JPH1126361A - アライメントマーク及びアライメントマーク用凹部の隠蔽方法 - Google Patents
アライメントマーク及びアライメントマーク用凹部の隠蔽方法Info
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- JPH1126361A JPH1126361A JP9187550A JP18755097A JPH1126361A JP H1126361 A JPH1126361 A JP H1126361A JP 9187550 A JP9187550 A JP 9187550A JP 18755097 A JP18755097 A JP 18755097A JP H1126361 A JPH1126361 A JP H1126361A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 破壊の心配が無い正確なアライメントマーク
を提供する。 【解決手段】 Ｓｉ基板１表面の酸化膜２，６に設けら
れた凹部１０にＡｌ配線層３を成膜することにより作成
されるアライメントマークａであって，Ｓｉ基板１表面
の金属ＳｉとＡｌ配線層３とを接触させないで作成され
ることを特徴としている。このアライメントマークａ
は，ＡｌとＳｉが反応する心配が無く，酸化膜２，６の
膜質も劣化されないので，Ａｌ配線層３表面のアライメ
ントマークａは破壊されない。
を提供する。 【解決手段】 Ｓｉ基板１表面の酸化膜２，６に設けら
れた凹部１０にＡｌ配線層３を成膜することにより作成
されるアライメントマークａであって，Ｓｉ基板１表面
の金属ＳｉとＡｌ配線層３とを接触させないで作成され
ることを特徴としている。このアライメントマークａ
は，ＡｌとＳｉが反応する心配が無く，酸化膜２，６の
膜質も劣化されないので，Ａｌ配線層３表面のアライメ
ントマークａは破壊されない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体デバイスの
製造過程で用いられる，シリコン（以下「Ｓｉ」）基板
に設けられたアライメントマークに関する。
製造過程で用いられる，シリコン（以下「Ｓｉ」）基板
に設けられたアライメントマークに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造過程では，フォト
リソグラフィーを利用した微細加工がなされる。このフ
ォトリソグラフィーは，例えばＳｉ基板表面にレジスト
膜を塗布形成する工程と，レジスト膜を所定の図形形状
に露光し，現像する工程を繰り返すことによって行われ
ている。このような工程を繰り返し行う際には，既にＳ
ｉ基板表面に作られた加工図形と，これから露光しよう
とする図形形状を厳密に位置合わせすることが必要であ
る。そこで従来より，Ｓｉ基板表面にアライメントマー
クを設けて相対的な位置合わせを行っている。
リソグラフィーを利用した微細加工がなされる。このフ
ォトリソグラフィーは，例えばＳｉ基板表面にレジスト
膜を塗布形成する工程と，レジスト膜を所定の図形形状
に露光し，現像する工程を繰り返すことによって行われ
ている。このような工程を繰り返し行う際には，既にＳ
ｉ基板表面に作られた加工図形と，これから露光しよう
とする図形形状を厳密に位置合わせすることが必要であ
る。そこで従来より，Ｓｉ基板表面にアライメントマー
クを設けて相対的な位置合わせを行っている。
【０００３】従来，アライメントマークは図４，５に示
すような方法によって作成されている。即ち，先ず図４
に示すように，Ｓｉ基板１’の表面に形成された酸化膜
２’をエッチングしてアライメントマーク用の凹部１
０’を所定の位置に設ける。次に図５に示すように，配
線材料であるアルミニウム（以下「Ａｌ」）をスパッタ
リング等によって成膜し，Ａｌ配線層３’を形成する。
こうしてＡｌ配線層３’の表面において凹部１０’に対
応する位置にアライメントマークａ’を作成している。
すような方法によって作成されている。即ち，先ず図４
に示すように，Ｓｉ基板１’の表面に形成された酸化膜
２’をエッチングしてアライメントマーク用の凹部１
０’を所定の位置に設ける。次に図５に示すように，配
線材料であるアルミニウム（以下「Ａｌ」）をスパッタ
リング等によって成膜し，Ａｌ配線層３’を形成する。
こうしてＡｌ配線層３’の表面において凹部１０’に対
応する位置にアライメントマークａ’を作成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで，このような
従来の方法によってアライメントマークａ’を作成した
場合，例えばプロセス時間や条件の変動によって酸化膜
２’に設けられた凹部１０’が深くなった場合は，Ａｌ
配線層３’がＳｉ基板１’表面の金属Ｓｉと直接接触す
ることになってしまう。ＡｌとＳｉは反応しやすく，特
にＡｌ配線層３’を高温で成膜したような場合はＡｌ−
Ｓｉ合金を生じる。このため従来は，Ａｌ配線層３’が
Ｓｉ基板１’表面の金属Ｓｉと接触したために，図６に
示すように，ＡｌとＳｉが激しく反応して反応層１１’
を生成し，その反応によって酸化膜２’の膜質を劣化さ
せて，アライメントマークａ’が破壊されるという問題
があった。
従来の方法によってアライメントマークａ’を作成した
場合，例えばプロセス時間や条件の変動によって酸化膜
２’に設けられた凹部１０’が深くなった場合は，Ａｌ
配線層３’がＳｉ基板１’表面の金属Ｓｉと直接接触す
ることになってしまう。ＡｌとＳｉは反応しやすく，特
にＡｌ配線層３’を高温で成膜したような場合はＡｌ−
Ｓｉ合金を生じる。このため従来は，Ａｌ配線層３’が
Ｓｉ基板１’表面の金属Ｓｉと接触したために，図６に
示すように，ＡｌとＳｉが激しく反応して反応層１１’
を生成し，その反応によって酸化膜２’の膜質を劣化さ
せて，アライメントマークａ’が破壊されるという問題
があった。
【０００５】従って，本発明の第１の目的は，破壊の心
配が無い正確なアライメントマークを提供することにあ
る。更に本発明の第２の目的は，既にＳｉ基板に形成さ
れているアライメントマークがＡｌとＳｉの反応によっ
て破壊されるのを防止することにある。
配が無い正確なアライメントマークを提供することにあ
る。更に本発明の第２の目的は，既にＳｉ基板に形成さ
れているアライメントマークがＡｌとＳｉの反応によっ
て破壊されるのを防止することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この第１の目的を達成す
るために，請求項１の発明では，Ｓｉ基板表面の酸化膜
に設けられた凹部にＡｌ配線層を成膜することにより作
成されるアライメントマークであって，Ｓｉ基板表面の
金属ＳｉとＡｌ配線層とを接触させないで作成されるこ
とを特徴としている。
るために，請求項１の発明では，Ｓｉ基板表面の酸化膜
に設けられた凹部にＡｌ配線層を成膜することにより作
成されるアライメントマークであって，Ｓｉ基板表面の
金属ＳｉとＡｌ配線層とを接触させないで作成されるこ
とを特徴としている。
【０００７】この請求項１のアライメントマークのよう
に，Ｓｉ基板表面の金属ＳｉとＡｌ配線層とを接触させ
ないでアライメントマークを作成すれば，ＡｌとＳｉが
反応する心配が無く，酸化膜の膜質も劣化されないの
で，Ａｌ配線層表面のアライメントマークは破壊されな
い。
に，Ｓｉ基板表面の金属ＳｉとＡｌ配線層とを接触させ
ないでアライメントマークを作成すれば，ＡｌとＳｉが
反応する心配が無く，酸化膜の膜質も劣化されないの
で，Ａｌ配線層表面のアライメントマークは破壊されな
い。
【０００８】この請求項１のアライメントマークの具体
的な構成は，例えば請求項２に記載したように，Ｓｉ基
板表面の酸化膜に更に第２の酸化膜を成膜してから凹部
を設け，更にＡｌ配線層を成膜することにより作成する
ことができる。このような構成によれば，エッチングな
どによってアライメントマーク用の凹部を設ける際に，
凹部の深さが多少深くなったとしても，Ｓｉ基板表面の
金属Ｓｉが露出する心配が少なく，Ａｌ配線層が金属Ｓ
ｉと接触しない。
的な構成は，例えば請求項２に記載したように，Ｓｉ基
板表面の酸化膜に更に第２の酸化膜を成膜してから凹部
を設け，更にＡｌ配線層を成膜することにより作成する
ことができる。このような構成によれば，エッチングな
どによってアライメントマーク用の凹部を設ける際に，
凹部の深さが多少深くなったとしても，Ｓｉ基板表面の
金属Ｓｉが露出する心配が少なく，Ａｌ配線層が金属Ｓ
ｉと接触しない。
【０００９】また請求項１のアライメントマークの具体
的な構成は，例えば請求項３に記載したように，Ｓｉ基
板表面に酸化膜を成膜してその上にＡｌ層を予め成膜し
てから酸化膜を成膜して凹部を設け，更にＡｌ配線層を
成膜することにより作成することもできる。このような
構成によれば，アライメントマーク用の凹部がＡｌ層を
突き抜ける心配がないので，Ｓｉ基板表面の金属Ｓｉが
露出することがなく，Ａｌ配線層が金属Ｓｉと接触しな
い。
的な構成は，例えば請求項３に記載したように，Ｓｉ基
板表面に酸化膜を成膜してその上にＡｌ層を予め成膜し
てから酸化膜を成膜して凹部を設け，更にＡｌ配線層を
成膜することにより作成することもできる。このような
構成によれば，アライメントマーク用の凹部がＡｌ層を
突き抜ける心配がないので，Ｓｉ基板表面の金属Ｓｉが
露出することがなく，Ａｌ配線層が金属Ｓｉと接触しな
い。
【００１０】また第２の目的を達成するために，請求項
４の発明は，Ｓｉ基板表面の酸化膜に更に第２の酸化膜
を成膜することにより，酸化膜に設けられたアライメン
トマーク用の凹部を埋めることを特徴とするアライメン
トマーク用凹部の隠蔽方法である。この請求項４の隠蔽
方法によれば，既にＳｉ基板表面の酸化膜に設けられて
いるアライメントマーク用の凹部が第２の酸化膜によっ
て埋められるので，その後に成膜されるＡｌ配線層がＳ
ｉ基板表面の金属Ｓｉに接触する心配がない。このた
め，ＡｌとＳｉが反応せず，既にＳｉ基板表面の酸化膜
に設けられているアライメントマーク用の凹部も破壊さ
れない。
４の発明は，Ｓｉ基板表面の酸化膜に更に第２の酸化膜
を成膜することにより，酸化膜に設けられたアライメン
トマーク用の凹部を埋めることを特徴とするアライメン
トマーク用凹部の隠蔽方法である。この請求項４の隠蔽
方法によれば，既にＳｉ基板表面の酸化膜に設けられて
いるアライメントマーク用の凹部が第２の酸化膜によっ
て埋められるので，その後に成膜されるＡｌ配線層がＳ
ｉ基板表面の金属Ｓｉに接触する心配がない。このた
め，ＡｌとＳｉが反応せず，既にＳｉ基板表面の酸化膜
に設けられているアライメントマーク用の凹部も破壊さ
れない。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態を図面に基づいて説明する。
態を図面に基づいて説明する。
【００１２】図１は，本発明の第１の実施の形態にかか
るアライメントマークａの構造を示す縦断面図である。
Ｓｉ基板１の表面には酸化膜２が形成されている。この
酸化膜２の形成は，例えば洗浄したＳｉ基板１の表面を
酸化させることによって行われる。酸化膜２の形成は，
例えば酸化炉中での熱酸化，室温での自然酸化などによ
って行われる。
るアライメントマークａの構造を示す縦断面図である。
Ｓｉ基板１の表面には酸化膜２が形成されている。この
酸化膜２の形成は，例えば洗浄したＳｉ基板１の表面を
酸化させることによって行われる。酸化膜２の形成は，
例えば酸化炉中での熱酸化，室温での自然酸化などによ
って行われる。
【００１３】この酸化膜２の上には，酸化膜４と酸化膜
５によって構成された第２の酸化膜６が更に成膜してあ
る。これら酸化膜４と酸化膜５の成膜は，例えばＣＶＤ
（化学蒸着）法などによって行われる。なお，この図１
に示した例では，第２の酸化膜６を酸化膜４と酸化膜５
の二層によって構成した例を示したが，第２の酸化膜６
は一層の酸化膜で構成しても良く，三層以上に構成して
も良い。
５によって構成された第２の酸化膜６が更に成膜してあ
る。これら酸化膜４と酸化膜５の成膜は，例えばＣＶＤ
（化学蒸着）法などによって行われる。なお，この図１
に示した例では，第２の酸化膜６を酸化膜４と酸化膜５
の二層によって構成した例を示したが，第２の酸化膜６
は一層の酸化膜で構成しても良く，三層以上に構成して
も良い。
【００１４】そして，この第２の酸化膜６に凹部１０が
設けられている。この凹部１０は，例えばＦ（フッ素）
系のエッチングガスを用いたエッチングを行うことによ
り，所定の位置に設けることができる。
設けられている。この凹部１０は，例えばＦ（フッ素）
系のエッチングガスを用いたエッチングを行うことによ
り，所定の位置に設けることができる。
【００１５】また，第２の酸化膜６の上には，Ａｌ配線
層３が成膜されている。このＡｌ配線層３は，例えば配
線材料であるＡｌをスパッタリング等することによって
成膜される。そして，このように第２の酸化膜６の上に
Ａｌ配線層３を成膜したことにより，Ａｌ配線層３の表
面には凹部１０に対応する位置にアライメントマークａ
