JPS58108792A - 多層回路板とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、配線導体のみならず抵抗体、誘電体をも多層
化した多層回路板（多層混成回路板も含む）とその製造
方法に関する。

近年、電子回路には、半導体ＩＣを装着した回路板が使
用されている。そして、半導体ＩＣにはセラミックなど
で封止した。いわゆる封止ＩＣが使用されている。

半導体ＩＣｔ−装着した（口）踏板の小形化は、ＩＣチ
ップ自体を回路板に装置すれば、以下（α）。

（ｈ）の理由で達成される。

（α）　チップ素子自体は、封止ＩＣより小さい。

（Ａｌ　　接続用端子間隔が狭くなる。

この場合、基板上のＩＣ接続用導体間隔は２００μｍ程
度と微細で高密度にする必要がある。しかし、このよう
な微細パターンはセラミック基板上に導体ペーストラ印
刷し、乾燥し、焼成する厚膜技術では、印刷だれ、印刷
ペースト乾燥中の低粘髪化によるにじみなどによ多導体
間隔がＡＤＤμｍ程度となりａ造できなかった。

これに対し、アルミナを主成分と↑るグリノ、・″ シート（未焼結板）に導体ベース）１−印刷し、乾燥し
、焼成するいわゆるグリンシート法は。

以下（α＋、（Ａ）の理由で微細で高＠度な配線導体全
形成するのに適している。

（α）印刷したペースト中の浴剤がグリンシート中にし
み込むため、印刷したペーストはだれ。

にじみを生じない。

Ｃｂ）　　グリンシートは焼結時にシートが１ｏ〜２゜
チ収縮する。

しかし、アルミナのグリンシートｌｄ　１５００〜１６
００℃で焼結させるため、導体は焼結時変質しないモリ
ブデン、タングステン、マンガンなどの高融照会＾にせ
ねばならず、抵抗体は多層構造の内層に設けると、グリ
ンシート焼結時変質するため、多層板ではこれを焼結し
てから最上層に抵抗体を形成せざるを得なかった。

ここで、アルミナの替りに１０００℃程度以下で焼結す
る絶縁材料をグリンシート、層間絶縁層とすれば、導体
、抵抗体などの各種厚膜材料が適用でき、微細で高密度
な配線の形成と、導体と抵抗体よりなる抵抗回路の多層
化ができると思われる。

このような材料には、βリチア輝石を主成分としメタ珪
酸リチウムを副成分とした微結晶を析出する結晶化ガラ
ス、α−菫青石を主成分とじ斜頑輝石を副成分とした微
結晶を析出する結晶化ガラスが知られている。これら材
料は昇温速度２℃／分以下、高温保持時間１〜５時間。

降温速度４℃／分以下と加熱時間が長く、かつ短時間加
熱では導体が基板よりはく離することがあった。

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、グ
リンシート法によシ微細で高密度な導体配線を有し、か
つ抵抗体と誘電体をその眉間に形成した新規な小形多層
回路板と短時間焼成で上記の多層回路板が製造できる方
法を提供するにある。

本発明は、低温で焼結する各種無機材料、厚膜導体、厚
膜抵抗体、厚膜誘電体の各種材料の巾広い探索とその緒
特性の解析ならびに熱処理工程の鮮細な検討によって成
されたものである。

本発明を達成するためのグリンシートおよび層間絶縁用
無機材料、厚膜導体材料、厚膜抵抗体材料、厚膜誘電体
材料は、相互に適用できる材料の特性の範囲を限定する
が、これらの材料を総括的に述べると。

上記目的は、グリンシートおよび層間絶縁用無機材料は
、（α）結晶化ガラス、（Ａ］絶縁性酸化物結晶粒子と
非晶質ガラスの混合物、あるいは。

（Ｃ１低融点の絶縁性酸化物多結晶体であり、厚膜導体
は（α］金属粒子単独あるいは（Ａ）金属粒子と非晶質
ガラスの混合物であυ、厚膜抵抗体はＲｕ　Ｏ。

やその他の導電性微粒子とガラスの混合物であシ、厚膜
抵抗体はチタン酸バリウム等の高融点高誘電率誘電体微
粉末とガラスの混合物、あるいは鉄−タングステン酸鉛
等の低融点高誘電率誘電体上厚膜誘電体であることで達
成される。

