JPS58112338A - 半導体荘置用金属導体 - Google Patents

半導体荘置用金属導体

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JPS58112338A
JPS58112338A JP56213426A JP21342681A JPS58112338A JP S58112338 A JPS58112338 A JP S58112338A JP 56213426 A JP56213426 A JP 56213426A JP 21342681 A JP21342681 A JP 21342681A JP S58112338 A JPS58112338 A JP S58112338A
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JP
Japan
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metal conductor
wire
semiconductor device
plated
aluminum
Prior art date
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Pending
Application number
JP56213426A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Fujii
博之 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の金属導体に関する。
一般に、半導体装置は、組立工程で、ワイヤボンディン
グ技術によって半導体素子と金属導体に設けられた外部
導出用のリード片との接続が行なわれている。
すなわち、第１図に示すように、金属支持体１の所定部
へ接着した半導体素子２の電極部と、外部導出リード片
３のワイヤ接続部４とを、金あるいはアルミニウムワイ
ヤ５を用いて熱圧着ないし超音波融着により接続するも
のである。
ところで、上記のような金属支持体は、通常鋼を素材と
したものに、例えば裏面にニッケルめっきあるいははん
だめっきが施された半導体素子のはんだ接着性やワイヤ
ボンディング性を良くする目的で、全表面にニッケル、
銀等のめっきを施すか、あるいは所定の厚みのニッケル
めっきを施した後半導体素子載置部とワイヤ接続部のみ
に銀などの部分めっきを施したものが多用されている。
しかしながら、これらのめっき層の厚さは通常数ミクロ
ンであって例えばアルミニウムワイヤが用いられる大電
力用のトランジスタの場合、ニッケルめっきを施したも
のはアルミニウムワイヤと異種金属のために、また、銀
めっきを施したものは金属間化合物などが生成するため
にそれぞれ、ワイヤボンディング後しばしば融着不十分
によるワイヤの接続不良が生じていた。
本発明はこのような欠点を除去し、アルミニウムワイヤ
接続が完全になされる金属導体の提供を目的としたもの
である。本発明の目的は、金属導体のワイヤ接続部に選
択的にたとえば数ミクロンの厚さのアルミニウムのクラ
ッド層、蒸着層ないしはめっき層を形成することによっ
て達成することができる。
次に本発明について、一実施態様を示す第２図を参照し
て詳しく説明する。
本発明に係る一つの金属支持体１１は銅素材により形成
され、また、これと一体で形成された外部導出リード片
１２の先端部に設けられた拡幅のワイヤ接続部１３のみ
に幅約３ｍｍ、厚さ約３μｍのアルミニウムのめっき層
を形成したものである。
か＼るアルミニウム層を設けたワイヤ接続部１３に直径
２ｏＯμ慨のアルミニウムワイヤを超音波融着させたと
ころ、従来のニッケルめっきあるいは銀めっきを施した
ものに比べてワイヤ接続不良が０６０６％以下に減少し
た。
さらに、従来の銅素材の金属支持体および外部導出リー
ド片の全表面にニッケルめっきを施すと、そのめっきに
要する経費が１個当り２５％のコストアンプになり、ま
た、上記のように全表面にニッケルめっきを施しかつ上
記金属支持体の半導体素子載置部および上記外部導出リ
ード片のワイヤ接続部のみにさらに銀めっきを施したも
のになると同様に６０％のコストアンプを招くものであ
るが、本発明によると、２０％程度のコストアンプにな
るだけで、従来の前記銀めっき金属支持体のコストに比
べ僅か発の低価格で形成できることが明らかになった。
また本発明は複雑々構造の金属導体に実施して同程度の
効果があった。なお、半導体素子の金属支持体１１への
接着は、その半導体素子裏面にニッケル、銀などがめっ
きされ、はんだを用いて強固に接着されるので問題は生
じない。
以上の説明から明らかなように、アルミニウムワイヤを
用いる半導体において、金属導体のワイヤ接続部分に選
択的に同ワイヤと同材質のアルミニ歩ム層をクラッド、
蒸着、めっきなどで数ミクロン形成しておくことによっ
て、ワイヤ接続不良を大幅に削減しかつ安価な金属導体
の提供ができ。
本発明は産業上有用なすぐれた効果を発揮するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の金属導体にパワトランジスタの面図、第
２図は本発明の一実施例を示す半導体用金属導体の平面
図である。 １１・・・・・・金属支持体、１２・・・・・・外部導
出用リード片、１３・・・・・・ワイヤ接続部。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１８第　
１　・図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属導体に設けられたワイヤ接続部に、アルミニウム層
    が選択的に形成されていることを特徴とする半導体装置
    用金属導体。
JP56213426A 1981-12-25 1981-12-25 半導体荘置用金属導体 Pending JPS58112338A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56213426A JPS58112338A (ja) 1981-12-25 1981-12-25 半導体荘置用金属導体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56213426A JPS58112338A (ja) 1981-12-25 1981-12-25 半導体荘置用金属導体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58112338A true JPS58112338A (ja) 1983-07-04

Family

ID=16639026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56213426A Pending JPS58112338A (ja) 1981-12-25 1981-12-25 半導体荘置用金属導体

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JP (1) JPS58112338A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5422167A (en) * 1977-07-20 1979-02-19 Seiko Instr & Electronics Ltd Manufactuare of circuit block
JPS5619052A (en) * 1979-07-25 1981-02-23 Fujitsu Ltd Pattern correcting device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5422167A (en) * 1977-07-20 1979-02-19 Seiko Instr & Electronics Ltd Manufactuare of circuit block
JPS5619052A (en) * 1979-07-25 1981-02-23 Fujitsu Ltd Pattern correcting device

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