JPH11224911A - 高周波集積回路装置 - Google Patents
高周波集積回路装置Info
- Publication number
- JPH11224911A JPH11224911A JP2413698A JP2413698A JPH11224911A JP H11224911 A JPH11224911 A JP H11224911A JP 2413698 A JP2413698 A JP 2413698A JP 2413698 A JP2413698 A JP 2413698A JP H11224911 A JPH11224911 A JP H11224911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- frequency
- frequency integrated
- circuit device
- cap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 41
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波集積回路装置に関し、高周波特性の劣
化を抑制する。 【解決手段】 高周波集積回路基板１上に設けられた能
動素子４、回路パターン５，６、及び、整合素子３から
なる高周波回路を被覆する導電性キャップ２の整合素子
３の真上の位置に孔９，１０を設ける。
化を抑制する。 【解決手段】 高周波集積回路基板１上に設けられた能
動素子４、回路パターン５，６、及び、整合素子３から
なる高周波回路を被覆する導電性キャップ２の整合素子
３の真上の位置に孔９，１０を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波集積回路装置
に関するものであり、特に、移動体端末装置等に用いる
送信増幅器等の高周波集積回路装置における高周波特性
の劣化防止のための導電性キャップ構造に特徴のある高
周波集積回路装置に関するものである。
に関するものであり、特に、移動体端末装置等に用いる
送信増幅器等の高周波集積回路装置における高周波特性
の劣化防止のための導電性キャップ構造に特徴のある高
周波集積回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より移動体端末装置としての携帯電
話の開発が活発に行われており、この様な携帯電話に使
用される高効率低歪送信増幅器としては、高周波増幅回
路が形成されているＭＩＣ（ＭＩＣ：Ｍｉｃｒｏｗａｖ
ｅ ＩＣ）基板に金属キャップをはめ込んでシールド性
を持たせた高周波集積回路装置（ＭＩＣ）が用いられて
いる。
話の開発が活発に行われており、この様な携帯電話に使
用される高効率低歪送信増幅器としては、高周波増幅回
路が形成されているＭＩＣ（ＭＩＣ：Ｍｉｃｒｏｗａｖ
ｅ ＩＣ）基板に金属キャップをはめ込んでシールド性
を持たせた高周波集積回路装置（ＭＩＣ）が用いられて
いる。
【０００３】近年、この様な携帯電話に対する小型化・
軽量化の要求が極めて強くなってきており、それに伴っ
て、携帯電話を構成する各部品にも小型化・軽量化が要
請され、その内の高効率低歪送信増幅器等の高周波集積
回路装置に対しても小型化・軽量化が要請されている。
軽量化の要求が極めて強くなってきており、それに伴っ
て、携帯電話を構成する各部品にも小型化・軽量化が要
請され、その内の高効率低歪送信増幅器等の高周波集積
回路装置に対しても小型化・軽量化が要請されている。
【０００４】ここで、図５を参照して従来の高周波集積
回路装置を説明する。なお、説明を簡単にするために、
整合素子及び能動素子等は夫々１つだけ概略的に図示す
る。図５（ａ）及び（ｂ）参照図５（ａ）は高周波集積
回路をシールドするための金属キャップ１２の斜視図で
あり、また、図５（ｂ）に示すようにＭＩＣ基板１１上
には高周波集積回路を構成する整合素子１３及び能動素
子１４を、電極パターン１５，１６とアースパターン１
７，１８との間に跨がるようにマウントして電気的に接
続する。なお、側面の電極パターン２７はＭＩＣ基板１
１の裏側に形成されているアースとつながっており、ま
た、各電極パターン１５，１６及びアースパターン１
７，１８等もスルーホール（図示せず）を介してＭＩＣ
基板１１の裏側に形成された裏パターンと接続される。
回路装置を説明する。なお、説明を簡単にするために、
整合素子及び能動素子等は夫々１つだけ概略的に図示す
る。図５（ａ）及び（ｂ）参照図５（ａ）は高周波集積
回路をシールドするための金属キャップ１２の斜視図で
あり、また、図５（ｂ）に示すようにＭＩＣ基板１１上
には高周波集積回路を構成する整合素子１３及び能動素
子１４を、電極パターン１５，１６とアースパターン１
７，１８との間に跨がるようにマウントして電気的に接
続する。なお、側面の電極パターン２７はＭＩＣ基板１
１の裏側に形成されているアースとつながっており、ま
た、各電極パターン１５，１６及びアースパターン１
７，１８等もスルーホール（図示せず）を介してＭＩＣ
基板１１の裏側に形成された裏パターンと接続される。
【０００５】この場合、能動素子１４とは、増幅機能、
発振機能、或いは、ミキシング機能を有する高周波半導
体能動素子であり、例えば、ＨＥＭＴ（高電子移動度ト
ランジスタ）、ＭＥＳＦＥＴ、或いは、ＭＭＩＣ（Ｍｏ
ｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ＩＣ）等を意
味するものであり、また、整合素子１３とは、能動素子
１４とソース側或いは負荷側のインピーダンスとの間に
構成される入出力整合回路であり、コンデンサ、インダ
クタンス、或いは、抵抗から構成されるものである。
発振機能、或いは、ミキシング機能を有する高周波半導
体能動素子であり、例えば、ＨＥＭＴ（高電子移動度ト
ランジスタ）、ＭＥＳＦＥＴ、或いは、ＭＭＩＣ（Ｍｏ
ｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ＩＣ）等を意
味するものであり、また、整合素子１３とは、能動素子
１４とソース側或いは負荷側のインピーダンスとの間に
構成される入出力整合回路であり、コンデンサ、インダ
クタンス、或いは、抵抗から構成されるものである。
【０００６】図５（ｃ）参照 図５（ａ）に示した金属キャップ１２の側面に設けた凸
部を、図５（ｂ）に示したＭＩＣ基板１１の側面に設け
た凹部にはめ込み、半田付けすることによって高周波集
積回路装置（ＭＩＣ）が完成する。なお、金属キャップ
１２は、ＭＩＣ基板１１の側面に設けた電極パターン２
７、或いは、ＭＩＣ基板１１の表面の金属キャップ１２
のエッジと接触する部分に設けた電極パターン（図示せ
ず）を介して半田付けすることによってアースされる。
部を、図５（ｂ）に示したＭＩＣ基板１１の側面に設け
た凹部にはめ込み、半田付けすることによって高周波集
積回路装置（ＭＩＣ）が完成する。なお、金属キャップ
１２は、ＭＩＣ基板１１の側面に設けた電極パターン２
７、或いは、ＭＩＣ基板１１の表面の金属キャップ１２
のエッジと接触する部分に設けた電極パターン（図示せ
ず）を介して半田付けすることによってアースされる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、小型化・軽量
化のさらなる要請に伴い、最近では金属キャップの高さ
まで出来るだけ低いことが要求されるため、ＭＩＣ基板
上に形成されている高周波回路とその上にくる金属キャ
ップまでの距離が近接することになり、それによって、
高周波特性が劣化するという問題が生ずる。
化のさらなる要請に伴い、最近では金属キャップの高さ
まで出来るだけ低いことが要求されるため、ＭＩＣ基板
上に形成されている高周波回路とその上にくる金属キャ
ップまでの距離が近接することになり、それによって、
高周波特性が劣化するという問題が生ずる。
【０００８】即ち、高周波領域で回路を構成する場合に
は、増幅器や発振器などの様に各機能毎に分割して構成
し、それらを別個のポート上で接続して最終的にシステ
ムとしての機能を果たすようにするが、各機能毎に分割
された高周波回路装置は各々独立した部品とするため、
金属キャップ付きのユニットとして構成されることにな
り、この金属キャップの有無によりＭＩＣ基板上の電磁
界分布に変化が生じ、高周波特性の変化を誘発する。
は、増幅器や発振器などの様に各機能毎に分割して構成
し、それらを別個のポート上で接続して最終的にシステ
ムとしての機能を果たすようにするが、各機能毎に分割
された高周波回路装置は各々独立した部品とするため、
金属キャップ付きのユニットとして構成されることにな
り、この金属キャップの有無によりＭＩＣ基板上の電磁
界分布に変化が生じ、高周波特性の変化を誘発する。
【０００９】そして、金属キャップがない場合の高周波
特性が良好であっても、金属キャップをした場合に高周
波特性が悪くなってしまい、再度、整合回路素子を調整
しても元に戻すことができなくなる場合があり、この様
な現象を高周波特性の劣化といい、特に、入出力整合回
路を構成する整合素子において問題となる。
特性が良好であっても、金属キャップをした場合に高周
波特性が悪くなってしまい、再度、整合回路素子を調整
しても元に戻すことができなくなる場合があり、この様
な現象を高周波特性の劣化といい、特に、入出力整合回
路を構成する整合素子において問題となる。
【００１０】例えば、整合素子を構成するコンデンサの
電極等はＭＩＣ基板表面よりも金属キャップの天井に近
く位置することになり、両者の間に浮遊容量が形成され
るが、小型化・軽量化のために金属キャップの高さを低
くした場合、その浮遊容量が大きく変化するため、コン
デンサの実効容量、即ち、コンデンサ固有の容量と外部
に並列に負荷される浮遊容量との和も大きく変化するこ
とになり高周波特性に影響を与えることになる。
電極等はＭＩＣ基板表面よりも金属キャップの天井に近
く位置することになり、両者の間に浮遊容量が形成され
るが、小型化・軽量化のために金属キャップの高さを低
くした場合、その浮遊容量が大きく変化するため、コン
デンサの実効容量、即ち、コンデンサ固有の容量と外部
に並列に負荷される浮遊容量との和も大きく変化するこ
とになり高周波特性に影響を与えることになる。
【００１１】したがって、本発明は、高周波集積回路装
置における、高周波特性の劣化を抑制することを目的と
する。
置における、高周波特性の劣化を抑制することを目的と
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１は、
高周波集積回路装置の部分透視斜視図である。 （１）本発明は、高周波集積回路基板１、高周波集積回
路基板１上に設けられた能動素子４、回路パターン５，
６、及び、整合素子３からなる高周波回路、及び、高周
波回路を被覆する導電性キャップ２からなる高周波集積
回路装置において、少なくとも導電性キャップ２の整合
素子３の真上の位置に孔９を設けたことを特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１は、
高周波集積回路装置の部分透視斜視図である。 （１）本発明は、高周波集積回路基板１、高周波集積回
路基板１上に設けられた能動素子４、回路パターン５，
６、及び、整合素子３からなる高周波回路、及び、高周
波回路を被覆する導電性キャップ２からなる高周波集積
回路装置において、少なくとも導電性キャップ２の整合
素子３の真上の位置に孔９を設けたことを特徴とする。
【００１３】この様に、高周波特性に影響を受けやすい
整合素子３の真上に孔９を設けることによって、導電性
キャップ２の有無による浮遊容量の変化を少なくするこ
とができ、それによって、高周波特性の変化を抑制する
ことができる。
整合素子３の真上に孔９を設けることによって、導電性
キャップ２の有無による浮遊容量の変化を少なくするこ
とができ、それによって、高周波特性の変化を抑制する
ことができる。
【００１４】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、導電性キャップ２の少なくとも一部の能動素子４の
真上の位置にも孔１０を設けたことを特徴とする。
て、導電性キャップ２の少なくとも一部の能動素子４の
真上の位置にも孔１０を設けたことを特徴とする。
【００１５】この様に、能動素子４の一部が導電性キャ
ップ２の有無により高周波特性が変化しやすい場合に
は、当該能動素子４の真上にも孔１０を設けることが望
ましい。
ップ２の有無により高周波特性が変化しやすい場合に
は、当該能動素子４の真上にも孔１０を設けることが望
ましい。
【００１６】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、導電性キャップ２に設けた孔９，１０
を絶縁性樹脂で充填したことを特徴とする。
（２）において、導電性キャップ２に設けた孔９，１０
を絶縁性樹脂で充填したことを特徴とする。
【００１７】この様に、導電性キャップ２に設けた孔
９，１０を絶縁性樹脂、特に、不透明樹脂で充填するこ
とによって、高周波特性の劣化を誘発することなく、従
来のキャップと同様の外観にすることができる。
９，１０を絶縁性樹脂、特に、不透明樹脂で充填するこ
とによって、高周波特性の劣化を誘発することなく、従
来のキャップと同様の外観にすることができる。
【００１８】（４）本発明は、高周波集積回路基板１、
高周波集積回路基板１上に設けられた能動素子４、回路
パターン５，６、及び、整合素子３からなる高周波回
路、及び、高周波回路を被覆する導電性キャップ２から
なる高周波集積回路装置において、導電性キャップ２の
一部にスリットを設けたことを特徴とする。
高周波集積回路基板１上に設けられた能動素子４、回路
パターン５，６、及び、整合素子３からなる高周波回
路、及び、高周波回路を被覆する導電性キャップ２から
なる高周波集積回路装置において、導電性キャップ２の
一部にスリットを設けたことを特徴とする。
【００１９】この様に、導電性キャップ２の一部にスリ
ットを設けることによって、導電性キャップ２の天井部
のインピーダンス（Ｚa ）を高くすることができ、それ
によって金属キャップによる高周波特性への影響を軽減
することができる。
ットを設けることによって、導電性キャップ２の天井部
のインピーダンス（Ｚa ）を高くすることができ、それ
によって金属キャップによる高周波特性への影響を軽減
することができる。
【００２０】（５）また、本発明は、上記（４）におい
て、スリットを導電性キャップ２の周辺部に設けたこと
を特徴とする。
て、スリットを導電性キャップ２の周辺部に設けたこと
を特徴とする。
【００２１】この様に、スリットを導電性キャップ２の
周辺部に設けることによって、導電性キャップ２の天井
部とアースとの間の距離（Ｌ）及びインピーダンス（Ｚ
0 ）を大きくすることができ、それによって導電性キャ
ップ２の天井部のインピーダンス（Ｚa ）を効果的に大
きくすることができる。
周辺部に設けることによって、導電性キャップ２の天井
部とアースとの間の距離（Ｌ）及びインピーダンス（Ｚ
0 ）を大きくすることができ、それによって導電性キャ
ップ２の天井部のインピーダンス（Ｚa ）を効果的に大
きくすることができる。
【００２２】（６）また、本発明は、上記（４）または
（５）において、導電性キャップ２に設けたスリットを
絶縁性樹脂で充填したことを特徴とする。
（５）において、導電性キャップ２に設けたスリットを
絶縁性樹脂で充填したことを特徴とする。
【００２３】この様に、導電性キャップ２に設けたスリ
ットを絶縁性樹脂、特に、不透明樹脂で充填することに
よって、高周波特性の劣化を誘発することなく、従来の
キャップと同様の外観にすることができる。
ットを絶縁性樹脂、特に、不透明樹脂で充填することに
よって、高周波特性の劣化を誘発することなく、従来の
キャップと同様の外観にすることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】ここで、図２を参照して、本発明
の第１の実施の形態及びその変形例を説明する。なお、
説明を簡単にするために、整合素子及び能動素子等は夫
々１つだけ概略的に図示する。 図２（ａ）参照 図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の高周波集積
回路装置の部分透視斜視図であり、ＭＩＣ基板１１側の
構成は従来の高周波集積回路装置と同様であり、ＭＩＣ
基板１１上には入出力整合回路を構成するコンデンサ、
インダクタンス、抵抗等からなる整合素子１３、及び、
増幅機能、発振機能、或いは、ミキシング機能を有する
高周波半導体素子からなる能動素子１４が、ストリップ
線路によって構成される電極パターン１５，１６とスル
ーホール（図示せず）を介してＭＩＣ基板１１の裏側に
形成された裏パターンと接続されているアースパターン
１７，１８との間に跨がるようにマウントされて電気的
に接続されており、また、側面にも従来と同様にＭＩＣ
基板１１の裏面に形成されたアースとつながる電極パタ
ーン（図示せず）が設けられている。
の第１の実施の形態及びその変形例を説明する。なお、
説明を簡単にするために、整合素子及び能動素子等は夫
々１つだけ概略的に図示する。 図２（ａ）参照 図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の高周波集積
回路装置の部分透視斜視図であり、ＭＩＣ基板１１側の
構成は従来の高周波集積回路装置と同様であり、ＭＩＣ
基板１１上には入出力整合回路を構成するコンデンサ、
インダクタンス、抵抗等からなる整合素子１３、及び、
増幅機能、発振機能、或いは、ミキシング機能を有する
高周波半導体素子からなる能動素子１４が、ストリップ
線路によって構成される電極パターン１５，１６とスル
