JPS58122A - 微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents
微細パタ−ンの形成方法Info
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- JPS58122A JPS58122A JP56097421A JP9742181A JPS58122A JP S58122 A JPS58122 A JP S58122A JP 56097421 A JP56097421 A JP 56097421A JP 9742181 A JP9742181 A JP 9742181A JP S58122 A JPS58122 A JP S58122A
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、集積回路装置の製造に主として用いられる
フォトリソグラフィ（以下７オトリソという）技術によ
る微細パターンの形成方法に関するものである。
フォトリソグラフィ（以下７オトリソという）技術によ
る微細パターンの形成方法に関するものである。
従来の集積回路装置の製造にシける／苧ターン形成につ
いて説明する。まず第１図（ａ） Ｋ示すように基板ｌ
のエツチング材質５上に例えばＩＳレジスト２をコーテ
ィングする１次に第１１！！（ｂ）に示すように集積回
路が描れたガラスマスク３を用いテ矢印０）のように露
光し、現像することによって、第１図（Ｃ）に示すよう
にレジスト像４の形成を行なう。
いて説明する。まず第１図（ａ） Ｋ示すように基板ｌ
のエツチング材質５上に例えばＩＳレジスト２をコーテ
ィングする１次に第１１！！（ｂ）に示すように集積回
路が描れたガラスマスク３を用いテ矢印０）のように露
光し、現像することによって、第１図（Ｃ）に示すよう
にレジスト像４の形成を行なう。
その後、第１図（ｄ）Ｋ示すように／ストベークを施し
、エツチングによって目的のエツチング材質器の不要部
分を溶かし去シ、所定パターンＳ亀を得る。エツチング
終了後、しＶストを除去情事することで、第ｆｌｉｔ（
＠）に示すようにパターンが形成された集積回路基板を
得ている。
、エツチングによって目的のエツチング材質器の不要部
分を溶かし去シ、所定パターンＳ亀を得る。エツチング
終了後、しＶストを除去情事することで、第ｆｌｉｔ（
＠）に示すようにパターンが形成された集積回路基板を
得ている。
しかし、前述した従来の方法ａＳＳＳレジストを使用す
る工程で杜、基板材料との密着性に劣り。
る工程で杜、基板材料との密着性に劣り。
エツチングにおいて第２図に示すよう（、サイドエッチ
１１が大きく高精度パターンの形成には不利であるとい
う欠点を有している。
１１が大きく高精度パターンの形成には不利であるとい
う欠点を有している。
一方、ネガレゾストを使用する工程では、密着性および
エツチング性が良好であっても、露光における架橋反応
によって、第３図に示すようにレジス） ＠ ５’ ａ
のエツジに大きく裾１２を引くため。
エツチング性が良好であっても、露光における架橋反応
によって、第３図に示すようにレジス） ＠ ５’ ａ
のエツジに大きく裾１２を引くため。
解會性に劣り、微細パターンの高精度化に不利であると
いう欠点を有している。
いう欠点を有している。
この発明は、前述した従来の方法の欠点を解消するため
になされたものであり、エツチング除去しようとする部
分をポジレジスト／４ターン画像で形成し、残りの材質
の露出部をネガレゾスト像で覆い、その後ポジレジスト
像を溶解除去し、ｆジ儂からネガ像への反転をさせるも
ので、このようにすることにより、ｙｊｒジ型の高解像
、高精度を備え、かつネガ型の耐エツチング特性を兼ね
たレジスト画偉が得られ、微細／４ターン形成が容易に
できる。その形成方法を提供することを１目的とするも
のである。
になされたものであり、エツチング除去しようとする部
分をポジレジスト／４ターン画像で形成し、残りの材質
の露出部をネガレゾスト像で覆い、その後ポジレジスト
像を溶解除去し、ｆジ儂からネガ像への反転をさせるも
ので、このようにすることにより、ｙｊｒジ型の高解像
、高精度を備え、かつネガ型の耐エツチング特性を兼ね
たレジスト画偉が得られ、微細／４ターン形成が容易に
できる。その形成方法を提供することを１目的とするも
のである。
以下この発明の一実施例を第４図によって説明する。第
４図中、１と５は基板を構成する材料であシ、５はエツ
