JPS58107635A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58107635A JPS58107635A JP56206552A JP20655281A JPS58107635A JP S58107635 A JPS58107635 A JP S58107635A JP 56206552 A JP56206552 A JP 56206552A JP 20655281 A JP20655281 A JP 20655281A JP S58107635 A JPS58107635 A JP S58107635A
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- JP
- Japan
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- contact window
- window
- region
- single crystal
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に誘電体分離
基板を用いた集積回路装置の製造方法に関するものであ
る。
基板を用いた集積回路装置の製造方法に関するものであ
る。
従来の誘電体分離基板への拡散に際しては、熱酸化で成
長したシリコン酸化膜をマスクとして単結晶シリコンに
選択拡散を行う方法を採っている。
長したシリコン酸化膜をマスクとして単結晶シリコンに
選択拡散を行う方法を採っている。
仁の場合、フォトリソグラフィ工程における酸化膜エツ
チングの終了を、金Ｊ４顕微鏡を用いて単結晶シリコン
上の窓あけの色で判断していた。しかしながら、これで
はエツチング状態を正確に観察できず、エツチング不足
やエツチング過剰をしばしばひき起す等の問題点が発生
していた。
チングの終了を、金Ｊ４顕微鏡を用いて単結晶シリコン
上の窓あけの色で判断していた。しかしながら、これで
はエツチング状態を正確に観察できず、エツチング不足
やエツチング過剰をしばしばひき起す等の問題点が発生
していた。
本発明の目的は、このような問題点を解決した半導体装
置の製造方法を提供することにある。
置の製造方法を提供することにある。
本発明は、回路素子が形成される複数の単結晶領域を互
いに電気的に絶縁分離しつつ支持する支持体領域からな
る誘電体分離基板へのフォトリングラフィｆ工程を備え
た半導体装置において、前記単結晶領域だけでなく前記
支持体領域にも窓あけを行なう工程を有することを特徴
とする半導体装置の製造方法にある。
いに電気的に絶縁分離しつつ支持する支持体領域からな
る誘電体分離基板へのフォトリングラフィｆ工程を備え
た半導体装置において、前記単結晶領域だけでなく前記
支持体領域にも窓あけを行なう工程を有することを特徴
とする半導体装置の製造方法にある。
次に図面を参照して、本発明を説明する。
第１図は従来の製造方法を説明するための誘電体分離基
板の平面図である。この誘電体分離基板１０は、シリコ
ン多結晶支持領域１１中に絶縁性のシリコン酸化膜１２
１，１２ｂを介してそれぞれシリコン単結晶島領域１３
ａ％１３ｂが並んで埋設されているウシリコン単結晶島
領域１３１１，１３ｂは互いに同一導電型であっても、
異った導電型であって４かまわない。シリコン単結晶島
領域１３１には、縦型トランジスタが拡散されておシ、
他のシリコン単結晶島領域１３ｂＫはダイオードが拡散
され、コンタクトの窓あけを行なったときの状態を示し
ている。縦型トランジスタにはコレクタコンタクト窓１
４、エミッタコンタクト窓１ ｓ ｓベースコンタクト
窓１６の領域が設けられ、ダイオードには、カソードコ
ンタクト窓１７７ノードコンタクト窓の領域が設けられ
る。従来の方法による酸化膜エツチングの終了の判断は
、これらのコンタクト窓に酸化膜が残っているかどうか
を金属顕微鏡によシ観察して判断していた。
板の平面図である。この誘電体分離基板１０は、シリコ
ン多結晶支持領域１１中に絶縁性のシリコン酸化膜１２
１，１２ｂを介してそれぞれシリコン単結晶島領域１３
ａ％１３ｂが並んで埋設されているウシリコン単結晶島
領域１３１１，１３ｂは互いに同一導電型であっても、
異った導電型であって４かまわない。シリコン単結晶島
領域１３１には、縦型トランジスタが拡散されておシ、
他のシリコン単結晶島領域１３ｂＫはダイオードが拡散
され、コンタクトの窓あけを行なったときの状態を示し
ている。縦型トランジスタにはコレクタコンタクト窓１
４、エミッタコンタクト窓１ ｓ ｓベースコンタクト
窓１６の領域が設けられ、ダイオードには、カソードコ
ンタクト窓１７７ノードコンタクト窓の領域が設けられ
る。従来の方法による酸化膜エツチングの終了の判断は
、これらのコンタクト窓に酸化膜が残っているかどうか
を金属顕微鏡によシ観察して判断していた。
第２図は本発明の製造方法を説明するための誘電体分離
基板の平面図である。同図において、この誘電体分離基
板１１０は、シリコン多結晶支持領域１１１中に絶縁性
のシリコン酸化膜１１２Ｊ１，１１２ｂを介してシリコ
ン単結晶島領域１１３ａ、１１３ｂが設けられている。
基板の平面図である。同図において、この誘電体分離基
板１１０は、シリコン多結晶支持領域１１１中に絶縁性
のシリコン酸化膜１１２Ｊ１，１１２ｂを介してシリコ
ン単結晶島領域１１３ａ、１１３ｂが設けられている。
シリコン単結晶島領域１１３５１には縦型トランジスタ
が拡散されておシ、他のシリコン単結晶島領域１１３ｂ
にはダイオードが拡散され、コンタクトの窓あけを行っ
たときの状態を示している。
が拡散されておシ、他のシリコン単結晶島領域１１３ｂ
にはダイオードが拡散され、コンタクトの窓あけを行っ
たときの状態を示している。
縦型トランジスタには、コレクタコンタクト窓１１４、
エミッタコンタクト窓１１５、ベースコンタクト窓１１
６の領域が設けられ、ダイオード１１７にはカソードコ
ンタクト窓１１７、アノードコンタクト窓１１８の領域
が設けられる。同時に、多結晶支持領域１１１上に酸化
膜エツチング終了チェック用窓１１９が設けられる。こ
のチェック用窓１１９を設けることＫより、シリコン単
結晶島領域１１３ａ、１１３ｂのコレクタ、エミッタペ
ース領域等のコンタクト窓あけのエツチング終了の確認
が非常によく制御できるようになる。
エミッタコンタクト窓１１５、ベースコンタクト窓１１
６の領域が設けられ、ダイオード１１７にはカソードコ
ンタクト窓１１７、アノードコンタクト窓１１８の領域
が設けられる。同時に、多結晶支持領域１１１上に酸化
膜エツチング終了チェック用窓１１９が設けられる。こ
のチェック用窓１１９を設けることＫより、シリコン単
結晶島領域１１３ａ、１１３ｂのコレクタ、エミッタペ
ース領域等のコンタクト窓あけのエツチング終了の確認
が非常によく制御できるようになる。
即ち、多結晶シリコンからなる支持体領域と、単結晶シ
リコンからなる素子形成領域とを同一条件で熱酸化した
部分に、フォトリソグラフィにより、それぞれ窓あけし
て７ツ化アンモニ為ウムと７ツ酸との混合液で酸化膜エ
ツチングを行なうと、多結晶シリコン上の熱酸化膜には
多結晶のすき間に酸化膜が成長している為、単結晶上の
熱酸化膜をエツチングするよりもわずかにエツチング時
間を要し、しかも多結晶の模様が金属顕微鏡ではっきり
と観察できる。この多結晶の酸化膜よる模様がなくなっ
たとき単結晶シリコン上の酸化膜は完全に除去され、し
かもエツチング過剰は実質的に生じていない。
リコンからなる素子形成領域とを同一条件で熱酸化した
部分に、フォトリソグラフィにより、それぞれ窓あけし
て７ツ化アンモニ為ウムと７ツ酸との混合液で酸化膜エ
ツチングを行なうと、多結晶シリコン上の熱酸化膜には
多結晶のすき間に酸化膜が成長している為、単結晶上の
熱酸化膜をエツチングするよりもわずかにエツチング時
間を要し、しかも多結晶の模様が金属顕微鏡ではっきり
と観察できる。この多結晶の酸化膜よる模様がなくなっ
たとき単結晶シリコン上の酸化膜は完全に除去され、し
かもエツチング過剰は実質的に生じていない。
従って、本発明によれば、酸化膜エツチングの終止点の
観察が非常に容易となるため、均一な特性で信頼性の高
い半導体装置を製造することができる。
観察が非常に容易となるため、均一な特性で信頼性の高
い半導体装置を製造することができる。
上記実施例はコンタクトの窓あけについて説明。
したが、熱酸化後であれば、選択拡散前の全てのフォト
リソグラフィ工程で、本発明が適用できること勿論であ
る。
リソグラフィ工程で、本発明が適用できること勿論であ
る。
第１図は従来の半導体装置の誘電体分離基板を部分的に
示す平面図、第２図は本発明の一実施例を説明する半導
体装置の誘電体分離基板を部分的に示す平面図である。 同図において、 １０％１１０・・・・・・誘電体分離基板、１．１，１
１．１・・・・・・シリコン多結晶支持領域、１２ａ、
１２ｂ１１１２ａ、 １１２ｂ・・−−−−シリコン
酸化膜、１３ａ、 １３ｂ、 １１３Ｊｌ、 １１３ｂ
・・・・・・シリコン単結晶島領域、１４，１１４・・
・・・・コレクタコンタクト窓５１５ｓｌ１５・・・・
・・エミッタコンタクト窓、１６．１１６・・・・・・
ベースコンタクト窓、１７％１１７・・・・・・カソー
ドコンタクト窓、１８，１１８・・・・・・アノードコ
ンタクト窓、１１９・・・・・・酸化膜エツチング終了
チェック用窓。
示す平面図、第２図は本発明の一実施例を説明する半導
体装置の誘電体分離基板を部分的に示す平面図である。 同図において、 １０％１１０・・・・・・誘電体分離基板、１．１，１
１．１・・・・・・シリコン多結晶支持領域、１２ａ、
１２ｂ１１１２ａ、 １１２ｂ・・−−−−シリコン
酸化膜、１３ａ、 １３ｂ、 １１３Ｊｌ、 １１３ｂ
・・・・・・シリコン単結晶島領域、１４，１１４・・
・・・・コレクタコンタクト窓５１５ｓｌ１５・・・・
・・エミッタコンタクト窓、１６．１１６・・・・・・
ベースコンタクト窓、１７％１１７・・・・・・カソー
ドコンタクト窓、１８，１１８・・・・・・アノードコ
ンタクト窓、１１９・・・・・・酸化膜エツチング終了
チェック用窓。
Claims (1)
- 回路素子が形成される複数の単結晶領域を互いに電気的
に絶縁分離しつつ支持する支持体領域からなる誘電体分
離基板へのフォトリングラフィ工程を備えた半導体装置
の製造方法において、前記単結晶領域だけでなく前記支
持体領域にも窓あけを行う工程を有することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56206552A JPS58107635A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56206552A JPS58107635A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107635A true JPS58107635A (ja) | 1983-06-27 |
| JPH0118577B2 JPH0118577B2 (ja) | 1989-04-06 |
Family
ID=16525271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56206552A Granted JPS58107635A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107635A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165320A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Formation of multilayer electrodes of semiconductor device |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP56206552A patent/JPS58107635A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165320A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Formation of multilayer electrodes of semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0118577B2 (ja) | 1989-04-06 |
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