また１本発明の多層混成集積回路基板の製造にあたって
は・ （α］　絶縁材料を構成する粉末に高分子結合剤を加え
たグリンシートを印刷基体とし、また。

高分子結合剤と有機溶剤を加えたベヒクルに絶縁材料、
厚膜導体、厚膜抵抗体、厚ｉ＊ｇ電体を構成する粉末を
それぞれ加えて絶縁ペースト、抵抗体ベース）、［［を
体ペーストとし。

（，６１グリンシート上に導体ペースト、抵抗体ペース
ト、絶縁ペーストの印刷全繰返し、あるいは導体ペース
ト、抵抗体ペース）、ＷＪｊｉｔ体ペース体管−ストた
グリンシー）を積層し。

導体、抵抗体、誘電体を層間および層上に形成した多層
回路板を作成し。

（Ｃ１絶縁材料が焼結し、かつ導体、抵抗体、誘電体を
構成するガラス材が軟化耐融する６００〜１０００℃の
温度で熱処理する。

本発明の多層回路板の基体となる絶縁材料の組成や熱的
特性について述べると。

（α〕　熱処理により微結晶が析出する結晶化ガラスを
用いる場合には、アノーサイト（Ｃ”αＡＬ。

ｓｉ、ｏ８λセルシア７　（ＢａＡｔ２ＳＬ２０ｍ）、
ネ７ｘすｙ　（ＮａＡｌＳｉＯ，）、　ｘフエｙ　（Ｃ
ａＴｉＳｉＯ，）、　コージェライト（ＭｇｔＡＬ２Ｓ
　ｉ　、　０．、）　”、スボジーメン（ＬｉＡｌＳｉ
２０６）等のケイ酸塩あるいはアルミノケイ酸塩を析出
するガラス組成物音用いる。

Ｃｂ）　　絶縁性酸化物結晶の微粉末と非晶質ガラスの
混合物を用いる場合には、酸化物としてアルミナ（”４
０ｇ　）　、シリカ（Ｓｉｎ２）、マグネシア（ＭｙＯ
）、カルシア　（Ｃａｂ）　、　ｒｌｌ化ハ！Ｊ　ウＡ
　（Ｂａｄ）。

ジルコニア（ＺｒＯ，）等の金属酸化物、マグネシアス
ピネル（ＭＩＡＬ、　０４）　、　　ジルコン酸カルシ
ウム（Ｃ’ａＺｒＯ，）、コージェライト、セルジアン
。

アノーサイト、ジルコン（ＺｒＳｉＯ，）等のアルミノ
ケイ酸塩、ケイ酸塩の絶縁性徐合金践酸化物を用い、非
晶質ガラスとしては特にその組成を限定されないがＢａ
ｄ、　Ｃａｏ、ＺｎＯ，ＳｒＯ，ＴｉＯ２゜Ｂ１１０．
等を含むアルミノホウケイ酸鉛ガラス力ｊ　（、Ｎ　（
Ｚ、　０．　Ｌ＆ＲＯ，４０等Ｏ７”　カ！Ｊ　金Ｊｒ
ｓ　〕酸化物を少量加えてもよい。この時、非晶質ガラ
スの軟化点は、　　１ｏｏｏ℃以下で熱処理するに７５
０℃以下であることが必要である。

（Ｃ）　　また、低融点の絶縁性酸化物多結晶体を用い
る場合にはＪｉ化ゲルマニウムと酸化ゲルマニウＡ’ｔ
−主成分とし、　５ｉｎ２．　Ａｔ、０．　、　Ｃａｂ
。

ＰｂＯ，Ｂｉ、０．　、Ｂρ８等を加え、　１０００℃
以下で焼結するセラミック組成物が用いられる。

以下、前記絶縁材料のグリンシートおよび絶縁層上ある
いは絶縁層間に形成する導体、抵抗体、誘電体の組成、
熱的特性等について、絶縁材の熱処理温度との関係につ
いて述べる。

（α）　導体：導体用の金属としては、金、銀、白金、
パラジウムのそれぞれの琳独の微粉末。

あるいは混合粉末１合金粉末等を用いる。この時１回路
基体（前記絶縁材のグリンシートあるいはグリンシート
上の絶縁層）との接着性を向上する友めに、非晶質ガラ
スを加えることができる。しかし、この非晶質ガラスは
次の要件を満丸さなければ導体の発泡、はく離等を生じ
る。これらは （１）非晶質ガラスの軟化点が、絶縁材の熱処理温度に
対して１５０〜２５０℃低い温度範囲にあること。

