気記録媒体の薄物化が望まれる。

【０００８】しかしながら、支持体を薄くすると、いわ
ゆるカールが大きくなり、磁気ヘッドとの当たりがとれ
にくくなり、電磁変換特性の大幅な低下を引き起こした
り、磁気ヘッドと接触しやすい縁部は摩耗しやすく、ド
ロップアウトの原因となったり、出力低下を起こしたり
して実用上問題となる。

【０００９】また、金属薄膜型磁気記録媒体は、磁性層
が強磁性金属薄膜から成り、その厚さが薄いことから、
磁性層が支持体の表面性の影響を受けやすく、支持体の
表面形状がそのまま磁性層の表面形状に反映される。従
って、金属薄膜型磁気記録媒体においては、支持体の表
面形状を制御することにより、磁性層表面の微細形状を
適切な状態にする必要がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、先に特
願平８−２００５３４号において、ポリアミドフィルム
から成る非磁性支持体の縦方向のヤング率及び幅方向の
ヤング率を規定することにより、折れ、シワ、変形を生
じにくくさせ、且つポリアミドフィルムからなる非磁性
支持体の表面形状を制御して、磁性層表面の微細形状を
最適な状態にし、電磁変換特性と走行性を改善した磁気
記録媒体を提案した。

【００１１】本発明においては、さらに支持体の厚さが
５．０μｍ以下と薄い磁気記録媒体においてもカールを
できる限り小さくして、磁気ヘッドとの当たりが充分と
れ、カールに起因する様々な問題を無くし、良好な電磁
変換特性と走行性を合わせ持つ、長時間記録可能な磁気
記録媒体を提供するものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性支持体上に磁性層を形成し、この非磁性支持
体が芳香性ポリアミドフィルムであり、この非磁性支持
体の縦方向のヤング率が１０００ｋｇ／ｍｍ² 以上、幅
方向のヤング率が１３００ｋｇ／ｍｍ² 以上であり、こ
の非磁性支持体に平均粒径０．０２〜０．３μｍの不活
性粒子を添加して、非磁性支持体の磁性層を形成する面
の表面に１万個／ｍｍ² 〜２０００万個／ｍｍ² の突起
が形成され、この表面とは反対側の面に、有機プラズマ
重合体層を形成したものである。

【００１３】上述の本発明の構成によれば、芳香性ポリ
アミドフィルムを非磁性支持体に用いて、縦方向のヤン
グ率が１０００ｋｇ／ｍｍ² 以上、幅方向のヤング率が
１３００ｋｇ／ｍｍ² 以上とすることにより、折れやし
わ、変形が生じにくくなる。また、非磁性支持体に平均
粒径０．０２〜０．３μｍの不活性粒子を添加して、非
磁性支持体の磁性層を形成する面の表面に１万個／ｍｍ
² 〜２０００万個／ｍｍ² の突起が形成されていること
により、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの当たりや走行性
が良好となる。

【００１４】さらに、非磁性支持体の磁性層を形成した
面とは反対側の面に、有機プラズマ重合体層を形成する
ことにより、非磁性支持体の機械的強度を高めることが
でき、非磁性支持体の厚さが１．０〜５．０μｍという
薄い磁気記録媒体にもかかわらず充分カールを小さくで
き、カールに起因する様々な問題を解決することができ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明は、非磁性支持体上に磁性
層を形成した磁気記録媒体において、非磁性支持体が芳
香性ポリアミドフィルムであり、非磁性支持体の縦方向
のヤング率が１０００ｋｇ／ｍｍ² 以上であり、非磁性
支持体の幅方向のヤング率が１３００ｋｇ／ｍｍ² 以上
であり、非磁性支持体に平均粒径０．０２〜０．３μｍ
の不活性粒子を添加して、非磁性支持体の磁性層を形成
する面の表面に１万個／ｍｍ²〜２０００万個／ｍｍ²
の突起が形成され、非磁性支持体の磁性層が形成される
面とは反対側の面に、有機プラズマ重合体層を形成した
磁気記録媒体である。

