JPH11218922A - ポジ型感光性樹脂組成物およびそれを用いたレジスト像の製造法 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物およびそれを用いたレジスト像の製造法

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JPH11218922A
JPH11218922A JP10019181A JP1918198A JPH11218922A JP H11218922 A JPH11218922 A JP H11218922A JP 10019181 A JP10019181 A JP 10019181A JP 1918198 A JP1918198 A JP 1918198A JP H11218922 A JPH11218922 A JP H11218922A
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Shigeru Koibuchi
滋 鯉渕
Michiaki Hashimoto
通晰 橋本
Koji Kato
孝治 加藤
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高感度で解像度が高いポジ型感光性樹脂組成
物及びレジスト像の製造法を提供する。 【解決手段】 アルカリ水溶液可溶性樹脂と、活性化学
線照射により酸を生じる化合物と、酸触媒反応によりア
ルカリ水溶液に対し溶解度を増加する酸分解性基を有す
る物質、及び溶剤としての1分子内に2個のケトン基を
有する化合物とを含むポジ型感光性樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はポジ型感光性樹脂組
成物およびそれを用いたレジスト像の製造法に関し、さ
らに詳しくはX線、電子線、遠紫外線等の活性放射線を
照射して基板に繊細なレジスト像を得るためのポジ型感
光性樹脂組成物およびそれを用いたレジスト像の製造法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ポジ型感光性樹脂組成物には、フ
ェノールやクレゾールをモノマーに用いたノボラック樹
脂と、1,2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−4ま
たは5−スルホニルクロリドとポリヒドロキシベンゾフ
ェノン、ナフトール、没食子酸エステルなどの水酸基を
有する化合物とのエステルの感光剤が用いられている。
【0003】例えば特公昭54−20330号公報に
は、アルキル基がエチル基以上の没食子酸エステルと
1,2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−4または5
−スルホニルクロリドとを反応させた感光剤を用いた感
光性樹脂組成物が示されている。その他には、特開昭6
0−42753号公報、特開昭60−158440号公
報、特開昭61−86749号公報、特公昭37−18
015号公報、特開昭61−118744号公報および
特開昭61−185741号公報に示されている。
【0004】また、上記ポジ型感光性樹脂組成物の溶剤
としては、従来酢酸2−エトキシエチルまたは酢酸2−
エトキシエチルとキシレン、酢酸ブチルの混合溶剤が用
いられている。最近では、3−オクタノンを用いた例と
して特開平4−29146号公報、モノオキシカルボン
酸エステルを用いた例として特公平3−22619号公
報に記載されている。
【0005】一方、最近感光性樹脂に使用する溶剤の人
体に対する安全性が問題視され、エチレングリコール系
溶剤である酢酸2−エトキシエチルやエチレングリコー
ルアルキルエーテルの使用の削減が行われている。
【0006】上記の感光性樹脂組成物は、解像度が優れ
ているために波長300〜500nmの紫外線を使用し
た露光装置と組み合わせて半導体装置などの製造に使用
されている。
【0007】しかしながら、半導体装置は、高性能化の
ために、パターンがますます微細化され、半導体装置の
線幅は0.3ミクロン以下の物も試作されつつある。こ
のような微細なしジスト線幅を得るためには、上記の波
長300〜5000nmの紫外線よりも波長をさらに短
くすることが望まれ、遠紫外線、X線、電子線などの露
光技術がある。上記のポジ型感光性樹脂組成物は遠紫外
線、X線、電子線などの露光に対し感度が低い欠点があ
る。
【0008】高感度化を達成するための感光性樹脂組成
物として、活性エネルギー線で酸を発生する化合物とこ
の酸によって反応が進行する化合物を含む組成物が提案
されており、米国特許第3779778号、特開昭59
−454392号公報、特開平2−25850号公報等
に記載されているが、人体に対する安全性が高く、高感
度で高解像度なものが望まれている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
の従来技術の問題を解決し、しかも、高感度で解像度が
高いポジ型感光性樹脂組成物を提供するものである。
【0010】本発明の他の目的は、基板に解像度の優れ
たレジスト像を形成することができるレジスト像の製造
法を提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルカリ水溶
液可溶性樹脂、活性化学線照射により酸を生じる化合
物、酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対し溶解度を増
加する酸分解性基を有する物質及び溶剤としての1分子
内に2個のケトン基を有する化合物を含有してなるポジ
型感光性樹脂組成物にある。
【0012】本発明はまた、この感光性樹脂組成物を基
板上に塗布、乾燥した後、露光、加熱、現像するレジス
ト像の製造法にある。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明に用いられるアルカリ水溶
液可溶性樹脂(A)は、アルカリ水溶液に可溶である樹
脂であれば使用することができる。例えば、ノボラック
樹脂、アクリル樹脂、スチレンとアクリル樹脂との共重
合体、ヒドロキシスチレンの重合体などがあげられる。
特に、ポリ(ビニルフェノール)を包含するヒドロキシス
チレンの重合体、フェノール類とアルデヒド類とを縮合
させたノボラック樹脂が好ましい。
【0014】上記のノポラック樹脂についてさらに詳し
く説明する。ノボラック樹脂はフェノール性水酸基を1
個以上有するフェノール類を、アルデヒド類を用いて重
縮合させることができる。例えば、フェノール、o−ク
レゾール、m−クレゾール、p-クレソ゛ール、2,3−キシレノー
ル、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、3,
4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−
トリメチルフエノール、ブチルフェノール、ナフトー
ル、などのフェノール性水酸基を1個有するフェノール
類、レゾルシノール、カテコールなどのフェノール性水
酸基を2個有するフェノール類、フロログリシン、ピロ
ガロール、ヒドロキシヒドロキノンなどのフェノール性
水酸基を3個有するフェノール類などがあげられる。こ
れらのフェノール類は、それぞれ一種類または、二種以
上混合して用いることができる。アルデヒド類として
は、例えばホルムアルデヒド、バラホルムアルデヒド等
を挙げることができる。アルデヒド類の使用量は、フェ
ノール類1モルに対して、0.5〜1.5モルの範囲が
好ましい。
【0015】重縮合のための触媒としては高分子量化さ
せることができる酸触媒が好ましい。その酸触媒として
は、塩酸、硝酸、硫酸などの無機酸、ぎ酪、蓚酸、酢酸
等の有機酸を挙げることができる。酸触媒の使用量は、
フエノール類1モルに対して、1×10−5〜1×10
−1モルの範囲が好ましい。重縮合の反応温度と反応時
間は、合成原料の反応性に応じて適宜調整することがで
きるが、通常、60〜130℃の温度で1〜12時間反
応させる。重縮合の方法としてはフェノール類、アルデ
ヒド類及び触媒を一括で仕込む方法、触媒存在下にフェ
ノール類及びアルデヒド類を反応の進行と共に加えてい
く方法などがある。重縮合終了後は、反応系内に存在す
る未反応原料、縮合水、触媒等を除去するために減圧下
で例えば、20〜50mmHgで反応系の温度を150
〜200℃に上昇させ、その後樹脂を回収する。
【0016】本発明に使用する活性化学線照射により酸
を生じる化合物(B)としては、オニウム塩、ハロゲン
化合物、フェノール性水酸基を複数個含む化合物のスル
ホン酸エステル、キノンジアジド化合物などが挙げられ
る。
【0017】オニウム塩としては、たとえば、ヨードニ
ウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、アンモニウ
ム塩、ジアゾニウム塩などが挙げられる。好ましくは、
ジアリールヨードニウム塩.トリアリールスルホニウム
塩、トリアルキルスルホニウム塩(アルキル基の炭素数
は1〜4)があり、オニウム塩の対アニオンは、例え
ば、テトラフルオロホウ酸、へキサフルオロアンチモン
酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロ酢
酸、トルエンスルホン酸などが挙げられる。
【0018】ハロゲン化合物としては、例えば、ハロア
ルキル基含有炭化水素系化合物、ハロアルキル基含有へ
テロ環状化合物などを挙げることができ、好ましくは、
トリクロロメチルトリアジン、プロモアセチルベンゼン
などがある。
【0019】スルホン酸エスチル化合物としては、フェ
ノール性水酸基を複数有する化合物とアルキルスルホン
酸あるいは芳香族スルホン酸とのエステルがある。フェ
ノール性水酸基を複数有する化合物としてはフェノール
性水酸基を複数有する芳香族化合物等があり、具体的に
は、レゾルシノール、ピロガロール、1,2−ジヒドロ
キシナフタレン、1,3−ジヒドロキシナフタレンなど
がある。スルホン酸としては.アルキルスルホン酸、芳
香族スルホン酸があり、アルキルスルホン酸としてはメ
タンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン
酸、ブタンスルホン酸、芳香族スルホン酸としてはベン
ゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等がある。
