JPH1145471A

JPH1145471A - 光磁気ディスクの製造方法

Info

Publication number: JPH1145471A
Application number: JP20186797A
Authority: JP
Inventors: Etsuro Ikeda; 悦郎池田; Masaki Takenouchi; 正樹竹之内; Hiroshi Otsuki; 洋大槻
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-07-28
Filing date: 1997-07-28
Publication date: 1999-02-16

Abstract

(57)【要約】【課題】不純物の少ない磁性層を有する光磁気ディス
クの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に少なくとも１種類以上の金属磁
性膜を有する磁性層を、スパッタリング法で基板上に形
成する光磁気ディスクの製造方法において、チャンバー
内の実行排気速度をＳ［ｌ／ｓｅｃ］、基板一枚あたり
から放出される放出ガス量をｑ_s［Ｐａ・ｌ／ｓｅ
ｃ］、チャンバー本体から放出されるガス放出量を
ｑ_c、その他の構成部材から放出される放出ガス放出量
をｑ_m、一度にスパッタリングを行う基板の枚数をｎ
［枚］、上記磁性層の成膜速度をＲ［オングストローム
／ｓｅｃ］、金属合金膜を構成する金属原子の平均金属
結合半径をｒ［オングストローム］としたときに、単位
時間における単原子層の不純物含有量Ｅｍを、Ｅｍ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）／Ｓ×２ｒ／Ｒと表し、このＥｍを、Ｅｍ＜２×１０^-4［Ｐａ・ｓｅｃ］としてスパッタリングを行うものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、磁性層を
有し、磁界変調方式により信号が記録される光磁気ディ
スクを製造する製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、書き換え可能な高密度記録媒体と
しては、磁界変調方式を採用して信号を記録する光磁気
ディスクがある。この磁界変調光磁気ディスクは、基板
上に形成され、少なくとも１種類の金属磁性膜からなる
磁性層を有し、この磁性層に信号を記録している。

【０００３】この磁界変調光磁気ディスクにおいて、磁
性層に使用される記録材料としては、主としてＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ等の磁性金属合金材料等を挙げることができ
る。そして、この磁界変調光磁気ディスクは、各層が真
空チャンバ内でスパッタリング法によって形成される。

【０００４】一般的に光磁気ディスクは、図９に示すよ
うに、ポリカーボネート等のプラスチック基板１００
（以下、ＰＣ基板１００と略称する。）と、このＰＣ基
板１００上に形成された第１の誘電体膜１０１と、この
第１の誘電体膜１０１上に形成された磁性層１０２と、
この磁性層１０２上に形成された第２の誘電体膜１０３
と、この第２の誘電体膜１０３上に形成された反射膜１
０４とを有している。

【０００５】このような光磁気ディスクは、図１０に示
すような光磁気ディスク製造プロセスにより製造され
る。この光磁気ディスク製造プロセスでは、先ず、ＰＣ
基板１００を基板投入チャンバ１１０内のパレット１１
１に取り付ける。そして、この基板投入チャンバ１１０
内の気圧を減少させ、高真空状態とする。

【０００６】次に、ＰＣ基板１００を第１の誘電体膜形
成チャンバ１１２内に移動させる。そして、第１の誘電
体膜形成チャンバ１１２内で、ＰＣ基板１００に第１の
誘電体膜１０１を形成する。次いで、同様に、磁性層形
成チャンバ１１３内で磁性層１０２を形成し、第２の誘
電体膜形成チャンバ１１４内で第２の誘電体膜１０３を
形成し、反射膜形成チャンバ１１５内で反射膜１０４を
形成する。

【０００７】そして、上述のように各層が形成された光
磁気ディスクは、ディスク排出チャンバ１１６内で大気
圧下に置かれることになり、図示しない取出し機により
外部へと取り出される。

【０００８】また、上述したような光磁気ディスクの製
造方法において、磁性層１０２の表面を酸化処理するよ
うな場合は、磁性層形成チャンバ１１３内に酸化処理す
る酸素ガス導入装置等を配設する。さらに、この手法に
おいて、磁性層形成チャンバ１１３を複数個配設するこ
とによって、磁性層１０２を多層構造とすることもでき
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような光磁気ディスクの製造方法において、磁性層１
０２を形成すると、磁性層１０２の内部に不純物が混入
してしまったり、磁性層１０２の表面に不純物層を形成
してしまうことがある。また、磁性層１０２を多層構造
とした光磁気ディスクを製造するような場合、磁性層１
０２を構成する各層の界面に不純物層を形成してしまう
ことがあった。

【００１０】このような、層中に混入する不純物や表面
に形成される不純物層は、磁性層形成チャンバ１１３内
に残留するガスが、磁性層１０２を形成している間に混
入したり、形成された磁性層１０２の表面に堆積してし
まったことに起因する。具体的に、磁性層形成チャンバ
１１３内に残留するガスは、主としてＨ₂Ｏガスであ
り、チャンバ本体内の内壁面から放出されたものと、チ
ャンバ本体内に配設されたその他の構成部材から放出さ
れたものである。

【００１１】このように、光磁気ディスクでは、磁性層
１０２に不純物を含有して製造されると、磁性層１０２
の磁気特性が悪くなってしまう。また、磁性層１０２を
多層構造とする場合、磁性層１０２を構成する各層間に
交換相互作用が働かなくなってしまい、磁性層１０２の
磁気特性が劣化してしまうことがあった。このように従
来の光磁気ディスクの製造方法では、スパッタリングに
より形成される磁性層が不純物を含有することによっ
て、製造される光磁気ディスクの磁性層の磁気特性が良
好でないといった問題点があった。

【００１２】そこで、本発明は、このような実情を鑑み
て案出されたものであり、磁性層形成時の残留ガス分圧
を規制し、不純物の少ない磁性層を有する光磁気ディス
クの製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を達成するための手段】本発明者は、上述した目
的を達成するために鋭意検討した結果、磁性層中の不純
物含有量を制御するためには、チャンバ本体内における
不純物の分圧を所定の範囲内に規制してスパッタリング
を行うことが有効であり、磁性層形成速度とチャンバ本
体内からの実効排気速度とを制御することにより磁性層
に含有される不純物の量を規制することができるとの結
論を得るに至った。