【００１６】また本発明は、上記磁気記録媒体におい
て、非磁性支持体の厚さが１．０〜５．０μｍである構
成とする。

【００１７】また本発明は、上記磁気記録媒体におい
て、磁性層が強磁性金属薄膜から形成された構成とす
る。

【００１８】図１に本発明に係る磁気記録媒体の実施の
形態の概略構成図（断面図）を示す。この図１に示す磁
気記録媒体１は、芳香族ポリアミドフィルムからなる非
磁性支持体２上に磁性層３が、非磁性支持体２の磁性層
３が形成された面とは反対側の面に有機プラズマ重合体
膜４がそれぞれ形成されてなる。

【００１９】非磁性支持体２に用いる芳香族ポリアミド
フィルムは、好ましくは一般式が下記の化１又は化２で
表されるポリアミド樹脂、あるいはそれらの共重合体を
有するポリアミド樹脂を用いて形成する。

【００２０】

【化１】

【００２１】

【化２】

【００２２】ただし上記化１及び化２において、アルキ
ル基Ｒ₁ ，Ｒ₂ ，Ｒ₃ は下記化３〜化７に記載の芳香族
（基）、またはこれらの水素原子がハロゲン、メチル、
エチル、メトキシ、ニトロ、スルホン基等の官能基で置
換されたものから選択される。また、ｍ，ｎは平均重合
度であり、約５０〜１００とする。

【００２３】

【化３】

【００２４】

【化４】

【００２５】

【化５】

【００２６】

【化６】

【００２７】

【化７】

【００２８】上述の芳香族ポリアミドの中で、特に好ま
しいのはポリ（ｐ−フェニレンテレフタルアミド）又は
ポリ（ｐ−ベンズアミド）である。

【００２９】また、非磁性支持体２のフィルムに用いる
芳香族ポリアミドには、約２０％以下の量であればその
他の成分のポリマーが添加されていてもよい。

【００３０】これら芳香族ポリアミドの共重合体から非
磁性支持体のフィルムを製造するには、例えばジメチル
アセトアミド、ジメチルホルムアミド、ｎ−メチルピロ
リドン、ヘキサメチルホスアミド、γ−ブチロラクト
ン、テトラメチル尿素、ジオキサン等、またはこれらの
混合溶媒、あるいはこれらに重合原液の中和生成物とし
て塩化リチウム、塩化カルシウム、炭酸リチウム、硝酸
リチウム等の無機塩を添加した溶媒が使用される。この
ような成膜用の溶媒を使用して、ｐ−フェニレンジアミ
ン、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミ
ン、２−ニトロ−ｐ−フェニレンジアミン、２−クロル
−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノビフェ
ニル、３，３’−クロルベンジン等の芳香族ジアミン類
と、テレフタル酸クロライド、２−クロルテレフタル酸
クロライド、テレフタル酸ヒドラジド、ｐ−アミノ安息
香酸ヒドラジド、ｐ−アミノ安息香酸クロライド等の芳
香族ジカルボン酸類との重合あるいは結合によって得ら
れた芳香族ポリアミド樹脂を、溶融成形あるいは溶液成
形等の手法によりフィルムとして芳香族ポリアミドフィ
ルムを得る。

【００３１】そして、この非磁性支持体２のフィルムの
厚さは、長時間記録ができ、かつコンパクトで軽い磁気
記録媒体１を構成するために、好ましくは１．０〜５．
０μｍとする。

【００３２】このようにして得られた非磁性支持体２の
芳香族ポリアミドフィルムを長さ方向及び幅方向に延伸
し、縦方向のヤング率が１０００ｋｇ／ｍｍ² 以上であ
り、幅方向のヤング率が１３００ｋｇ／ｍｍ² 以上であ
る所望の厚さの非磁性支持体２を得る。

【００３３】また、非磁性支持体２内に平均粒径０．０
２〜０．３μｍの不活性粒子を添加して、磁性層３を形
成する側の面に、１万個／ｍｍ² 〜２０００万個／ｍｍ
² の突起を設ける。