【0020】フェノール性水酸基を複数有する化合物と
スルホン酸とのエステルは、通常のエステル化反応によ
り合成できる。例えば、アルカリ性触媒下でフェノール
性水酸基を複数有する化合物とスルホン酸塩化物を反応
させて合成することができる。これにより得られた合成
物は、適当な溶媒を用いて再結晶法あるいは再沈殿法に
よって精製処理を行うことができる。
【0021】キノンジアジド化合物としては、ジアゾベ
ンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物などを挙
げることができる。
【0022】本発明に用いられる側鎖に酸触媒反応によ
りアルカリ水溶液に対する溶解性が増加される酸分解性
基を有する化合物(C)として望ましいものは、酸によ
り効率的に側鎖の酸分解基が解離され、その最終生成物
のアルカリ水溶液に対する溶解性が解離前の化合物の溶
解性と著しく異なる化合物である。このような化合物と
しては、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共重
合体、ヒドロキシスチレンの重合体(ポリビニルフェノ
ールを包含する)などのアルカリ水溶液可溶性樹脂のフ
ェノール性水酸基、カルボキシル基などの水素原子を酸
の存在下で解離することが可能な基で置換した化合物が
挙げられる。
【0023】酸の存在下で解離することが可能な基の具
体例としては、メトキシメチル基、メトキシエトキシメ
チル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニ
ル基、ベンジルオキシメチル基、1−メトキシエチル
基、1−エトキシエチル基、メトキシベンジル基、t−
ブチル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、t−プトキシカルボニル基、トリメチルシリル基、
トリエチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、2−
メトキシテトラヒドロピラニル基、4−メトキシテトラ
ヒドロピラニル基、2−エトキシテトラヒドロピラニル
基、または、2−メトキシ−4メチルテトラヒドロピラ
ニル基を含む化合物が好ましい。その中でもテトラヒド
ロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、t−ブトキシ
カルボニル基、1−エトキシエチル基、トリエチルシリ
ル基などが特に好ましい。
【0024】酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対し溶
解度を増加する酸分解基を有する物質において、酸の存
在下で解離することが可能な基によるフェノール性水酸
基またはカルボキシル基の水素への置換率は15〜10
0%であることが好ましく、さらに、30〜100%で
あることが好ましい。酸分解基を有するビニル重合体
は、その水酸基またはカルボキシル基の全てが酸分解性
基で保護されている必要はない。
【0025】酸分解性基を有するビニル重合体の分子量
については、GPCにより求めたポリスチレン換算重量
平均分子量(Mw)が、1,500〜3,000のものが好
ましい。この分子量の範囲の重合体は、アルカリ可溶性
樹脂との相溶性が良いので、レジスト表面のアルカリ水
溶液に対する難溶解化層の形成がなく、高解像度のレジ
スト材料となる。
【0026】上記感光性樹脂組成物に使用する溶剤
(D)としては、1分子内に2個のケトン基を有する化
合物であり、2,3−ブタンジオン、2,4−ペンタンジ
オン、2,5−へキサンジオン、2,3−ヘプタンジオン
等が挙げられる。これらのうち酸発生剤の溶解性から、
2,3−ブタンジオン、2,4−ペンタンジオン、2,5
−へキサンジオンが好ましく、感光性樹脂溶液の基坂上
の濡れ広がり性を考慮すると2,4−ペンタンジオンが
より好ましい。1分子内に2個のケトン基を有する化合
物は活性化学線照射により酸を生じる化合物(B)に対し
て高い溶解性を示すため、ポジ型感光性樹脂組成物の保
存安定性を向上させる。また、本溶剤を用いると、該ポ
ジ型感光性樹脂組成物の感度を高めることが可能であ
る。
【0027】本発明になる溶剤(D)には、他のものを
併用することもできる。これらの例としては、エチレン
グリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル
類、メチルセロソルブアセテート等のエチレングリコー
ルアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコー
ルメチルエーテルアセテート等のプロピレングリコール
アルキルエーテルアセテート類、アセトン、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、環状
ケトンとしては、シクロペンタノン、シクロヘキサノ
ン、シクロヘプタノンなどが好ましい。アルコキシカル
ボン酸エステルとしては、メトキシプロピオン酸メチ
ル、メトキシプロピオン酸エチル、エトキシプロピオン
酸エチル、メトキシ酢酸メチル等、酢酸エステル類とし
