JPH11224913A - 半導体装置及び半導体装置の実装方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の実装方法Info
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- JPH11224913A JPH11224913A JP10024874A JP2487498A JPH11224913A JP H11224913 A JPH11224913 A JP H11224913A JP 10024874 A JP10024874 A JP 10024874A JP 2487498 A JP2487498 A JP 2487498A JP H11224913 A JPH11224913 A JP H11224913A
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Abstract
らず、取り扱い中に端子が変形して短絡などの接合不良
を起こす恐れのない半導体装置を提供する。位置合わせ
が簡単で精度良く接合できる実装方法を提供する。 【解決手段】 半導体装置が、プリント配線基板14の多
数の貫通孔14a 、14b 、14c 、14dの内面に外面が接合し内
面が孔20a 、20b 、20c 、20dを形成する円筒状の第2の接
触子21c と、両開口周縁の領域にフランジ状に形成され
た一対の第1の接触子21a 、21bとからなる端子部22a 、2
2b、22c、22dを備え、 実装基板に設けた接合ピン部材32a
、32b、32c、32dを端子部22a 、22b、22c、22dの孔20a 、20b、
20c、20dに挿入して接合することにより実装する。
Description
導体装置の実装方法に関するものである。
体素子52を搭載したプリント配線基板54が、端子部
として半田ボールからなる外部端子60を下面に多数備
えた構成のものである。
4の上面に設けられた配線(図示せず)と対応する位置
に形成されたものが前記配線と電気的に接続されてお
り、それぞれの配線もまた半導体素子の対応する電極と
金線56により接続され、この状態で樹脂などによりモ
ールド封止されてパッケージ58が形成されている。こ
の様な半導体装置の実装基板70への装着は、図14に
示すように、半導体装置を実装基板70上に位置合わせ
した状態でリフロー処理することでプリント配線基板の
下面側に突出する半田ボールからなる外部端子60を溶
融して実装基板70上の接続端子74に半田付けするこ
とによって行われている。
フレームを用いた構成もあり、この場合パッケージの内
部で半導体素子の電極とワイヤボンディング等により電
気的に接続されたリードがパッケージから突出し、これ
が実装基板の接続端子に半田付けされることにより半導
体装置の実装基板への実装がなされている。
に示す従来の半導体装置は、多数の外部端子がプリント
配線基板の下面から突出した構成であるため、半導体装
置の取り扱い中に外部端子に何らかの負荷が掛かり易
く、この負荷により外部端子が変形してしまう恐れがあ
る。外部端子が変形した場合には、変形した部分だけ外
部端子の高さ等が異なることとなり、実装基板に精度良
く接合されないので、その部分において接合不良となっ
てしまう。
が実装基板に対して傾斜して接合されてしまったり、接
合状態が不安定となって全ての外部端子と実装基板の接
続端子とが良好に接続されずに部分的に接合不良を生じ
てしまうという問題が生じる。
り付け位置がずれると、実装基板の接続端子と半導体装
置の外部端子との位置合わせが難しく、半導体装置の外
部端子と実装基板の接続端子とを精度良く接合すること
ができないという問題もある。
フロー処理の際に高温雰囲気中に半導体装置および実装
基板を置くため、パッケージクラックが生じてしまうと
いう問題もある。
体装置においても上記と同様に、半導体装置の取り扱い
中にパッケージから突出するリード部に何らかの負荷が
掛かり易く、この負荷により取り扱い中にリード部が変
形して精度良く半田付けできなくなったり、最悪の場合
破損してしまう恐れがある。
装置の取り扱い中に邪魔にならず、取り扱い中に端子が
変形して短絡などの接合不良を起こす恐れのない半導体
装置を提供することを第1の目的としている。
続端子との位置合わせが簡単で精度良く接合することが
できる半導体装置の実装方法を提供することを第2の目
的としている。さらに、半導体装置と実装基板とを高い
接合信頼性で実装できる半導体装置の実装方法を提供す
ることを第3の目的としている。また、パッケージクラ
ックの発生しない半導体装置の実装方法を提供すること
を第4の目的としている。
るために、請求項1の発明の半導体装置は、貫通孔が形
成された配線板と、該貫通孔の開口周縁部分の少なくと
も一部に形成された偏平な第1の接触子及び前記貫通孔
の内面部分に形成された第2の接触子の少なくとも一方
で構成された端子部と、前記配線板に搭載されると共
に、前記端子部と電気的に接続された半導体素子と、を
備えている。
とすることにより、端子部が配線板から突出しない様に
して取り扱い中の負荷により端子部が変形するのを防止
