JPH1180164A

JPH1180164A - ３−ジアルコキシメチルセフェム化合物の製造法

Info

Publication number: JPH1180164A
Application number: JP9257768A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Torii; 滋鳥居; Hideo Tanaka; 秀雄田中; Yutaka Kameyama; 豊亀山; Yoshihisa Tokumaru; 祥久徳丸
Original assignee: Otsuka Chemical Co Ltd
Current assignee: Otsuka Chemical Co Ltd
Priority date: 1997-09-05
Filing date: 1997-09-05
Publication date: 1999-03-26

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の目的は、上記の従来の製造方法に
見られる欠点を克服し、高収率、高純度で目的とする３
−ジアルコキシメチルセフェム化合物を製造し得る汎用
的な製造法を提供することである。【解決手段】式（Ｉ）で表される３−チオメチルセフ
ェム化合物とＲ⁶ＯＨで表される低級アルコールをハロ
ゲン化低級アルコールの存在下、電解酸化することによ
り式（II）で表される３−ジアルコキシセフェム化合物
を得ることを特徴とする３−ジアルコキシメチルセフェ
ム化合物の製造法。【化１】［式中Ｒ¹はアミノ基、保護されたアミノ基または水素
原子を示す。Ｒ²は水素原子又はカルボン酸保護基を示
す。Ｒ³及びＲ⁵は水素原子または低級アルキル基を示
す。Ｒ⁴は低級アルコキシ基または低級アルキルチオ基
を示す。Ｒ⁶は低級アルキル基を示す。］【化２】［式中Ｒ¹、Ｒ²及びＲ⁶は前記に同じ。］

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明の３−ジアルコキシメ
チルセフェム化合物は、容易に３−ホルミルセフェム及
び３−ノルセフェム化合物に変換可能で、このものは注
射剤として一般に広く用いられている下記に示されるセ
フチゾキシム（最新抗生物質要覧第９版酒井克治
著、７２ページ参照）の重要な中間体である。尚、Ｍe
はメチル基を示す。

【０００２】

【化３】

【０００３】

【従来の技術】従来、式（II）で表される３−ジアルコ
キシメチルセフェム誘導体の汎用的な製造法としては、
Ｓynlett.，３８９（１９９０）に記載の如く、３−ク
ロロメチルセフェムの塩素原子をヨウ素に置換した後、
空気雰囲気下でメタノールを作用させジメトキシメチル
体を製造している。

【０００４】

【化４】

【０００５】しかしながら、この方法では中間体として
不安定な３−ヨウ化メチルセフェムを経由するため、ジ
メトキシ体の収率が４１％と低く実用に供せられる方法
ではない。また、この方法では副生成物として分離が難
しい３−メトキシメチルセフェムが８％も生じとても実
用的な方法とは言えない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の従来の製造方法に見られる欠点を克服し、高収率、高
純度で目的とする３−ジアルコキシメチルセフェム化合
物を製造し得る汎用的な製造法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は式（Ｉ）で表さ
れる３−チオメチルセフェム化合物とＲ⁶ＯＨで表され
る低級アルコールをハロゲン化低級アルコールの存在
下、電解酸化することにより式（II）で表される３−ジ
アルコキシセフェム化合物を得ることを特徴とする３−
ジアルコキシメチルセフェム化合物の製造法に係る。

【０００８】

【化５】［式中Ｒ¹はアミノ基、保護されたアミノ基または水素
原子を示す。Ｒ²は水素原子又はカルボン酸保護基を示
す。Ｒ³及びＲ⁵は水素原子または低級アルキル基を示
す。Ｒ⁴は低級アルコキシ基または低級アルキルチオ基
を示す。Ｒ⁶は低級アルキル基を示す。］

