JPS5810839A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は集積回路素子の集積度を向上することができ
る半導体装置に関するものである。

従来の半導体装置は１テツグ１パツケージカ主流である
。すなわち、第１ｒ！！ＪＫ示すように、フレームα）
上にチック（２）１ｉ−取ル付けたのち、フレーム（１
）のリード（１ａ）とテップ（２）の電極とをワイヤｅ
）により、電気的に接続する。そして、チップ（２）を
保護するため、モールド樹脂（４）により一体に成形す
るものである。

しかしながら、従来の半導体装置は１テツプ１パツケー
ジのため、スペースファクタが悪く、シかも機能上から
も有効でないなどの欠点があった。

しｆｃがって、この発明の目的は複数個の同一テツクあ
るいは異種チップを１パツケージに実装することによ〕
、スペースファクタがよく、シかも機能も大幅に向上す
る半導体装置を提供するものである。

このような目的を達成するため、この発明は集積回路を
形成した第１のテクノと、この第１のチップに形成し念
集積回路とミラー反転の関係あるいは補間関係になるよ
うに集積回路を形成した第２のチップとが互に対向する
ように配置し、モールドあるいはセラミックパッケージ
で組立て、一体化構造にするものであり、以下実権例を
用いて詳細に説明する。

第２図はこの発明に係る半導体装置の一実總例を示す断
面図である。同図において、（５）は前記テップ（２）
Ｋ形成した集積回路とミラー反転の関係あるいは補間関
係にある集積回路を形成する第２チツク、（６）Ｆｉこ
の１１２チツク（５）の電極とフレーム（１）のリード
（１ｍ）とを電気的に継ぐワイヤである。

この構成による半導体装置においてはチップ（２）と第
２チツプ（５）とはミラー反転の関係あるいは補間関係
にあるため、フレーム（１）をはさんで、一方の面にテ
クノ（２）￥ｒ取付け、他方の面に第２チツク（５）を
取り付けることにより、各チップ（２）および（５）上
に設けた電極のうち、相互に共通な電極は対向する。そ
して、チップ（２）および価）の電極とフレーム（１）
のリード（１ａ）とをワイヤ（３）および（６）Ｋより
容易に接続することができる。例えば第３図に示すよう
に、チップ（２）と第２チツプ（５）の共通な電極をリ
ード（１ｍ−３）　、　（１ｍ−４）および（１ａ→）
、（ｔａ−７）に接続する。そして、チップ（２）の独
立に必要な電極は実線で示すように、ワイヤによ）リー
ド（１＠−１）および（１ｍ−５）に接続し、ｆ”ｊ／
プＧ）ノ独立に必要な電極は点線で示すように、ワイヤ
によりリード（１ｍ−２）および（１ｍ−６）に接続す
る。そして、モールドあるいはセラミックパッケージで
組立て、一体化構造にするものである。

繭４図はこの発明鈍係る半導体装置の他の実論例を示す
断面側面図である。この実施例ではテクノ＠）ｊ？よび
＠２テップ（５）に突起電極（７）を設け、フレーム（
１）のり−ド０１）に固着することによシ、電気的な接
続とチックの固着管同時に行なう。そして、チップＣ）
と嬉２テッグφ）と０間に高純度樹脂−）を充填したの
ち、通常のモールド樹脂１）Ｋよ）パッシベーションす
る。このように構成することにより、例えば記憶素子な
どの対α線対策を必要とする場合ＫＩ！＃に有効である
。そして、嬉５図に示すようｋ、共通電＠（ムｓ）、（
Ａｓ）−（ムｓ）、（４）はそれぞれ独立的に配置し、
突起電極とするが、分離を必要とする電＠（ムり、（ム
茸）、（ム■）、（ム１１）では素子上で電＠（ム鳳）
と（ム雪）、（ム■）と（ム１雪）１＊続し、テクノα
）では電＠（ム１）および（ム１１）に奥起電＠を設け
、チックの）では電＠（ム雪）および（ムｔｓ）Ｋ＊ｌ
ｌ電＠を設け、フレームα）の対応するリード（１ｍ−
１）　＝　（ｉｍ−１２）に接続する。なお、実線はテ
ッグシ）の電１とフレームａ）のリードとｔｍぐワイヤ
を示し、点線＊ＩＩ２テッグ優）の電ｌＩｉトフレーム
α）のリードとを継ぐワイヤを示す。

鎮６図はこの発明に係る半導体装置の更に他の実論例を
示す断面側面図である。同図において、Φ）嬬リード（
１０＠−１）　−（１０ｍ−１２）　　（躯７１１参照
）およびこのリード（１０ｍ−１）　〜（１０ｍ−１２
）にそれぞれ接続する端子（１１）￥ｒ設けたセラミツ
クツくツケージ基板、（１２）は蓋である。なお、端子
（１１）はそｎぞれリード（１０ｍ−１）〜（１０ｍ−
１２）にメタライズなどにより接続されるが、第７図に
示すように、共通電極（ＡＩ）　、　（Ａｓ）　、　（
Ａｓ）および（ム１）＃ｉリード（１０ａ”３）　〜（
１０ｍ−６）に共通に接続され、独立的に必要な電極、
例えば（Ａｓ）はリード（１０ｍ−１）および（１０ａ
−２）に接続する。