【００３４】この場合の不活性粒子としては、例えば二
酸化珪素（水和物、珪藻土、珪砂、石英等を含む）、ア
ルミナ、ＳｉＯ₂ 分を３０重量％以上含有する珪酸塩
（例えば非結晶あるいは結晶質の粘土鉱物、焼成物や水
和物を含むアルミノシリケート、温石綿、ジルコン、フ
ライアッシュ等）、Ｍｇ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｃａ，Ｂａの硫
酸塩、Ｌｉ，Ｎａ，Ｃａのリン酸塩（１水素塩、２水素
塩を含む）、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋの安息香酸塩、Ｃａ，Ｂ
ａ，Ｚｎ，Ｍｎのテレフタル酸塩、Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，
Ｚｎ，Ｃｄ，Ｐｂ，Ｓｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのチ
タン酸塩、Ｂａ，Ｐｂのクロム酸塩、炭素（例えば、カ
ーボンブラック、グラファイト等）、Ｃａ，Ｍｇの炭酸
塩、螢石、ＺｎＳ等が例示される。

【００３５】さらに好ましくは、無水珪酸、含水珪酸、
酸化アルミニウム、珪酸アルミニウム（焼成物、水和物
を含む）、リン酸１リチウム、リン酸３リチウム、リン
酸ナトリウム、リン酸バリウム、酸化チタン、安息香酸
リチウム、これら化合物の複塩（水和物を含む）、粘
土、カオリン、ベントナイト、白土等の粘土鉱物、タル
ク、珪藻土、炭酸カルシウムなどが例示される。

【００３６】これらの不活性微粒子は、重合前の一方の
モノマーの溶媒中に添加して分散させてもよく、重合さ
せるときに重合する溶媒中に添加して分散させていても
よく、またポリマー溶液の調整工程中に添加してもよ
い。

【００３７】不活性粒子の平均粒径が０．０２μｍの場
合は、磁性層３の表面に形成される突起の高さが低く、
また突起が１万個／ｍｍ² 以下では突起の数が少なく、
いずれの場合もヘッドクリーニング効果が小さく、また
摩擦係数が大きく走行性が悪化する。一方０．３μｍよ
り大きな粒子の添加、あるいは２０００万個／ｍｍ²を
越える添加量では、いずれも磁気記録媒体の電磁変換特
性が悪化する。

【００３８】さらに、フィルムのハンドリング性をよく
するために、例えば非磁性支持体２のフィルムを２層構
造として、磁性層を形成しない側の面の表面粗さＳＲａ
を０．００５〜０．０２５μｍ、好ましくは０．０１０
〜０．０２０μｍとすることが望ましい。表面粗さの調
整には、前述の不活性粒子を添加し、その平均粒径・粒
径分布や添加量を制御することにより調整する。

【００３９】磁性層３は、強磁性金属薄膜等により構成
され、例えば斜め蒸着あるいは垂直蒸着により形成され
る。強磁性金属薄膜には、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ等を主体と
する金属薄膜や、これらの合金を主体とする金属薄膜を
使用することができる。

【００４０】この磁性層３の厚さは、好ましくは０．０
１〜０．４μｍ、より好ましくは、０．１〜０．２μｍ
程度とする。

【００４１】強磁性金属薄膜からなる磁性層３は、非磁
性支持体２の主面上に、例えば図２に示すような連続巻
き取り式の真空蒸着装置等を用いて形成する。

【００４２】図２の蒸着装置１１は、いわゆる斜方蒸着
用として構成され、例えば内部の圧力が１０^-3Ｐａとさ
れた真空室１２内に例えば−２０℃に冷却され図中の反
時計回り方向に回転する冷却キャン１３と対向するよう
に強磁性金属薄膜用の蒸着源１４が配置されている。こ
の蒸着源１４はルツボ等の容器にＣｏ，Ｃｏ−Ｎｉ合金
等の強磁性金属材料が収容されたものであり、この蒸着
源１４に対し、電子ビーム発生源１５から電子ビーム１
６を加速照射して強磁性金属材料を加熱、蒸発させて、
これを図中の反時計回り方向に回転する供給ロール１７
から図中の矢印Ｂ方向に繰り出され、冷却キャン１３の
周面に沿って走行する非磁性支持体２上に付着させるこ
とにより強磁性金属薄膜から成る磁性層３を形成する。
そして、磁性層３が形成された非磁性支持体２は、巻き
取りロール１８に巻き取られる。

【００４３】このとき、蒸着源１４と冷却キャン１３と
の間には防着板１９を設け、この防着板１９にシャッタ
２０を位置調整可能に設けて、非磁性支持体２に対して
所定の角度で入射する蒸着粒子のみを通過させる。こう
して斜め蒸着法によって金属磁性薄膜から成る磁性層３
が形成されるようになされる。尚、供給ロール１７と冷
却キャン１３との間、及び冷却キャン１３と巻き取りロ
ール１８との間にはそれぞれガイドローラー２１，２２
が配置され、供給ロール１７から冷却キャン１３、及び
この冷却キャン１３から巻き取りロール１８に従って走
行する非磁性支持体２に所定のテンションをかけ、非磁
性支持体２が円滑に走行するようになされている。

【００４４】さらに、このような金属磁性薄膜の蒸着に
際し、図示しないが酸素ガス導入口を介して非磁性支持
体２の表面近傍に酸素ガスが供給され、これによって金
属磁性薄膜の磁気特性、耐久性及び耐候性の向上が図ら
れている。また、蒸着源１４を加熱するためには、上述
のような電子ビームによる加熱手段の他、例えば抵抗加
熱手段、高周波加熱手段、レーザ加熱手段などの公知の
手段を使用できる。

【００４５】以上は斜め蒸着法によりＣｏから成る強磁
性金属薄膜形成する例について説明したが、強磁性金属
薄膜を形成する方法としては、この例の他に垂直蒸着法
やスパッタリング法などの公知の薄膜形成法が適用で
き、また強磁性金属薄膜の材料としては、Ｃｏの他に前
述のＮｉ，Ｆｅ等やこれらの合金が使用できる。

【００４６】また、この磁気記録媒体１は、磁性層３の
強磁性金属薄膜の摩耗を防止するために、磁性層３上
に、図３に示すようなマグネトロンスパッタ装置３０等
を用いて、カーボン保護膜を形成することが望ましい。

【００４７】このマグネトロンスパッタ装置３０は、外
側がチャンバ３１にて覆われている。そして、チャンバ
３１内は、真空ポンプ３２にて約１０×１０^-4Ｐａまで
減圧された後、真空ポンプ３２側へ排気するバルブ３３
の角度を全開状態から１０°まで絞ることにより排気速
度を落とし、ガス導入管３４からＡｒガスを導入して、
真空度が約０．８Ｐａとされる。

【００４８】マグネトロンスパッタ装置３０は、このチ
ャンバ３１内に例えば−４０℃程度に冷却され、図中の
反時計回り方向に回転する冷却キャン３５と、この冷却
キャン３５と対向配置されるターゲット３６とがそれぞ
れ設けられている。

【００４９】ターゲット３６は、カーボン保護膜の材料
となるものであり、カソード電極を構成するバッキング
プレート３７に支持されている。そしてバッキングプレ
ート３７の裏側には、磁場を形成するマグネット３８が
配設されている。

【００５０】このマグネトロンスパッタ装置３０により
カーボン保護膜を形成する際は、ガス導入管３４からＡ
ｒガスを導入するとともに、冷却キャン３５をアノー
ド、バッキングプレート３７をカソードとして３０００
Ｖの電圧を印加し、１．４Ａの電流が流れる状態を保つ
ようにする。

【００５１】この電圧の印加によりＡｒガスがプラズマ
化し、電離されたイオンがターゲット３６に衝突するこ
とにより、ターゲット３６の原子がはじき出される、こ
のときバッキングプレート３７の裏側にはマグネット３
８が配設されており、ターゲット３６の近傍に磁場が形
成されるので、電離されたイオンはターゲット３６の近
傍に集中されることになる。

【００５２】ターゲット３６からはじき出された原子
は、図中の反時計回り方向に回転する供給ロール３９か
ら図中の矢印Ｂ方向に繰り出され、冷却キャン３５の周
面に沿って走行する磁性層３が形成された非磁性支持体
２上に付着し、カーボン保護膜が形成される。そして、
カーボン保護膜が形成された非磁性支持体２は、巻き取
りロール４０に巻き取られる。

【００５３】このカーボン保護膜は、スペーシングロス
を少なく、かつ磁性層３の摩耗防止効果を得ることがで
きるよう、その厚さを３〜１５ｎｍ程度、特に５〜１０
μｍ程度とすることが好ましい。

【００５４】以上はマグネトロンスパッタによりカーボ
ン保護膜を形成する例について説明したが、カーボン保
護膜を形成する方法としては、このほかにイオンビーム
スパッタやイオンビームプレーティング法、ＣＶＤ（化
学的気相成長）法等の公知の薄膜形成方法を用いること
ができる。

【００５５】また、この磁気記録媒体は、磁性層３の表
面又はカーボン保護膜の表面に滑剤を存在させることが
望ましい。これにより、磁気記録媒体１は微細突起の形
状に基づく走行性改善効果をさらに高めることが可能で
ある。

【００５６】また、磁気記録媒体１の表面、裏面又はそ
れらの近傍、或いはカーボン保護膜、磁性層３内の空
隙、カーボン保護膜と磁性層３との界面、磁性層３と非
磁性支持体２の界面、非磁性支持体２内等に、必要に応
じて公知の手段で防錆剤、帯電防止剤、防かび剤等の各
種添加剤を添加することもできる。

【００５７】また、非磁性支持体２の磁性層３が形成さ
れる面とは反対側の裏面に形成される有機プラズマ重合
体層４は、プラズマ重合法により形成され、非常に薄く
かつ均一に付着することができ、３次元に発達した緻密
なそして非磁性支持体２に密着した強固な組織となる。
従って、この有機プラズマ重合体層４を形成することに
よりカールの発生を抑制することができる。

【００５８】プラズマ重合法は、Ａｒ，Ｈｅ，Ｈ₂ ，Ｎ
₂ 等のキャリアガスの放電プラズマとモノマーガスとを
混合し、被処理基体表面にこれら混合ガスを接触させる
ことにより、基体表面にプラズマ重合体層を形成するも
のである。原理的には、気体を低圧に保ち電場を作用さ
せると、気体中に少量存在する自由電子は、常圧に比べ
分子間距離が非常に大きいため、電界加速を受け５〜１
０ｅＶの速度エネルギー（電子温度）を獲得する。この
速度原子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分子軌
道を分断して電子、イオン、中性ラジカル等常態では不
安定な化学種に解離させる。解離した電子は、再び電界
加速を受けて別の原子や分子を解離させるが、この連鎖
作用で気体はたちまち高度の電離状態となり、これはプ
ラズマガスと呼ばれている。気体分子は電子との衝突の
機会が少ないのでエネルギーを余り吸収せず、常温に近
い温度に保たれている。このように、電子の速度エネル
ギー（電子温度）と分子の熱運動（ガス温度）が分離し
た系は低温プラズマと呼ばれ、ここでは化学種が比較的
原型を保ったまま重合などの化成的化学反応を進めうる
状況を創出しており、この状況を利用して、基体にプラ
ズマ重合体層４を形成することができる。このとき、低
温プラズマを利用するため、基体の熱影響は全くない。

【００５９】使用しうるモノマーガスとしては、プラズ
マ重合性を有する、炭素−水素系、炭素−水素−酸素
系、炭素−ハロゲン系、炭素−酸素−ハロゲン系、炭素
−水素−ハロゲン系、有機金属等を含めて有機化合物一
般がいずれも使用できるが、特にエチレン、アセチレ
ン、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレー
ト、ブタジエン、ベンゼン、ピリジンのような不飽和結
合を有する有機化合物が好ましい。この他、シロキサン
結合を有する各種シラン等の有機珪素化合物や、硫黄或
いは窒素を含有する各種有機化合物も使用しうる。

【００６０】プラズマ発生源としては、高周波放電の他
に、マイクロ波放電、直流放電、交流放電等、いずれも
使用できる。また、プラズマ重合時の真空度は、１〜１
０００Ｐａであるのが好ましい。

【００６１】次に、実際に図１の構成の磁気記録媒体１
を作製して、各種特性を調べた。

【００６２】（実施例１）脱水したｎ−メチルピロリド
ンに、１：０．９のモル比に相当する２−クロル−フェ
ニレンジアミンと、１：０．１のモル比に相当する４，
４’−ジアミノジフェニルスルホンを撹拌溶解させ、こ
れを冷却した。次に、ｎ−メチルピロリドンに対して
１：０．７のモル比に相当するテレフタル酸クロライド
を添加し、２時間撹拌した。