【０００９】

【化６】［式中Ｒ¹、Ｒ²及びＲ⁶は前記に同じ。］

【００１０】本発明者らは３−ジアルコキシメチルセフ
ェム化合物の製造法を開発するにあたり、危険性の高い
クロム酸を用いる酸化反応ではなく、有機電解酸化反応
によりＣ−３'位の酸化を行う新規の３−ジアルコキシ
メチルセフェム化合物の製造法を考案した。即ち、セフ
ェムＣ−３'位に電解酸化を受けやすいチオ置換基を導
入した後、低級アルコール及びハロゲン化低級アルコー
ル中電解酸化を行うことによりセフェムＣ−３'位に低
級アルコール類がスムーズに反応し、３−ジアルコキシ
メチルセフェム化合物が生成するという新しい事実を見
出した。即ち、式（Ｉ）で表される化合物を出発原料と
し、低級アルコール及びハロゲン化低級アルコール存在
下電解酸化を行い式（II）で表わされる３−ジアルコキ
シメチルセフェム化合物を一気に、高純度かつ高収率で
製造できるという全く新しい事実を見い出し、本発明を
完成するに至った。

【００１１】

【発明の実施の形態】本明細書において示される各基
は、より具体的にはそれぞれ次の通りである。Ｒ¹で示
される保護されたアミノ基としては、プロテクティブグ
ループインオーガニックシンセシス（Ｐrotective Ｇr
oups in Ｏrganic Ｓynthesis, Ｔheodora Ｗ．Ｇ
reene著、１９８１年、以下単に「文献」という）の第
７章（第２１８〜２８７頁）に記載されている各種の基
の他、フェノキシアセトアミド、ｐ−メチルフェノキシ
アセトアミド、ｐ−メトキシフェノキシアセトアミド、
ｐ−クロロフェノキシアセトアミド、ｐ−ブロモフェノ
キシアセトアミド、フェニルアセトアミド、ｐ−メチル
フェニルアセトアミド、ｐ−メトキシフェニルアセトア
ミド、ｐ−クロロフェニルアセトアミド、ｐ−ブロモフ
ェニルアセトアミド、フェニルモノクロロアセトアミ
ド、フェニルジクロロアセトアミド、フェニルヒドロキ
シアセトアミド、チエニルアセトアミド、フェニルアセ
トキシアセトアミド、α−オキソフェニルアセトアミ
ド、ベンズアミド、ｐ−メチルベンズアミド、ｐ−メト
キシベンズアミド、ｐ−クロロベンズアミド、ｐ−ブロ
モベンズアミド、フェニルグリシルアミドやアミノ基の
保護されたフェニルグリシルアミド、ｐ−ヒドロキシフ
ェニルグリシルアミドやアミノ基及び水酸基の一方又は
両方が保護されたｐ−ヒドロキシフェニルグリシルアミ
ド等のアミド類、フタルイミド、ニトロフタルイミド等
のイミド類を例示できる。フェニルグリシルアミド及び
ｐ−ヒドロキシフェニルグリシルアミドのアミノ基の保
護基としては、上記文献の第７章（第２１８〜２８７
頁）に記載されている各種基を例示できる。また、ｐ−
ヒドロキシフェニルグリシルアミドの水酸基の保護基と
しては、上記文献の第２章（第１０〜７２頁）に記載さ
れている各種基を例示できる。

【００１２】Ｒ²で示されるカルボン酸の保護基として
は、上記文献の第５章（第１５２〜１９２頁）に示され
ている各種基の他、アリル基、ベンジル基、ｐ−メトキ
シベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ジフェニルメチ
ル基、トリクロロメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等を例
示できる。Ｒ³，Ｒ⁵及びＲ⁶で示される低級アルキル基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基等の炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜４のア
ルキル基を挙げることができる。Ｒ⁴で示される低級ア
ルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６、好ましく
は炭素数１〜４のアルコキシ基を挙げることができる。
Ｒ⁴で示される低級アルキルチオ基としてはメチルチオ
基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ
基等の炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜４のアルキ
ルチオ基を挙げることができる。