ーホール（図示せず）を介してＭＩＣ基板１１の裏側に
形成された裏パターンと接続されているアースパターン
１７，１８との間に跨がるようにマウントされて電気的
に接続されており、また、側面にも従来と同様にＭＩＣ
基板１１の裏面に形成されたアースとつながる電極パタ
ーン（図示せず）が設けられている。
【００２５】この様な構成のＭＩＣ基板１１に従来とほ
ぼ同様の洋白製の金属キャップ１２を、金属キャップ１
２の側面に設けた凸部が、ＭＩＣ基板１１の側面に設け
た凹部にはめ込まれるようにし、半田付けすることによ
って高周波集積回路装置（ＭＩＣ）を作り上げることに
なるが、本発明の第１の実施の形態においては、金属キ
ャップ１２の整合素子１３及び高周波特性が変化しやす
い機能素子１４の真上の位置に孔１９，２０を設けてお
く。
ぼ同様の洋白製の金属キャップ１２を、金属キャップ１
２の側面に設けた凸部が、ＭＩＣ基板１１の側面に設け
た凹部にはめ込まれるようにし、半田付けすることによ
って高周波集積回路装置（ＭＩＣ）を作り上げることに
なるが、本発明の第１の実施の形態においては、金属キ
ャップ１２の整合素子１３及び高周波特性が変化しやす
い機能素子１４の真上の位置に孔１９，２０を設けてお
く。
【００２６】この場合の孔１９，２０の大きさは、ＭＩ
Ｃ基板１１と金属キャップ１２との距離に依存するもの
であるが、実用的な距離、例えば、０．７ｍｍ以下にお
いては、孔１９，２０に対応する整合素子１３或いは機
能素子１４の電極部の寸法の１〜３倍で十分な効果が得
られるものであり、例えば、整合素子を構成するコンデ
ンサの電極の大きさが０．５ｍｍ角である場合には、孔
１９の直径を０．５〜１．５ｍｍφにすれば良く、或い
は、０．５〜１．５ｍｍ角の矩形にしても良い。
Ｃ基板１１と金属キャップ１２との距離に依存するもの
であるが、実用的な距離、例えば、０．７ｍｍ以下にお
いては、孔１９，２０に対応する整合素子１３或いは機
能素子１４の電極部の寸法の１〜３倍で十分な効果が得
られるものであり、例えば、整合素子を構成するコンデ
ンサの電極の大きさが０．５ｍｍ角である場合には、孔
１９の直径を０．５〜１．５ｍｍφにすれば良く、或い
は、０．５〜１．５ｍｍ角の矩形にしても良い。
【００２７】本発明の第１の実施の形態においては、上
述の様な大きさの孔１９，２０を設けることによって、
金属キャップ１２による電磁シールド効果を損なうこと
なく浮遊容量の変化を小さくすることができ、それによ
って、高周波特性の変化を軽減することができる。な
お、全ての整合素子１３に対して孔１９を設ける必要は
必ずしもなく、また、機能素子１４に対する孔２０は、
機能素子１４が金属キャップ１２の有無により高周波特
性にあまり影響を受けないものである場合には、必ずし
も設ける必要がない。
述の様な大きさの孔１９，２０を設けることによって、
金属キャップ１２による電磁シールド効果を損なうこと
なく浮遊容量の変化を小さくすることができ、それによ
って、高周波特性の変化を軽減することができる。な
お、全ての整合素子１３に対して孔１９を設ける必要は
必ずしもなく、また、機能素子１４に対する孔２０は、
機能素子１４が金属キャップ１２の有無により高周波特
性にあまり影響を受けないものである場合には、必ずし
も設ける必要がない。
【００２８】次に、図２（ｂ）を参照して、本発明の第
１の実施の形態の変形例を説明する。 図２（ｂ）参照 図２（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態の変形例の高
周波集積回路装置の部分透視斜視図であり、孔１９，２
０に不透明な絶縁性樹脂２１，２２を充填した以外は、
上記の第１の実施の形態と全く同様である。
１の実施の形態の変形例を説明する。 図２（ｂ）参照 図２（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態の変形例の高
周波集積回路装置の部分透視斜視図であり、孔１９，２
０に不透明な絶縁性樹脂２１，２２を充填した以外は、
上記の第１の実施の形態と全く同様である。
【００２９】この様に、孔１９，２０に不透明な絶縁性
樹脂２１，２２を充填することによって、孔１９，２０
を設けない場合の金属キャップと同様の外観にすること
ができ、特に、不透明樹脂を用いることによって不所望
な光の入射を防止することができる。
樹脂２１，２２を充填することによって、孔１９，２０
を設けない場合の金属キャップと同様の外観にすること
ができ、特に、不透明樹脂を用いることによって不所望
な光の入射を防止することができる。
【００３０】次に、図３及び図４を参照して、本発明の
第２の実施の形態及びその変形例を説明する。なお、説
明を簡単にするために、整合素子及び能動素子等は夫々
１つだけ概略的に図示する。 図３（ａ）参照 図３（ａ）は、本発明の第２の実施の形態の高周波集積
回路装置の部分透視斜視図であり、上記の第１の実施の
形態と全く同様に、ＭＩＣ基板１１上には入出力整合回
路を構成するコンデンサ、インダクタンス、抵抗等から
なる整合素子１３、及び、増幅機能、発振機能、或い
は、ミキシング機能を有する高周波半導体素子からなる
能動素子１４が、ストリップ線路によって構成される電
極パターン１５，１６とスルーホール（図示せず）を介
してＭＩＣ基板１１の裏側に形成された裏パターンと接
続されているアースパターン１７，１８との間に跨がる
ようにマウントされて電気的に接続されており、また、
側面にも従来と同様にＭＩＣ基板１１の裏面に形成され
たアースとつながる電極パターン（図示せず）が設けら
れている。
第２の実施の形態及びその変形例を説明する。なお、説
明を簡単にするために、整合素子及び能動素子等は夫々
１つだけ概略的に図示する。 図３（ａ）参照 図３（ａ）は、本発明の第２の実施の形態の高周波集積
回路装置の部分透視斜視図であり、上記の第１の実施の
形態と全く同様に、ＭＩＣ基板１１上には入出力整合回
