JPH0118577B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0118577B2 JPH0118577B2 JP56206552A JP20655281A JPH0118577B2 JP H0118577 B2 JPH0118577 B2 JP H0118577B2 JP 56206552 A JP56206552 A JP 56206552A JP 20655281 A JP20655281 A JP 20655281A JP H0118577 B2 JPH0118577 B2 JP H0118577B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- single crystal
- region
- contact window
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
Landscapes
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に係りり、特に
誘電体分離基板を用いた集積回路装置の製造方法
に関するものである。
誘電体分離基板を用いた集積回路装置の製造方法
に関するものである。
従来の誘電体分離基板への拡散に際しては、熱
酸化で成長したシリコン酸化膜をマスクとして単
結晶シリコンに選択拡散を行う方法を採つてい
る。この場合、フオトリソグラフイ工程における
酸化膜エツチングの終了を、金属顕微鏡を用いて
単結晶シリコン上の窓あけの色で判断していた。
しかしながら、これではエツチング状態を正確に
観察できず、エツチング不足やエツチング過剰を
しばしばひき起す等の問題点が発生していた。
酸化で成長したシリコン酸化膜をマスクとして単
結晶シリコンに選択拡散を行う方法を採つてい
る。この場合、フオトリソグラフイ工程における
酸化膜エツチングの終了を、金属顕微鏡を用いて
単結晶シリコン上の窓あけの色で判断していた。
しかしながら、これではエツチング状態を正確に
観察できず、エツチング不足やエツチング過剰を
しばしばひき起す等の問題点が発生していた。
本発明の目的は、このような問題点を解決した
半導体装置の製造方法を提供することにある。
半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明は、回路素子が形成される複数の単結晶
領域を互いに電気的に絶縁分離しつつ支持する支
持体領域からなる誘電体分離基板へのフオトリソ
グラフイ工程を備えた半導体装置において、前記
単結晶領域だけでなく前記支持体領域にも窓あけ
を行なう工程を有することを特徴とする半導体装
置の製造方法にある。
領域を互いに電気的に絶縁分離しつつ支持する支
持体領域からなる誘電体分離基板へのフオトリソ
グラフイ工程を備えた半導体装置において、前記
単結晶領域だけでなく前記支持体領域にも窓あけ
を行なう工程を有することを特徴とする半導体装
置の製造方法にある。
次に図面を参照して、本発明を説明する。
第１図は従来の製造方法を説明するための誘電
体分離基板の平面図である。この誘電体分離基板
１０は、シリコン多結晶支持領域１１中に絶縁性
のシリコン酸化膜１２ａ，１２ｂを介してそれぞ
れシリコン単結晶島領域１３ａ，１３ｂが並んで
埋設されている。シリコン単結晶島領域１３ａ，
１３ｂは互いに同一導電型であつても、異つた導
電型であつてもかまわない、シリコン単結晶島領
域１３ａには、縦型トランジスタが拡散されてお
り、他のシリコン単結晶島領域１３ｂにはダイオ
ードが拡散され、コンタクトの窓あけを行なつた
ときの状態を示している。縦型トランジスタには
コレクタコンタクト窓１４、エミツタコンタクト
窓１５、ベースコンタクト窓１６の領域が設けら
れ、ダイオードには、カソードコンタクト窓１
７、アノードコンタクト窓１８の領域が設けられ
る。従来の方法による酸化膜エツチングの終了の
判断は、これらのコンタクト窓に酸化膜が残つて
いるかどうかを金属顕微鏡により観察して判断し
ていた。
体分離基板の平面図である。この誘電体分離基板
１０は、シリコン多結晶支持領域１１中に絶縁性
のシリコン酸化膜１２ａ，１２ｂを介してそれぞ
れシリコン単結晶島領域１３ａ，１３ｂが並んで
埋設されている。シリコン単結晶島領域１３ａ，
１３ｂは互いに同一導電型であつても、異つた導
電型であつてもかまわない、シリコン単結晶島領
域１３ａには、縦型トランジスタが拡散されてお
り、他のシリコン単結晶島領域１３ｂにはダイオ
ードが拡散され、コンタクトの窓あけを行なつた
ときの状態を示している。縦型トランジスタには
コレクタコンタクト窓１４、エミツタコンタクト
窓１５、ベースコンタクト窓１６の領域が設けら
れ、ダイオードには、カソードコンタクト窓１
７、アノードコンタクト窓１８の領域が設けられ
る。従来の方法による酸化膜エツチングの終了の
判断は、これらのコンタクト窓に酸化膜が残つて
いるかどうかを金属顕微鏡により観察して判断し
ていた。
第２図は本発明の製造方法を説明するための誘
電体分離基板の平面図である。同図において、こ
の誘電体分離基板１１０は、シリコン多結晶支持
領域１１１中に絶縁性のシリコン酸化膜１１２
ａ，１１２ｂを介してシリコン単結晶島領域１１
３ａ，１１３ｂが設けられている。シリコン単結
