JPH03211836A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造方法、とくに信頼性の高い
半導体素子の形成方法に関するものである。

従来の技術 近年、半導体素子の微細化や高速化に伴い、多結晶シリ
コンと高融点金属の２層構造の配線、いわゆるポリサイ
ド配線が広く使用されるようになってきた。

以下、従来の半導体装置の製造方法を第２図を用いて説
明する。

第２図（ａ）において、半導体基板上の熱酸化膜などに
よる段差部２上にＢＰＳＧなどの酸化膜３を被着する。

次に第２図（ｂ）において、酸化膜３上に多結晶シリコ
ン膜４を１５００Ａ程度被着させる。その後、第２図（
Ｃ）において、多結晶シリコン膜４上から、熱拡散法に
より、燐６を多結晶シリコン膜４中に拡散する。その後
、第２図（ｄ）においてタングステンシリサイド膜５を
ＣＶＤ法などにより２５００Ａ程度堆積させる。その後
、ホトレジストをマスクとして、ポリサイド配線を形成
する。

発明が解決しようとする課題 従来の技術では、第２図（Ｃ）に示すように多結晶シリ
コン膜４上から燐６を熱拡散するときに、熱により多結
晶シリコン膜４の下の酸化膜３（ＢＰＳＧ）が流れ、段
差部２で、酸化膜３と多結晶シリコン４がオーバーハン
グ状になり、その上に堆積するタングステンシリサイド
膜５等の高融点金属膜もオーバーハング状になる。この
ため、その後ホトレジストによりパターンニングする際
、オーバーハング状の部分で配線が短絡する。

課題を解決するための手段 本発明の半導体装置の製造方法は、燐等の不純物を熱拡
散する代わりに、高融点金属膜もしくはそのシリサイド
膜上から、不純物をイオン注入法により注入する工程を
備えている。

作用 このようにすれば、ポリサイド配線下の酸化膜は流れな
くなり、オーバーハングも形成されない。したがってレ
ジストパターンにより配線を形成する際の短絡もなくな
る。

実施例 以下、本発明の一実施例を図面を参照しなから説明する
。

第１図（ａ）において、半導体基板１上に熱酸化膜など
により段差部２が形成される。その上にＢＰＳＧ３など
酸化膜を形成する。次に第１図（ｂ）において、多結晶
シリコン膜４を約１５００Ａ程度形成し、第１図（Ｃ）
においてタングステンシリサイド膜５を２５００Ａ程度
形成する。その後、第１図（ｄ）において、タングステ
ンシリサイド膜５上より、燐をイオン注入法により注入
する。その後レジストパターンによりポリサイド配線を
形成する。

なお、本実施例では、高融点金属膜をタングステンシリ
サイド膜としたが、その他の高融点金属もしくはそのシ
リコン化合物でも同様な効果が期待できる。

発明の効果 以上のように、本発明によれは、タングステンシリサイ
ドなどの高融点金属膜上より、不純物をイオン注入法で
注入することにより、酸化膜、他結晶シリコン膜、高融
点金属膜もしくはシリサイド膜の段差部でのオーバーハ
ングがなくなり、ドライエッチのとき、エツチング残り
が発生せず、信頼性の高いポリサイド配線を形成できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法を示す工程断面図、第２図は従来例を説明するための
工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・中熱酸化膜などに
よる段差部、３・・・・・・酸化膜、４・・・・・・他
結晶シリコン膜、５・・・・・・タングステンシリサイ
ド膜、６・・・・・・燐。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に、多結晶シリコン膜を堆積する工程と、
   上記多結晶シリコン膜上に高融点金属膜もしくはそのシ
   リサイド膜を堆積する工程と、上記高融点金属膜もしく
   はそのシリサイド膜上から不純物をイオン注入法により
   注入する工程と、ホトレジストをマスクとして前記多結
   晶シリコン膜と前記高融点金属膜もしくはそのシリサイ
   ド膜をエッチングする工程とをそなえたことを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。