【００１４】すなわち、磁性膜を形成する際には、単位
時間あたりに磁性層に含有される不純物の量を、チャン
バ本体内における不純物の分圧を基にして表し、その値
の好適な範囲を規定することができた。

【００１５】本発明は、このような知見に基づいて完成
されたものであり、基板上に少なくとも１種類以上の金
属磁性膜を有する磁性層を、スパッタリング法で基板上
に形成する光磁気ディスクの製造方法において、チャン
バー内の実行排気速度をＳ［ｌ／ｓｅｃ］、基板一枚あ
たりから放出される放出ガス量をｑ_s［Ｐａ・ｌ／ｓｅ
ｃ］、チャンバー本体から放出されるガス放出量を
ｑ_c、その他の構成部材から放出される放出ガス放出量
をｑ_m、一度にスパッタリングを行う基板の枚数をｎ
［枚］、上記磁性層の成膜速度をＲ［オングストローム
／ｓｅｃ］、金属合金膜を構成する金属原子の平均金属
結合半径をｒ［オングストローム］としたときに、単位
時間における単原子層の不純物含有量Ｅｍを、Ｅｍ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）／Ｓ×２ｒ／Ｒと表し、このＥｍを、Ｅｍ＜２×１０^-4［Ｐａ・ｓｅｃ］としてスパッタリングを行うものである。

【００１６】以上のように構成された本発明に係る光磁
気ディスクの製造方法によれば、磁性層をスパッタリン
グにて形成する際、単原子層中の不純物の含有量を単位
時間あたりの不純物含有量Ｅｍとしたとき、Ｅｍ＜２×
１０^-4としている。このため、本発明に係る手法では、
磁性層を形成する際に不純物の混入が少なくなり、良好
な磁気特性を有する磁性層を形成することができる。

【００１７】また、本発明に係る光磁気ディスクの製造
方法では、第１の金属磁性膜と第２の金属磁性膜とから
なる磁性層を基板上に形成するに際して、先ず、基板上
に第１の金属磁性膜を形成し、その後、成膜停止時間ｔ
_wait1が経過してから第２の金属磁性膜を形成し、その
後、成膜停止時間ｔ_wait2が経過してから次層を形成す
るときに、第１の金属磁性膜と第２の金属磁性膜との界
面の不純物露出量Ｅｉを、Ｅｉ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）ｔ_wait1 として表し、このＥｉをＥｉ＜４×１０^-3［Ｐａ・ｓｅｃ］とし、且つ、磁性層表面の不純物露出量ＥｓをＥｓ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）ｔ_wait2 として表し、このＥｓをＥｓ＜６×１０^-3［Ｐａ・ｓｅｃ］とすることが好ましい。

【００１８】この場合、本発明に係る手法によれば、上
述したように、Ｅｉを所定の値とするために第１の金属
磁性膜と第２の金属磁性膜との界面に不純物を主体とす
る層を形成するようなことが防止される。このため、こ
の手法によれば、形成された磁性層において、第１の金
属磁性膜と第２の金属磁性膜との間に発生する磁気的な
相互作用を劣化させるようなことがない。また、この手
法では、上述したように、Ｅｓを所定の値とするために
磁性層表面に不純物を主体とする層を形成するようなこ
とがない。このように、この手法では、第１の金属磁性
膜と第２の金属磁性膜との界面及び第２の金属磁性膜の
表面を良好な状態とすることができる。

【００１９】さらに、本発明に係る光磁気ディスクの製
造方法は、単一の金属磁性膜からなる磁性層を形成する
に際して、先ず、基板上に金属磁性膜を形成し、その
後、成膜停止時間ｔ_wait3が経過してから次層を形成す
るときに、磁性層表面の不純物露出量ＥｓをＥｓ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）ｔ_wait3 として表し、このＥｓをＥｓ＞６×１０^-3［Ｐａ・ｓｅｃ］そすることが好ましい。

【００２０】この場合、本発明に係る手法によれば、単
一の金属磁性膜からなる磁性層の表面に主として不純物
からなる層を形成することができる。これにより、本手
法では、磁性層の磁気特性を安定化することができると
ともに、磁性層の耐食性を向上させることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について図面を参照して詳細に説明する。

【００２２】先ず、本発明に係る光磁気ディスクの製造
方法を、図１に示すような、２層の金属磁性膜からなる
磁性層を有する光磁気ディスク１を製造する際に適用し
た実施の形態を説明する。

【００２３】この図１に示す光磁気ディスク１は、略円
盤状に形成された基板２と、この基板２上に形成された
第１の誘電体層３と、この第１の誘電体層３上に形成さ
れて第１の金属磁性膜４と第２の金属磁性膜５とからな
る磁性層６と、この磁性層６上に形成された第２の誘電
体層７と、この第２の誘電体層７上に形成された反射層
８とから構成される。

【００２４】この光磁気ディスク１では、いわゆる、磁
界変調方式により磁性層６に対して信号が記録されるこ
とになる。このとき、磁性層６では、第１の金属磁性膜
４と第２の金属磁性膜５との間に交換結合力といった磁
気的な相互作用が働いており、所望の磁気特性を示すこ
とができる。

【００２５】このような光磁気ディスク１を製造する際
には、先ず、ポリカーボネイト等の樹脂を略円盤状に成
形してなる基板２（以下、ポリカーボネイト基板２又は
ＰＣ基板２と称する。）を用意する。そして、このＰＣ
基板２の一主面に対して、第１の誘電体層３、磁性層
６、第２の誘電体層７及び反射層８をスパッタリング法
を用いて順次成膜する。

【００２６】このスパッタリング法では、真空排気装置
が配設され、内部にスパッタターゲットを配設するチャ
ンバを備えるスパッタリング装置が用いられる。また、
このスパッタリング装置は、複数枚のＰＣ基板２を取り
付けるパレットと、このパレットに取り付けられたＰＣ
基板２の所定の領域を覆うマスクとを備える。