晶島領域１１３ａには縦型トランジスタが拡散さ
れており、他のシリコン単結晶島領域１１３ｂに
はダイオードが拡散され、コンタクトの窓あけを
行つたときの状態を示している。
電体分離基板の平面図である。同図において、こ
の誘電体分離基板１１０は、シリコン多結晶支持
領域１１１中に絶縁性のシリコン酸化膜１１２
ａ，１１２ｂを介してシリコン単結晶島領域１１
３ａ，１１３ｂが設けられている。シリコン単結
晶島領域１１３ａには縦型トランジスタが拡散さ
れており、他のシリコン単結晶島領域１１３ｂに
はダイオードが拡散され、コンタクトの窓あけを
行つたときの状態を示している。
縦型トランジスタには、コレクタコンタクト窓
１１４、エミツタコンタクト窓１１５、ベースコ
ンタクト窓１１６の領域が設けられ、ダイオード
にはカソードコンタクト窓１１７、アノードコン
タクト窓１１８の領域が設けられる。同時に、多
結晶支持領域１１１上に酸化膜エツチング終了チ
エツク用窓１１９が設けられる。このチエツク用
窓１１９を設けることにより、シリコン単結晶島
領域１１３ａ，１１３ｂのアノード領域、ベース
領域等のコンタクト窓あけのエツチング終了の確
認が非常によく制御できるようになる。
１１４、エミツタコンタクト窓１１５、ベースコ
ンタクト窓１１６の領域が設けられ、ダイオード
にはカソードコンタクト窓１１７、アノードコン
タクト窓１１８の領域が設けられる。同時に、多
結晶支持領域１１１上に酸化膜エツチング終了チ
エツク用窓１１９が設けられる。このチエツク用
窓１１９を設けることにより、シリコン単結晶島
領域１１３ａ，１１３ｂのアノード領域、ベース
領域等のコンタクト窓あけのエツチング終了の確
認が非常によく制御できるようになる。
即ち、多結晶シリコンからなる支持体領域と、
単結晶シリコンからなる素子形成領域とを同一条
件で熱酸化した部分に、フオトリソグラフイによ
り、それぞれ窓あけしてフツ化アンモニユウムと
フツ酸との混合液で酸化膜エツチングを行なう
と、多結晶シリコン上の熱酸化膜には多結晶のす
き間に酸化膜が成長している為、単結晶上の熱酸
化膜をエツチングするよりもわずかにエツチング
時間を要し、しかも多結晶上の熱酸化膜の模様が
金属顕微鏡ではつきりと観察できる。この多結晶
の酸化膜よる模様がなくなつたとき単結晶シリコ
ン上の酸化膜は完全に除去され、しかもエツチン
グ過剰は実質的に生じていない。
単結晶シリコンからなる素子形成領域とを同一条
件で熱酸化した部分に、フオトリソグラフイによ
り、それぞれ窓あけしてフツ化アンモニユウムと
フツ酸との混合液で酸化膜エツチングを行なう
と、多結晶シリコン上の熱酸化膜には多結晶のす
き間に酸化膜が成長している為、単結晶上の熱酸
化膜をエツチングするよりもわずかにエツチング
時間を要し、しかも多結晶上の熱酸化膜の模様が
金属顕微鏡ではつきりと観察できる。この多結晶
の酸化膜よる模様がなくなつたとき単結晶シリコ
ン上の酸化膜は完全に除去され、しかもエツチン
グ過剰は実質的に生じていない。
従つて、本発明によれば、酸化膜エツチングの
終止点の観察が非常に容易となるため、均一な特
性で信頼性の高い半導体装置を製造することがで
きる。
終止点の観察が非常に容易となるため、均一な特
性で信頼性の高い半導体装置を製造することがで
きる。
上記実施例はコンタクトの窓あけについて説明
したが、熱酸化後であれば、選択拡散前の全ての
フオトリソグラフイ工程で、本発明が適用できる
こと勿論である。
したが、熱酸化後であれば、選択拡散前の全ての
フオトリソグラフイ工程で、本発明が適用できる
こと勿論である。
第１図は従来の半導体装置の誘電体分離基板を
部分的に示す平面図、第２図は本発明の一実施例
を説明する半導体装置の誘電体分離基板を部分的
に示す平面図である。 尚図において、１０，１１０……誘電体分離基
板、１１，１１１……シリコン多結晶支持領域、
１２ａ，１２ｂ，１１２ａ，１１２ｂ……シリコ
ン酸化膜、１３ａ，１３ｂ，１１３ａ，１１３ｂ
……シリコン単結晶島領域、１４，１１４……コ
レクタコンタクト窓、１５，１１５……エミツタ
コンタクト窓、１６，１１６……ベースコンタク
ト窓、１７，１１７……カソードコンタクト窓、
１８，１１８……アノードコンタクト窓、１１９
……酸化膜エツチング終了チエツク用窓。
部分的に示す平面図、第２図は本発明の一実施例
を説明する半導体装置の誘電体分離基板を部分的
に示す平面図である。 尚図において、１０，１１０……誘電体分離基
板、１１，１１１……シリコン多結晶支持領域、
１２ａ，１２ｂ，１１２ａ，１１２ｂ……シリコ
ン酸化膜、１３ａ，１３ｂ，１１３ａ，１１３ｂ
……シリコン単結晶島領域、１４，１１４……コ
レクタコンタクト窓、１５，１１５……エミツタ
コンタクト窓、１６，１１６……ベースコンタク
ト窓、１７，１１７……カソードコンタクト窓、
１８，１１８……アノードコンタクト窓、１１９
……酸化膜エツチング終了チエツク用窓。
Claims (1)
- １ 主表面に単結晶領域と多結晶領域とを備えた
基板を酸化して、前記主表面に酸化膜を形成する
工程と、前記酸化膜のうち前記単結晶領域上の第
１の酸化膜と前記多結晶領域上の第２の酸化膜と
を部分的に開口するため、同時にエツチングする
工程と、開口予定域の前記第２の酸化膜を観察し
て、前記第２の酸化膜の模様がなくなる時点をも