（わ　非晶質ガラスの熱膨張係数が、絶縁材の熱膨張係
数に対して一３０Ｘ１０−’〜＋１０Ｘ１０−’　／ｄ
りの範囲にあること。

である。

（Ａ）　　抵抗体：導電性粉末として、金、銀、白金。

パラジウム等の金属やＲＬＬｂ、　、　Ｂｉ２Ｒｕ、　
Ｏ□、　Ｐｂ。

Ｒｔｔ、Ｏ，等の酸化ルテニウム、ルテニウム酸塩。

Ｒｈ２０．　、　Ｂｉ□Ｒｈ、　Ｏ，、Ｐ　Ａ２Ｒｈ、
　ＯＩｌ等の酸化ロジウム、ロジウム酸塩、酸化イリジ
ウム、イリジウムｍ塩あるいはケイ化物等が用いられ、
このバインダガラスとしては（１）非晶ガラスや（１）
結晶化ガラスが用いられる。

バインダガラスが非晶質ガラスの時Ｋ１１ｌ、非晶質ガ
ラスの軟化点が絶縁材の熱処理温度に対して、１５０〜
２５０℃低い温度範囲にあり、かつ熱膨張係数が絶縁材
の熱膨張係数に対して＋１０×１０−７〜５０Ｘ１０−
７／ｒｔｇｌ　　の範囲にあることが必要である。非晶
質ガラスの軟化点が規定の温度よシ低いと、絶縁材の熱
処理温度でガラスが異常に流動して抵抗体の形状が崩れ
、また、このガラスが絶縁材へ浸み込んで焼結収縮が不
均一となって、絶縁材の反シ金生じる。軟化点が規定の
温度より商いとガラスの溶解が不充分となシ。

ち密な抵抗膜が形成できない。萱た、熱膨張係数が規定
の範囲を越えると、抵抗膜にクラックを生じる。

バインダガラスに結晶化ガラスを用いる時には、絶縁材
の熱処理温度に対して、−５０〜＋５０℃の範囲の温度
で結晶化するガラス組成物を用いる必侠がある。結晶化
温度が規定よシ低いと、絶縁材の熱処理温度ではガラス
の結晶化による高粘性固化のため絶縁材の均一な焼結収
縮が妨げられ、絶縁材の反りや抵抗膜のはく離を生じる
。規定より島いとガラスは熱処理温度では未だ溶融状態
にあり、実質的には非晶質ガラス全バインダとして用い
たのと同様であり、ガラスの軟化温度、熱膨張係数は前
記非晶質ガラスの規定が適用される。

（Ｃ）　　誘電体：高誘１１１率肪電体材刺としては、
（１）チタン酸バリウムにチタン酸マグネシウム、チタ
ン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、ジルコン醒
カルシウム、ジルコン酸バリウム、錫酸ニッケル、錫酸
カルシウム、酸化バリウム、酸化ランタン尋を加えた高
融点誘電体セラミックスと、（わ鉛を含む接合ペロブス
カイト型酸化物や鉛を含むブスマス層状型酸化物等の低
融点誘電体セラミックスを用いる。

萬融点誘電体セラｉツクスを用いる場合には、防電体材
料自体が１０００℃以下の絶縁材の熱処理渥にで焼結し
な５ため、非晶質ガラスや結晶化ガラス等の粒子結合剤
を必要とする。

非晶質ガラスを用いる場合には、絶縁材の熱処理温度に
対して１５０℃低い温度に軟化点をもつガラス組成物と
することが必要である。

誘電体用の非晶質ガラスは、一般的に１０ｗｔ％以下で
あり、抵抗体はどその影響は大きくないが、軟化点が規
定の温度より高いと、絶縁材の熱処理温度ではガラスの
溶融が不充分で誘電体粉体の強固な結合ができず、誘電
体膜の機械的強度が極めて小さい。