【００６３】その後、充分に精製した水酸化カルシウム
を添加して、撹拌混合した。これにアンモニア水を加え
て、中和を完了させる。

【００６４】さらに、ｎ−メチルピロリドン中に分散さ
せた平均粒径０．０５μｍのＳｉＯ₂ を添加し、芳香族
ポリアミド溶液を得た。

【００６５】次に、この溶液を表面研磨した金属ドラム
上へ３０℃の温度で均一に流延し、これを１２０℃の雰
囲気中で約１０分間の乾燥を行い、芳香族ポリアミドフ
ィルムとした。

【００６６】次に、金属ドラム上に形成された芳香族ポ
リアミドフィルムを金属ドラムから剥離して、３０℃の
水槽中に連続的に約３０分間浸漬しながら、ＭＤ方向
（縦方向）に延伸させた。さらに、フィルムをテンター
に導入して３２０℃でＴＤ方向（幅方向）に延伸して厚
さ３．５μｍの非磁性支持体２を構成するフィルムを得
た。

【００６７】次に、この非磁性支持体２のフィルムに対
して、磁性層３を形成した。図２に示す連続巻き取り式
の蒸着装置１１を、その内部が１０×１０^-3Ｐａ程度の
真空状態となるように排気し、非磁性支持体２をこの蒸
着装置１１にセットした。そして、微量の酸素雰囲気中
で連続真空斜め蒸着法により、非磁性支持体２の表面上
にＣｏの強磁性金属薄膜からなる磁性層３を形成した。

【００６８】蒸着の条件は、斜め蒸着の入射角が非磁性
支持体２のフィルムの法線方向から９０°〜４５°の角
度で、フィルムの送り速度５０ｍ／分とし、蒸着する厚
さが０．１８μｍとなるように電子ビームの強さを調節
した。

【００６９】次に、図３に示すようなマグネトロンスパ
ッタリング装置３０をその内部が１０×１０^-4Ｐａ程度
になるまで減圧した後、Ａｒガスを導入し、０．８Ｐａ
程度にした。そして、このマグネトロンスパッタリング
装置３０に強磁性金属薄膜から成る磁性層３が形成され
た非磁性支持体２をセットし、−４０℃に冷却した冷却
キャン３５上を５ｍ／分の送り速度で走行させて磁性層
３上にカーボン保護膜を形成した。

【００７０】次に、非磁性支持体２の磁性層３が形成さ
れた面とは反対側の面に以下の条件で厚さ０．３μｍの
プラズマ重合体膜４を形成した。 モノマーガス ：エチレン モノマーガス流量 ：３０ｍｌ／分 キャリアーガス ：アルゴン キャリアーガス流量：７０ｍｌ／分 真空度 ：７０Ｐａ 高周波電源 ：１３．５６ＭＨｚ，３００Ｗ

【００７１】さらに、カーボン保護膜上にパーフルオロ
ポリエーテルより成る滑剤のトップコート層を形成し、
磁気記録媒体１を形成した。そして、この磁気記録媒体
１を８ｍｍ幅に裁断して、カセット本体に組み込んでカ
セットテープとした。

【００７２】（実施例２〜実施例６、参考例１〜参考例
３）縦方向の延伸倍率、幅方向の延伸倍率、及びＳｉＯ
₂ の粒径を調節して非磁性支持体２の物性を変更し（後
述の表１参照）、その他は実施例１と同様にして磁気記
録媒体１を形成した。

【００７３】（比較例）比較例として、非磁性支持体２
の裏面へのプラズマ重合体層４の形成を行わないで、そ
の他は前述の実施例１と同様にして磁気記録媒体を形成
した。

【００７４】これら各実施例、各参考例及び比較例の非
磁性支持体２のフィルムに対して、幅方向及び長さ方向
のヤング率及び表面突起個数を測定した。測定条件は次
のようにした。

【００７５】（１）ヤング率 テンシロン型の引張り試験機を使用して、温度２５℃、
相対湿度５５％の条件で引っ張り、０．０５〜０．１％
の伸びを与える荷重を求めて、これによりヤング率を算
出した。