ては、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等のエ
ステル類、等がある。これらの他の溶剤は単独で混合し
ても、また2種以上の他の溶剤を混合して用いてもよ
い。
【0028】1分子内に2個のケトン基を有する化合物
と他の溶剤との使用割合は、1分子内に2個のケトン基
を有する化合物/他の溶剤=100/0〜50/50(重
量部)であり、好ましくは100/0〜70/30(重量
部)であり、さらに好ましくは100/0〜90/10
(重量部)である。他の溶剤の使用割合が上記範囲より多
くなると、活性化学線照射により酸を生じる化合物の溶
解性を損なう。
【0029】本発明において、(A)アルカリ水溶液可
溶性樹脂、(B)活性化学線照射により酸を生じる化合
物、(C)酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対し溶解
度を増加する酸分解性基を有する物質、(D)溶剤の好
ましい割合は、(A)アルカリ水溶液可溶性樹脂100
重量部に対し、(B)活性化学線照射により酸を生じる
化合物、0.5〜10重量部、(C)酸触媒反応により
アルカリ水溶液に対し溶解度を増加する酸分解性基を有
する物質5〜30重量部、(D)溶剤1000〜200
重量部である。
【0030】(B)活性化学線照射により酸を生じる化
合物が10重量部を超えると溶剤に対する溶解性が不足
し、0.5重量部未満では感度が不足する。(C)酸触
媒反応によりアルカリ水溶液に対し溶解度を増加する酸
分解性基を有する物質5重量部未満では現像時に塗膜の
膜減りが大きく、30重量部を超えると感度が低下す
る。(A)アルカリ水溶液可溶性樹脂100重量部に対
し、(B)活性化学線照射により酸を生じる化合物、1
〜10重量部、(C)酸触媒反応によりアルカリ水溶液
に対し溶解度を増加する酸分解性基を有する物質5〜2
0重量部を(D)溶剤1000〜200重量部に溶解す
ることが特に好ましい。
【0031】本発明になるポジ型感光性樹脂組成物は、
目的に応じて副次的な成分を含有してもよい。これらの
例としては、例えば貯蔵安定性を図るための熱重合(熱
反応)防止剤、塗布膜厚を均一にする界面活性剤、例え
ば、パーフルオロアルキルエーテル、パーフルオロアル
キルエステルなどがある。また基板との密着性を向上さ
せるための密着性向上剤等も使用することができる。
【0032】本発明のポジ型感光性樹脂組成物を基板上
に塗布、乾燥して得られる塗膜は、この塗膜中の活性化
学線照射により酸を生じる化合物が活性エネルギー線に
よって分解し、酸分解基と反応してアルカリ現像液に可
溶となる。
【0033】活性エネルギー線としては、遠紫外線、X
線、電子線が使われ、公知の手段により露光が行われ
る。
【0034】活性エネルギー線で露光後に反応を促進さ
せる目的で加熱を行う。加熱は通常ホットプレートまた
はオーブンを使用する。加熱温度は50〜150℃で、
加熱温暖は0.5〜60分間行われる。
【0035】加熱後に現像をし、レジスト像を得る。現
像液にはアルカリ水溶液として、通常水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウ
ム、コリン等の5重量%以下、好ましくは1.5〜3.
0重量%の水溶液が用いられる。現像の方法には、浸せ
き、スプレー、パドル(液もり)法などを用いる。
【0036】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明す
る。
【0037】合成例1 (メタパラクレゾールノボラック
樹脂の合成) 500mlのフラスコにm−クレゾール55gとp−クレ
ソール45g、ホルマリン37重量%水溶液52.45g
および蓚酸0.2gを仕込み、95℃で3時間反応させ
た。次に105℃で1時間還流脱水させ、その後に18
0℃で1時間1mmHgまで減圧して未反応のクレゾー
ルを回収除去後、ステンレス性のバットに空けて、メタ
パラクレゾールノポラック樹脂(ポリスチレン換算重量
平均分子量10,000)を得た。
【0038】合成例2 (酸触媒反応によりアルカリ水溶
液に対し溶解度を増加する酸分解性基を有する物質の合
成) 攪拌器を装着した1リットルのセパラブルフラスコにポ
リ(P−ビニルフェノール)(丸善石油社製;商品名リンカ
−M)20g, 酢酸エチル300mlを仕込み、室温(2
5℃)下で攪拌溶解させた。次いでフラスコ中に3,4−
ジヒドロ−2H−ピラン105g,12N塩酸0.5m
lを加え室温下で1時間攪拌し、その後3日間放置し
た。
【0039】反応溶液に水酸化テトラメチルアンモニウ
ム2.38重量%水溶液を160ml加えてよく攪拌し
有機層を取り出した。ここで得られた有機層溶液を蒸留
水300mlで3回洗浄し有機層を乾燥させエバポレー
タによって濃縮した。濃縮溶液50mlに対し石油エー
テル500mlを用いて再沈殿を行った。この再沈殿操
作を2回繰り返した後、生成物を減圧乾機器(圧力;3m
mHg,40℃)で8時間乾燥し、水酸基にテトラヒドロ
ピラニル基を反応させた物を得た。
【0040】合成例3 (活性化学線照射により酸を生じ
る化合物の合成) 0.5リットルのセパラブルフラスコ内でトリフルオロ
メタンスルホン酸銀25gをテトラヒドロフラン200
ccに溶解し、これにヨウ化トリメチルスルホニウム2
0gを加え攪拌した。室温下で1日間反応させた後、析
出したヨウ化銀をろ過で除去し、ろ液を濃縮し、得られ
た生成物をエチルアルコールに溶解、再結晶し、トリメ
チルスルホニオトリフロロメタンスルホナート17gが
得られた。
【0041】実施例1 合成例1で得たメタパラクレゾールノボラック樹脂92
g、合成例2で得た物質8g、合成例3で得たトリメチル
スルホニオトリフロロメタンスルホナート5gを2,4
−ペンタンジオン320gに溶解させた後、孔径0.2
μmのメンブランフィルターで濾過して感光性溶液を得
た。
【0042】得られた溶液をHMDS(ヘキサメチルジ
シラザン)処理したシリコン基坂上に塗布し、120
℃、2分間ホットプレートで乾燥して1μm厚の感光膜
を得た。
【0043】ついで、塗膜に50kVの加速電圧の電子線
描画装置を用いて、3.5μC/cmの照射量でホー
ルパタン描画し、100℃で、10分間オープンで加熱
後、水酸化テトラメチルアンモニウムの2.38重量%
水溶液で120秒間現像した。これにより、0.4μm
のホールパタンが得られた。
【0044】実施例2 実施例1で用いた活性化学線照射により酸を生じる化合
物を、トリス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼンに変え
て2gを用い、他は実施例1の樹脂、合成例2で得た物
質を用いて2,4−ペンタンジオン320gに溶解させた
後、孔径0.2μmのメンブランフィルターで濾過して感光
性溶液を得た。
【0045】得られた溶液をHMDS(ヘキサメチルジシラ
ザン)処理したシリコン基板上に塗布し、120℃、2
分間ホットプレートで乾燥して1μm厚の感光膜を得
た。
【0046】ついで、塗膜に300kVの加速電圧の電子
線描画装置を用いて、7.05μC/cmの照射量で
ホールパタン描画し、100℃で、10分間オーブンで
熱処理後、水酸化テトラメチルアンモニウムの2.38
重量%水溶液で120秒間現像した。これにより、0.
4μmのホールパタンが得られた。
【0047】実施例3 活性化学線照射により酸を生じる化合物のトリス(メタ
ンスルホニルオキシ)ベンゼンの溶解性を確認するため
に、トリス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン2gを2,
3−ブタンジオン200gを混合したところ、溶解し
た。
【0048】比較例1〜6 活性化学線照射により酸を生じる化合物のトリス(メタ
ンスルホニルオキシ)ベンゼンの溶解性を確認するため
に、トリス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン2gと以
下の溶剤200gを混合したところ、全量は溶解しなか
った。
【0049】
【0050】
【発明の効果】本発明のポジ型感光性樹脂組成物に用い
る溶剤は、溶解性が高く、高速度で解像度の優れたポジ
型感光性樹脂組成物溶液を提供することができ、写真工
業、電子工業、印刷工業等の分野に広く使用することが
可能となる。本発明によれば、半導体装置の線幅として
0.2ミクロン程度の微細なパターンにも対処可能とな
る。また、安全性が問題視されるような溶剤を使用して
いないため、人体に対する安全性が高くなる。
【0051】また、本発明のレジスト像の製造方法によ
り、基板上に解像度の優れたレジスト像を作製すること
ができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アルカリ水溶液可溶性樹脂、活性化学線照
    射により酸を生じる化合物、酸触媒反応によりアルカリ
    水溶液に対し溶解度を増加する酸分解性基を有する物質
    及び溶剤としての1分子内に2個のケトン基を有する化
    合物を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の感光性樹脂組成物を基板
    上に塗布、乾燥した後、露光、加熱、現像することを特
    徴とするレジスト像の製造法。
JP10019181A 1998-01-30 1998-01-30 ポジ型感光性樹脂組成物およびそれを用いたレジスト像の製造法 Pending JPH11218922A (ja)

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JP2009084573A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Samsung Electronics Co Ltd 光酸発生剤及びこれを含む化学増幅型レジスト組成物

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JP2009084573A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Samsung Electronics Co Ltd 光酸発生剤及びこれを含む化学増幅型レジスト組成物
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