【００１３】本発明の出発原料である式（Ｉ）で表され
る３−チオメチルセフェム化合物は、例えば下記に示す
方法で製造することができる。すなわち、工業的に容易
に入手可能な式（III）で表される３−クロロメチルセ
フェム誘導体のクロル原子に式（IV）で表されるチオー
ル化合物を作用させることにより容易に製造することが
できる。

【００１４】

【化７】［式中Ｒ¹及びＲ²は前記に同じ。］

【００１５】

【化８】［式中Ｒ³，Ｒ⁴及びＲ⁵は前記に同じ。］

【００１６】具体的には、この反応は適当な溶媒中で行
なわれる。使用できる溶媒としては、例えば蟻酸メチ
ル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオ
ン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級カルボン酸の
低級アルキルエステル類、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、ジ
エチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチ
ルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、ジブチルエーテル、メチルセロシルブ、ジメトキ
シエタン等のエーテル類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、ジオキソラン等の環状エーテル類、アセトニトリ
ル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニ
トリル、バレロニトリル等のニトリル類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロロベンゼン、アニソール等の置
換もしくは非置換の芳香族炭化水素類、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエタ
ン、ジブロモエタン、プロピレンジクロライド、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、シクロペン
タン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタ
ン等のシクロアルカン類、ジメチルホルムアミド、ジエ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド
類、Ｎ−メチルピロリジノン等の環状アミド類、ジメチ
ルスルホキシド等を挙げることができる。これらは１種
単独で又は２種以上混合して使用される。またこれらの
有機溶媒には、必要に応じて水が含有されていてもよ
い。これらの溶媒は、式（III）の化合物１kg当たり、
通常１０〜２００Ｌ程度、好ましくは２０〜１００Ｌ程
度使用されるのがよい。上記反応の反応温度は、通常−
７８〜１５０℃程度、好ましくは０〜６０℃程度であ
る。本反応は必要により塩基存在下で反応を行うことも
できる。用いる塩基の種類としては、カリウム、ナトリ
ウム、リチウム、マグネシウム、カルシウムなどのアル
カリ金属もしくはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸
塩、重炭酸塩または分子ふるい、ポリビニルピリジンな
どが挙げられ、これらは固体のままでも用いることがで
きる。また、塩基として有機第三級アミンを用いること
もできる。例えば、トリメチルアミン、ジメチルエチル
アミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミ
ン等のＮ,Ｎ,Ｎ−トリ低級アルキルアミン類、Ｎ−メチ
ルピペリジン、Ｎ−エチルピペリジン等のＮ−低級アル
キルアザシクロアルカン類、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ
−エチルモルホリン等のＮ−低級アルキルアザオキシシ
クロアルカン類、Ｎ−ベンジル−Ｎ,Ｎ−ジメチルアミ
ン、Ｎ−ベンジル−Ｎ,Ｎ−ジエチルアミン等のＮ−フ
ェニル低級アルキル−Ｎ,Ｎ−ジ低級アルキルアミン
類、Ｎ,Ｎ−ジメチルアニリン等のＮ−ジアルキル芳香
族アミンまたはピリジン等の含窒素芳香族アミン、ジア
ザビシクロウンデセン、ジアザビシクロノネン等の二環
式アミン及びそれらの混合物が例示できる。上記反応に
おける塩基の使用量としては、通常式（III）で表され
るクロロメチルセフェム化合物に対して１〜１０当量で
よいが、必要ならば更に式（III）で表されるクロロメ
チルセフェム化合物がなくなるまで塩基を追加するのが
よい。得られる式（Ｉ）で表されるチオメチルセフェム
化合物は通常の精製方法によって単離できるがそのまま
次の反応に用いることもできる。

【００１７】こうして得られる式（Ｉ）で表される３−
チオメチルセフェム化合物を低級アルコールとハロゲン
化低級アルコールの存在下に電解酸化させることによ
り、式（II）で表される３−ジアルコキシメチルセフェ
ム化合物を得ることができる。