している。
する偏平な第1の接触子は、例えば、配線板の表面にメ
ッキなどにより形成した金属膜または導電性物質よりな
る膜や、貫通孔内に充填した金属の配線板の上下面に露
出する部分などにより構成することができる。また、端
子部を形成する第2の接触子は、例えば、配線板に設け
られた貫通孔の内面にメッキなどにより形成した金属膜
または導電性物質よりなる膜や、貫通孔内に充填した金
属に配線板を貫通するように設けた孔の内面部分などに
より構成することができる。
のどちらか一方からなる構成としてもよいが、両方から
なる構成としてもよい。例えば、端子部が第1の接触子
からなる場合では貫通孔の開口周縁部分の一部領域に設
けたり、全周にわたる領域などに設けることができる。
また、端子部が第2の接触子からなる場合は、貫通孔の
内面部分の一部領域に設けたり、全面にわたる領域など
に設けることができる。さらに、端子部が第1の接触子
と第2の接触子とからなる場合においても同様に、第1
の接触子を開口周縁部分の一部領域に設けると共に第2
の接触子を第1の接触子と接合し貫通孔の内面部分の一
部領域に設ける構成としたり、第1の接触子を貫通孔の
開口の全周にわたる領域に設けると共に第2の接触子を
第1の接触子と接合し貫通孔の内面部分の一部領域に設
ける構成としたり、第1の接触子を貫通孔の開口周縁部
分の一部領域に設けると共に第2の接触子を第1の接触
子と接合し貫通孔の内面部分の全面にわたる領域に設け
る構成としたり、第1の接触子を開口の全周にわたる領
域に設けると共に第2の接触子を第1の接触子と接合し
貫通孔の内面部分の全面にわたる領域に設ける構成とす
ることができる。
第2の接触子のうち少なくとも一方が実装基板との接合
方法に合わせて形成される実装基板の接続端子と接続可
能な領域に設けられていればよい。
しないが、例えば、端子部が第1の接触子と第2の接触
子とからなる構成の場合では、第2の接触子の外面にお
いて貫通孔の内面と接合し、自身の内面が形成する孔の
断面が円形または多角形の筒状の金属膜と、筒状の金属
膜に形成された孔の開口周縁から配線板の表面に沿って
垂直に延びたフランジを一方または両方に形成すること
で、第1の接触子と第2の接触子とを備えた端子部とし
てもよいし、貫通孔内面に第2の接触子の外面が接合し
その断面が円形または多角形の筒状の肉厚の厚い金属膜
を形成することで、配線板の上下面内に露出する該金属
膜の厚さ分を第1の接触子、金属膜により形成される筒
状の金属膜よりなる内面を第2の接触子としてもよい。
触子が形成する孔の開口全周にわたる領域に設けた場
合、接触子の形状は、例えば、中央に開口を有する円形
や、中央に開口を有する多角形等とすることができる。
また、そのような第1の接触子は、実装基板との接続面
側のみ又は実装基板との接続面と逆側の面のみに1つだ
け設けても、実装基板との接続面側と実装基板との接続
面と逆側の面との2つに設けてもよい。
形成位置は、例えば、後述する請求項3の実装方法では
内面全面としたり、後述する請求項4の実装方法では、
内面の一部とするなどのように、実装基板との接合方法
に合わせて決定することもできる。
では配線板の下面側に突出して形成させた外部端子を、
貫通孔の開口周縁部分の少なくとも一部に形成された偏
平な第1の接触子及び貫通孔の内面部分に形成された第
2の接触子の少なくとも一方で構成された端子部として
いるため、端子部が取り扱い中に邪魔にならず、取り扱
い中に端子部が変形して短絡などの接合不良を起こす恐
れがない。
信頼性を有する半導体装置とすることができる。なお、
この様な半導体装置と実装基板との接合は、後述する請
求項2〜請求項4の発明のように行うことができる。
は、上記第2の目的を達成するために、予め実装基板に
突状の接続端子を含む電極部を設け、上記請求項1に記
載の半導体装置の前記貫通孔内に、前記接続端子を挿入
して接合することにより、前記電極部を半導体装置に設
けられた端子部に電気的に接続して半導体装置を実装基
板に実装することを特徴としている。
導体装置に設けられた貫通孔に挿入可能に構成された突
状の接続端子を含み、この接続端子が貫通孔内に入り込
んだ状態で接合されることにより半導体装置と実装基板
とを電気的に接続するとともに、実装基板に対する半導
体装置の位置を固定する。
Cuなどの導電性材料から構成して半導体装置に接合し
た際に自身が半導体装置の端子部と電気的に接続するよ
うにしてもよいし、突状の接続端子を実装基板の実装面
に形成された電極部の中央位置に設け、突状の接続端子
が半導体装置の貫通孔内に挿入して接合したときに、実
装基板の実装面に形成された電極部と半導体装置の第1
の接触子とが電気的に接続される様にしてもよい。
半導体装置の貫通孔の形状に合わせて半田で形成した突
状の接続端子を貫通孔内に嵌め合わせたのち、リフロー
処理して接合するようにしてもよいし、後述する請求項
4及び請求項5のようにしてもよく、実装基板に設けら
れた突状の接続端子が貫通孔内で固定されることにより
半導体装置と実装基板とが電気的に接続する構成であれ
ば、本発明では特に限定しない。
続端子を貫通孔内に挿入して半導体装置を実装基板に実