が作成されている。
層３が成膜されている。このＡｌ配線層３は，例えば配
線材料であるＡｌをスパッタリング等することによって
成膜される。そして，このように第２の酸化膜６の上に
Ａｌ配線層３を成膜したことにより，Ａｌ配線層３の表
面には凹部１０に対応する位置にアライメントマークａ
が作成されている。
【００１６】従って，この図１に示した実施の形態によ
れば，エッチングなどによってアライメントマーク用の
凹部１０を設ける際に，凹部１０の深さが多少深くなっ
たとしても，Ｓｉ基板１の表面に形成された酸化膜２の
上に第２の酸化膜６が更に成膜してあるので，Ｓｉ基板
１表面の金属Ｓｉが露出する心配が少ない。なお，エッ
チングのプロセス時間や条件の変動などによってアライ
メントマーク用の凹部１０の深さが深くなる可能性が強
い場合は，第２の酸化膜６の層の数を増やすことなどに
よって第２の酸化膜６の厚さを更に厚くすればよい。
れば，エッチングなどによってアライメントマーク用の
凹部１０を設ける際に，凹部１０の深さが多少深くなっ
たとしても，Ｓｉ基板１の表面に形成された酸化膜２の
上に第２の酸化膜６が更に成膜してあるので，Ｓｉ基板
１表面の金属Ｓｉが露出する心配が少ない。なお，エッ
チングのプロセス時間や条件の変動などによってアライ
メントマーク用の凹部１０の深さが深くなる可能性が強
い場合は，第２の酸化膜６の層の数を増やすことなどに
よって第２の酸化膜６の厚さを更に厚くすればよい。
【００１７】図２は，本発明の第２の実施の形態にかか
るアライメントマークａの構造を示す縦断面図である。
Ｓｉ基板１の表面には，熱酸化や自然酸化などによって
酸化膜２が形成されている。
るアライメントマークａの構造を示す縦断面図である。
Ｓｉ基板１の表面には，熱酸化や自然酸化などによって
酸化膜２が形成されている。
【００１８】この酸化膜２の上には，Ａｌ層７が成膜さ
れている。このＡｌ層７も，先に説明したＡｌ配線層３
と同様に，例えばＡｌをスパッタリング等することによ
って成膜される。
れている。このＡｌ層７も，先に説明したＡｌ配線層３
と同様に，例えばＡｌをスパッタリング等することによ
って成膜される。
【００１９】このＡｌ層７の上には，第２の酸化膜６が
更に成膜してある。この第２の酸化膜６の成膜も，先と
同様に例えばＣＶＤ（化学蒸着）法などによって行われ
る。なお，この図２に示した例では，第２の酸化膜６を
一層に構成した例を示したが，第２の酸化膜６を二層以
上に構成しても良い。
更に成膜してある。この第２の酸化膜６の成膜も，先と
同様に例えばＣＶＤ（化学蒸着）法などによって行われ
る。なお，この図２に示した例では，第２の酸化膜６を
一層に構成した例を示したが，第２の酸化膜６を二層以
上に構成しても良い。
【００２０】そして，この第２の酸化膜６に凹部１０が
設けられている。この凹部１０も，先と同様に例えばＦ
（フッ素）系のエッチングガスを用いたエッチングを行
うことにより，所定の位置に設けることができる。
設けられている。この凹部１０も，先と同様に例えばＦ
（フッ素）系のエッチングガスを用いたエッチングを行
うことにより，所定の位置に設けることができる。
【００２１】また，第２の酸化膜６の上には，Ａｌ配線
層３が成膜されている。このＡｌ配線層３も，先と同様
に例えば配線材料であるＡｌをスパッタリング等するこ
とによって成膜される。そして，このように第２の酸化
膜６の上にＡｌ配線層３を成膜したことにより，Ａｌ配
線層３の表面には凹部１０に対応する位置にアライメン
トマークａが作成されている。
層３が成膜されている。このＡｌ配線層３も，先と同様
に例えば配線材料であるＡｌをスパッタリング等するこ
とによって成膜される。そして，このように第２の酸化
膜６の上にＡｌ配線層３を成膜したことにより，Ａｌ配
線層３の表面には凹部１０に対応する位置にアライメン
トマークａが作成されている。
【００２２】従って，この図２に示した実施の形態によ
れば，アライメントマーク用の凹部１０を設ける際に，
第２の酸化膜６をエッチングするために用いられるＦ
（フッ素）系のエッチングガスはＡｌ層７をエッチング
できないので，凹部１０を設ける際に，Ａｌ層７が一種
のバリアとなって，Ｓｉ基板１表面の金属Ｓｉが露出す
る心配がない。
れば，アライメントマーク用の凹部１０を設ける際に，
第２の酸化膜６をエッチングするために用いられるＦ
（フッ素）系のエッチングガスはＡｌ層７をエッチング
できないので，凹部１０を設ける際に，Ａｌ層７が一種
のバリアとなって，Ｓｉ基板１表面の金属Ｓｉが露出す
る心配がない。
【００２３】これら第１，２のいずれの実施の形態によ
っても，凹部１０を設ける際にＳｉ基板１表面の金属Ｓ
ｉが露出する心配がないので，Ａｌ配線層３が金属Ｓｉ
と接触しない。このため，ＡｌとＳｉが反応する心配が
無く，酸化膜２や第２の酸化膜６の膜質も劣化されない
ので，アライメントマークａは破壊されない。従って，
正確なアライメントマークａを作成できるようになる。
なお，図２で説明したように，Ａｌ層７をＳｉ基板１表
面に成膜させる場合は，Ｓｉ基板１の表面に酸化膜２を
形成しておくことによって，Ａｌ層３が金属Ｓｉと直接
接触しないようにすることが望ましい。
っても，凹部１０を設ける際にＳｉ基板１表面の金属Ｓ
ｉが露出する心配がないので，Ａｌ配線層３が金属Ｓｉ
と接触しない。このため，ＡｌとＳｉが反応する心配が
無く，酸化膜２や第２の酸化膜６の膜質も劣化されない
ので，アライメントマークａは破壊されない。従って，
正確なアライメントマークａを作成できるようになる。
なお，図２で説明したように，Ａｌ層７をＳｉ基板１表
面に成膜させる場合は，Ｓｉ基板１の表面に酸化膜２を
形成しておくことによって，Ａｌ層３が金属Ｓｉと直接
接触しないようにすることが望ましい。
【００２４】図３は，本発明の第３の実施の形態にかか
るアライメントマーク用凹部の隠蔽方法を説明するため
のＳｉ基板１の縦断面図である。このＳｉ基板１の表面
には，熱酸化や自然酸化などによって酸化膜２が形成さ
れている。そして，この酸化膜２には，エッチングなど
の手段によって形成された凹部１０が設けられている。
なお，このようなＳｉ基板１の構成は，先に図４で説明
した従来例と同様である。
るアライメントマーク用凹部の隠蔽方法を説明するため
のＳｉ基板１の縦断面図である。このＳｉ基板１の表面
には，熱酸化や自然酸化などによって酸化膜２が形成さ
れている。そして，この酸化膜２には，エッチングなど
の手段によって形成された凹部１０が設けられている。
なお，このようなＳｉ基板１の構成は，先に図４で説明
した従来例と同様である。
【００２５】このようにＳｉ基板１表面を酸化すること
によって形成された酸化膜２に凹部１０を直接エッチン
グ等により設けた場合は，酸化膜２の厚さが比較的薄い
ために，例えばプロセス時間や条件の変動によって凹部
１０が深くなった場合は，Ｓｉ基板１表面の金属Ｓｉが
露出する心配がある。従って，このような凹部１０をそ
のままの状態にして酸化膜２の表面にＡｌ配線層３を形
成した場合は，Ａｌ配線層３がＳｉ基板１表面の金属Ｓ
ｉと直接接触して，先に図４〜６で説明したような問題
を生じてしまう。
によって形成された酸化膜２に凹部１０を直接エッチン
グ等により設けた場合は，酸化膜２の厚さが比較的薄い
ために，例えばプロセス時間や条件の変動によって凹部
１０が深くなった場合は，Ｓｉ基板１表面の金属Ｓｉが
露出する心配がある。従って，このような凹部１０をそ
のままの状態にして酸化膜２の表面にＡｌ配線層３を形
成した場合は，Ａｌ配線層３がＳｉ基板１表面の金属Ｓ
ｉと直接接触して，先に図４〜６で説明したような問題
を生じてしまう。
【００２６】そこで，この第３の実施の形態では，この
ように凹部１０が形成された酸化膜２に，更に第２の酸
化膜６を成膜することにより，酸化膜２に設けられた凹
部１０を埋めることを特徴とする。なお，第２の酸化膜
６の成膜は，先と同様に例えばＣＶＤ（化学蒸着）法な
どによって行うことができる。
ように凹部１０が形成された酸化膜２に，更に第２の酸
化膜６を成膜することにより，酸化膜２に設けられた凹
部１０を埋めることを特徴とする。なお，第２の酸化膜
６の成膜は，先と同様に例えばＣＶＤ（化学蒸着）法な
どによって行うことができる。
【００２７】この方法によれば，その後，Ａｌ配線層３
を成膜した場合であっても，既に凹部１０が第２の酸化
膜６によって埋められるので，Ａｌ配線層３がＳｉ基板
１表面の金属Ｓｉに接触する心配がない。このため，Ａ
ｌとＳｉが反応せず，酸化膜２に設けられているアライ
メントマーク用の凹部１０も破壊されない。
を成膜した場合であっても，既に凹部１０が第２の酸化
膜６によって埋められるので，Ａｌ配線層３がＳｉ基板
１表面の金属Ｓｉに接触する心配がない。このため，Ａ
ｌとＳｉが反応せず，酸化膜２に設けられているアライ
メントマーク用の凹部１０も破壊されない。
【００２８】
【発明の効果】本発明のアライメントマークによれば，
Ｓｉ基板表面の金属ＳｉとＡｌ配線層とが接触しないの
で，ＡｌとＳｉが反応せず，酸化膜の膜質も劣化されな
いので，Ａｌ配線層表面のアライメントマークは破壊さ
れない。このため，破壊の心配が無い正確なアライメン
トマークを提供できる。
Ｓｉ基板表面の金属ＳｉとＡｌ配線層とが接触しないの
で，ＡｌとＳｉが反応せず，酸化膜の膜質も劣化されな
いので，Ａｌ配線層表面のアライメントマークは破壊さ
れない。このため，破壊の心配が無い正確なアライメン
トマークを提供できる。
【００２９】また本発明の隠蔽方法によれば，既にＳｉ
基板表面の酸化膜に設けられているアライメントマーク
用の凹部が第２の酸化膜によって埋められるので，その
後に成膜されるＡｌ配線層がＳｉ基板表面の金属Ｓｉに
接触する心配がない。このため，ＡｌとＳｉが反応せ
ず，既にＳｉ基板表面の酸化膜に設けられているアライ
メントマーク用の凹部も破壊されない。
基板表面の酸化膜に設けられているアライメントマーク
用の凹部が第２の酸化膜によって埋められるので，その
後に成膜されるＡｌ配線層がＳｉ基板表面の金属Ｓｉに
接触する心配がない。このため，ＡｌとＳｉが反応せ
ず，既にＳｉ基板表面の酸化膜に設けられているアライ
メントマーク用の凹部も破壊されない。
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかるアライメン
トマークの構造を示す縦断面図である。
トマークの構造を示す縦断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態にかかるアライメン
トマークの構造を示す縦断面図である。
トマークの構造を示す縦断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態にかかるアライメン
トマーク用凹部の隠蔽方法を説明するためのＳｉ基板の
縦断面図である。
トマーク用凹部の隠蔽方法を説明するためのＳｉ基板の
縦断面図である。
【図４】従来のアライメントマークの作成手順を示す説
明図である。
明図である。
【図５】従来のアライメントマークの作成手順を示す説
明図である。
明図である。
【図６】ＡｌとＳｉの反応によってアライメントマーク
が破壊された状態を示す説明図である。
が破壊された状態を示す説明図である。
ａ アライメントマーク １ Ｓｉ基板 ２ 酸化膜 ３ Ａｌ配線層 ６ 第２の酸化膜 ７ Ａｌ層 １０ 凹部
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｓｉ基板表面の酸化膜に設けられた凹部
にＡｌ配線層を成膜することにより作成されるＡｌ配線
層表面のアライメントマークであって，Ｓｉ基板表面の
金属ＳｉとＡｌ配線層とを接触させないで作成されるこ
とを特徴とするアライメントマーク。 - 【請求項２】 Ｓｉ基板表面の酸化膜に更に第２の酸化
膜を成膜してから凹部を設け，更にＡｌ配線層を成膜す
ることにより作成されることを特徴とする請求項１に記
載のアライメントマーク。 - 【請求項３】 Ｓｉ基板表面にＡｌ層を予め成膜してか
ら酸化膜を成膜して凹部を設け，更にＡｌ配線層を成膜
することにより作成されることを特徴とする請求項１に
記載のアライメントマーク。 - 【請求項４】 Ｓｉ基板表面の酸化膜に更に第２の酸化
膜を成膜することにより，酸化膜に設けられたアライメ
ントマーク用の凹部を埋めることを特徴とするアライメ
ントマーク用凹部の隠蔽方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187550A JPH1126361A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | アライメントマーク及びアライメントマーク用凹部の隠蔽方法 |
| TW087109854A TW434719B (en) | 1997-06-27 | 1998-06-19 | Formation of alignment mark and structure covering the same |
| EP98111475A EP0887860B1 (en) | 1997-06-27 | 1998-06-22 | Formation of alignment mark and structure covering the same |
| US09/100,876 US6037670A (en) | 1997-06-27 | 1998-06-22 | Alignment mark and structure covering the same |
| DE69829803T DE69829803T2 (de) | 1997-06-27 | 1998-06-22 | Herstellungsverfahren für eine Ausrichtungsmarkierung und Struktur mit einer solchen Markierung |
| KR10-1998-0024450A KR100453527B1 (ko) | 1997-06-27 | 1998-06-26 | 얼라인먼트마크의형성및그것을은폐하는구조 |
| US09/626,799 US6410401B1 (en) | 1997-06-27 | 2000-07-26 | Formation of an alignment mark in the surface of an aluminum layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187550A JPH1126361A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | アライメントマーク及びアライメントマーク用凹部の隠蔽方法 |
Publications (1)
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Family
ID=16208051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9187550A Pending JPH1126361A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | アライメントマーク及びアライメントマーク用凹部の隠蔽方法 |
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| EP (1) | EP0887860B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1126361A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2009004793A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Dongbu Hitek Co Ltd | 半導体素子のアライメントキー形成方法 |
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- 1998-06-22 EP EP98111475A patent/EP0887860B1/en not_active Expired - Lifetime
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- 1998-06-26 KR KR10-1998-0024450A patent/KR100453527B1/ko not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| KR19990007399A (ko) | 1999-01-25 |
| DE69829803T2 (de) | 2006-03-02 |
| EP0887860A1 (en) | 1998-12-30 |
| EP0887860B1 (en) | 2005-04-20 |
| DE69829803D1 (de) | 2005-05-25 |
| TW434719B (en) | 2001-05-16 |
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|---|---|---|---|
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050208 |