JPH11304719A - レティクル検査装置 - Google Patents

レティクル検査装置

Info

Publication number
JPH11304719A
JPH11304719A JP11504998A JP11504998A JPH11304719A JP H11304719 A JPH11304719 A JP H11304719A JP 11504998 A JP11504998 A JP 11504998A JP 11504998 A JP11504998 A JP 11504998A JP H11304719 A JPH11304719 A JP H11304719A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nth
image
reticle
pattern
frames
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11504998A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3201471B2 (ja
Inventor
Naohisa Takayama
尚久 高山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP11504998A priority Critical patent/JP3201471B2/ja
Priority to US09/296,266 priority patent/US6400839B1/en
Priority to DE69933609T priority patent/DE69933609T2/de
Priority to EP99107388A priority patent/EP0952488B1/en
Priority to TW088106514A priority patent/TW470850B/zh
Priority to KR1019990014718A priority patent/KR100320885B1/ko
Publication of JPH11304719A publication Critical patent/JPH11304719A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3201471B2 publication Critical patent/JP3201471B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レティクルのパターン外観検査時間を短縮し
た検査装置を提供する。 【解決手段】 XYステージ部3にセットされたレティ
クルのパターンを、第1乃至第N(Nは2以上の整数)
のフレームを有する撮像された画像パターンとして撮像
する撮像光学系4、5と、第1乃至第Nの画像比較部7
1〜74と、撮像された画像パターンの第1乃至第Nの
フレームを順次第1乃至第Nの画像比較部71〜74に
分配する分配部6と、レティクルの描画時に使用したC
ADデータを、撮像された画像パターンの第1乃至第N
のフレームに対応した第1乃至第Nの中間デ一タに変換
し、第1乃至第Nの中間デ一タを順次第1乃至第Nの画
像比較部71〜74に予め転送する検査制御部1とを有
し、第1乃至第Nの画像比較部71〜74は、撮像され
た画像パターンの第1乃至第Nのフレームを、第1乃至
第Nの中間デ一タから生成した第1乃至第Nの参照画像
にそれぞれ比較する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路製造用レ
ティクルのパターン外観検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】LSI(large-scale integrated circui
t)製造用レティクルの外観検査方法としては、2つの方
法がある。これら2つの方法の内の一方は、同一レティ
クル上の異なる場所の同一パターンを比較する「ダイ・
トゥ・ダイ検査」による方法であり、前記2つの方法の
内の他方は、レティクルパターンを描画する時に使用し
たCAD(Computor Aided Design) データと比較する
「ダイ・トゥ・データベース検査」による方法である。
【0003】ここで、「ダイ(die) 」とは、パターン比
較検査の単位となる、あるひとまとまりのパターンエリ
ア又はその検出画像を意味しており、又、「データベー
ス」とは、光学系で検出される実際のパターン画像に対
して、作画CADデータより合成する参照画像のことを
意味している。
【0004】従来のレティクル検査装置は、レティクル
をセットするXYステージ部と、XYステージ部にセッ
トされたレティクルのパターンを撮像画像として撮像す
る撮像光学系と、撮像光学系から撮像画像を取得する画
像入力部と、前記レティクルの描画時に使用したCAD
データを参照画像に変換するデータ変換部と、撮像画像
と参照画像を比較して、パターンの欠陥(defect)検出を
行う画像比較部と、装置全体の制御を行う制御部とで構
成されているのが一般的である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この従来のレティクル
検査装置は、レティクルがセットされたステージ部を移
動させて、レティクル上のパターンの1フレーム分の画
像を撮像光学系と画像入力部で取得し、取得画像を画像
比較部に転送する。一方、参照画像は、予め、データ変
換部でCADデータから参照画像に変換され、画像に同
期して画像比較部に送られる。画像比較部では、画像と
参照画像を比較して欠陥を検出する。
【0006】なお、ここで言う1フレームとは、画像比
較部で一度に処理できる画像の単位である。
【0007】ところが、通常、撮像光学系と画像入力部
での画像取得時間に比べ、画像入力部から画像比較部へ
の転送時間、CADデータのデータ変換時間及び欠陥検
出の画像処理時間が格段に長いため、従来のレティクル
検査装置の構成では画像入力部で次のフレームの画像を
取得しても、前フレームの一連の欠陥検出処理が終わっ
ていないと、次フレームの画像を転送することができず
に待ち時間が生じてしまう。
【0008】このため、ステージ部の移動速度を遅くし
て画像の取得時間を遅らせる等の方法で時間調整を行っ
ているため、全体の検査時間が長くなるという問題点が
ある。
【0009】それ故、本発明の課題は、集積回路製造用
レティクルのパターン外観検査時間を短縮することがで
きるレティクル検査装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の態様によ
れば、集積回路製造用レティクルのパターンの欠陥を検
出するレティクル検査装置において、前記レティクルを
セットするXYステージ部と、前記XYステージ部にセ
ットされた前記レティクルのパターンを、第1乃至第N
(Nは2以上の整数)のフレームを有する撮像された画
像パターンとして撮像する一つの撮像光学系と、第1乃
至第Nの画像比較部と、前記撮像された画像パターンの
前記第1乃至前記第Nのフレームを順次前記第1乃至前
記第Nの画像比較部に分配する分配部と、前記レティク
ルを描画する際に使用したCAD(Computor Aided Desi
gn) データを、前記撮像された画像パターンの前記第1
乃至前記第Nのフレームに対応した第1乃至第Nの中間
デ一タに変換し、前記第1乃至前記第Nの中間デ一タを
順次前記第1乃至前記第Nの画像比較部に予め転送する
検査制御部とを、有し、前記第1乃至前記第Nの画像比
較部は、前記撮像された画像パターンの前記第1乃至前
記第Nのフレームを、前記第1乃至前記第Nの中間デ一
タから生成した第1乃至第Nの参照画像にそれぞれ比較
し、前記撮像された画像パターンの前記第1乃至前記第
Nのフレームの欠陥をそれぞれ検出することを特徴とす
るレティクル検査装置が得られる。
【0011】本発明の第2の態様によれば、上記第1の
態様によるレティクル検査装置において、前記撮像光学
系は、レーザスキャン光学系と透過光検出器とを有し、
前記レーザスキャン光学系において、レーザビームを前
記XYステージ部にセットされた前記レティクル面上の
Y方向に走査すると共に、前記XYステージ部を前記Y
方向に直交したX方向に移動させ、前記レーザビームが
前記レティクルを透過することにより得られた透過光を
前記透過検出器で検出して、前記撮像された画像パター
ンの前記第1乃至前記第Nのフレームの各々を、二次元
の画像パターンとして取得することを特徴とするレティ
クル検査装置が得られる。
【0012】本発明の第3の態様によれば、上記第1の
態様によるレティクル検査装置において、前記第1乃至
前記第Nの画像比較部は、前記撮像された画像パターン
の前記第1乃至前記第Nのフレームの欠陥をそれぞれ検
出することにより得られた検出結果を前記検査制御部に
転送することを特徴とするレティクル検査装置が得られ
る。
【0013】本発明の第4の態様によれば、上記第1の
態様によるレティクル検査装置において、前記分配部
は、前記撮像された画像パターンの前記第1乃至前記第
Nのフレームをそれぞれ一時的に記憶する第1乃至第N
のフレームバッファメモリを備え、前記分配部は、前記
第1乃至前記第Nのフレームバッファにそれぞれ記憶さ
れた前記第1乃至前記第Nのフレームを順次前記第1乃
至前記第Nの画像比較部に分配することを特徴とするレ
ティクル検査装置が得られる。
【0014】本発明の第5の態様によれば、集積回路製
造用レティクルの互いに隣接する参照ダイ及び比較ダイ
のパターンを互いに比較し、これらパターンの欠陥を検
出するレティクル検査装置において、前記レティクルを
セットするXYステージ部と、前記XYステージ部にセ
ットされた前記レティクルの前記参照ダイのパターン
を、第1乃至第N(Nは2以上の整数)のフレームを有
する撮像された参照ダイパターンとして撮像し、続い
て、前記XYステージ部にセットされた前記レティクル
の前記比較ダイのパターンを、第1乃至第Nのフレーム
を有する撮像された比較ダイパターンとして撮像する一
つの撮像光学系と、第1乃至第Nの画像比較部と、前記
撮像された参照ダイパターンの前記第1乃至前記第Nの
フレームを順次前記第1乃至前記第Nの画像比較部に分
配し、続いて、前記撮像された比較ダイパターンの前記
第1乃至前記第Nのフレームを順次前記第1乃至前記第
Nの画像比較部に分配する分配部とを、有し、前記第1
乃至前記第Nの画像比較部は、前記撮像された参照ダイ
パターンの前記第1乃至前記第Nのフレームを、それぞ
れ、第1乃至第Nの記憶されたフレームとして記憶する
第1乃至第Nのダイメモリをそれぞれ有し、前記第1乃
至前記第Nの画像比較部は、前記撮像された参照ダイパ
ターンの前記第1乃至前記第Nのフレームに続いて転送
されてくる前記撮像された比較ダイパターンの前記第1
乃至前記第Nのフレームを、前記記憶された前記第1乃
至前記第Nのフレームにそれぞれ比較し、前記撮像され
た参照ダイパターンの前記第1乃至前記第Nのフレーム
及び前記撮像された比較ダイパターンの前記第1乃至前
記第Nのフレーム間の欠陥をそれぞれ検出することを特
徴とするレティクル検査装置が得られる。
【0015】本発明の第6の態様によれば、上記第5の
態様によるレティクル検査装置において、前記撮像光学
系は、レーザスキャン光学系と透過光検出器とを有し、
前記レーザスキャン光学系において、レーザビームを前
記XYステージ部にセットされた前記レティクル面上の
Y方向に走査すると共に、前記XYステージ部を前記Y
方向に直交したX方向に移動させ、前記レーザビームが
前記レティクルを透過することにより得られた透過光を
前記透過検出器で検出して、前記撮像された参照ダイパ
ターンの前記第1乃至前記第Nのフレーム及び前記撮像
された比較ダイパターンの前記第1乃至前記第Nのフレ
ームの各々を、二次元の画像パターンとして取得するこ
とを特徴とするレティクル検査装置が得られる。
【0016】本発明の第7の態様によれば、上記第5の
態様によるレティクル検査装置において、前記分配部
は、前記撮像された参照ダイパターンの前記第1乃至前
記第Nのフレームをそれぞれ一時的に記憶する第1乃至
第Nのフレームバッファメモリを備え、前記分配部は、
前記第1乃至前記第Nのフレームバッファにそれぞれ記
憶された前記撮像された参照ダイパターンの前記第1乃
至前記第Nのフレームを順次前記第1乃至前記第Nの画
像比較部に分配し、前記第1乃至前記第Nのフレームバ
ッファは、続いて、前記撮像された比較ダイパターンの
前記第1乃至前記第Nのフレームをそれぞれ一時的に記
憶し、前記分配部は、前記第1乃至前記第Nのフレーム
バッファにそれぞれ記憶された前記撮像された比較ダイ
パターンの前記第1乃至前記第Nのフレームを順次前記
第1乃至前記第Nの画像比較部に分配することを特徴と
するレティクル検査装置が得られる。
【0017】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例について図面
を参照して説明する。
【0018】図1を参照すると、本発明の一実施例によ
るレティクル検査装置は、レティクルをセットするXY
ステージ部3と、XYステージ部3にセットされたレテ
ィクルのパターンを撮像画像として撮像する撮像光学系
とを有する。この撮像光学系は、後に述べられるレーザ
スキャン光学系4及び透過光検出部5を有する。
【0019】画像入力分配部6は、撮像画像のパターン
を1フレームごとに分配し、複数の画像比較部71〜7
4に順次送出する。複数の画像比較部71〜74の各々
は、後に述べられるように、参照画像の生成及びパター
ンの欠陥検出を行う。
【0020】検査制御部1は、前記レティクルの描画時
に使用したCADデータを中間データに変換し、複数の
画像比較部71〜74に分配する機能(後述する)及び
複数の画像比較部71〜74において検出された欠陥情
報を検査結果出力として出力する機能(後述する)を有
する。
【0021】全体制御部2は、XYステージ部3、前記
撮像光学系のレーザスキャン光学系4、画像入力分配部
6、及び検査制御部1を制御する。
【0022】このレティクル検査装置においては、検査
前処理として、検査制御部1では、前記レティクルの描
画時のCADデータを取得し、1フレームごとの参照画
像の中間データに変換して、画像比較部71〜74に順
次転送しておく。
【0023】ここで言う中間データとは、参照画像(ビ
ットマップ)に展開が容易な圧縮されたデータである。
【0024】一旦中間データに変換する理由は、CAD
データを参照画像(ビットマップ)に展開してしまう
と、転送に時間がかかるばかりでなく、膨大なメモリが
必要となり、ハードウェアが高価なものになってしまう
ためである。
【0025】検査が開始されると、まず、画像は撮像光
学系(レーザスキャン光学系4及び透過光検出部5)と
画像入力分配部6で1フレーム毎に取得され、順次チャ
ンネルを切り替えて画像比較部71〜74に送られる。
画像比較部71〜74の各々は、画像転送に同期して中
間データより参照画像を生成し、転送された画像と参照
画像を比較して欠陥を検出する。
【0026】画像入力分配部6は、最後のチャンネルま
で画像が分配されると、再び最初のチャンネルに戻って
分配を開始し、以降、サイクリックに分配を繰り返す。
【0027】したがって、この1サイクル時間以内に、
画像比較部71〜74の各々では一連の欠陥検出を行う
ことになり、チャンネル数が多いほど個々の画像比較部
71〜74での処理時間を長くできる。
【0028】つまり、このレティクル検査装置によれ
ば、上述した従来のレティクル検査装置において、時間
のかかっていた画像入力部から画像比較部への転送、C
ADデータのデータ変換、及び欠陥検出を多重化し、1
フレームの画像取得ごとに順次チャンネルを切り替えて
複数の画像比較部に送ることにより、画像入力部の待ち
時間をなくして全体の検査時間を短くすることができ
る。
【0029】図2を参照すると、図1のレティクル検査
装置の詳細が示されている。
【0030】前述したように、レティクルのパターン外
観検査方法は、「ダイ・トゥ・データベース検査」と
「ダイ・トゥ・ダイ検査」の二種類あるが、まず、取得
した画像とレティクルパターンを描画するときに使用し
たCADデータと比較する「ダイ・トゥ・データベース
検査」の場合の図2のレティクル検査装置の動作につい
て説明する。
【0031】全体制御部2の全体制御CPU(central p
rocessing uint) 21は、「ダイ・トゥ・データベース
検査」の開始前に以下に述べる検査前処理を検査制御部
1に行わせる。
【0032】即ち、検査制御部1では、検査前処理とし
て、検査するレティクルを描画するときに使用したCA
DデータをCADデータ入力部11で取得し、CADデ
ータをデータ変換部12で1フレームごとの参照画像中
間データに検査制御CPU14の制御下で順次変換し、
1フレームごとの参照画像中間データを共有メモリ15
を介して順次画像比較部71〜74に転送しておく。検
査制御CPU14は、この検査前処理が終了すると、検
査前処理の終了を全体制御部2の全体制御CPU21に
通知する。
【0033】全体制御部2の全体制御CPU21は、検
査前処理の終了の通知を受けると、「ダイ・トゥ・デー
タベース検査」を開始する。即ち、全体制御CPU21
は、ステージ制御部22及び光学系制御部23に指令を
送り、XYステージ部3及びレーザスキャン光学系4に
画像の取得を開始させる。
【0034】図2に加えて図3をも参照して、XYステ
ージ部3上のレティクルの、たとえば、第1検査領域の
第1フレーム(FR1) から第8フレーム(FR8) まで取得す
るには、XYステージ部3をX方向に定速に移動させ、
X方向の一定ピッチ移動ごとにレーザスキャン光学系4
によりレーザ光をY方向にスキャンし(図3の拡大部参
照)、透過光を透過光検出部5で検出すれば、2次元の
画像が取得できる。続いて、第2検査領域を取得するに
は、XYステージ部3をY方向に一定ピッチ移動させて
から、同様の操作を行う。この一連の操作を繰り返して
レティクル全面の画像を比較ダイ(比較Die)として
取得する。取得された画像は透過光検出部5で検出され
て、画像入力分配部6に送出される。
【0035】図2に加えて図4をも参照して、画像入力
分配部6では、取得された画像(FR1〜FR8)は画像入力部
61に FR1 INPUT〜 FR8 INPUTとして入力され、タイミ
ング生成部62の制御により順次フレームごとに分割さ
れて、フレームバッファ(フレームバッファメモリ)6
31〜634に順次 FR1 WT 〜FR4 WT(FR5 WT〜 FR8W
T)として書き込まれる。
【0036】タイミング生成部62には、あらかじめ全
体制御CPU21より1フレームのスキャンライン数及
びフレーム間の重複ライン数(図3の拡大部)が設定さ
れており、全体制御CPU21からの画像取得開始信号
により画像取得を開始し、入力されたライン数を監視し
て、フレームバッファ631〜634のうち、取得画像
を書き込むフレームバッファを選択する。
【0037】このとき、隣り合うフレームの重複ライン
数分は同時に2つのフレームバッファに書き込まれる事
になる。
【0038】重複ライン数が必要な理由は、隣り合うフ
レームが画像比較部71〜74の別の2つで処理される
ため、欠陥が丁度フレームとフレームの分かれ目に存在
した場合、周辺の情報が失われ欠陥を判別することがで
きなくなる問題を回避するためである。
【0039】最初に取り込まれたフレーム(FR1) は、チ
ャンネル1(CH1) 転送用のフレームバッファ631にFR
1 WTとして書き込まれ、書込が終了すると同時にフレー
ムバッファ(FR BUFF) 631から画像比較部71のフレ
ームメモリ(FR MEM)712へ転送が開始される。
【0040】画像入力部61は待ち時間なしに次のフレ
ーム(FR2) を取得し、チャンネル2(CH2) 転送用のフレ
ームバッファ632にFR2 WTとして書込を行い、以降順
次フレームバッファを切り替えてフレームバッファ63
4まで書込を行う。
【0041】フレームバッファ634への書込が終了す
ると再びフレームバッファ631へ戻り、サイクリック
に画像取得、書込、転送を行う。したがって、あるフレ
ームバッファに書込が行われてから再びそのフレームバ
ッファに書込が行われるまでの時間が1フレームの画像
処理時間(サイクル時間)に相当し、画像比較部71〜
74の各々はサイクル時間中に必ず処理を終了させる必
要がある。
【0042】一方、比較される参照画像は、画像比較部
71〜74内の参照画像生成部713、723、73
3、743で共有メモリ714、724、734、74
4内の参照画像データからフレーム比較処理ごとにリア
ルタイムに生成される。前述したように検査前処理とし
て、データ変換部12でCADデータから展開が容易な
中間データにデータ変換され、中間データは共有メモリ
15を介して画像比較部71〜74の各々の共有メモリ
714、724、734、744に参照画像データとし
て転送されている。
【0043】以降、画像比較部71の処理を説明する
が、他の画像比較部72〜74も同様の処理を非同期で
行うことになる。
【0044】検査が開始されると、参照画像生成部71
3では、最初のフレーム(FR1) の参照画像中間データを
共有メモリ714から取り出し、参照画像データをビッ
トマップに展開し、ぼかし処理を行って参照画像を生成
しておく。ぼかし処理は、参照画像を、取得した画像に
近づけるために必要な処理である。
【0045】最初のフレーム(FR1) の画像がフレームメ
モリ712に転送されると、参照画像も、最初のフレー
ム(FR1) の画像と同期して、参照画像生成部713から
画像処理部715に送られる。
【0046】参照画像生成部713は、画像処理部71
5への参照画像の送出が終わると、すぐに次のフレーム
(FR5) の参照画像中間データを共有メモリ714から取
り出し、参照画像の生成を行う。つまり、画像生成部7
13では次に比較を行うフレームの参照画像を常に先行
して生成しておき、画像処理部715での待ち時間が発
生しないように構成されている。
【0047】画像処理部715では、フレームメモリ7
12に転送された画像と参照画像生成部713で生成さ
れた参照画像をフレーム単位で比較して欠陥検出を行
い、結果を共有メモリ714を介して検査制御CPU1
4に送る。
【0048】検査制御CPU14では、画像比較部71
〜74の各々から送られてくる欠陥検出結果をフレーム
の重複ライン数を考慮して集計し、レティクル全体の欠
陥情報を生成して結果出力部13より出力する。
【0049】次に、同一レティクル上の異なる場所の同
一パターンを比較する「ダイ・トゥ・ダイ検査」の場合
の図2のレティクル検査装置の動作について説明する。
【0050】図2に加えて図5をも参照して、「ダイ・
トゥ・ダイ検査」は、始めに、参照ダイ(図5の参照D
ie)の画像を取り込み、画像比較部71、72、7
3、74のダイメモリ711、721、731、741
に蓄積しておく。その後、比較ダイ(図5の比較Di
e)の画像が取り込まれると、画像比較部71、72、
73、74は、ダイメモリ711、721、731、7
41より1フレームずつ参照ダイを切り出して、比較ダ
イを参照ダイと比較し、欠陥を検出する。以下に、「ダ
イ・トゥ・ダイ検査」を詳述する。
【0051】図2において、全体制御部2の全体制御C
PU21は、「ダイ・トゥ・ダイ検査」の開始前に以下
に述べる検査前処理を検査制御部1に行わせる。
【0052】即ち、検査制御部1において、検査制御C
PU14は、検査前処理として、参照ダイとして扱うフ
レームの総数(図5の例では、参照ダイの総フレーム数
は4である)をフレームバッファ631〜634の総数
(図2の例では、4である)で割った値(従って、図2
及び図5の例では、参照ダイの総フレーム数/フレーム
バッファの総数=1である)および比較ダイの開始フレ
ーム番号(図5の例では、比較ダイの開始フレーム番号
=5である)を予め計算し、共有メモリ15を介して、
画像比較部71〜74の共有メモリ714、724、7
34、744に転送しておく。
【0053】図2において、検査制御CPU14は、こ
の検査前処理が終了すると、検査前処理の終了を全体制
御部2の全体制御CPU21に通知する。
【0054】全体制御部2の全体制御CPU21は、検
査前処理の終了の通知を受けると、「ダイ・トゥ・ダイ
検査」を開始する。即ち、全体制御CPU21は、ステ
ージ制御部22及び光学系制御部23に指令を送り、X
Yステージ部3及びレーザスキャン光学系4に画像の取
得を開始させる。
【0055】図2に加えて図5をも参照して、XYステ
ージ部3上のレティクルの、たとえば、第1検査領域に
おける第1フレーム(FR1) から第4フレーム(FR4) まで
の参照ダイおよび第5フレーム(FR5) から第8フレーム
(FR8) までの比較ダイを取得するには、XYステージ部
3をX方向に定速に移動させ、X方向の一定ピッチ移動
ごとにレーザスキャン光学系4によりレーザ光をY方向
にスキャンし(図5の拡大部参照)、透過光を透過光検
出部5で検出すれば、2次元の画像が取得できる。続い
て、第2検査領域を取得するには、XYステージ部3を
Y方向に一定ピッチ移動させてから、同様の操作を行
う。この一連の操作を繰り返してレティクル全面の画像
を取得する。取得された画像は透過光検出部5で検出さ
れて、画像入力分配部6に送出される。
【0056】図2に加えて図6をも参照して、画像入力
分配部6では、取得された画像(FR1〜FR8)は画像入力部
61に FR1 INPUT〜 FR8 INPUTとして入力され、タイミ
ング生成部62の制御により順次フレームごとに分割さ
れて、フレームバッファ631〜634に順次 FR1 WT
〜FR4 WT(FR5 WT〜 FR8 WT)として書き込まれる。
【0057】タイミング生成部62には、あらかじめ全
体制御CPU21より1フレームのスキャンライン数及
びフレーム間の重複ライン数(図5の拡大部)が設定さ
れており、全体制御CPU21からの画像取得開始信号
により画像取得を開始し、入力されたライン数を監視し
て、フレームバッファ631〜634のうち、取得画像
を書き込むフレームバッファを選択する。
【0058】このとき、隣り合うフレームの重複ライン
数分は同時に2つのフレームバッファに書き込まれる事
になる。
【0059】重複ライン数が必要な理由は、隣り合うフ
レームが画像比較部71〜74の別の2つで処理される
ため、欠陥が丁度フレームとフレームの分かれ目に存在
した場合、周辺の情報が失われ欠陥を判別することがで
きなくなる問題を回避するためである。
【0060】最初に取り込まれたフレーム(FR1) は、チ
ャンネル1(CH1) 転送用のフレームバッファ631にFR
1 WTとして書き込まれ、書込が終了すると同時にフレー
ムバッファ(FR BUFF) 631から画像比較部71へ転送
が開始される。
【0061】画像入力部61は待ち時間なしに次のフレ
ーム(FR2) を取得し、チャンネル2(CH2) 転送用のフレ
ームバッファ632にFR2 WTとして書込を行い、以降順
次フレームバッファを切り替えてフレームバッファ63
4まで書込を行う。
【0062】フレームバッファ634への書込が終了す
ると再びフレームバッファ631へ戻り、サイクリック
に画像取得、書込、転送を行う。
【0063】このように、画像は、画像入力部61に入
力され、タイミング生成部62の制御により順次フレー
ムごとに分割されて、順次、フレームバッファ631〜
634に書き込まれ、順次画像比較部71〜74へ転送
される。
【0064】以降、画像比較部71の処理を説明する
が、他の画像比較部72〜74も同様の処理を非同期に
行うことになる。
【0065】画像比較部71において、画像処理部71
5は、共有メモリ714から参照ダイの総フレーム数/
フレームバッファの総数=1及び比較ダイの開始フレー
ム番号=5を読み出し、ダイメモリ711を有効にし
て、フレームバッファ631から転送されたフレーム順
次書き込む。この際、ダイメモリ711は書込フレーム
数が参照ダイの総フレーム数/フレームバッファの総数
(図示の例では、上述したように1)に達するまでフレ
ームを蓄積する。
【0066】次に、比較ダイの開始フレームが来たら、
画像処理部715はフレームメモリ712を有効にし
て、フレームバッファ631から画像をフレームメモリ
712に引き取る。
【0067】続いて、画像処理部715は、参照フレー
ムとして最初に取得したフレーム(FR1) をダイメモリ7
11から切り出し、比較フレームの画像(FR5) をフレー
ムメモリ712から取得して比較し、欠陥検出を行い、
結果を共有メモリ714に書き込む。以下、同様のサイ
クルを繰り返し、参照ダイと比較ダイのすべてのフレー
ムで欠陥検出を行う。
【0068】なお、図6においてNOPは、ノーオペレ
ーションを示している。
【0069】以上の説明では画像比較部71〜74が4
台存在する場合について述べてきたが、本発明は画像比
較部が複数台存在する場合すべてに当てはまることは言
うまでもない。
【0070】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、集積回
路製造用のレティクルのパターン外観検査時間を大幅に
短縮することができる。
【0071】即ち、本発明では、従来時間のかかってい
た画像転送、参照画像生成、比較処理を行う画像比較部
を多重化し、取得した画像をフレームごとに順次分配す
ることにより、画像入力部の待ち時間をなくすことがで
き、全体の検査時間が短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるレティクル検査装置の
ブロック図である。
【図2】図1のレティクル検査装置の詳細のブロック図
である。
【図3】図2のレティクル検査装置のダイ・トゥ・デー
タベース検査を説明するための図である。
【図4】図2のレティクル検査装置のダイ・トゥ・デー
タベース検査を説明するためのタイミングチャートであ
る。
【図5】図2のレティクル検査装置のダイ・トゥ・ダイ
検査を説明するための図である。
【図6】図2のレティクル検査装置のダイ・トゥ・ダイ
検査を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
1 検査制御部 2 全体制御部 3 XYステージ部 4 レーザスキャン光学系 5 透過光検出部 6 画像入力分配部 11 CADデータ入力部 12 データ変換部 13 結果出力部 14 検査制御CPU 15 共有メモリ 21 全体制御CPU 22 ステージ制御部 23 光学系制御部 61 画像入力部 62 タイミング生成部 631 フレームバッファ(フレームバッファメモ
リ) 632 フレームバッファ(フレームバッファメモ
リ) 633 フレームバッファ(フレームバッファメモ
リ) 634 フレームバッファ(フレームバッファメモ
リ) 71 画像比較部 72 画像比較部 73 画像比較部 74 画像比較部 711 ダイメモリ 721 ダイメモリ 731 ダイメモリ 741 ダイメモリ 712 フレームメモリ 722 フレームメモリ 732 フレームメモリ 742 フレームメモリ 713 参照画像生成部 723 参照画像生成部 733 参照画像生成部 743 参照画像生成部 714 共有メモリ 724 共有メモリ 734 共有メモリ 744 共有メモリ 715 画像処理部 725 画像処理部 735 画像処理部 745 画像処理部

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 集積回路製造用レティクルのパターンの
    欠陥を検出するレティクル検査装置において、 前記レティクルをセットするXYステージ部と、 前記XYステージ部にセットされた前記レティクルのパ
    ターンを、第1乃至第N(Nは2以上の整数)のフレー
    ムを有する撮像された画像パターンとして撮像する一つ
    の撮像光学系と、 第1乃至第Nの画像比較部と、 前記撮像された画像パターンの前記第1乃至前記第Nの
    フレームを順次前記第1乃至前記第Nの画像比較部に分
    配する分配部と、 前記レティクルを描画する際に使用したCAD(Computo
    r Aided Design) データを、前記撮像された画像パター
    ンの前記第1乃至前記第Nのフレームに対応した第1乃
    至第Nの中間デ一タに変換し、前記第1乃至前記第Nの
    中間デ一タを順次前記第1乃至前記第Nの画像比較部に
    予め転送する検査制御部とを、有し、 前記第1乃至前記第Nの画像比較部は、前記撮像された
    画像パターンの前記第1乃至前記第Nのフレームを、前
    記第1乃至前記第Nの中間デ一タから生成した第1乃至
    第Nの参照画像にそれぞれ比較し、前記撮像された画像
    パターンの前記第1乃至前記第Nのフレームの欠陥をそ
    れぞれ検出することを特徴とするレティクル検査装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のレティクル検査装置に
    おいて、 前記撮像光学系は、レーザスキャン光学系と透過光検出
    器とを有し、前記レーザスキャン光学系において、レー
    ザビームを前記XYステージ部にセットされた前記レテ
    ィクル面上のY方向に走査すると共に、前記XYステー
    ジ部を前記Y方向に直交したX方向に移動させ、前記レ
    ーザビームが前記レティクルを透過することにより得ら
    れた透過光を前記透過検出器で検出して、前記撮像され
    た画像パターンの前記第1乃至前記第Nのフレームの各
    々を、二次元の画像パターンとして取得することを特徴
    とするレティクル検査装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載のレティクル検査装置に
    おいて、 前記第1乃至前記第Nの画像比較部は、前記撮像された
    画像パターンの前記第1乃至前記第Nのフレームの欠陥
    をそれぞれ検出することにより得られた検出結果を前記
    検査制御部に転送することを特徴とするレティクル検査
    装置。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載のレティクル検査装置に
    おいて、 前記分配部は、前記撮像された画像パターンの前記第1
    乃至前記第Nのフレームをそれぞれ一時的に記憶する第
    1乃至第Nのフレームバッファメモリを備え、 前記分配部は、前記第1乃至前記第Nのフレームバッフ
    ァにそれぞれ記憶された前記第1乃至前記第Nのフレー
    ムを順次前記第1乃至前記第Nの画像比較部に分配する
    ことを特徴とするレティクル検査装置。
  5. 【請求項5】 集積回路製造用レティクルの互いに隣接
    する参照ダイ及び比較ダイのパターンを互いに比較し、
    これらパターンの欠陥を検出するレティクル検査装置に
    おいて、 前記レティクルをセットするXYステージ部と、 前記XYステージ部にセットされた前記レティクルの前
    記参照ダイのパターンを、第1乃至第N(Nは2以上の
    整数)のフレームを有する撮像された参照ダイパターン
    として撮像し、続いて、前記XYステージ部にセットさ
    れた前記レティクルの前記比較ダイのパターンを、第1
    乃至第Nのフレームを有する撮像された比較ダイパター
    ンとして撮像する一つの撮像光学系と、 第1乃至第Nの画像比較部と、 前記撮像された参照ダイパターンの前記第1乃至前記第
    Nのフレームを順次前記第1乃至前記第Nの画像比較部
    に分配し、続いて、前記撮像された比較ダイパターンの
    前記第1乃至前記第Nのフレームを順次前記第1乃至前
    記第Nの画像比較部に分配する分配部とを、有し、 前記第1乃至前記第Nの画像比較部は、前記撮像された
    参照ダイパターンの前記第1乃至前記第Nのフレーム
    を、それぞれ、第1乃至第Nの記憶されたフレームとし
    て記憶する第1乃至第Nのダイメモリをそれぞれ有し、 前記第1乃至前記第Nの画像比較部は、前記撮像された
    参照ダイパターンの前記第1乃至前記第Nのフレームに
    続いて転送されてくる前記撮像された比較ダイパターン
    の前記第1乃至前記第Nのフレームを、前記記憶された
    前記第1乃至前記第Nのフレームにそれぞれ比較し、前
    記撮像された参照ダイパターンの前記第1乃至前記第N
    のフレーム及び前記撮像された比較ダイパターンの前記
    第1乃至前記第Nのフレーム間の欠陥をそれぞれ検出す
    ることを特徴とするレティクル検査装置。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載のレティクル検査装置に
    おいて、 前記撮像光学系は、レーザスキャン光学系と透過光検出
    器とを有し、前記レーザスキャン光学系において、レー
    ザビームを前記XYステージ部にセットされた前記レテ
    ィクル面上のY方向に走査すると共に、前記XYステー
    ジ部を前記Y方向に直交したX方向に移動させ、前記レ
    ーザビームが前記レティクルを透過することにより得ら
    れた透過光を前記透過検出器で検出して、前記撮像され
    た参照ダイパターンの前記第1乃至前記第Nのフレーム
    及び前記撮像された比較ダイパターンの前記第1乃至前
    記第Nのフレームの各々を、二次元の画像パターンとし
    て取得することを特徴とするレティクル検査装置。
  7. 【請求項7】 請求項5に記載のレティクル検査装置に
    おいて、 前記分配部は、前記撮像された参照ダイパターンの前記
    第1乃至前記第Nのフレームをそれぞれ一時的に記憶す
    る第1乃至第Nのフレームバッファメモリを備え、 前記分配部は、前記第1乃至前記第Nのフレームバッフ
    ァにそれぞれ記憶された前記撮像された参照ダイパター
    ンの前記第1乃至前記第Nのフレームを順次前記第1乃
    至前記第Nの画像比較部に分配し、 前記第1乃至前記第Nのフレームバッファは、続いて、
    前記撮像された比較ダイパターンの前記第1乃至前記第
    Nのフレームをそれぞれ一時的に記憶し、 前記分配部は、前記第1乃至前記第Nのフレームバッフ
    ァにそれぞれ記憶された前記撮像された比較ダイパター
    ンの前記第1乃至前記第Nのフレームを順次前記第1乃
    至前記第Nの画像比較部に分配することを特徴とするレ
    ティクル検査装置。
JP11504998A 1998-04-24 1998-04-24 レティクル検査装置 Expired - Lifetime JP3201471B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11504998A JP3201471B2 (ja) 1998-04-24 1998-04-24 レティクル検査装置
US09/296,266 US6400839B1 (en) 1998-04-24 1999-04-22 Reticle inspecting apparatus capable of shortening an inspecting time
DE69933609T DE69933609T2 (de) 1998-04-24 1999-04-23 Gerät zum Prüfen von Masken mit reduzierter Prüfzeit
EP99107388A EP0952488B1 (en) 1998-04-24 1999-04-23 Reticle inspecting apparatus capable of shortening an inspecting time
TW088106514A TW470850B (en) 1998-04-24 1999-04-23 Reticle inspecting apparatus capable of shortening an inspecting time
KR1019990014718A KR100320885B1 (ko) 1998-04-24 1999-04-24 검사 시간을 단축할 수 있는 레티클 검사 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11504998A JP3201471B2 (ja) 1998-04-24 1998-04-24 レティクル検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11304719A true JPH11304719A (ja) 1999-11-05
JP3201471B2 JP3201471B2 (ja) 2001-08-20

Family

ID=14652926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11504998A Expired - Lifetime JP3201471B2 (ja) 1998-04-24 1998-04-24 レティクル検査装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6400839B1 (ja)
EP (1) EP0952488B1 (ja)
JP (1) JP3201471B2 (ja)
KR (1) KR100320885B1 (ja)
DE (1) DE69933609T2 (ja)
TW (1) TW470850B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002544602A (ja) * 1999-05-05 2002-12-24 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 並列処理でのレチクル検査のための方法および装置
JP2007026217A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Ckd Corp 検査装置及び検査方法
JP2007536629A (ja) * 2004-05-04 2007-12-13 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション 検査画像を処理するための高スループット画像
US7369254B2 (en) 2004-06-14 2008-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for measuring dimension of patterns formed on photomask
US9841385B2 (en) 2009-09-09 2017-12-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern characteristic-detection apparatus for photomask and pattern characteristic-detection method for photomask

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001005166A (ja) * 1999-06-17 2001-01-12 Nec Corp パターン検査方法及びパターン検査装置
US7796801B2 (en) * 1999-08-26 2010-09-14 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US7817844B2 (en) * 1999-08-26 2010-10-19 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
CN100419410C (zh) * 1999-11-25 2008-09-17 奥林巴斯光学工业株式会社 缺陷检查数据处理系统
CN100428277C (zh) * 1999-11-29 2008-10-22 奥林巴斯光学工业株式会社 缺陷检查系统
US7241993B2 (en) 2000-06-27 2007-07-10 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
JP3904419B2 (ja) * 2001-09-13 2007-04-11 株式会社日立製作所 検査装置および検査システム
KR100488543B1 (ko) * 2002-11-05 2005-05-11 삼성전자주식회사 포토리소그래피 공정용 레티클 제작방법
US7138629B2 (en) * 2003-04-22 2006-11-21 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
KR100674973B1 (ko) * 2005-05-25 2007-01-29 삼성전자주식회사 투과율이 다른 복수의 다이들을 갖는 포토마스크의 결함검사 방법
JP4266971B2 (ja) * 2005-09-22 2009-05-27 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 パターン検査装置、パターン検査方法、及び検査対象試料
JP2007178144A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Advanced Mask Inspection Technology Kk パターン検査装置、パターン検査方法、検査対象試料、及び検査対象試料の管理方法
US8150140B2 (en) * 2008-12-22 2012-04-03 Ngr Inc. System and method for a semiconductor lithographic process control using statistical information in defect identification
JP5429869B2 (ja) * 2008-12-22 2014-02-26 株式会社 Ngr パターン検査装置および方法
CN102346154A (zh) * 2010-08-03 2012-02-08 神讯电脑(昆山)有限公司 自动光学检测模型图的生成方法
US20120323506A1 (en) * 2010-11-23 2012-12-20 Andrew Payshin King Semiconductor Defect Signal Capturing and Statistical System and Method
US9494856B1 (en) * 2011-06-07 2016-11-15 Hermes Microvision, Inc. Method and system for fast inspecting defects
US9196031B2 (en) * 2012-01-17 2015-11-24 SCREEN Holdings Co., Ltd. Appearance inspection apparatus and method
US9378848B2 (en) * 2012-06-07 2016-06-28 Texas Instruments Incorporated Methods and devices for determining logical to physical mapping on an integrated circuit
KR102409943B1 (ko) 2017-11-29 2022-06-16 삼성전자주식회사 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5848838A (ja) 1981-09-18 1983-03-22 Fujitsu Ltd レチクルおよびフオトマスクの検査方法
JPH0750664B2 (ja) * 1983-06-23 1995-05-31 富士通株式会社 レチクルの検査方法
JPH07118440B2 (ja) * 1986-07-09 1995-12-18 東芝機械株式会社 電子ビ−ム描画装置
JPH01137376A (ja) 1987-11-25 1989-05-30 Hitachi Ltd パターン検査方式
US5185812A (en) * 1990-02-14 1993-02-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical pattern inspection system
DE69223088T2 (de) * 1991-06-10 1998-03-05 Fujitsu Ltd Apparat zur Musterüberprüfung und Elektronenstrahlgerät
US5563702A (en) * 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
FR2693813B1 (fr) * 1992-07-20 1994-08-19 Commissariat Energie Atomique Procédé de réalisation d'une image de référence synthétisée à partir de données contenues dans une base de données CAO.
JPH06325162A (ja) 1993-05-11 1994-11-25 Nikon Corp 画像処理装置
US5537669A (en) * 1993-09-30 1996-07-16 Kla Instruments Corporation Inspection method and apparatus for the inspection of either random or repeating patterns

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002544602A (ja) * 1999-05-05 2002-12-24 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 並列処理でのレチクル検査のための方法および装置
US7724939B2 (en) 1999-05-05 2010-05-25 Kla-Tencor Method and apparatus for inspecting reticles implementing parallel processing
JP2007536629A (ja) * 2004-05-04 2007-12-13 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション 検査画像を処理するための高スループット画像
US7369254B2 (en) 2004-06-14 2008-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for measuring dimension of patterns formed on photomask
JP2007026217A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Ckd Corp 検査装置及び検査方法
US9841385B2 (en) 2009-09-09 2017-12-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern characteristic-detection apparatus for photomask and pattern characteristic-detection method for photomask

Also Published As

Publication number Publication date
EP0952488B1 (en) 2006-10-18
KR100320885B1 (ko) 2002-02-04
US6400839B1 (en) 2002-06-04
JP3201471B2 (ja) 2001-08-20
EP0952488A2 (en) 1999-10-27
DE69933609T2 (de) 2007-02-01
DE69933609D1 (de) 2006-11-30
KR19990083456A (ko) 1999-11-25
EP0952488A3 (en) 2002-07-10
TW470850B (en) 2002-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3201471B2 (ja) レティクル検査装置
US5007100A (en) Diagnostic system for a parallel pipelined image processing system
EP1061360A2 (en) Pattern inspection method and pattern inspection apparatus
JP2591292B2 (ja) 画像処理装置とそれを用いた自動光学検査装置
JP4564768B2 (ja) パターン検査方法及びその装置
US5850467A (en) Image data inspecting method and apparatus providing for equal sizing of first and second image data to be compared
JP2002251610A (ja) 並列画像処理装置
JPH02148371A (ja) 二次元配列物体の検査装置
US5420941A (en) Parallel pipelined image processor
US6973208B2 (en) Method and apparatus for inspection by pattern comparison
US6546156B1 (en) Image processing device
JPH10321688A (ja) 微細パターン検査装置および検査方法
JP2950372B2 (ja) レチクル検査装置
US5577171A (en) Figure pattern generating apparatus for detecting pattern defects
JPS629478A (ja) ラベリング・プロセツサ
JP3661375B2 (ja) 画像処理装置
JP2002303796A (ja) コンフォーカル顕微鏡システム、コントローラ、および制御プログラム
JP2644770B2 (ja) パターン検査方法及びその装置
JPH0546590B2 (ja)
JPH07141500A (ja) 画像処理装置
JPH09128545A (ja) パターン認識装置及びその方法
JPH039485A (ja) 画像処理装置
JPH1027248A (ja) 画像処理装置
JP2001266157A (ja) 画像処理装置及びこれを用いた目標検出追随装置
JPS59149570A (ja) パタ−ン検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010523

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080622

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090622

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100622

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100622

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110622

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110622

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120622

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120622

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130622

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term