路を構成するコンデンサ、インダクタンス、抵抗等から
なる整合素子１３、及び、増幅機能、発振機能、或い
は、ミキシング機能を有する高周波半導体素子からなる
能動素子１４が、ストリップ線路によって構成される電
極パターン１５，１６とスルーホール（図示せず）を介
してＭＩＣ基板１１の裏側に形成された裏パターンと接
続されているアースパターン１７，１８との間に跨がる
ようにマウントされて電気的に接続されており、また、
側面にも従来と同様にＭＩＣ基板１１の裏面に形成され
たアースとつながる電極パターン（図示せず）が設けら
れている。
【００３１】この様な構成のＭＩＣ基板１１に第１の実
施の形態と同様に洋白製の金属キャップ１２を、金属キ
ャップ１２の側面に設けた凸部が、ＭＩＣ基板１１の側
面に設けた凹部にはめ込むようにし、半田付けすること
によって高周波集積回路装置（ＭＩＣ）を作り上げるこ
とになるが、本発明の第２の実施の形態においては、金
属キャップ１２の４辺に沿って金属キャップ１２の天井
部のインピーダンスを高くするために幅細のスリット２
３を設けておく。
施の形態と同様に洋白製の金属キャップ１２を、金属キ
ャップ１２の側面に設けた凸部が、ＭＩＣ基板１１の側
面に設けた凹部にはめ込むようにし、半田付けすること
によって高周波集積回路装置（ＭＩＣ）を作り上げるこ
とになるが、本発明の第２の実施の形態においては、金
属キャップ１２の４辺に沿って金属キャップ１２の天井
部のインピーダンスを高くするために幅細のスリット２
３を設けておく。
【００３２】この場合のスリット２３の大きさは、例え
ば、幅３ｍｍ、長さ７．７ｍｍで、ＭＩＣ基板のアース
端部からの距離を５．２５ｍｍとしており、スリット２
３の大きさは所要周波数の波長の１／４であればシール
ド性が損なわれることはほとんどなく、例えばｆ＝１Ｇ
Ｈｚの場合には、λ／４＝７５ｍｍとなるので、上記の
寸法の場合には問題にならない。
ば、幅３ｍｍ、長さ７．７ｍｍで、ＭＩＣ基板のアース
端部からの距離を５．２５ｍｍとしており、スリット２
３の大きさは所要周波数の波長の１／４であればシール
ド性が損なわれることはほとんどなく、例えばｆ＝１Ｇ
Ｈｚの場合には、λ／４＝７５ｍｍとなるので、上記の
寸法の場合には問題にならない。
【００３３】本発明の第２の実施の形態においては、上
述の様なスリット２３を設けることによって、金属キャ
ップ１２による電磁シールド効果を損なうことなく、金
属キャップ１２の天井部のインピーダンスを高くするこ
とができ、それによって、高周波特性の劣化を軽減する
ことができるものであり、この事情を図４を参照して説
明する。
述の様なスリット２３を設けることによって、金属キャ
ップ１２による電磁シールド効果を損なうことなく、金
属キャップ１２の天井部のインピーダンスを高くするこ
とができ、それによって、高周波特性の劣化を軽減する
ことができるものであり、この事情を図４を参照して説
明する。
【００３４】図４（ａ）及び（ｂ）参照 図４は、高周波におけるアース部を境界条件とした場合
のインピーダンスを説明するための図であり、図４
（ｂ）は図４（ａ）におけるＣ−Ｃ′を結ぶ一点鎖線に
沿った断面図である。この場合、ストリップ線路２５の
幅をＷとした場合、点ＡにおけるインピーダンスＺ
a は、点Ａからアース２６までの距離Ｌ、及び、幅Ｗに
依存するストリップ線路２５の特性インピーダンスＺ0
に依存し、 Ｚa ＝ｊＺ0 ｔａｎ（βＬ） で表される。なお、ｊは虚数であり、βは高周波の周波
数をλとした場合、β＝２π／λである。
のインピーダンスを説明するための図であり、図４
（ｂ）は図４（ａ）におけるＣ−Ｃ′を結ぶ一点鎖線に
沿った断面図である。この場合、ストリップ線路２５の
幅をＷとした場合、点ＡにおけるインピーダンスＺ
a は、点Ａからアース２６までの距離Ｌ、及び、幅Ｗに
依存するストリップ線路２５の特性インピーダンスＺ0
に依存し、 Ｚa ＝ｊＺ0 ｔａｎ（βＬ） で表される。なお、ｊは虚数であり、βは高周波の周波
数をλとした場合、β＝２π／λである。
【００３５】したがって、この考え方を金属キャップ１
２の天井部に適用すると、金属キャップ１２の天井部の
インピーダンス（Ｚa ）を高くするためには、定性的に
はアース部からの距離を長くし、且つ、天井部とアース
部とを高いインピーダンス（Ｚ0 ）で接続すれば良いこ
とになる。
２の天井部に適用すると、金属キャップ１２の天井部の
インピーダンス（Ｚa ）を高くするためには、定性的に
はアース部からの距離を長くし、且つ、天井部とアース
部とを高いインピーダンス（Ｚ0 ）で接続すれば良いこ
とになる。
【００３６】例えば、金属キャップ１２のない場合のＭ
ＩＣ基板１１の上のインピーダンスは十分高く、因に空
気中のインピーダンスは１２０πΩ（≒３７７Ω）と十
分高いものであるが、本発明の第２の実施の形態におい
てはスリット２３を設けることにより、定性的には金属
キャップ１２において半田付けでアースを取った部分か
ら金属キャップ１２の天井部までの接続部、即ち、導電
通路の長さを長く（上記の式におけるＬを大きくするこ
とに相当）且つ、幅を細く（上記の式におけるＷを小さ
くしＺ0 を大きくすることに相当）することができるた
め、金属キャップが無い場合の空気中のインピーダンス
に近づけることができ、それによって、高周波特性に対
する影響を低減することができる。
ＩＣ基板１１の上のインピーダンスは十分高く、因に空
気中のインピーダンスは１２０πΩ（≒３７７Ω）と十
分高いものであるが、本発明の第２の実施の形態におい
てはスリット２３を設けることにより、定性的には金属
キャップ１２において半田付けでアースを取った部分か
ら金属キャップ１２の天井部までの接続部、即ち、導電
通路の長さを長く（上記の式におけるＬを大きくするこ
とに相当）且つ、幅を細く（上記の式におけるＷを小さ
くしＺ0 を大きくすることに相当）することができるた
め、金属キャップが無い場合の空気中のインピーダンス