チングしようとする材質を示す。
４図中、１と５は基板を構成する材料であシ、５はエツ
チングしようとする材質を示す。
第４図（ａ）に示すように基板１のエツチング材質５上
にポジレジスト２をコーティングする０次に。
にポジレジスト２をコーティングする０次に。
第４図中）Ｋ示すようにマスク３を用いて紫外線を矢印
（イ）に示すように投射して露光工部を行なう。
（イ）に示すように投射して露光工部を行なう。
次に、露光後の現像を行ないレゾストパターン４を得る
。その後、第４図（Ｃ） Ｋ示すレジストパターン像４
の上に、さらに、第４図り）に示すように、ネガレジス
ト６をコーティングする０次に、第４図ｅ）に示すよう
に、第４図中）のものと同様のマスク３（もしくはマス
ク３よ）微小幅小さいマスク３と相似形のマスク３′）
を用いて、前記ポジノ々ターンに合せを行ない、矢印（
ロ）に示すようにネガレジスト６への露光工１を行なう
０次に、ネガレジスト現像を行ない、第４図（ｆ）に示
すように、レジストパターン７とポジレジスト４とを混
在させる。
。その後、第４図（Ｃ） Ｋ示すレジストパターン像４
の上に、さらに、第４図り）に示すように、ネガレジス
ト６をコーティングする０次に、第４図ｅ）に示すよう
に、第４図中）のものと同様のマスク３（もしくはマス
ク３よ）微小幅小さいマスク３と相似形のマスク３′）
を用いて、前記ポジノ々ターンに合せを行ない、矢印（
ロ）に示すようにネガレジスト６への露光工１を行なう
０次に、ネガレジスト現像を行ない、第４図（ｆ）に示
すように、レジストパターン７とポジレジスト４とを混
在させる。
第４図（２）に示すように、／ジレジスト４をネガ現懐
中に、ｔたはその後に適切な溶剤を選ぶことで溶解除去
し、ネガレゾスト像７を残す０次に、第４図の）に示す
ように、エツチング液に浸漬することにより、エツチン
グ材質５０部分をエツチングし、所定の／４ターン５烏
を得る。最後に、第４図（＋）に示すように、ネガレジ
ストパターン７を除去、洗滲することにより、目的とす
るノ量ターン形成の完成した基板１を得る。
中に、ｔたはその後に適切な溶剤を選ぶことで溶解除去
し、ネガレゾスト像７を残す０次に、第４図の）に示す
ように、エツチング液に浸漬することにより、エツチン
グ材質５０部分をエツチングし、所定の／４ターン５烏
を得る。最後に、第４図（＋）に示すように、ネガレジ
ストパターン７を除去、洗滲することにより、目的とす
るノ量ターン形成の完成した基板１を得る。
なお、この発明は、７オトリソ技術を用いているため、
シリコンＩＣ以外に薄１１［Ｉｃ、グリント基板、ガラ
スマスクにおいても、ツタターンが微細化する場合に利
用することができる。
シリコンＩＣ以外に薄１１［Ｉｃ、グリント基板、ガラ
スマスクにおいても、ツタターンが微細化する場合に利
用することができる。
以上説明したように、微細パターンの形成は。
ポジレジストが解像度、エツジの切れのよさから高精度
が期待できるが、しかし欠点としてエツチングしようと
する物質（材料表面）との密着性が弱く、エツチング中
に横方向のエツチング速度が大きく、アンダカットと呼
ばれる欠陥を生じ、目標精度から大さく逸脱する。一方
ネがレゾストは、基板表面との密着が強固となり、エツ
チングにおいてはアンダカットなどの欠陥が発生しない
が。
が期待できるが、しかし欠点としてエツチングしようと
する物質（材料表面）との密着性が弱く、エツチング中
に横方向のエツチング速度が大きく、アンダカットと呼
ばれる欠陥を生じ、目標精度から大さく逸脱する。一方
ネがレゾストは、基板表面との密着が強固となり、エツ
チングにおいてはアンダカットなどの欠陥が発生しない
が。
解像度、エツジのよさについて劣るため、微小パターン
の形成には不利な点を持つ。
の形成には不利な点を持つ。
しかし、この発明は、前半のレジスト像の形成は、解像
度と切れのよい？ルジストヲ使用し、後半のエツチング
には、耐薬品性の強いネガレゾストを使用することによ
って、前述した４ジ、ネガ両型の長所を活かし、欠点を
補うことができ。
度と切れのよい？ルジストヲ使用し、後半のエツチング
には、耐薬品性の強いネガレゾストを使用することによ
って、前述した４ジ、ネガ両型の長所を活かし、欠点を
補うことができ。
微細／４ターン形成が容易にできるという効果が得られ
る。
る。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜Ｃ）は従来のホトリン工程を工程ＪＩＫ
示す断面図、第２図はｆジレジストパターンによるエツ
チング特性の断面模型図、８３図はネガレジスト／ぐタ
ーンによるエツチング特性の断面模型図であり、＃Ｉ４
図（ａ）〜（ｉ）はこの発明の一実施例の工程を工ａｉ
ｌ［Ｋ示す断面図であ為。 １・・・基板、２−／ジレジスト、３・・・ガラスマス
ク、４・−／ゾレジスト、５−エツチング材質、６・・
・ネガレジスト、７・−ネガレゾスト像。 特許出願人 沖電気工業株式会社
示す断面図、第２図はｆジレジストパターンによるエツ
チング特性の断面模型図、８３図はネガレジスト／ぐタ
ーンによるエツチング特性の断面模型図であり、＃Ｉ４
図（ａ）〜（ｉ）はこの発明の一実施例の工程を工ａｉ
ｌ［Ｋ示す断面図であ為。 １・・・基板、２−／ジレジスト、３・・・ガラスマス
ク、４・−／ゾレジスト、５−エツチング材質、６・・
・ネガレジスト、７・−ネガレゾスト像。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／Ｓレジストによるレジスト像デジノダターン形成終了
後の基板に、ネガレジストを重ねて塗布し。 前記ＩＩ）パターン形成に用いた同一マスク、ｔたはこ
れと相似形で幾分小さ込マスクを用いて前記ポジ・ダタ
ーンに合せを行ない、露光後蝙偉し、前記４ジ／４ター
ン上にネがレジストの開口部を設け。 その後／−）レゾストを、ネガレジ哀ト現像と同時に溶
解させるか、適切な溶剤を選び一漬溶解するかのいづれ
かによって／ゾレゾスト像を除去し、最後に残されたネ
ガレジスト儂を用いてエツチングし、基板への・り一ン
形成を行なうことを特徴とする微細・ヂター／の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56097421A JPS58122A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56097421A JPS58122A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122A true JPS58122A (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=14191966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56097421A Pending JPS58122A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5030317A (en) * | 1986-04-28 | 1991-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing liquid jet recording head |
| US5162194A (en) * | 1988-10-20 | 1992-11-10 | International Business Machines | Method of providing a printed circuit board with a cover coat |
| US6033952A (en) * | 1998-11-30 | 2000-03-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56097421A patent/JPS58122A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5030317A (en) * | 1986-04-28 | 1991-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing liquid jet recording head |
| US5162194A (en) * | 1988-10-20 | 1992-11-10 | International Business Machines | Method of providing a printed circuit board with a cover coat |
| US6033952A (en) * | 1998-11-30 | 2000-03-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
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