JPS58107724A - ゲ−トタ−ンオフ回路 - Google Patents

ゲ−トタ−ンオフ回路

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Publication number
JPS58107724A
JPS58107724A JP56207366A JP20736681A JPS58107724A JP S58107724 A JPS58107724 A JP S58107724A JP 56207366 A JP56207366 A JP 56207366A JP 20736681 A JP20736681 A JP 20736681A JP S58107724 A JPS58107724 A JP S58107724A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode
transistor
diode
circuit
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56207366A
Other languages
English (en)
Inventor
Kanji Mukai
向井 幹二
Teruhiro Hoshizaki
星崎 彰宏
Yasunobu Inabe
井鍋 泰宣
Hiroyasu Uehara
上原 啓靖
Shinji Okuhara
奥原 真治
Haruyuki Yoshino
吉野 春幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Hitachi Ltd
NEC Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
NTT Inc
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Hitachi Ltd
NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd, Hitachi Ltd, NEC Corp, Nippon Telegraph and Telephone Corp, Oki Electric Industry Co Ltd, Nippon Electric Co Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP56207366A priority Critical patent/JPS58107724A/ja
Publication of JPS58107724A publication Critical patent/JPS58107724A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/73Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for DC voltages or currents

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、PNPNスイッチのゲートターンオフ回路に
関する。
従来、との種のオフ制御回路は、第1図に示すようKP
NPNスイッチ1のカソードゲートとカソードにそれぞ
れNPN)ランジスタ2のコレクタとエミッタを接続す
る構成になっていする。この回路のオフ制御は、トラン
ジスタ2のペースを駆動することKより、トランジスタ
2を動作させ。
PNPNスイッチのカソードゲートから電流を引き抜く
ことKよってPNPNスイッチをオフさせている。この
回路では、トランジスタ2を能動領域で動作させるに十
分な電圧がコレクタとエミッタ間に確保されない丸め、
トランジスタ2が飽和し、オフ能力が小さいという欠点
があった。
本発明の目的は、このような回路の上記欠点を解決し、
オフ制御能力の大なるゲートターンオフ回路を提供する
ことにある。
本発明の特徴は、PNPNスイッチのカソードと直列に
ダイオードが1段または複数段、願方向に接aされ、N
PN)ランジスタのコレクタが前記PNPNスイッチの
カソードゲートに接続され、エミッタが、前記ダイオー
ドのカソードに接続されるか、または、前記ダイオード
のカソードが抵抗素子を介して、前記NPN)ランジス
タのエミッタに接続され、#NPN)ランジスタのベー
スを駆動することによりPNPNスイッチをターンオフ
させるゲートターンオフ回路にある。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第2図を参照すると、第1の実施例は、PNPNスイッ
チ6のカソードゲートとカソードにそれぞれトランジス
タ8のコレクタとダイオード7のアノードが接続され、
トランジスタ8のエミッタとダイオード7のカッ4−ド
が接続される構成である。この回路のPNPNスイッチ
が導通している状態から、オフさせるには、トランジス
タ80ベース9に電流を流し、トランジスタ8t−駆動
させ、PNPNスイッチのカソードゲートから電流を引
抜くことkよりてPNPNスイッチをオフさせることが
できる。この際、ダイオード7の順方向電圧降下分だけ
トランジスタ8のコレクタとエミッタ間の電圧を大きく
とれ、トランジスタ8の飽和を防止している。
第3図は、本発明の第2の実施例である。この回路はト
ランジスタをダーリントン接続圧し、トランジスタのベ
ース駆動電流の節約と、オフ制御能力の増大を図りたも
のである。
第4図は、本発明の第3の実施例である。この回路はP
NPNスイッチ19と直列に2個のダイオード20.2
1を挿入し、オフ制御能力を増加させたものである。
第5図は本発明の第4実施例を示す。この回路のように
ダイオード27と直列に抵抗素子28が入りている場合
も上記とtりたく同様の効果がある。
本発明は、以上説明したよう&C,PNPNスイッチの
カソードと直列にダイオードを挿入することによ〕オフ
駆−電流を増加することなしに、オフ制御能力を増大す
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のゲートターンオフ回路の例、第2図乃至
第5図は本発明の実施例のゲートターンオフ回路を示す
回路図である。 なお図において、1,6,1亀19,26・旧・・PN
PNスイッチ、?、13.20.!1.27・旧・・ダ
イオード、ス8,14,15,21,2亀29・・・・
・・トランジスタ、28・・・・・・抵抗素子、3,9
,16.!3.30・旧・・オフ駆動電流入力端子、で
ある。 竿1図  築Z用   吏3狭I V4図       1? 、、 、7゜第1頁の続き 号 ■出 願 人 株式会社日立製作所 東京都千代田区丸の内−丁目5 番1号 ■出 願 人 富士通株式会社 川崎市中原区上小田中1015番地

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  P N P Nスイッチのカソードと直列に
    ダイオードを1個ないし複数個順方向に接続し、NPN
    トランジスタのコレクタを前記PNPNスイッチo力y
    −)’ゲートに接続し、骸NPN)ランジスタのエミッ
    タを前記ダイオードのカソードに接続し、該NPN)ラ
    ンジスタのペースを駆動することによりPNPNスイッ
    チをターンオフさせることt−特徴とするゲートターン
    オフ回路。
  2. (2) 前記PNPNスイッチのカソードに直列に接続
    する前記ダイオードのうち、少なくとも1個のダイオー
    ドを抵抗素子でおきかえたことを特徴とする特許請求の
    範囲第(1)項記載のゲストターンオフ回路。
JP56207366A 1981-12-22 1981-12-22 ゲ−トタ−ンオフ回路 Pending JPS58107724A (ja)

Priority Applications (1)

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JP56207366A JPS58107724A (ja) 1981-12-22 1981-12-22 ゲ−トタ−ンオフ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56207366A JPS58107724A (ja) 1981-12-22 1981-12-22 ゲ−トタ−ンオフ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58107724A true JPS58107724A (ja) 1983-06-27

Family

ID=16538535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56207366A Pending JPS58107724A (ja) 1981-12-22 1981-12-22 ゲ−トタ−ンオフ回路

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JP (1) JPS58107724A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5032784A (ja) * 1973-07-05 1975-03-29

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5032784A (ja) * 1973-07-05 1975-03-29

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