JPH11214518A - 配置配線装置 - Google Patents

配置配線装置

Info

Publication number
JPH11214518A
JPH11214518A JP10009971A JP997198A JPH11214518A JP H11214518 A JPH11214518 A JP H11214518A JP 10009971 A JP10009971 A JP 10009971A JP 997198 A JP997198 A JP 997198A JP H11214518 A JPH11214518 A JP H11214518A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
wiring layer
pin
placement
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10009971A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Ishiyama
裕浩 石山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP10009971A priority Critical patent/JPH11214518A/ja
Publication of JPH11214518A publication Critical patent/JPH11214518A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多層配線プロセスで、任意の配線層で配置配
線を行い、さらに任意の配線層で裏打ち配線を行うとい
う処理を可能とする。 【解決手段】 ピン配線層持ち上げ部7を設けることに
より、セルのピンを製造するための配線層の中の任意の
配線層にピンを発生し、配置配線可能な配線層の種類を
増やし、配置配線の自由度を高める。優先配線層指定部
6を設けることにより、指定した配線層を中心に配置配
線を行い、プロセス的に低抵抗な配線層を指定して、高
速化を図る。最上配線層を指定すれば、FIBによる回
路修正やEBテスターによる解析を容易にする。裏打ち
配線部8を設けることにより、裏打ち配線を行い、配線
幅を広げることなく配線の低抵抗化を行い、高速化を図
る。配線密度の低い配線層で裏打ちを行なうと、チップ
開口率を上げ、製造歩留まりを高める。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体マスクレイ
アウトを配線配置によって設計する際に用いられる配線
配置装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体マスクレイアウトを配
置配線によって設計する場合には、回路図から作成した
論理接続情報と、セルを登録したセルライブラリとを、
論理配置配線部で配置配線して作成する手法を用いてい
る。
【0003】以下、従来の配置配線装置について説明す
る。図4は従来の配置配線装置のブロック図であり、1
は入力部、2は入力部1から入力した情報でデータを処
理するCPU、3はセルを登録したセルライブラリ、4
はCPU2とセルライブラリ3とのデータを選択的に合
成して配置配線を行う論理配置配線部、5はCPU2の
結果を出力する出力部である。
【0004】図5は、従来の配置配線後の平面図であ
り、10はセルX、11はセルY、12はセルX10の
ピンaの1層ピン、13はセルY11のピンbの2層ピ
ン、14は1層ピン12からの配線、15は2層ピン1
3からの配線、16は配線14と配線15とを接続する
コンタクトである。
【0005】図6は、図5のA点とB点との間の断面構
造を示している。この図6において、20は半導体基
板、21はLOCOS、22は第1層間膜、23は第2
層間膜、24は第3層間膜、25は第4層間膜、26は
保護膜、27は1層配線、28は第1ビアホール、29
は2層配線である。
【0006】以上のように構成された配置配線装置につ
いて、以下その動作を説明する。まず、図4の入力部1
に入力された回路図が、CPU2で選択される。この
時、CPU2では、入力部1から入力した回路図のセル
X10のピンaとセルY11のピンbが接続していると
いうセルの論理接続情報を抽出する。次に論理接続情報
を論理配置配線部4に送る。次に、セルを登録したセル
ライブラリ3における、セルX10とセルY11とコン
タクト16とのデータを、論理配置配線部4と、CPU
2とに送る。この時、CPU2において、セルX10の
ピンaの配線層が1層ピン12であり、セルY11のピ
ンbの配線層が2層ピン13であるという、基準配線層
情報を抽出する。次に、この基準配線層情報を論理配置
配線部4に送る。この時、論理配置配線部4では、CP
U2からの基準配線層情報と論理接続情報とから、セル
X10のピンaからの配線14は1層配線27で配線を
行うことを判断し、またセルY11のピンbからの配線
15は2層配線29で配線を行うことを判断する。同時
に、論理接続情報を満たすために配線14と配線15と
の接続を行うにはコンタクト16が必要で、コンタクト
16には第1ビアホール28を使用することを判断す
る。次に、セルX10とセルY11の配置配線を、1層
配線27と、第1ビアホール28と、2層配線29とを
使って行う。その結果、入力部1で入力した回路図のマ
スクレイアウトデータを出力部5から出力する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、セルライブラリ3に登録されているセル