【００７６】（２）表面突起個数 走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）として日本電子社製の超分解
能コールドＦＥ−ＳＥＭ［Ｓ−９００］（商品名）を用
いて、加速電圧２０ｋＶ、倍率３万倍以上でフィルム表
面を観察し、高さ１０〜４０ｎｍの微細突起の個数を数
えて、これを１ｍｍ² 当たりの個数に換算して、表面突
起個数とした。

【００７７】各例のフィルムにおけるヤング率と表面突
起個数の測定値と、ＳｉＯ₂ の粒径を表１に示す。

【００７８】

【表１】

【００７９】続いて、各実施例、各参考例、及び比較例
の磁気記録媒体１のフィルムより作製した８ｍｍビデオ
テープに対して、テープ特性を調べて比較を行った。ソ
ニー株式会社製のＡＩＴドライブＳＤＸ−Ｓ３００Ｃ
（商品名）を改造したものに、それぞれのテープをセッ
トして、記録の相対速度１０．０４ｍ／秒、最短記録波
長０．３５μｍとして、以下の特性について比較した。

【００８０】（１）走行耐久性 １７０ｍ長を１００パス繰り返し走行させて、１パス走
行後のブロックエラーレート（ＢＥＲ）、１００パス走
行後のブロックエラーレート（ＢＥＲ）を測定した。

【００８１】（２）保存特性 保存特性は常温（２５℃）かつ常湿下で１７０ｍ長の記
録を行った磁気記録媒体１を、４５℃・８０％ＲＨの環
境下で３日間保存し、再び常温常湿下で再生して、エラ
ーレートＥＲの増加を測定した。

【００８２】（３）鳴きの発生 １００パス走行後の回転ヘッドシリンダ部でのテープの
鳴き（摩擦等による音）の発生状態を調べた。

【００８３】（４）ヘッドとの当たり特性 テープ再生時の出力信号、すなわち当たり波形を１トラ
ック分で見た場合の出力信号の最小値／最大値（％）を
測定した。

【００８４】（５）カール度 磁気テープの幅Ｗと平面板表面からの磁気テープの最大
高さＨとを測定し、その比Ｈ／Ｗでカール度を表した。

【００８５】これらの特性の測定結果を表２に示す。

【００８６】

【表２】

【００８７】表２より、縦方向及び横方向のヤング率の
みが異なる、実施例２と参考例１とを比較すると、参考
例１は保存後のエラーレートＥＲが実施例２の約１３倍
と多くなっている。横方向のヤング率は参考例１の方が
大きいが差が小さいため、縦方向のヤング率を、実施例
２の１０００ｋｇ／ｍｍ² 以上とする必要があることが
わかる。

【００８８】次に、添加粒子径と表面突起個数が同程度
である、実施例４と参考例２との比較から、参考例２の
場合、幅方向のヤング率が低いことにより、当たり特性
が低下することがわかる。また、１００パス後ブロック
エラーレート（ＢＥＲ）が実施例４の約５倍と大きくな
り、鳴きも発生している。当たり特性等を良好にするた
めに、実施例４のように、幅方向のヤング率を１３００
ｋｇ／ｍｍ² 以上とする必要があることがわかる。ま
た、表面突起個数は１万個／ｍｍ² 以上とする必要があ
ることがわかる。

【００８９】次に、ヤング率が等しく添加粒子径と表面
突起個数が異なる、実施例３と参考例３とを比較する
と、参考例３のように、粒子径を小さくして、その分表
面突起個数を多くすると、走行耐久性が低下し、１００
パス後ブロックエラーレート（ＢＥＲ）が実施例４の約
５倍と大きくなり、鳴きも発生している。従って、実施
例３と参考例３から、添加粒子径は０．０２μｍ以上、
表面突起個数は２０００万個／ｍｍ² 以下とする必要が
あることがわかる。

【００９０】また、有機プラズマ重合体層４の形成の有
無以外の物性が同じである実施例１と比較例とを比較す
ると、有機プラズマ重合体層４を形成することにより、
カール度が大幅に改善されることがわかる。また、１パ
ス後及び１００パス後のブロックエラーレート及び保存
後のエラーレートも有機プラズマ重合体層４を形成する
ことにより改善されることが分かる。