装するため、半導体装置に設けられた端子部とこの端子
部に対応して形成された実装基板の突状の接続端子とを
確実に接合できるので、実装基板の接続端子と半導体装
置の外部端子との位置合わせが簡単で、精度良く接合す
ることができる。
装基板に安定して装着できれば実装基板の接続端子と半
導体装置の外部端子とが確実に接合されたこととなるた
め、従来では装着後の半導体装置に対して行っていた接
合状態の検査を行う必要もないので、その分製造工程を
減らすことができ、製造効率を向上させることができ
る。
を達成するために、請求項2に記載の半導体装置の実装
方法において、前記貫通孔内に挿入された前記接続端子
の該貫通孔から突出した部分に押圧力を加えて変形させ
ることにより前記端子部と前記接続端子とを接合するこ
とを特徴としている。
体装置の貫通孔内または貫通孔の開口位置で引っ掛か
り、半導体装置を実装基板から離れないようにするた
め、半導体装置と実装基板とが高い接合信頼性で実装さ
れることとなる。
れた平坦な電極部の中央位置に突状の接続端子を設け、
突状の接続端子が半導体装置の貫通孔内に挿入されて変
形することにより半導体装置と接合したときに、半導体
装置の実装基板側に設けた端子部の平坦な接続面と実装
基板の平坦な電極部とが接触した状態で固定されること
で電気的な接続を果たす場合と、導電材料より構成した
突状の接続端子自身が半導体装置の接続面に接合して電
気的な接続を果たす場合との両方に有効である。特に、
後者の場合、突状の接続端子が貫通孔内で屈曲または潰
れた状態のときに、必ず貫通孔の内面位置または貫通孔
の開口周縁位置の少なくとも一方で半導体装置の端子部
と電気的に接続するので、より一層接合信頼性が向上し
たものとなる。
がかけられると比較的簡単に屈曲するまたは潰れて、か
つ、貫通孔に設けられた電極部よりも硬度の低い材質の
ものから形成すれば、突状の接続端子にかかる押圧力に
より貫通孔に設けられた電極部が破損することがないの
で好ましい。
た部分に押圧力が加わると接続端子の貫通孔内に配置さ
れた個所が屈曲する構成とすれば、押圧力がかけられる
と接続端子が貫通孔内で屈曲して貫通孔の内面を押圧
し、この押圧力により半導体装置とを実装基板とを接合
できる。さらに、この様な特定の個所が屈曲する突状の
接続端子とすることにより、貫通孔の内面に端子部を形
成した場合では必ず貫通孔内の端子部と突状の接続端子
とが接触することとなるので貫通孔内の端子部と突状の
接続端子との接合が確実となり、接合信頼性をさらに向
上できる。
力を加えて変形させる実装方法では、半導体装置の貫通
孔内の端子部と実装基板の突状の接続端子とを接合する
ために熱を使用しないので、従来の半導体装置全体を加
熱する(リフロー処理)際にパッケージが加熱されるこ
とにに起因して生じる、例えば、パッケージクラックな
どの問題が発生する恐れがない。もちろん、半導体装置
全体を加熱する(リフロー処理)も不要となるのでその
分製造効率が向上して大幅な納期短縮化が図れると共に
製造コストを低減することができる。
の目的を達成するために、請求項2に記載の半導体装置
の実装方法において、前記接続端子を加熱して溶融させ
ることにより前記接続端子と前記端子部とを接合するこ
とを特徴としている。
うな、貫通孔に設けられた電極部よりも融点が低く、か
つ、導電性の材料のものから形成すれば、接続端子の溶
融時に貫通孔に設けられた電極部も同時に溶融すること
がなく、常に良好な接続状態を保てるため、好ましい。
状態で加熱することにより、貫通孔内で溶融させて半田
付けするため、実装基板に対する半導体装置の接合が確
実となり、接合信頼性を向上することができる。好まし
くは、貫通孔の内面に端子部を形成すれば、溶融した接
続端子が貫通孔内面の端子部に半田付けされることとな
るので、確実、かつ、良好な接合状態となって高い接合
信頼性が得られる。
突状の接続端子は貫通孔内に留まるため、隣り合う接続
端子同士が接合して半田ブリッジが形成される恐れがな
いという利点もある。
みを加熱して貫通孔内の突状の接続端子を溶融させるよ
うにすることもでき、このように貫通孔内の突状の接続
端子を溶融させれば、リフロー処理時にパッケージが加
熱されることに起因して生じる、例えば、パッケージク
ラックなどの問題が発生する恐れがない。
する手段としては、貫通孔の上方から突状の接続端子の
融点以上に加熱された、例えば、ピン部材を突状の接続
端子の頂部に接触させることにより突状の接続端子のみ
を加熱して溶融させる方法(すなわち、半田ごて)や、
貫通孔の上方から突状の接続端子の融点以上の温度の熱
風をブローして突状の接続端子を溶融させる方法等が挙
げられる。
記第1の目的を達成するために、実装基板側に開口する
有底の孔が形成された配線板と、該有底の孔の内面部分
の少なくとも一部に形成された端子部と、前記配線板に
搭載されると共に、前記端子部と電気的に接続された半
導体素子と、を備えている。
とすることにより、端子部が配線板から突出しない様に
して取り扱い中の負荷により端子部が変形するのを防い
でいる。
えば、配線板の下面に形成した有底の孔の内面にメッキ
などにより形成した金属膜または導電性物質よりなる膜