【００２７】すなわち、このスパッタリング装置は、所
定の領域をマスクにて覆われた複数枚のＰＣ基板２がパ
レットに取り付けられ、このＰＣ基板２を取り付けたパ
レットが高真空状態とされたチャンバ内に移動し、マス
クで覆われた以外の部分に対して各層を成膜する。この
とき、スパッタリング装置では、各層を形成するチャン
バが異なっており、すなわち、異なるチャンバ間をパレ
ットごと移動してＰＣ基板２上に各層を形成する。

【００２８】この光磁気ディスクの製造方法において、
磁性層を形成する際、磁性層形成用チャンバが用いられ
る。この手法は、特に、磁性層形成用チャンバ内の実行
排気速度をＳ［ｌ／ｓｅｃ］、ＰＣ基板２一枚から放出
される放出ガス量をｑ_s［Ｐａ・ｌ／ｓｅｃ］、チャン
バー本体から放出されるガス放出量をｑ_c、その他の構
成部材から放出される放出ガス放出量をｑ_m、一度にス
パッタリングを行う基板の枚数をｎ［枚］、磁性層の成
膜速度をＲ［オングストローム／ｓｅｃ］、金属合金膜
を構成する金属原子の平均金属結合半径をｒ［オングス
トローム］としたときに、単位時間における単原子層の
不純物含有量Ｅｍを、Ｅｍ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）／Ｓ×２ｒ／Ｒ［Ｐａ・ｓｅｃ］・・・（式１）として表し、このＥｍを、Ｅｍ＜２×１０^-4［Ｐａ・ｓｅｃ］・・・（式２）としている。

【００２９】すなわち、この式１では、単原子層の不純
物含有量Ｅｍを、単原子層を形成する際の不純物の分圧
を基にして表している。詳しくは、同一の膜厚において
も、使用する金属合金材料によりその膜中にある原子数
が異なるので、構成するそれぞれの金属合金原子の比率
と金属結合半径により膜平均の原子半径を求めｒ［オン
グストローム］とし、２ｒ［オングストローム］が仮想
的に求めた磁性層の単原子層の厚みとする。そして、磁
性層６の成膜速度がＲ［オングストローム／ｓｅｃ］で
あったとき、スパッタリング膜がアイランド構造から成
長していくことを考えなければ、単位時間あたりに形成
される原子層数ＬはＬ＝Ｒ／２ｒとなる。

【００３０】また、不純物の分圧Ｐｉは、Ｐｉ＝（ｎｑ
_s＋ｑ_m＋ｑ_c）／Ｓとして与えられ、これを原子層数Ｌ
で割ることにより単原子層を形成する際の分圧となる。
したがって、単位時間における単原子層の不純物含有量
Ｅｍは、式１のように表すことができる。

【００３１】そして、この手法では、式２に示すよう
に、この不純物含有量Ｅｍの値を、すなわち、単原子層
を形成する際の不純物の分圧を基にした値を、２×１０
^-4［Ｐａ・ｓｅｃ］未満としている。このため、この手
法によれば、磁性層６を形成するに際して、磁性層６内
に不純物が混入することを抑えることができる。

【００３２】このため、この手法では、不純物による磁
気特性の劣化を防止し、良好な磁気特性を有する磁性層
６を形成することができる。

【００３３】ところで、一般に、磁性層６形成時に取り
込まれる不純物としては、磁性層形成用チャンバー内の
残留Ｈ₂Ｏガスが挙げられ、その発生源としては、チャ
ンバー内壁、パレット、マスク、ＰＣ基板２等が挙げら
れる。

【００３４】ここで、実際に測定した磁性層形成用チャ
ンバ内の残留ガスの質量分析の結果を図２に示す。この
図２から明らかなように、チャンバ内の残留ガスの主成
分は質量１８のＨ₂Ｏガスであることがわかった。

【００３５】また、一般に、スパッタリング装置に配設
された真空排気装置の排気速度は、小さいもので２００
［ｌ／ｓｅｃ］程度、大きなもので３０００［ｌ／ｓｅ
ｃ］程度であり、排気速度の早い大きなチャンバ内の表
面積は５×１０⁴［ｃｍ²］程度である。ステンレス等か
らなる真空チャンバー材の１時間排気時の放出ガス量は
１０^-7〜１０^-6［Ｐａ・ｌ／ｓｅｃ・ｃｍ²］程度であ
るので、チャンバー本体の到達圧力（Ｐ_B＝［総放出ガ
ス（＝チャンバー面積×単位面積あたりの放出ガス
量）］／真空排気装置の排気速度）は１０^-6〜１０
^-5［Ｐａ］と見積もられる。

【００３６】ただし、これは理想的な環境下でスパッタ
リングを行う場合、つまりチャンバー壁やチャンバー内
のマスク等に金属磁性材料が成膜されない場合である。
すなわち、現実には、金属磁性材料を基板に対して成膜
するような場合、チャンバー壁やチャンバー内のマスク
等に金属磁性材料が成膜されている。このため、実際の
放出ガスは、これらチャンバー壁やチャンバー内のマス
ク等に成膜された金属磁性材料からも発生する。

【００３７】実際に、上述した例とほぼ同じ排気速度の
真空排気装置を用いて、表面積が５×１０⁴［ｃｍ²］程
度の磁性層形成用チャンバ内を排気すると、放出ガスの
到達圧力が１０^-6〜１０^-5［Ｐａ］となるのに約１０〜
１２時間程度必要とする。このことを考慮すると、ステ
ンレス、アルミニウム等の材料が成膜された表面からの
放出ガス量は１０^-5［Ｐａ．ｌ／ｓｅｃ．ｃｍ²］程度
であると見積もられる。これは、スパッタリングにより
形成された膜が多孔質で表面積が大きいこと等による。

【００３８】一方、ＰＣ基板２取り付け、取り外しの度
に大気にさらされるマスク、パレットがある場合は、１
時間程度排気しても１０^-5［Ｐａ・ｌ／ｓｅｃ・ｃ
ｍ²］程度の放出ガスがあることを考慮する必要があ
る。これらパレット、マスク等が１０⁴［ｃｍ²］程度の
表面積を有し、真空排気装置の排気速度が数１０００
［ｌ／ｓｅｃ］であったとしても、１時間排気時の放出
ガス量は１０^-4［Ｐａ・ｌ／ｓｅｃ］オーダーとなる。

【００３９】次に、排気時間とＰＣ基板２から放出され
る放出ガス量との関係を測定した。このときの結果を図
３に示す。この測定では、相対湿度が５％ＲＨ、１０％
ＲＨ又は２０％ＲＨ下で５日間保存したＰＣ基板２を、
所定の排気速度の真空チャンバ内にそれぞれ配設し、２
３℃の環境温度下において、真空排気したときの真空チ
ャンバ内の圧力をそれぞれ測定した。このとき、真空チ
ャンバ内の圧力Ｐ［Ｐａ］は、ＰＣ基板２からの放出ガ
ス量をｑ［Ｐａ・ｌ／ｓｅｃ］とし、排気速度をＳ［ｌ
／ｓｅｃ］とすると、ＰＣ基板２を配設しないときの圧
力との差の時間経過曲線より、真空チャンバ圧力Ｐ＝放出ガス量ｑ／排気速度Ｓと表される。

【００４０】この測定に用いられたＰＣ基板２は、内径
がφ１１ｍｍ、外径がφ６５ｍｍ、厚みが１．２ｍｍの
大きさのものである。図３に示されるように、１時間程
度の排気においては、ＰＣ基板２からの放出ガス量は１
０^-4［Ｐａ・ｌ／ｓｅｃ］オーダである。

【００４１】なお、このとき、放出ガス量ｑは、大気圧
の１／１０００以下程度であれば真空排気時間をｔとし
たときに、ｌｏｇｑ＝−Ａｌｏｇｔ＋Ｂ・・・（式３）なる関係を有する。なお、この式３において、Ａは、基
板表面下らの放出が支配的なときには基板の材料によら
す略々１である。しかしながら、このＡは、内部まで吸
水しやすく、放置時間が長くなる等して基板内部まで吸
水してしまったような場合には１／２程度になってしま
う。これは、基板内部での拡散過程が支配的になるため
である。また、Ｂは、材料、放置環境、放置時間等に依
存する値である。

【００４２】上述したことから、磁性層形成用チャンバ
を用いて、磁性層６を形成する際に問題となるの不純物
は、チャンバ本体から放出される放出ガスよりは、寧
ろ、通常環境下より真空内に投入されるパレット、マス
ク、ＰＣ基板２等から放出される放出ガスであることが
わかる。

【００４３】したがって、上述した式１において、ｑ_c
の値がｑ_sやｑ_mの値よりも１桁程度小さい場合には、ｑ
_cを無視することができる。

【００４４】また、上述した式１からは、成膜速度を速
くする方が、膜中の不純物含有量Ｅｍを小さくできるこ
とがわかる。

【００４５】ところで、この光磁気ディスクの製造方法
では、第１の金属磁性膜４及び第２の金属磁性膜５から
なる磁性層６を形成していた。すなわち、この手法で
は、先ず、第１の誘電体層３上に第１の金属磁性膜４を
形成し、次に、この第１の金属磁性膜４上に第２の金属
磁性膜５を形成し、そして、第２の金属磁性膜５上に第
２の誘電体層７を形成していた。

【００４６】この手法において、第１の金属磁性膜４を
形成してから第２の金属磁性膜５を形成するまでの成膜
停止時間をｔ_wait1とし、第２の金属磁性膜５を形成し
てから第２の誘電体層７を形成するまでの成膜停止時間
をｔ_wait2とするときに、第１の金属磁性膜４と第２の
金属磁性膜５との界面の不純物露出量Ｅｉを、Ｅｉ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）ｔ_wait1・・・（式４）として表し、第２の金属磁性膜５表面の不純物露出量Ｅ
ｓを、Ｅｓ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）ｔ_wait2・・・（式５）として表す。

【００４７】このとき、この手法では、このＥｉがＥｉ＜４×１０^-3［Ｐａ・ｓｅｃ］・・・（式６）であり、且つ、このＥｓがＥｓ＜６×１０^-3［Ｐａ・ｓｅｃ］・・・（式７）とされる。

【００４８】この手法では、式４に示すように、第１の
金属磁性膜４と第２の金属磁性膜５との界面に存在する
不純物露出量Ｅｉが規定される。すなわち、このＥｉ
は、第２の金属磁性膜５が形成されるまでの間に、第１
の金属磁性膜４の表面がさらされる空間における不純物
の分圧を基にして表されている。

【００４９】そして、この手法では、式６に示すよう
に、このＥｉの値を４×１０^-3未満となるように規定し
ている。このため、この手法によれば、第１の金属磁性
膜４と第２の金属磁性膜５との界面には、不純物の原子
が殆ど露出することなく、それぞれを構成する金属磁性
材料が主体として露出する。これにより、第１の金属磁
性膜４と第２の金属磁性膜５との間には、良好な交換結
合力が発生することとなる。

【００５０】したがって、この手法によれば、良好な磁
気特性を有する磁性層６を形成することができ、高密度
記録に適した光磁気ディスク１を製造することができ
る。

【００５１】また、この手法では、式５に示すように、
第２の金属磁性膜５の表面に存在する不純物露出量Ｅｓ
が規定されている。すなわち、このＥｓは、第２の誘電
体層７が形成されるまでの間に、第２の金属磁性膜５の
表面がさらされる空間における不純物の分圧を基にして
表されている。

【００５２】そして、この手法では、式７に示すよう
に、このＥｓの値を６×１０^-3未満となるように規定し
ている。このため、この手法によれば、第２の金属磁性
膜５の表面、すなわち、磁性層６の表面には、不純物の
原子が殆ど露出することなく、第２の金属磁性膜５を構
成する金属磁性材料が主体として露出する。これによ
り、磁性層６は、良好な磁気特性を有することとなる。
したがって、この手法によれば、さらに良好な磁気特性
を有する磁性層６を形成することができ、高密度記録に
適した光磁気ディスク１を製造することができる。

【００５３】一方、本発明に係る光磁気ディスクの製造
方法は、上述したように、２層の金属磁性膜４，５から
なる磁性層６に限定されるものではなく、図４に示すよ
うに、単一の金属磁性膜からなる磁性層１０を有する光
磁気ディスク１１を製造する際に適用されてもよい。

【００５４】この場合において、磁性層１０を形成する
際には、先ず、第１の誘電体層３上に金属磁性膜を形成
し、その後、この金属磁性膜上に第２の誘電体層７を形
成している。

【００５５】この場合も、磁性層１０を形成する際、磁
性層形成用チャンバが用いられる。そして、同様に、磁
性層形成用チャンバ内の実行排気速度をＳ［ｌ／ｓｅ
ｃ］、ＰＣ基板２一枚から放出される放出ガス量をｑ_s
［Ｐａ・ｌ／ｓｅｃ］、チャンバー本体から放出される
ガス放出量をｑ_c、その他の構成部材から放出される放
出ガス放出量をｑ_m、一度にスパッタリングを行う基板
の枚数をｎ［枚］、磁性層の成膜速度をＲ［オングスト
ローム／ｓｅｃ］、金属合金膜を構成する金属原子の平
均金属結合半径をｒ［オングストローム］としたとき
に、単位時間における単原子層の不純物含有量Ｅｍを、Ｅｍ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）／Ｓ×２ｒ／Ｒ［Ｐａ・ｓｅｃ］・・・（式１）として表し、このＥｍを、Ｅｍ＜２×１０^-4［Ｐａ・ｓｅｃ］・・・（式２）としている。

【００５６】そして、この手法では、金属磁性膜を形成
してから第２の誘電体層７を形成するまでの成膜停止時
間をｔ_wait3とするときに、金属磁性膜表面の不純物露
出量ＥｓをＥｓ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）ｔ_wait3・・・（式８）として表すことができる。そして、この場合、Ｅｓの値
がＥｓ＞６×１０^-3［Ｐａ・ｓｅｃ］・・・（式９）とされる。

【００５７】この手法では、式１に示すように、金属磁
性膜中含有される不純物含有量Ｅｍが規定されるととも
に、式８に示すように、金属磁性膜表面に露出する不純
物露出量Ｅｓが規定されている。

【００５８】そして、この場合には、式２に示すよう
に、Ｅｍの値が２×１０^-4未満であるとともに、式９に
示すように、Ｅｓの値が６×１０^-3より大きくなるよう
に規定されている。言い換えると、この手法によれば、
金属磁性膜中には、不純物の原子が殆ど含有されておら
ず、これに対して、金属磁性膜表面は、所定量の不純物
が露出するような磁性層１０を形成することができる。

【００５９】このように、この手法により形成された磁
性層１０は、金属磁性膜中に不純物を殆ど含有しないた
めに、良好な磁気特性を示すこととなる。また、この手
法により形成された磁性層１０では、金属磁性膜表面に
不純物が比較的多く露出している。このため、この磁性
層１０は、耐食性に優れたものとなる。したがって、こ
の手法によれば、良好な磁気特性を有するとともに耐食
性に優れた磁性層１０を有する光磁気ディスク１１を製
造することができる。

【００６０】

【実施例】以下、上述したような本発明に係る光磁気デ
ィスクの製造方法を適用して、実際に製造した光磁気デ
ィスクに関して説明する。

【００６１】実施例１本実施例１で作製した光磁気ディスクは、図４に示した
ような構成を有し、磁性層１０にＴｂＦｅＣｏＣｒから
なる単層の金属磁性膜を用い、それをＳｉＮからなる第
１の誘電体層３及び第２の誘電体層７で挟み、さらにＡ
ｌからなる反射層８を有する光磁気ディスク１１であ
る。なお、基板２には直径６５ｍｍのＰＣ基板を用い
た。

【００６２】そして、この実施例１では、ＴｂＦｅＣｏ
Ｃｒ金属磁性膜のスパッタリングレートを６．１［オン
グストローム／ｓｅｃ］とし、ＳｉＮ第１の誘電体層
３、ＴｂＦｅＣｏＣｒ金属磁性膜、ＳｉＮ第２の誘電体
層７、Ａｌ反射層８の順で直流スパッタリングを行って
成膜した。ＴｂＦｅＣｏＣｒ金属磁性膜成膜後は、５×
１０^-3［Ｐａ・ｓｅｃ］のＨ₂Ｏガス露出により、Ｔｂ
ＦｅＣｏＣｒ金属磁性膜表面の酸化処理を行った。ＰＣ
基板は、２３℃、５０％ＲＨ環境下に成形後３０分放置
したものを成膜用パレットに７２枚取り付け、ＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ金属磁性膜成膜までの排気時間は約３０分であ
った。成膜用パレット投入前の磁性層１０形成用チャン
バー内の圧力は２．０×１０^-5［Ｐａ］、ＰＣ基板２を
取り付けない成膜用パレットのみの投入時圧力は２．７
×１０^-4［Ｐａ］、ＰＣ基板２を取り付けた成膜パレッ
ト投入時の圧力は３．８×１０^-4［Ｐａ］であった。真
空排気装置の排気速度は２０００［ｌ／ｓｅｃ］であ
る。使用したＴｂＦｅＣｏＣｒの構成比率はＴｂ１９Ｆ
ｅ６７Ｃｏ８Ｃｒ６である。Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒそ
れぞれの金属結合半径は、１．７７オングストローム、
１．２６オングストローム、１．２５オングストロー
ム、１．２９オングストロームである。したがって、金
属磁性膜の平均金属結合半径ｒは、（（１．７７×１
９）＋（１．２６×６７）＋（１．２５×８）＋（１．
２９×６））／１００＝１．３６オングストロームであ
る。

【００６３】したがって、この実施例１では、磁性層１
０を構成する単原子層の不純物露出量Ｅｍは、上述した
式１を用いると、Ｅｍ＝１．７×１０^-4 となる。これは、上述した式２を満たしている。

【００６４】実施例２この実施例２では、スパッタリングレートが５９．２
［オングストローム／ｓｅｃ］であり、磁性層１０成膜
後は５×１０^-3［Ｐａ・ｓｅｃ］以上のＨ₂Ｏガス露出
により、磁性層１０表面の酸化処理を行った。それ以外
は、実施例１と同様に光磁気ディスク１１を製造した。

