JPS58104014A - 電子写真用像形成部材の製造方法 - Google Patents
電子写真用像形成部材の製造方法Info
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- JPS58104014A JPS58104014A JP20184881A JP20184881A JPS58104014A JP S58104014 A JPS58104014 A JP S58104014A JP 20184881 A JP20184881 A JP 20184881A JP 20184881 A JP20184881 A JP 20184881A JP S58104014 A JPS58104014 A JP S58104014A
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- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、広義の意味の光（紫外光線、可視光線、赤外
光線、ｘｆＩ１１ｒ１１１勢）に感受性があシ、静電形
成処理を施されて、像形成され得る電子写真用像形成部
材の製造方法。
光線、ｘｆＩ１１ｒ１１１勢）に感受性があシ、静電形
成処理を施されて、像形成され得る電子写真用像形成部
材の製造方法。
従来のアモルファス炭化シリコン（以後ａｌａｓ：Ｃ：
Ｈと略す）は、積層速度がたかだかｌ＊ｔｑ／ｈｒ、感
度が２０１＊ｙ、ａａａ、以上である為、単層で南ｈ４
ことができず、ａ：８ｓ：Ｃ：ＩＩを電荷輸送層とし、
その上にアモルファスシリコンを積み、電荷発生層とす
る多層構造としなければならなかった。又、その堆積速
度は、ｌ橢ｈｒで実用には適さない、ヒリした多層構造
の場合、電荷発生層が摩耗、はく離を起こせば、電子写
真用像形成部材としての役割を果九すことができず、こ
れを防ぐために、更に電荷発生層の上に、摩耗等の防止
Ｏ為、アモルファスシリコンを堆積しなければならない
。
Ｈと略す）は、積層速度がたかだかｌ＊ｔｑ／ｈｒ、感
度が２０１＊ｙ、ａａａ、以上である為、単層で南ｈ４
ことができず、ａ：８ｓ：Ｃ：ＩＩを電荷輸送層とし、
その上にアモルファスシリコンを積み、電荷発生層とす
る多層構造としなければならなかった。又、その堆積速
度は、ｌ橢ｈｒで実用には適さない、ヒリした多層構造
の場合、電荷発生層が摩耗、はく離を起こせば、電子写
真用像形成部材としての役割を果九すことができず、こ
れを防ぐために、更に電荷発生層の上に、摩耗等の防止
Ｏ為、アモルファスシリコンを堆積しなければならない
。
本発明は、かかる欠点を除去しえもので、その目的ａ、
ＩＩ８ペースの８イＨ４Ｋ ’ｌ”４ ｍ ＣＩ［４＠
”１４ ｇ不活性ガスを混入しくＢ：８４：Ｃ：ＩＩ
管形成し、単層で電子写真用像形成部材の役割を呆九さ
せると共に１不活性ガス混入によシ堆積速度の向上をは
かることＫある。
ＩＩ８ペースの８イＨ４Ｋ ’ｌ”４ ｍ ＣＩ［４＠
”１４ ｇ不活性ガスを混入しくＢ：８４：Ｃ：ＩＩ
管形成し、単層で電子写真用像形成部材の役割を呆九さ
せると共に１不活性ガス混入によシ堆積速度の向上をは
かることＫある。
本発明に於いて、支持体は、ステンレス、Ａｊ。
Ｃｆ 、 Ｍ＠ 、ムｍ 、 Ｘｒ 、 １１＆ 、
Ｔｏ 、 Ｙ 、 ？（、Ｐｇ 。
Ｔｏ 、 Ｙ 、 ？（、Ｐｇ 。
Ｐｄ 、 ｃ髄勢の合金又拡、これらの金属が蒸着され
た導電性支持体、耐熱性を示す合成樹脂のフィルム、シ
ート、ガラス、セランツクス等の絶縁性支持体が有効な
ものとして挙げられる。
た導電性支持体、耐熱性を示す合成樹脂のフィルム、シ
ート、ガラス、セランツクス等の絶縁性支持体が有効な
ものとして挙げられる。
使用ガスは、８イＩＩ４ 、Ｃｌｌｌ４ｓ ＣｍＢ４ｍ
Ｈｌ ａ ＰＨａ ｅ不活性ガスとしては”Ｉ Ｂ＃
ｅ”ａｅムデ、Ｋｒ、Ｙｌ を用いる。これらの混合
比は、流量比で、ＣＨ４／Ｂ任４が０．２〜０．８不活
性ガ−ｙｙ／Ｂ ｉ Ｈ４が０−１〜５．０ 、 ＣＨ
Ｈ４／ＢｉＢ４が０．１〜０．８．Ｈｖ／８（ＰＨ４が
０．５〜７．０ 、 Ｉ’！！Ｌ／Ｂ（Ｈ４が１×１０
−’ 〜ｌ Ｘ ｌ（１”” とする、層板温度は、１
５０℃〜２８０℃、高周波電力は、８０〜ｓｏｏｗ 、
ガス圧力は、０．５ ｇｏｒｒ 〜５ｏｔｏｒデとする
。
Ｈｌ ａ ＰＨａ ｅ不活性ガスとしては”Ｉ Ｂ＃
ｅ”ａｅムデ、Ｋｒ、Ｙｌ を用いる。これらの混合
比は、流量比で、ＣＨ４／Ｂ任４が０．２〜０．８不活
性ガ−ｙｙ／Ｂ ｉ Ｈ４が０−１〜５．０ 、 ＣＨ
Ｈ４／ＢｉＢ４が０．１〜０．８．Ｈｖ／８（ＰＨ４が
０．５〜７．０ 、 Ｉ’！！Ｌ／Ｂ（Ｈ４が１×１０
−’ 〜ｌ Ｘ ｌ（１”” とする、層板温度は、１
５０℃〜２８０℃、高周波電力は、８０〜ｓｏｏｗ 、
ガス圧力は、０．５ ｇｏｒｒ 〜５ｏｔｏｒデとする
。
不活性ガスは、８（Ｈ４＊ＣＨ４ｐＣＩｎ４ ｅ Ｈｌ
ガスの解離を促進し、積層速度をはやめ、炭素の膜中へ
の取シ込みが４配位となる為、膜の感度が向上する。
ガスの解離を促進し、積層速度をはやめ、炭素の膜中へ
の取シ込みが４配位となる為、膜の感度が向上する。
更に１ムデが膜中に取シ込れられる結果、ムｒが水素の
高温での放出を抑制し、耐熱性の向上もはかられる。
高温での放出を抑制し、耐熱性の向上もはかられる。
Ｐ−は、ａ：８（：Ｃ：！Ｉの７エルンレベルを伝導帯
方向に移動させ、１１１１Ｉ半導体とし、電子の移動度
を増加させ、負の電荷に対しての感度の上昇に有効であ
る。
方向に移動させ、１１１１Ｉ半導体とし、電子の移動度
を増加させ、負の電荷に対しての感度の上昇に有効であ
る。
本発明に於ける電子写真用像形成部材は、グロー放電法
、スパッタリング法、イオンプランテーション法、イオ
ンブレーティング法等によって、形成される。
、スパッタリング法、イオンプランテーション法、イオ
ンブレーティング法等によって、形成される。
以下、実施例に従って本発明について具体的に説明する
。
。
実施例１
清浄されたアルミニウム基板をグロー放電性積槽内に固
定し、槽内を１ｘｌＯ−９Ｏｒｒの真空度にし、基板温
度を２３０℃に保ち、流量比Ｃ！Ｉ４／’Ｂ （Ｈ４が
０．５、ムφ４１１．が１．０ 、 Ｈ−任−が５．０
．ア１１．／Ｂ４Ｂ４が２×ｌロー“、圧力が１．５ｔ
ｏデｒとなるようにガス°を流入させる。その後、電極
間Ｋ １３．５６ ＭＨｇ （Ｑ Ｒ？電力を投入し、
グロー放電を起こし、８０Ｗの電力を入力した。２時間
放電し、１０７℃厚のａ ： ８（：Ｃ：Ｈ膜を形成し
た。これに対してムデを混入せずに前記と同様の条件で
５ ： ８（： Ｃ： Ｈを柿した。又、ＰＨ１を混入
せず、前記と同等の条件でＳ：８（：Ｃ二ＩＩを□堆積
させ、＄１ＣＴｏ＝ｒロナ帯電器でマイナス電荷を帯電
させ、ハロゲンランプによｐ感度を測定しえ。その結果
を表１に示す。
定し、槽内を１ｘｌＯ−９Ｏｒｒの真空度にし、基板温
度を２３０℃に保ち、流量比Ｃ！Ｉ４／’Ｂ （Ｈ４が
０．５、ムφ４１１．が１．０ 、 Ｈ−任−が５．０
．ア１１．／Ｂ４Ｂ４が２×ｌロー“、圧力が１．５ｔ
ｏデｒとなるようにガス°を流入させる。その後、電極
間Ｋ １３．５６ ＭＨｇ （Ｑ Ｒ？電力を投入し、
グロー放電を起こし、８０Ｗの電力を入力した。２時間
放電し、１０７℃厚のａ ： ８（：Ｃ：Ｈ膜を形成し
た。これに対してムデを混入せずに前記と同様の条件で
５ ： ８（： Ｃ： Ｈを柿した。又、ＰＨ１を混入
せず、前記と同等の条件でＳ：８（：Ｃ二ＩＩを□堆積
させ、＄１ＣＴｏ＝ｒロナ帯電器でマイナス電荷を帯電
させ、ハロゲンランプによｐ感度を測定しえ。その結果
を表１に示す。
表 １
これよシ、ムデ、 ＰＨ，を含む場合、感度、堆積速度
共に実用に十分耐え、Ｓ−ム１や８＄−Ｔ−系よシも更
に感度がすぐれている。
共に実用に十分耐え、Ｓ−ム１や８＄−Ｔ−系よシも更
に感度がすぐれている。
実施例２
実施例１と同様にして、３００Ｗの電力を入力し１５ｉ
ｉｔ比はＣＨｖ／Ｂｉ Ｈ４を０．６とし他は実施例１
とい等とし、圧力を５ｔｏｒｒとした。２一時間放電し
、３６μｍ犀のａ：！ｉ（：Ｃ：Ｈｌを形成し７（、６
ｘｖのコロナ帯電器でマイナス電荷を帯電させたとζろ
、帯電能３５ Ｖ／Ａ町感度６１５ｍ、ａａａ （ハロ
ゲン光τ）となり、゛堆積速度は、１８ＩｊＷＶ′ｈデ
であった。これによシ、堆積速度は、極めて速く、実用
的には１時間の堆積で極めて優れ良電子写真用像形成材
を積むことができる。
ｉｔ比はＣＨｖ／Ｂｉ Ｈ４を０．６とし他は実施例１
とい等とし、圧力を５ｔｏｒｒとした。２一時間放電し
、３６μｍ犀のａ：！ｉ（：Ｃ：Ｈｌを形成し７（、６
ｘｖのコロナ帯電器でマイナス電荷を帯電させたとζろ
、帯電能３５ Ｖ／Ａ町感度６１５ｍ、ａａａ （ハロ
ゲン光τ）となり、゛堆積速度は、１８ＩｊＷＶ′ｈデ
であった。これによシ、堆積速度は、極めて速く、実用
的には１時間の堆積で極めて優れ良電子写真用像形成材
を積むことができる。
実施例３
実施例１のムｒガスのかわシにＨ＃ｌガス用いて、流量
比Ｈａ／Ｂｉｎ、−Ｈ００とし他Ｏ流量比は、ＩＩ麹例
１と同等とし丸。その結果、堆積速度ａ４．０趨肝とム
デガスを用い九場合よ〉も小さいが、感度は、０．３１
曽ｙ、ａｇｅでムデを用いた場合よシも優れている。
比Ｈａ／Ｂｉｎ、−Ｈ００とし他Ｏ流量比は、ＩＩ麹例
１と同等とし丸。その結果、堆積速度ａ４．０趨肝とム
デガスを用い九場合よ〉も小さいが、感度は、０．３１
曽ｙ、ａｇｅでムデを用いた場合よシも優れている。
以 上
出願人 株式会社鰍訪精工★
代理人 弁Ｉ！−！−最 上 務
Claims (1)
- 支持体上に単層のアモルファス炭化シリコンを形成する
際、不活性ガス及びＢ、Ｈ・を混入し、アモルファス炭
化シリコンからなる光導電層を形成することを特徴とす
る電子写真用像形成部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20184881A JPS58104014A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 電子写真用像形成部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20184881A JPS58104014A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 電子写真用像形成部材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58104014A true JPS58104014A (ja) | 1983-06-21 |
Family
ID=16447887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20184881A Pending JPS58104014A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 電子写真用像形成部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58104014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
-
1981
- 1981-12-15 JP JP20184881A patent/JPS58104014A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
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