この実施例ではチップ（２）と第２チツプ（５）との間
の空間に特別な充填物ｔｍ織こさずとも、対α線は十分
で、理論的には必要はな−か、他の理由例えば誘電率の
向上などのために、シリコーン系樹脂などを充填しても
よく、その場合、素子の保饅膜としての効果が期待でき
る。

なお、以上の実施例では突起電極ｔｍ有する素子に替シ
、ビームリード素子、チーブアセ／ブリ素子を使用して
もよいことはもちろんである。また、突起電極は接合性
の点などを考慮して通常半田などを使用するが、接合後
の再溶融温度が高くなるように、フレームあるいはパッ
ケージの接合部のメタライズ紘選択するのが望ましく、
例えば鋼。

金、亜鉛あるｉ社鉛すンチの半田などをメッキなどの手
段により薄く所定の量だけ賦与することが必要である。

以上詳細に説明したように、この発明に係る半導体装置
によればリード本数が２本程度増加するだけで、機能が
２倍になる。例えば１６リードの１６　Ｋ（ｔ））ＲＡ
Ｍ　カ１８１Ｊ　−）’０３２　Ｋ＠ＲムＭ　となる。

このように１実装密度を大幅に向上することができるな
どの効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の半導体装置を示す断面側面図、１１Ｅ２
図社この発明に係る半導体装置の一夷總例を示す断面側
面図、第３図ＨｇＩＺ図のチップの電極とフレームのリ
ードとの関係を示す平面図、縞４図はこの発明に係る半
導体装置の他の実施例を示す断面側面図、第５図Ｆｉ第
４図のチップの電極とフレームのリードとの関係を示す
平面図、第６図＃′ｉこの発明に係る半導体装置の更に
他の実施例を示す断面側面図、第７図は１１６図のチッ
プの電極とフレームのリードとの関係を示す平面図であ
る。 （１）−−−−フレーム、（１ｍ−１）　〜（１０，−
１２）　”・・リード、（２）・・・・チップ、（３）
　−−−−ワイヤ、（４）・・・・モールド樹脂、（５
）・・・・第２チツク、（６）・・・・ワイヤ、（７）
・・・・突起電極、（８）・・・・、高純度樹脂、（９
）・・・・セラミックパッケージ基板、（１０ｍ−１）
　〜（１０ａ−１２）　　・・・・リード。 なお、図中、同一符号ｒｉ同一または相当部分を示す。 代理人　葛　野　信　−（外１名） ３．６ 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示　　　　特願昭　６６−１１１１７７号
２、発明の名称 半導体装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住　所　　　　　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名　称（６０１）　　　三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 ４、代理人 ５、補正の対象 ＋１１　　明細書の特許請求の範囲の欄（２１明細書の
発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１１明細書の「特許請求の範囲」を別紙のとおシ補正
する。 （２）同書第７頁第３行の「鉛すンチ」を「鉛リッチ」
と補正する。 以　　上 別　　　　紙 「（１１集積回路を形成した第１のチップと、この第１
のチップに形成した集積回路とミラー反転の開俵あるい
は補間関係に表るように集積回路を形成した館２のチッ
プとを互に対向するように配置し、モールドあるい紘セ
ラ之ツクパッケージで組立てて一体化構造にすることを
特徴とする半導体装置。 （２）　　第１のチップを７レームの一方の面に固着し
、第２のチップをフレームの他方の面に固着することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 （３）各チップに突起電極を形成し、この突起電極を７
レームのリードに接続固定することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置。 （４）第１のチップと第２のチップとの間の空間に、α
線をしゃ断し且つ自ら発しない樹脂を充填することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装５０ （５）前記突起電極のうち、所定の突起電極を２連に形
成し、この２連の突起電極のうち、第１のチップと第２
のチップでは互に異なる位置の突起電極をリードへの接
続に用いることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
の半導体装置。」以　　上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）集積回路を形成した第１のチップと、この第１の
   テップに形成した集積回路とミラー半輪の関係あるい鉱
   補関関係になるように集積回路を形成し良第２０テッ１
   とを互に対向するように配置し、モールドあるいはセラ
   ミックパッケージで組立てて一体化構造にすることを特
   徴とする半導体装置。 （２）ｌｉｔのチップをフレームの一方の面に固着し、
   第２のテップｔフレームの他方の面Ｋ１１着すること管
   特徴とする特許請求の範ｌｉ！８第１項記載の半導体装
   置、 Ｃ）各チップに突起電極を形成し、この突起電極ｔフレ
   ームのリードに接続固定することｔ−特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の半導体装置。 （４）！ＩＩＩのテッグ七第２のチップとの間の空間に
   、ａＩｉａをしゃ断し且つ自ら発しない樹脂を充填する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体素
   子。 （５）前記突起電極のうち、１所定の突起電極を２連に
   形成し、この２連の突起電極のうち、Ｉｌｌのチップと
   第２のチックでは互に異なる位置の突起電極をリードへ
   の接続に用いることを特徴とする特許請求の範囲第３項
   記載の半導体装置。