JPS58103151U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58103151U
JPS58103151U JP19496681U JP19496681U JPS58103151U JP S58103151 U JPS58103151 U JP S58103151U JP 19496681 U JP19496681 U JP 19496681U JP 19496681 U JP19496681 U JP 19496681U JP S58103151 U JPS58103151 U JP S58103151U
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JP
Japan
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external lead
semiconductor equipment
semiconductor
narrow groove
length direction
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Application number
JP19496681U
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English (en)
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野崎　征彦
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例のＵＨＦ用の可変容量ダイオードの斜視
図、第２図は本考案の第１の実施例の装置の外部リード
の斜視図、第３図はその断面図、第４図は本考案の第２
の実施例の装置の外部リードの斜視図、第５図はその断
面図、第６図は本考案の第３の実施例の装置の外部リー
ドの断面図である。 図において、１・・・・・・樹脂封入部分、２．２′・
・−・・・外部リード（２はカソード、２′はアノード
）、１０・・・・・・（本考案の実施例の装置の）外部
リード、１１・・・・・・細孔、１２・・・・・・リー
ドの先端面、１３・・・・・・リードの封入面、１４．
１４’・・・・・・細溝。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子封入部より外部リードを導出した半導体装置
    において、前記外部リードに細溝あるいは幅が前記外部
    リードの厚さよりも小さい細孔を前記外部リードの長さ
    方向に少くとも一個以上設けたことを特徴とする半導体
    装置。
JP19496681U 1981-12-29 1981-12-29 半導体装置 Pending JPS58103151U (ja)

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JP19496681U JPS58103151U (ja) 1981-12-29 1981-12-29 半導体装置

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JPS58103151U true JPS58103151U (ja) 1983-07-13

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