【００１８】低級アルコールとしてはＲ⁶ＯＨ（Ｒ⁶は低級アルキルを示す。）で表されるアルコールを挙げることができ、例えばメタ
ノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール
等の炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜４のアルコー
ルが例示できる。ハロゲン化低級アルコールのハロゲン
としてはフッ素、塩素、ヨウ素等を挙げることができ、
例えば２,２,２−トリフルオロエタノール、２,２,２−
トリクロロエタノール、２,２,３,３,３−ペンタフルオ
ロ−１−プロパノール、パーフルオロ−ｔ−ブタノール
等の炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜４のハロゲン
化アルコールを例示できる。

【００１９】本電解反応では必要に応じて反応系内に支
持電解質が添加される。例えば過塩素酸リチウム、過塩
素酸ナトリウム、過塩素酸マグネシウム等の過塩素酸金
属塩、過塩素酸アンモニウム、過塩素酸テトラエチルア
ンモニウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム等の過
塩素酸アンモニウム塩、テトラブチルアンモニウムトシ
レート等のスルホン酸アンモニウム塩、塩化アンモニウ
ム、臭化アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、塩化テト
ラエチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム
等のハロゲン化アンモニウム塩、硼弗化リチウム、硼弗
化ナトリウム等の硼弗化金属塩、硼弗化テトラエチルア
ンモニウム、硼弗化テトラブチルアンモニウム等の硼弗
化アンモニウム塩、トリエチルアミン、コリジン、ルチ
ジン、ピリジン、ピペリジン、Ｎ−メチルモルホリン、
１,５−ジアザビシクロ［３,４,０］ノネン−５（ＤＢ
Ｎ）、１,５−ジアザビシクロ［５,４,０］ウンデセン
−５（ＤＢＵ）等のアミン類、酢酸、モノクロル酢酸、
トリフルオロ酢酸等のカルボン酸類等を例示できる。こ
れらの支持電解質は、１種単独でまたは２種以上混合し
て使用されるが、好ましくは上記過塩素酸アンモニウム
塩、スルホン酸アンモニウム塩、硼弗化アンモニウム塩
が使用される。支持電解質の使用量としては、溶媒中、
通常０.１〜１００重量％程度、好ましくは０.１〜５０
重量％程度とするのがよい。

【００２０】本発明の方法による電解酸化においては、
通常の電解反応に用いられる電極を広く利用できる。具
体的には、陽極材料として、白金、スズ、アルミニウ
ム、ステンレス、ニッケル、酸化鉛、炭素、酸化鉄、チ
タン等が、また陰極材料としては、白金、スズ、アルミ
ニウム、ステンレス、亜鉛、鉛、銅、炭素等が使用でき
るが、好ましくは陽極材料として白金、炭素、ステンレ
ス等、陰極材料として白金、炭素、ステンレス等が使用
できる。本発明の電解酸化を行なうに際しては、上記支
持電解質の他に脱水剤等の添加物を加えると反応効率が
向上することがある。脱水剤としては、硫酸ナトリウ
ム、硫酸カリウム等の硫酸アルカリ金属塩、硫酸マグネ
シウム、硫酸カルシウム等の硫酸アルカリ土類金属塩、
Ｎ,Ｏ−ビストリメチルシリルアセトアミド、Ｎ,Ｎ'−
ビストリメチルシリルウレア等のシリル化合物が例示で
きる。上記添加物を用いる場合には、特に支持電解質を
使用しなくても良い場合がある。本反応で用いられる溶
媒としては、上記式（Ｉ）の製造の際に使用される溶媒
がそのまま利用できる。

【００２１】本発明の電解酸化は陽極と陰極を隔膜で分
離してもよいが、とくに分離する必要はなく、単一槽中
で行なえることを特徴としている。上記反応の反応温度
は、通常−７８〜６０℃程度、好ましくは−４０〜３０
℃程度である。本電解反応は、定電流電解法及び定電圧
電解法のいずれをも採用することができるが、装置や操
作の簡便さの点で定電流電解法を採用するのが好まし
い。電解は、直流または交流電解が可能であるが電流方
向を１〜３０秒毎に切り替えて行なうこともできる。電
流密度は、通常１〜５００mＡ／cm²、好ましくは１〜５
０mＡ／cm²の範囲とするのが良い。電気量は用いる電解
槽の形状、出発物質である化合物（１）の種類、用いる
溶媒の種類等により異なり一概に言えないが、通常３〜
１５Ｆ／mol、好ましくは３〜６Ｆ／molとするのがよ
く、上記電気量を通電すれば反応は完結する。本発明の
３−ジアルコキシメチルセフェム化合物は、例えば抽
出、濃縮、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の通常
の方法により、精製することができる。

【００２２】

【実施例】以下に実施例、比較例及び参考例を挙げて説
明する。

【００２３】実施例１化合物（Ｉ）（Ｒ¹＝ＰhＣＨ₂ＣＯＮＨ，Ｒ²＝ＣＨ₂Ｃ₆
Ｈ₄ＯＣＨ₃−ｐ，Ｒ³＝ＣＨ₃，Ｒ⁴＝ＯＣＨ₃，Ｒ⁵＝Ｃ
Ｈ₃）の２００mg，テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムテ
トラフルオロボレート（支持電解質）を５０mg及び硫酸
マグネシウム（脱水剤）５０mgを２０ml枝付き試験管に
秤り取り、塩化メチレン４ml、メタノール０.５ml及び
２,２,２−トリフルオロエタノール０.０５ mlを加え撹
拌溶解する。この溶液に２枚の白金電極（１０mm×１５
mm）を取り付け電流密度１０mＡ／cm²にて５Ｆ／molの
電気量を通電する。反応液は酢酸エチル−水により抽出
を行ない、飽和食塩水により洗浄を行なった後、無水硫
酸ナトリウム上で乾燥を行なった。得られた抽出液は減
圧下にて溶媒を留去した後、残査をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製分離すると化合物（II）
（Ｒ¹＝ＰhＣＨ₂ＣＯＮＨ，Ｒ²＝ＣＨ₂Ｃ₆Ｈ₄ＯＣＨ₃−
ｐ，Ｒ⁶＝ＣＨ₃）が１３６mg（８１％）得られた。¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl₃） δ ３.２３（ｓ，３
Ｈ），３.３６（ｓ，３Ｈ），３.３９（ｄ，Ｊ＝１７Ｈ
z，１Ｈ），３.５８（ｄ，Ｊ＝１７Ｈz，１Ｈ），３.６
１（ｄ，Ｊ＝１４Ｈz，１Ｈ），３.６８（ｄ，Ｊ＝１４
Ｈz，１Ｈ），３.８０（ｓ，３Ｈ），４.９１（ｄ，Ｊ
＝５Ｈz，１Ｈ），５.１７（ｄ，Ｊ＝１２Ｈz，１
Ｈ），５.２３（ｄ，Ｊ＝１２Ｈz，１Ｈ），５.２７
（ｓ，１Ｈ），５.８２（ｄｄ，Ｊ＝５，９Ｈz，１
Ｈ），６.００（ｄ，Ｊ＝９Ｈz，１Ｈ），６.８８〜７.
４０（ｍ，９Ｈ）

【００２４】比較例１２,２,２−トリフルオロエタノールを使用しない以外
は実施例１と同様の反応を行った結果、３−ジメトキシ
メチルセフェム化合物（II）は全く得られず、酸化反応
による生成物ではなく、３'位にメトキシ基が置換され
た化合物である３−メトキシメチルセフェムが９７mg
（６２％）が得られた。¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl₃） δ ３.２６（ｓ，３Ｈ），
３.４５（ｓ，２Ｈ），３.６２，３.６６（ＡＢｑ，Ｊ
＝１２Ｈz，２Ｈ），３.８０（ｓ，３Ｈ），４.２４
（ｓ，２Ｈ），４.９１（ｄ，Ｊ＝４Ｈz，１Ｈ），５.
１８（ｓ，２Ｈ），５.８０（ｄｄ，Ｊ＝４，６Ｈz，１
Ｈ），６.０４（ｄ，Ｊ＝６Ｈz，１Ｈ），６.８６〜７.
４０（ｍ，９Ｈ）

【００２５】実施例２〜６支持電解質を下記のように変えて実施例１と同様の反応
を行なった結果を以下に示す。φはＣ₆Ｈ₄を示す。

【００２６】実施例７〜１２電極を変えて実施例１と同様の反応を行なった結果を以
下に示す。実施例陽極陰極収率（％）７Ｐt Ｃ７９８Ｐt Ｃu ７７９Ｐt ＳＵＳ７２１０ＣＣ７０１１ＣＰt ６８１２ＣＣu ６５

【００２７】実施例１３〜１６脱水剤（ＭgＳＯ₄）を変えて実施例１と同様の反応を行
なった結果を以下に示す。実施例添加物収率（％）１３なし７２１４ＣaＳＯ₄ ７８１５Ｎa₂ＳＯ₄ ７６１６Ｋ₂ＳＯ₄ ７５

【００２８】実施例１７〜２１塩化メチレンを下記の溶媒に変えて実施例１と同様の反
応を行なった結果を以下に示す。実施例溶媒収率（％）１７ＣＨ₃ＯＨ８０１８ＣＨ₃ＣＮ／ＣＨ₃ＯＨ（５／１）７８１９ＣＨ₃ＣＯ₂Ｃ₂Ｈ₅／ＣＨ₃ＯＨ（５／１）７２２０ＴＨＦ／ＣＨ₃ＯＨ（５／１）７６２１ dioxane／ＣＨ₃ＯＨ（５／１）７０

【００２９】実施例２２〜２４２,２,２−トリフルオロエタノールの代わりに下記のハ
ロゲン化低級アルコールを用いた以外は実施例１と同様
の反応を行なった結果を以下に示す。実施例ハロゲン化低級アルコール収率（％）２２２,２,２−トリクロロエタノール７２２３２,２,３,３,３−ペンタフルオロ−１−プロパノール７６２４パーフルオロ−ｔ−ブタノール７１

【００３０】参考例１本発明の３−ジアルコキシメチルセフェム化合物よりセ
フチゾキシムへの合成ルートを下記に示す。Ｐyはピリ
ジン、Ｔrはトリチル基を示す。

【００３１】

【化９】参考文献１Ｓynlett.，１９９０，３８９．参考文献２Ｈelvetica Ｃhimica Ａcta，５７，２
０４４（１９７４）．

【００３２】

【発明の効果】式（Ｉ）で表される３−チオメチルセフ
ェム化合物を出発原料とし、これを低級アルコールとハ
ロゲン化低級アルコールの存在下に電解酸化を行うこと
により、式（II）で表される３−ジアルコキシメチルセ
フェム化合物を簡便な操作により、安定かつ高収率、高
純度で製造することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】式（Ｉ）で表される３−チオメチルセフ
ェム化合物とＲ⁶ＯＨで表される低級アルコールをハロ
ゲン化低級アルコールの存在下、電解酸化することによ
り式（II）で表される３−ジアルコキシセフェム化合物
を得ることを特徴とする３−ジアルコキシメチルセフェ
ム化合物の製造法。【化１】［式中Ｒ¹はアミノ基、保護されたアミノ基または水素
原子を示す。Ｒ²は水素原子又はカルボン酸保護基を示
す。Ｒ³及びＲ⁵は水素原子または低級アルキル基を示
す。Ｒ⁴は低級アルコキシ基または低級アルキルチオ基
を示す。Ｒ⁶は低級アルキル基を示す。］【化２】［式中Ｒ¹、Ｒ²及びＲ⁶は前記に同じ。］