結晶化ガラスをバインダとして用いる場合には、絶縁材
の熱処理温度に対して−５（１−＋５０℃の温度範囲で
結晶化するガラス組成物とすることが必要である。規定
温度より結晶化温度が低いと絶縁材の熱処理温度ではガ
ラスの結晶化による高粘性固化のために絶縁材の均一な
焼結収縮が妨げられ、絶縁材の反シや誘電体膜のは＜Ｉ
ｌｌを生じる。規定温間より結晶化温度が高いと絶縁材
の熱処理温度では未だガラスは溶融状態にあり、実質的
には非晶質ガラス全バインダとして用いる場合と同様に
、そのガラスの軟化点が規定される。

低融点誘電体セラミックスを用いる場合には、多くの場
合誘電体自体の焼結のためにガラス等の粒子結合剤を必
要としない。本発明で用いる低融点誘電体は、絶縁材の
熱処理温首に対して一５０〜＋１５０℃の温度範囲で焼
結するものを用いる。この誘電体の焼結が絶縁材の熱処
理温度で規定される温度より低いと、絶縁材の焼結以前
に誘電体膜の焼結収縮がおこり、熱処理後に誘電体膜の
はく離を生じる。

規定の温度より誘電体の焼結温度が高いと、絶縁材の熱
処理温度では誘電体粒子の反応Φ焼結がおこらず２機械
的強度の高い誘電体膜を形成することかでじない。

上記各８１！杓料金用いる多層（ロ）踏板の製造方法に
おいて、ガラスおよびガラス粉末の製造、絶縁材のグリ
ンシート化、各種累子組成物の製造およびペースト化そ
のものは従来からよく知られた方法により後述の夾施例
で示すようにして行なった。

本発明の最も製法上の特徴となる点は、絶縁材のグリン
シート上、および絶縁層上に導体のみならず、抵抗体や
ｖｊ電体ｔも印刷形成し、これを多層化した回路画板を
、その絶縁材の焼結収縮によって規定される１　０００
０以下のｍ度にて１０〜３０分間熱処理することである
。

この時、絶縁材や抵抗体に非晶質ガラスを用いる場合に
は、そのいずれかの低い軟化点以上の昇、降臨速度は５
０〜ｂ い。これより昇、降温変速が遅い場合には、温度のガラ
スの流動により、回路バタンの変形や基板の焼結収縮の
不均一による反りを生じる。

また、これより速い昇、降温では、加熱、冷却の不均一
性による基板の反りやうねり金主じる。

以上のように、本発明で規定した範囲の材料の組み合せ
およびその熱処理によシ良好な累子膜および平滑な回路
基板が形成できる。

以下具体列により詳しく説明する。

実施例１ 絶縁材に結晶化ガラス、抵抗体のバインダガラスに非晶
質ガラス、そして低融点の誘電体材料を用い、第１図で
示す構成の多層混成集積口・路基板を作成した例につい
て述べる。

グリンシート用および層間絶縁体材料は、次のようにし
て調製した。重量百分率でＳｉｎ、が３０係、ＣａＯが
１３％、ＡＩ、２０３が１２％、ＺｒＯ，が１１％、ｐ
ｂｏが２８％、Ｂ２０．が４％、）ｄｇＯが２％となる
よう酸化物、炭酸塩あるいは水酸化物を秤量し、ボール
ミルで混合し、これを白金ビー力に入れて１５００℃で
浴融し、次いで水中に注いで急冷してガラスの粗砕物を
つくる。これをメノー製乳鉢およびボールミルで粉砕し
て、平均粒径が２．０μｍのガラス微粉末とし友。これ
は、８２０℃でアノ−サイ）　（ｔ’α”４５ｔ　２０
８）の結晶を析出する発熱ピークをもち、８５０℃で熱
処理した時の熱膨張係数は５２×１０−１０−７ｐｐ　
　テ２ｂッｆｃ。

ガラス微粉末は、通常のグリンシートの製造方法ならび
に厚膜用ペーストの製造方法により、次のようにしてグ
リンシートおよび絶縁ペーストとした。ガラス微粉末に
ポリビニルブチラールを加えて混合後、ブチルフタリル
ブチルグリ：ｌ　ｖ　−）　？！：　）リクレンーバー
クレンーブチルアルコールの混合溶剤を加えてアルミナ
ボールミル中で混練してスラリー状とする。これをドク
ターブレードに通して乾燥後膜厚０．８Ｍのシート全作
成し、適当に切断して回路形成用の印刷用基体（グリン
シート：未焼成基板）とした。絶縁ペーストは、エチル
セルロースヲトリデヵノールに浴かした有機ビヒクルを
ガラス微粉末に加えて、アルミナ製らいかい機で混練し
て作成した。

導体および抵抗体のバインダガラスは、重量百分率でＳ
ｉｎ、が６０％、ｐｈｏが１４％、Ａｔ！０．が９チ、
Ｃａｄｉ）１７　％、Ｂ、０，１）１５％、Ｍ！１０２
＞！　１　％・Ａ’（Ｚ、（Ｊ　　とに！０がそれぞれ
２％である非晶質ガラスで、軟化点が６８０℃、熱膨張
係数は６　ｏｘｉ　Ｏ−’ｐｐｍ／℃である。平均粒径
が２．５μｍとなるまで粉砕したこのガラス微粉末０．
５Ｆに、Ａ１．ＰｔＬの混合粉を９．７ｔの割合で混合
し、また、ガラス粉８．Ｏｆに平均粒径０．８１ｘＩＬ
のＲｕｂ、を２．Ｏｆの割合で混合し、有機ビヒクルを
加えて混練して導体ペーストおよび抵抗ペーストを調製
した。

低融点の誘電体には、ＰｈＯ、Ｆ’ｓ、０．　、　ＦＯ
ｌ、　Ｔｉｅ。

を混合し、８００℃で２時間熱処理して合成した０、７
５Ｐｂ（Ｆ　ｇ４　ｆＬｌ）　０．−０．２５７”ｂＴ
龜Ｏ１を粉砕し、平均粒径′ｊｋ：２．３μｍとした。

これに、有機ビヒクルを加えて誘電体ペーストとし友。

この誘電体は、８５０℃で焼結収縮する。また、この融
点は１１００℃である。

次に第１図により製造方法について述べる。

作成し九ガラスのグリンシートを印刷基体１とし、調製
した導電ペースト金印桐して第１層配＆１２、抵抗体用
電極３、コンデンサ用電極４を形成し、乾燥後調製した
抵抗ペーストを印刷して第１層の抵抗体５を形成し友。

次いで調製した訪電体ペースト金印刷して絹１層訪亀体
６を形成し、導電ペース）Ｔｈ印刷して、コンデンサ用
対向′ｖＬ極７を形成した。その後、調製した絶縁ペー
ストを印刷して層間絶縁体８を形成した。

この時、層の上・下を電気的に接続するためのＸ　＃　
−ホール９　’ｉ影形成ておく。次いで４ｔｌｌＥペー
ス）を印刷してスルーホールを通して層間導通をとると
ともに、第１層と同様に、第２層配＠ｉｏの他に抵抗体
用電極３′、コンデンサ用電極４′、コンテンサ用対向
ｉｔ極７′ならびに外部接続用端子１１や部品搭載用端
子１２ヲ形成し、抵抗ペースト、誘電体ペーストを印刷
し、誘電体層上には、さらに導電ペーストを印刷して第
２層抵抗体１３、第２層誘電体１４ヲ形成した。

このようにして印刷積層した未焼結基板を、８５０℃ヲ
１０分間保持する空気焼成の厚膜ベルト炉で熱処理し、
た。この時グリンシートは１５％収縮し友が、基板の反
りや抵抗膜・誘電膜のはく離φクラックは無かつ友。

実施例２ 絶縁材に絶縁性結晶性酸化物と非晶質ガラスの混合物、
抵抗体のバインダガラスに結晶化ガラス、そして誘電体
のバインダガラスに非晶袈ガラスを用い、第２図で示す
構成の多層混成集積回路基板全作成した例について述べ
る。

グリンシートは、次のようにして調製した。

Ｎ量目分率で５ｉｎ２が５５％、ｐｂｏが１７％、ＡＩ
、　０．が９％、ＣａＯが８％、Ｂ２Ｏ３が５％、Ｍｇ
Ｏが１％、Ｎα２０　が６％、Ｋ２Ｏが２％となるよう
に酸化物、炭酸塩、ある囚は水酸化物全秤量し、ボール
ミルで混合して実施例１で示した要領に従って平均粒径
２，５μｍ、軟化点６９０℃の非晶質ガラスの微粉末を
作成した。このガラス微粉末７０ｙに対して、平均粒径
が０６μｍのアルミナｔ−１５ｆ、平均粒径２．０μｍ
のマグネシアスピネル”Ｊ”４’％）ｔｌｏｆｌさらに
平均粒径２．５μｍのジルコ、イ酸カルシウム（Ｃ゛α
１ｒＯｓ　）を５ｆの割合で加えて混合し、実施例１で
示した要領に従ってグリンシー）ｋ作成した。

このシートは、熱処理温度が尚くなるにつれてわずかず
つ収線蓋が増すが、５ｏｏｔ：で大巾に収線し、９００
℃までの収量率は１６％程度でほぼ一定であった。これ
から、このグリンシートの焼成温度を８５０℃とした。

抵抗体のバインダガラスは、Ｍ量百分率でぬＯ８が６１
％、Ｂ２０．が４％、Ａｌ、０３が１０％、Ｔｉｅ、が
１１％、ＢａＯが２５％、ＺｎＯが１２％、Ｃ’ａＯが
４％、ＭｇＯが３％となるように酸化物、炭酸塩あるい
は水酸化物を杵蓋し、実施例１に示した要領で平均粒径
２，０μｍのガシス倣粉とする。このガラス微粉末は、
８４０℃でセルシアｙ　（ＢａＡｌ−２ＳＬ　２０ｇ　
）　ノ結晶を析出する発熱ピークをもつ結晶化ガラスで
ある。このガラス微粉末８．Ｏｆに、平均粒径１．５μ
ｍのＢ　Ｌ　２　Ｒｕ　２　（７７を２．０２の割合で
混合し、有機ビヒクルを加えて混練して抵抗ペーストと
した。

誘電体の非晶質バインダガラスには、ｋｉ百分率でＢｉ
、０．が６０％、ｐｈｏが１５％、５ＬＯ２が１１％、
Ａｌ２Ｏ，が５％、ＣａＯが４％、ＺｎＯが３％、Ｂ、
０゜が２％の組成で、平均粒径が２．７μｍのガラス微
粉末を用いた。このガラス粉末の軟化点は５３０℃であ
った。

誘電体ペーストは、平均粒径２．５μｍに粉砕したチタ
ン酸バリウムＢａＴｉ０．　９７ｔに、上記のようにし
て調製したガラス微粉末を０．３ｆの割合で混合し、有
機ビヒクルを加えて混練して誘電体ペーストとした。

第２図のように、グリンシートの印刷基体１に、Ａ１．
Ｐｄの混合粉と有機ビヒクルから成る導電ペーストを印
刷して第１層配線２、抵抗体用電４Ａ１．３、コンデン
サ用電極４を形成し、乾燥後調製した抵抗体ペーストを
印刷して第１層抵抗体５を形成し友。次いで、調製した
誘電体ペーストを印刷して第１層篩篭体６を形成し、導
電ペーストを印刷してコンデンサ用対向１１＆７を形成
した。次に、スルーホール９を形成した他のグリンシー
トの基体に、第１／ｉ１目と同様にして導体ペースト、
抵抗体ペースト、誘電体ペーストを印刷し、第２層重体
１０、外部接続用端子１１、部品搭載用端子１２、第２
層抵抗体１３を形成するとともに、スルーホールにも導
体ペーストを充填して上・下層の導通をもたせる。これ
らの２枚の印刷したグリンシートを重ね合わせ、１００
℃に加熱、５００Ｖ−の荷車で圧着し、８５０℃を１０
分間保持する空気焼成の厚膜ベルト炉で熱処理した。こ
の時回路基板は１６％収縮したが、基板の反りや抵抗膜
・訪を膜のはく離Φクラックは無かつ比。

夾施汐０３ 絶縁材に低融点の酸化物セラミックス、抵抗体およびｖ
５導電のバインダガラスに結晶化ガラスを用い、第１図
に示す構成の多層混成集積回路基板を作成した例につい
て述べる。

グリンシート用および層間絶縁体材料は次のようにして
調製した。Ｍ量目分率でＧｇＯ，が３５％、ＨａＯが６
５％、Ａｔ、　Ｏ，が１４％、ＣａＯが７％、ｐｂ。

が５％、Ｅｉ、０．が３％、Ｂ、０．が１％となるよう
に酸化物、炭酸塩および水酸化物を秤量し、ボールミル
で混合し、ポリビニルアルコールの水浴液を加えてプレ
スにより円板に成型した。これを、９００℃を２時間保
持する条件で熱処理した。

この焼結体をメノー製乳鉢およびボールミルで粉砕し、
平均粒径２２μｍの微粉末を作成し友。この微粉末を、
実施例１で示した要領に従ってグリンシートおよび層間
絶縁体用の絶縁ペーストとした。

抵抗体および経電体用の結晶化ガラスには、実施例１に
おいて絶縁材料に用いた組成のガラス微粉末を用いた。

抵抗体ペーストは、平均粒径０８μｍの酸化ルテニウム
（Ｒｕｂ、　）　８．Ｏｆにバインダガラス微粉末を２
．Ｏｆの割合で混合し、誘電体ペーストは、平均粒径２
７μｍのチタン酸バリウム（ＢａＴ＊Ｏｓ　）９．５９
にバインダガラス微粉末を０．５　ｆの割合で混合し、
それぞれ有機ビヒクルを加えて混練して作成した。

作成したグリンシート上に実施例１でＦＡ製した導電ペ
ースト、新たに■製した抵抗ペースト訪電体ペーストお
よび調製した絶縁体ペーストを印刷し、実施例１に示し
た要領に従って多層化し、８５０℃を２０分間保持する
空気焼成の厚膜ベルト炉で熱処理し、第１図に示した回
路基板を作成した。回路基板の反シや抵抗膜・篩篭体膜
のはく離・クラックは無かった。

以上述べたように本発明によれは、１０００℃以下で熱
処理して焼結する絶縁材料を回路基板材および層間絶縁
材とすることで、従来の厚膜回路に用いられたと同様の
抵抗体や誘電体をも多層化することが可能となり、かつ
、グリンシートを用いるため微細な導体配線をも形成で
きる。

このように、従来技術の欠点を補い、また長所を生かす
ことにより、半導体ＩＣＣフッその他の部品を爾密度に
実装できる小形、高集積の回路基板を製造できるように
なった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による多層混成集積回路基板の一例を示
す断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す断面図で
ある。 １・・・印刷基体　　　　　２・・・第１層配線３．３
′・・・抵抗体用′ｆＩＬ極　　４，４′・・・コンデ
ンサ用電極５・・・第１層抵抗体　　　６・・・第１層
誘電体７．７′・・・コンデンサ用対向電極 ８・・・絶縁体　　　　　　９・・・スルーホール１０
・・・第２層配線　　　　１１・・・外部接続用端子１
２・・・部品搭載用端子　　１３・・・第２層抵抗体１
４・・・第２層誘電体 代理人弁理士　薄　１）利　辛 棺１図 ３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｔ　抵抗・誘電体回路、抵抗回路もしくは誘電体回路の
   設けられた基板、この基板の回路形成面の接続部を除い
   た全面に設けられた絶縁層、この絶縁層上に上記接続部
   で上記回路と接続されている第２抵抗・誘電体回路、第
   ２抵抗回路もしくは第２誘電体回路、必要に応じて更に
   絶縁層、抵抗・誘電体回路、抵抗回路もしくは誘電体回
   路が上記と同様にして最小１回設けられた多層回路板に
   おいて、前記基板・前記絶縁層のすべてが夫々結晶化ガ
   ラス、絶縁性酸化物結晶の微粒子と非晶質ガラスの混合
   物、低融点の絶縁性酸化物多結晶体のうちから選ばれた
   少なくとも１種類の実質的に１０００℃以下の温度で焼
   結する材料であり。 前記回路のすべての導体路が金属とガラスの混合物もし
   くは金属のみであ）、前記回路のすべての抵抗体が導電
   性微粉末とガラスの混合物であり、前記回路のすべての
   誘電体が高融点の高誘電率誘電体微粉末とガラスの混合
   物もしくは低融点の高訪電率紡電体であることを特徴と
   する多層回路板。 ２、　絶縁材のグリンシート上に導体ペースト。 抵抗体ペースト、誘電体ペーストの少なくとも１ａｌｅ
   印刷・乾燥して導体路および導体路で抵抗体・誘電体の
   いずれかが接続された未焼成の回路を形成し、これに積
   層する各層に対応して導体路および抵抗体・誘電体のい
   ずれかが導体路で接続された下層回路との導通をもたせ
   るためのスルーホールを有するグリンシートを圧着して
   多層化し、その後これ全焼成することを特徴とする多層
   回路板の製造方法。