つて、前記第１の酸化膜のエツチング終了とする
工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56206552A JPS58107635A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56206552A JPS58107635A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107635A JPS58107635A (ja) | 1983-06-27 |
| JPH0118577B2 true JPH0118577B2 (ja) | 1989-04-06 |
Family
ID=16525271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56206552A Granted JPS58107635A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107635A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165320A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Formation of multilayer electrodes of semiconductor device |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP56206552A patent/JPS58107635A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58107635A (ja) | 1983-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6041470B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4810668A (en) | Semiconductor device element-isolation by oxidation of polysilicon in trench | |
| US4616402A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device with a stacked-gate-electrode structure | |
| JPS59217364A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| US4410375A (en) | Method for fabricating a semiconductor device | |
| JPH0118577B2 (ja) | ||
| US4679306A (en) | Self-aligned process for forming dielectrically isolating regions formed in semiconductor device | |
| JP2707536B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0258778B2 (ja) | ||
| JPS60258964A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61135136A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5882577A (ja) | 金属シリサイドコンタクトを有するポリシリコンダイオ−ド | |
| JPH0338742B2 (ja) | ||
| JP2775782B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2546651B2 (ja) | バイポ−ラトランジスタの製造法 | |
| JPH0669066B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6312380B2 (ja) | ||
| JPH0267728A (ja) | 素子分離用酸化膜の形成方法 | |
| JPS63104448A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS61268064A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60785B2 (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JPS5974623A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH0239093B2 (ja) | ||
| JPS6263435A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60251641A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |