JPH11312302A - 磁気ヘッドおよび磁気ヘッドの製造方法ならびに磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高飽和磁束密度を有するＭＩＧ型磁気ヘッド
などにおいて、磁気特性の劣化を低減し、耐食性を向上
させた磁気ヘッドおよび磁気ヘッドの製造方法ならびに
磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置を提供する。 【解決手段】 少なくとも、一対の磁気コア半体１を突
き合わせて磁気ギャップが形成され、一対の磁気コア半
体１の突き合わせ面のいずれの面にも全面に渡って磁性
膜が形成されている磁気ヘッドにおいて、磁性膜が磁気
コア半体１上に、Ｆｅを主成分とし、Ｃ、Ｎ、Ｔａ、Ｎ
ｂ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、ＧａおよびＡｕのうちの少なくともいずれか１種を
含む元素を０．１ａｔ％（原子％）以上５０ａｔ％以下
含有する、第１の磁性膜３を有するとともに、第１の磁
性膜３上に、第１の磁性膜と同様な物質からなる第２の
磁性膜４を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気ヘッドおよび磁
気ヘッドの製造方法ならびに磁気記録再生装置に関し、
さらに詳しくは磁気ギャップ突き合わせ面のいずれの面
にも磁性膜が形成された一対の磁気コア半体がガラスで
融着されている磁気ヘッドおよび磁気ヘッドの製造方法
ならびに磁気記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の磁気記録技術の高密度化の著しい
進展にともない、メタルテープのような高抗磁力の媒体
を記録再生する磁気ヘッドとしては、高飽和磁束密度な
ど十分な磁気特性を有することが要求される。そのため
の磁気ヘッド材料として、記録磁界を十分にとるために
より高い飽和磁束密度を有し、かつ、優れた軟磁性特性
を有する材料が求められている。

【０００３】このような磁気ヘッドについて、一対の磁
気コア半体を突き合わせて磁気ギャップが形成され、一
対の磁気コア半体の突き合わせ面のいずれの面にも全面
に渡って磁性薄膜が形成されているＭＩＧ（Metal In G
ap)型の磁気ヘッドを一例として、磁気ヘッドの概略斜
視図である図５を参照して説明する。

【０００４】図５のように、ＭＩＧ型の磁気ヘッド１３
は、トラック幅規制溝８およびギャップデプス規制溝９
が形成された一対の磁気コア半体１を突き合わせて、磁
気ギャップ１４を形成して、ガラス１１による融着によ
り一体に接合されている。

【０００５】この場合、磁気コア半体１材として、Ｍｎ
−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライトなどからなる
強磁性酸化物を用い、高飽和磁束密度を有する磁性膜１
５が磁気コア半体１の突き合わせ面に、いずれの面にも
全面に渡って形成されている。この磁性膜１５には、Ｆ
ｅを主成分とする微結晶金属磁性薄膜が、高飽和磁束密
度を有し、優れた軟磁性特性を示すことから、従来の磁
気ヘッド用金属磁性材料に置き換わるものとして実用化
が始められている。

【０００６】しかしながら、飽和磁束密度が高くなるほ
ど、Ｆｅ成分の割合が大きくなり、それにしたがい、耐
食性が低下する問題が生じてくる。その対策として、耐
食性を向上させる添加元素の添加量を多くする方法も考
えられるが、反対に飽和磁束密度の低下を招くことから
自ずと限界があった。

【０００７】上記のＭＩＧ型の磁気ヘッド１３を搭載す
るＶＴＲなどの使用環境では、雨天時の高湿度、室内外
の温度差による結露が避けられず、このような環境下で
は、磁性膜１５に錆が発生する虞がある。磁性膜１５
は、錆が生じると、軟磁気特性が著しく劣化し、十分な
記録再生能力が得られず、ＶＴＲにおいては画質などの
劣化が生じ、データレコーダやハードディスクドライブ
（ＨＤＤ）などの磁気ディスク装置では、エラーレート
が著しく低下する問題があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
点に鑑み、高飽和磁束密度を有するＭＩＧ型磁気ヘッド
などにおいて、磁気特性の劣化を低減し、耐食性を向上
させた磁気ヘッドおよび磁気ヘッドの製造方法ならびに
磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置を提供することを
課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドは、
少なくとも、一対の磁気コア半体と、一対の磁気コア半
体が突き合わされて形成された磁気ギャップと、一対の
磁気コア半体の突き合わせ面のいずれの面にも全面に渡
って形成された磁性膜を有する磁気ヘッドにおいて、磁
性膜が磁気コア半体上に第１の磁性膜を有するととも
に、第１の磁性膜上に第２の磁性膜を有することを特徴
とする。

【００１０】本発明の磁気ヘッドの製造方法は、少なく
とも、一対の磁気コア半体が形成されるとともに、一対
の磁気コア半体を突き合わせて磁気ギャップが形成さ
れ、一対の磁気コア半体の突き合わせ面のいずれの面に
も全面に渡って磁性膜が形成されている磁気ヘッドの製
造方法において、磁性膜を形成する工程が、磁気コア半
体上に第１の磁性膜を形成するとともに、第１の磁性膜
上に第２の磁性膜を形成する工程を有することを特徴と
する。

【００１１】本発明の磁気ヘッドおよび磁気ヘッドの製
造方法において、第１の磁性膜および第２の磁性膜は、
Ｆｅを主成分とし、Ｃ、Ｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｇａ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔａ、ＰｔおよびＡｕ
のうちの少なくともいずれか１種を含む元素を０．１ａ
ｔ％（原子％）以上５０ａｔ％以下含有することが望ま
しい。Ｆｅ以外の添加元素の下限は添加効果の下限の割
合を示し、上限は飽和磁束密度などの磁気特性の下限を
保証する。

【００１２】第１の磁性膜はＦｅＲｕＧａＳｉ膜であ
り、前記第２の磁性膜はＦｅＴａＣｒＮ膜であることが
望ましく、ＦｅＲｕＧａＳｉ膜の組成比を、Ｆｅ_a Ｒ
ｕ_b Ｇａ_c Ｓｉ_d と表したとき、各元素の割合ａ，
ｂ，ｃ，ｄ（ａｔ％）が、 ６８≦ ａ≦ ９０ ０．１≦ ｂ≦ １０ ０．１≦ ｃ≦ １５ １０≦ ｄ≦ ２５ であるとともに、ＦｅＴａＣｒＮ膜の組成比を、Ｆｅ_e
Ｔａ_f Ｃｒ_g Ｎ_h と表したとき、各元素の割合ｅ，ｆ，
ｇ，ｈ（ａｔ％）が、 ７１≦ ｅ≦ ８５ ６≦ ｆ≦ １５ ０．５≦ ｇ≦ １０ ９≦ ｈ≦ １６ であることが望ましい。（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝
１００、およびｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝ １００）

【００１３】第１の磁性膜の膜厚が０．０５μｍ以上で
あることが望ましく、第１の磁性膜が磁性膜の膜厚に占
める割合は、５０％以下であることが望ましい。

【００１４】本発明の磁気記録再生装置は、請求項１に
記載の磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする。

【００１５】上述した手段による作用を以下に述べる。
本発明の磁気ヘッドによれば、磁性膜を２層構造とし、
耐食性を有する第１の磁性膜により、結露などによる水
分の侵入を防止し、第２の磁性膜の錆の発生を抑制でき
るので、高飽和磁束密度を満足しつつ、耐食性に優れた
磁気ヘッドが得られる。また、本発明の磁気ヘッドの製
造方法によれば、第１の磁性膜により第２の磁性膜の錆
の発生を抑制し、高飽和磁束密度を満足しつつ、耐食性
に優れた磁気ヘッドが容易に作製できる。またこの磁気
ヘッドを用いた信頼性の高い磁気記録再生装置を提供で
きる。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明を適用した磁気ヘッドの実
施の形態例を、一対の磁気コア半体を突き合わせて磁気
ギャップが形成され、一対の磁気コア半体の突き合わせ
面のいずれの面にも全面に渡って磁性薄膜が形成されて
いるＭＩＧ型の磁気ヘッドを一例として、磁気ヘッドの
概略斜視図である図５および磁気ヘッドの磁気ギャップ
近傍の要部拡大図である図１を参照して説明する。ただ
し、従来例と同じ構成要素は、同一の符号を付すものと
する。

【００１７】図５のように、ＭＩＧ型の磁気ヘッド１３
は、一対の磁気コア半体１を突き合わせて磁気ギャップ
１４を形成して、ガラス１１による融着により一体に形
成されている。磁気コア半体１の突き合わせ面には、い
ずれの面にも全面に渡って、磁性膜１５が形成されてい
る。

【００１８】磁気コア半体１は、Ｍｎ−Ｚｎフェライ
ト、Ｎｉ−Ｚｎフェライトなどからなる強磁性酸化物で
形成されている。

【００１９】図１に示すように、磁気コア半体１の突き
合わせ面には、非磁性の反応防止膜２、磁性膜１５とし
て第１の磁性膜３および第２の磁性膜４、および非磁性
の磁気ギャップ膜５，６の順に積層されて構成されてい
る。

【００２０】第１の磁性膜３および第２の磁性膜４は、
Ｆｅを主成分とし、Ｃ、Ｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｇａ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔａ、ＰｔおよびＡｕ
のうちの少なくともいずれか１種を含む元素を０．１ａ
ｔ％以上５０ａｔ％以下含有する高飽和磁束密度を有す
る軟磁性材料で形成されている。第１の磁性膜３は、膜
厚が０．０５μｍ以上で、磁性膜全体の膜厚の５０％以
下であることが望ましい。

【００２１】上記の各膜は、ＤＣスパッタやＲＦスパッ
タなどのスパッタ法、真空蒸着法およびイオンプレーテ
ィング法などの真空成膜法により形成することができ
る。

【００２２】上記の磁気ヘッド１３は、不図示の巻線を
施され、不図示の端子板などに結線された後、ＶＴＲや
ＨＤＤ装置などの磁気記録再生装置に搭載される。

【００２３】本発明の磁気ヘッド１３が適用される磁気
記録再生装置の一例として、ＨＤＤ装置の概略斜視図を
図６に示す。図６はＨＤＤ装置の筐体の一部を切りか
き、その要部を示す概略斜視図である。

【００２４】すなわち、弾性を有する支持アーム１９の
一端に磁気ヘッド装置１８が装着され、支持アーム１９
の他端はアクチュエータ２０が配設されている。支持ア
ーム１９は、その支軸を中心として自在に回動し、磁気
ヘッド装置１８を所望の位置に移動することができる。
情報を記録するハードディスク２１は、不図示のスピン
ドルモータにより回転し、磁気ヘッド装置１８との間で
情報信号の電磁変換を行う。

【００２５】磁気ヘッド装置１８は、図７に示すように
例えばＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系の非磁性セラミックスからな
るスライダ２２の一端に磁気ヘッド１３が装着されたも
のである。

【００２６】

【実施例】本発明の実施例を、ＭＩＧ型の磁気ヘッドを
一例として、その製造方法の概略工程図である図２〜図
３、および図１、図５を参照してさらに詳しく説明す
る。尚、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるもの
ではない。

【００２７】図２（ａ）に示すように、先ずＭｎ−Ｚｎ
フェライトあるいはＮｉ−Ｚｎフェライトなどの磁気コ
ア半体１の前駆体である磁気コア半体ブロック７が得ら
れる軟磁性酸化物基板を、例えば４５ｍｍ×４５ｍｍ×
１ｍｍの形状となるように形成する。

【００２８】次に、図２（ｂ）に示すように、断面が略
Ｕ字型のトラック幅規制溝８を、磁気コア半体ブロック
７の主面に規定幅のトラックが成形されるように形成す
る。例えば、主面に対して接する角度を６０度として溝
開口部の幅１９０μｍ、深さ９５μｍ、トラック幅１６
μｍの略Ｕ字型形状とした。この形状は垂直面および水
平面からなる方形でもＶ字型としてもよい。

【００２９】次に、図２（ｃ）に示すように、さらに磁
気コア半体ブロック７の主面側にトラック幅規制溝８と
直交方向にトラック幅規制溝８よりも深いギャップデプ
ス規制溝９を形成する。例えば、開口幅６５０μｍ、深
さ２００μｍとし、トラック面側の主面に接する角度は
４０度であり、トラック面と反対面側の主面に接する角
度は９０度である略５角形の断面形状とした。この後、
主面のトラック幅となる部分の研磨を行い、表面粗度が
５ｎｍ程度になるように形成する。

【００３０】次に、図１に示すように、磁気コア半体１
の表面に、強磁性酸化物と、後に形成される磁性膜１５
間の反応を抑えるためのＳｉＯ₂ などの反応防止膜２を
例えば５ｎｍ成膜する。その後、磁性膜１５として、Ｆ
ｅを主成分とする第１の磁性膜３を、次に第１の磁性膜
３と同様な物質である第２の磁性膜４を形成する。例え
ば、第１の磁性膜３としてＦｅＲｕＧａＳｉを２００ｎ
ｍ、第２の磁性膜４としてＦｅＴａＣｒＮ膜を３．８μ
ｍ成膜する。そして、引き続き、磁気ギャップを形成す
る磁気ギャップ膜５，６としてそれぞれＣｒ膜１０ｎｍ
およびＳｉＯ₂膜を８０ｎｍ形成する。

【００３１】上記の第１の磁性膜３および第２の磁性膜
４は、ＦｅＲｕＧａＳｉ膜の組成比を、Ｆｅ_a Ｒｕ_b
Ｇａ_c Ｓｉ_d と表したとき、各元素の割合ａ，ｂ，ｃ，
ｄ（（ａｔ％）が、 ６８≦ ａ≦ ９０ ０．１≦ ｂ≦ １０ ０．１≦ ｃ≦ １５ １０≦ ｄ≦ ２５ であるとともに、ＦｅＴａＣｒＮ膜の組成比を、Ｆｅ_e
Ｔａ_f Ｃｒ_g Ｎ_h と表したとき、各元素の割合ｅ，ｆ，
ｇ，ｈ（ａｔ％）が、 ７１≦ ｅ≦ ８５ ６≦ ｆ≦ １５ ０．５≦ ｇ≦ １０ ９≦ ｈ≦ １６ の範囲が可能である。（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝ １
００、およびｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１００）

【００３２】それぞれの膜の形成方法の一例を以下に示
す。 ＦｅＲｕＧａＳｉ膜 ＤＣマグネトロンスパッタ装置 電力密度 ５．０Ｗ／ｃｍ^２ Ａｒガス圧 ０．５Ｐａ 電極間距離 ６０ｍｍ

【００３３】ＦｅＴａＣｒＮ膜 ＤＣマグネトロンスパッタ装置 導入ガス Ａｒ＋Ｎ_２ 電力密度 ５．０Ｗ／ｃｍ² Ａｒ＋Ｎ₂ ガス圧 ０．５Ｐａ（Ｎ₂ 分圧２０％） 電極間距離 ６０ｍｍ

【００３４】磁気ギャップ膜（Ｃｒ、ＳｉＯ₂ ） 高周波ＲＦスパッタ装置 電力密度 １．０Ｗ／ｃｍ² Ａｒガス圧 ０．４Ｐａ 電極間距離 ６０ｍｍ

【００３５】次に、図３（ｄ）に示すように、一対の磁
気コア半体ブロック７を、それらのトラック幅部分が重
なり合うように組み合わせて、ガラス１１を流し込み、
磁気ヘッド１３の磁気コアブロック１０を完成させる。

【００３６】次に、図３（ｅ）に示すように、磁気コア
ブロック１０の外側の巻線を回装する部分に巻線ガイド
溝１２を形成し、磁気記録媒体の摺動面となる部分を円
筒研削を行い曲面形状とした後、アジマス角度が１０度
になるようにヘッドチップに切断を行った。図で点線部
は、切断部を示す。

【００３７】上記の工程で作製したＭＩＧ型の磁気ヘッ
ドの概略斜視図は図５と同様である。

【００３８】さらに、上記のような磁気ヘッド１３は巻
線ガイド溝１２に不図示の巻線を施し、巻線の両端を不
図示の端子板のランドに接続してＶＴＲやＨＤＤ装置な
どの磁気記録再生装置の磁気ヘッド装置に搭載される。

【００３９】上記の実施例の磁気ヘッド１３を、磁気ヘ
ッド特性測定装置により、磁気ヘッド特性（自己記録再
生モード）を測定した。第１の磁性膜３および第２の磁
性膜４を、それぞれ、Ｆｅ₆₃Ｒｕ₈ Ｇａ₁₀Ｓｉ₁₉膜（ａ
ｔ％）、Ｆｅ₇₃Ｔａ₁₀Ｃｒ₂ Ｎ₁₅膜（ａｔ％）の組成比
とし、合計の厚さは４μｍとし、Ｆｅ₆₃Ｒｕ₈ Ｇａ₁₀Ｓ
ｉ₁₉膜の厚さを変えたときの自己記録再生モードでの再
生出力の測定を行い、その測定結果を表１に示す。 この場合、表１の測定値は、Ｆｅ₆₃Ｒｕ₈ Ｇａ₁₀Ｓｉ₁₉
膜の膜厚が、２００ｎｍのときの測定値を０ｄＢとした
ときの相対出力である。

【００４０】

【表１】

【００４１】次に、磁性膜１５をＦｅ₆₃Ｒｕ₈ Ｇａ₁₀Ｓ
ｉ₁₉膜（２００ｎｍ）、Ｆｅ₇₃Ｔａ₁₀Ｃｒ₂ Ｎ₁₅膜
（３．８μｍ）の積層膜とした場合の磁気ヘッド１３、
およびＦｅ₇₃Ｔａ₁₀Ｃｒ₂ Ｎ₁₅膜の単層膜を用いた磁気
ヘッド１３について結露試験を行った。 試験条件 ２５℃に保存した磁気ヘッド１３を６０℃９３％ＲＨの
高温高湿雰囲気中に９６時間放置した。この温度差によ
り結露を発生させる。サンプル数はそれぞれ１００個と
して、同一のヘッドを用いて試験を５回繰り返した。試
験後、錆発生の有無を観察した結果を表２に示す。

【００４２】

【表２】

【００４３】上記の評価試験の結果、磁気ヘッド特性で
は、Ｆｅ₆₃Ｒｕ₈ Ｇａ₁₀Ｓｉ₁₉膜の厚さが２μｍ以下の
磁気ヘッドでは、磁気ヘッド特性に大きな変化は見られ
ないが、２μｍを越えると磁気ヘッド特性は低下してい
く。これは、軟磁気特性が、Ｆｅ₇₃Ｔａ₁₀Ｃｒ₂ Ｎ₁₅よ
り小さいＦｅ₆₃Ｒｕ₈ Ｇａ₁₀Ｓｉ₁₉膜が増えたため、磁
気ヘッド特性が低下したためであると考えられる。した
がって、磁性薄膜中に占めるＦｅ₆₃Ｒｕ₈ Ｇａ₁₀Ｓｉ₁₉
膜の膜厚の割合が５０％以下とすることが望ましいこと
がわかる。

【００４４】また、結露試験の結果から明らかなよう
に、Ｆｅ₆₃Ｒｕ₈ Ｇａ₁₀Ｓｉ₁₉膜およびＦｅ₇₃Ｔａ₁₀Ｃ
ｒ₂ Ｎ₁₅膜の積層膜を用いた磁気ヘッドは、Ｆｅ₇₃Ｔａ
₁₀Ｃｒ ₂ Ｎ₁₅の単層膜を用いた磁気ヘッドと比較して、
結露に対する耐久性が著しく向上することがわかる。

【００４５】上記の理由を、図５および図５のＡ部の要
部拡大図である図４を参照して以下に説明する。従来の
ＭＩＧ型の磁気ヘッド１３は製造工程中で、フェライ
ト、磁性薄膜およびガラスなどからなる複合物を回転す
る砥石などにより切断されるので、切断時の加工抵抗に
より、例えば図５のＡ部で接合強度の最も弱い面の一部
がはがれることが避けられない。この場合、図５のＡ部
に示すように、強磁性酸化物の磁気コア半体１と磁性膜
１５間にハガレが発生する。この部分に、水分が付着
し、結露などが発生すれば、毛細管現象によりハガレ部
に水分が侵入するが、常温常湿の環境下では蒸発しにく
い。そのために、磁性膜１５は水分と長時間接触し続け
ることになり、磁性膜１５の耐食性が十分でないＭＩＧ
型の磁気ヘッド１３においては、その部分から錆が発生
しやすくなる。そして、錆の発生により磁性膜１５が膨
張し、ハガレは拡大し、水分はさらに奥まで侵入し、錆
も深部まで進行し、磁気ヘッド特性は大きく劣化するこ
とになる。

【００４６】それに対して、例えば磁気コア半体１と第
２の磁性膜４である磁気特性に優れたＦｅＴａＣｒＮ膜
との間に、耐食性の優れた第１の磁性膜３であるＦｅＲ
ｕＧａＳｉ膜を成膜した本発明のＭＩＧ型の磁気ヘッド
１３では、図４に示すように、磁気コア半体１と第１の
磁性膜３間にハガレ１６が生じ、その中に水分が侵入し
ても、耐食性の優れた第１の磁性膜３から錆が発生する
ことはない。また、第１の磁性膜３−第２の磁性膜４の
界面、ガラス１１（磁気ギャップ膜５，６を含む）−第
２の磁性膜４の界面の接合力は、磁気コア半体１−第１
の磁性膜３の界面の接合力よりも強固であるので、第２
の磁性膜４の両方の界面に水分が侵入する隙間は生じ
ず、結露による錆の発生は抑制することが可能となる。

【００４７】したがって、本実施例の磁気ヘッド１３を
用いれば、飽和磁束密度などの磁気特性に優れ、結露な
どの耐久性が向上した信頼性の高い磁気ヘッドを提供で
きる。また、この磁気ヘッド１３をＶＴＲやＨＤＤ装置
などの磁気記録再生装置の磁気ヘッド装置に搭載すれば
耐食性などに対して信頼性の高い磁気記録再生装置を提
供できる。

【００４８】

【発明の効果】本発明の磁気ヘッドによれば、飽和磁束
密度などの磁気特性に優れ、結露などの耐久性が向上し
た信頼性の高い磁気ヘッドを提供できる。また、本発明
の磁気ヘッドの製造方法によれば、飽和磁束密度などの
磁気特性に優れ、結露などの耐久性が向上した信頼性の
高い磁気ヘッドを容易に作製できる。本発明の磁気ヘッ
ドを用いた磁気ヘッド装置を用いれば、結露による耐久
性を向上させた信頼性の高い磁気記録再生装置を提供で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の磁気ヘッドの要部拡大図である。

【図２】 （ａ）〜（ｃ）は本発明の磁気ヘッドの製造
方法を説明する概略斜視図である。

【図３】 （ｄ）〜（ｅ）は図２（ｃ）に続く本発明の
磁気ヘッドの製造方法を説明する概略斜視図である。

【図４】 本発明の磁気ヘッドのＡ部の要部拡大図であ
る。

【図５】 従来例の磁気ヘッドの概略斜視図である。

【図６】 磁気記録再生装置の概略斜視図である。

【図７】 磁気ヘッド装置の概略斜視図である。

【符号の説明】

１…磁気コア半体、２…反応防止膜、３…第１の磁性
膜、４…第２の磁性膜、５，６…磁気ギャップ膜、７…
磁気コア半体ブロック、８…トラック幅規制溝、９…ギ
ャップデプス規制溝、１０…磁気コアブロック、１１…
ガラス、１２…巻線ガイド溝、１３…磁気ヘッド、１４
…磁気ギャップ、１５…磁性膜、１６…ハガレ、１７…
ＨＤＤ装置、１８…磁気ヘッド装置、１９…支持アー
ム、２０…アクチュエータ、２１…ハードディスク、２
２…スライダ

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも、一対の磁気コア半体と、 前記一対の磁気コア半体が突き合わされて形成された磁
   気ギャップと、 前記一対の磁気コア半体の突き合わせ面のいずれの面に
   も全面に渡って形成された磁性膜を有する磁気ヘッドに
   おいて、 前記磁性膜が前記磁気コア半体上に第１の磁性膜を有す
   るとともに、前記第１の磁性膜上に第２の磁性膜を有す
   ることを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記第１の磁性膜および第２の磁性膜
   は、Ｆｅを主成分とし、Ｃ、Ｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｇ
   ａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔおよび
   Ａｕのうちの少なくともいずれか１種を含む元素を０．
   １ａｔ％（原子％）以上５０ａｔ％以下含有することを
   特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記第１の磁性膜はＦｅＲｕＧａＳｉ膜
   であり、前記第２の磁性膜はＦｅＴａＣｒＮ膜であるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記ＦｅＲｕＧａＳｉ膜の組成比を、Ｆ
   ｅ_a Ｒｕ_b Ｇａ_c Ｓｉ_d と表したとき、各元素の割合
   ａ，ｂ，ｃ，ｄ（ａｔ％）が、 ６８≦ ａ≦ ９０ ０．１≦ ｂ≦ １０ ０．１≦ ｃ≦ １５ １０≦ ｄ≦ ２５ であるとともに、 前記ＦｅＴａＣｒＮ膜の組成比を、Ｆｅ_e Ｔａ_f Ｃｒ_g
   Ｎ_h と表したとき、各元素の割合ｅ，ｆ，ｇ，ｈ（ａｔ
   ％）が、 ７１≦ ｅ≦ ８５ ６≦ ｆ≦ １５ ０．５≦ ｇ≦ １０ ９≦ ｈ≦ １６ であることを特徴とする請求項３に記載の磁気ヘッド。
   （ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝ １００、およびｅ＋ｆ＋
   ｇ＋ｈ＝ １００）
5. 【請求項５】 前記第１の磁性膜の膜厚が０．０５μｍ
   以上であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッ
   ド。
6. 【請求項６】 前記第１の磁性膜が前記磁性膜の膜厚に
   占める割合は、 ５０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁
   気ヘッド。
7. 【請求項７】 少なくとも、一対の磁気コア半体が形成
   されるとともに、 前記一対の磁気コア半体を突き合わせて磁気ギャップが
   形成され、 前記一対の磁気コア半体の突き合わせ面のいずれの面に
   も全面に渡って磁性膜が形成された磁気ヘッドの製造方
   法において、 前記磁性膜を形成する工程が、前記磁気コア半体上に第
   １の磁性膜を形成するとともに、前記第１の磁性膜上に
   第２の磁性膜を形成する工程を有することを特徴とする
   磁気ヘッドの製造方法。
8. 【請求項８】 前記第１の磁性膜および第２の磁性膜
   は、Ｆｅを主成分とし、Ｃ、Ｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｇ
   ａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔおよび
   Ａｕのうちの少なくともいずれか１種を含む元素を０．
   １ａｔ％以上５０ａｔ％以下含有することを特徴とする
   請求項７に記載の磁気ヘッドの製造方法。
9. 【請求項９】 前記第１の磁性膜はＦｅＲｕＧａＳｉ膜
   であり、前記第２の磁性膜はＦｅＴａＣｒＮ膜であるこ
   とを特徴とする請求項７に記載の磁気ヘッドの製造方
   法。
10. 【請求項１０】 前記ＦｅＲｕＧａＳｉ膜の組成比を、
    Ｆｅ_a Ｒｕ_b Ｇａ_c Ｓｉ_d と表したとき、各元素の割合
    ａ，ｂ，ｃ，ｄ（ａｔ％）が、 ６８≦ ａ≦ ９０ ０．１≦ ｂ≦ １０ ０．１≦ ｃ≦ １５ １０≦ ｄ≦ ２５ であるとともに、 前記ＦｅＴａＣｒＮ膜の組成比を、Ｆｅ_e Ｔａ_f Ｃｒ_g
    Ｎ_h と表したとき、各元素の割合ｅ，ｆ，ｇ，ｈ（ａｔ
    ％）が、 ７１≦ ｅ≦ ８５ ６≦ ｆ≦ １５ ０．５≦ ｇ≦ １０ ９≦ ｈ≦ １６ であることを特徴とする請求項９に記載の磁気ヘッドの
    製造方法。（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝ １００、およ
    びｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝ １００）
11. 【請求項１１】 前記第１の磁性膜の膜厚が０．０５μ
    ｍ以上であることを特徴とする請求項７に記載の磁気ヘ
    ッドの製造方法。
12. 【請求項１２】 前記第１の磁性膜が前記磁性膜の膜厚
    に占める割合は、 ５０％以下であることを特徴とする請求項７に記載の磁
    気ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項１に記載の磁気ヘッドを搭載し
    たことを特徴とする磁気記録再生装置。