の表面や、配線板の内部のある一定の深さまで形成した
金属層内に設けた有底の孔の内面などにより構成するこ
とができる。また、有底の孔の形状は限定しないが、例
えば、配線板の下面内に開口しその断面が円形または多
角形である有底の筒状とすることができる。
応じて有底の孔の内面部分の全領域に設けたり、一部領
域に設けることができる。例えば、実装基板の接続端子
を溶融して有底の孔の内面の全面に接合するようにすれ
ば、端子部は内面全面に設けても、内面の一部領域に設
けてもよい。
では配線板の下面側に突出して形成させた外部端子を、
配線板に形成された有底の孔の内面部分の少なくとも一
部に形成した端子部としているため、端子部が取り扱い
中に邪魔にならず、取り扱い中に端子が変形して短絡な
どの接合不良を起こす恐れがない。
信頼性を有する半導体装置とすることができる。なお、
この様な半導体装置と実装基板との接合は、後述する請
求項6の発明のように行うことができる。
は、上記第2の目的を達成するために、予め実装基板に
突状の接続端子を含む電極部を設け、上記請求項5に記
載の半導体装置の前記有底の孔内に、前記接続端子を挿
入して接合することにより、前記電極部を半導体装置に
設けられた端子部に電気的に接続して半導体装置を実装
基板に実装することを特徴としている。
導体装置に設けられた有底の孔に挿入可能に構成された
突状の接続端子を含み、この接続端子が有底の孔内に入
り込んだ状態で接合されることにより半導体装置と実装
基板とを電気的に接続するとともに、実装基板に対する
半導体装置の位置を固定する。
どの導電性材料から構成して半導体装置の端子部と接触
するようにするとよい。
半導体装置の有底の孔の形状に合わせて半田で形成した
突状の接続端子を有底の孔内に嵌め合わせたのち、リフ
ロー処理して接合するようにしてもよいし、孔部の深さ
よりも若干長い寸法の棒状に形成した突状の接続端子を
孔部内に挿入した後、押圧力をかけて孔部の底面で接続
端子の頂部を押し潰すことにより有底の孔内で突状の接
続端子を固定してもよく、また、押圧力が加わると有底
の孔内に位置する個所が屈曲するように形成した突状の
接続端子を孔部内で屈曲させて有底の孔内で突状の接続
端子を固定してもよく、突状の接続端子が有底の孔内で
固定されることにより半導体装置と実装基板とが電気的
に接続する構成であれば、本発明では特に限定しない。
置に設けられた端子部とこの端子部に対応して形成され
た実装基板の突状の接続端子とを確実に接合できるの
で、実装基板の接続端子と半導体装置の端子部との位置
合わせが簡単で、精度良く接合することができる。
装基板に安定して装着できれば実装基板の接続端子と半
導体装置の端子部とが確実に接合されたこととなるた
め、従来では装着後の半導体装置に対して行っていた接
合状態の検査を行う必要もないので、その分製造工程を
減らすことができ、製造効率を向上させることができ
る。
された状態でリフロー処理する場合では、接合信頼性が
向上するので上記第3の目的を達成できる。
状に形成した突状の接続端子を孔部内に挿入した後、押
圧力をかけて孔部の底面で頂部を押し潰すことにより有
底の孔内で突状の接続端子を固定する場合と、突状の接
続端子を孔部内で屈曲させて有底の孔内で突状の接続端
子を固定する場合では、リフロー処理を行う必要がない
ので、上記第4の目的を達成できると共に、リフロー処
理工程を削減できる分だけ製造効率が向上して大幅な納
期短縮化が図れると共に製造コストを低減することがで
きる。
から図12を参照して説明する。
導体装置10は、図1に示すように、配線板であるプリ
ント配線基板14上に半導体素子12を搭載し、プリン
ト配線基板14に設けられた配線(図示せず)と半導体
素子12の電極部(図示せず)とをワイヤ16によりボ
ンディングした後、樹脂によるモールド封止によりパッ
ケージ18を形成して構成されている。
される半導体素子12を取り囲むように配置された多数
の貫通孔14a、14b、14c、14d(図1では説
明のため4つだけ示す。)が半導体装置の中心位置を中
心として設けられている。図2に示すように、それぞれ
の貫通孔14a、14b(図2では説明のため2つだけ
示す。)には、全内面の領域に設けられプリント配線基
板14の表側及び裏側に開口する孔20a、20bを形
成する円筒状の第2の接触子21cと、第2の接触子2
1cが形成した孔の両開口周縁の領域にフランジ状に形
成された一対の第1の接触子21a、21bと、を備
え、プリント配線基板14の上面に設けられた配線パタ
ーンと繋がって形成された端子部22aが設けられてい
る。
は、外周面が貫通孔14aの内周面と接合した円筒状の
金属膜部材により形成され、また、第1の接触子21
a、21bは、第2の接触子21cの両開口周縁からプ
リント配線基板の表面に沿った方向に延びた円形の偏平
な金属膜より形成されている。また、プリント配線基板
に設けられた全ての貫通孔には同一構成の端子部が形成
されている。
載置されたときに、図4に示すようにプリント配線基板
14に設けられた端子部22a、22bと接続する位置
に電極部34a、34b(図4では説明のため2つだけ
示す。)がそれぞれ設けられており、これら電極部34
a、34bには、電極部34a、34bの中央位置から
垂直に延び第2の接触子21cにより形成される孔20
a、20b内に挿入されたときに頂部が若干突出する長
さ寸法の棒状の接合ピン部材32a、32bが実装基板
30の接続端子として設けられている。この接合ピン部
材32a、32bは導電性材料よりなり、端子部22
a、22bよりも軟性の部材により構成されている。
とは、図3に示すように、上記形状の端子部22a、2
2b、22c、22dの孔20a、20b、20c、2
0dに対し、突状の接続端子である接合ピン部材32
a、32b、32c、32dを中央位置に備えた実装基
板30の電極部34a、34b、34c、34dが各々
接触して接合される。なお、ここでは説明のため一部分
だけを示している。
0に実装する方法について図3を参照して説明する。ま
ず、図3(a)に示すように、半導体装置10を吸引装
置40により保持して実装基板30の実装位置上に搬送
する。
貫通孔14a、14b(図4参照)に形成された端子部
の孔20a、20b、20c、20d内にそれぞれ対応
する実装基板30の接合ピン部材32a、32b、32
c、32dが全て挿入可能な実装基板30の上方位置ま
で半導体装置10を搬送した後、全ての端子部の孔20
a、20b、20c、20d内にそれぞれ対応する接合
ピン部材32a、32b、32c、32dが挿入される
まで半導体装置10を降下させ、端子部の孔20a、2
0b、20c、20d内に接合ピン部材32a、32
b、32c、32dが挿入されて半導体装置10が実装
基板30上に載置されると、吸引を解除して搬送を終了
する。
2dの長さ寸法は、端子部の孔20a、20b、20
c、20d内に挿入されたときに頂部が若干突出する寸
法とされており、吸引装置40による搬送が終了した状
態では、全ての端子部の孔20a、20b、20c、2
0dから接合ピン部材32a、32b、32c、32d
頂部が端子部の孔20a、20b、20c、20dから
突出した状態となっている。
の孔20a、20b、20c、20dから突出した接合
ピン部材32a、32b、32c、32dの頂部に予め
定められた圧力を与える押圧装置42a、42bにより
接合ピン部材32a、32b、32c、32dの頂部を
押圧する。これにより、図3(c)に示すように、接合
ピン部材32a、32b、32c、32dが変形して実
装基板30に対して半導体装置10を固定し、半導体装
置10の実装基板30に対する実装が終了する。
側の接合ピン部材32b、32cの頂部が半導体装置に
向かって折れ曲がる共に、その外側に配置された接合ピ
ン部材32a、32dの頂部が半導体装置側とは逆側に
向かって折れ曲がるなどのように、押圧力の掛けかたを
調整してそれぞれの接合ピン部材32a、32b、32
c、32dの折れ曲がり方向が異なるようにすれば実装
後の半導体装置10が実装基板に30から外れる恐れを
無くすことができる。
a、32b、32c、32dが端子部の孔20a、20
b、20c、20dの開口位置で折れ曲がった状態のみ
を示しているが、図4に示すように、端子部の孔20
a、20bの内部と開口位置とで折れ曲がり、端子部2
2aの第2の接触子21c及び実装基板30と逆側面に
形成された第1の接触子21aとに接合した接合ピン部
材32aと、頂部のみが潰されて広がりこの広がった部
分が実装基板30と逆側面に形成された端子部22bの
第1の接触子21aと接合した接合ピン部材32bなど
となっている。
c、20d内で変形させる接合ピン部材32a、32
b、32c、32dの形状は上記第1の実施形態で示す
棒状に限らず、例えば、図5に示すように、平板状の部
材を3個所折り曲げた輪状とすることにより側面形状を
菱形状とし、頂点35a以外の対向する2つの角を屈曲
部35b、35cとした構成のものなどのように、予め
定めた個所を屈曲可能に構成した接合ピン部材35とし
てもよい。この場合、接合ピン部材35に押圧力が掛か
ると必ず屈曲部35b、35c位置で折れ曲がって第2
の接触子21cを押圧した状態となるため、確実に端子
部22a、22bと接合でき、一層接合信頼性を向上し
たものとなる。なお、図5におけるその他の構成は図4
の構成と同一であるため説明を省略する。
図1及び図2に示す半導体装置を用いた別の実装方法で
ある。なお、用いる半導体装置10は、上述した第1の
実施形態と同様の構成であるため説明は省略する。
に、半導体装置10に設けられた端子部の孔20a、2
0b(図7では説明のため2つだけ示す。)に対応する
位置に電極部34a、34bをそれぞれ設けられてお
り、これら電極部34a、34b、34c、34dに
は、電極部34a、34bの中央位置から垂直に延び第
2の接触子21cにより形成される孔20a、20b内
に挿入されたときに頂部が若干突出する長さ寸法の棒状
の半田よりなる半田接合ピン部材31a、31b、31
c、31dが実装基板30の接続端子として設けられて
いる。
とは、図6に示すように、端子部の孔20a、20b、
20c、20d内に、突状の接続端子である半田接合ピ
ン部材31a、31b、31c、31dが挿入された
