JPH11233785A5 - - Google Patents

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JPH11233785A5
JPH11233785A5 JP1998035137A JP3513798A JPH11233785A5 JP H11233785 A5 JPH11233785 A5 JP H11233785A5 JP 1998035137 A JP1998035137 A JP 1998035137A JP 3513798 A JP3513798 A JP 3513798A JP H11233785 A5 JPH11233785 A5 JP H11233785A5
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Description

この例では、第３シリコン領域２５および第２フィールド酸化膜２７は、チャネル領域１５のチャネル幅方向（図１に実線矢印ａで示す。）の一方の側に接して設けられていて、チャネル領域１５の延長線上に第３シリコン領域２５およびボディコンタクト領域２２が形成されている（図１および図２）。
ここでは、ソース領域１７となる領域およびドレイン領域１９となる領域に、ＢＦ2 を７０ｋｅＶ、２×１０13ｃｍ-2という条件でイオン注入する。これにより浅い接合のソース５５およびドレイン５９の下の領域に、それぞれＰ型の中性領域（５７および６１）が形成される（図１６（Ｂ））。

Claims (4)

  1. 請求項６に記載のＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法において、
    前記第２フィールド酸化膜は、後に行われる前記ソース領域およびドレイン領域の形成で、前記第１シリコン領域に注入される第１導電型の不純物が、前記第１シリコン領域に接する第３シリコン領域にまで到達することのないような厚さを有する膜として形成すること
    を特徴とするＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法。
  2. 請求項６〜１０のいずれか一項に記載のＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法において、
    前記チャネル領域上にゲート酸化膜を形成し、該ゲート酸化膜上にゲート電極を形成した後、前記ソース領域に浅い接合のソース、およびドレイン領域に浅い接合のドレインをそれぞれ第１導電型不純物イオンを注入することにより形成する工程と、
    前記ソース領域およびドレイン領域に第２導電型不純物イオンを、前記第１導電型不純物イオンの注入よりも高いエネルギーで以て注入することによって、前記浅い接合のソースおよび浅い接合のドレインの下の領域に第２導電型の中性領域を形成する工程と、
    前記ゲート電極のゲート長方向の両側にサイドウォールを形成する工程と、
    前記サイドウォールから露出している前記浅い接合のソースおよび浅い接合のドレインに第１導電型不純物イオンを注入することによって、前記サイドウォールから露出している前記浅い接合のソースおよび浅い接合のドレインと前記中性領域とを、ソースおよびドレインに変える工程とを含むこと
    を特徴とするＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法。
  3. 請求項１２に記載のＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法において、
    前記第２フィールド酸化膜は、後に行われる前記ソース領域およびドレイン領域の形成で、前記第１シリコン領域に注入される第１導電型の不純物が、前記第１シリコン領域に接する第３シリコン領域にまで到達することのないような厚さを有する膜として形成すること
    を特徴とするＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法。
  4. 請求項１２〜１６のいずれか一項に記載のＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法において、
    さらに、前記チャネル領域上にゲート酸化膜を形成し、該ゲート酸化膜上にゲート電極を形成した後、前記ソース領域に浅い接合のソース、およびドレイン領域に浅い接合のドレインをそれぞれ第１導電型不純物イオンを注入することにより形成する工程と、
    前記ソース領域およびドレイン領域に第２導電型不純物イオンを、前記第１導電型不純物イオンの注入よりも高いエネルギーで以て注入することによって、前記浅い接合のソースおよび浅い接合のドレインの下の領域に第２導電型の中性領域を形成する工程と、
    前記ゲート電極のゲート長方向の両側にサイドウォールを形成する工程と、
    前記サイドウォールから露出している前記浅い接合のソースおよび浅い接合のドレインに第１導電型不純物イオンを注入することによって、前記サイドウォールから露出している前記浅い接合のソースおよび浅い接合のドレインと前記中性領域とを、ソースおよびドレインに変える工程とを含むこと
    を特徴とするＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法。
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