のピン配線層を基準とした配置配線が行われるが、この
配置配線はピン配線層を基準に下層から上層方向へ向か
う方向にしか行えず、配置配線の配線層及び配線時の配
線層方向を自由に指定することができないという問題が
あった。したがって、多層配線プロセスの場合は、上層
に行くほど配線密度が低くなり、FIBでの修正やEB
テスターでの解析が行いにくいという問題があった。
【0008】また、ピンからピン迄の配線は1本しかな
く、配線の低抵抗化を行うと配線の幅が広くなり、配線
面積が大きくなるという問題があった。本発明は上記従
来の問題点を解決するもので、半導体マスクレイアウト
を配置配線によって設計する際に、セルが最初に定義し
ているピンの配線層に拘束されない任意の配線層で配置
配線でき、その際配線する配線層方向を自由に設定で
き、しかも任意の配線層で裏打ち配線を行うことを可能
にした配置配線装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明の配置配線装置は、製造する配線層の中でセ
ルのピンを任意の配線層に発生させるようにし、指定し
た配線層を中心にかつ配線する配線層方向を自由に設定
する配置配線を行い、さらに任意の配線層で裏打ち配線
を行うように構成したものである。
【0010】これにより、半導体マスクレイアウトを配
置配線によって設計する際に、任意の配線層で配置配線
し、任意の配線層で裏打ち配線を行うことを可能にし
た、配置配線装置が得られる。
【0011】
【発明の実施の形態】請求項1に記載の本発明は、入力
部から入力した情報でデータを処理するCPUと、セル
を登録したセルライブラリと、CPUとセルライブラリ
とのデータを選択的に合成して配置配線を行う論理配置
配線部と、CPUの結果を出力する出力部とを備えた配
置配線装置が、さらに、セルにおけるピンを製造するた
めのどの配線層にも対応したピンの発生を行うピン配線
層持ち上げ部を備えている。
【0012】これにより、多層配線プロセスで任意の配
線層にピンを発生させることができる。
【0013】請求項2に記載の本発明は、入力部から入
力した情報でデータを処理するCPUと、セルを登録し
たセルライブラリと、CPUとセルライブラリとのデー
タを選択的に合成して配置配線を行う論理配置配線部
と、CPUの結果を出力する出力部とを備えた配置配線
装置が、さらに、回路図の優先配線層を指定する優先配
線層指定部を備え、前記論理配置配線部は、前記優先配
線層指定部で指定した配線層を中心に論理接続を行なう
ように構成されている。
【0014】これにより、指定した配線層を中心に配置
配線を行なうことができる。
【0015】請求項3に記載の本発明は、入力部から入
力した情報でデータを処理するCPUと、セルを登録し
たセルライブラリと、CPUとセルライブラリとのデー
タを選択的に合成して配置配線を行う論理配置配線部
と、CPUの結果を出力する出力部とを備えた配置配線
装置が、さらに、配置配線の裏打ち配線を行う裏打ち配
線部を備えている。
【0016】これにより、裏打ち配線部によってピンか
らピン迄の配線抵抗を減らすことができる。
【0017】以下、本発明の実施の形態について、図1
から図3を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形
態にもとづく配置配線装置のブロック図を示すものであ
る。この図1において、6は多層配線の中でどの配線層
を優先して配置配線を行うかを指定する優先配線層指定
部、7はセルライブラリ3に登録されているセルのピン
配線層を任意の配線層に対応させるピン配線層持ち上げ
部、8は配置配線時の配線に対して裏打ちの配線を行う
裏打ち配線部である。なお、1は入力部、2はCPU、
3はセルライブラリ、4は論理配置配線部、5は出力部
で、これらは従来例の構成と同じものである。
【0018】図2は、本発明の実施の形態における配置
配線後の平面図であり、17aはセルX10のピンaの
多層配線対応ピン、17bはセルY11のピンbの多層
配線対応ピン、18はセルX10のピンaとセルY11
のピンbを結ぶ論理配置配線、19はセルX10のピン
aとセルY11のピンbを結ぶ裏打ち配線である。な
お、セルX10とセルY11とは、従来例の構成と同じ
ものである。
【0019】図3は、図2のA点とB点との間の断面構
造を示す。ここで30は第2ビアホール、31は3層配
線、32は第3ビアホール、33は4層配線である。な
お、20は半導体基板、21はLOCOS、22は第1
層間膜、23は第2層間膜、24は第3層間膜、25は
第4層間膜、26は保護膜、27は1層配線、28は第
1ビアホール、29は2層配線で、これらは従来例の構
成と同じものである。
【0020】以上のように構成された配置配線装置につ
いて、以下その動作を説明する。まず、図1における入
力部1に入力された回路図が、CPU2で選択される。
この時、CPU2では、入力部1から入力した回路図の
セルX10のピンaとセルY11のピンbとが接続して
いるという、セルの論理接続情報を抽出する。次にこの
論理接続情報は、論理配置配線部4と裏打ち配線部8と
に送られる。またCPUは、入力部1から入力した製造
可能な配線層数と優先配線情報と、裏打ち配線を行う信
号とを、優先配線層指定部6に送る。
【0021】優先配線層指定部6は、論理配置配線には
主に4層配線33を使用し、裏打ち配線には主に2層配
線29を使うことを判断する基準配線層情報を作成し、
この基準配線層情報を、ピン配線層持ち上げ部7と、論
理配置配線部4と、裏打ち配線部8とに送る。また、セ
ルを登録したセルライブラリ3におけるセルX10とセ
ルY11とのデータを、CPU2と、ピン配線層持ち上
げ部7とに送る。
【0022】CPU2では、セルX10のピンaの配線
層が1層ピン12であることと、セルY11のピンbの
配線層が2層ピン13であることとを判断し、判断した
ピンのイニシャル配線層情報をピン配線層持ち上げ部7
に送る。
【0023】ピン配線層持ち上げ部7では、セルX10
のピンaとセルY11のピンbを多層対応ピン17a、
17bに置き換える。同時に、基準配線層情報とイニシ
ャル配線層情報とから判断して、セルX10のピンaに
つきイニシャルの1層でなく基準配線層情報の2層と4
層で配置配線が行えるように、ピンの属性を変更する。
同時に、セルY11のピンbにつきイニシャルの2層だ
けでなく基準配線層情報の2層と4層で配置配線が行え
るように、ピンの属性を変更する。次に、変更したセル
X10とセルY11のデータをセルライブラリ3に送
る。
【0024】次に、このセルライブラリ3におけるセル
X10とセルY11のデータを、論理配置配線部4に送
る。論理配置配線部4では、基準配線情報を基準に配置
配線を行うように判断し、4層配線33でセルX10の
ピンaとセルY11のピンbの論理配置配線を行う。
【0025】裏打ち配線部8では、基準配線情報を基準
に裏打ち配線を行うように判断し、2層配線29でセル
X10のピンaとセルY11のピンbとの裏打ち配線を
行う。
【0026】その結果、入力部1で入力した回路図のマ
スクレイアウトデータを出力部5から出力する。
【0027】以上のように本実施の形態によれば、ピン
配線層持ち上げ部7でセルのピンを任意の配線層に設定
することで、任意の配線層での配置配線ができる。ま
た、優先配線層指定部6で、優先的に使用する配線層を
指定することで、特性的に良い配線を選んだり解析しや
すい配線を使ったりできる。また、配線を行う配線層の
方向を自由に設定することで、配置配線の自由度を増や
すことができる。裏打ち配線部8により任意の配線で裏
打ちを行うことで、ピンからピンまでの低抵抗化が図れ
ると同時に配線部の製造歩留まりを高めることができ
る。
【0028】なお、上記の実施の形態においては、セル
のピン位置に全ての配線層で対応可能な多層配線対応ピ
ンを使用したが、イニシャルのピン配線層よりも上層の
全ての多層配線対応ピンをそれぞれ割り当ててもよい。
また、セルのピン位置で必要な配線層のピンを作成でき
ない場合は、セル枠を越えてピンを作成し、再度セル枠
を定義し直してセル作成を行うようにしてもよい。
【0029】
【発明の効果】本発明によると、ピン配線層持ち上げ部
を設けることにより、セルのピンを製造する配線層の中
で任意の配線層にピンを発生して、配置配線可能な配線
層の種類を増やし、配置配線の自由度を高めることがで
きる。
【0030】また優先配線層指定部を設けることによ
り、指定した配線層を中心に配置配線を行え、プロセス
的に低抵抗な配線層を指定して高速化を図ることができ
る。最上配線層を指定すれば、FIBによる回路修正や
EBテスターによる解析を容易に行うことができる。ま
た、配線の配線層方向を自由に設定することで、従来の
下層から上層方向への配線方式に対し上層から下層方向
の配線方法も採用でき、配置配線方法の自由度が増やせ
る。
【0031】裏打ち配線部を設けることにより、裏打ち
配線を行って、配線幅を広げることなく配線の低抵抗化
を行うことができ、高速化が図れる。特に微細化プロセ
スでは、配線での遅延が支配的になるので高速化の効果
が大きい。配線密度の低い配線層で裏打ちを行なえば、
チップ開口率を上げて製造歩留まりを高めることができ
る。
【0032】よって本発明によれば、半導体マスクレイ
アウトを配置配線によって設計する際に、セルが最初に
定義しているピンの配線層に拘束されない任意の配線層
で配置配線を行うことができ、その際に配線する配線層
方向を自由に設定することができる。さらに任意の配線
層で裏打ち配線を行うことができる、優れた配置配線装
置を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における配置配線装置のブ
ロック図である。
【図2】本発明の実施の形態における配置配線後の平面
図である。
【図3】図2におけるA点とB点との間の断面図であ
る。
【図4】従来の配置配線装置のブロック図である。
【図5】従来の配置配線後の平面図である。
【図6】図5におけるA点とB点との間の断面図であ
る。
【符号の説明】
1 入力部 2 CPU 3 セルライブラリ 4 論理配置配線部 5 出力部 6 優先配線層指定部 7 ピン配線層持ち上げ部 8 裏打ち配線部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力部から入力した情報でデータを処理
    するCPUと、セルを登録したセルライブラリと、CP
    Uとセルライブラリとのデータを選択的に合成して配置
    配線を行う論理配置配線部と、CPUの結果を出力する
    出力部とを備えた配置配線装置であって、さらに、セル
    におけるピンを製造するためのどの配線層にも対応した
    ピンの発生を行うピン配線層持ち上げ部を備えた配置配
    線装置。
  2. 【請求項2】 入力部から入力した情報でデータを処理
    するCPUと、セルを登録したセルライブラリと、CP
    Uとセルライブラリとのデータを選択的に合成して配置
    配線を行う論理配置配線部と、CPUの結果を出力する
    出力部とを備えた配置配線装置であって、さらに、回路
    図の優先配線層を指定する優先配線層指定部を備え、前
    記論理配置配線部は、前記優先配線層指定部で指定した
    配線層を中心に論理接続を行なうように構成されている
    配置配線装置。
  3. 【請求項3】 入力部から入力した情報でデータを処理
    するCPUと、セルを登録したセルライブラリと、CP
    Uとセルライブラリとのデータを選択的に合成して配置
    配線を行う論理配置配線部と、CPUの結果を出力する
    出力部とを備えた配置配線装置であって、さらに、配置
    配線の裏打ち配線を行う裏打ち配線部を備えた配置配線
    装置。
JP10009971A 1998-01-22 1998-01-22 配置配線装置 Pending JPH11214518A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10009971A JPH11214518A (ja) 1998-01-22 1998-01-22 配置配線装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10009971A JPH11214518A (ja) 1998-01-22 1998-01-22 配置配線装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11214518A true JPH11214518A (ja) 1999-08-06

Family

ID=11734815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10009971A Pending JPH11214518A (ja) 1998-01-22 1998-01-22 配置配線装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11214518A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005001926A1 (ja) * 2003-06-30 2005-01-06 Sanyo Electric Co., Ltd 集積回路及びその設計方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005001926A1 (ja) * 2003-06-30 2005-01-06 Sanyo Electric Co., Ltd 集積回路及びその設計方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4786836B2 (ja) 配線接続部設計方法及び半導体装置
JP3917683B2 (ja) 半導体集積回路装置
US6657910B2 (en) Semiconductor device having internal power terminals including a positive power terminal and a negative power terminal
JP4254059B2 (ja) 半導体集積回路の設計方法
US6414852B1 (en) Integrated circuit and method of design thereof
JPWO2000003434A1 (ja) 半導体集積回路の設計方法及び半導体集積回路
JP2000068383A (ja) 半導体集積回路装置の設計方法および半導体集積回路装置
JPH11214518A (ja) 配置配線装置
JP2002299453A (ja) 半導体集積回路装置及びその配置方法
JP2910734B2 (ja) レイアウト方法
JPH11260817A (ja) 半導体集積回路の配線方法
JP3132604B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH04218943A (ja) 1チップlsiの製造方法
JP3578615B2 (ja) 半導体集積回路のレイアウト方法
JPH06216249A (ja) Icチップ自動レイアウト設計システム
JP3130891B2 (ja) 配線方法
US6660544B1 (en) Method of forming conductive patterns formed in semiconductor integrated circuit device using multilayer interconnection
JP2005026390A (ja) 半導体集積回路装置の信号配線接続方法、信号配線接続システム、および半導体集積回路装置の製造方法
US6159774A (en) Multi-layer interconnection layout between a chip core and peripheral devices
JPH07240468A (ja) 半導体装置の信号線の形成方法
JP2004235333A (ja) 半導体集積回路のレイアウト方法およびその方法を用いた半導体集積回路の製造方法
JPH06301747A (ja) 多層印刷配線板の配線方法
JPH04302161A (ja) 集積回路装置の製造方法
JPH03142857A (ja) 半導体集積回路の配線方法
JP3180968B2 (ja) Ic内配線方法