後、半田接合ピン部材31a、31b、31c、31d
が溶融されて接合される。なお、ここでは説明のため一
部分だけを示している。
0に実装する方法について図6を参照して説明する。ま
ず、図6(a)に示すように、半導体装置10を吸引装
置40により保持して実装基板30の実装位置上に搬送
する。
貫通孔14a、14b(図7参照)に形成された端子部
の孔20a、20b、20c、20d内にそれぞれ対応
する実装基板30の半田接合ピン部材31a、31b、
31c、31dが全て挿入可能な実装基板30の上方位
置まで半導体装置10を搬送した後、全ての端子部の孔
20a、20b、20c、20d内にそれぞれ対応する
半田接合ピン部材31a、31b、31c、31dがが
挿入されるまで半導体装置10を降下させ、端子部の孔
20a、20b、20c、20d内に半田接合ピン部材
31a、31b、31c、31dがが挿入されて半導体
装置10が実装基板30上に載置されると、吸引を解除
して搬送を終了する。
c、31dの長さ寸法は、端子部の孔20a、20b、
20c、20dの深さ寸法よりも若干長い寸法とされて
いるため、半導体装置10が全ての端子部の孔20a、
20b、20c、20d内にそれぞれ対応する実装基板
30の半田接合ピン部材31a、31b、31c、31
dが挿入された状態で実装基板30上に載置されると、
半田接合ピン部材31a、31b、31c、31dの頂
部が端子部の孔20a、20b、20c、20dから突
出した状態となる。
合ピン部材31a、31b、31c、31dの融点以上
の温度に加熱されたピン形状の加熱手段を備えた半田ご
て装置44a、44bにより端子部の孔20a、20
b、20c、20dから突出した半田接合ピン部材31
a、31b、31c、31dの頂部に接触させて半田接
合ピン部材31a、31b、31c、31dを加熱す
る。これにより、半田接合ピン部材31a、31b、3
1c、31dは溶融されて、図7に示すように、半田接
合ピン部材31a、31b(ここでは説明のため2つの
みを示す。)は端子部の孔20a、20b内で液状化す
る。その後、冷却されて端子部の孔20a、20b内に
半田付けされることにより、第2の接触子21cと接合
されることとなる。
装基板30に対して半導体装置10が固定されて、半導
体装置10の実装基板30に対する実装が終了する。
ごて装置44a、44bを用いて半田接合ピン部材31
a、31bを溶融するため、パッケージ18などの他の
部分が熱によって変形したり、破損するなどの心配がな
い。もちろん、半導体装置に設けられた全ての端子部と
実装基板の端子部とを確実に接合できるので接合信頼性
が向上したものとできる。
上記図6及び図7の方法において、端子部の孔20a、
20b、20c、20d内の半田接合ピン部材31a、
31b、31c、31dの加熱方法の別の実施形態を示
している。なお、用いる半導体装置10および実装基板
30は、上述した第2の実施形態と同様の構成であるた
め説明は省略する。また、半導体装置10を実装基板3
0の実装位置に載置するまでの工程も上述した第2の実
施形態と同様であるため説明は省略する。
30の実装位置に載置した後、図9(b)に示すよう
に、半田接合ピン部材31a、31b、31c、31d
の融点以上温度に調整された熱風を噴射する熱風ブロー
装置46a、46bが、実装基板30と逆側の端子部の
孔20a、20b、20c、20dの開口領域に半田接
合ピン部材31a、31b、31c、31dの融点以上
温度に調整された熱風を噴射する。
孔20a、20b(ここでは説明のため2つのみを示
す。)内の半田接合ピン部材31a、31bが溶融され
て端子部の孔20a、20b内で液状化する。その後、
冷却されて端子部の孔20a、20b内に半田付けされ
ることにより、第2の接触子21cと接合されることと
なる。なお、その他の工程は、上記第2の実施形態と同
様であるため説明を省略する。
ブロー装置46a、46bを用いて半田接合ピン部材3
1a、31bを溶融するため、パッケージ18などの他
の部分が熱によって変形したり、破損するなどの心配が
ない。もちろん、半導体装置10に設けられた全ての端
子部22a、22b、22c、22dと実装基板30の
電極部34a、34b、34c、34dとを確実に接合
できるので接合信頼性が向上したものとできる。
置46a、46bを用いて半田接合ピン部材31a、3
1b、31c、31dを溶融するため、半田接合ピン部
材31a、31b、31c、31dの長さを頂部が端子
部の孔20a、20b、20c、20dから突出しない
長さしてもよい。
導体装置は、図10に示すように、上述した本第1の実
施形態の半導体装置10においてプリント配線基板に多
数の貫通孔14a、14bを設ける代わりにプリント配
線基板14の下面側に開口する底面が円形の有底の穴1
5a、15b(ここでは説明のため2つのみを示す。)
を設け、この有底の穴15a、15bの全内面に接合す
る端子部26a、26bを形成した構成である。また、
プリント配線基板に設けられた全ての有底の穴には同一
構成の端子部が形成されている。
の穴15a、15bの内側面と底面とに接合し、内面が
プリント配線基板14の裏側に開口する孔24a、24
bを形成する有底円筒状の金属膜部材と、この金属膜部
材の開口周縁からプリント配線基板14の下面に沿った
方向に延び中央に開口を有する円形の金属膜であるフラ
ンジ部とにより構成されている。なお、半導体装置10
を構成するその他の部分は、第1の実施形態と同様であ
るため説明を省略する。
れたときに、図12に示すようにプリント配線基板14
に設けられた端子部26a、26bと接続する位置に電
極部34a、34b(図12では説明のため2つだけ示
す。)がそれぞれ設けられており、これら電極部34
a、34bには、電極部34a、34bの中央位置から
垂直に延び端子部26a、26bの内面で形成される孔
24a、24bの深さ寸法よりも若干長い寸法の棒状の
接合ピン部材33a、33b、33c、33dが実装基
板30の接続端子として設けられている。。この接合ピ
ン部材32a、32bは導電性材料よりなり、端子部2
6a、26bよりも軟性の部材により構成されている。
とは、図11に示すように、上記形状の端子部26a、
26b、22c、22dの孔24a、24b、24c、
24dに対し、突状の接続端子である接合ピン部材33
a、33b、33c、33dを中央位置に備えた実装基
板30の電極部34a、34b、34c、34dが各々
接触して接合される。なお、ここでは説明のため一部分
だけを示している。
0に実装する方法について図11を参照して説明する。
まず、図11(a)に示すように、半導体装置10を吸
引装置40により保持して実装基板30の実装位置上に
搬送する。吸引装置40は、プリント配線基板14の全
ての端子部の孔24a、24b、24c、24d内にそ
れぞれ対応する実装基板30の接合ピン部材33a、3
3b、33c、33dが挿入可能な実装基板30の上方
位置まで半導体装置10を搬送した後、全ての端子部の
孔24a、24b、24c、24d内にそれぞれ対応す
る接合ピン部材33a、33b、33c、33dが挿入
されるまで半導体装置10を降下させる。端子部の孔2
4a、24b、24c、24d内に接合ピン部材33
a、33b、33c、33dが挿入されて半導体装置1
0が実装基板30上に載置されると、吸引を解除して搬
送を終了する。
3dの長さ寸法は、端子部の孔24a、24b、24
c、24dの深さ寸法よりも若干大きくされているた
め、全ての端子部の孔24a、24b、24c、24d
内にそれぞれ対応する接合ピン部材33a、33b、3
3c、33dが挿入された状態で、半導体装置10が実
装基板30上に載置されると、半導体装置10は全ての
接合ピン部材33a、33b、33c、33dによって
点支持された状態となる。
定められた圧力を与える押圧装置42a、42bにより
端子部の孔24a、24b、24c、24dが設けられ
た領域のプリント配線基板14上面から押圧力を与える
ことにより端子部の孔24a、24b、24c、24d
の底面で接合ピン部材33a、33b、33c、33d
の頂部を押圧して接合ピン部材33a、33b、33
c、33dの頂部を潰す。接合ピン部材33a、33
b、33c、33dは、図12に示すように、頂部のみ
が潰されて広がり、この広がった部分が端子部の孔24
a、24b、24c、24dの底部に接合した状態とな
っている。これにより、図11(c)に示すように、実
装基板30に対して半導体装置10が固定されて、半導
体装置10の実装基板30に対する実装が終了する。な
お、接合ピン部材33の形状としては図12で示すもの
だけに限らず、例えば、上記図5に示すような平板部材
を折り曲げて接合ピン部材35の略中央位置に2個所の
屈曲部35b、35cを有する菱形状としても、端子部
の孔24a、24b、24c、24dの内部で折れ曲が
ってその折れ曲がり位置が端子部の孔24a、24b、
24c、24dの内面に接触するような特定の位置を屈
曲部とした構成のものなどとすると接続が更に確実にな
るため好ましい。また、有底の孔の形状を底面が円形の
有底の筒状としたが、これに限らず底面が多角形の有底
の筒状などとしてもよい。
の接触子またはフランジ部の形状を、中央に開口を有す
る円形としているが、この形状に限らず、中央に開口を
有する多角形状としたり、中央から外れた位置に開口を
有する円形又は多角形状とすることもできる。
よれば、半導体装置に設けられた端子部が半導体装置の
取り扱い中に邪魔にならず、取り扱い中に端子が変形し
て短絡などの接合不良を起こす恐れのない半導体装置が
得られる、という効果がある。
1の半導体装置を実装基板に対して半導体装置の端子部
と実装基板の接続端子との位置合わせが簡単で精度良く
接合することができる、という効果がある。
ば、パッケージクラックの発生しない半導体装置のパッ
ケージにクラックを発生させないで実装できる、という
効果がある。
装置の取り扱い中に邪魔にならず、取り扱い中に端子が
変形して短絡などの接合不良を起こす恐れのない半導体
装置が得られる、という効果がある。
5の半導体装置を実装基板に対して半導体装置の端子部
と実装基板の接続端子との位置合わせが簡単で精度良く
接合することができる、という効果がある。
成を示す断面説明図である。
す部分断面図である。