【００６５】この実施例２では、ＰＣ基板２は、２３
℃、５０％ＲＨ環境下に成形後５分放置したものを成膜
用パレットに１枚取り付け、ＴｂＦｅＣｏＣｒ金属磁性
膜成膜までの排気時間は約３０秒であった。１時間排気
時の磁性層形成用チャンバーの到達圧力は約２×１０^-5
［Ｐａ］であり、ＰＣ基板２を取り付けないで稼働した
時の磁性層形成用チャンバー内の圧力は約２．３×１０
^-3［Ｐａ］であり、ＰＣ基板２を取り付けた成膜パレッ
ト投入時の圧力は約３．４×１０^-4［Ｐａ］であった。
真空排気装置の排気速度は２００［ｌ／ｓｅｃ］であ
る。使用したＴｂＦｅＣｏＣｒの構成比率は実施例１と
同じである。

【００６６】したがって、実施例１と比較して、磁性層
１０成膜時の圧力が１ケタ悪いがこの時の磁性層の仮想
単原子層の不純物露出量Ｅｍは、上述した式１を用いる
と、Ｅｍ＝１．６×１０^-4 となる。これは、上述した式２を満たしている。

【００６７】実施例３この実施例３で作製した光磁気ディスクは、図１に示し
たような構成を有し、ＴｂＦｅＣｏＣｒからなる第１の
金属磁性膜４とＧｄＦｅＣｏＣｒからなる第２の金属磁
性膜５と積層されてなる磁性層６と、この磁性層６をＳ
ｉＮからなる第１の誘電体層３及び第２の誘電体層７で
挟み、さらにＡｌからなる反射層８を有する光磁気ディ
スク１である。

【００６８】このとき、第１の金属磁性膜４と第２の金
属磁性膜５とは、成膜停止時間をもたずに連続的に成膜
された。また、磁性層６成膜までの排気時間は９０分、
ＰＣ基板２を取り付けた成膜パレット投入時の圧力は
１．５×１０^-4［Ｐａ］であった。また、このスパッタ
リング装置では、磁性層６形成後、第２の誘電体層７を
成膜するまでに要する時間、すなわち、成膜停止時間は
約３０秒であった。

【００６９】したがって、この実施例３では、第１の金
属磁性膜４と第２の金属磁性膜５との界面における不純
物露出量Ｅｉは、上述した式４を用いると、Ｅｉ＝０となる。これは、上述した式６を満たしている。

【００７０】また、磁性層６表面における不純物露出量
Ｅｓは、上述した式５を用いると、Ｅｓ＝４．５×１０^-2 となる。これは、上述した式７を満たしている。

【００７１】実施例４この実施例４では、磁性層６成膜までの排気時間を５０
分とし、ＰＣ基板２を取り付けた成膜パレット投入時の
磁性層形成用チャンバ内の圧力は２．１×１０^-4［Ｐ
ａ］であった。このスパッタリング装置では、磁性層６
形成後、第２の誘電体層７を成膜するまでに要する時間
は約３０秒である。実施例４では、それ以外は実施例１
と同様の工程で光磁気ディスク１を製造した。

【００７２】したがって、この実施例４では、磁性層６
表面における不純物露出量Ｅｓは、上述した式８を用い
ると、Ｅｓ＝６．３×１０^-3 となる。これは、上述した式９を満たしている。

【００７３】比較例１この比較例１では、ＰＣ基板を２３℃、５０％ＲＨ環境
下に成形後６０分放置したものを使用した以外は実施例
１と同様にして光磁気ディスクを製造した。

【００７４】この比較例１において、ＰＣ基板を取り付
けた成膜パレット投入時の磁性層形成用チャンバ内の圧
力は４．９×１０^-4［Ｐａ］であった。この時の磁性層
の仮想単原子層における不純物含有量Ｅｍは、上述した
式１を用いると、Ｅｍ＝２．２×１０^-4 である。これは、上述した式２を満たしていない。

【００７５】比較例２この比較例２では、ＰＣ基板を２３℃、５０％ＲＨ環境
下に成形後３０分放置したものを使用した以外は実施例
２と同様にして光磁気ディスクを製造した。

【００７６】この比較例２において、ＰＣ基板を取り付
けた成膜パレット投入時の磁性層形成用チャンバ内の圧
力は約４．５×１０^-4［Ｐａ］であった。この時の磁性
層の仮想単原子層における不純物含有量Ｅｍは、上述し
た式１を用いると、Ｅｍ＝２．１×１０^-4 である。これは、上述した式２を満たしていない。

【００７７】比較例３この比較例３では、ＰＣ基板、パレット等の磁性層形成
前の排気時間が５０分であること以外は実施例３と同様
にして光磁気ディスクを製造した。

【００７８】この比較例３において、磁性層形成用チャ
ンバー内の圧力は約２．１×１０^-4［Ｐａ］であり、ｔ
_wait1は０秒であるから、第１の金属磁性膜と第２の金
属磁性膜との界面における不純物露出量Ｅｉは、上述し
た式４を用いると、Ｅｉ＝０となる。これは、上述した式６を満たしているまた、第
２の金属磁性膜表面における不純物露出量Ｅｓは、上述
した式５を用いると、Ｅｓ＝６．３×１０^-3 となる。これは、上述した式７を満たしていない。

【００７９】比較例４この比較例４では、第１の金属磁性膜と第２の金属磁性
膜と成膜する間を３０秒間あけたこと以外は実施例３と
同様にして光磁気ディスクを製造した。

【００８０】この比較例４では、磁性層形成用チャンバ
ー内の圧力は約１．５×１０^-4［Ｐａ］であり、ｔ
_wait1は３０秒であるから第１の金属磁性膜と第２の金
属磁性膜との界面における不純物露出量Ｅｉは、上述し
た式４を用いると、Ｅｉ＝４．５×１０^-3 となる。これは、上述した式６を満たしていない。

【００８１】また、第２の金属磁性膜表面における不純
物露出量Ｅｓは、上述した式５を用いると、Ｅｓ＝４．５×１０^-3 となる。これは、上述した式７を満たしている。

【００８２】比較例５この比較例５では、ＰＣ基板、パレット等の磁性層形成
前の排気時間が８０分であること以外は実施例４と同様
にして光磁気ディスクを製造した。

【００８３】この比較例５では、磁性層形成用チャンバ
ー内の圧力は約１．８×１０^-4［Ｐａ］であり、ｔ
_wait2は３０秒であるから、磁性層表面における不純物
含有量Ｅｓは、上述した式８を用いると、Ｅｓ＝５．４×１０^-3 となる。これは、上述した式９を満たしていない。

【００８４】特性評価以上の実施例１乃至実施例４と比較例１乃至比較例５に
関して、製造された光磁気ディスクのＣ／Ｎを測定し
て、各光磁気ディスクの特性を評価した。この特性評価
では、磁界変調方式を用いて、記録レーザパワーが４．
５５ｍＷ、記録磁界が４ｋＡ／ｍから２４ｋＡ／ｍの範
囲で０．９μｍの繰返し信号を記録し、０．６ｍＷの再
生パワーで読み出した。

【００８５】実施例１に示した光磁気ディスクと比較例
１に示した光磁気ディスクとのＣ／Ｎを測定した結果を
図５に示す。この図５より明らかなように、実施例１で
は８ｋＡ／ｍから２４ｋＡ／ｍまでほぼ同じ値のＣ／Ｎ
を示しているが、比較例１では８ｋＡ／ｍ以下の記録磁
界ではＣ／Ｎが約２ｄＢ以上低く、磁界変調記録には不
十分である。

【００８６】また、実施例２に示した光磁気ディスクと
比較例２に示した光磁気ディスクとのＣ／Ｎを測定した
結果を図６に示す。この図６より明らかなように、比較
例２では８ｋＡ／ｍ以下の記録磁界ではＣ／Ｎが、実施
例２に比べて約２ｄＢ以上低く、磁界変調記録には不十
分である。また、比較例１、２のようなディスクは繰り
返し記録回数が増すにつれ、特性劣化が著しいこともわ
かっている。

【００８７】さらに、実施例３に示した光磁気ディスク
と比較例３及び比較例４に示した光磁気ディスクとのＣ
／Ｎを測定した結果を図７に示す。この図７より明らか
なように、実施例３ではＣ／Ｎ特性は十分であるが比較
例３及び比較例４では全ての記録磁界領域でＣ／Ｎが劣
化しているのがわかる。これは、第１の金属磁性膜と第
２の金属磁性膜との間の交換結合力がうまく作用してい
ない為である。

【００８８】さらにまた、実施例４に示した光磁気ディ
スクと比較例５に示した光磁気ディスクとのＣ／Ｎを測
定した結果を図８に示す。この図８より明らかなよう
に、実施例４ではやはり磁界特性は十分であるが、比較
例４では８ｋＡ／ｍ以下の記録磁界ではＣ／Ｎ劣化は約
１．５ｄＢ程度であるが、磁界変調記録には不十分であ
る。

【００８９】これら図５乃至図８に示した結果からも明
らかなように、実施例に示した光磁気ディスクでは、良
好なＣ／Ｎを示しており、良好な磁気特性を示す磁性層
が形成されたことがわかった。すなわち、光磁気ディス
クの製造工程において、磁性層を形成する際に、上述し
た式２を満足させることによって、磁性層の磁気特性が
向上する。さらに、上述した式６、式７及び式９を満足
させることによって、磁性層の磁気特性をさらに向上さ
せることができる。

【００９０】なお、上述したような式を満たすために
は、基板、パレット排気時間や、真空チャンバー投入前
のＰＣ基板保存環境を変えることが好ましい。実際に
は、ＰＣ基板排気時間をかえることは生産性から見ても
好ましくなく、ポンプの数を増やすなどして排気速度を
上げたり、基板投入前の環境を変える等が生産性を考慮
すると好ましい。さらに、多層構造の磁性層を形成する
場合は、その間を空けずに連続して成膜することが重要
である。

【００９１】さらにまた、図３に示したように、ＰＣ基
板保存環境でＰＣ基板からの放出ガス量はかわる。例え
ば、湿度５％ＲＨ環境下と２０％ＲＨ環境下では、約３
倍の放出ガス量が違う。排気速度を３倍にしたり、基板
搬送等の時間を１／３にするよりは、このＰＣ基板保存
環境を変える方が容易であり、また安定性もある。

【００９２】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る光磁気ディスクの製造方法によれば、磁性層中おけ
る不純物含有量を所定の値に規制して磁性層を形成する
ため、磁性層の磁気特性を向上させることができる。こ
れにより、この手法を用いれば、良好なＣ／Ｎを示し、
繰返し記録にも十分耐え得る光磁気ディスクを製造する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光磁気ディスクの製造方法を適用
して作製された光磁気ディスクの要部縦断面図である。

【図２】磁性層形成チャンバ内の残留ガスの質量分析を
示す特性図である。

【図３】排気時間とＰＣ基板から生ずるガス放出量との
関係を示す特性図である。

【図４】本発明に係る光磁気ディスクの製造方法を適用
して作製された他の光磁気ディスクの要部縦断面図であ
る。

【図５】実施例１及び比較例１の特性を評価するための
特性図である。

【図６】実施例２及び比較例２の特性を評価するための
特性図である。

【図７】実施例３、比較例３及び比較例４の特性を評価
するための特性図である。

【図８】実施例４及び比較例５の特性を評価するための
特性図である。

【図９】光磁気ディスクの要部縦断面図である。

【図１０】従来の光磁気ディスクの製造工程を説明する
ための構成図である。

【符号の説明】

１光磁気ディスク、２ＰＣ基板、３第１の誘電体
層、４第１の金属磁性膜、５第２の金属磁性膜、６
磁性層、７第２の誘電体層、８反射層

【手続補正書】

【提出日】平成９年１２月１９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００５】このような光磁気ディスクは、図１０に示
すような光磁気ディスク製造プロセスにより製造され
る。この光磁気ディスク製造プロセスでは、先ず、ＰＣ
基板１００をパレット１１１に取り付けた後、基板投入
チャンバ１１０内に移動させる。そして、この基板投入
チャンバ１１０内の気圧を減少させ、高真空状態とす
る。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１５】本発明は、このような知見に基づいて完成
されたものであり、基板上に少なくとも１種類以上の金
属磁性膜を有する磁性層を、スパッタリング法で基板上
に形成する光磁気ディスクの製造方法において、チャン
バー内の実効排気速度をＳ［ｌ／ｓｅｃ］、基板一枚あ
たりから放出される放出ガス量をｑ_s［Ｐａ・ｌ／ｓｅ
ｃ］、チャンバー本体から放出されるガス放出量を
ｑ_c、その他の構成部材から放出される放出ガス放出量
をｑ_m、一度にスパッタリングを行う基板の枚数をｎ
［枚］、上記磁性層の成膜速度をＲ［オングストローム
／ｓｅｃ］、金属合金膜を構成する金属原子の平均金属
結合半径をｒ［オングストローム］としたときに、単位
時間における単原子層の不純物含有量Ｅｍを、Ｅｍ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）／Ｓ×２ｒ／Ｒと表し、このＥｍを、Ｅｍ＜２×１０^-4［Ｐａ・ｓｅｃ］としてスパッタリングを行うものである。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１９】さらに、本発明に係る光磁気ディスクの製
造方法は、単一の金属磁性膜からなる磁性層を形成する
に際して、先ず、基板上に金属磁性膜を形成し、その
後、成膜停止時間ｔ_wait3が経過してから次層を形成す
るときに、磁性層表面の不純物露出量ＥｓをＥｓ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）ｔ_wait3 として表し、このＥｓをＥｓ＞６×１０^-3［Ｐａ・ｓｅｃ］とすることが好ましい。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２８】この光磁気ディスクの製造方法において、
磁性層を形成する際、磁性層形成用チャンバが用いられ
る。この手法は、特に、磁性層形成用チャンバ内の実効
排気速度をＳ［ｌ／ｓｅｃ］、ＰＣ基板２一枚から放出
される放出ガス量をｑ_s［Ｐａ・ｌ／ｓｅｃ］、チャン
バー本体から放出されるガス放出量をｑ_c、その他の構
成部材から放出される放出ガス放出量をｑ_m、一度にス
パッタリングを行う基板の枚数をｎ［枚］、磁性層の成
膜速度をＲ［オングストローム／ｓｅｃ］、金属合金膜
を構成する金属原子の平均金属結合半径をｒ［オングス
トローム］としたときに、単位時間における単原子層の
不純物含有量Ｅｍを、Ｅｍ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）／Ｓ×２ｒ／Ｒ［Ｐａ・ｓｅｃ］・・・（式１）として表し、このＥｍを、Ｅｍ＜２×１０^-4［Ｐａ・ｓｅｃ］・・・（式２）としている。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３５】また、一般に、スパッタリング装置に配設
された真空排気装置の排気速度は、小さいもので２００
［ｌ／ｓｅｃ］程度、大きなもので３０００［ｌ／ｓｅ
ｃ］程度であり、チャンバ内の表面積は５×１０⁴［ｃ
ｍ²］程度である。ステンレス等からなる真空チャンバ
ー材の１時間排気時の放出ガス量は１０^-7〜１０^-6［Ｐ
ａ・ｌ／ｓｅｃ・ｃｍ²］程度であるので、チャンバー
本体の到達圧力（Ｐ_B＝［総放出ガス（＝チャンバー面
積×単位面積あたりの放出ガス量）］／真空排気装置の
排気速度）は１０^-6〜１０^-5［Ｐａ］と見積もられる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも１種類以上の金属磁
性膜を有する磁性層を、スパッタリング法で基板上に形
成する光磁気ディスクの製造方法において、チャンバー内の実行排気速度をＳ［ｌ／ｓｅｃ］、基板
一枚あたりから放出される放出ガス量をｑ_s［Ｐａ・ｌ
／ｓｅｃ］、チャンバー本体から放出されるガス放出量
をｑ_c、その他の構成部材から放出される放出ガス放出
量をｑ_m、一度にスパッタリングを行う基板の枚数をｎ
［枚］、上記磁性層の成膜速度をＲ［オングストローム
／ｓｅｃ］、金属合金膜を構成する金属原子の平均金属
結合半径をｒ［オングストローム］としたときに、単位
時間における単原子層の不純物含有量Ｅｍを、Ｅｍ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）／Ｓ×２ｒ／Ｒと表し、このＥｍを、Ｅｍ＜２×１０^-4［Ｐａ・ｓｅｃ］としてスパッタリングを行うことを特徴とする光磁気デ
ィスクの製造方法。
【請求項２】第１の金属磁性膜と第２の金属磁性膜と
からなる磁性層を基板上に形成するに際して、先ず、基板上に第１の金属磁性膜を形成し、その後、成
膜停止時間ｔ_wait1が経過してから第２の金属磁性膜を
形成し、その後、成膜停止時間ｔ_wait2が経過してから
次層を形成するときに、第１の金属磁性膜と第２の金属磁性膜との界面の不純物
露出量Ｅｉを、Ｅｉ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）ｔ_wait1 として表し、このＥｉをＥｉ＜４×１０^-3［Ｐａ・ｓｅｃ］とし、且つ、磁性層表面の不純物露出量ＥｓをＥｓ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）ｔ_wait2 として表し、このＥｓをＥｓ＜６×１０^-3［Ｐａ・ｓｅｃ］とすることを特徴とする請求項１記載の光磁気ディスク
の製造方法。
【請求項３】単一の金属磁性膜からなる磁性層を形成
するに際して、先ず、基板上に金属磁性膜を形成し、その後、成膜停止
時間ｔ_wait3が経過してから次層を形成するときに、磁性層表面の不純物露出量ＥｓをＥｓ＝（ｎｑ_s＋ｑ_m＋ｑ_c）ｔ_wait3 として表し、このＥｓをＥｓ＞６×１０^-3［Ｐａ・ｓｅｃ］とすることを特徴とする請求項１記載の光磁気ディスク
の製造方法。