に近づけることができ、それによって、高周波特性に対
する影響を低減することができる。
【００３７】次に、図３（ｂ）を参照して、本発明の第
２の実施の形態の変形例を説明する。 図３（ｂ）参照 図３（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例の高
周波集積回路装置の部分透視斜視図であり、スリット２
３に不透明な絶縁性樹脂２４を充填した以外は、上記の
第２の実施の形態と全く同様である。
２の実施の形態の変形例を説明する。 図３（ｂ）参照 図３（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例の高
周波集積回路装置の部分透視斜視図であり、スリット２
３に不透明な絶縁性樹脂２４を充填した以外は、上記の
第２の実施の形態と全く同様である。
【００３８】この様に、スリット２３に不透明な絶縁性
樹脂２４を充填することによって、スリット２３を設け
ない場合の金属キャップと同様の外観にすることがで
き、特に、不透明樹脂を用いることによって不所望な光
の入射を防止することができる。
樹脂２４を充填することによって、スリット２３を設け
ない場合の金属キャップと同様の外観にすることがで
き、特に、不透明樹脂を用いることによって不所望な光
の入射を防止することができる。
【００３９】以上、本発明の各実施の形態及び変形例を
説明してきたが、本発明は実施の形態等に記載した構成
に限られるものでなく、各種の変更が可能であり、例え
ば、第１の実施の形態の孔と第２の実施の形態のスリッ
トを組み合わせて用いても良く、また、第２の実施の形
態におけるスリットは必ずしも４つ設ける必要は無いも
のであり、或いは、一か所につき幅数本（ｎ本）並列に
設けて、計４ｎ本設けても良いものである。
説明してきたが、本発明は実施の形態等に記載した構成
に限られるものでなく、各種の変更が可能であり、例え
ば、第１の実施の形態の孔と第２の実施の形態のスリッ
トを組み合わせて用いても良く、また、第２の実施の形
態におけるスリットは必ずしも４つ設ける必要は無いも
のであり、或いは、一か所につき幅数本（ｎ本）並列に
設けて、計４ｎ本設けても良いものである。
【００４０】また、金属キャップとしては洋白を用いて
いるが、洋白に限られるものでなく、各種の金属を用い
ても良いものであり、さらには、シールド効果を損なわ
ない程度の導電性を有するものであれば、金属以外の導
電性部材を用いても良いものである。
いるが、洋白に限られるものでなく、各種の金属を用い
ても良いものであり、さらには、シールド効果を損なわ
ない程度の導電性を有するものであれば、金属以外の導
電性部材を用いても良いものである。
【００４１】また、本発明の各実施の形態の説明におい
ては、携帯電話用高周波集積回路装置を前提に説明して
いるが、本発明は、この様な携帯電話用高周波集積回路
装置に限られるものではなく、各種の移動体端末装置に
用いられる高周波集積回路装置も対象にするものであ
り、更には、非移動型装置に用いられる高周波集積回路
装置も対象にするものである。
ては、携帯電話用高周波集積回路装置を前提に説明して
いるが、本発明は、この様な携帯電話用高周波集積回路
装置に限られるものではなく、各種の移動体端末装置に
用いられる高周波集積回路装置も対象にするものであ
り、更には、非移動型装置に用いられる高周波集積回路
装置も対象にするものである。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、金属キャップに孔或い
はスリットを設けているので、整合素子や機能素子等の
高周波回路素子が金属キャップに近接しても高周波特性
があまり変化することがないので、高周波集積回路装置
を小型化・軽量化することができ、且つ、高周波特性の
調整が容易になるので量産時におけるバラツキを小さく
することができ、それによって携帯電話等の移動体端末
装置のさらなる普及化に寄与するところが大きい。
はスリットを設けているので、整合素子や機能素子等の
高周波回路素子が金属キャップに近接しても高周波特性
があまり変化することがないので、高周波集積回路装置
を小型化・軽量化することができ、且つ、高周波特性の
調整が容易になるので量産時におけるバラツキを小さく
することができ、それによって携帯電話等の移動体端末
装置のさらなる普及化に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態及び変形例の部分透
視斜視図である。
視斜視図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態及び変形例の部分透
視斜視図である。
視斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態における原理の説明
図である。
図である。
【図５】従来の高周波集積回路装置の分解斜視図であ
る。
る。
１ 高周波集積回路基板 ２ 導電性キャップ ３ 整合素子 ４ 能動素子 ５ 回路パターン ６ 回路パターン ７ アースパターン ８ アースパターン ９ 孔 １０ 孔 １１ ＭＩＣ基板 １２ 金属キャップ １３ 整合素子 １４ 能動素子 １５ 電極パターン １６ 電極パターン １７ アースパターン １８ アースパターン １９ 孔 ２０ 孔 ２１ 絶縁性樹脂 ２２ 絶縁性樹脂 ２３ スリット ２４ 絶縁性樹脂 ２５ ストリップ線路 ２６ アース ２７ 電極パターン
Claims (6)
- 【請求項１】 高周波集積回路基板、高周波集積回路基
板上に設けられた能動素子、回路パターン、及び、整合
素子からなる高周波回路、及び、高周波回路を被覆する
導電性キャップからなる高周波集積回路装置において、
少なくとも前記導電性キャップの前記整合素子の真上の
位置に孔を設けたことを特徴とする高周波集積回路装
置。 - 【請求項２】 上記導電性キャップの少なくとも一部の
能動素子の真上の位置にも孔を設けたことを特徴とする
請求項１記載の高周波集積回路装置。 - 【請求項３】 上記導電性キャップに設けた孔を、絶縁
性樹脂で充填したことを特徴とする請求項１または２に
記載の高周波集積回路装置。 - 【請求項４】 高周波集積回路基板上に設けられた能動
素子、回路パターン、及び、整合素子からなる高周波回
路、及び、高周波回路を被覆する導電性キャップからな
る高周波集積回路装置において、前記導電性キャップの
一部にスリットを設けたことを特徴とする高周波集積回
路装置。 - 【請求項５】 上記スリットを導電性キャップの周辺部
に設けたことを特徴とする請求項４記載の高周波集積回
路装置。 - 【請求項６】 上記導電性キャップに設けたスリット
を、絶縁性樹脂で充填したことを特徴とする請求項４ま
たは５に記載の高周波集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02413698A JP3684524B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 高周波集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02413698A JP3684524B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 高周波集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224911A true JPH11224911A (ja) | 1999-08-17 |
| JP3684524B2 JP3684524B2 (ja) | 2005-08-17 |
Family
ID=12129913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02413698A Expired - Fee Related JP3684524B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 高周波集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3684524B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001054251A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Mitsumi Electric Co Ltd | 基板の保護装置 |
| JP2004319605A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Sony Corp | 配線基板と回路モジュール |
| US6867982B2 (en) | 2000-02-29 | 2005-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency component and communication apparatus incorporating the same |
| US6977620B2 (en) | 2003-11-14 | 2005-12-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency package |
| JP2010287847A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Kyocera Corp | シールド板、携帯通信端末、及びシールド板に開設する貫通孔の部位を特定する方法 |
| JP2011155223A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Tdk Corp | 回路モジュール |
| JP2011245683A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Kyocera Corp | サーマルヘッド |
| JP2014146624A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-14 | Murata Mfg Co Ltd | モジュールおよびその製造方法 |
| CN111244593A (zh) * | 2020-02-18 | 2020-06-05 | 中国联合网络通信集团有限公司 | 一种定向耦合器及微波器件 |
-
1998
- 1998-02-05 JP JP02413698A patent/JP3684524B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001054251A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Mitsumi Electric Co Ltd | 基板の保護装置 |
| US6867982B2 (en) | 2000-02-29 | 2005-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency component and communication apparatus incorporating the same |
| JP2004319605A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Sony Corp | 配線基板と回路モジュール |
| US6977620B2 (en) | 2003-11-14 | 2005-12-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency package |
| JP2010287847A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Kyocera Corp | シールド板、携帯通信端末、及びシールド板に開設する貫通孔の部位を特定する方法 |
| JP2011155223A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Tdk Corp | 回路モジュール |
| JP2011245683A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Kyocera Corp | サーマルヘッド |
| JP2014146624A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-14 | Murata Mfg Co Ltd | モジュールおよびその製造方法 |
| CN111244593A (zh) * | 2020-02-18 | 2020-06-05 | 中国联合网络通信集团有限公司 | 一种定向耦合器及微波器件 |
| CN111244593B (zh) * | 2020-02-18 | 2021-08-10 | 中国联合网络通信集团有限公司 | 一种定向耦合器及微波器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3684524B2 (ja) | 2005-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7030715B2 (en) | High-frequency semiconductor device | |
| US10791659B2 (en) | Electronic module | |
| JP2001111364A (ja) | マイクロ波増幅器 | |
| JPH11224911A (ja) | 高周波集積回路装置 | |
| US6800929B1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH0115226Y2 (ja) | ||
| JP2002124829A (ja) | 発振器およびそれを用いた電子装置 | |
| JPH02156702A (ja) | マイクロ波デバイス用パッケージ | |
| JP4464104B2 (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| JP5720261B2 (ja) | 電子回路及び送受信システム | |
| JP2001060827A (ja) | マイクロストリップライン型電圧制御発振器 | |
| JP2001352204A (ja) | 伝送線路およびそれを用いた回路素子およびそれらを用いた電子回路およびそれを用いた電子装置 | |
| WO2007049382A1 (ja) | 高周波モジュール | |
| JPH0468703A (ja) | モノリシックマイクロ波集積回路装置 | |
| JPH11346105A (ja) | マイクロ波平面回路 | |
| JPH1093019A (ja) | モノリシックマイクロ波集積回路 | |
| JP2003017923A (ja) | アンテナ装置 | |
| WO2007119266A1 (ja) | 高周波高出力増幅器 | |
| JPH09186510A (ja) | 複合回路モジュール | |
| US20090242988A1 (en) | High frequency semiconductor circuit device | |
| JPS60233911A (ja) | モノリシツク増幅器 | |
| US20080204323A1 (en) | Antenna Device | |
| JPS5840361B2 (ja) | 高周波回路装置 | |
| JPH06169203A (ja) | 誘電体共振器装置 | |
| JPH11284403A (ja) | 電子部品およびそれを用いた高周波無線機 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040707 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040720 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040913 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050222 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050412 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20050510 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20050519 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080610 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090610 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100610 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110610 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110610 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120610 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |