JPH11317656A - 入力回路 - Google Patents
入力回路Info
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- JPH11317656A JPH11317656A JP10123466A JP12346698A JPH11317656A JP H11317656 A JPH11317656 A JP H11317656A JP 10123466 A JP10123466 A JP 10123466A JP 12346698 A JP12346698 A JP 12346698A JP H11317656 A JPH11317656 A JP H11317656A
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- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/356104—Bistable circuits using complementary field-effect transistors
- H03K3/356113—Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit
- H03K3/356147—Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit using pass gates
- H03K3/356156—Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit using pass gates with synchronous operation
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
- H03K3/037—Bistable circuits
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- H03K3/356104—Bistable circuits using complementary field-effect transistors
- H03K3/356113—Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit
- H03K3/356121—Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit with synchronous operation
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Microcomputers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部より貫通電流が流入するのを防止でき、
かつ入力部の信号レベルの変化に起因する内部回路の誤
動作の防止を図る。 【解決手段】 外部より信号が入力される入力端子10
0に入力端が接続されると共に、入力された制御信号に
応じて外部より入力された信号の通過を許可または禁止
するゲート10と、該ゲートの出力を保持し、内部回路
に接続される内部入力端子に出力するラッチ回路20と
を有する。
かつ入力部の信号レベルの変化に起因する内部回路の誤
動作の防止を図る。 【解決手段】 外部より信号が入力される入力端子10
0に入力端が接続されると共に、入力された制御信号に
応じて外部より入力された信号の通過を許可または禁止
するゲート10と、該ゲートの出力を保持し、内部回路
に接続される内部入力端子に出力するラッチ回路20と
を有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロコンピュ
ータ等の入力回路に関する。
ータ等の入力回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般にマイクロコンピュータ等の入力回
路は、リセット時及びクロックを停止した低消費電力モ
ード時(STOPモード時)に外部からの入力信号が無
い状態、すなわち入力端子がハイインピーダンス状態で
も装置の内部回路に貫通電流が流れないように、例え
ば、図11に示すような回路構成がとられていた。同図
に示すように外部からの信号が入力される入力端子10
0と内部回路へ信号が入力される内部入力端子102と
の間に設けられた入力回路は、入力端子100に一方の
入力端が接続され他方の入力端にゲート制御信号Eが入
力されるNANDゲート50と、NANDゲート50の
出力信号を反転し、内部入力端子102に入力するイン
バータ52とから構成されている。ゲート制御信号Eは
外部から入力端子100を介して内部入力端子102に
入力される信号の入力を許可しまたは禁止する制御信号
であり、この制御信号がハイレベルの時は入力を許可
し、ローレベルの時は入力を禁止するとともに、入力端
子100がハイインピーダンス状態であってもNAND
ゲート50には、貫通電流が流れないようになってい
る。
路は、リセット時及びクロックを停止した低消費電力モ
ード時(STOPモード時)に外部からの入力信号が無
い状態、すなわち入力端子がハイインピーダンス状態で
も装置の内部回路に貫通電流が流れないように、例え
ば、図11に示すような回路構成がとられていた。同図
に示すように外部からの信号が入力される入力端子10
0と内部回路へ信号が入力される内部入力端子102と
の間に設けられた入力回路は、入力端子100に一方の
入力端が接続され他方の入力端にゲート制御信号Eが入
力されるNANDゲート50と、NANDゲート50の
出力信号を反転し、内部入力端子102に入力するイン
バータ52とから構成されている。ゲート制御信号Eは
外部から入力端子100を介して内部入力端子102に
入力される信号の入力を許可しまたは禁止する制御信号
であり、この制御信号がハイレベルの時は入力を許可
し、ローレベルの時は入力を禁止するとともに、入力端
子100がハイインピーダンス状態であってもNAND
ゲート50には、貫通電流が流れないようになってい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の入力回路では、入力制御信号Eをローレベルにして
外部からの信号入力を禁止すると、内部入力端子102
はローレベルに固定されるために図12に示すように外
部からの信号入力を禁止する期間の前後において外部か
ら入力端子100に入力される信号レベルがハイレベル
である場合には、信号入力を禁止する期間の前後におい
て内部入力端子102に信号レベルの変化が生じるた
め、内部入力端子102を使用する内部回路の構成によ
っては、誤動作が生じるという問題があった。
成の入力回路では、入力制御信号Eをローレベルにして
外部からの信号入力を禁止すると、内部入力端子102
はローレベルに固定されるために図12に示すように外
部からの信号入力を禁止する期間の前後において外部か
ら入力端子100に入力される信号レベルがハイレベル
である場合には、信号入力を禁止する期間の前後におい
て内部入力端子102に信号レベルの変化が生じるた
め、内部入力端子102を使用する内部回路の構成によ
っては、誤動作が生じるという問題があった。
【0004】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、外部より貫通電流が流入するのを防止で
き、かつ入力部の信号レベルの変化に起因する内部回路
の誤動作の防止を図った入力回路を提供することを目的
とする。
ものであり、外部より貫通電流が流入するのを防止で
き、かつ入力部の信号レベルの変化に起因する内部回路
の誤動作の防止を図った入力回路を提供することを目的
とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1に記載の発明は、外部より信号が入力される
入力端子に入力端が接続されると共に、入力された制御
信号に応じて外部より入力された信号の通過を許可また
は禁止するゲートと、該ゲートの出力を保持し、内部回
路に接続される内部入力端子に出力するラッチ回路とを
有することを特徴とする。
に請求項1に記載の発明は、外部より信号が入力される
入力端子に入力端が接続されると共に、入力された制御
信号に応じて外部より入力された信号の通過を許可また
は禁止するゲートと、該ゲートの出力を保持し、内部回
路に接続される内部入力端子に出力するラッチ回路とを
有することを特徴とする。
【0006】請求項1に記載の発明によれば、ゲートが
制御信号により入力が禁止されている入力禁止状態では
入力端子がハイインピーダンス状態になってもゲートに
より貫通電流の内部入力端子への流入が阻止され、また
ゲートが入力禁止状態ではラッチ回路により入力禁止直
前の信号レベルが保持されるので内部入力端子において
入力禁止期間の前後において不要な信号レベルの変化が
生じるのを防止でき、それ故不要な信号レベルの変化に
起因する内部回路の誤動作を防止することができる。
制御信号により入力が禁止されている入力禁止状態では
入力端子がハイインピーダンス状態になってもゲートに
より貫通電流の内部入力端子への流入が阻止され、また
ゲートが入力禁止状態ではラッチ回路により入力禁止直
前の信号レベルが保持されるので内部入力端子において
入力禁止期間の前後において不要な信号レベルの変化が
生じるのを防止でき、それ故不要な信号レベルの変化に
起因する内部回路の誤動作を防止することができる。
【0007】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の入力回路において、前記ゲートはスリーステートゲー
トであり、前記ラッチ回路は、前記スリーステートゲー
トの出力端に入力端が接続され、内部入力端子に出力端
が接続される第1のインバータと、該第1のインバータ
の出力端に入力端が接続され、該第1のインバータの入
力端に出力端が接続される第2のインバータとを有する
ことを特徴とする。
の入力回路において、前記ゲートはスリーステートゲー
トであり、前記ラッチ回路は、前記スリーステートゲー
トの出力端に入力端が接続され、内部入力端子に出力端
が接続される第1のインバータと、該第1のインバータ
の出力端に入力端が接続され、該第1のインバータの入
力端に出力端が接続される第2のインバータとを有する
ことを特徴とする。
【0008】請求項2に記載の発明によれば、スリース
テートゲートの出力端と第2のインバータの出力端とを
接続するように構成したので、請求項1に記載の発明の
効果に加えて、スリーステートゲートが入力許可状態で
は外部より入力端子から入力される信号に対してシュミ
ット特性を持たせることができ、ノイズに対して影響を
受けにくい入力回路が得られる、という効果が有る。
テートゲートの出力端と第2のインバータの出力端とを
接続するように構成したので、請求項1に記載の発明の
効果に加えて、スリーステートゲートが入力許可状態で
は外部より入力端子から入力される信号に対してシュミ
ット特性を持たせることができ、ノイズに対して影響を
受けにくい入力回路が得られる、という効果が有る。
【0009】請求項3に記載の発明は、請求項1に記載
の入力回路において、前記ゲートは第1のスリーステー
トゲートであり、前記ラッチ回路は、前記第1のスリー
ステートゲートの出力端に入力端が接続され、内部入力
端子に出力端が接続されるインバータと、該インバータ
の出力端に入力端が接続され、該インバータの入力端に
出力端が接続される第2のスリーステートゲートとを有
することを特徴とする。
の入力回路において、前記ゲートは第1のスリーステー
トゲートであり、前記ラッチ回路は、前記第1のスリー
ステートゲートの出力端に入力端が接続され、内部入力
端子に出力端が接続されるインバータと、該インバータ
の出力端に入力端が接続され、該インバータの入力端に
出力端が接続される第2のスリーステートゲートとを有
することを特徴とする。
【0010】請求項3に記載の発明によれば、請求項2
に記載の入力回路における第2のインバータの代わりに
第2のスリーステートゲートを設けるように構成したの
で、請求項1に記載の発明の効果に加えて、入力許可状
態では第2のスリーステートゲートの出力をハイインピ
ーダンス状態にすることにより、入力端子より内部入力
端子への信号遅延を小さくすることができると共に、消
費電流を少なくすることができるという効果が得られ
る。
に記載の入力回路における第2のインバータの代わりに
第2のスリーステートゲートを設けるように構成したの
で、請求項1に記載の発明の効果に加えて、入力許可状
態では第2のスリーステートゲートの出力をハイインピ
ーダンス状態にすることにより、入力端子より内部入力
端子への信号遅延を小さくすることができると共に、消
費電流を少なくすることができるという効果が得られ
る。
【0011】請求項4に記載の発明は、請求項1に記載
の入力回路において、前記ラッチ回路は、初期動作時に
内部入力端子における電圧レベルを一定に固定するリセ
ット機能を有することを特徴とする。
の入力回路において、前記ラッチ回路は、初期動作時に
内部入力端子における電圧レベルを一定に固定するリセ
ット機能を有することを特徴とする。
【0012】請求項4に記載の発明によれば、ラッチ回
路にリセット機能を持たせるように構成したので、請求
項1に記載の発明の効果に加えて、初期動作時に内部入
力端子に接続される内部回路を初期化することが可能に
なるという効果が得られる。
路にリセット機能を持たせるように構成したので、請求
項1に記載の発明の効果に加えて、初期動作時に内部入
力端子に接続される内部回路を初期化することが可能に
なるという効果が得られる。
【0013】請求項5に記載の発明は、請求項1に記載
の入力回路において、前記ゲートはスリーステートゲー
トであり、前記ラッチ回路は、前記スリーステートゲー
トの出力端が一方の入力端に接続され他方の入力端にリ
セット信号が入力され、出力端が前記内部入力端子に接
続される論理ゲートと、該論理ゲートの出力端に入力端
が接続され該論理ゲートの前記一方の入力端に出力端が
接続されるインバータとを有することを特徴とする。
の入力回路において、前記ゲートはスリーステートゲー
トであり、前記ラッチ回路は、前記スリーステートゲー
トの出力端が一方の入力端に接続され他方の入力端にリ
セット信号が入力され、出力端が前記内部入力端子に接
続される論理ゲートと、該論理ゲートの出力端に入力端
が接続され該論理ゲートの前記一方の入力端に出力端が
接続されるインバータとを有することを特徴とする。
【0014】請求項6に記載の発明は、請求項1に記載
の入力回路において、前記ゲートは、第1のトランスフ
ァーゲートであり、前記ラッチ回路は、前記第1のトラ
ンスファゲートの出力端に一方の入力端が接続され他方
の入力端にリセット信号が入力される論理ゲートと、該
論理ゲートの出力端に入力端が接続され出力端が前記内
部入力端子に接続されるインバータと、該インバータの
出力端と前記論理ゲートの前記一方の入力端との間に接
続される第2のトランスファゲートとを有することを特
徴とする。
の入力回路において、前記ゲートは、第1のトランスフ
ァーゲートであり、前記ラッチ回路は、前記第1のトラ
ンスファゲートの出力端に一方の入力端が接続され他方
の入力端にリセット信号が入力される論理ゲートと、該
論理ゲートの出力端に入力端が接続され出力端が前記内
部入力端子に接続されるインバータと、該インバータの
出力端と前記論理ゲートの前記一方の入力端との間に接
続される第2のトランスファゲートとを有することを特
徴とする。
【0015】請求項5、6に記載の発明によれば、リセ
ット信号が入力される論理ゲートによりリセット機能を
実現するようにしたので、請求項1に記載の発明の効果
に加えて、初期動作時に内部入力端子に接続される内部
回路を所定の電圧レベルに初期化することが可能になる
という効果が得られる。
ット信号が入力される論理ゲートによりリセット機能を
実現するようにしたので、請求項1に記載の発明の効果
に加えて、初期動作時に内部入力端子に接続される内部
回路を所定の電圧レベルに初期化することが可能になる
という効果が得られる。
【0016】更に請求項6に記載の発明によれば、請求
項3に記載の入力回路の第1、第2のスリーステートゲ
ートの代わりに第1、第2のトランスファゲートを設け
るようにしたので、少ないトランジスタ数で入力回路を
構成することができ、部品点数の低減が図れる。
項3に記載の入力回路の第1、第2のスリーステートゲ
ートの代わりに第1、第2のトランスファゲートを設け
るようにしたので、少ないトランジスタ数で入力回路を
構成することができ、部品点数の低減が図れる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図1に本発明の第1の実施
の形態に係る入力回路の構成を示す。同図において、入
力回路はスリーステートゲート10と、ラッチ回路20
とから構成されている。外部より信号が入力される入力
端子100にスリーステートゲート10の入力端が接続
されており、スリーステートゲート10の出力端はイン
バータ22の入力端に接続されている。またインバータ
22の出力端は内部回路と接続される内部入力端子10
2に接続されている。インバータ24はその入力端がイ
ンバータ22の出力端に接続され、出力端がインバータ
22の入力端に接続されている。スリーステートゲート
10は本発明のゲートに相当し、インバータ22、24
はそれぞれ、本発明の第1、第2のインバータに相当す
る。
を参照して詳細に説明する。図1に本発明の第1の実施
の形態に係る入力回路の構成を示す。同図において、入
力回路はスリーステートゲート10と、ラッチ回路20
とから構成されている。外部より信号が入力される入力
端子100にスリーステートゲート10の入力端が接続
されており、スリーステートゲート10の出力端はイン
バータ22の入力端に接続されている。またインバータ
22の出力端は内部回路と接続される内部入力端子10
2に接続されている。インバータ24はその入力端がイ
ンバータ22の出力端に接続され、出力端がインバータ
22の入力端に接続されている。スリーステートゲート
10は本発明のゲートに相当し、インバータ22、24
はそれぞれ、本発明の第1、第2のインバータに相当す
る。
【0018】図1に示す入力回路の具体的構成を図2に
示す。同図においてスリーステートゲート10はPMO
SトランジスタP1,P2,NMOSトランジスタN
1,N2からなり、PMOSトランジスタP1のソース
は電源ラインVDDに接続され、ドレインはPMOSトラ
ンジスタP2のソースに接続されている。PMOSトラ
ンジスタP2のドレインはNMOSトランジスタN1の
ドレインに接続され、PMOSトランジスタP2のゲー
トはNMOSトランジスタN1のゲート及び入力端子1
00に接続されている。
示す。同図においてスリーステートゲート10はPMO
SトランジスタP1,P2,NMOSトランジスタN
1,N2からなり、PMOSトランジスタP1のソース
は電源ラインVDDに接続され、ドレインはPMOSトラ
ンジスタP2のソースに接続されている。PMOSトラ
ンジスタP2のドレインはNMOSトランジスタN1の
ドレインに接続され、PMOSトランジスタP2のゲー
トはNMOSトランジスタN1のゲート及び入力端子1
00に接続されている。
【0019】NMOSトランジスタN1のソースはNM
OSトランジスタN2のドレインに接続され、NMOS
トランジスタN2のソースは接地されている。またNM
OSトランジスタN2のゲートにはゲート制御信号E
が、PMOSトランジスタP1のゲートにはゲート制御
信号Eを反転した信号であるゲート制御信号ENが入力
されるようになっている。
OSトランジスタN2のドレインに接続され、NMOS
トランジスタN2のソースは接地されている。またNM
OSトランジスタN2のゲートにはゲート制御信号E
が、PMOSトランジスタP1のゲートにはゲート制御
信号Eを反転した信号であるゲート制御信号ENが入力
されるようになっている。
【0020】またラッチ回路20はPMOSトランジス
タP3,NMOSトランジスタN3からなるインバータ
22と、PMOSトランジスタP4,NMOSトランジ
スタN4からなるインバータ24とからなり、PMOS
トランジスタP3のソースは電源ラインVDDに接続さ
れ、ドレインはNMOSトランジスタN3のドレインに
接続され、ゲートはNMOSトランジスタN3のゲート
に接続されている。
タP3,NMOSトランジスタN3からなるインバータ
22と、PMOSトランジスタP4,NMOSトランジ
スタN4からなるインバータ24とからなり、PMOS
トランジスタP3のソースは電源ラインVDDに接続さ
れ、ドレインはNMOSトランジスタN3のドレインに
接続され、ゲートはNMOSトランジスタN3のゲート
に接続されている。
【0021】NMOSトランジスタN3のドレインは内
部入力端子102に接続され、NMOSトランジスタN
3のソースは接地されている。更にPMOSトランジス
タP4のソースは電源ラインVDDに接続され、ドレイン
はNMOSトランジスタN4のドレインに接続され、ゲ
ートはNMOSトランジスタN4のゲートに接続され、
NMOSトランジスタN4のソースは接地されている。
そしてPMOSトランジスタP3のドレインはNMOS
トランジスタN4のゲートに接続され、PMOSトラン
ジスタP3のゲートはPMOSトランジスタP4のドレ
イン及びPMOSトランジスタP2のドレインに接続さ
れている。
部入力端子102に接続され、NMOSトランジスタN
3のソースは接地されている。更にPMOSトランジス
タP4のソースは電源ラインVDDに接続され、ドレイン
はNMOSトランジスタN4のドレインに接続され、ゲ
ートはNMOSトランジスタN4のゲートに接続され、
NMOSトランジスタN4のソースは接地されている。
そしてPMOSトランジスタP3のドレインはNMOS
トランジスタN4のゲートに接続され、PMOSトラン
ジスタP3のゲートはPMOSトランジスタP4のドレ
イン及びPMOSトランジスタP2のドレインに接続さ
れている。
【0022】上記構成において、ゲート制御信号Eをハ
イレベル、ゲート制御信号ENをローレベルにしてスリ
ーステートゲート10を入力許可状態となるように動作
させると、外部より入力端子100に入力された信号が
内部入力端子102に送出されると共に、その信号レベ
ルがラッチ回路20により保持される。
イレベル、ゲート制御信号ENをローレベルにしてスリ
ーステートゲート10を入力許可状態となるように動作
させると、外部より入力端子100に入力された信号が
内部入力端子102に送出されると共に、その信号レベ
ルがラッチ回路20により保持される。
【0023】したがって、図3に示すように入力禁止期
間、すなわちゲート制御信号Eがローレベルとなる期間
の直前における入力端子100における信号レベルがラ
ッチ回路20により保持されるので内部入力端子102
において不要な信号レベルの変動を生ずることがない。
間、すなわちゲート制御信号Eがローレベルとなる期間
の直前における入力端子100における信号レベルがラ
ッチ回路20により保持されるので内部入力端子102
において不要な信号レベルの変動を生ずることがない。
【0024】また入力禁止状態ではゲート制御信号Eを
ローレベル、ゲート制御信号ENをハイレベルにするの
で、PMOSトランジスタP1,NMOSトランジスタ
N2は共に非導通状態になるので、NMOSトランジス
タN1,PMOSトランジスタP2は非動作状態とな
り、入力端子100がハイインピーダンス状態になって
も入力端子100よりスリーステートゲート10に貫通
電流が流入することは無い。
ローレベル、ゲート制御信号ENをハイレベルにするの
で、PMOSトランジスタP1,NMOSトランジスタ
N2は共に非導通状態になるので、NMOSトランジス
タN1,PMOSトランジスタP2は非動作状態とな
り、入力端子100がハイインピーダンス状態になって
も入力端子100よりスリーステートゲート10に貫通
電流が流入することは無い。
【0025】次に入力許可状態、すなわちゲート制御信
号Eがハイレベルの状態で入力端子100における信号
レベルが変化した場合には図4に示すようにスリーステ
ートゲート10の出力端とインバータ24の出力端とを
接続することにより入力端子100から入力される信号
に対して所謂、シュミット特性(スレッショルドレベル
のヒステリシス特性)を持たせることができる。すなわ
ち、スリーステートゲート10の出力端とインバータ2
4の出力端との接続点であるA点の電位は、図4(A)
に示すように入力端子100における信号レベルがロー
レベルからハイレベルに、またはハイレベルからローレ
ベルに変化する際に、インバータ24を構成するPMO
SトランジスタP4,NMOSトランジスタN4のオン
抵抗の影響により入力端子100における信号レベルの
変化に対して緩慢に変化し(図4(C))、内部入力端
子102には入力端子100に入力された信号が多少、
遅延して伝達される(図4(D))。このシュミット特
性により入力信号にノイズが乗ってもその影響を受けに
くくなる。
号Eがハイレベルの状態で入力端子100における信号
レベルが変化した場合には図4に示すようにスリーステ
ートゲート10の出力端とインバータ24の出力端とを
接続することにより入力端子100から入力される信号
に対して所謂、シュミット特性(スレッショルドレベル
のヒステリシス特性)を持たせることができる。すなわ
ち、スリーステートゲート10の出力端とインバータ2
4の出力端との接続点であるA点の電位は、図4(A)
に示すように入力端子100における信号レベルがロー
レベルからハイレベルに、またはハイレベルからローレ
ベルに変化する際に、インバータ24を構成するPMO
SトランジスタP4,NMOSトランジスタN4のオン
抵抗の影響により入力端子100における信号レベルの
変化に対して緩慢に変化し(図4(C))、内部入力端
子102には入力端子100に入力された信号が多少、
遅延して伝達される(図4(D))。このシュミット特
性により入力信号にノイズが乗ってもその影響を受けに
くくなる。
【0026】以上のように本発明の第1の実施の形態に
係る入力回路によれば、ゲートとしてスリーステートゲ
ートを用い、入力端子にスリーステートゲートの入力端
を接続し、スリーステートゲートの出力端と内部入力端
子との間にラッチ回路を設けるようにしたので、スリー
ステートゲートが入力禁止状態では入力端子がハイイン
ピーダンス状態になってもスリーステートゲートにより
貫通電流の内部入力端子への流入が阻止され、また入力
禁止状態ではラッチ回路により入力禁止直前の信号レベ
ルが保持されるので内部入力端子において入力禁止期間
の前後において不要な信号レベルの変化が生じるのを防
止でき、それ故不要な信号レベルに起因する内部回路の
誤動作を防止することができる。
係る入力回路によれば、ゲートとしてスリーステートゲ
ートを用い、入力端子にスリーステートゲートの入力端
を接続し、スリーステートゲートの出力端と内部入力端
子との間にラッチ回路を設けるようにしたので、スリー
ステートゲートが入力禁止状態では入力端子がハイイン
ピーダンス状態になってもスリーステートゲートにより
貫通電流の内部入力端子への流入が阻止され、また入力
禁止状態ではラッチ回路により入力禁止直前の信号レベ
ルが保持されるので内部入力端子において入力禁止期間
の前後において不要な信号レベルの変化が生じるのを防
止でき、それ故不要な信号レベルに起因する内部回路の
誤動作を防止することができる。
【0027】また本実施の形態ではスリーステートゲー
ト10の出力端とラッチ回路20を構成するインバータ
24の出力端とを接続するように構成したので、スリー
ステートゲート10が入力許可状態では外部より入力端
子100より入力される信号に対してシュミット特性を
持たせることができ、ノイズに対して影響を受けにくい
入力回路が得られる。
ト10の出力端とラッチ回路20を構成するインバータ
24の出力端とを接続するように構成したので、スリー
ステートゲート10が入力許可状態では外部より入力端
子100より入力される信号に対してシュミット特性を
持たせることができ、ノイズに対して影響を受けにくい
入力回路が得られる。
【0028】次に本発明の第2の実施の形態に係る入力
回路の構成を第5図に示す。本実施の形態に係る入力回
路は図1に示した第1の実施の形態に係る入力回路のラ
ッチ回路20を構成するインバータ24の代わりにスリ
ーステートゲート26を設けたものであり、その他の構
成は第1の実施の形態に係る入力回路と同一であるので
重複する説明は省略する。同図において、スリーステー
トゲート10、26のゲート制御端子10a,26bに
はゲート制御信号Eが、ゲート制御端子10b,26a
にはゲート制御信号Eを反転した信号であるゲート制御
信号ENがそれぞれ、入力されるようになっている。ス
リーステートゲート10は本発明の第1のスリーステー
トゲートに、スリーステートゲート26は本発明の第2
のスリーステートゲートに相当する。
回路の構成を第5図に示す。本実施の形態に係る入力回
路は図1に示した第1の実施の形態に係る入力回路のラ
ッチ回路20を構成するインバータ24の代わりにスリ
ーステートゲート26を設けたものであり、その他の構
成は第1の実施の形態に係る入力回路と同一であるので
重複する説明は省略する。同図において、スリーステー
トゲート10、26のゲート制御端子10a,26bに
はゲート制御信号Eが、ゲート制御端子10b,26a
にはゲート制御信号Eを反転した信号であるゲート制御
信号ENがそれぞれ、入力されるようになっている。ス
リーステートゲート10は本発明の第1のスリーステー
トゲートに、スリーステートゲート26は本発明の第2
のスリーステートゲートに相当する。
【0029】上記構成において、ゲート制御信号Eをハ
イレベル、ゲート制御信号ENをローレベルにすると、
スリーステートゲート10は入力端子より信号の入力を
許可する状態となり、この時スリーステートゲート26
の出力はハイインピーダンス状態となる。この状態下で
は図6に示すように入力端子100における信号レベル
の変化(図6(A))に対して、スリーステートゲート
10の出力端とインバータ22の入力端との接続点であ
るA点における電位は入力端子100における信号レベ
ルを反転したレベルになる(図6(C))。A点の電位
はインバータ22により反転されるので、結局、内部入
力端子102における信号レベルは入力端子100にお
ける信号レベルと同じになる(図6(D))。
イレベル、ゲート制御信号ENをローレベルにすると、
スリーステートゲート10は入力端子より信号の入力を
許可する状態となり、この時スリーステートゲート26
の出力はハイインピーダンス状態となる。この状態下で
は図6に示すように入力端子100における信号レベル
の変化(図6(A))に対して、スリーステートゲート
10の出力端とインバータ22の入力端との接続点であ
るA点における電位は入力端子100における信号レベ
ルを反転したレベルになる(図6(C))。A点の電位
はインバータ22により反転されるので、結局、内部入
力端子102における信号レベルは入力端子100にお
ける信号レベルと同じになる(図6(D))。
【0030】またゲート制御信号Eをローレベル、ゲー
ト制御信号ENをハイレベルにすると、スリーステート
ゲート10の出力はハイインピーダンス状態となり、ス
リーステートゲート26は能動状態となる。したがっ
て、この状態では入力端子100からの信号入力は禁止
状態となり、インバータ22及びスリーステートゲート
26はラッチ回路として機能し、入力禁止状態になる直
前の入力端子100における信号レベルがラッチ回路2
0により保持される。
ト制御信号ENをハイレベルにすると、スリーステート
ゲート10の出力はハイインピーダンス状態となり、ス
リーステートゲート26は能動状態となる。したがっ
て、この状態では入力端子100からの信号入力は禁止
状態となり、インバータ22及びスリーステートゲート
26はラッチ回路として機能し、入力禁止状態になる直
前の入力端子100における信号レベルがラッチ回路2
0により保持される。
【0031】本発明の第2の実施の形態に係る入力回路
によれば、図1に示した第1の実施の形態に係る入力回
路のインバータ24の代わりにスリーステートゲート2
6を設けたので、入力端子100を介して外部からの信
号の入力許可状態では、スリーステートゲート26の出
力をハイインピーダンス状態にすることにより、入力端
子100から内部入力端子102への信号遅延を小さく
することができると共に、消費電流を少なくすることが
できるという効果が得られる。
によれば、図1に示した第1の実施の形態に係る入力回
路のインバータ24の代わりにスリーステートゲート2
6を設けたので、入力端子100を介して外部からの信
号の入力許可状態では、スリーステートゲート26の出
力をハイインピーダンス状態にすることにより、入力端
子100から内部入力端子102への信号遅延を小さく
することができると共に、消費電流を少なくすることが
できるという効果が得られる。
【0032】また本実施の形態によれば、第1の実施の
形態と同様に入力禁止期間の前後において不要な信号レ
ベルの変化が生じるのを防止でき、それ故不要な信号レ
ベルに起因する内部回路の誤動作を防止することができ
る。
形態と同様に入力禁止期間の前後において不要な信号レ
ベルの変化が生じるのを防止でき、それ故不要な信号レ
ベルに起因する内部回路の誤動作を防止することができ
る。
【0033】本発明の第3の実施の形態に係る入力回路
の構成を図7に示す。本実施の形態に係る入力回路は図
1に示した第1の実施の形態に係る入力回路におけるイ
ンバータ22の代わりにNORゲート28を設け、この
NORゲート28の入力端にリセット信号を入力するよ
うに構成したものであり、その他の構成は第1の実施の
形態に係る入力回路と同一であるので、重複する説明は
省略する。同図において、スリーステートゲート10の
出力端がNORゲート28の一方の入力に接続され、N
ORゲート28の他方の入力端にリセット信号が入力さ
れるようになっており、NORゲート28の出力端はイ
ンバータ24の入力端及び内部入力端子102に接続さ
れている。
の構成を図7に示す。本実施の形態に係る入力回路は図
1に示した第1の実施の形態に係る入力回路におけるイ
ンバータ22の代わりにNORゲート28を設け、この
NORゲート28の入力端にリセット信号を入力するよ
うに構成したものであり、その他の構成は第1の実施の
形態に係る入力回路と同一であるので、重複する説明は
省略する。同図において、スリーステートゲート10の
出力端がNORゲート28の一方の入力に接続され、N
ORゲート28の他方の入力端にリセット信号が入力さ
れるようになっており、NORゲート28の出力端はイ
ンバータ24の入力端及び内部入力端子102に接続さ
れている。
【0034】上記構成において、図8に示すように入力
回路の初期動作時にはリセット信号はハイレベルになっ
ており、この状態ではスリーステートゲート10を制御
するゲート制御信号Eの状態に関係なく内部入力端子1
02の初期状態はローレベルに固定されている。
回路の初期動作時にはリセット信号はハイレベルになっ
ており、この状態ではスリーステートゲート10を制御
するゲート制御信号Eの状態に関係なく内部入力端子1
02の初期状態はローレベルに固定されている。
【0035】次に時刻ti でリセット信号がハイレベル
からローレベルに変化し、ゲート制御信号Eがハイレベ
ルになると、スリーステートゲート10は入力端子10
0からの信号の入力を許可する入力許可状態となり、N
ORゲート28はスリーステートゲート10の出力信号
を反転するインバータとして機能するために時刻ti以
降では入力端子100における信号レベルの変化がその
まま内部入力端子102に伝達されることとなる。
からローレベルに変化し、ゲート制御信号Eがハイレベ
ルになると、スリーステートゲート10は入力端子10
0からの信号の入力を許可する入力許可状態となり、N
ORゲート28はスリーステートゲート10の出力信号
を反転するインバータとして機能するために時刻ti以
降では入力端子100における信号レベルの変化がその
まま内部入力端子102に伝達されることとなる。
【0036】リセット信号がローレベルにある状態下に
おいてスリーステートゲート10が入力禁止状態にある
時、すなわちゲート制御信号Eがローレベル(このとき
ゲート制御信号ENはハイレベル)である時はインバー
タ24及びNORゲート28はラッチ回路20として機
能し、ラッチ回路20は入力禁止状態になる直前のスリ
ーステートゲート10の出力、すなわち入力端子100
における信号レベルを保持する。
おいてスリーステートゲート10が入力禁止状態にある
時、すなわちゲート制御信号Eがローレベル(このとき
ゲート制御信号ENはハイレベル)である時はインバー
タ24及びNORゲート28はラッチ回路20として機
能し、ラッチ回路20は入力禁止状態になる直前のスリ
ーステートゲート10の出力、すなわち入力端子100
における信号レベルを保持する。
【0037】以上のように本発明の第3の実施の形態に
係る入力回路によれば、図1に示す第1の実施の形態に
係る入力回路におけるインバータ22の代わりにNOR
ゲート28を設け、NORゲート28の一方の入力端に
リセット信号を入力するように構成したので、内部入力
端子に接続される内部回路をローレベルに初期化するこ
とが可能になる。
係る入力回路によれば、図1に示す第1の実施の形態に
係る入力回路におけるインバータ22の代わりにNOR
ゲート28を設け、NORゲート28の一方の入力端に
リセット信号を入力するように構成したので、内部入力
端子に接続される内部回路をローレベルに初期化するこ
とが可能になる。
【0038】また本実施の形態によれば、第1の実施の
形態と同様に入力禁止期間の前後において不要な信号レ
ベルの変化が生じるのを防止でき、それ故不要な信号レ
ベルに起因する内部回路の誤動作を防止することができ
る。
形態と同様に入力禁止期間の前後において不要な信号レ
ベルの変化が生じるのを防止でき、それ故不要な信号レ
ベルに起因する内部回路の誤動作を防止することができ
る。
【0039】本発明の第4の実施の形態に係る入力回路
の構成を図9に示す。本実施の形態に係る入力回路は図
5に示した第2の実施の形態に係る入力回路におけるイ
ンバータ22の代わりにNORゲート40及びインバー
タ42を設け、スリーステートゲート10、26の代わ
りにトランスファーゲート30、44を設け、NORゲ
ート40の一方の入力端にリセット信号を入力するよう
に構成したものであり、その他の構成は第2の実施の形
態に係る入力回路と同一であるので、重複する説明は省
略する。同図において、NORゲート40の一方の入力
端子は入力端子100とトランスファゲート30を介し
て接続され、他方の入力端子にはリセット信号が入力さ
れるようになっている。NORゲート40の出力端はイ
ンバータ42を介して内部入力端子102に接続されて
いる。インバータ42の出力端子はトランスファゲート
44を介してトランスファゲート30の出力端及びNO
Rゲート40の前記一方の入力端に接続されている。ト
ランスファゲート30はPMOSトランジスタP10,
NMOSトランジスタN10により、トランスファゲー
ト44はPMOSトランジスタP11,NMOSトラン
ジスタN11により構成され、NMOSトランジスタN
10,PMOSトランジスタP11のゲートにはゲート
制御信号Eが、PMOSトランジスタP10,NMOS
トランジスタN11のゲートにはゲート制御信号Eを反
転した信号であるゲート制御信号ENが入力されるよう
になっている。
の構成を図9に示す。本実施の形態に係る入力回路は図
5に示した第2の実施の形態に係る入力回路におけるイ
ンバータ22の代わりにNORゲート40及びインバー
タ42を設け、スリーステートゲート10、26の代わ
りにトランスファーゲート30、44を設け、NORゲ
ート40の一方の入力端にリセット信号を入力するよう
に構成したものであり、その他の構成は第2の実施の形
態に係る入力回路と同一であるので、重複する説明は省
略する。同図において、NORゲート40の一方の入力
端子は入力端子100とトランスファゲート30を介し
て接続され、他方の入力端子にはリセット信号が入力さ
れるようになっている。NORゲート40の出力端はイ
ンバータ42を介して内部入力端子102に接続されて
いる。インバータ42の出力端子はトランスファゲート
44を介してトランスファゲート30の出力端及びNO
Rゲート40の前記一方の入力端に接続されている。ト
ランスファゲート30はPMOSトランジスタP10,
NMOSトランジスタN10により、トランスファゲー
ト44はPMOSトランジスタP11,NMOSトラン
ジスタN11により構成され、NMOSトランジスタN
10,PMOSトランジスタP11のゲートにはゲート
制御信号Eが、PMOSトランジスタP10,NMOS
トランジスタN11のゲートにはゲート制御信号Eを反
転した信号であるゲート制御信号ENが入力されるよう
になっている。
【0040】上記構成において、図10に示すように入
力回路の初期動作時にはリセット信号はハイレベルにな
っており、この状態ではトランスファゲート30を制御
するゲート制御信号Eの状態に関係なく内部入力端子1
02の初期状態はハイレベルに固定されている。
力回路の初期動作時にはリセット信号はハイレベルにな
っており、この状態ではトランスファゲート30を制御
するゲート制御信号Eの状態に関係なく内部入力端子1
02の初期状態はハイレベルに固定されている。
【0041】次に時刻tn でリセット信号がハイレベル
からローレベルに変化し、ゲート制御信号Eがハイレベ
ルになると、トランスファゲート30は入力端子100
からの信号の入力を許可する入力許可状態となり、NO
Rゲート40はトランスファゲート30の出力信号を反
転するインバータとして機能し、NORゲート40の出
力が更にインバータ42により反転されるために時刻t
n 以降では入力端子100における信号レベルの変化が
そのまま内部入力端子102に伝達されることとなる。
からローレベルに変化し、ゲート制御信号Eがハイレベ
ルになると、トランスファゲート30は入力端子100
からの信号の入力を許可する入力許可状態となり、NO
Rゲート40はトランスファゲート30の出力信号を反
転するインバータとして機能し、NORゲート40の出
力が更にインバータ42により反転されるために時刻t
n 以降では入力端子100における信号レベルの変化が
そのまま内部入力端子102に伝達されることとなる。
【0042】一方、リセット信号がローレベルにある状
態下においてトランスファゲート30が入力禁止状態に
ある時、すなわちゲート制御信号Eがローレベル(この
ときゲート制御信号ENはハイレベル)である時はトラ
ンスファゲート44、NORゲート40及びインバータ
42はラッチ回路20として機能し、ラッチ回路20は
入力禁止状態になる直前のスリーステートゲート10の
出力、すなわち入力端子100における信号レベルを保
持する。
態下においてトランスファゲート30が入力禁止状態に
ある時、すなわちゲート制御信号Eがローレベル(この
ときゲート制御信号ENはハイレベル)である時はトラ
ンスファゲート44、NORゲート40及びインバータ
42はラッチ回路20として機能し、ラッチ回路20は
入力禁止状態になる直前のスリーステートゲート10の
出力、すなわち入力端子100における信号レベルを保
持する。
【0043】以上のように本発明の第4の実施の形態に
係る入力回路によれば、第2の実施の形態に係る入力回
路におけるインバータ22の代わりにNORゲート40
及びインバータ42を設け、スリーステートゲート1
0、26の代わりにトランスファゲート30、44を設
け、NORゲート40の一方の入力端にリセット信号を
入力するように構成したので、内部入力端子に接続され
る内部回路をハイレベルに初期化することが可能にな
る。
係る入力回路によれば、第2の実施の形態に係る入力回
路におけるインバータ22の代わりにNORゲート40
及びインバータ42を設け、スリーステートゲート1
0、26の代わりにトランスファゲート30、44を設
け、NORゲート40の一方の入力端にリセット信号を
入力するように構成したので、内部入力端子に接続され
る内部回路をハイレベルに初期化することが可能にな
る。
【0044】また図5に示した第2の実施の形態に係る
入力回路のスリーステートゲート10、26の代わりに
トランスファゲート30、44を設けたので、少ないト
ランジスタ数で入力回路を構成でき、部品点数の低減が
図れる。
入力回路のスリーステートゲート10、26の代わりに
トランスファゲート30、44を設けたので、少ないト
ランジスタ数で入力回路を構成でき、部品点数の低減が
図れる。
【0045】更に本実施の形態においても、第1の実施
の形態と同様に入力禁止期間の前後において不要な信号
レベルの変化が生じるのを防止でき、それ故不要な信号
レベルに起因する内部回路の誤動作を防止することがで
きる。
の形態と同様に入力禁止期間の前後において不要な信号
レベルの変化が生じるのを防止でき、それ故不要な信号
レベルに起因する内部回路の誤動作を防止することがで
きる。
【0046】尚、本発明の第1の実施の形態では入力回
路の具体的構成として図2に示す回路を例示したが、こ
の回路に限定されるものではない。
路の具体的構成として図2に示す回路を例示したが、こ
の回路に限定されるものではない。
【0047】第3の実施の形態では、図1に示す入力回
路におけるインバータ22の代わりに、NORゲート2
8を使用してリセット機能を実現しているが、図1のイ
ンバータ24の代わりにNORゲート28を使用してリ
セット機能を実現するようにしてもよい。
路におけるインバータ22の代わりに、NORゲート2
8を使用してリセット機能を実現しているが、図1のイ
ンバータ24の代わりにNORゲート28を使用してリ
セット機能を実現するようにしてもよい。
【0048】また第2の実施の形態ではスリーステート
ゲートを2つ、第4の実施の形態ではトランスファーゲ
ートを2つ使用しているが、これらの各実施の形態にお
いてスリーステートゲートとトランスファーゲートを組
合せて使用することも可能である。
ゲートを2つ、第4の実施の形態ではトランスファーゲ
ートを2つ使用しているが、これらの各実施の形態にお
いてスリーステートゲートとトランスファーゲートを組
合せて使用することも可能である。
【0049】更に第3の実施の形態では、リセット信号
により内部入力端子をローレベルに初期化しているが、
ハイレベルに初期化するように構成することも可能であ
る。
により内部入力端子をローレベルに初期化しているが、
ハイレベルに初期化するように構成することも可能であ
る。
【0050】また第4の実施の形態では、リセット信号
により、内部入力端子をハイレベルに初期化している
が、ローレベルに初期化するように構成することも可能
である。
により、内部入力端子をハイレベルに初期化している
が、ローレベルに初期化するように構成することも可能
である。
【0051】
【発明の効果】以上に説明したように、請求項1に記載
の発明によれば、ゲートが制御信号により入力が禁止さ
れている入力禁止状態では入力端子がハイインピーダン
ス状態になってもゲートにより貫通電流の内部入力端子
への流入が阻止され、またゲートが入力禁止状態ではラ
ッチ回路により入力禁止直前の信号レベルが保持される
ので内部入力端子において入力禁止期間の前後において
不要な信号レベルの変化が生じるのを防止でき、それ故
不要な信号レベルの変化に起因する内部回路の誤動作を
防止することができる。
の発明によれば、ゲートが制御信号により入力が禁止さ
れている入力禁止状態では入力端子がハイインピーダン
ス状態になってもゲートにより貫通電流の内部入力端子
への流入が阻止され、またゲートが入力禁止状態ではラ
ッチ回路により入力禁止直前の信号レベルが保持される
ので内部入力端子において入力禁止期間の前後において
不要な信号レベルの変化が生じるのを防止でき、それ故
不要な信号レベルの変化に起因する内部回路の誤動作を
防止することができる。
【0052】また請求項2に記載の発明によれば、スリ
ーステートゲートの出力端と第2のインバータの出力端
とを接続するように構成したので、請求項1に記載の発
明の効果に加えて、スリーステートゲートが入力許可状
態では外部より入力端子から入力される信号に対してシ
ュミット特性を持たせることができ、ノイズに対して影
響を受けにくい入力回路が得られる、という効果が有
る。
ーステートゲートの出力端と第2のインバータの出力端
とを接続するように構成したので、請求項1に記載の発
明の効果に加えて、スリーステートゲートが入力許可状
態では外部より入力端子から入力される信号に対してシ
ュミット特性を持たせることができ、ノイズに対して影
響を受けにくい入力回路が得られる、という効果が有
る。
【0053】請求項3に記載の発明によれば、請求項2
に記載の入力回路における第2のインバータの代わりに
第2のスリーステートゲートを設けるように構成したの
で、請求項1に記載の発明の効果に加えて、入力許可状
態では第2のスリーステートゲートの出力をハイインピ
ーダンス状態にすることにより、入力端子より内部入力
端子への信号遅延を小さくすることができると共に、消
費電流を少なくすることができるという効果が得られ
る。
に記載の入力回路における第2のインバータの代わりに
第2のスリーステートゲートを設けるように構成したの
で、請求項1に記載の発明の効果に加えて、入力許可状
態では第2のスリーステートゲートの出力をハイインピ
ーダンス状態にすることにより、入力端子より内部入力
端子への信号遅延を小さくすることができると共に、消
費電流を少なくすることができるという効果が得られ
る。
【0054】請求項4に記載の発明によれば、ラッチ回
路にリセット機能を持たせるように構成したので、請求
項1に記載の発明の効果に加えて、初期動作時に内部入
力端子に接続される内部回路を初期化することが可能に
なるという効果が得られる。
路にリセット機能を持たせるように構成したので、請求
項1に記載の発明の効果に加えて、初期動作時に内部入
力端子に接続される内部回路を初期化することが可能に
なるという効果が得られる。
【0055】請求項5、6に記載の発明によれば、リセ
ット信号が入力される論理ゲートによりリセット機能を
実現するようにしたので、請求項1に記載の発明の効果
に加えて、初期動作時に内部入力端子に接続される内部
回路を所定の電圧レベルに初期化することが可能になる
という効果が得られる。
ット信号が入力される論理ゲートによりリセット機能を
実現するようにしたので、請求項1に記載の発明の効果
に加えて、初期動作時に内部入力端子に接続される内部
回路を所定の電圧レベルに初期化することが可能になる
という効果が得られる。
【0056】更に請求項6に記載の発明によれば、請求
項3に記載の入力回路の第1、第2のスリーステートゲ
ートの代わりに第1、第2のトランスファゲートを設け
るようにしたので、少ないトランジスタ数で入力回路を
構成することができ、部品点数の低減が図れる。
項3に記載の入力回路の第1、第2のスリーステートゲ
ートの代わりに第1、第2のトランスファゲートを設け
るようにしたので、少ないトランジスタ数で入力回路を
構成することができ、部品点数の低減が図れる。
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る入力回路の構
成を示す回路図。
成を示す回路図。
【図2】図1に示した入力回路の具体的構成を示す回路
図。
図。
【図3】図1及び図2に示した入力回路の動作状態の一
例を示すタイミングチャート。
例を示すタイミングチャート。
【図4】図1及び図2に示した入力回路の動作状態の他
の例を示すタイミングチャート。
の例を示すタイミングチャート。
【図5】本発明の第2の実施の形態に係る入力回路の構
成を示す回路図。
成を示す回路図。
【図6】図5に示した入力回路の動作状態の一例を示す
タイミングチャート。
タイミングチャート。
【図7】本発明の第3の実施の形態に係る入力回路の構
成を示す回路図。
成を示す回路図。
【図8】図7に示した入力回路の動作状態の一例を示す
タイミングチャート。
タイミングチャート。
【図9】本発明の第4の実施の形態に係る入力回路の構
成を示す回路図。
成を示す回路図。
【図10】図9に示した入力回路の動作状態の一例を示
すタイミングチャート。
すタイミングチャート。
【図11】従来の入力回路の構成の一例を示す回路図。
【図12】図11に示した入力回路の動作状態を示すタ
イミングチャート。
イミングチャート。
10、26 スリーステートゲート 20 ラッチ回路 22、24、42 インバータ 28、40 NORゲート 30、44 トランスファゲート 100 入力端子 102 内部入力端子
Claims (6)
- 【請求項1】 外部より信号が入力される入力端子に入
力端が接続されると共に、入力された制御信号に応じて
外部より入力された信号の通過を許可または禁止するゲ
ートと、 該ゲートの出力を保持し、内部回路に接続される内部入
力端子に出力するラッチ回路と、 を有することを特徴とする入力回路。 - 【請求項2】 前記ゲートはスリーステートゲートであ
り、 前記ラッチ回路は、 前記スリーステートゲートの出力端に入力端が接続さ
れ、内部入力端子に出力端が接続される第1のインバー
タと、 該第1のインバータの出力端に入力端が接続され、該第
1のインバータの入力端に出力端が接続される第2のイ
ンバータと、 を有することを特徴とする請求項1に記載の入力回路。 - 【請求項3】 前記ゲートは第1のスリーステートゲー
トであり、 前記ラッチ回路は、 前記第1のスリーステートゲートの出力端に入力端が接
続され、内部入力端子に出力端が接続されるインバータ
と、 該インバータの出力端に入力端が接続され、該インバー
タの入力端に出力端が接続される第2のスリーステート
ゲートと、 を有することを特徴とする請求項1に記載の入力回路。 - 【請求項4】 前記ラッチ回路は、初期動作時に内部入
力端子における電圧レベルを一定に固定するリセット機
能を有することを特徴とする請求項1に記載の入力回
路。 - 【請求項5】 前記ゲートはスリーステートゲートであ
り、 前記ラッチ回路は、 前記スリーステートゲートの出力端が一方の入力端に接
続され他方の入力端にリセット信号が入力され、出力端
が前記内部入力端子に接続される論理ゲートと、 該論理ゲートの出力端に入力端が接続され該論理ゲート
の前記一方の入力端に出力端が接続されるインバータ
と、 を有することを特徴とする請求項1に記載の入力回路。 - 【請求項6】 前記ゲートは、第1のトランスファーゲ
ートであり、 前記ラッチ回路は、 前記第1のトランスファゲートの出力端に一方の入力端
が接続され他方の入力端にリセット信号が入力される論
理ゲートと、 該論理ゲートの出力端に入力端が接続され出力端が前記
内部入力端子に接続されるインバータと、 該インバータの出力端と前記論理ゲートの前記一方の入
力端との間に接続される第2のトランスファゲートと、 を有することを特徴とする請求項1に記載の入力回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10123466A JPH11317656A (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 入力回路 |
| US09/188,212 US6211702B1 (en) | 1998-05-06 | 1998-11-09 | Input circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10123466A JPH11317656A (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 入力回路 |
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|---|---|
| JPH11317656A true JPH11317656A (ja) | 1999-11-16 |
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ID=14861337
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|---|---|---|---|
| JP10123466A Pending JPH11317656A (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 入力回路 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006067859A1 (ja) * | 2004-12-24 | 2006-06-29 | Yamatake Corporation | インターフェース回路 |
| US7750705B2 (en) | 2003-06-30 | 2010-07-06 | Yamatake Corporation | Interface circuit |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4803893B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-10-26 | 富士通テン株式会社 | 計測制御装置 |
| RU2202121C2 (ru) * | 2001-05-22 | 2003-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-производственное предприятие "Полет" | Устройство для ввода информации |
| US6919740B2 (en) * | 2003-01-31 | 2005-07-19 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Molecular-junction-nanowire-crossbar-based inverter, latch, and flip-flop circuits, and more complex circuits composed, in part, from molecular-junction-nanowire-crossbar-based inverter, latch, and flip-flop circuits |
| US20070013425A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Burr James B | Lower minimum retention voltage storage elements |
| US8067970B2 (en) * | 2006-03-31 | 2011-11-29 | Masleid Robert P | Multi-write memory circuit with a data input and a clock input |
| US7592836B1 (en) | 2006-03-31 | 2009-09-22 | Masleid Robert P | Multi-write memory circuit with multiple data inputs |
| WO2007123694A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-11-01 | Transmeta Corporation | Memory circuit |
| US20160006348A1 (en) * | 2014-07-07 | 2016-01-07 | Ememory Technology Inc. | Charge pump apparatus |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6150421A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-12 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
| JPS6211322A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Cmosラツチ回路 |
| JPH02287854A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-27 | Nec Corp | 入力回路 |
| JPH07321631A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 入力バッファ回路及び半導体集積回路 |
| JPH1197985A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 入力回路 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3739193A (en) * | 1971-01-11 | 1973-06-12 | Rca Corp | Logic circuit |
| US3812384A (en) * | 1973-05-17 | 1974-05-21 | Rca Corp | Set-reset flip-flop |
| JPS5690483A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-22 | Fujitsu Ltd | Address buffer circuit |
| US5132577A (en) * | 1991-04-11 | 1992-07-21 | National Semiconductor Corporation | High speed passgate, latch and flip-flop circuits |
| US5404151A (en) * | 1991-07-30 | 1995-04-04 | Nec Corporation | Scanning circuit |
| JP3567601B2 (ja) * | 1995-03-30 | 2004-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 入出力バッファ回路及び出力バッファ回路 |
| US5760608A (en) * | 1996-10-21 | 1998-06-02 | Hewlett-Packard Co. | High speed, low clock load register dump circuit |
-
1998
- 1998-05-06 JP JP10123466A patent/JPH11317656A/ja active Pending
- 1998-11-09 US US09/188,212 patent/US6211702B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6150421A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-12 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
| JPS6211322A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Cmosラツチ回路 |
| JPH02287854A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-27 | Nec Corp | 入力回路 |
| JPH07321631A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 入力バッファ回路及び半導体集積回路 |
| JPH1197985A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 入力回路 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7750705B2 (en) | 2003-06-30 | 2010-07-06 | Yamatake Corporation | Interface circuit |
| US7986162B2 (en) | 2003-06-30 | 2011-07-26 | Yamatake Corporation | Interface circuit |
| US8018264B2 (en) | 2003-06-30 | 2011-09-13 | Yamatake Corporation | Interface circuit |
| WO2006067859A1 (ja) * | 2004-12-24 | 2006-06-29 | Yamatake Corporation | インターフェース回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6211702B1 (en) | 2001-04-03 |
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