法の概略説明図である。
合ピン部材と半導体装置の端子部との接続状態を示す断
面説明図である。
合ピン部材と半導体装置の端子部との接続状態を示す断
面説明図である。
法の概略説明図である。
合ピン部材と半導体装置の端子部との接続状態を示す断
面説明図である。
合ピン部材と半導体装置の端子部との接続状態を示す断
面説明図である。
法の概略説明図である。
部の概略構成を示す部分断面図である。
方法の概略説明図である。
接合ピン部材と半導体装置の端子部との接続状態を示す
断面説明図である。
図である。
示す断面説明図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 貫通孔が形成された配線板と、 該貫通孔の開口周縁部分の少なくとも一部に形成された
偏平な第1の接触子及び前記貫通孔の内面部分に形成さ
れた第2の接触子の少なくとも一方で構成された端子部
と、 前記配線板に搭載されると共に、前記端子部と電気的に
接続された半導体素子と、 を備えた半導体装置。 - 【請求項2】 予め実装基板に突状の接続端子を含む電
極部を設け、 上記請求項1に記載の半導体装置の前記貫通孔内に、前
記接続端子を挿入して接合することにより、前記電極部
を半導体装置に設けられた端子部に電気的に接続して半
導体装置を実装基板に実装することを特徴とする半導体
装置の実装方法。 - 【請求項3】 前記貫通孔内に挿入された前記接続端子
の該貫通孔から突出した部分に押圧力を加えて変形させ
ることにより前記端子部と前記接続端子とを接合するこ
とを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の実装方
法。 - 【請求項4】 前記接続端子を加熱して溶融させること
により前記接続端子と前記端子部とを接合することを特
徴とする請求項2に記載の半導体装置の実装方法。 - 【請求項5】 実装基板側に開口する有底の孔が形成さ
れた配線板と、 該有底の孔の内面部分の少なくとも一部に形成された端
子部と、 前記配線板に搭載されると共に、前記端子部と電気的に
接続された半導体素子と、 を備えた半導体装置。 - 【請求項6】 予め実装基板に突状の接続端子を含む電
極部を設け、 上記請求項5に記載の半導体装置の前記有底の孔内に、
前記接続端子を挿入して接合することにより、前記電極
部を半導体装置に設けられた端子部に電気的に接続して
半導体装置を実装基板に実装することを特徴とする半導
体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02487498A JP3938810B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP02487498A JP3938810B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 半導体装置の実装方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224913A true JPH11224913A (ja) | 1999-08-17 |
| JPH11224913A5 JPH11224913A5 (ja) | 2005-08-18 |
| JP3938810B2 JP3938810B2 (ja) | 2007-06-27 |
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ID=12150359
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02487498A Expired - Fee Related JP3938810B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 半導体装置の実装方法 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093295A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007294584A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Nec Electronics Corp | 半導体パッケージおよびその実装方法、ならびにその半導体パッケージに使用する絶縁配線基板およびその製造方法 |
| JP2009076735A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の実装構造および実装方法 |
| CN109219246A (zh) * | 2017-07-07 | 2019-01-15 | Tdk-迈克纳斯有限责任公司 | 封装的集成电路构件 |
-
1998
- 1998-02-05 JP JP02487498A patent/JP3938810B2/ja not_active Expired - Fee Related
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