JPH11343199A - ニオブ酸リチウム単結晶膜およびその製造方法 - Google Patents
ニオブ酸リチウム単結晶膜およびその製造方法Info
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- JPH11343199A JPH11343199A JP10148851A JP14885198A JPH11343199A JP H11343199 A JPH11343199 A JP H11343199A JP 10148851 A JP10148851 A JP 10148851A JP 14885198 A JP14885198 A JP 14885198A JP H11343199 A JPH11343199 A JP H11343199A
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Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】製膜後に再分極や表面研磨をする必要のない、
ニオブ酸リチウム単結晶膜とその製造方法を提供する。 【解決手段】タンタル酸リチウム基板を融液に接触さ
せ、ニオブ酸リチウム単結晶膜を製膜する方法におい
て、融液組成として、ＬｉＮｂＯ3−ＬｉＶＯ3−ＬｉＢ
Ｏ2の擬３元系組成図において、モル％で示す組成比
（ＬｉＮｂＯ3，ＬｉＶＯ3，ＬｉＢＯ2）が、Ａ（１
０，８０，１０）、Ｂ（２，８６，１２）、Ｃ（２，１
２，８６）、Ｄ（１０，１０，８０）の４点を頂点とし
た多角形の内部または線上にあるものを用い、６２０℃
未満で製膜し、単一分域構造を有する単結晶膜を得る。
ニオブ酸リチウム単結晶膜とその製造方法を提供する。 【解決手段】タンタル酸リチウム基板を融液に接触さ
せ、ニオブ酸リチウム単結晶膜を製膜する方法におい
て、融液組成として、ＬｉＮｂＯ3−ＬｉＶＯ3−ＬｉＢ
Ｏ2の擬３元系組成図において、モル％で示す組成比
（ＬｉＮｂＯ3，ＬｉＶＯ3，ＬｉＢＯ2）が、Ａ（１
０，８０，１０）、Ｂ（２，８６，１２）、Ｃ（２，１
２，８６）、Ｄ（１０，１０，８０）の４点を頂点とし
た多角形の内部または線上にあるものを用い、６２０℃
未満で製膜し、単一分域構造を有する単結晶膜を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ニオブ酸リチウム
単結晶膜およびその製造方法に関し、特に例えば、表面
弾性波フィルタ、光導波路などの電子デバイス、オプト
エレクトロニクスデバイスなどに用いられるニオブ酸リ
チウム単結晶膜およびその製造方法に関する。
単結晶膜およびその製造方法に関し、特に例えば、表面
弾性波フィルタ、光導波路などの電子デバイス、オプト
エレクトロニクスデバイスなどに用いられるニオブ酸リ
チウム単結晶膜およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】タンタル酸リチウム（以降、ＬＴと省略
して記す）単結晶基板上にニオブ酸リチウム（以降、Ｌ
Ｎと省略して記す）単結晶膜を形成し、これら単結晶基
板と単結晶膜の屈折率差およびＬＮの非線型光学特性を
利用した光変調器、光導波路、第2高調波（ＳＨＧ）発
生素子などへの応用を目的とした研究が盛んに行なわれ
ている。
して記す）単結晶基板上にニオブ酸リチウム（以降、Ｌ
Ｎと省略して記す）単結晶膜を形成し、これら単結晶基
板と単結晶膜の屈折率差およびＬＮの非線型光学特性を
利用した光変調器、光導波路、第2高調波（ＳＨＧ）発
生素子などへの応用を目的とした研究が盛んに行なわれ
ている。
【０００３】このような目的に用いられるＬＮ単結晶膜
を用意するために、様々な製膜法が試みられている。例
えば、ＭＯＣＶＤ法、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法、スパッタリン
グ法、レーザーアブレーション法、ＬＰＥ（液相エピタ
キシャル）法などである。
を用意するために、様々な製膜法が試みられている。例
えば、ＭＯＣＶＤ法、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法、スパッタリン
グ法、レーザーアブレーション法、ＬＰＥ（液相エピタ
キシャル）法などである。
【０００４】これらの中でも、ＬＰＥ法は準平衡状態に
おける膜形成方法なので高品質の単結晶膜が得られ、単
結晶膜の製造方法として有望視されている。特にエレク
トロオプティカルデバイスの光導波路などに用いるため
には、膜厚が１μm以上のものが求められており、この
ような膜厚が１μmを超える、いわゆる厚膜の形成には
製膜速度の速いＬＰＥ法が好んで用いられている。
おける膜形成方法なので高品質の単結晶膜が得られ、単
結晶膜の製造方法として有望視されている。特にエレク
トロオプティカルデバイスの光導波路などに用いるため
には、膜厚が１μm以上のものが求められており、この
ような膜厚が１μmを超える、いわゆる厚膜の形成には
製膜速度の速いＬＰＥ法が好んで用いられている。
【０００５】このＬＮ単結晶膜をＬＰＥ法で製膜するた
めの融液組成としては、Ｌｉ2Ｏ−Ｖ2Ｏ5−Ｎｂ2Ｏ5系
（Baudrantら、Journal of Crystal Growth ４３巻
（１９７８）１９７−２０３頁など）、Ｌｉ2Ｏ−Ｂ2Ｏ
3−Ｎｂ2Ｏ5系、Ｌｉ2Ｏ−ＷＯ3−Ｎｂ2Ｏ5系、Ｌｉ2Ｏ
−Ｋ2ＷＯ4−Ｎｂ2Ｏ5系（いずれもBallmanら、Journal
of Crystal Growth２９巻（１９７５）２８９−２９５
頁）、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＧｅＯ2系（特開平６−３０５
８９４号）などが検討されてきている。
めの融液組成としては、Ｌｉ2Ｏ−Ｖ2Ｏ5−Ｎｂ2Ｏ5系
（Baudrantら、Journal of Crystal Growth ４３巻
（１９７８）１９７−２０３頁など）、Ｌｉ2Ｏ−Ｂ2Ｏ
3−Ｎｂ2Ｏ5系、Ｌｉ2Ｏ−ＷＯ3−Ｎｂ2Ｏ5系、Ｌｉ2Ｏ
−Ｋ2ＷＯ4−Ｎｂ2Ｏ5系（いずれもBallmanら、Journal
of Crystal Growth２９巻（１９７５）２８９−２９５
頁）、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＧｅＯ2系（特開平６−３０５
８９４号）などが検討されてきている。
【０００６】そして、これら融液組成を用いた場合の製
膜温度に着目すると、いずれの場合も６２０℃を超える
温度である。たとえば、Ｌｉ2Ｏ−Ｖ2Ｏ5−Ｎｂ2Ｏ5系
では、最も低い製膜温度は６５０℃（特開平７−３１１
３７０号公報）であり、通常は９００℃以上である。ま
た、Ｌｉ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ5系では、製膜温度はさ
らに高温になり、少なくとも８００℃以上で、通常は９
００℃〜１１００℃が一般的な製膜温度である。
膜温度に着目すると、いずれの場合も６２０℃を超える
温度である。たとえば、Ｌｉ2Ｏ−Ｖ2Ｏ5−Ｎｂ2Ｏ5系
では、最も低い製膜温度は６５０℃（特開平７−３１１
３７０号公報）であり、通常は９００℃以上である。ま
た、Ｌｉ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ5系では、製膜温度はさ
らに高温になり、少なくとも８００℃以上で、通常は９
００℃〜１１００℃が一般的な製膜温度である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来、Ｌ
Ｔ基板上にＬＮ膜をＬＰＥ法で成長させるためには、基
板であるＬＴのキュリー温度（６２０℃）よりも高い温
度での製膜にならざるを得なかった。そして、製膜温度
がＬＮのキュリー温度（１１４０℃）よりも低温である
ため、得られるＬＮ膜には、その分極方向が＋ｃ軸にな
る部分と−ｃ軸になる部分が、制御不可能な形で導入さ
れる。
Ｔ基板上にＬＮ膜をＬＰＥ法で成長させるためには、基
板であるＬＴのキュリー温度（６２０℃）よりも高い温
度での製膜にならざるを得なかった。そして、製膜温度
がＬＮのキュリー温度（１１４０℃）よりも低温である
ため、得られるＬＮ膜には、その分極方向が＋ｃ軸にな
る部分と−ｃ軸になる部分が、制御不可能な形で導入さ
れる。
【０００８】ところが、このようなランダムに分極方向
が変化したＬＮ膜は、表面弾性波フィルター用としての
用途のみならずオプティカルデバイスとしての用途にお
いても、その性能を発現させることができないという不
具合が生じる。このため、製膜後に再度分極処理を施す
必要があった。また、たとえば基板の主面がｃ方向であ
る場合は、＋ｃとして成長する部分と−ｃとして成長す
る部分の成長速度が異なるために、表面の平坦性が著し
く損なわれる。このため、成膜後に表面の研磨加工が必
要であった。
が変化したＬＮ膜は、表面弾性波フィルター用としての
用途のみならずオプティカルデバイスとしての用途にお
いても、その性能を発現させることができないという不
具合が生じる。このため、製膜後に再度分極処理を施す
必要があった。また、たとえば基板の主面がｃ方向であ
る場合は、＋ｃとして成長する部分と−ｃとして成長す
る部分の成長速度が異なるために、表面の平坦性が著し
く損なわれる。このため、成膜後に表面の研磨加工が必
要であった。
【０００９】しかしながら、上述のような再分極や表面
研磨を行なうことは、コストアップにつながるだけでは
なく、ハンドリングの工程が長くなるので、歩留まりが
低下するという問題点を有していた。
研磨を行なうことは、コストアップにつながるだけでは
なく、ハンドリングの工程が長くなるので、歩留まりが
低下するという問題点を有していた。
【００１０】そこで、本発明の目的は、上記問題点を解
決し、製膜後に再分極や表面研磨をする必要のない、ニ
オブ酸リチウム単結晶膜とその製造方法を提供すること
にある。
決し、製膜後に再分極や表面研磨をする必要のない、ニ
オブ酸リチウム単結晶膜とその製造方法を提供すること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のニオブ酸リチウム単結晶膜は、タンタル酸
リチウム基板を融液に接触させることにより製造された
ニオブ酸リチウム単結晶膜であって、製膜後の分極処理
なしに該単結晶膜が単一分極構造を有していることを特
徴とする。
め、本発明のニオブ酸リチウム単結晶膜は、タンタル酸
リチウム基板を融液に接触させることにより製造された
ニオブ酸リチウム単結晶膜であって、製膜後の分極処理
なしに該単結晶膜が単一分極構造を有していることを特
徴とする。
【００１２】また、本発明のニオブ酸リチウム単結晶膜
の製造方法は、タンタル酸リチウム基板を融液に接触さ
せ、該基板上にニオブ酸リチウム単結晶膜を製膜する方
法において、その製膜温度が６２０℃未満であることを
特徴とする。
の製造方法は、タンタル酸リチウム基板を融液に接触さ
せ、該基板上にニオブ酸リチウム単結晶膜を製膜する方
法において、その製膜温度が６２０℃未満であることを
特徴とする。
【００１３】そして、前記融液の成分は、ＬｉＮｂＯ3
−ＬｉＶＯ3−ＬｉＢＯ2の擬３元系とみなした場合の擬
３元系組成図において、モル％で示す組成比（ＬｉＮｂ
Ｏ3，ＬｉＶＯ3，ＬｉＢＯ2）が、Ａ（１０，８０，１
０）、Ｂ（２，８６，１２）、Ｃ（２，１２，８６）、
Ｄ（１０，１０，８０）の４点を頂点とした多角形の内
部または線上にあることを特徴とする。
−ＬｉＶＯ3−ＬｉＢＯ2の擬３元系とみなした場合の擬
３元系組成図において、モル％で示す組成比（ＬｉＮｂ
Ｏ3，ＬｉＶＯ3，ＬｉＢＯ2）が、Ａ（１０，８０，１
０）、Ｂ（２，８６，１２）、Ｃ（２，１２，８６）、
Ｄ（１０，１０，８０）の４点を頂点とした多角形の内
部または線上にあることを特徴とする。
【００１４】ここで、本発明のニオブ酸リチウム単結晶
膜の製造に用いるＬＴ基板の主面方位は、特に限定され
るものではない。また、あらかじめＭｇ、ＮａまたはＴ
ｉをドープしたＬＴ基板を用いてもよい。しかし、その
分極方向はあらかじめ単一分域構造となったものを用い
る必要がある。なお、単一分域構造であるということ
は、正圧電効果を利用し外部から応力を印加したときに
誘起される静電荷の極性が同一であるということであ
り、具体的には、エッチング速度の違いを利用して表面
をエッチングすることで判定することができる。
膜の製造に用いるＬＴ基板の主面方位は、特に限定され
るものではない。また、あらかじめＭｇ、ＮａまたはＴ
ｉをドープしたＬＴ基板を用いてもよい。しかし、その
分極方向はあらかじめ単一分域構造となったものを用い
る必要がある。なお、単一分域構造であるということ
は、正圧電効果を利用し外部から応力を印加したときに
誘起される静電荷の極性が同一であるということであ
り、具体的には、エッチング速度の違いを利用して表面
をエッチングすることで判定することができる。
【００１５】また、原料の融液は、Ｌｉ、Ｂ、Ｖおよび
Ｎｂの４成分が最終的に所望の組成比となるように、そ
れぞれの酸化物、炭酸化合物、あるいはこれらの元素か
らなる複合化合物を正確に秤量し、その後、完全に溶解
し核となりうる物質が完全に消滅する状態にするため
に、１２００℃以上の温度で１２時間以上保持すること
により得られる。
Ｎｂの４成分が最終的に所望の組成比となるように、そ
れぞれの酸化物、炭酸化合物、あるいはこれらの元素か
らなる複合化合物を正確に秤量し、その後、完全に溶解
し核となりうる物質が完全に消滅する状態にするため
に、１２００℃以上の温度で１２時間以上保持すること
により得られる。
【００１６】次に、単結晶育成に用いる融液の組成の限
定理由を説明する。図１は、Ｌｉ2Ｏ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ
5、Ｂ2Ｏ3の４成分を同時に含む融液成分をＬｉＮｂＯ3
（ＬＮと略す）−ＬｉＶＯ3（ＬＶと略す）−ＬｉＢＯ2
（ＬＢと略す）の擬３元系とみなした場合の擬３元系組
成図である。この擬３元系組成図において、直線ＡＤよ
りもＬＮ濃度が高い場合、つまりＬＮ濃度が１０モル％
よりも高くなると、融液の液相線の温度が高くなり、６
２０℃以下の製膜で異常析出が認められる。また、直線
ＢＣよりもＬＮ濃度の低い場合、つまりＬＮ濃度が２モ
ル％よりも小さい場合は溶媒濃度が十分でなく温度を下
げても製膜できない。また、このような液相温度の低下
はＬＢとＬＶが共存してはじめて達成されるものであ
り、直線ＡＢ、および直線ＣＤよりも外側は好ましくな
い。したがって、融液の組成は、点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４
点を頂点とした多角形の内部または線上にあることが好
ましい。
定理由を説明する。図１は、Ｌｉ2Ｏ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ
5、Ｂ2Ｏ3の４成分を同時に含む融液成分をＬｉＮｂＯ3
（ＬＮと略す）−ＬｉＶＯ3（ＬＶと略す）−ＬｉＢＯ2
（ＬＢと略す）の擬３元系とみなした場合の擬３元系組
成図である。この擬３元系組成図において、直線ＡＤよ
りもＬＮ濃度が高い場合、つまりＬＮ濃度が１０モル％
よりも高くなると、融液の液相線の温度が高くなり、６
２０℃以下の製膜で異常析出が認められる。また、直線
ＢＣよりもＬＮ濃度の低い場合、つまりＬＮ濃度が２モ
ル％よりも小さい場合は溶媒濃度が十分でなく温度を下
げても製膜できない。また、このような液相温度の低下
はＬＢとＬＶが共存してはじめて達成されるものであ
り、直線ＡＢ、および直線ＣＤよりも外側は好ましくな
い。したがって、融液の組成は、点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４
点を頂点とした多角形の内部または線上にあることが好
ましい。
【００１７】本発明の融液組成は、単なる融液の粘性改
変のためにＢ2Ｏ3をＬＮ−ＬＶ系融液に添加したような
ものではない。組成系として積極的にＬＮ−ＬＶ−ＬＢ
の擬３元系を取り入れることにより、従来は不可能であ
るとされていた６２０℃以下という低温での膜形成を可
能としたものである。
変のためにＢ2Ｏ3をＬＮ−ＬＶ系融液に添加したような
ものではない。組成系として積極的にＬＮ−ＬＶ−ＬＢ
の擬３元系を取り入れることにより、従来は不可能であ
るとされていた６２０℃以下という低温での膜形成を可
能としたものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を実施
例に基づき説明する。
例に基づき説明する。
【００１９】（実施例）まず、ＬＮ単結晶膜育成用の出
発原料として、純度９９．９９％のＬｉ2ＣＯ3、Ｖ
2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3およびＮｂ2Ｏ5を用意した。次に、これら
原料をＬＮ、ＬＶおよびＬＢが表１に示す組成となるよ
うに秤量した後、テトラフルオロエチレン製ポットで３
時間混合した。そして、得られた混合物をＰｔ−Ｒｈ坩
堝中に充填し、１２５０℃で２４時間、大気中で溶融し
た。
発原料として、純度９９．９９％のＬｉ2ＣＯ3、Ｖ
2Ｏ5、Ｂ2Ｏ3およびＮｂ2Ｏ5を用意した。次に、これら
原料をＬＮ、ＬＶおよびＬＢが表１に示す組成となるよ
うに秤量した後、テトラフルオロエチレン製ポットで３
時間混合した。そして、得られた混合物をＰｔ−Ｒｈ坩
堝中に充填し、１２５０℃で２４時間、大気中で溶融し
た。
【００２０】その後、表１に示す所定の製膜温度まで徐
冷を行ない、融液の温度を安定化させた。そして、坩堝
側面に接触させた熱電対により測定した温度の経時変化
が０．０５℃／分以下になったのを確認し、単一分域化
処理と両面研磨を施したＳＡＷグレードのＬＴ（Ｚ板）
基板を垂直に吊り下げ、融液中に浸漬して、製膜を行な
った。なお、製膜温度は、表１に示すように、６０５℃
または８００℃であり、製膜時間は５分間とした。表１
において、＊印を付した試料は本発明の範囲外のもので
あり、その他はすべて本発明の範囲内のものである。
冷を行ない、融液の温度を安定化させた。そして、坩堝
側面に接触させた熱電対により測定した温度の経時変化
が０．０５℃／分以下になったのを確認し、単一分域化
処理と両面研磨を施したＳＡＷグレードのＬＴ（Ｚ板）
基板を垂直に吊り下げ、融液中に浸漬して、製膜を行な
った。なお、製膜温度は、表１に示すように、６０５℃
または８００℃であり、製膜時間は５分間とした。表１
において、＊印を付した試料は本発明の範囲外のもので
あり、その他はすべて本発明の範囲内のものである。
【００２１】
【表１】
【００２２】次に、得られたＬＮ単結晶膜について、膜
厚を求め、膜の分域構造とエピタキシャル性を調べた。
膜厚は、段差計により基板面からの高さを測定すること
により求めた。膜の分域構造は、１１０℃のフッ酸−硝
酸の１：２混酸でエッチングを行ない、微分干渉型顕微
鏡にて観察した。このエッチング条件で処理したＬＮ
は、＋Ｃ面である場合と−Ｃ面である場合とではエッチ
ング速度が異なるため、その分域構造が明らかになるこ
とは良く知られているところである。また、エピタキシ
ャル性は、ＬＮ膜の（０４８）反射の極点図形を測定す
ることにより調べた。以上の結果を表１に示す。なお、
膜のエピタキシャル性の欄において、〇印は、極点図形
が３回対称の図形を示し、しかもその方位は基板の（０
４８）反射のものとほぼ同じ方位であり、膜がエピタキ
シャル成長していたものである。×印は、それと異な
り、膜がエピタキシャル成長していなかったものであ
る。
厚を求め、膜の分域構造とエピタキシャル性を調べた。
膜厚は、段差計により基板面からの高さを測定すること
により求めた。膜の分域構造は、１１０℃のフッ酸−硝
酸の１：２混酸でエッチングを行ない、微分干渉型顕微
鏡にて観察した。このエッチング条件で処理したＬＮ
は、＋Ｃ面である場合と−Ｃ面である場合とではエッチ
ング速度が異なるため、その分域構造が明らかになるこ
とは良く知られているところである。また、エピタキシ
ャル性は、ＬＮ膜の（０４８）反射の極点図形を測定す
ることにより調べた。以上の結果を表１に示す。なお、
膜のエピタキシャル性の欄において、〇印は、極点図形
が３回対称の図形を示し、しかもその方位は基板の（０
４８）反射のものとほぼ同じ方位であり、膜がエピタキ
シャル成長していたものである。×印は、それと異な
り、膜がエピタキシャル成長していなかったものであ
る。
【００２３】表１に示すように、図１に示すＬＮ−ＬＶ
−ＬＢの擬３元系組成図において、点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの
４点を頂点とした多角形の内部または線上にある試料番
号１〜８のものは、単一分域構造を示すＬＮのエピタキ
シャル膜が得られた。これに対して、この組成範囲外の
融液を用いた場合は、試料番号９、１１〜１２に示すよ
うに、ＬＮの異常析出が認められた。また、試料番号１
３に示すように、製膜できなかった。さらに、試料番号
１０に示すように、エピタキシャル膜が得られる条件で
あっても、製膜温度がＬＴ基板のキュリー点よりも高い
ため、多分域構造の膜が得られた。
−ＬＢの擬３元系組成図において、点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの
４点を頂点とした多角形の内部または線上にある試料番
号１〜８のものは、単一分域構造を示すＬＮのエピタキ
シャル膜が得られた。これに対して、この組成範囲外の
融液を用いた場合は、試料番号９、１１〜１２に示すよ
うに、ＬＮの異常析出が認められた。また、試料番号１
３に示すように、製膜できなかった。さらに、試料番号
１０に示すように、エピタキシャル膜が得られる条件で
あっても、製膜温度がＬＴ基板のキュリー点よりも高い
ため、多分域構造の膜が得られた。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
タンタル酸リチウム基板上のニオブ酸リチウム単結晶膜
は、ＬｉＮｂＯ3−ＬｉＶＯ3−ＬｉＢＯ2擬３元系の特
定組成の融液を用いて製膜するものである。これによ
り、タンタル酸リチウム基板のキュリー温度である６２
０℃未満の温度で、ニオブ酸リチウム単結晶膜をエピタ
キシャル成長させて形成することができる。
タンタル酸リチウム基板上のニオブ酸リチウム単結晶膜
は、ＬｉＮｂＯ3−ＬｉＶＯ3−ＬｉＢＯ2擬３元系の特
定組成の融液を用いて製膜するものである。これによ
り、タンタル酸リチウム基板のキュリー温度である６２
０℃未満の温度で、ニオブ酸リチウム単結晶膜をエピタ
キシャル成長させて形成することができる。
【００２５】したがって、本発明によれば、製膜時にす
でに単一分域構造を有し、その後の工程で再分極や表面
研磨をする必要のない、ニオブ酸リチウム単結晶膜を得
ることができる。
でに単一分域構造を有し、その後の工程で再分極や表面
研磨をする必要のない、ニオブ酸リチウム単結晶膜を得
ることができる。
【図１】ＬＮ−ＬＶ−ＬＢの擬３元組成図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 タンタル酸リチウム基板を融液に接触さ
せることにより製造されたニオブ酸リチウム単結晶膜で
あって、製膜後の分極処理なしに該単結晶膜が単一分極
構造を有していることを特徴とする、ニオブ酸リチウム
単結晶膜。 - 【請求項２】 タンタル酸リチウム基板を融液に接触さ
せ、該基板上にニオブ酸リチウム単結晶膜を製膜する方
法において、その製膜温度が６２０℃未満であることを
特徴とする、ニオブ酸リチウム単結晶膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記融液の成分は、ＬｉＮｂＯ3−Ｌｉ
ＶＯ3−ＬｉＢＯ2の擬３元系とみなした場合の擬３元系
組成図において、モル％で示す組成比（ＬｉＮｂＯ3，
ＬｉＶＯ3，ＬｉＢＯ2）が、Ａ（１０，８０，１０）、
Ｂ（２，８６，１２）、Ｃ（２，１２，８６）、Ｄ（１
０，１０，８０）の４点を頂点とした多角形の内部また
は線上にあることを特徴とする、請求項２に記載のニオ
ブ酸リチウム単結晶膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10148851A JPH11343199A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | ニオブ酸リチウム単結晶膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10148851A JPH11343199A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | ニオブ酸リチウム単結晶膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11343199A true JPH11343199A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15462166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10148851A Pending JPH11343199A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | ニオブ酸リチウム単結晶膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11343199A (ja) |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP10148851A patent/JPH11343199A/ja active Pending
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