JPH11340377A - 表面実装型半導体装置 - Google Patents
表面実装型半導体装置Info
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- JPH11340377A JPH11340377A JP14088398A JP14088398A JPH11340377A JP H11340377 A JPH11340377 A JP H11340377A JP 14088398 A JP14088398 A JP 14088398A JP 14088398 A JP14088398 A JP 14088398A JP H11340377 A JPH11340377 A JP H11340377A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型の表面実装型半導体装置の実装時の放熱
特性を向上し、ホール素子を搭載した場合の磁界検出特
性を向上すること。 【解決手段】 リードを挟んで一方に成形した相対的に
厚みの薄い第１の樹脂成形部と、リードを挟んで他方に
成形した相対的に厚みの厚い第２の樹脂成形部とを一体
成形した樹脂パッケージ内にホール素子を封止してい
る。樹脂パッケージの外方に突出したリードは相対的に
厚みの薄い前記第１の樹脂成形部の方向に曲折し、ホー
ル素子の主面は、樹脂パッケージの上方に向けて搭載さ
れる。
特性を向上し、ホール素子を搭載した場合の磁界検出特
性を向上すること。 【解決手段】 リードを挟んで一方に成形した相対的に
厚みの薄い第１の樹脂成形部と、リードを挟んで他方に
成形した相対的に厚みの厚い第２の樹脂成形部とを一体
成形した樹脂パッケージ内にホール素子を封止してい
る。樹脂パッケージの外方に突出したリードは相対的に
厚みの薄い前記第１の樹脂成形部の方向に曲折し、ホー
ル素子の主面は、樹脂パッケージの上方に向けて搭載さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、小型の表面実装型
半導体装置に関し、特にホール素子に適した表面実装型
半導体装置に関する。
半導体装置に関し、特にホール素子に適した表面実装型
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路基板の小型化および高密度実装
化に伴い、ダイオードなどに代表される半導体装置は、
ますます小型化、表面実装化が要求されている。
化に伴い、ダイオードなどに代表される半導体装置は、
ますます小型化、表面実装化が要求されている。
【０００３】図４は従来の表面実装型半導体装置の断面
図である。樹脂パッケージ１は、対向するリード２ａ、
２ｂを挟んで下側に成形された第１の樹脂成形部１ａ
と、リードを挟んで上側に成形された第２の樹脂成形部
１ｂとが一体成形されてなる。樹脂パッケージ１内に
は、一方のリード２ａに半導体素子３がその主面を樹脂
パッケージ１の底面に向けて搭載され、他方のリード２
ｂとボンディングワイヤ４で結線されている。
図である。樹脂パッケージ１は、対向するリード２ａ、
２ｂを挟んで下側に成形された第１の樹脂成形部１ａ
と、リードを挟んで上側に成形された第２の樹脂成形部
１ｂとが一体成形されてなる。樹脂パッケージ１内に
は、一方のリード２ａに半導体素子３がその主面を樹脂
パッケージ１の底面に向けて搭載され、他方のリード２
ｂとボンディングワイヤ４で結線されている。
【０００４】このような表面実装型半導体装置は、樹脂
パッケージ１の寸法が、例えば高さ１．５ｍｍ以下とい
う小型化を実現するため、半導体素子３を封止するのに
最低限の厚みをもった第１の樹脂成形部１ａに対し、第
２の樹脂成形部１ｂの厚みを相対的に薄く成形してい
る。
パッケージ１の寸法が、例えば高さ１．５ｍｍ以下とい
う小型化を実現するため、半導体素子３を封止するのに
最低限の厚みをもった第１の樹脂成形部１ａに対し、第
２の樹脂成形部１ｂの厚みを相対的に薄く成形してい
る。
【０００５】樹脂パッケージ１の外方に突出したリード
２ａ、２ｂは、第１の樹脂成形部１ａに向けてクランク
形状に曲折し、プリント基板に表面実装できるように樹
脂パッケージ１の底面と略同一面に延在している。
２ａ、２ｂは、第１の樹脂成形部１ａに向けてクランク
形状に曲折し、プリント基板に表面実装できるように樹
脂パッケージ１の底面と略同一面に延在している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の表
面実装型半導体装置は、プリント基板に実装する際、相
対的に厚みの厚い第１の樹脂成形部がプリント基板側に
位置するため、リードおよび半導体素子とプリント基板
との距離が長くなり、放熱性が悪いという問題がある。
面実装型半導体装置は、プリント基板に実装する際、相
対的に厚みの厚い第１の樹脂成形部がプリント基板側に
位置するため、リードおよび半導体素子とプリント基板
との距離が長くなり、放熱性が悪いという問題がある。
【０００７】また、半導体素子としてホール素子を採用
した場合、図５に示すように、表面実装型半導体装置は
プリント基板６に実装され、その上方に配置した磁石７
から発生する磁界をホール素子３が検出し、ホール素子
の出力端子から磁界の強さに応じた出力電圧を発生させ
て使用する。ところが、従来の表面実装型半導体装置で
は、リード２ａ、２ｂを挟んで樹脂パッケージ１の上側
に成形した第２の樹脂成形部１ｂにホール素子３を封止
するための十分な厚みがないため、リードを挟んで樹脂
パッケージ１の下側に成形した第１の樹脂成形部１ａに
ホール素子３を封止している。このため、リードよりも
下側にホール素子３を搭載、すなわち、ホール素子３の
主面がプリント基板６側に向けて搭載される。この結
果、ホール素子３の主面と磁石７との距離が長くなり、
ホール素子３の磁界検出特性が低下するという問題があ
る。
した場合、図５に示すように、表面実装型半導体装置は
プリント基板６に実装され、その上方に配置した磁石７
から発生する磁界をホール素子３が検出し、ホール素子
の出力端子から磁界の強さに応じた出力電圧を発生させ
て使用する。ところが、従来の表面実装型半導体装置で
は、リード２ａ、２ｂを挟んで樹脂パッケージ１の上側
に成形した第２の樹脂成形部１ｂにホール素子３を封止
するための十分な厚みがないため、リードを挟んで樹脂
パッケージ１の下側に成形した第１の樹脂成形部１ａに
ホール素子３を封止している。このため、リードよりも
下側にホール素子３を搭載、すなわち、ホール素子３の
主面がプリント基板６側に向けて搭載される。この結
果、ホール素子３の主面と磁石７との距離が長くなり、
ホール素子３の磁界検出特性が低下するという問題があ
る。
【０００８】本発明は、上記の問題を解決するものであ
り、小型の表面実装型半導体装置の実装時の放熱特性を
向上することができ、さらにホール素子を搭載した場合
に磁界検出特性を向上することができる表面実装型半導
体装置を提供することを目的とする。
り、小型の表面実装型半導体装置の実装時の放熱特性を
向上することができ、さらにホール素子を搭載した場合
に磁界検出特性を向上することができる表面実装型半導
体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂パッケー
ジ内にリードおよびこのリードに搭載した半導体素子を
封止し、前記樹脂パッケージの外方に突出したリードを
表面実装できるように曲折した表面実装型半導体装置に
おいて、前記樹脂パッケージは、リードを挟んで一方に
成形した相対的に厚みの薄い第１の樹脂成形部と、リー
ドを挟んで他方に成形した相対的に厚みの厚い第２の樹
脂成形部とを一体成形してなり、前記樹脂パッケージの
外方に突出したリードが、相対的に厚みの薄い前記第１
の樹脂成形部の方向に曲折し、かつ、前記半導体素子の
主面を、前記リードが曲折した方向の逆方向に向けて搭
載した表面実装型半導体装置である。
ジ内にリードおよびこのリードに搭載した半導体素子を
封止し、前記樹脂パッケージの外方に突出したリードを
表面実装できるように曲折した表面実装型半導体装置に
おいて、前記樹脂パッケージは、リードを挟んで一方に
成形した相対的に厚みの薄い第１の樹脂成形部と、リー
ドを挟んで他方に成形した相対的に厚みの厚い第２の樹
脂成形部とを一体成形してなり、前記樹脂パッケージの
外方に突出したリードが、相対的に厚みの薄い前記第１
の樹脂成形部の方向に曲折し、かつ、前記半導体素子の
主面を、前記リードが曲折した方向の逆方向に向けて搭
載した表面実装型半導体装置である。
【００１０】この構成によると、相対的に厚みの薄い第
１の樹脂成形部に向けてリードを曲折しているため、プ
リント基板実装時には相対的に厚みの薄い第１の樹脂成
形部を下側に、すなわちプリント基板側に向けて実装さ
れることとなる。このため、プリント基板とリードおよ
び半導体素子との距離が短くなり、放熱性を向上するこ
とができる。
１の樹脂成形部に向けてリードを曲折しているため、プ
リント基板実装時には相対的に厚みの薄い第１の樹脂成
形部を下側に、すなわちプリント基板側に向けて実装さ
れることとなる。このため、プリント基板とリードおよ
び半導体素子との距離が短くなり、放熱性を向上するこ
とができる。
【００１１】また、相対的に厚みの厚い第２の樹脂成形
部がリードを挟んで上側に成形されているため、リード
の上方に半導体素子を封止できる。この結果、ホール素
子を採用した場合において、その主面が上側、すなわち
実装時に磁石が配置された側に向けて搭載することがで
き、ホール素子の磁界検出特性を向上することができ
る。
部がリードを挟んで上側に成形されているため、リード
の上方に半導体素子を封止できる。この結果、ホール素
子を採用した場合において、その主面が上側、すなわち
実装時に磁石が配置された側に向けて搭載することがで
き、ホール素子の磁界検出特性を向上することができ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００１３】（実施の形態１）図１は本実施の形態によ
る表面実装型半導体装置の断面図である。樹脂パッケー
ジ１の寸法は、縦１．５ｍｍ、横２．９ｍｍ、高さ１．
１ｍｍである。リードは、半導体素子搭載用が１端子と
ワイヤボンディング用が２端子の３端子タイプである
が、図中、ワイヤボンディング用の１本は省略し、２
ａ、２ｂの２端子のみを表示する。なお、半導体素子３
には、ホール素子を用いている。
る表面実装型半導体装置の断面図である。樹脂パッケー
ジ１の寸法は、縦１．５ｍｍ、横２．９ｍｍ、高さ１．
１ｍｍである。リードは、半導体素子搭載用が１端子と
ワイヤボンディング用が２端子の３端子タイプである
が、図中、ワイヤボンディング用の１本は省略し、２
ａ、２ｂの２端子のみを表示する。なお、半導体素子３
には、ホール素子を用いている。
【００１４】樹脂パッケージ１は、対向するリード２
ａ、２ｂを挟んで下側に成形された第１の樹脂成形部１
ａと、リードを挟んで上側に成形された第２の樹脂成形
部１ｂとが一体成形されてなる。第１の樹脂成形部の厚
みは０．３ｍｍ、第２の樹脂成形部の厚みは０．８ｍｍ
であり、樹脂パッケージ１の下側に位置する第１の樹脂
成形部１ａの厚みが相対的に薄く成形されている。樹脂
パッケージ１内には、一方のリード２ａにホール素子３
が、その主面を樹脂パッケージ１の上面に向けて搭載さ
れ、他方のリード２ｂとボンディングワイヤ４で結線さ
れている。樹脂パッケージ１の外方に突出したリード２
ａ、２ｂは、厚みの薄い第１の樹脂成形部１ａの方向に
クランク形状に曲折し、樹脂パッケージ１の底面と略同
一面に延在している。
ａ、２ｂを挟んで下側に成形された第１の樹脂成形部１
ａと、リードを挟んで上側に成形された第２の樹脂成形
部１ｂとが一体成形されてなる。第１の樹脂成形部の厚
みは０．３ｍｍ、第２の樹脂成形部の厚みは０．８ｍｍ
であり、樹脂パッケージ１の下側に位置する第１の樹脂
成形部１ａの厚みが相対的に薄く成形されている。樹脂
パッケージ１内には、一方のリード２ａにホール素子３
が、その主面を樹脂パッケージ１の上面に向けて搭載さ
れ、他方のリード２ｂとボンディングワイヤ４で結線さ
れている。樹脂パッケージ１の外方に突出したリード２
ａ、２ｂは、厚みの薄い第１の樹脂成形部１ａの方向に
クランク形状に曲折し、樹脂パッケージ１の底面と略同
一面に延在している。
【００１５】このような構成であるため、プリント基板
に実装した際には、相対的に厚みの薄い第１の樹脂成形
部がプリント基板側に配置され、リードおよび半導体素
子とプリント基板との距離が短くなり、放熱性が向上す
る。
に実装した際には、相対的に厚みの薄い第１の樹脂成形
部がプリント基板側に配置され、リードおよび半導体素
子とプリント基板との距離が短くなり、放熱性が向上す
る。
【００１６】また、相対的に厚みの厚い第２の樹脂成形
部がリードを挟んで上側に成形されているため、リード
の上側に半導体素子を搭載、すなわち半導体素子の主面
を樹脂パッケージの上方に向けて搭載できる。この結
果、プリント基板実装時には、磁石を配置した側に半導
体素子の主面が向き、ホール素子の磁界検出特性を向上
することができる。
部がリードを挟んで上側に成形されているため、リード
の上側に半導体素子を搭載、すなわち半導体素子の主面
を樹脂パッケージの上方に向けて搭載できる。この結
果、プリント基板実装時には、磁石を配置した側に半導
体素子の主面が向き、ホール素子の磁界検出特性を向上
することができる。
【００１７】本発明は、以上説明した構造に限ることな
く、例えば図２に示すように、樹脂パッケージ１内の一
方のリード２ｂをあらかじめ曲折しておき、半導体素子
１の主面に直接、リード２ｂを接続した構造や、図３に
示すように、ボンディングワイヤの代わりに、金属製の
接続端子５を採用した構造など本発明の思想に逸脱しな
い限り、適宜変更可能である。
く、例えば図２に示すように、樹脂パッケージ１内の一
方のリード２ｂをあらかじめ曲折しておき、半導体素子
１の主面に直接、リード２ｂを接続した構造や、図３に
示すように、ボンディングワイヤの代わりに、金属製の
接続端子５を採用した構造など本発明の思想に逸脱しな
い限り、適宜変更可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、小
型の表面実装型半導体装置においても、実装時の放熱性
を向上することができる。
型の表面実装型半導体装置においても、実装時の放熱性
を向上することができる。
【００１９】また、半導体素子としてホール素子を搭載
した場合、素子の主面を磁石が配置された側に向けるこ
とができるため、磁界検出特性が向上する。
した場合、素子の主面を磁石が配置された側に向けるこ
とができるため、磁界検出特性が向上する。
【図１】本発明の一実施の形態による表面実装型半導体
装置を示す断面図
装置を示す断面図
【図２】本発明の他の実施形態による表面実装型半導体
装置を示す断面図
装置を示す断面図
【図３】本発明のさらに他の実施形態による表面実装型
半導体装置を示す断面図
半導体装置を示す断面図
【図４】従来の表面実装型半導体装置を示す断面図
【図５】従来の表面実装型半導体装置にホール素子を用
いた場合の説明図
いた場合の説明図
１ 樹脂パッケージ １ａ 第１の樹脂成形部 １ｂ 第２の樹脂成形部 ２ａ リード ２ｂ リード ３ 半導体素子 ４ ボンディングワイヤ ５ 接続端子 ６ プリント基板 ７ 磁石
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂パッケージ内にリードおよびこのリ
ードに搭載した半導体素子を封止し、前記樹脂パッケー
ジの外方に突出したリードを表面実装できるように曲折
した表面実装型半導体装置において、前記樹脂パッケー
ジは、リードを挟んで一方に成形した相対的に厚みの薄
い第１の樹脂成形部と、リードを挟んで他方に成形した
相対的に厚みの厚い第２の樹脂成形部とを一体成形して
なり、前記樹脂パッケージの外方に突出したリードが、
相対的に厚みの薄い前記第１の樹脂成形部の方向に曲折
し、かつ、前記半導体素子の主面を、前記リードが曲折
した方向の逆方向に向けて搭載したことを特徴とする表
面実装型半導体装置。 - 【請求項２】 前記樹脂パッケージの寸法は、高さ１．
５ｍｍ以下である請求項１記載の表面実装型半導体装
置。 - 【請求項３】 前記半導体素子は、ホール素子である請
求項１および２記載の表面実装型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14088398A JPH11340377A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 表面実装型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14088398A JPH11340377A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 表面実装型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340377A true JPH11340377A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15278997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14088398A Pending JPH11340377A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 表面実装型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340377A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006060106A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Origin Electric Co Ltd | リード部材及び表面実装型半導体装置 |
| JP2009168721A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Nippon Thompson Co Ltd | 小型スライド装置 |
| JP2014002165A (ja) * | 2013-08-08 | 2014-01-09 | Nippon Thompson Co Ltd | 小型スライド装置 |
| CN111106233A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-05 | 苏州矩阵光电有限公司 | 一种霍尔传感器以及电子设备 |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP14088398A patent/JPH11340377A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006060106A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Origin Electric Co Ltd | リード部材及び表面実装型半導体装置 |
| JP2009168721A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Nippon Thompson Co Ltd | 小型スライド装置 |
| JP2014002165A (ja) * | 2013-08-08 | 2014-01-09 | Nippon Thompson Co Ltd | 小型スライド装置 |
| CN111106233A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-05 | 苏州矩阵光电有限公司 | 一种霍尔传感器以及电子设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040817 |