【００９１】以上から、縦方向のヤング率が１０００ｋ
ｇ／ｍｍ² 以上、幅方向のヤング率が１３００ｋｇ／ｍ
ｍ² 以上である芳香族ポリアミドフィルムを非磁性支持
体２に用いることにより、テープ特性（走行耐久性、保
存特性）に優れ、良好な当たり特性を有する磁気記録媒
体１を構成することができる。また、この非磁性支持体
２内に平均粒径０．０２〜０．３μｍの不活性粒子を添
加して、１万個／ｍｍ² 以上２０００万個／ｍｍ² 以下
の突起を形成した面に磁性層３を設けることにより、鳴
きの発生が無く、良好な電磁変換特性と走行性を兼ね備
えた長時間記録が可能な磁気記録媒体１を構成できるこ
とがわかる。

【００９２】さらに、非磁性支持体２の磁性層３が形成
された面とは反対側の面に有機プラズマ重合体層４を形
成することにより、非磁性支持体２の厚さが１．０〜
５．０μｍという薄い磁気記録媒体１においても充分に
カールを小さくすることができ、カールに起因する様々
な問題を解決することができる。

【００９３】本発明の磁気記録媒体は、上述の実施の形
態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲でその他様々な構成が取り得る。

【００９４】

【発明の効果】上述の本発明による磁気記録媒体によれ
ば、縦方向のヤング率が１０００ｋｇ／ｍｍ² 以上、幅
方向のヤング率が１３００ｋｇ／ｍｍ² 以上である芳香
族ポリアミドフィルムを用い、非磁性支持体内に平均粒
径０．０２〜０．３μｍの不活性粒子を添加して１万個
／ｍｍ² 以上２０００万個／ｍｍ² 以下の突起を形成し
た面に磁性層を設けたことにより、折れやしわ、変形が
少なく、従来の磁気記録媒体との互換性がよく、スキュ
ー特性に優れ、良好な電磁変換特性と走行性を兼ね備え
た長時間記録が可能な磁気記録媒体を構成することがで
きる。

【００９５】また、磁気記録媒体の裏面に有機プラズマ
重合体層を形成することにより、非磁性支持体の厚さが
１．０〜５．０μｍという非常に薄い磁気記録媒体でも
充分カールを小さくでき、カールに起因する様々な問題
を解決することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の実施の形態の概略構成
図（断面図）である。

【図２】磁性層の蒸着に用いる蒸着装置の概略構成図で
ある。

【図３】カーボン保護膜を形成するマグネトロンスパッ
タ装置の構成図である。

【符号の説明】

１ 磁気記録媒体、２ 非磁性支持体、３ 磁性層、４
有機プラズマ重合体層、１１ 真空蒸着装置、１２
真空室、１３，３５ 冷却キャン、１４ 蒸着源、１５
電子ビーム発生源、１６ 電子ビーム、１７，３９
供給ロール、１８，４０ 巻き取りロール、１９ 防着
板、２０ シャッタ、２１，２２ ガイドローラ、３０
マグネトロンスパッタ装置、３１ チャンバ、３２
真空ポンプ、３３ バルブ、３４ ガス導入管、３６
ターゲット、３７ バッキングプレート、３８ マグネ
ット

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に磁性層を形成した磁気
   記録媒体において、 上記非磁性支持体が芳香性ポリアミドフィルムであり、 該非磁性支持体の縦方向のヤング率が１０００ｋｇ／ｍ
   ｍ² 以上であり、 該非磁性支持体の幅方向のヤング率が１３００ｋｇ／ｍ
   ｍ² 以上であり、 上記非磁性支持体に平均粒径０．０２〜０．３μｍの不
   活性粒子を添加して、該非磁性支持体の上記磁性層を形
   成する面の表面に１万個／ｍｍ² 〜２０００万個／ｍｍ
   ² の突起が形成され、 かつ上記非磁性支持体の上記磁性層が形成される面とは
   反対側の面に、有機プラズマ重合体層を形成したことを
   特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 上記非磁性支持体の厚さが１．０〜５．
   ０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記
   録媒体。
3. 【請求項３】 上記磁性層が強磁性金属薄膜から形成さ
   れて成ることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒
   体。